CN116313878A - 一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备，所述基座包括：基座圆盘，其上设有用于放置待处理基片的基片放置面；加热组件，位于基座圆盘内部，用于加热待处理的所基片；冷却组件，位于基座圆盘内部且位于加热组件下方，用于冷却待处理的基片；基座轴，位于基座圆盘中心，用于支撑基座圆盘；基座圆盘和基座轴由第一金属一体铸造成型，本发明提高了对基片加热的均匀性。

Description

一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备
技术领域
本发明涉及半导体处理设备技术领域，特别涉及一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备。
背景技术
随着集成电路制造技术的快速发展，需要在微观加工的通道尺寸越来越小(小于14nm)，此时在半导体制程CVD工艺中，需要得到更加纯净的晶圆(基片)或前道工序的通道表面，且因通道尺寸小，则必须保证均匀厚度的膜层去除或制备，否则，造成晶圆加工的不良率会升高。在半导体晶圆加工中，晶圆表面温度一个关键的工艺参数，此时，需要对晶圆加热需要非常好的温度控制，实现极佳的温度均匀性，以提高加工效率，减少不良特性。
而现有技术中对晶圆的加热存在以下不足：
(1)加热基座采用分层成型，不同的片状组件之间设置水平方向开设的沟道或者垂直穿通的通道，将加入丝或者热电偶埋入后，再将两个片状组件通过在相对表面上涂覆焊料后互相焊接。但是焊料在两个片状组件结合的界面处往往扩散不均，导致焊料不能填满埋设有零件的沟道，使得加热丝等零件与多个片状组件组合而成的基座本体之间存在真空的间隙，这些间隙会极大的影响导热能力，最终会使得加热丝加热后形成的温度分布受这些间隙影响出现多个随机分布的冷点或者热点，无法通过其它方法补偿这种温度不均匀性。由于在焊接时的重力作用及基座盘的尺寸限制，钎焊料不能均匀的填充到两种材料的间隙中，且该种结构在基座盘和加热丝之间存在天然的间隔物，或造成加热效果均匀性不理想，温差较大。
(2)现有技术中加热丝通常为单根单区域布局，此时，要控制整个基座盘的盘面的加热功能，只能通过加热丝排布实现，调控手段有限；且由于加热基座盘在低气压环境中，气流由盘面外圆流走，一般会出现盘面中间温度低，外侧温度高的情况，温差较大；有时基座与外腔室由于安装结构而有部分部位接触，则由于固体导热作用，出现中间温度低、外侧温度高的情况。
(3)基座轴与盘面为焊接成型，密封在轴端处，焊缝处在工艺环境中，焊缝因工艺气体影响更加容易被腐蚀，造成泄露。
发明内容
本发明的目的是提供一种基座及等离子体处理设备，以克服上述的缺陷实现提高对基片加热的均匀性的目的。
为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种基座，包括：基座圆盘，其上设有用于放置待处理基片的基片放置面；加热组件，位于所述基座圆盘内部，用于加热待处理的所述基片。冷却组件，位于所述基座圆盘内部且位于所述加热组件下方，用于冷却待处理的所述基片；基座轴，位于所述基座圆盘中心，用于支撑所述基座圆盘；所述基座圆盘和所述基座轴由第一金属一体铸造成型。
可选地，所述基片放置面上设有排气槽。
可选地，所述加热组件和冷却组件均连接到由第二金属制成的至少一个支撑架，所述第二金属的熔点高于所述第一金属的熔点。
可选地，所述加热器组件包括一由第二金属制成的外壁管道，所述外壁管道包裹所述加热器组件内的加热丝和绝缘管。
可选地，所述加热组件包括同心设置且独立控制的外圈加热区和内圈加热区。所述内圈加热区包括第一加热丝，所述第一加热丝以基座圆盘中心开始，呈螺旋线式分布在所述基座圆盘内部。所述外圈加热区包括第二加热丝，所述第二加热丝以基座圆盘中心开始，呈螺旋线式分布在所述基座圆盘内部，且环绕所述第一加热丝外部设置。
可选地，所述内圈加热区中靠近所述基座圆盘中心的相邻两圈的加热丝之间的间距相等，其余圈数间距由内向外逐渐增大。
可选地，所述内圈加热区和所述外圈加热区位于同一水平面上，所述第二加热丝的电流输入和/或输出端经过一个连接段向下延伸，所述连接段包括至少一倾斜部分，所述倾斜部分从所述电流输入和/或输出端向下和向基座轴方向倾斜延伸，最终使所述连接段跨越所述内圈加热区的下方区域到达基座轴区域。
可选地，所述冷却组件包括冷却水管，所述冷却水管在所述基座圆盘内呈渐开线排布，所述冷却水管的进口和出口从所述基座轴的中心引出。
可选地，还包括：第一热电偶，其设置在所述基座圆盘内部，从基座轴穿设到基片放置面的中心区域；第二热电偶，其设置在所述基座圆盘内部，从基座轴穿设到基片放置面的边缘区域。
可选地，所述第一热电偶和所述第二热电偶的顶端距离所述基片放置面之间的距离分别为3mm～5mm。
可选地，所述第二热电偶与所述基座圆盘一体铸造成型。
可选地，还包括：密封面，其环绕所述基座轴的外圆周，设置在所述基座圆盘底面；若干个安装孔，其周向间隔设置在所述密封面上。
可选地，所述基座圆盘上表面边缘设置有一向下凹的台阶，用于放置与基座圆盘热隔离的环形零部件，使得基片在处理过程中所述环形零部件的温度高于基片温度。
可选地，所述第一金属为铝合金，所述第二金属选自铜、铁、钨、镍之一或者包括所述多种金属的合金。
另一方面，本发明还提供一种等离子体处理设备，包括：反应腔，如上文所述的基座，所述基座的基座圆盘设置在所述反应腔内，所述基座圆盘与所述反应腔底部密封连接。
再一方面，本发明还提供一种用于进行基片处理的基座的制造方法，包括：提供一铸造模具，所述模具的底部具有第一空腔用于形成基座圆盘，与第一空腔中心互相联通的第二空腔位于第一空腔上方，所述第二空腔用于形成基座轴。放入加热器组件、冷却组件和至少一个热电偶，所述加热器组件、冷却组件、热电偶外壁均被第二金属材料制成的外壁管道包裹，所述外壁管道通过多个支撑架架设在铸造模具内部预定位置；所述外壁管道的两端从所述第一空腔向所述第二空腔延伸。倒入第一金属材料的熔融液到所述铸造模具；其中所述第二金属材料的熔点高于第一金属材料。冷却后脱模获得基座。
本发明至少具有以下优点之一：
所述基座圆盘和所述基座轴由第一金属一体铸造成型。由此可知，本发明所提供的基座为整体铸造成型，非拼接成型。由此可以消除加热丝、冷却管通道与基座盘之间的间隙，有利于热量传导，由此使得加热效果更加均匀。
基座轴与基座圆盘为一体铸造，避免轴端焊缝泄露问题。
所述排气槽的设置，用于当晶元(基片)放置或顶起晶元(基片)时，及时排出晶元放置面(基片放置面)的残余气体，使得晶元可以轻易的被顶起，而不被真空吸力吸住，以提高基片良率。
本发明中的所述第二金属制成的外壁管道和所述支撑架的设置实现了基座轴与基座圆盘、加热组件和冷却组件为一体铸造的结构设置，由此实现使得基座的加热效果更加均匀。且加热丝与冷却管道共同布置在基座中，可在同一个工艺中对晶元进行快速的升降温，提高生产率。
本发明中的所述加热组件包括同心设置且独立控制的外圈加热区和内圈加热区。所述内圈加热区包括第一加热丝，所述外圈加热区包括第二加热丝。
本发明通过双区加热丝布局，且内外加热丝为独立设置及控制，可实现独立调节基座基片放置面的中心到外部边缘处的加热功率，从而使得基座的加热效果更加均匀。
本发明通过内、外加热丝布局设置，内、外控制TC(热电偶)，且TC顶端距离基片放置面近，在起到精准控制内、外加热丝功率的同时，更加精确测量基片放置面的温度。同时通过内、外TC可同时联动控制加热丝、通入到冷却管道内的冷却介质的参数，实现基片放置面的温度均匀性要求。
本发明可以在不打开加热丝功率时，仅通过在冷却管道内通入恒温的介质来实现基片放置面的温度均匀性，本发明的基座使用功能多样。
本发明基座圆盘底面设有的密封面，其使得基座与工艺腔室的安装位置设置在基座圆盘底面，由此所述密封面的设置有利于基座的水平安装。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种基座的剖面结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的一种基座中的热电偶的剖面结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种基座的仰视示意图；
图4为本发明一实施例提供的一种基座的立体结构示意图；
图5为本发明一实施例提供的一种基座中的加热丝的分布示意图；
图6为本发明一实施例提供的一种基座中的冷却水管的分布示意图。
具体实施方式
以下结合和具体实施方式对本发明提出的一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施方式的目的。为了使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容能涵盖的范围内。
如图1所示，本实施例提供一种基座，包括：基座圆盘100，其上设有用于放置待处理基片的基片放置面1001；加热组件，位于所述基座圆盘100内部，用于加热待处理的所述基片。冷却组件，位于所述基座圆盘100内部且位于所述加热组件下方，用于冷却待处理的所述基片；基座轴102，位于所述基座圆盘100中心，用于支撑所述基座圆盘100；所述基座圆盘100和所述基座轴102由第一金属一体铸造成型。所述基座圆盘100和所述基座轴102由第一金属一体铸造成型。由此可知，本实施例所提供的基座为整体铸造成型，非拼接成型。由此可以消除加热丝、冷却管通道与基座盘之间的间隙，有利于热量传导，由此使得加热效果更加均匀。基座轴102与基座圆盘100为一体铸造，避免轴端焊缝泄露问题。
在本实施例中，所述加热组件和冷却组件均连接到由第二金属制成的至少一个支撑架，所述第二金属的熔点高于所述第一金属的熔点。可以理解的是，为了制备一体成型的所述基座，其需要设置一个支撑架以支撑在采用第一金属浇筑前的加热组件和冷却组件。
在本实施例中，所述加热器组件可选的包括一由第二金属制成的外壁管道，所述外壁管道包裹所述加热器组件内的加热丝和绝缘管。
由此可知，所述第二金属制成的外壁管道和所述支撑架的设置实现了基座轴与基座圆盘、加热组件和冷却组件为一体铸造的结构设置，由此实现使得基座的加热效果更加均匀。且加热丝与冷却管道共同布置在基座中，可在同一个工艺中对晶元进行快速的升降温，提高生产率。
在本实施例中，请继续参考图1所示，所述加热组件包括同心设置且独立控制的外圈加热区和内圈加热区。所述内圈加热区包括第一加热丝1011，所述第一加热丝1011以基座圆盘100中心开始，呈螺旋线式分布在所述基座圆盘100内部。所述外圈加热区包括第二加热丝1012，所述第二加热丝1012以基座圆盘100中心开始，呈螺旋线式分布在所述基座圆盘100内部，且环绕所述第一加热丝1011外部设置。
如图5所示，所述内圈加热区中靠近所述基座圆盘100中心的相邻两圈的加热丝之间的间距相等，其余圈数间距由内向外逐渐增大。
请继续参考图1所示，所述内圈加热区和所述外圈加热区位于同一水平面上，所述外圈加热区(第二加热丝1012)的电流输入和/或输出端经过一个连接段向下延伸，所述连接段包括至少一倾斜部分，所述倾斜部分从所述电流输入和/或输出端向下和向基座轴102方向倾斜延伸，最终使所述连接段跨越所述内圈加热区的下方区域到达基座轴102区域。
本实施例中的所述加热组件包括同心设置且独立控制的外圈加热区和内圈加热区。所述内圈加热区包括第一加热丝，所述外圈加热区包括第二加热丝。本实施例通过双区加热丝布局，且内外加热丝为独立设置及控制，可实现独立调节基座基片放置面的中心到外部边缘处的加热功率，从而使得基座的加热效果更加均匀。例如在要求将所述基座的基片放置面1001达到50℃时，则内圈加热区和外圈加热区之前的温差小于或等于±1℃；当要求将所述基座的基片放置面1001达到200℃时，则内圈加热区和外圈加热区之前的温差小于或等于±4℃。
如图2和图6所示，所述冷却组件包括冷却水管1020，所述冷却水管1020在所述基座圆盘100内呈渐开线排布，所述冷却水管1020的进口和出口从所述基座轴102的中心引出。所述冷却水管1020的直径为6-10mm。
所述冷却水管1020在升降销孔处不避让，冷却水管1020之间间距相等，进出口由中心轴102端引出。所述冷却水管1020在第一加热丝1011和第二加热丝1012下方，间隔10-20mm。通入的介质可以是水、乙二醇、氟碳化合物等。由此所述冷却水管1020的设置，可以实现对基片进行低温工艺处理，也可以在不打开加热丝功率时，仅通过在冷却管道内通入恒温的介质来实现基片放置面1001的温度均匀性，本实施例的基座即可冷却又可加热，由此使得本实施例提供的基座使用功能多样。
请继续参考图2所示，本实施例还包括：第一热电偶1021，其设置在所述基座圆盘100内部，从基座轴102穿设到基片放置面1001的中心区域；第二热电偶1022，其设置在所述基座圆盘100内部，从基座轴102穿设到基片放置面1001的边缘区域。
所述第一热电偶1021和所述第二热电偶1022的顶端距离所述基片放置面1001之间的距离分别为3mm～5mm。
所述第二热电偶1022与所述基座圆盘100一体铸造成型。可以理解的是，所述基座圆盘100铸造成型后在其基座圆盘100底部处开设一垂直孔，所述第一热电偶1021埋入在所述垂直孔内；或者，所述第一热电偶1021和所述第二热电偶1022直接与所述基座圆盘100一体铸造成型。
由此，本实施例通过内、外加热丝布局设置，内、外控制TC(热电偶)，且TC顶端距离基片放置面近，在起到精准控制内、外加热丝功率的同时，更加精确测量基片放置面的温度。同时通过内、外TC可同时联动控制加热丝、通入到冷却管道内的冷却介质的参数，实现基片放置面的温度均匀性要求。
如图3所示，本实施例还包括：密封面1014，其环绕所述基座轴102的外圆周，设置在所述基座圆盘100底面；若干个安装孔1013，其周向间隔设置在所述密封面1014上。本实施例通过设有的密封面，其使得基座与工艺腔室的安装位置设置在基座圆盘底面，由此所述密封面的设置有利于基座的水平安装。
如图1或图2所示，所述基座圆盘100上表面边缘设置有一向下凹的台阶，用于放置与基座圆盘100热隔离的环形零部件，该环形零部件环绕晶圆，但是与晶圆边缘存在一间距，使得晶圆(基片)在处理过程中所述环形零部件的温度高于晶圆温度。
所述环形零部件的设置，在对所述晶圆或基片进行低温工艺处理时，会在所述基片的边缘汇聚氯化钠等颗粒物质，所述环形零部件的温度高于晶圆温度，使得所述基片的边缘不会汇聚氯化钠等颗粒物质，保持所述基片的清洁度，提高基片良率。
在本实施例中，所述第一金属为铝合金，所述第二金属选自铜、铁、钨、镍之一或者包括所述多种金属的合金。
如图4所示，所述基片放置面1001上设有排气槽1015。所述排气槽1015包括在所述基片放置面1001上均匀间隔分布的若干个同心圆槽。
或者，所述排气槽1015还包括在所述基片放置面1001上若干个径向延伸的直线槽。所述排气槽1015的设置，用于当晶元(基片)放置或顶起晶元(基片)时，及时排出晶元放置面(基片放置面)的残余气体，使得晶元可以轻易的被顶起，而不被真空吸力吸住，以提高基片良率。
另一方面，本实施例还提供一种等离子体处理设备，包括：反应腔，如上文所述的基座，所述基座的基座圆盘设置在所述反应腔内，所述基座圆盘与所述反应腔底部密封连接。
再一方面，本实施例还提供一种用于进行晶圆处理的基座的制造方法，包括：提供一铸造模具，所述模具的底部具有第一空腔用于形成基座圆盘，与第一空腔中心互相联通的第二空腔位于第一空腔上方，所述第二空腔用于形成基座轴。放入加热器组件、冷却组件和至少一个热电偶，所述加热器组件、冷却组件、热电偶外壁均被第二金属材料制成的外壁管道包裹，所述外壁管道通过多个支撑架架设在铸造模具内部预定位置；所述外壁管道的两端从所述第一空腔向所述第二空腔延伸。倒入第一金属材料的熔融液到所述铸造模具；其中所述第二金属材料的熔点高于第一金属材料。冷却后脱模获得基座。最后通过机械加工基座，在基座上表面形成安装基片的凹陷区和和气体扩散沟槽，还需要进行表面抛光和耐腐蚀材料涂层涂覆等，最终获得用于等离子处理腔的基座。支撑架本身也是由高导热系数的金属(如钢铁)制成，而且支撑架的金属只要能支撑冷却管和加热丝等部件在预设位置即可，可以采用很轻薄的结构设计，所以少量支撑架结构不会对基座上表面的温度分布产生明显影响。
在本实施例中，所述基座除了密封面1015之外的所有表面上进行镀镍的表面处理。
另外如图1，图3，图5和图6所示，本实施例还设有若干个升降销孔1030，每一所述升降销孔1030贯穿所述基座圆盘100的顶面和底面，避开所述密封面1014、所述冷却水管和所述加热丝设置。所述升降销孔1030用于将所述基片顶出，取出基片。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“高度”、“厚度”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (15)

1.一种基座，其特征在于，包括：
基座圆盘，其上设有用于放置待处理基片的基片放置面；
加热组件，位于所述基座圆盘内部，用于加热待处理的所述基片；
冷却组件，位于所述基座圆盘内部且位于所述加热组件下方，用于冷却待处理的所述基片；
基座轴，位于所述基座圆盘中心，用于支撑所述基座圆盘；
所述基座圆盘和所述基座轴由第一金属一体铸造成型。
2.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述基片放置面上设有排气槽。
3.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述加热组件和冷却组件均连接到由第二金属制成的至少一个支撑架，所述第二金属的熔点高于所述第一金属的熔点。
4.权利要求3所述的基座，其特征在于，所述加热器组件包括一由第二金属制成的外壁管道，所述外壁管道包裹所述加热器组件内的加热丝和绝缘管。
5.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述加热组件包括同心设置且独立控制的外圈加热区和内圈加热区；
所述内圈加热区包括第一加热丝，所述第一加热丝以基座圆盘中心开始，呈螺旋线式分布在所述基座圆盘内部；
所述外圈加热区包括第二加热丝，所述第二加热丝以基座圆盘中心开始，呈螺旋线式分布在所述基座圆盘内部，且环绕所述第一加热丝外部设置。
6.如权利要求5所述的基座，其特征在于，所述内圈加热区中靠近所述基座圆盘中心的相邻两圈的加热丝之间间距的间距相等，其余圈数间距由内向外逐渐增大。
7.如权利要求5所述的基座，其特征在于，所述内圈加热区和所述外圈加热区位于同一水平面上，所述第二加热丝的电流输入和/或输出端经过一个连接段向下延伸，所述连接段包括至少一倾斜部分，所述倾斜部分从所述电流输入和/或输出端向下和向基座轴方向倾斜延伸，最终使所述连接段跨越所述内圈加热区的下方区域到达基座轴区域。
8.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述冷却组件包括冷却水管，
所述冷却水管在所述基座圆盘内呈渐开线排布，所述冷却水管的进口和出口从所述基座轴的中心引出。
9.如权利要求1所述的基座，其特征在于，还包括：第一热电偶，其设置在所述基座圆盘内部，从基座轴穿设到基片放置面的中心区域；第二热电偶，其设置在所述基座圆盘内部，从基座轴穿设到基片放置面的边缘区域。
10.如权利要求9所述的基座，其特征在于，所述第一热电偶和所述第二热电偶的顶端距离所述基片放置面之间的距离分别为3mm～5mm。
11.如权利要求1所述的基座，其特征在于，还包括：密封面，其环绕所述基座轴的外圆周，设置在所述基座圆盘底面；若干个安装孔，其周向间隔设置在所述密封面上。
12.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述基座圆盘上表面边缘设置有一向下凹的台阶，用于放置与基座圆盘热隔离的环形零部件，使得基片在处理过程中所述环形零部件的温度高于基片温度。
13.如权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第一金属为铝合金，所述第二金属选自铜、铁、钨、镍之一或者包括所述多种金属的合金。
14.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：反应腔，如权利要求1所述的基座，所述基座的基座圆盘设置在所述反应腔内，所述基座圆盘与所述反应腔底部密封连接。
15.一种用于进行基片处理的基座的制造方法，其特征在于，包括：
提供一铸造模具，所述模具的底部具有第一空腔用于形成基座圆盘，与第一空腔中心互相联通的第二空腔位于第一空腔上方，所述第二空腔用于形成基座轴；
放入加热器组件、冷却组件和至少一个热电偶，所述加热器组件、冷却组件、热电偶外壁均被第二金属材料制成的外壁管道包裹，所述外壁管道通过多个支撑架架设在铸造模具内部预定位置；所述外壁管道的两端从所述第一空腔向所述第二空腔延伸；
倒入第一金属材料的熔融液到所述铸造模具；其中所述第二金属材料的熔点高于第一金属材料；
冷却后脱模获得基座。
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