JP6116900B2 - エピタキシャル反応器の反応室及び前記反応室を用いた反応器 - Google Patents

Description

本発明はエピタキシャル反応器の反応室及び前記反応室を用いた反応器に関する。

エピタキシャル反応器は、平坦且つ均一な単結晶や多結晶の物質の層を、基板の上に沈着させるために用いられる機械である。そして、上述のように扱われた基板は、電気装置（例えば、太陽電池）、電子装置（例えば、ＭＯＳＦＥＴ（モス電界効果トランジスタ）、ＬＥＤ）、及びマイクロ電子デバイス（例えば、集積回路）を生産するために用いられる。従って、沈着する層の質は、不良性、均一な厚さ、均一な抵抗率の点で、とりわけ重要であり、ますます厳しくなる必要条件に従う。

基板は、直径がとても幅広い値を取る（概して、１インチ＝２５ｍｍから１８インチ＝４５０ｍｍ間の値を取る）とても薄いディスク（その厚さは、概して、１００μｍから１５００μｍの間の値を取る）から成り、例えば、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、酸化アルミニウム又は「サファイア」（Ａｌ_２Ｏ_３）、又は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から作ることが出来る。

沈着される物質は、概して、導体、及び半導体の物質であり、例えば、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。

沈着層とその下層にある基板は、同一の物質から作られてもよいし、又は異なる物質から作られてもよい。

沈着層の厚さは、数ナノメーターから数ミリメーターという幅広い値から取ってもよい。沈着層の厚さが１ｍｍを超えると、沈着プロセスは一般に「バルク成長」と呼ばれる。

周知のエピタキシャル反応器は、一般には原則的に石英ピースから成る反応室を備える。石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、ピラミッド型、又は平行六面体の形状を取り、壁によって規定される少なくとも一つの内部の空洞を有する、石英ピースの部分を備える。この空洞は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーンを備える。このゾーンは、そこで熱せられる少なくとも一つのサセプターを収納するよう適合されている。サセプターは、基板を支え、そしてしばしば熱する働きをする。

多くの種類の反応器が存在する。種類によっては、室が鉛直に、又は水平に配置されてもよい。（斜めに配置されることは、ほとんどない。）種類によっては、サセプターは、円盤型、角柱型、円柱型、ピラミッド型、又は錐体型の形状をとってもよく、無垢であっても中空であってもよい。種類によっては、サセプターは、抵抗、誘導子、ランプによって熱せられてもよい。（内部バーナーによって熱せられることは、ほとんどない。）種類によっては、反応器は、「冷壁（cold-wall）型」でも「温壁（hot-wall）型」でもよい。（これらの用語は、反応や沈着の行われる空間を規定する壁について言及している。）

エピタキシャル反応器のプロセスは、高温で、すなわち、セ氏数百度から数千度の間で、実行される。（例えば、多結晶シリコンの沈着は、概して、４５０℃から８００℃の間の温度で行われる。シリコン基板への単結晶シリコンの沈着は、概して、８５０℃から１２５０℃の間の温度で行われる。シリコン基板への単結晶シリコンカーバイドの沈着は、概して１２００℃から１４００℃の間の温度で行われる。シリコンカーバイド基板への単結晶シリコンカーバイドの沈着が、「エピタキシャル成長」のために、概して１５００℃から１７００℃の間の温度で行われ、「バルク成長」のために、１９００℃から２４００℃の間の温度で行われる。）そして、熱する為に多くのエネルギー（数十ｋＷ）を用いる。

したがって、発生した熱エネルギーの周囲への放出を防ぐことが重要な必要条件である。

この目的のために、金に基づく物質の薄い（１００μｍ未満の）層を、エピタキシャル反応器の反応室の外部表面に塗布することが、何十年もの間、一般的な方法であった。この金の層は、一定回数の塗布と乾燥サイクルによって形成される。（平坦で、均一で、小穴のない層を得るのは、容易ではない。）そして、サセプターによって放射される赤外線放射を、十分に反射する。

サセプターが、基板を熱する主要な要素となっているエピタキシャル反応器（例えば、誘導加熱エピタキシャル反応器）において、適切な反射の結果、成長プロセスの間、基板の前面と背面の間の温度の差異の減少に、有利に帰結する。

一般に、厚みや抵抗率の高い均一性を得るために、沈着プロセスの間、基板が均一に熱せられることが、重要な必要条件である。

金の層を用いた解決法の欠点が、一定の時間が経つと（すなわち、２、３ヶ月後）、金の層が反応室の石英の表面から剥落するようになる、ということである。というのも、石英の表面が熱くなればなるほど、金の層は早く剥落するからである。これは、金の熱膨張は、石英の熱膨張よりも大きいという事実にも起因する。もし反応室がガスフロー（かなり一般的な手法である）によって冷却されるなら、この現象はなおさら早く起きる。これは、ガスフローによって、層の上に機械的作用がもたらされるということにも起因する。それに加えて、反応室の以前の洗浄サイクルに由来する、反応室の表面に残っている酸の跡によって、この現象は、更に促進される。

金の層の剥落の結果、エピタキシャル反応器によって消費される電力は増加する。というのも、サセプターによって放射される赤外線放射の一部が、周囲に放出されるからである。

更に、金の層の剥落は、一様でなくむらがあるので、基板の成長の質の低下にも帰結する。

従って、剥落が起こると、反応室をエピタキシャル反応器から取り外し、金の層（すでに一部は剥落している）を完全に除去し、金の層を再度塗布し、反応室をエピタキシャル反応器に再び設置する必要が生じる。これらの工程は、時間がかかり、コストが高い。そして、限られた回数しか実行できない。

既に述べたように、エピタキシャル反応器のプロセスは、反応室の空洞の内部において高温で実行される。従って、反応室を冷却する必要がある。しかし、この室の冷却は、反応及び沈着の起こる空間を規定する壁を、過剰に及び／又は不均一に冷却することを起こし得る。この結果、基板成長の質が低下する。

本発明の一般的目的は、上記の欠点を克服し、上記の必要条件を満たすことである。

この目的やその他の目的は、付加された請求項で提示された特徴を持つ反応室によって成し遂げられ、それらの請求項は、本明細書に欠くことの出来ない部分を構成する。

本発明の基本となる考案は、反応室の空洞の壁に隣接して、対抗壁（counterwall）を形成し、反応沈着ゾーンの壁となるように配置される石英の部品をもたらす考案である。

この考案を実行するように実験が行われ、その期待を大きく上回る結果が成し遂げられた。すなわち、（Ａ）沈着層の厚さと抵抗率の、高い均一性、（Ｂ）沈着層の低い不良性、（Ｃ）反応沈着ゾーンを熱する電力消費の減少、（Ｄ）反応沈着ゾーンに注入される前駆ガスの利用が改善され、その結果、沈着速度が速くなること、（Ｅ）室の空洞の壁における寄生成長が減少し、その結果、反応沈着ゾーンにおける迷走粒子（stray particle）が減少し、室を「洗浄する」必要性が減ること、（Ｆ）室の空洞の壁によるドーパントの捕捉が減り、その結果、ドーピングの水準や種類の、よりくっきり印の付いた、又は、あまり漸進的ではない遷移を持つ、隣り合った沈着層を生産する可能性が生じること、である。

一般に、エピタキシャル反応器の反応室は、本発明に従えば、原則的に石英のピースから成る。前記石英のピースは、少なくとも部分的に壁によって規定される、少なくとも一つの内部の空洞をもつ石英ピースの部分を備える。前記空洞は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーンを備える。前記ゾーンは、そこで熱せられる少なくとも一つのサセプターを収容するよう適合している。反応室は、更に、対抗壁を形成し、前記ゾーンの壁となるように、一つ以上の前記壁に隣接して配置される石英の部品を備える。

本発明に従う反応室において、前記石英の部品は、前記壁の内、２枚、３枚、又は４枚、好ましくは前記壁の内３枚のために対向壁を形成するように配置することが出来る。

本発明に従う反応室において、前記石英の部品は、前記壁の内、１枚又は２枚、好ましくは、前記壁の内ただ１枚に載置することが出来る。

本発明に従う反応室において、前記石英の部品は、原則的に、真っ直ぐな、又は、成形した石英のスラブ、好ましくは成形した石英のスラブ、更に好ましくは、Ｕ字型をした石英のスラブから成る。

本発明に従う反応室において、前記石英のスラブは、厚さが均一でもよく、変化してもよい。

本発明に従う反応室において、少なくとも一つの空間が、前記石英の部品と前記壁との間に、主として規定される。前記空間は、前記反応沈着ゾーンから分離しており、とりわけ、気密的に分離されている。

本発明に従う反応室において、前記空間は、その幅が、均一でもよく、変化してもよい。

本発明に従う反応室において、２つ、３つ、又は４つの空間、好ましくは３つの空間が、前記石英の部品と前記壁の間に規定され得る。そして、前記空間の幅は、好ましくは均一であり、お互いに等しい。

本発明に従う反応室において、前記石英の部品の石英は、透明、不透明、又は、反射的であり得る。

本発明に従う反応室において、前記石英の部品は、内側又は外側、好ましくは、前記壁により近い側が、反射層で被覆され得る。

前記反射層は、概して、前記サセプターによって放射される、１０００ｎｍと１００００ｎｍの間、好ましくは１５００ｎｍと３０００ｎｍの間の波長を持つ赤外線放射を反射し返すように適合されている。

前記反射層は、好ましくは、石英に基づく物質から作られている。

前記反射層は、前記石英の部品を、完全に、又は、部分的に、被覆し得る。

前記反射層は、ガラス化した石英の層によって、完全に、又は、部分的に被覆され得る。

本発明に従う反応室において、前記石英ピースの部分は、円柱型、角柱型、ピラミッド型、好ましくは、実質上平行六面体の形状を取ることが出来、前記空洞を形成する穴を貫く軸を持つ。

本発明に従う反応室は、前記石英のピースの端部にフランジを備えることが出来る。

本発明に従う反応室において、少なくとも一つの空間は、概して、前記石英の部品と、前記壁の間に規定される。それによって、室と関連し、前記空間の内部で、少なくとも一つの流体の流れ、好ましくは、ガスの流れを運ぶよう適合された手段が、供され得る。前記手段は、前記空間の内部で、少なくとも二つの流体の流れ、好ましくはガスの流れを運ぶよう適合されており、前記流れの方向は、好ましくは、それらの間の角度が、約１８０°を形成し得る。

前記流れの一つ、又は、それぞれの流れる方向は、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、変化することが出来る。

前記流体の流れの一つ、又は、それぞれの速度、及び／又は、流量は、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、変化することが出来る。

前記流れの一つ、又は、それぞれの流体は、水素、及び／又は、ヘリウム、及び／又は、アルゴンを備えることが出来る。

前記流れの一つ、又は、それぞれの組成は、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、変化することが出来る。

前記流れの一つ、又は、それぞれは、前記石英の部品を冷却するよう適合し得る。

前記流れの一つ、又は、それぞれは、前記石英の部品と少なくとも一枚の前記壁の間の熱交換、とりわけ、前記少なくとも一つの空間の熱交換係数を制御し、確定するために適合し得る。

前記流れの一つ、又は、それぞれは、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、前記石英の部品の二つの側面に、実質上同一の圧力を維持するような流れであり得る。

更なる態様によれば、本発明は、上記特徴の一つ以上を持つ反応室を備えるエピタキシャル反応器に関連する。

本発明は、次に付随する図面と共に、以下で詳細に説明される。

先行技術による反応室の三つの異なる図面である。（図１Ａは側面図、図１Ｂは上面図、図１Ｃは前面図である。） 本発明による反応室の実施例の三つの異なる図面である。（図２Ａは側面図、図２Ｂは上面図、図２Ｃは前面図である。）――図２の室は、本発明による技術的特徴が加わった図１の室に対応する。 本発明による反応室の第二の実施例の断面図である。――図３の室は、図２の室に非常に類似している。

（発明の詳細な説明）
この説明とこれらの図面は、非限定例によってもたらされ、更に、それらは略図であって単純化されている。

図１が示すのは、原則的に中空の石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室である。この中空の石英ピースは、（丸みのついた長手方向のへりを持つ）平行六面体の形態を持つ石英ピースの部分１と、部分１内に作られる穴２を通る軸を備える。部分１は、３方向の内２方向（すなわち、幅方向と高さ方向。図１Ｃを参照のこと）に従って、（図１には示されていない）反応沈着ゾーン３を規定し、穴２の内部で熱せられる（図１には示されていない）少なくとも１つのサセプターを収納するよう適合している。穴２は、形状の点で部分１の断面に対応する（丸みの付いた角を持つ）長方形の断面を持つ。そして、このようにして、部分１は、実質的に一定の断面を持つ壁を備えるチューブを形成する。１Ａが示すのは、低部壁の内部表面であり、１Ｂが示すのは、第一側壁の内部表面であり、１Ｃが示すのは、上部壁の内部表面であり、１Ｄが示すのは、第二側壁の内部表面である。

図１の室は、水平に配置され、円盤状のサセプターを収容し、誘導加熱手段が付随し、「冷壁の」反応器（すなわち、エピタキシャル成長過程の間、中空の石英ピースの部分１の温度は４００〜６００℃を超えず、そのため、サセプターの温度よりもかなり低い。）の中で用いられるように適合されている。

図１の室は、中空の石英ピースの端部、とりわけ、部分１の端部に、二つのフランジ７も備える。

部分１は、透明な石英、とりわけ、可視光だけではなく赤外線に対して透明な石英で作られている。

フランジ７は、不透明な石英、とりわけ、可視光だけではなく赤外線に対して（透過を防ぎ、従って、部分的に反射し部分的に吸収するような）不透明な石英で作られている。

図２が示すのは、円盤の形状をしたサセプター４であって、それは、それを支え回転させる鉛直軸８の上に載置されている。サセプター４は、その上面に浅い凹部（とりわけ５つの凹部）を備え、それは自身の表面でエピタキシャル成長を行う基板を収容する。軸８は、室の低部壁（図には示されていないが、保持手段が備わる）に作られた円形の穴を通る。更に、この図が示しているのは、反応沈着ゾーン３である。最後に、サセプター４も軸８も室の一部ではないことを記しておく。

図２の室は、図１の室とは異なっているが、それは原則的に、対抗壁を形成しゾーン３の壁となるように、空洞２の一つ以上の壁に隣接して配置される石英の部品５を備えるという事実による。とりわけ、これは、Ｕ字型のスラブであって、ひっくり返されて配置され、低部壁にのみ、厳密に言えば、この壁の内部表面１Ａにのみ、載置される。これは全て、図２Ｃに明確に示されている。スラブ５は、均一の厚さを持つ。この形状をしたスラブは、三つのまっすぐなスラブを結合することによって、生産することが出来る。一つは水平に配置されるよう適合しており、二つは、鉛直に配置されるよう適合している。

部品２は、室の完全な長さまで、とりわけ、フランジ７の端部まで伸びている。又は、例えば、部分１の完全な長さまでのみ、伸びていてもよい。

図２の例においては、部品５は、空洞２の３枚の壁、とりわけ、２枚の側壁と上部壁のために、対抗壁を作るように配置されている。空間６は、部品５と空洞２の壁の間に規定されているが、それは、３つの部分６Ｂ、６Ｃ、６Ｄに分かれ、それらはそれぞれが空間である。空間６Ｂは、部品５と第一側壁の内部表面１Ｂとの間に位置し、空間６Ｃは、部品５と上部壁の内部表面１Ｃとの間に位置し、空間６Ｄは、部品５と第二側壁の内部表面１Ｄとの間に位置する。空間６（従って、その部分６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ）は、多かれ少なかれ、反応沈着ゾーン３から気密的に隔てられている。３つの空間６Ｂ、６Ｃ、６Ｄの幅は（端部においてわずかな差があるものの）実質的に均一であり、お互いに等しいが、これは図２Ｃから明らかである。これらの幅は、概して、１ｍｍから１０ｍｍの間である。

部品５の石英は透明、不透明、又は反射的である。

部品５は、その内面又は外面が、反射層で被覆されている。被覆は全体的でも、部分的でもあり得る。

最も典型的な態様によれば、部品５は、透明な石英で作られており、空洞２の壁により近接した、すなわち、表面６Ｂ、６Ｃ、６Ｄに隣接した側面が反射層で被覆されている。

この反射層は、概して、サセプター４から放射される、波長が１０００ｎｍから１００００ｎｍ、好ましくは、１５００ｎｍから３０００ｎｍの赤外線放射を反射し返すように適合されている。

反射層は、好ましくは、石英に基づく物質から作られている。このように、層の物質は、化学的な観点（同一の、又は類似の化学的性質、すなわち、耐性）、機械的な観点（同一の、又は類似の機械的性質）、熱的な観点（同一の、又は類似の熱的性質、すなわち、ＣＴＥ（熱膨張率））で、部品の物質と相性が良い。

反射層の厚さは、概して、０．５ｍｍから１．５ｍｍの間であり、好ましくは、約１ｍｍである。

反射層は、以下のプロセスによって、得ることが出来る。
――分散液（分散液は、例えば、水でもアルコールでも良い）の中に高い濃度（すなわち、８０％を超え、９５％未満）の石英粒子のアモルファスを含む半流動体のスラリーを、透明な石英の反応室に塗布する。そして、
――塗布したスラリーを乾燥させる。そして、
――乾燥したスラリーを焼結する。

このようにして、層に達する（上記した範囲の波長の）赤外線放射の、平均して８０％〜９０％以上を反射することが可能な層が得られる。

反射層は、ガラス化した石英の層によって、完全に、又は部分的に被覆され得る。このガラス化した層は、概して、０．５ｍｍから１．５ｍｍの間の厚さを取り得る。

反射石英層と、それに重なるガラス化した石英層は、以下の単純なプロセスによって得ることが出来る。
――分散液（分散液は、例えば、水でもアルコールでも良い）の中に高い濃度の（すなわち、８０％を超え、９５％未満の）石英粒子のアモルファスを含む半流動体のスラリーを、透明な石英の反応室に塗布する。
――塗布されたスラリーを乾燥させる。そして、
――乾燥したスラリーを焼結する。そして、
――焼結されたスラリーの表面を、所定の深さまで、例えば、炎やレーザービームによって、ガラス化する。

もちろん、反射石英層とガラス化した石英層の両方を製造するためには、十分なスラリーが塗布されなければならない。

ガラス化した層は、その下にある反射層を、化学的、及び機械的な観点の両方から保護する。もし素晴らしい質のガラス化層が製造されるのであれば、部品の内側（すなわちゾーン３に直接隣接する側）に、反射層を設置することも可能である。それによって、周囲に放出される熱エネルギーが、更に減少する。

図３の実施例は、図２の実施例に非常に類似している。（図２Ａと図３との間の類似性を記しておく。）このような理由で、対応する要素は、同一の参照番号で示す。

図３において、記しておきたいのは、サセプター４は、円筒型をした低部壁の凹部１０に収納され、軸８は、空洞２の低部壁から鉛直に突き出すチューブ１８に収納されているということである。穴２は、（左のフランジに）注入口２１を備え、（右のフランジに）排出口２２を備える。前駆ガスが注入口２１を通って入り、化学反応と沈着の起こるゾーン３へと通過し、劣化ガスが排出口２２を通って外に出る。低部壁には、サセプター４の上流であり、その内部表面がサセプターの上部表面と一列に並ぶ隆起部１１と、サセプター４の下流である低部領域を備える。端部１２は、サセプターと低部領域の間に位置する。部品５を形成するスラブは、一定の厚さを持つ。空間６Ｃの幅は、徐々に変化し、とりわけ、注入口２１から排出口２２に向かって徐々に増加する。（このようにして、前駆ガスの「逓減」効果を、室の通路に沿って相殺することができ、お互いに完全に平行な低部壁と上部壁をもつ室と同様となる。）

既に述べたように、本発明による反応室において、少なくとも一つの空間が、概して、石英の部品と壁の間に規定される。従って、少なくとも一つの流体の流れ、好ましくはガスを、前記空間内で運ぶよう適合された、室に付随する手段が、供される。このことは、図３に図式化されているが、そこで、部品は５で示されており、空間は６Ｃで示されており、それは部品６Ｃと上部壁の内部表面１Ｃとの間に位置する。そして、矢印ＡＡ及びＢＡが、二つの可能なガスの流れの方向を示している。

矢印ＡＡで示される方向に従う一つだけのガスの流れ、矢印ＢＡで示される方向に従う一つだけのガスの流れ、又は、これらの二つのガスの流れの双方を供給することが可能である。後者の場合において、それらの流れは、その間が約１８０°を形成する。

ガスの流れ、又は複数のガスの流れの特性は、大きく変化し得る。前記流れの一つ又はそれぞれの流れの方向は、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、変化することが出来る。前記流体の流れの一つ、又は、それぞれの速度、及び／又は、流量は、成長過程の前、及び／又は成長過程の間、及び／又は成長過程の後に、変化することが出来る。前記流れの一つ、又はそれぞれの流体は、水素、及び／又は、ヘリウム、及び／又は、アルゴンを備えることが出来る。前記流れの一つ、又はそれぞれの組成は、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、変化することが出来る。

ガスの流れ、又は複数の流れは、さまざまな目的に用いることが可能である。

前記流れの一つ、又はそれぞれは、（図において５で示されている）石英の部品を冷却するために適合され得る。

前記流れの一つ、又はそれぞれは、（図において５で示されている）石英の部品と（図において２で示されている）空洞の少なくとも１枚の壁との間の熱交換、とりわけ（図において６で示されている）関連する空間の熱交換係数を、制御し、確定するために適合し得る。

前記流れの一つ、又はそれぞれは、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、（図において５で示されている）前記石英の部品の二つの側面に、実質上同一の圧力を維持するような流れであり得る。

これまで述べてきたことから理解されるのは、本発明の好適実施例によれば、（図において３で示される）反応沈着ゾーンから反応室の外部に向かって動くと、最初に（図において５で示される）対抗壁、それから（図において６で示される）空間、最後に（図において１で示される）壁に衝突する、ということである。流体（好ましくはガス）は、空間の中で流れることが出来る。流体（好ましくは液体）は、壁の外面を流れることが出来る。したがって、対抗壁の内側表面の温度と、反応沈着ゾーンから外側に向かって流れる熱を制御するために適切に選ばれ得る多くのパラメータ（幾何学的、化学的、熱力学的、流体力学的パラメータ）が存在する。

１ 部分
１Ａ 低部壁の内部表面
１Ｂ 第一側壁の内部表面
１Ｃ 上部壁の内部表面
１Ｄ 第二側壁の内部表面
２ 穴
３ 反応沈着ゾーン
４ サセプター
５ 部品
６ 空間
６Ｂ 空間
６Ｃ 空間
６Ｄ 空間
７ フランジ
８ 軸
１１ 隆起部
１２ 端部
１８ チューブ
２１ 注入口
２２ 排出口

Claims (8)

1. 少なくとも一つの冷壁の反応室、サセプター（４）、前記サセプター（４）に付随する誘導加熱手段とを備えるエピタキシャル反応器であって、
   前記反応室は原則的に石英ピースを備え、
   前記石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備え、
   前記空洞（２）は、前記エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備え、
   前記ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するよう適合しており、
   当該反応室は、更に、石英の部品（５）を備え、該石英の部品（５）は、対抗壁を形成し、且つ、前記ゾーン（３）の壁となるように前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置され、
   少なくとも一つの空間（６）が、前記石英の部品（５）と前記壁（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ）の間に規定されており、
   単結晶シリコンのエピタキシャル成長過程の間、前記石英ピースの部分（１）の温度は６００℃を超えず、前記サセプター（４）の温度は８５０℃と１２５０℃の間に維持されるように、前記石英の部品（５）が前記反応沈着ゾーン（３）から外部に向かう熱を減少させ、
   前記石英の部品（５）が、原則的に、真っ直ぐな又は成形された石英のスラブから成ることを特徴とする、エピタキシャル反応器。
2. 前記石英の部品（５）が、前記壁の内２枚、３枚、又は４枚のための対抗壁を形成するように配置されている、請求項１に記載のエピタキシャル反応器。
3. 前記石英の部品（５）が、前記壁の内１枚又は２枚に載置される、請求項１又は２に記載のエピタキシャル反応器。
4. 前記空間（６）は、均一の、又は、変化する幅を持つ、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエピタキシャル反応器。
5. ２つ、３つ、又は４つの空間が、前記石英の部品（５）と前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）の間に規定され、前記空間の幅は、好ましくは、均一であってお互いに等しい、請求項４に記載のエピタキシャル反応器。
6. 前記石英の部品（５）の、内側又は外側が、反射層によって被覆されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のエピタキシャル反応器。
7. 前記空間（６）に、少なくとも一つの流体の流れを前記空間（６）内で運搬するよう適合された手段が付随することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のエピタキシャル反応器。
8. 前記少なくとも一つの流体の流れの速度、及び／又は、流量、及び／又は、方向、及び／又は、組成が、成長過程の前、及び／又は、成長過程の間、及び／又は、成長過程の後に、変化する、請求項７に記載のエピタキシャル反応器。

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