JP2002110558A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱した熱源により基板処理用ガスを活性化さ
せて基板の処理を行う基板処理装置や基板処理方法であ
って、金属汚染を防止できる基板処理装置や基板処理方
法を提供する。 【解決手段】基板４１に処理を施す反応室１０と、反応
室１０内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段１
１、１２、１３と、処理用ガスを活性化して活性種を生
成するための熱源２０とを備える。熱源２０が、熱源素
体２１と熱源素体２１を囲む耐熱材２２とを備え、耐熱
材２２で囲まれた空間内に所定のガスを充填もしくは流
通させる。
せて基板の処理を行う基板処理装置や基板処理方法であ
って、金属汚染を防止できる基板処理装置や基板処理方
法を提供する。 【解決手段】基板４１に処理を施す反応室１０と、反応
室１０内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段１
１、１２、１３と、処理用ガスを活性化して活性種を生
成するための熱源２０とを備える。熱源２０が、熱源素
体２１と熱源素体２１を囲む耐熱材２２とを備え、耐熱
材２２で囲まれた空間内に所定のガスを充填もしくは流
通させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び基板処理方法に関し、特に、加熱した熱源により基板
処理用ガスを活性化させて基板の処理を行う基板処理装
置および基板処理方法に関する。
び基板処理方法に関し、特に、加熱した熱源により基板
処理用ガスを活性化させて基板の処理を行う基板処理装
置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような加熱した熱源により基板処理
用ガスを活性化させて基板の処理を行う装置や方法にお
いては、例えば、加熱したＷ（タングステン）などの熱
源素体を処理基板の近傍に設置し、反応ガスをこの熱源
素体により分解して低温で基板に膜を堆積する。
用ガスを活性化させて基板の処理を行う装置や方法にお
いては、例えば、加熱したＷ（タングステン）などの熱
源素体を処理基板の近傍に設置し、反応ガスをこの熱源
素体により分解して低温で基板に膜を堆積する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タング
ステン等の素線をそのままむき出しで使用すると、金属
汚染の原因となるという問題があった。
ステン等の素線をそのままむき出しで使用すると、金属
汚染の原因となるという問題があった。
【０００４】本発明の主な目的は、加熱した熱源により
基板処理用ガスを活性化させて基板の処理を行う基板処
理装置や基板処理方法であって、金属汚染を防止できる
基板処理装置や基板処理方法を提供することにある。
基板処理用ガスを活性化させて基板の処理を行う基板処
理装置や基板処理方法であって、金属汚染を防止できる
基板処理装置や基板処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板に
処理を施す反応室と、前記反応室内に処理用ガスを供給
する処理用ガス供給手段と、前記処理用ガスを活性化し
て活性種を生成するための熱源と、を備える基板処理装
置であって、前記熱源が、熱源素体と前記熱源素体を囲
む耐熱材とを備え、前記耐熱材で囲まれた空間内に所定
のガスを充填もしくは流通させたことを特徴とする基板
処理装置が提供される。
処理を施す反応室と、前記反応室内に処理用ガスを供給
する処理用ガス供給手段と、前記処理用ガスを活性化し
て活性種を生成するための熱源と、を備える基板処理装
置であって、前記熱源が、熱源素体と前記熱源素体を囲
む耐熱材とを備え、前記耐熱材で囲まれた空間内に所定
のガスを充填もしくは流通させたことを特徴とする基板
処理装置が提供される。
【０００６】好ましくは、前記耐熱材の外側表面または
内側表面の少なくとも前記基板と対向する側を赤外線吸
収材で被覆する。
内側表面の少なくとも前記基板と対向する側を赤外線吸
収材で被覆する。
【０００７】また、好ましくは、前記耐熱材の外側表面
または内側表面の一部を赤外線反射材で被覆する。
または内側表面の一部を赤外線反射材で被覆する。
【０００８】好ましくは、前記所定のガスは、水素ガ
ス、不活性ガス、フッ素および塩素を含まないハロゲン
ガスまたはこれらのガスの中から任意に選択されるガス
を混合したガスである。
ス、不活性ガス、フッ素および塩素を含まないハロゲン
ガスまたはこれらのガスの中から任意に選択されるガス
を混合したガスである。
【０００９】また、本発明によれば、熱源素体と前記熱
源素体を囲む耐熱材とを備えた熱源の前記耐熱材で囲ま
れた空間内に水素ガス、不活性ガス、フッ素および塩素
を含まないハロゲンガス、またはこれらのガスの中から
任意に選択されるガスを混合したガスを充填もしくは流
通させた状態で、前記熱源により処理用ガスを活性化し
て活性種を生成し、前記活性種を基板に供給することに
より前記基板に処理を施す工程を備えることを特徴とす
る半導体装置の製造方法が提供される。
源素体を囲む耐熱材とを備えた熱源の前記耐熱材で囲ま
れた空間内に水素ガス、不活性ガス、フッ素および塩素
を含まないハロゲンガス、またはこれらのガスの中から
任意に選択されるガスを混合したガスを充填もしくは流
通させた状態で、前記熱源により処理用ガスを活性化し
て活性種を生成し、前記活性種を基板に供給することに
より前記基板に処理を施す工程を備えることを特徴とす
る半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】また、本発明によれば、熱源素体と前記熱
源素体を囲む耐熱材とを備えた熱源の前記耐熱材で囲ま
れた空間内に水素ガス、不活性ガス、フッ素および塩素
を含まないハロゲンガス、またはこれらのガスの中から
任意に選択されるガスを混合したガスを充填もしくは流
通させた状態で、前記熱源により処理用ガスを活性化し
て活性種を生成し、前記活性種を基板に供給することに
より前記基板に処理を施す工程を備えることを特徴とす
る基板処理方法が提供される。
源素体を囲む耐熱材とを備えた熱源の前記耐熱材で囲ま
れた空間内に水素ガス、不活性ガス、フッ素および塩素
を含まないハロゲンガス、またはこれらのガスの中から
任意に選択されるガスを混合したガスを充填もしくは流
通させた状態で、前記熱源により処理用ガスを活性化し
て活性種を生成し、前記活性種を基板に供給することに
より前記基板に処理を施す工程を備えることを特徴とす
る基板処理方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１２】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１および第２の実施の形態のＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）装置を説明するための図であり、図１Ａは
概略縦断面図、図１Ｂは図１ＡのＡＡ線概略横断面図で
ある。
１および第２の実施の形態のＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）装置を説明するための図であり、図１Ａは
概略縦断面図、図１Ｂは図１ＡのＡＡ線概略横断面図で
ある。
【００１３】このＣＶＤ装置１は、基板４１を処理する
反応室１０と、反応室１０上に設けられたガス供給室１
１と、ガス供給室１１にガスを供給するガス供給口１２
と、ガス供給室１１と反応室１０との間に設けられ、反
応室１０にシャワー状にガスを供給するガスシャワー板
１３と、基板４１を載置するサセプタ４２と、サセプタ
４２の下に設けられたヒータ４３と、ガスシャワー板１
３とサセプタ４２との間の反応室１０内に設けられた熱
源２０と、熱源２０を支持する支持台３１とを備えてい
る。
反応室１０と、反応室１０上に設けられたガス供給室１
１と、ガス供給室１１にガスを供給するガス供給口１２
と、ガス供給室１１と反応室１０との間に設けられ、反
応室１０にシャワー状にガスを供給するガスシャワー板
１３と、基板４１を載置するサセプタ４２と、サセプタ
４２の下に設けられたヒータ４３と、ガスシャワー板１
３とサセプタ４２との間の反応室１０内に設けられた熱
源２０と、熱源２０を支持する支持台３１とを備えてい
る。
【００１４】熱源２０は、後に説明するように、熱源素
線が耐熱管材で囲まれた構造となっている。各熱源２０
は、その両端に設けられた固定端３２によって支持台３
１に固定されている。各熱源２０は直列に接続され、反
応室１０の側壁１６に取り付けられた電流導入端子３３
を介して加熱用電源３４に接続されている。
線が耐熱管材で囲まれた構造となっている。各熱源２０
は、その両端に設けられた固定端３２によって支持台３
１に固定されている。各熱源２０は直列に接続され、反
応室１０の側壁１６に取り付けられた電流導入端子３３
を介して加熱用電源３４に接続されている。
【００１５】ガスシャワー板１３と熱源２０との間の距
離ａと、反応室１０の底板１４とサセプタ４２の上面と
の間の距離ｂとは、それぞれ任意の値に設定可能であ
る。ａは、反応室１０を大気開放して変更する。ｂは、
反応室１０を真空保持中でもヒータ昇降機構（図示せ
ず）を利用して変更可能である。
離ａと、反応室１０の底板１４とサセプタ４２の上面と
の間の距離ｂとは、それぞれ任意の値に設定可能であ
る。ａは、反応室１０を大気開放して変更する。ｂは、
反応室１０を真空保持中でもヒータ昇降機構（図示せ
ず）を利用して変更可能である。
【００１６】基板４１を処理する処理用ガスは、ガス供
給口１２より供給され、ガスシャワー板１３により反応
室１０内にシャワー状に供給され、その後、熱源により
活性化されて、基板４１に供給されて基板４１の処理が
行われ、その後、反応室１０の底板１４に設けられた真
空排気口１５より真空排気される。このように処理用ガ
スは、熱源２０により活性化されて活性種を生成するの
で、基板３１の処理がより低温で行えるようになる。
給口１２より供給され、ガスシャワー板１３により反応
室１０内にシャワー状に供給され、その後、熱源により
活性化されて、基板４１に供給されて基板４１の処理が
行われ、その後、反応室１０の底板１４に設けられた真
空排気口１５より真空排気される。このように処理用ガ
スは、熱源２０により活性化されて活性種を生成するの
で、基板３１の処理がより低温で行えるようになる。
【００１７】次に、熱源２０の構造について説明する。
図２に示すように、熱源素線２１を高純度セラミックス
や石英ガラス、表面処理を施した石英ガラスなどの耐熱
材からなる耐熱管材２２に通す。図３に示すように、耐
熱管材２２の内部にハロゲンガスや不活性ガスもしくは
水素ガスを充填し両端を耐熱封止部材２３により封止す
る。または、図４に示すように、片側を排気に接続し反
対側よりハロゲンガスや不活性ガス、水素ガスを流入さ
せ、耐熱素線２１加熱時などにガスが流れるようにして
おく。
図２に示すように、熱源素線２１を高純度セラミックス
や石英ガラス、表面処理を施した石英ガラスなどの耐熱
材からなる耐熱管材２２に通す。図３に示すように、耐
熱管材２２の内部にハロゲンガスや不活性ガスもしくは
水素ガスを充填し両端を耐熱封止部材２３により封止す
る。または、図４に示すように、片側を排気に接続し反
対側よりハロゲンガスや不活性ガス、水素ガスを流入さ
せ、耐熱素線２１加熱時などにガスが流れるようにして
おく。
【００１８】本実施の形態の動作としては、まず、内部
の熱源素線２１に電気を流しこれを加熱させる。ここで
発生した赤外線や熱は耐熱管材２２内部のガスを熱伝導
媒体として、耐熱管材２２を加熱することになる。
の熱源素線２１に電気を流しこれを加熱させる。ここで
発生した赤外線や熱は耐熱管材２２内部のガスを熱伝導
媒体として、耐熱管材２２を加熱することになる。
【００１９】耐熱素線２１としては、好ましくは、タン
グステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウム
等が用いられ、その形状としては、線状のものだけでな
く帯状のものも好ましく用いられる。
グステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウム
等が用いられ、その形状としては、線状のものだけでな
く帯状のものも好ましく用いられる。
【００２０】耐熱管材２２としては、高純度セラミック
ス（高純度アルミナ、サファイアガラス）、石英、Ｓｉ
Ｃ等が好ましく用いられる。
ス（高純度アルミナ、サファイアガラス）、石英、Ｓｉ
Ｃ等が好ましく用いられる。
【００２１】耐熱管材２２内に入れるガスとしては、水
素ガス、不活性ガス、フッ素、塩素を含まないハロゲン
ガスが好ましく用いられる。また、これらの種類のガス
のなかから任意に選択されるガスを混合したガスを用い
てもよい。
素ガス、不活性ガス、フッ素、塩素を含まないハロゲン
ガスが好ましく用いられる。また、これらの種類のガス
のなかから任意に選択されるガスを混合したガスを用い
てもよい。
【００２２】水素ガスを使用した場合には、タングステ
ン（素線）は酸素と反応すると酸化タングステンとなり
汚染の原因となるが、還元作用のある水素を供給するこ
とにより、酸化タングステンの生成を抑制することがで
きる。
ン（素線）は酸素と反応すると酸化タングステンとなり
汚染の原因となるが、還元作用のある水素を供給するこ
とにより、酸化タングステンの生成を抑制することがで
きる。
【００２３】不活性ガスは素線と反応しないので好まし
く用いられるが、不活性ガスとしては、ヘリウム、アル
ゴン、ネオンが好ましく用いられる。
く用いられるが、不活性ガスとしては、ヘリウム、アル
ゴン、ネオンが好ましく用いられる。
【００２４】フッ素、塩素を含まないハロゲンガス、例
えば臭素、沃素等を用いる場合、ハロゲンとタングステ
ンとのハロゲンサイクルにより素線の熱劣化を防ぐこと
ができ、素線の寿命が長くなる。
えば臭素、沃素等を用いる場合、ハロゲンとタングステ
ンとのハロゲンサイクルにより素線の熱劣化を防ぐこと
ができ、素線の寿命が長くなる。
【００２５】耐熱管材２２内部を真空にした場合に比べ
上記ガスを導入した場合は、内部のガスが熱伝導媒体と
して働くため発熱効率が向上し、熱源素線２１はより低
い温度で使用することが可能となる。また酸素など素線
を劣化させるガスの分圧を低く抑えることができ、また
導入ガス種によっては還元反応によって劣化した素線を
元の状態に戻す作用を期待することができる。また耐熱
管材２２表面の温度を、処理用ガスを活性化できるよう
になるまで上げるためには、内部の熱源素線２１の温度
は、熱源素線２１をむき出しで使用するときよりもさら
に上げる必要があり、このため熱源素線２１は熱劣化し
やすくなる。これを耐熱管材２２内部に導入したガスに
よって防ぐ作用も併せて持たせることができる。
上記ガスを導入した場合は、内部のガスが熱伝導媒体と
して働くため発熱効率が向上し、熱源素線２１はより低
い温度で使用することが可能となる。また酸素など素線
を劣化させるガスの分圧を低く抑えることができ、また
導入ガス種によっては還元反応によって劣化した素線を
元の状態に戻す作用を期待することができる。また耐熱
管材２２表面の温度を、処理用ガスを活性化できるよう
になるまで上げるためには、内部の熱源素線２１の温度
は、熱源素線２１をむき出しで使用するときよりもさら
に上げる必要があり、このため熱源素線２１は熱劣化し
やすくなる。これを耐熱管材２２内部に導入したガスに
よって防ぐ作用も併せて持たせることができる。
【００２６】耐熱管材２２が赤外線を透過してしまうよ
うな部材（例えば、石英、サファイア、透光性窒化アル
ミニウム）からなっている場合、図５に示すように、耐
熱管材２２の表面に赤外線を吸収するための赤外線吸収
材２５（例えば、ＳｉＣ、アルミナ、タングステン、モ
リブデン等）からなる膜を取付け、放射される赤外線を
有効に利用する。また、図６に示すように、その赤外線
吸収材２５からなる膜を特定の方向にのみ取り付けるこ
とにより、耐熱管材２２の表面温度を不均一となるよう
に制御することができ、熱源に指向性を設け、不要な方
向への成膜が起こりにくくすることができる。
うな部材（例えば、石英、サファイア、透光性窒化アル
ミニウム）からなっている場合、図５に示すように、耐
熱管材２２の表面に赤外線を吸収するための赤外線吸収
材２５（例えば、ＳｉＣ、アルミナ、タングステン、モ
リブデン等）からなる膜を取付け、放射される赤外線を
有効に利用する。また、図６に示すように、その赤外線
吸収材２５からなる膜を特定の方向にのみ取り付けるこ
とにより、耐熱管材２２の表面温度を不均一となるよう
に制御することができ、熱源に指向性を設け、不要な方
向への成膜が起こりにくくすることができる。
【００２７】耐熱管材２２が赤外線透過部材の場合、表
面に赤外線吸収材２５を付けることにより放射される赤
外線を有効に利用できるようになる。また、その赤外線
吸収材２５をウェーハ等の基板方向のみなど特定の方向
に取り付けることにより、耐熱管材２２表面の特定部分
の温度を制御することができ、不要な方向への成膜を抑
制することができる。また、図７に示すように、耐熱管
材２２表面に赤外線を反射する赤外線反射材２４を付け
ることにより、さらに赤外線の有効利用ができる。赤外
線反射材２４としては、金は反射率が最もよいため好ま
しく用いられる。このように、赤外線吸収材２５、赤外
線反射材２４を特定方向に被覆することにより、活性種
に方向性を持たせることができ反応室１０内の基板４１
以外の部分に膜が堆積するのを抑制できる。
面に赤外線吸収材２５を付けることにより放射される赤
外線を有効に利用できるようになる。また、その赤外線
吸収材２５をウェーハ等の基板方向のみなど特定の方向
に取り付けることにより、耐熱管材２２表面の特定部分
の温度を制御することができ、不要な方向への成膜を抑
制することができる。また、図７に示すように、耐熱管
材２２表面に赤外線を反射する赤外線反射材２４を付け
ることにより、さらに赤外線の有効利用ができる。赤外
線反射材２４としては、金は反射率が最もよいため好ま
しく用いられる。このように、赤外線吸収材２５、赤外
線反射材２４を特定方向に被覆することにより、活性種
に方向性を持たせることができ反応室１０内の基板４１
以外の部分に膜が堆積するのを抑制できる。
【００２８】次に、本実施の形態のＣＶＤ装置１を用い
て行う処理について説明する。
て行う処理について説明する。
【００２９】まず、基板４１を反応室１０内に搬入す
る。基板４１はサセプタ４２上に保持され、サセプタ４
２の下方のヒータ４３により処理温度まで加熱される。
この状態で処理用ガスを導入する。処理用ガスは高温に
加熱された熱源２０の耐熱管材２２の表面を通過して基
板４１に達する。この際、高温に加熱された耐熱管材２
２が処理用ガスを分解等により活性化して活性種を生成
し、基板４１の表面に所定の膜をより低温で堆積させ
る。成膜処理後、処理用ガスの供給を停止し基板４１を
取り出す。
る。基板４１はサセプタ４２上に保持され、サセプタ４
２の下方のヒータ４３により処理温度まで加熱される。
この状態で処理用ガスを導入する。処理用ガスは高温に
加熱された熱源２０の耐熱管材２２の表面を通過して基
板４１に達する。この際、高温に加熱された耐熱管材２
２が処理用ガスを分解等により活性化して活性種を生成
し、基板４１の表面に所定の膜をより低温で堆積させ
る。成膜処理後、処理用ガスの供給を停止し基板４１を
取り出す。
【００３０】次に、ガラス基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ（多
結晶シリコン）膜を形成する場合のプロセス条件の一例
は、例えば公知文献「Ｃａｔ−ＣＶＤ法による半導体デ
バイス製造プロセス」公開シンポジウム要旨集（１９９
９年９月２８日）や、第６０回応用物理学会学術講演会
講演予稿集（１９９９年９月）等に記載されているよう
に、次のようなものである。
結晶シリコン）膜を形成する場合のプロセス条件の一例
は、例えば公知文献「Ｃａｔ−ＣＶＤ法による半導体デ
バイス製造プロセス」公開シンポジウム要旨集（１９９
９年９月２８日）や、第６０回応用物理学会学術講演会
講演予稿集（１９９９年９月）等に記載されているよう
に、次のようなものである。
【００３１】 プロセスガス流量 ＳｉＨ４：０．５〜５０ｓｃｃｍ Ｈ２ ：１００ｓｃｃｍ 圧力 ２〜１００ｍＴｏｒｒ（０．２７〜１３．３Ｐａ） 熱源素線温度 １８００℃（１５００〜２０００℃） 基板温度 ３００℃程度 この条件で処理を行うことにより、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を
形成することができた。
形成することができた。
【００３２】（第２の実施の形態）図８は、本発明の第
２の実施の形態のＣＶＤ装置で使用する熱源を説明する
ための概略断面図である。
２の実施の形態のＣＶＤ装置で使用する熱源を説明する
ための概略断面図である。
【００３３】上述した第１の実施の形態では、タングス
テン等の熱源素線２１を耐熱管材２２で囲む構造の熱源
２０を用いたが、本実施の形態では、石英管等の耐熱管
材２２の内部にハロゲンランプ２６を仕込み、耐熱管材
２２の外周の一部に赤外線反射材２４を設け、耐熱管材
２２の外周の一部に赤外線吸収材２５を赤外線反射材２
４の反対側に設けている点が第１の実施の形態と異なる
が、他の点は同じである。耐熱管材２２、赤外線反射材
２４および赤外線吸収材２５に好適に使用できる材料も
同じである。赤外線反射材２４ハロゲンランプ２６を守
るために耐熱管材２２の内部には、冷却用のガスが流れ
る構造となっている。
テン等の熱源素線２１を耐熱管材２２で囲む構造の熱源
２０を用いたが、本実施の形態では、石英管等の耐熱管
材２２の内部にハロゲンランプ２６を仕込み、耐熱管材
２２の外周の一部に赤外線反射材２４を設け、耐熱管材
２２の外周の一部に赤外線吸収材２５を赤外線反射材２
４の反対側に設けている点が第１の実施の形態と異なる
が、他の点は同じである。耐熱管材２２、赤外線反射材
２４および赤外線吸収材２５に好適に使用できる材料も
同じである。赤外線反射材２４ハロゲンランプ２６を守
るために耐熱管材２２の内部には、冷却用のガスが流れ
る構造となっている。
【００３４】本発明が好適に適用される基板としては、
半導体装置製造用の半導体シリコン基板や、液晶表示素
子形成用のガラス基板等が挙げられる。
半導体装置製造用の半導体シリコン基板や、液晶表示素
子形成用のガラス基板等が挙げられる。
【００３５】なお、本発明で好適に行われる処理として
は、低温プロセスｐｏｌｙ−Ｓｉ型ＴＦＴの製造過程に
おけるガラス基板上へのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜等の各
種成膜、エッチング、タンタル膜成膜後の酸素雰囲気中
でのカーボン不純物除去等の雰囲気ガス中での加熱処理
等が挙げられる。
は、低温プロセスｐｏｌｙ−Ｓｉ型ＴＦＴの製造過程に
おけるガラス基板上へのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜等の各
種成膜、エッチング、タンタル膜成膜後の酸素雰囲気中
でのカーボン不純物除去等の雰囲気ガス中での加熱処理
等が挙げられる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、加熱した熱源により基
板処理用ガスを活性化させて基板の処理を行う基板処理
装置や基板処理方法であって、金属汚染を防止できると
共に、熱源に使用する熱源素体の劣化を抑制することが
できる基板処理装置や基板処理方法が提供される。
板処理用ガスを活性化させて基板の処理を行う基板処理
装置や基板処理方法であって、金属汚染を防止できると
共に、熱源に使用する熱源素体の劣化を抑制することが
できる基板処理装置や基板処理方法が提供される。
【図１】本発明の第１および第２の実施の形態のＣＶＤ
装置を説明するための図であり、図１Ａは概略縦断面
図、図１Ｂは図１ＡのＡＡ線概略横断面図である。
装置を説明するための図であり、図１Ａは概略縦断面
図、図１Ｂは図１ＡのＡＡ線概略横断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源を説明するための図であり、図２Ａは、概略斜
視図であり、図１Ｂは、概略断面図である。
する熱源を説明するための図であり、図２Ａは、概略斜
視図であり、図１Ｂは、概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源の第１の例を説明するための概略断面図であ
る。
する熱源の第１の例を説明するための概略断面図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源の第２の例を説明するための概略断面図であ
る。
する熱源の第２の例を説明するための概略断面図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源の第３の例を説明するための概略断面図であ
る。
する熱源の第３の例を説明するための概略断面図であ
る。
【図６】本発明の第１の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源の第４の例を説明するための概略断面図であ
る。
する熱源の第４の例を説明するための概略断面図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源の第５の例を説明するための概略断面図であ
る。
する熱源の第５の例を説明するための概略断面図であ
る。
【図８】本発明の第２の実施の形態のＣＶＤ装置で使用
する熱源を説明するための概略断面図である。
する熱源を説明するための概略断面図である。
１…ＣＶＤ装置 １０…反応室 １１…ガス供給室 １２…ガス供給口 １３…ガスシャワー板 １４…底板 １５…真空排気口 １６…側壁 １７…天井板 ２０…熱源 ２１…熱源素線 ２２…耐熱管材 ２３…耐熱封止部材 ２４…赤外線反射材 ２５…赤外線吸収材 ２６…ハロゲンランプ ３１…支持台 ３２…固定端 ３３…電流導入端子 ３４…加熱用電源 ４１…基板 ４２…サセプタ ４３…ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA06 AA16 AA17 BA29 BB03 CA06 EA03 FA10 KA25 KA46 5F004 BB18 BB28 BC08 EA35 5F045 AA16 AB03 AC01 AD07 AE15 AE17 AE19 BB14 DP03 DQ10 EF05
Claims (6)
- 【請求項１】基板に処理を施す反応室と、 前記反応室内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手
段と、 前記処理用ガスを活性化して活性種を生成するための熱
源と、を備える基板処理装置であって、 前記熱源が、熱源素体と前記熱源素体を囲む耐熱材とを
備え、 前記耐熱材で囲まれた空間内に所定のガスを充填もしく
は流通させたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記耐熱材の外側表面または内側表面の少
なくとも前記基板と対向する側を赤外線吸収材で被覆し
たことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】前記耐熱材の外側表面または内側表面の一
部を赤外線反射材で被覆したことを特徴とする請求項１
または２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】前記所定のガスは、水素ガス、不活性ガ
ス、フッ素および塩素を含まないハロゲンガス、または
これらのガスの中から任意に選択されるガスを混合した
ガスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】熱源素体と前記熱源素体を囲む耐熱材とを
備えた熱源の前記耐熱材で囲まれた空間内に水素ガス、
不活性ガス、フッ素および塩素を含まないハロゲンガ
ス、またはこれらのガスの中から任意に選択されるガス
を混合したガスを充填もしくは流通させた状態で、前記
熱源により処理用ガスを活性化して活性種を生成し、前
記活性種を基板に供給することにより前記基板に処理を
施す工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】熱源素体と前記熱源素体を囲む耐熱材とを
備えた熱源の前記耐熱材で囲まれた空間内に水素ガス、
不活性ガス、フッ素および塩素を含まないハロゲンガ
ス、またはこれらのガスの中から任意に選択されるガス
を混合したガスを充填もしくは流通させた状態で、前記
熱源により処理用ガスを活性化して活性種を生成し、前
記活性種を基板に供給することにより前記基板に処理を
施す工程を備えることを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298463A JP2002110558A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298463A JP2002110558A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110558A true JP2002110558A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18780419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000298463A Withdrawn JP2002110558A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110558A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083760A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2007504352A (ja) * | 2003-05-21 | 2007-03-01 | ウェルマン・インコーポレーテッド | 遅延性結晶化ポリエステル樹脂 |
| JP2012524013A (ja) * | 2009-04-17 | 2012-10-11 | エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ | エピタキシャル反応器の反応室及び前記反応室を用いた反応器 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298463A patent/JP2002110558A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007504352A (ja) * | 2003-05-21 | 2007-03-01 | ウェルマン・インコーポレーテッド | 遅延性結晶化ポリエステル樹脂 |
| WO2005083760A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2012524013A (ja) * | 2009-04-17 | 2012-10-11 | エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ | エピタキシャル反応器の反応室及び前記反応室を用いた反応器 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |