KR20160146581A - 전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법 - Google Patents

전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법 Download PDF

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존 톨레
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에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
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Abstract

웨이퍼 트레이에 가열 요소를 포함하는 반응기 시스템 및 관련된 방법들이 제공된다. 상기 가열 요소는 반응 챔버 어셈블리 내에서 상기 웨이퍼 트레이 및 상기 웨이퍼 트레이 상에 놓여있는 기판 또는 웨이퍼를 가열하기 위해 사용될 수 있으며, 상기 웨이퍼의 자연 산화물의 승화를 야기하도록 사용될 수 있다.

Description

전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법{Reactor system for sublimation of pre-clean byproducts and method thereof}
본 발명의 기술 분야는 집적회로들의 제조에 관한 것이며, 특히 웨이퍼 또는 기판 표면을 전-세정하기 위한 방법들 및 장치들에 관한 것이다.
집적회로 제조는 흔히 기판(또한 '웨이퍼'로서 지칭된다) 표면 상에 하나 이상의 물질 층들의 형성을 수반한다. 이들 물질 층들은 예를 들어, 단결정, 다결정, 또는 다른 비정질 물질 층들을 포함할 수 있다. 상기 물질 층들의 형성은 예를 들어, 물리적 스퍼터링과 같은 다양한 물리적 퇴적 기술들, 또는 화학기상 퇴적(CVD), 원자층 퇴적 또는 에피택셜 퇴적과 같은 화학적 퇴적 기술들을 포함하는 다양한 박막 퇴적 기술들을 사용하여 달성될 수 있다. 예를 들어, 기판 표면 상에 단결정 물질 형성은 단결정 반도체 물질들(예를 들어, 단결정 실리콘)의 형성을 위한 것과 같이 에피택셜 퇴적 공정을 사용하여 수행될 수 있다.
상기 웨이퍼 표면 상에 개입 물질(intervening material)(예를 들어, 실리콘 웨이퍼 상의 실리콘 산화물층과 같은 자연 산화물층)의 존재는 상기 웨이퍼 표면 위로 원하는 물질층의 형성에 방해가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 개입 물질은 상기 원하는 물질층의 구조물에 증가된 수의 결함들의 유입을 야기할 수 있거나 또는 상기 원하는 물질층의 전기적 성능에 부정적으로 영향을 끼칠 수도 있다. 일부 실시예들에서, 자연 산화물 물질과 같은 개입 물질은 상기 집적회로 제조 공정 동안에 산소에 대한 웨이퍼의 노출, 예를 들어, 제조 시스템들 사이에서 상기 기판의 전달 동안에 주변 공기에 대한, 또는 제조 시스템들 내에서 잔류하는 산화제들에 대한 노출에 기인하여 웨이퍼 표면 상에 형성될 수도 있다. 따라서, 웨이퍼로부터 자연 산화물을 제거하기 위한 제조 기술들 및 시스템들이 웨이퍼 표면 상에 후속적인 퇴적을 용이하게 하기 위해 바람직할 것이다.
본 발명은 개선된 전-세정 부산물들의 승화를 위한 반응기 시스템 및 그 방법을 제공하는 데 있다.
하나의 태양에서, 반응기 시스템은 내부 챔버를 한정하는 반응 챔버 어셈블리; 상기 내부 챔버 내의 서셉터; 상기 서셉터 상에 놓이며 웨이퍼를 운반하도록 조정된 웨이퍼 트레이; 및 상기 웨이퍼를 승화 온도까지 가열하기 위해 상기 웨이퍼 트레이를 가열하도록 조정된 가열 요소를 포함할 수 있다.
다른 태양에서, 반응 챔버 어셈블리 내측의 웨이퍼 트레이 상에 웨이퍼를 위치시키는 단계; 및 상기 웨이퍼 상의 산화물 물질이 상기 반응 챔버 어셈블리 내측에서 승화되도록 상기 웨이퍼 트레이의 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 증가시키기 위해 상기 웨이퍼 트레이 내의 가열 요소를 작동하는 단계;를 포함할 수 있다.
다른 태양에서, 반응 챔버 시스템은 내부 챔버를 한정하는 반응 챔버 어셈블리; 상기 내부 챔버 내의 웨이퍼 트레이; 및 상기 웨이퍼 트레이에 의해 운반되는 적어도 하나의 가열 요소;를 포함하며, 상기 내부 챔버 내에는 상기 웨이퍼 트레이에 의해 운반된 상기 적어도 하나의 가열 요소 외에 어떠한 가열 요소들도 없는 것을 특징으로 한다.
실시예가 다음의 상세한 설명에서 설명되며, 도면들에서 보여지며, 첨부한 청구항들에서 특별히 그리고 구별되게 지적되고 설명된다.
도 1은 집적회로들의 제조에 사용된 반응기 시스템의 단면도이다.
도 2는 반응기 시스템 내측에서 웨이퍼 상의 산화물 물질들을 승화시키기 위한 방법의 플로우차트이다.
유사한 번호들은 상기 도면들을 통하여 유사한 부품들을 지칭한다.
도 1은 반응 챔버 어셈블리(34)를 포함하는 반응기 시스템(10)을 보여준다. 이 어셈블리(34)는 상부벽(20), 상부벽(20)에 연결된 환형의 측벽(36), 및 측벽(36)에 연결된 하부벽(42)을 포함할 수 있다. 반응기 시스템(10)/어셈블리(34)는 어셈블리(34)에 의해 한정되는 내부 반응 챔버(14) 속으로 그리고 특히 처리되어질 웨이퍼(17) 상으로 공정 가스들을 안내하기 위한 샤워헤드(12)를 포함할 수 있다. 내부 챔버(14)는 상부 챔버 영역 또는 구역(14a), 중간 또는 중계 챔버 영역 또는 구역(14b), 및 하부 챔버 구역(14c)을 포함할 수 있다. 시스템(10)은 내부 챔버(14) 내에 배치된 웨이퍼 트레이(16) 및 서셉터(18)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)는 서셉터(18) 상에 앉혀 있거나 운반될 수 있으며, 그 위에 웨이퍼(17)를 운반할 수 있도록 구성될 수 있다.
샤워헤드(12)는 상향하는 상부 표면, 및 상기 상부 표면에 유사하게 크기가 부여되는 하향하는 하부 표면(22)을 갖는 상부 강벽 또는 가스 채널 플레이트(20)를 포함할 수 있다. 하부 표면(22)은 내부 챔버(14)의 상부 영역(14a)의 일부를 한정한다. 가스 입구 포트 또는 통로(24)가 상기 상부 표면부터 상기 하부 표면(22)까지 연장하는 벽 또는 부재(20)를 통하여 형성될 수 있다. 통로(24)는 챔버 어셈블리(34)의 외부에 있는 가스 공급원으로부터 상부 챔버 영역(14a)으로 가스가 흐르도록 구성될 수 있다. 상부 챔버 영역(14a)은 하부 표면(22)과 샤워헤드(12)의 다중-통로 매니폴드(26)의 상향하는 상부 표면(30) 사이에 한정될 수 있다. 매니폴드(26)는 홀들(28)이 상부 챔버 영역(14a) 및 중간 챔버 영역(14b)과 유체적 연통되도록 상부 표면(30)부터 매니폴드(26)의 하부 표면(32)까지 연장하는 복수의 관통 통로들 또는 홀들(28)을 한정하며, 그리하여 상부 및 중간 챔버 영역들(14a 및 14b)이 홀들(28)을 통하여 서로 유체 연통된다. 상부 표면(30)은 부분적으로 상부 챔버(14a)를 한정하며, 반면에 하부 표면(32)은 부분적으로 챔버(14)의 중간 챔버 영역(14b)을 한정한다.
샤워헤드(12)가 꼭대기에 배치될 수 있으며, 실린더형 또는 환형 측벽일 수 있는 측벽(36) 상에 제거가능하게 장착될 수 있다. 씨일(38)이 샤워헤드(12)와 측벽(36) 사이에서 밀폐된 또는 기밀한(gastight) 씨일을 형성하도록 샤워헤드(12)와 측벽(36)을 밀봉적으로 맞물리게 할 수 있다. 측벽(36)은 통로(40)가 챔버 어셈블리(34)의 외부에 있는 대기와 내부 챔버(14)가 유체 연통하도록, 상기 측벽(36)의 외부 표면부터 측벽(36)의 내부 표면까지 방사상으로 연장하는(예를 들어, 좌우로) 관통 통로 또는 개구부(40)를 한정할 수 있다. 하부 벽(42)은 측벽(36)의 바닥에 인접하여 측벽(36)에 고정되며, 챔버(14) 내에 함유된 가스들을 그를 통해 배출하게 해주는 복수의 출구 포트들(44)을 한정할 수 있다. 하부 벽(42)의 상부 표면은 하부 챔버 영역(14c)을 부분적으로 한정할 수 있다.
서셉터(18)는 금속(예를 들어, 알루미늄 합금), 그래파이트, 또는 다른 적합한 물질로 형성될 수 있다. 서셉터(18)는 웨이퍼 트레이(16)에 의해 운반된 웨이퍼(17)를 수용 및 보유하도록 구성될 수 있으며, 그리하여 승화 공정 동안과 같이 공정 처리 동안에 상기 웨이퍼(17)를 제 위치에 보유한다. 서셉터(18)는 서셉터(18)의 상부 표면(50)부터 짧은 거리 하향 연장하는 리세스(48)를 포함한다. 상부 표면(50)은 원형의 고리상의 상향하는 표면일 수 있으며, 리세스(48)는 상측으로부터 보아 원형일 수 있다. 리세스(48)는 리세스(48) 내에 수용될 수 있는 트레이(16)의 수직 높이와 동일하거나 또는 유사한 수직 깊이를 가질 수 있다. 기판 또는 웨이퍼(17)가 웨이퍼 트레이(16) 상에 위치할 때 상기 기판 또는 웨이퍼(17)의 상부 표면이 서셉터(18)의 상부 표면(50)과 실질적으로 동일 평면이 되도록 웨이퍼 트레이(16) 및 리세스(48)의 크기가 정해질 수 있다. 이러한 구성은 상기 가스 또는 가스들이 개구부(40)를 통하여 챔버(14) 속으로 이동할 때 기판(17)의 상부 표면을 가로지르는 가스 또는 가스들의 실질적인 층류(laminar flow) 및/또는 실질적인 균일한 속도를 가능하게 또는 허용할 수 있다. 서셉터(18)는 또한 제1 온도 측정 장치 또는 센서(52) 및 제2 온도 측정 장치 또는 센서(54)를 포함할 수 있다. 서셉터는 상기 웨이퍼 트레이(16) 내측의 가열 요소들이 가열됨에 따라 서셉터(18)를 원하는 온도로 유지하기 위해 구성된 복수의 냉각 채널들(56)을 한정할 수 있다. 냉각 채널들(56)은 물과 같은 냉각 액체 소오스 및 냉각 채널(56)을 통하여 상기 물 또는 다른 냉각 액체를 이동시키기 위한 펌프와 유체 연통되어 있다.
서셉터(18)는 서셉터(18)가 챔버 어셈블리(34) 내에서 웨이퍼(17)를 공정 처리하는 다양한 단계들 동안에 내부 챔버(14)에 대하여 이동하지 않도록 하부 벽(42)에 고정적으로 부착되거나 그렇지 않으면 챔버(14) 내에 배치될 수 있다. 갭 또는 채널(58)이 중간 챔버 영역(14b)과 하부 챔버 영역(14c) 사이에서 연장되고, 이들 사이에서 유체 연통(fluid communication)될 수 있게 한다. 갭(58)은 측벽(36)과 서셉터 외주변(60) 사이에서 서셉터(18)의 외주변(60) 둘레를 따라 내내 원주적으로 연장되는 환형 갭일 수 있다. 나아가, 채널(58)의 폭은 종래 기술에서 이해될 수 있는 바와 같이, 상부 표면(50) 및 웨이퍼 트레이(16)의 상부를 가로질러 원하는 플로우를 제공하기 위해 다양할 수 있다. 예를 들어, 갭(58)은 진공 소오스 근처의 영역에서 협폭(narrow width)을 포함할 수 있으며, 진공 소오스로부터 벗어나 상대적으로 광폭을 포함할 수 있다. 상기 갭(58)의 폭은 제로 보다 큰 밀리미터(mm)에서 약 4 mm, 또는 약 0.5 mm 또는 1.0 mm부터 약 3.0 또는 4.0 mm 범위 내일 수 있으며, 약 2.0mm 일 수 있다. 갭(58)은 갭(58)이 하부보다 상부가 더 넓거나 또는 하부보다 상부가 더 좁도록 상부에서 하부까지(서셉터(18)의 상부 표면(50)부터 하부 표면까지) 테이퍼질 수 있다.
웨이퍼 트레이(16)는 상대적으로 낮은 질량을 가질 수 있으며, 이것은 그것을 빠르게 가열할 수 있게 해준다. 웨이퍼 트레이의 질량은 양 0.4 또는 0.5 킬로그램에서 약 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 또는 1.5 킬로그램의 범위일 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)는 상향하는(upwardly facing) 상부 표면(62)과 하향하는(downwardly facing)하는 하부 표면(64)을 갖는다. 하부 표면(64)은 웨이퍼 트레이(16)가 리세스(48) 내에 있을 때 서셉터(18)의 상향하는 표면과 접촉할 수 있다. 상부 표면(62)은 실질적으로 서셉터(18)의 상부 표면(50)과 동일 평면일 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)는 상부 표면(62)에서 하부 표면(64)까지 연장되는 실질적으로 원형의 외주변을 가질 수 있으며, 하나의 실시예에서 약 280, 290, 또는 300 mm에서 약 310, 320, 또는 330 mm의 범위 내일 수 있는, 그리고 약 305 mm일 수 있는 트레이(16)의 외경을 한정할 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)는 그 내부에 리세스를 한정할 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)는 비금속 물질과 같은 상대적으로 비반응성 물질로 형성될 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)를 위한 적합한 일부 물질들은 알루미나, 보론 나이트라이드, 및 실리콘 카바이드 중의 하나 이상을 포함할 수 있다. 하나의 특별한 예에서, 웨이퍼 트레이(16)는 본질적으로 실리콘 카바이드(SiC)로 구성된다. 또한 웨이퍼 트레이(16)는 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 보론 나이트라이드(BN)와 같은 물질들을 포함하거나, 실질적으로 구성될 수 있거나, 또는 구성될 수 있다.
웨이퍼 트레이(16)의 두께는 그 위에서 승화되어질 웨이퍼(17)의 치수들에 따라 다양할 수 있다. 예시로써, 웨이퍼 트레이(16)는 상부 표면(62)과 하부 표면(64) 사이에서 정의된 두께(이것은 트레이(16)가 실질적으로 수평일 때 수직 두께일 수 있음)를 가질 수 있다. 예를 들어, 이 두께는 5.0mm보다 크지 않을 수 있으며, 약 1.0 mm에서 약 5.0 mm의 범위 내, 또는 약 2.0 mm에서 약 4.5 mm의 범위 내, 또는 약 3.0 mm에서 약 4.0 mm의 범위 내일 수 있으며, 약 3.5 mm 두께일 수 있다. 도 1에서 보여지는 바와 같이, 웨이퍼 트레이(16)의 상부 표면(62)은 웨이퍼 트레이(16)의 두께가 트레이(16)가 내측에 앉혀지거나 둥지를 틀 수 있는 리세스(48)의 수직 깊이와 동일하도록, 서셉터(18)의 상부 표면(50)과 같은 높이일 수 있다. 따라서, 서셉터(18)의 리세스(48)는 웨이퍼 트레이(16)의 두께를 위해 위에서 언급한 동일한 범위들 내의 수직 깊이를 가질 수 있다.
리세스는 상부 표면(62)으로부터 하향으로 연장하는 웨이퍼 트레이(16)에 형성될 수 있으며, 승화 공정 처리 동안에 웨이퍼(17)를 제 위치에 수용하고 보유할 수 있도록 구성될 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)에 형성된 이러한 리세스는 다양할 수 있지만 웨이퍼(17)의 높이 또는 수직 두께와 실질적으로 동일한 수직 깊이를 가질 수 있으며, 웨이퍼(17)는 웨이퍼 트레이(16)의 상부 표면(62) 위로 약간 연장될 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)에 이러한 리세스의 바닥을 한정할 수 있는 리세스된 표면(또는 웨이퍼(17)의 하부 표면이 놓여지는 웨이퍼 트레이(16)의 상향하는 표면)은 상기 기판의 하부 표면과 반응하는 반응물들을 경감하기 위해 예를 들어, 0.4㎛ 이하의 평균 거칠기(roughness average(Ra))를 갖는 상대적으로 매끈한 부분이거나 또는 이러한 부분을 포함할 수 있다. 상부 표면(62)에 형성된 상기 리세스는, 상기 리세스의 주변이 상기 웨이퍼(17)의 주변과 실질적으로 유사하도록 형상화될 수 있다. 예로써, 웨이퍼(17)가 위에서 보아 실질적으로 실린더형 또는 원형일 때, 상부 표면(62)에 형성된 상기 리세스는 또한 위에서 보아 실질적으로 실린더형 또는 원형이거나, 또는 상기 웨이퍼(17)의 높이와 실질적으로 동일하거나 또는 약간 얕은 높이 및 직경에서 상기 웨이퍼보다 약간 큰 직경을 갖는 얕은 실린더의 형상을 가질 수 있다. 웨이퍼 트레이(16)는, 그것을 통하여 웨이퍼를 서셉터(16) 위에 받쳐지게 하고, 그리고 웨이퍼 트레이(16)와 맞물림으로부터 벗어나 상향으로 밀어지도록 웨이퍼 트레이(16)와 맞물리거나 접촉하는 푸시핀들(push pins)을 수용하도록 조정된 상부 표면(62)에서 하부 표면(64)까지 연장되는 내부에 형성된 애퍼처들(apertures)을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 가열 요소(66)가 상부 표면(62)과 하부 표면(64) 사이에서 웨이퍼 트레이(16) 내에 배치되거나 또는 내장될 수 있다. 가열 요소(66)는 온도가 일반적으로 약 700℃를 초과하지 않게 가열하도록 구성된 전용의 전력 소오스로부터 작동되는 텅스텐계 저항성 가열 요소일 수 있다. 비록 가열 요소(66)는 약 700℃ 또는 다른 온도일 수 있지만, 웨이퍼(17) 및 웨이퍼 트레이(16)는 이러한 온도에 도달하지 않을 수 있으며, 실질적으로 이러한 온도보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(17) 상의 산화물 층의 승화가 100℃의 승화 온도에서 또는 그 주변에서 일어나면, 상기 가열 요소(66)는 승화 온도보다 높은 온도, 예를 들어 약 400℃에 있을 수 있다. 따라서, 가열 요소(66)가 웨이퍼 트레이(16) 내에서 400℃일 수 있는 동안에, 웨이퍼(17) 또는 웨이퍼(17)의 표면을 100℃ 또는 그 주변의 승화 온도로 상승시키기 위해 열 전도가 가열 요소(66)로부터 웨이퍼 트레이(16)를 통하여 그리고 웨이퍼(17)를 통하여 발생될 수 있다. 웨이퍼(17)로의 열 전달은 챔버 환경(압력, 가스 형태, 가스 플로우)에 의존할 것이다. 비록 상기 가열 요소가 상기 승화 온도보다 더 뜨겁더라도 승화 상 변화가 발생할 수 있다.
상기 가열 요소(66)가 텅스텐(W)을 포함하거나, 본질적으로 텅스텐으로 구성되거나, 또는 텅스텐으로 구성되는 반면에, 가열 요소(66)는 교대로 몰리브덴(Mo)을 포함하거나, 본질적으로 몰리브덴으로 구성되거나 또는 몰리브덴으로 구성될 수 있으며, 이들 원소들을 모두 포함할 수도 있으며, 또는 다른 적합한 물질로 형성될 수도 있다. 가열 요소(66)는 그래파이트로 둘러싸여 있거나, SiC, AlN 또는 BN으로 코팅된 그래파이트로 둘러싸인 요소로 둘러싸여 있을 수 있다. 웨이퍼 트레이(16) 내측의 가열 요소(66)는 바람직하게는 그 자신의 전용 전력 소오스 및 열전쌍들을 갖는다. 나아가, 가열 요소(66)는 온도에서 매우 빠른 속도로 가열하거나 승온시킬 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가열 요소(66)는 약 50℃/초 내지 약 200℃/초의 범위, 또는 약 75℃/초 내지 약 150℃/초 또는 약 175℃/초의 범위일 수 있는 온도 승온율로 가열될 수 있으며, 약 100℃/초일 수도 있다.
가열 요소(66)는 상기 서셉터(18) 내부와 같은, 다른 위치보다도 상기 웨이퍼 트레이(16) 내측에 위치될 수 있다. 상기 서셉터(18)의 상부 표면(50)에 형성된 리세스(48)는 제1 수직 거리와 동일한 수직 리세스 깊이를 가질 수 있으며, 그리하여 웨이퍼 트레이(16)가 리세스(58) 내에 배치될 때, 웨이퍼(17)가 웨이퍼 트레이(16)에 의해 운반되고 또는 웨이퍼가 웨이퍼 트레이(16) 상에/꼭대기에 놓여질 때 웨이퍼(17)의 하부 표면은 가열 요소(66)의 상부 또는 상부 표면으로부터 제2 수직 거리에 위치될 수 있다. 환언하면, 트레이(16) 내측에서 상기 제2 수직 거리는 상기 웨이퍼의 하부 표면부터 가열 요소(66)의 상부까지 측정될 수 있으며, 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 작을 수 있다. 따라서, 만약 제1 거리(리세스(58)의 리세스 깊이 또는 거리)가 약 3.5 mm이면, 웨이퍼(17)의 하부 표면으로부터 트레이(16) 내측의 가열 요소(66)의 상부까지의 거리는 3.5 mm보다 작을 수 있다.
웨이퍼(17)의 표면은 실리콘 질화물 물질(예를 들어, 전자 장치들을 위한 스페이서 피쳐들(spacer features)을 포함하여, 웨이퍼 표면 상의 다양한 전자 장치들의 형성에 사용된 실리콘 질화물 물질) 및 전세정(pre-clean) 공정에 의해 제거될 수 있는 실리콘 산화물 물질을 포함할 수 있다. 웨이퍼(17) 표면 상의 실리콘 산화물 물질은 기판 표면 상의 실리콘 질화물 물질에 대하여 약 7:1보다 큰 선택비로 선택적으로 제거될 수 있다. 일부 실시예들에서, 실리콘 질화물에 대한 실리콘 산화물을 제거하기 위한 전세정 공정의 선택비는 약 6:1 내지 약 150:1일 수 있다. 예를 들어, 상기 선택비는 약 6:1 내지 약 60:1, 또는 약 7:1 내지 약 15:1, 또는 약 8:1 내지 약 15:1, 또는 약 8:1 내지 약 12:1일 수 있다.
웨이퍼(17)는 예를 들어, 상기 웨이퍼(17)의 표면이 상기 전세정 공정의 반응물 가스에 노출되는 동안을 포함하여, 전세정 물질의 형성 동안에 원하는 온도로 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 웨이퍼(17)는 상기 전세정 물질의 형성 동안에 상기 반응물 가스의 응결 온도 위의 온도로 유지될 수 있다. 예를 들어, 상기 웨이퍼(17)는 약 15℃보다 큰, 또는 약 20℃보다 큰 온도로 유지될 수 있다. 일부 다른 실시예들에서, 웨이퍼(17)는 약 15℃ 내지 약 50℃, 또는 약 15℃ 내지 약 30℃, 또는 약 25℃ 내지 약 30℃ 범위의 온도로 유지될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(17)는 약 22℃ 내지 약 28℃ 범위의 온도로 유지될 수 있으며, 이것은 웨이퍼(17) 표면에서 실리콘 질화물 물질에 대한 실리콘 산화물의 제거를 위한 높은 선택비를 가능하게 할 수 있다.
집적회로 제조 공정은 원하지 않는 물질을 제거하기 위해 웨이퍼 표면을 전세정하는 것을 포함할 수 있다. 상기 원하지 않는 물질은 일부 실시예들에서 산화물 물질(예를 들어, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 자연 실리콘 산화물 물질)을 포함할 수 있다. 전세정 물질의 퇴적 및 후속되는 상기 전세정 물질의 휘발 또는 승화는 유리하게도 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 산화물 물질의 제거를 야기할 수 있다.
다른 예로써, 제한적이지 않지만, 상기 전세정 물질을 형성하기 위해 반응물 종들(species)이 전세정 공정 동안에 반응 챔버 속으로 흐르고, 상기 웨이퍼 표면 상에서 상기 원하지 않는 물질과 화학적으로 반응한다. 일부 실시예들에서, 상기 전세정 물질은 반응물 종들과 상기 웨이퍼 표면의 산화물 물질과의 화학적 반응들, 또는 상기 반응물 종들 자체들 사이의 화학적 반응들로부터 발생되는 하나 이상의 성분들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전세정 공정은 할로겐을 포함하는 반응물 가스를 사용할 수 있으며, 상기 할로겐-함유 반응물 가스는 할로겐 및 실리콘을 포함하는 전세정 물질을 형성하기 위해 웨이퍼 표면의 실리콘 산화물과 화학적으로 반응할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 산화물의 제거는 승화를 통해 상기 전세정 물질을 휘발시킴으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, 도전 물질의 퇴적을 포함하여, 타겟 물질이 상기 전세정된 웨이퍼 표면 상에 형성될 수 있다. 상기 도전 물질은, 제한됨이 없이, 반도체-함유 물질(즉, 실리콘-함유 물질), 금속-함유 물질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 여기에서 사용된 바와 같이, 타겟 물질은 상기 전세정 웨이퍼 표면과 직접 접촉하며 퇴적된 물질이다. 부가적으로, 상기 전세정 물질을 제거하는 것은 상기 웨이퍼로부터 상기 전세정 물질의 모두 또는 일부를 제거하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 자연 산화물 물질이 제거된 상기 웨이퍼는 패턴화될 수 있다(즉, 그것의 표면 상에 트렌치들과 같은 리세스들의 패턴을 갖는다). 일부 실시예들에서, 상기 기판은 노출된 전자 장치들(즉, 트랜지스터 구조들)을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반응 챔버는 에피택셜 퇴적 챔버일 수 있으며, 상기 타겟 물질은 단결정 실리콘일 수 있다. 예를 들어, 상기 전세정 물질은 전세정 웨이퍼 표면을 제공하기 위해 상기 반응 챔버 내에서 승화에 의해 상기 웨이퍼로부터 제거될 수 있으며, 실리콘의 에피택셜 성장이 상기 웨이퍼 상에 단결정 실리콘 층을 형성하기 위해 상기 반응 챔버 내에서 상기 전세정된 웨이퍼 표면 상에 후속하여 수행될 수 있다.
하나의 특별한 예로써, 웨이퍼 표면으로부터 자연 산화물 층을 승화시키는 전세정 공정이 상기 웨이퍼 상에 단결정 실리콘 층의 후속하는 성장과 동일한 반응 챔버 내에서 일어난다. 타겟 물질이 상기 웨이퍼 상에 후속적으로 형성되는 동일한 챔버 내에서 상기 전세정 물질의 제거는 유리하게도 상기 타겟 물질의 나중의 퇴적을 위해 양질의 표면을 제공할 수 있다. 나아가, 이것은 원하지 않는 오염 물질들이 없는 또는 실질적으로 없는 챔버를 유리하게 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 전세정 물질은 타겟 물질 퇴적을 위해 상기 웨이퍼를 상기 반응 챔버로 이송하는 동안에 상기 웨이퍼 표면 상에서 발생하는 부가적인 산화를 감소시키거나 또는 방지하는, 또는 실질적으로 방지하는 보호층을 상기 웨이퍼 표면 위로 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 타겟 물질이 후속적으로 형성되는 동일한 반응 챔버 내에서 상기 전세정 물질의 제거는 감소된 결함 수 또는 향상된 전기적 성능 또는 이들 모두를 갖는 타겟 물질의 퇴적을 용이하게 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 타겟 물질이 후속적으로 형성되는 동일한 반응 챔버 내에서 상기 전세정 물질의 제거는 상기 전세정 공정에 후속되는 진공 환경의 외측으로의 상기 웨이퍼의 이송을 용이하게 할 수 있다. 나아가, 서로 간에 진공 결합되지 않은 반응 챔버들의 사용(즉, 클러스터 툴에서의 반응 챔버와 같이 다양한 게이트 밸브들을 통하여 서로 간에 결합되지 않은 반응 챔버들의 사용)은 또한 상기 전세정 공정에 후속되는 진공 환경의 외측으로의 상기 웨이퍼의 이송을 용이하게 할 수 있다.
일부 실시예들에서, 전세정 공정은 복수의 사이클들을 포함할 수 있으며, 각 사이클은 전세정 물질을 형성하는 단계 및 상기 전세정 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 하나보다 많은 사이클을 포함하는 전세정 공정은 유리하게도 예외적으로 이례적으로 높은 선택비를 보여줄 수 있다. 예를 들어, 전세정 공정의 제1 사이클의 선택비 성능과 비교하여, 전세정 공정의 제2 사이클 및 다른 후속되는 사이클들은 웨이퍼 표면으로부터 실리콘 질화물과 같은 다른 물질의 제거에 비하여 상대적으로 웨이퍼 표면으로부터 자연 실리콘 산화물의 제거가 상당하게 더 높은 선택적 제거를 보여준다.
상기 전세정 공정의 상기 반응물 가스의 조성은 하나 이상의 캐리어 가스들을 포함할 수 있다. 적합한 캐리어 가스는 임의의 수의 불활성 가스들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 캐리어 가스는 아르곤(Ar)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 반응물 가스는 또는 할로겐-함유 가스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 할로겐-함유 가스는 불소-함유 가스일 수 있다. 적합한 불소-함유 가스들은, 제한됨이 없이, 삼불화 질소(NF3), 불화수소(HF), 또는 이원자 불소(F2)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 반응물 가스는 또한 수소-함유 가스를 포함할 수 있다. 적합한 수소-함유 가스는 예를 들어, 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.
상기 전세정 물질은 상기 반응물 가스와 웨이퍼 표면의 실리콘 산화물의 반응에 의해 형성된 하나 이상의 성분들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 암모니아를 포함하는 반응물 가스 및 하나 이상의 불소-함유 화합물들은 수증기 및 질소, 수소 및 실리콘을 포함하는 전세정 물질을 발생시키기 위해 상기 실리콘 산화물과 화학적으로 반응할 수 있다. 일부 실시예들에서, 암모니아 및 삼불화질소, 불화수소, 또는 불소가 암모늄 헥사플루로실리케이트 또는 (NH4)2SiF6을 포함하는 전세정 물질을 제공하기 위해 실리콘 산화물과 반응할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 전세정 물질은 예를 들어, 암모늄 불화물(NH4F) 또는 암모늄 수소불화물(NH4HF2)을 포함할 수 있다.
임의의 특정한 이론 또는 동작 모드에 의해 제한됨이 없이, 상기 반응물 가스(예를 들어, NF3, HF, 및/또는 F2)의 할로겐-함유 구성 성분으로부터의 불소(F) 원자가 불화수소(HF)를 형성하기 위해 암모니아(NH3)와 반응할 때 암모늄 불화물(NH4F)이 형성될 수 있다고 믿어지며, 이 불화수소는 암모늄 불화물(NH4F)을 형성하기 위해 암모니아(NH3)와 결합될 수 있다. 일부 실시예들에서, 암모늄 불화물은 실리콘 사불화물(SiF4)과 수증기(H2O)를 형성하기 위해 실리콘 산화물과 분해 및 반응에 의해 실리콘 산화물을 제거할 수 있으며, 상기 사불화물(SiF4)은 암모늄 헥사플루로실리케이트를 형성하기 위해 NH4F와 결합할 수 있으며, 여기서 암모늄 헥사플루로실리케이트는 상기 기판 표면 상에 막층을 형성한다. 예를 들어, 암모늄 불화물의 음전기의 불소(F)는 상기 실리콘 산화물의 상대적으로 더 많은 양전기의 실리콘(Si)에 끌려질 수 있으며, 반면에 암모늄(NH4)은 상기 실리콘 산화물의 산소(O)에 끌려질 수 있다. 일부 실시예들에서, 암모늄 헥사플루로실리케이트를 포함하는 전세정 물질은 상기 기판을 가열함으로써 분해 및/또는 휘발되어질 수 있으며, 예를 들어 분해되어 사불화물(SiF4), 암모니아(NH3) 및/또는 불화수소(HF)를 형성한다.
상기 전세정 물질은 다양한 기술들을 사용하여 제거될 수 있다(예를 들어, 분해 및/또는 휘발될 수 있다). 일부 실시예들에서, 상기 전세정 물질은 상기 전세정 물질의 성분들의 승화 온도 부근의, 승화 온도의, 또는 승화 온도 위의 온도로의 상기 웨이퍼(17)의 가열을 통하여 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 웨이퍼(17)는 웨이퍼 트레이(16) 내의 가열 요소(66)를 상기 전세정 물질의 승화를 가능하게 하는 조건 하에서 약 80℃ 내지 약 100℃를 포함하여, 약 80℃ 내지 약 500℃의 범위 내의 온도로 가열함으로써 가열될 수 있다. 예를 들어, 상기 웨이퍼(17)는 상기 암모늄 헥사플루로실리케이트의 승화를 야기하기 위해 약 100℃의 온도로 가열될 수 있다. 상이 승화 온도는 일반적으로 약 80℃ 내지 약 120℃ 범위 내일 수 있다.
하나의 태양에 따라, 웨이퍼 트레이(16) 내측의 가열 요소(66)는 승화가 일어나기 위해 요구되는 입자들의 양을 최소화한다. 승화가 일어나기 위해 요구되는 입자들의 양을 최소화한다는 것은 웨이퍼(17) 표면 상에서 상기 산화물 물질의 승화 상 변화 동안에 웨이퍼(17)가 정지되어 유지된다는 것을 지칭한다. 나아가, 열의 방향은 위로부터가 아니라, 아래로부터 올 것이다. 웨이퍼의 하부 표면 아래로부터 웨이퍼(17)를 가열하는 것은 승화 동안에 발생된 어떠한 입자들의 부가를 제한할 것이다.
도 2에 묘사된 바와 같이, 내부에 가열 요소를 구비한 웨이퍼 트레이를 사용하여 반응기 시스템의 내부 챔버 내측에서 웨이퍼 상의 산화물 물질들을 승화시키기 위한 방법(200)이 도시된다. 상기 방법(200)은 일반적으로 단계 202에서 보여지듯이 웨이퍼 트레이 상에 위치퍼를 위치시킴과 같은 다양한 단계들을 포함한다. 웨이퍼(17)가 상기 웨이퍼 트레이(16) 상에 위치되도록 화살표 A(도 1)의 방향으로 개구부(40)를 통하여 이동될 수 있다. 웨이퍼 트레이 내의 가열 요소를 작동하는 단계가 일반적으로 단계 204에 도시된다. 하나의 예시적 실시예에서, 가열 요소(들)(66)이 전용의 전력 공급원으로부터 작동된다. 웨이퍼 트레이의 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 증가시키는 단계가 일반적으로 단계 206에 도시되며, 여기서 상기 웨이퍼가 상기 제2 온도에 도달할 때 웨이퍼 상의 산화물 물질의 상이 상기 내부 챔버 내측에서 승화를 통하여 고체에서 액체로 변화한다. 하나의 예시적 실시예에서, 상기 제2 온도는 일반적으로 100℃ 주변의 승화 온도일 수 있다.
일부 실시예들에서, 웨이퍼 트레이(16) 내측의 가열 요소(66)는 상기 전세정 공정 후에 가열되고 개시될 것이다(상기 산화물 층의 변환). 나아가, 가열 요소(66)가 상기 전세정 공정 동안에 웨이퍼(17)의 온도를 유지하기 위해 사용되는 것이 가능할 것이다. 상기 냉각 채널들(56)은 웨이퍼(17)가 가열 요소(66)으로부터 웨이퍼(17)로 전달된 열에 의해 너무 뜨겁게 된 경우에 웨이퍼(17)의 원하는 온도를 (냉각을 통하여) 유지하기 위해 상기 가열 요소와 협력할 수 있다.
방법(200)은 예시적이고 제한되지 않는 방식으로, 일부 부가적인 단계들을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 제1 온도는 약 15℃ 내지 약 30℃의 범위이며, 상기 제2 온도는 약 75℃ 내지 약 150℃의 범위일 수 있다. 부가적으로, 상기 방법(200)은 이전에 논의된 온도 상승율로 상기 웨이퍼 트레이 내의 상기 가열 요소의 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 온도 상승율은 약 50℃/초 내지 약 200℃/초, 또는 약 75℃/초 내지 약 150℃/초 또는 175℃/초의 범위 내이거나 약 100℃/초일 수 있다. 비슷하게, 웨이퍼(17) 및 모든 그것의 표면들의 온도는 급격하게 가열된 가열 요소(66)로부터 웨이퍼(17)로 전달된 열의 결과로 급격하게 증가될 수 있으며, 그리하여 웨이퍼(17)의 온도의 가열 또는 증가는 바로 앞에서 언급한 가열 요소(66)에 대한 상승율과 동일 범위 내의 상승율로 발생될 수 있다.
나아가, 상기 방법(200)은 상기 가열 요소(66)를 작동하는 단계가 전용의 전력 공급원으로부터 달성될 수 있다는 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방법(200)은 웨이퍼(17)의 하부 표면을 상기 웨이퍼 트레이 내의 상기 가열 요소로부터 벗어나는 수직 거리에 위치시키는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 웨이퍼(17)의 상기 하부 표면으로부터 상기 가열 요소(66)의 상부 표면까지의 수직 거리는 상기 리세스(48)의 수직 리세스 깊이보다 작을 수 있다. 또한, 상기 방법(200)은 서셉터(18)와 함께 상기 웨이퍼 트레이(16)를 냉각하는 단계를 포함할 수 있으며, 이것은 복수의 냉각 채널들(56)을 한정하며, 웨이퍼 트레이(16)으로부터 열 에너지를 흡수하는 히트 싱크로써 역할을 한다. 또한, 상기 방법(200)은 상기 웨이퍼 트레이(16)의 온도를 제1 온도부터 제2 온도가지 증가시키는 단계를 포함할 수 있으며, 이것은 상기 웨이퍼(17)를 일정한 수직 높이로 유지시키는 단계를 포함한다. 더 나아가, 상기 방법(200)은 상기 내부 챔버(14) 내측에서 상기 웨이퍼(17) 상의 자연 산화물 층을 처리하고 이와 반응하도록 하기 위해 상기 웨이퍼(17) 위로 플라즈마-상 원소 및 가스-상 화학적 원소를 통과시키는 단계; 및 상기 내부 챔버(14) 내측에서 승화 상 변화를 개시하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 내부 챔버(14) 내측에서 발생하는 모든 자연 산화물 처리 및 승화는 두 챔버들 사이에서 웨이퍼(17)의 전달 동안에 통상적으로 발생하는 외부의 입자들에 의한 오염을 방지 또는 실질적으로 감소시킬 수 있다. 부가적으로, 방법(200)은, 상기 산화물 물질의 승화 이후에, 상기 웨이퍼 트레이(16)로부터 그리고 상기 내부 챔버(14)로부터 웨이퍼(17)를 제거하는 단계; 약 80℃ 내지 약 120℃ 범위의 온도로 가열된 상기 웨이퍼 트레이를 유지하기 위해 상기 가열 요소(66)에 대한 작동을 유지하는 단계; 상기 내부 챔버(14) 내측에서 상기 웨이퍼 트레이(16) 상에 고체-상 자연 산화물층을 포함하는 제2 웨이퍼를 위치시키는 단계; 약 2초 이하로 상기 제2 웨이퍼로부터 상기 산화물층을 승화시키는 단계를 포함할 수 있다. 웨이퍼 트레이(16) 상에서 웨이퍼(17)의 온도를 증가시키는 단계는 아래로부터 웨이퍼(17)를 가열함으로써 달성될 수 있으며, 여기서 아래로부터 웨이퍼 트레이(16)를 지지하는 상기 서셉터(18)는 가열 요소들로부터 자유롭거나 이들을 포함하지 않을 수 있다.
앞의 설명에서, 어떤 용어들은 간결성, 명료성 및 이해성을 위해 사용되었다. 이러한 용어들은 설명적인 목적들을 위해 사용되었으며 넓게 해석될 수 있도록 의도되었기 때문에 어떠한 불필요한 제한들도 종래 기술의 요구를 넘어 그로부터 암시되지 않는다.
나아가, 여기에서 나타난 설명 및 도해는 예시이며, 본 발명은 보여지거나 기술되어진 정확한 상세한 설명들로 제한되는 것은 아니다.

Claims (20)

  1. 내부 챔버를 한정하는 반응 챔버 어셈블리;
    상기 내부 챔버 내의 서셉터;
    상기 서셉터 상에 놓여지며, 웨이퍼를 운반할 수 있도록 조정된(adapted) 웨이퍼 트레이; 및
    상기 웨이퍼를 승화 온도로 가열하기 위해, 상기 웨이퍼 트레이를 가열하기 위해 조정된 상기 웨이퍼 트레이 내의 가열 요소;를 포함하는 반응기 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼 트레이는 5 밀리미터 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼 트레이는 알루미늄 질화물 및 보론 질화물 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼 트레이는 약 0.4 킬로그램 내지 약 1.5 킬로그램 범위 내의 질량을 갖는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼는 하부 표면을 가지며,
    상기 서셉터의 상부 표면으로부터 하향으로 연장되며 그리고 수직 리세스 깊이를 갖는, 상기 서셉터 내에 형성되는 리세스; 및
    상기 웨이퍼의 상기 하부 표면으로부터 상기 가열 요소의 상부 표면까지, 상기 리세스 깊이보다 작은 수직 거리;를 더 포함하며,
    상기 웨이퍼 트레이는 상기 리세스 내에 있는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 수직 거리는 약 3.5 mm 이하인 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼는 자연 산화물층을 가지며, 상기 웨이퍼 트레이에 의해 운반되며,
    상기 가열 요소가 상기 웨이퍼를 상기 산화물층의 승화 온도로 가열할 수 있도록, 전원 공급원이 상기 가열 요소에 가동할 수 있게 결합되며 상기 가열 요소를 가열할 수 있는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 서셉터는 가열 요소들을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 가열 요소에 가동할 수 있게 결합되며, 약 50℃/초 내지 약 200℃/초의 범위 내의 온도 상승율에서 상기 가열 요소를 가열할 수 있는 전원 공급원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 시스템.
  10. 반응 챔버 어셈블리 내측에서 웨이퍼 트레이 상에 웨이퍼를 위치시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상의 산화물 물질이 상기 반응 챔버 어셈블리 내측에서 승화가 되도록, 상기 웨이퍼 트레이의 온도를 제1 온도부터 제2 온도까지 증가시키기 위해 상기 웨이퍼 트레이 내에서 가열 요소를 작동시키는 단계;를 포함하는 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 온도는 약 15℃ 내지 약 30℃ 범위 내이며, 상기 제2 온도는 약 75℃ 내지 약 150℃ 범위 내인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 웨이퍼 트레이 내에서 상기 가열 요소의 온도를 약 50℃/초 내지 약 200℃/초 범위 내의 비율로 상승시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 웨이퍼 트레이의 온도를 약 50℃/초 내지 약 200℃/초 범위 내의 비율로 상승시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 웨이퍼 트레이가 배치되며, 리세스 깊이를 갖는 리세스를 한정하는 서셉터를 제공하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 하부 표면을 상기 웨이퍼 트레이 내에서 상기 가열 요소 위로, 상기 리세스 깊이보다 작은 수직 거리에 위치시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 청구항 10에 있어서,
    복수의 냉각 채널들을 한정하며, 히트 싱크로써 역할을 하는 서셉터로 상기 웨이퍼 트레이를 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 온도부터 상기 제2 온도까지 상기 웨이퍼 트레이의 온도를 증가시키는 동안 내내 일정한 수직 높이로 상기 웨이퍼를 유지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 청구항 10에 있어서,
    상기 내부 챔버 내측에서 상기 웨이퍼 상의 자연 산화물층을 처리하고 그리고 자연 산화물층과 반응하도록 상기 웨이퍼 위로 플라즈마-상 원소 및 가스-상 화학 원소 중의 하나를 통과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 청구항 10에 있어서,
    상기 웨이퍼는 제1 웨이퍼이며,
    상기 산화물 물질의 승화 이후에,
    상기 웨이퍼 트레이 및 내부 챔버로부터 상기 제1 웨이퍼를 제거하는 단계;
    약 80℃ 내지 약 120℃ 범위 내의 온도로 가열된 상기 웨이퍼 트레이를 유지하기 위해 상기 가열 요소에 전력을 유지시키는 단계;
    상기 내부 챔버 내측에서 상기 웨이퍼 트레이 상에 고체-상 자연 산화물층을 포함하는 제2 웨이퍼를 위치시키는 단계;
    2초 이하로 상기 산화물층을 승화시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 청구항 10에 있어서,
    가열 요소를 포함하지 않는 서셉터 상에 상기 웨이퍼 트레이를 지지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 내부 챔버를 한정하는 반응 챔버 어셈블리;
    상기 내부 챔버 내의 웨이퍼 트레이; 및
    상기 웨이퍼 트레이에 의해 운반된 적어도 하나의 가열 요소;를 포함하며,
    상기 웨이퍼 트레이에 의해 운반된 상기 적어도 하나의 가열 요소 외에 상기 내부 챔버 내에 가열 요소들이 없는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 시스템.
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