DE102005045081B4 - Suszeptor - Google Patents
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Abstract
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- 1. Gebiet der Erfindung
- Die Erfindung betrifft einen Suszeptor und insbesondere einen Suszeptor, in dem ein SiC-Film, der auf einer Wafer-Ablage ausgebildet wird, teilweise ohne Polieren derart zurückgelassen wird, dass er einen Oberflächenabschnitt für ein SiC-Kornwachstum ist.
- 2. Beschreibung des Standes der Technik
- Eine Halbleitervorrichtung wird durch viele Herstellungsprozesse hergestellt. Als Suszeptoren, die in einen Epitaxiewachstumsprozess eines Halbleiter-Wafers verwendet werden, wird oft ein SiC-Element wegen der niedrigen Reaktivität und der hohen Festigkeit verwendet, in dem SiC auf einem Kohlenstoffbasismaterial aufgetragen ist.
- Es gibt einen plattenähnlichen Suszeptor, in dem eine einzelne Wafer-Aufnahmevertiefung auf einem ebenen bzw. planaren Suszeptor-Basismaterial ausgebildet ist, und einen Suszeptor, in dem viele Vertiefungen auf einem planaren Suszeptor-Basismaterial ausgebildet sind.
- Der Suszeptor wird durch Beschichten von SiC auf einem Kohlenstoffbasismaterial hergestellt, in dem eine Vertiefung mittels mechanischem Schleifen oder Ähnlichem ausgebildet wird, worauf die Verwendung wie beschichtet in einer Wärmebehandlung oder Ähnliches folgt (vgl. die ungeprüfte, japanische Patentveröffentlichung Nr.
JP 56-010 921 A JP 07-335572 A - In den Suszeptoren, die nach den herkömmlichen Herstellungsverfahren hergestellt werden, arbeiten jedoch, wenn der Suszeptor als mit einem SiC-Film beschichtet in der Wärmebehandlung oder Ähnlichem in
JP 56-010921 A JP 07-335572 A 6 gezeigt ist, auf der beschichteten Oberfläche erzeugt, wodurch sich eine kurze Lebensdauer ergibt. - Wenn die Gesamtoberfläche der Vertiefung, wo ein Wafer angeordnet wird, poliert wird, kann der Wafer zudem aufgrund eines Gases in der Vertiefung, das an einer Berührungsgrenzfläche verbleibt, leicht gleiten und das Gas verbleibt an einem Randeckenabschnitt der Vertiefung. Folglich besteht ein Problem darin, dass aufgrund der Zentrifugalkraft in Verbindung mit einer Drehbewegung des Suszeptors und eines Einflusses des Gases der Wafer von der Vertiefung abhebt.
- Um diese Probleme zu überwinden, wurden Gegenmaßnahmen angewandt, zum Beispiel das Anordnen von Löchern, die mit einer Suszeptor-Bodenoberfläche auf einer Wafer-Berührungsoberfläche der Vertiefung verbunden sind, oder das Anordnen von Rillen in einem Gitter. In diesem Fall besteht jedoch das Problem, dass der Wafer, da eine teilweise Temperaturdifferenz in der Wafer-Oberfläche ausgebildet wird, nicht gleichmäßig wärmebehandelt werden kann.
- Zudem wird in den herkömmlichen Suszeptoren ein ebener Außenumfangsabschnitt, der sich an den Außenumfangsabschnitt der Vertiefung anschließt, wo der Wafer angeordnet wird, einer gewöhnlichen CVD-SiC-Beschichtung oder dem Spiegelpolieren unterzogen. Bei der Ersteren wird ein Gasfluss an dem Außenumfangsabschnitt eines Wafer-Anbringungsabschnitts gestört, wodurch zum Beispiel die Gleichmäßigkeit einer Wafer-Epitaxieschicht verschlechtert wird. Zudem, wenn sie wiederholt verwendet wird, ist es in dem Außenumfangsabschnitt sehr wahrscheinlich, dass sich Verunreinigungskomponenten anhäufen, wodurch eine ungünstige Beeinflussung des Wafers entsteht. In dem letzteren Fall kann, da der Gasfluss in dem Außenumfangsabschnitt sehr gleichmäßig wird, wodurch ein anormaler Wachstumsvorsprung in einer Ablagerungsschicht zum Beispiel auf einer Stromabwärtsseite des Gases nach der wiederholten Verwendung verursacht wird, die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht des Wafers verschlechtert werden.
- ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
- Die Erfindung wurde mit Hinblick auf die vorstehenden Situationen gemacht und hat das Ziel, einen Suszeptor bereitzustellen, der eine Oberfläche des Halbleiter-Wafers nicht mit einem Scheitel bzw. einer Spitze eines Korns schneidet, das auf einer Oberfläche eines SiC-Films ausgebildet wird, der keine Risse, auch nicht nach der Verwendung nach einer langen Zeit, an einem unteren Abschnitt eines Außenumfangsabschnitts einer Vertiefung erzeugt, damit er eine lange Lebensdauer hat, der den Wafer ohne Abheben von der Vertiefung stabil halten kann und der eine Wärmebehandlung der Oberfläche des Wafers gleichmäßig durchführen kann.
- Zudem beabsichtigt die Erfindung, einen Suszeptor bereitzustellen, der eine Epitaxieschicht eines Wafers gleichmäßig machen kann und auch nach einer wiederholten Verwendung keine Verunreinigungskomponenten an einem Außenumfangsabschnitt der Vertiefung anhäuft, um von einer nachteiligen Beeinflussung des Wafers frei zu sein.
- Die Erfinder haben nach dem aufwändigen Studium, um die vorher erwähnte Aufgabe zu erreichen, herausgefunden, dass, wenn Acht auf die Tatsache gegeben wird, dass ein Außenumfangsabschnitt des Halbleiter-Wafers, insbesondere eines Silizium-Wafers, notwendigerweise einem Anfasen ausgesetzt wird, um den Umfang des Wafers abzuschrägen, und dass ein angefaster Abschnitt nicht in Berührung mit einem Suszeptor kommt, ein SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt ohne Polieren an einer Stelle gegenüber dem angefasten Abschnitt des Suszeptors verbleiben kann und dass feine Risse nicht auf der Filmoberfläche dieses Abschnitts erzeugt werden. Dadurch wurde die Erfindung vervollständigt.
- Das heißt, dass, um die vorher erwähnten Aufgaben lösen zu können, gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Suszeptor bzw. Träger bereitgestellt wird, von dem mindestens eine Oberfläche mit SiC beschichtet ist, und der eine Vertiefung aufweist, wobei in der Vertiefung ein runder Abschnitt zwischen einem Wafer-Berührungsabschnitt, wo ein Wafer angeordnet ist und in Berührung damit kommt, und einem vertikalen Außenumfangsabschnitt ausgebildet ist, der vertikal von dem Wafer-Berührungsabschnitt nach oben steht, und wobei ein ringförmiger SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt mit einer Oberflächenraugkeit Ra in einem Bereich von 5 μm bis 10 μm ausgebildet ist, der innerhalb des runden Abschnitts in einem Bereich von 0,05 mm oder mehr und 0,3 mm oder weniger bereitgestellt ist, definiert bzw. gemessen von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt der Vertiefung aus, und wobei der Wafer-Berührungsabschnitt, wo der Suszeptor den Wafer auf der Vertiefung berührt, eine polierte Oberfläche mit einer Oberflächenrauigkeit Ra in einem Bereich von 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger hat. Die Oberflächenrauigkeit Ra (arithmetische Mittelrauigkeit) ist in dem japanischen Industriestandard (JIS = Japanese industrial Standard) als JIS B 0601-1994 definiert.
- Gemäß dem vorstehenden Aufbau kann ein Suszeptor realisiert werden, der weder die Oberfläche des Halbleiter-Wafers aufgrund des Scheitels bzw. der Spitze des Korns auf der Oberfläche des SiC-Films schneidet noch nach der Verwendung für eine lange Zeit irgendwelche Risse an dem unteren Abschnitt des Außenumfangsabschnitts der Vertiefung erzeugt, um eine lange Lebensdauer zu erreichen, der stabil verwendet werden kann, ohne dass der Wafer von der Vertiefung abhebt, und der zudem eine Wärmebehandlung auf der Oberfläche des Wafers gleichmäßig durchführen kann.
- Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung, wie in dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung erläutert worden ist, wird es bevorzugt, dass ein planarer Außenumfangsabschnitt, der sich an den Außenumfangsabschnitt der Vertiefung anschließt und teilweise oder insgesamt eine Oberfläche des Suszeptors ausbildet, eine polierte Oberfläche mit einer Oberflächenrauigkeit Ra in einem Bereich von 0,05 μm oder mehr und 0,5 μm oder weniger ausbildet.
- Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung, wie in dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ausgeführt worden ist, wird es bevorzugt, dass der Suszeptor fünf Vertiefungen bzw. Aufnahmen aufweist und dass der planare Außenumfangsabschnitt 70% oder mehr der Oberfläche des Suszeptors, ausgenommen die Vertiefungen, einnimmt.
- Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung, wie in dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung erläutert wurde, wird es bevorzugt, dass der Suszeptor eine einzige Vertiefung aufweist, worin der planare Außenumfangsabschnitt die gesamte Oberfläche des Suszeptors, ausgenommen die Vertiefung, abdeckt.
- Gemäß dem Suszeptor der Erfindung kann ein Suszeptor bereitgestellt werden, der weder eine Oberfläche des Halbleiter-Wafers aufgrund eines Scheitels bzw. einer Spitze des Kornes auf einer Oberfläche eines SiC-Films schneidet noch nach der Verwendung für eine lange Zeitdauer Risse an dem unteren Abschnitt des Außenumfangsabschnitts der Vertiefung erzeugt, um eine lange Lebensdauer zu erreichen, der stabil verwendet werden kann, ohne dass der Wafer aus der Vertiefung herauskommt, und der zudem eine Wärmebehandlung auf einer Oberfläche des Wafers gleichmäßig durchführen kann.
- Zudem kann ein Suszeptor bereitgestellt werden, der eine Wafer-Epitaxieschicht gleichförmig machen kann, der keine Verunreinigungskomponenten an dem Außenumfangsabschnitt der Vertiefung anhäuft, auch nicht nach einer wiederholten Verwendung, und der keine ungünstigen Wirkungen auf den Wafer hat.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine ebene Ansicht eines Suszeptors gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; -
2 ist eine Schnittansicht entlang einer A-A-Linie in1 ; -
3 ist eine Schnittansicht, die eine Vergrößerung eines Abschnitts B in2 zeigt; -
4 ist eine Schnittansicht, die den Abschnitt B in2 vergrößert zeigt; -
5 ist ein Konzeptdiagramm, das ein Herstellungsverfahren eines Suszeptors gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt; -
6 ist ein Erläuterungsdiagramm, das einen Rissauftrittszustand eines vorhandenen Suszeptors zeigt; -
7 ist eine Schnittansicht eines Suszeptors gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; und -
8 ist ein Konzeptdiagramm, das einen Zustand der Verwendung eines Suszeptors gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zeigt. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Nachfolgend wird eine Ausführungsform eines Suszeptors gemäß der Erfindung mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert.
-
1 ist eine Längsschnittansicht eines Suszeptors gemäß der Erfindung.2 ist eine Längsschnittansicht, die einen Zustand seiner Verwendung zeigt.3 und4 sind vergrößerte Diagramme in der Nachbarschaft eines runden Abschnitts, der durch Vergrößern eines Abschnitts B in2 gezeigt wird. - Wie in
1 gezeigt wird, hat ein Suszeptor1 gemäß der Erfindung einen Aufbau, in dem ein SiC-Film4 auf einer Oberfläche2a eines Kohlenstoffbasismaterials2 ausgebildet ist und eine Vielzahl von Vertiefungen3 , z. B. fünf, die jeweils zum Unterbringen eines Halbleiter-Wafers ausgebildet sind, auf der Oberfläche2a des Kohlenstoffbasismaterials2 ausgebildet ist. - Wie in
2 gezeigt ist, ist in der Vertiefung3 ein runder Abschnitt3c zwischen einem Wafer-Berührungsabschnitt3a , wo ein Wafer W angeordnet ist und in Berührung damit kommt, und einem vertikalen Außenumfangsabschnitt3b ausgebildet, der vertikal von dem Wafer-Berührungsabschnitt3a nach oben steht. Wie in3 und4 gezeigt ist, ist ein ringähnlicher Innenumfangsrand4a1 eines SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitts4a , der nur durch Kornwachstum von SiC und ohne Polieren ausgebildet wird, derart ausgebildet, dass er sich innerhalb des runden Abschnitts3c und in dem Bereich von 0,05 mm oder mehr und 0,3 mm oder weniger von dem vertikalen Umfangsabschnitt3b der Vertiefung3 aus befindet. Die Oberflächenrauigkeit Ra (arithmetische Oberflächenrauigkeit, die durch JIS B 0601-1994 definiert wird) einer Oberfläche3a , wo der Halbleiter-Wafer W in Berührung mit dem Suszeptor kommt, ist in einem Bereich von 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger festgelegt. Das heißt, dass ein Abstand x, der von der Innenumfangskante4a1 zu dem vertikalen Außenumfangsabschnitt3b definiert ist, in dem Bereich von 0,05 bis 0,3 mm ist, wenn von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt3b aus gemessen wird. - Wenn der Abstand x von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt kleiner als 0,05 mm ist, wird der Entspannungseffekt bzw. Entlastungseffekt nicht gezeigt. Andererseits, wenn er 0,3 mm überschreitet, kommt der Kornwachstumsoberflächenabschnitt in Berührung mit einer Rückfläche des Wafers, wodurch der Wafer wahrscheinlich beschädigt wird. Zudem ist die Ra des Kornwachstumsoberflächenabschnitts bevorzugt in dem Bereich von 5 μm oder mehr und 10 μm oder weniger. Wenn die Oberflächenrauigkeit Ra des Kornwachstumsoberflächenabschnitts kleiner als 5 μm ist, gibt es viele Korngrenzen, die wahrscheinlich Risse aufgrund der Belastung bzw. Spannung durch die Korngrenzen verursachen. Wenn die Ra 10 μm überschreitet, ist zudem der Entspannungseffekt bzw. Entlastungseffekt groß und in der Vertiefung
3 wird ein Winkel, der zwischen einer Oberfläche, wo der Wafer angeordnet ist, und dem vertikalen Außenumfangsabschnitt definiert ist, wahrscheinlich verzogen. - Ein Material des Basismaterials kann optional ausgewählt werden. Wenn jedoch isostatischer Graphit angewandt wird, kann eine gewünschte Form leicht erhalten werden.
- In der Ausführungsform kann, da der Halbleiter-Wafer nicht in Berührung mit dem vertikalen Außenumfangsabschnitt
3b kommt, die Oberfläche3b unpoliert als eine SiC-Kornwachstumsoberfläche verbleiben. - Als Nächstes wird ein Herstellungsverfahren eines Suszeptors gemäß der Erfindung beschrieben.
- Wie in
5 gezeigt wird, wird ein Suszeptor1 hergestellt, indem eine Oberfläche2a aus einem Kohlenstoffbasismaterial2 , das mit einer Vertiefung3 versehen ist, mit einem SiC-Film4 beschichtet wird. Eine Wafer-Anbringungsoberfläche3a und ein vertikaler Außenumfangsabschnitt3b werden mit einer Poliermaschine derart poliert, dass die jeweilige Oberflächenrauigkeit Ra in den Bereich von 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger fällt. Zudem wird auch ein runder Abschnitt3c derart poliert, dass seine Oberflächenrauigkeit Ra in den Bereich von 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger fällt, wobei ein unpolierter Oberflächenbereich verbleibt, der durch einen Bereich von 0,05 mm oder mehr und 0,3 mm oder weniger von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt3b aus definiert ist. Das heißt, dass der unpolierte Oberflächenabschnitt des runden Abschnitts3c nicht poliert wird, sodass der SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt4a übrig bleibt. Dementsprechend werden in dem unpolierten Oberflächenabschnitt, der der SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt4a ist, feine Risse aufgrund der Belastung bzw. Spannung während des Polierens nicht erzeugt. - Ein Wärmebehandlungsverfahren eines Halbleiter-Wafers mit einem Suszeptor gemäß der Erfindung wird nachfolgend beschrieben.
- Wie in
2 und3 gezeigt ist, wird ein Halbleiter-Wafer W auf einer Wafer-Anbringungsoberfläche3a , die auf dem Suszeptor1 ausgebildet ist, der in einem Ofen angeordnet wird, derart angeordnet, dass der Halbleiter-Wafer W in einer Vertiefung3 aufgenommen wird. - Zu dieser Zeit kommt der Halbleiter-Wafer W, der angefast ist und mit einem schrägen Abschnitt c versehen ist, nicht in Berührung mit dem SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt
4a des runden Abschnitts3c . - Danach wird ein Rohmaterialgas dem Ofen zugeführt und der Suszeptor
1 und der Halbleiter-Wafer W werden erwärmt, um eine Wärmebehandlung des Halbleiter-Wafers W anzuwenden. - In einem solchen Wärmebehandlungsprozess wird der Suszeptor
1 mit dem runden Abschnitt3c an einem unteren Abschnitt des Außenumfangsabschnitts der Vertiefung, auf dem der Wafer W angeordnet ist, mit einem ringähnlichen SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt (der nicht poliert wird und nicht plan ist) innerhalb des runden Abschnitts3c und wenigstens in den Bereich von 0,05 mm oder mehr und 0,3 mm oder weniger von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt des Vertiefungsabschnitts3 ist, und mit geeigneten Unregelmäßigkeiten aufgrund der SiC-Körner in dem Außenumfangsabschnitt bereitgestellt. Dementsprechend kann der Suszeptor1 stabil verwendet werden, ohne dass solche Probleme verursacht werden, dass ein Gas an einem Außenumfangseckabschnitt der Vertiefung3 verbleibt und dass daraus resultierend der Wafer W sich von der Vertiefung3 abhebt. Zudem wird ein Berührungsabschnitt mit dem Wafer W in der Vertiefung3 mit einer gleichmäßigen Oberfläche mit der Oberflächenrauigkeit Ra in einem Bereich von 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger (es gibt weder Verbindungslöcher noch gitterähnliche Rillen) ausgebildet. Dementsprechend kann der Wafer W einer gleichmäßigen Wärmebehandlung in einer Ebene davon unterzogen werden. - Da die Wafer-Auflageoberfläche
3a , mit der der Halbleiter-Wafer W in Berührung kommt, derart poliert wird, dass die Oberflächenrauigkeit Ra 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger beträgt, schneidet die Wafer-Auflageoberfläche3a des Suszeptors nicht eine Oberfläche des Halbleiter-Wafers. Da ein ringähnlicher Innenumfangsrand4a1 des unpolierten SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitts4a derart ausgebildet ist, dass er sich in dem runden Abschnitt und in dem Bereich von 0,05 mm oder mehr und 0,3 mm oder weniger von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt der Vertiefung3 aus befindet, werden keine feinen Risse aufgrund des Polierens auf dem SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt4a verursacht und werden auch keine Risse, die aus den feinen Rissen aufgrund der thermischen Beanspruchung während der Wärmebehandlung entstehen, auf der Filmoberfläche erzeugt. - Wie vorstehend erwähnt wurde, wird gemäß der Ausführungsform eine Oberfläche des Halbleiter-Wafers nicht durch die Scheitel bzw. Spitzen der Körner auf einer SiC-Filmoberfläche geschnitten. Auch nach einer längeren Zeitdauer werden keine Risse in dem unteren Abschnitt des Außenumfangsabschnitts der Vertiefung erzeugt, auf dem der Wafer angeordnet wird. Folglich kann der Suszeptor für eine lange Zeit verwendet werden. Zudem kann der Wafer stabil verwendet werden, ohne dass er von der Vertiefung abhebt, und eine gleichmäßige Erwärmung kann auf die Wafer-Oberfläche angewandt werden.
- Gemäß der Ausführungsform wird ein Beispiel, in dem eine Vielzahl von Wafer-Anbringungsvertiefungen auf einem Basismaterial angeordnet ist, beispielhaft erläutert. Jedoch können auch, wenn der Suszeptor gemäß der Erfindung ein Suszeptor vom Plattentyp ist, in dem eine Vertiefung bzw. Aufnahme auf einem Basismaterial ausgebildet ist, die gleichen Vorteile erhalten werden.
- Eine andere Ausführungsform des Suszeptors gemäß der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend beschrieben.
- Gemäß der Ausführungsform ist in der Ausführungsform, die in
2 gezeigt ist, ein Suszeptor in dem Bereich der Oberflächenrauigkeit eines planaren Außenumfangsabschnitts beschränkt, der sich an einen Außenumfangsabschnitt der Vertiefung anschließt. - Zum Beispiel ist, wie in
7 gezeigt ist, ein Suszeptor11 gemäß der Ausführungsform mit einem planaren Außenumfangsabschnitt3d versehen, der einen Teil oder eine Gesamtheit einer Oberfläche des Suszeptors11 ausbildet, die sich an den Außenumfangsabschnitt der Vertiefung3 anschließt, wobei der planare Außenumfangsabschnitt3d eine ungleichmäßige Form ausbildet, die eine arithmetische Durchschnittsrauigkeit Ra (die in JIS B0601-1994 definiert ist) in dem Bereich von 0,05 μm oder mehr und 0,5 μm oder weniger hat. - Dementsprechend, wie in
8 gezeigt ist, erreicht zum Beispiel in einem Epitaxiewachstumsprozess ein Rohmaterialgas, das einem Glockengehäuse22 einer Epitaxievorrichtung21 zugeführt wird, einen planaren Außenumfangsabschnitt3d . Hintereinander folgend fließt das Rohmaterialgas durch konkave Abschnitte des planaren Außenumfangsabschnitts3d , die zwischen bzw. von vorstehenden Abschnitten in einer geeigneten, unregelmäßigen Form des planaren Außenumfangsabschnitts3d definiert bzw. begrenzt sind. Der Fluss des Rohmaterials wird dementsprechend durch die konkaven Abschnitte gleichmäßig gemacht. Zudem werden Verunreinigungen, die in dem Rohmaterialgasfluss enthalten sind, angehäuft und an den konkaven Abschnitten abgelagert. Da es keine Verwirbelung in einem Rohmaterialgasfluss gibt, der über den Wafer fließt, kann folglich eine gleichförmige Epitaxieschicht ausgebildet werden. Zudem wird sogar nach einer Langzeitverwendung verhindert, dass sich Verunreinigungen auf der Epitaxieschicht ablagern, und ein Ausfall aufgrund der Verunreinigungen kann reduziert werden. - Wenn die Oberflächenrauigkeit des planaren Außenumfangsabschnitts 0,5 μm oder mehr beträgt, wird der Reinigungseffekt verschlechtert. Andererseits, wenn die Oberflächenrauigkeit 0,05 μm oder weniger beträgt, wird der Gasfluss an dem planaren Außenumfangsabschnitt zu stark gleichmäßig gemacht, wodurch anormale Wachstumsvorsprünge auf einer Stromabwärtsseite des Gasflusses ausgebildet werden, das heißt auf einer Vertiefungsseite des planaren Außenumfangsabschnitts, was eine Verschlechterung der Gleichmäßigkeit einer Epitaxieschicht auf dem Wafer nach der wiederholten Verwendung ergibt.
- Der planare Außenumfangsabschnitt in diesem Suszeptor, wo fünf Vertiefungen auf einem Basismaterial, wie in der Ausführungsform gezeigt ist, ausgebildet sind, nimmt bevorzugt 70% oder mehr der Oberfläche des Basismaterials ein, ausgenommen die Vertiefungen. Wenn er 70% überschreitet, kann der Gasfluss erheblich gleichgerichtet bzw. gereinigt werden. Zudem belegt der planare Außenumfangsabschnitt in dem Fall eines Plattentyp-Suszeptors, wo eine Vertiefung auf dem Basismaterial ausgebildet wird, bevorzugt die gesamte Oberfläche.
- Zudem kann auch in dem Fall, dass ein Basismaterial, das den planaren Außenumfangsabschnitt enthält, der um die Vertiefung herum ausgebildet ist, konstruktiv schwierig herzustellen oder schwierig einstückig mit der Vertiefung aufzubauen ist, oder in dem Fall, dass die Vertiefung und das Basismaterial unterschiedlich in der Lebensdauer sind, auch wenn das Basismaterial und die Vertiefung teilweise oder insgesamt getrennt hergestellt werden, die Erfindung den identischen Effekt zeigen.
- Da weitere Konfigurationen nicht von der Konfiguration des Suszeptors, der in
2 gezeigt ist, abweichen, werden diese mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und Beschreibungen davon werden hier weggelassen. - [Beispiele]
- [Experiment 1]
- (Beispiel 1): Ein isostatisches Kohlenstoffbasismaterial, das maschinell in eine Suszeptor-Form gebracht worden ist, die eine Vertiefung hat, wurde mit SiC beschichtet, das eine Oberflächenrauigkeit Ra von 7,2 μm hat. Eine Anbringungsoberfläche der Vertiefung, ohne ein Gebiet, das 0,3 mm von einer Außenumfangsseite davon als ein unpolierter Abschnitt definiert ist, wurde mit einer Drehpoliermaschine mit Diamantschleifkörnern von #500 oder weniger geschliffen und poliert, um einen Suszeptor herzustellen.
- (Beispiel 2): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise wie Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass der unpolierte Abschnitt an der Außenumfangsseite der Vertiefung auf 0,05 mm gesetzt wurde.
- (Beispiel 3): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise wie Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass Schleifkörner der Drehpoliermaschine auf #40 oder weniger gesetzt wurden.
- (Beispiel 4): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise wie Beispiel 2 hergestellt, mit der Ausnahme, dass Schleifkörner auf #40 oder weniger gesetzt wurden.
- (Vergleichsbeispiel 1): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise wie Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass ein unpolierter Abschnitt an der Außenumfangsseite der Vertiefung mit 0,4 mm eingerichtet wurde.
- (Vergleichsbeispiel 2): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise hergestellt wie Beispiel 3, mit der Ausnahme, dass ein unpolierter Abschnitt an der Außenumfangsseite der Vertiefung mit 0,4 mm eingerichtet wurde.
- (Vergleichsbeispiel 3): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise wie in Beispiel 3 hergestellt, mit der Ausnahme, dass Schleifkörner der Drehpoliermaschine auf #800 oder weniger gesetzt wurden.
- (Vergleichsbeispiel 4): Ein Suszeptor wurde auf ähnliche Art und Weise wie das Beispiel 3 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Schleifkörner der Drehpoliermaschine auf #800 oder weniger gesetzt wurden.
- Die Oberflächenrauigkeit der einzelnen Beispiele und Vergleichsbeispiele wurde gemessen. Zudem wurde jedes in einer Epitaxiewachstumsvorrichtung eingerichtet, wonach die Verarbeitung von 100 Silizium-Wafern folgte. Nach der Verarbeitung wurde die Anzahl der Wafer überprüft, deren hintere Oberfläche oder Rückfläche beschädigt war, und Risse in der Vertiefung nach der Verwendung wurden auch überprüft.
- Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 gezeigt. [Tabelle 1]
Probe Weite der Kornwachstumsoberfläche (mm) Ra der polierten Oberfläche (μm) Anzahl des Auftretens einer Beschädigung (Blatt) Risse in Vertiefung Beispiel 1 0,3 0,5 0 Keine Beispiel 2 0,05 0,5 0 Keine Beispiel 3 0,3 3 0 Keine Beispiel 4 0,05 3 0 Keine Vergleichsbeispiel 1 0,4 0,5 12 Keine Vergleichsbeispiel 2 0,4 3 42 Keine Vergleichsbeispiel 3 0,3 0,3 11 (verschmolzen) Keine Vergleichsbeispiel 4 0,05 0,3 16 (verschmolzen) Keine - Wie aus der Tabelle 1 auch offensichtlich ist, wo die Weite der Kornwachstumsoberfläche und Ra der polierten Oberfläche jeweils innerhalb der Bereiche der Erfindung sind, sind alle frei von einer Beschädigung des Wafers und von Rissen in der Vertiefung.
- Im Unterschied hierzu wurde im Vergleichsbeispiel 1, wo die Weite der Kornwachstumsoberfläche außerhalb des oberen Grenzwertes ist und wo Ra der polierten Oberfläche innerhalb der unteren Grenze ist, die Beschädigung von 12 Wafern gefunden und ein Riss in der Vertiefung wurde nicht gefunden.
- Im Vergleichsbeispiel 2, wo die Weite der Kornwachstumsoberfläche außerhalb der oberen Grenze ist und wo Ra der polierten Oberfläche innerhalb der oberen Grenze ist, wurde die Beschädigung von 42 Wafern gefunden und ein Riss in der Vertiefung wurde nicht gefunden.
- Im Vergleichsbeispiel 3, wo die Weite der Kornwachstumsoberfläche innerhalb der unteren Grenze ist und wo Ra der polierten Oberfläche außerhalb der unteren Grenze ist, wurde die Beschädigung an 11 Wafern gefunden, trat ein Verschmelzen zwischen dem Wafer und der Wafer-Anbringungsoberfläche auf und ein Riss in der Vertiefung wurde nicht gefunden.
- Im Vergleichsbeispiel 4, wo die Weite der Kornwachstumsoberfläche innerhalb der unteren Grenze ist und Ra der polierten Oberfläche außerhalb der unteren Grenze ist, wurde die Beschädigung von 16 Wafern gefunden, trat ein Verschmelzen zwischen dem Wafer und der Wafer-Anbringungsoberfläche bzw. der Waferauflagefläche auf und ein Riss in der Vertiefung wurde nicht gefunden.
- [Experiment 2]
- SiC wurde gemäß einem bekannten Verfahren auf einen isostatischen Kohlenstoff, der in eine Suszeptor-Form mit einer Vertiefung und einem planaren Außenumfangsabschnitt in einem Außenumfang der Vertiefung per Maschine hergestellt wurde, aufgetragen, wonach Schleifen und Polieren des planaren Außenumfangsabschnitts für ein verschiedenartiges Finish folgte. Wie in der Tabelle 2 gezeigt ist, wurden die Oberflächenrauigkeit des planaren Außenumfangsabschnitts und das Bereichsverhältnis des planaren Außenumfangsabschnitts zum Oberflächenbereich eines Basismaterials, ohne die Vertiefung, variiert, um die Beispiele 5 bis 9 und Vergleichsbeispiele 5 und 6 erzeugen zu können.
- Mit jedem der Suszeptoren gemäß den Beispielen 5 bis 9 und den Vergleichsbeispielen 5 und 6 wurden 100 Silizium-Wafer dem Epitaxiewachstumsprozess unterzogen, wonach ein Ermitteln der Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und der Verunreinigungskonzentration folgte. [Tabelle 2]
Probe Oberflächenrauigkeit des planaren Außenumfangsabschnitts Ra (μm) Bereichsverhältnis des planaren Außenumfangsabschnitts (%) Auftreten des Ungleichmäßigkeitsfehlers (Platte/100 Platten) Auftreten des Verunreinigungsfehlers (Platte/100 Platten) Beispiel 5 0,06 85 1 0 Beispiel 6 0,21 85 0 0 Beispiel 7 0,46 85 3 0 Beispiel 8 0,21 72 0 3 Beispiel 9 0,21 94 0 2 Vergleichsbeispiel 5 0,03 85 12 0 Vergleichsbeispiel 6 0,54 85 18 8 - Wie aus der Tabelle 2, den Beispielen 5 bis 9, offensichtlich ist, bei denen die Oberflächenrauigkeit Ra des planaren Außenumfangsabschnitts innerhalb des Bereichs der Erfindung ist, sind alle niedrig bzw. selten bezüglich des Auftretens des Ungleichmäßigkeitsfehlers und des Verunreinigungsfehlers. Im Unterschied hierzu sind die Vergleichsbeispiele 5 und 6, deren Oberflächenrauigkeit Ra außerhalb des Bereichs der Erfindung ist, alle häufig bezüglich des Auftretens des Gleichmäßigkeitsfehlers und das Vergleichsbeispiel 6 ist auch häufig bezüglich des Verunreinigungsfehlers.
Claims (4)
- Suszeptor (
1 ), von dem mindestens eine Oberfläche (2a ,3a ,3b ) mit SiC beschichtet ist und der eine Vertiefung (3 ) aufweist, wobei in der Vertiefung (3 ) ein runder Abschnitt (3c ) zwischen einem Wafer-Berührungsabschnitt (3a ), wo ein Wafer (W) angeordnet ist und in Berührung damit kommt, und einem vertikalen Außenumfangsabschnitt (3b ) ausgebildet ist, der vertikal von dem Wafer-Berührungsabschnitt (3a ) nach oben steht, und wobei ein ringförmiger SiC-Kornwachstumsoberflächenabschnitt (4a ) mit einer Oberflächenrauigkeit Ra in einem Bereich von 5 μm bis 10 μm ausgebildet ist, der innerhalb des runden Abschnitts (3c ) in einem Bereich von 0,05 mm oder mehr und 0,3 mm oder weniger, gemessen von dem vertikalen Außenumfangsabschnitt (3b ) der Vertiefung (3 ) aus, vorgesehen ist; und wobei der Wafer-Berührungsabschnitt (3a ), wo der Suszeptor (1 ) mit dem Wafer (W) in der Vertiefung (3 ) in Berührung kommt, eine polierte Oberfläche mit einer Oberflächenrauigkeit Ra in einem Bereich von 0,5 μm oder mehr und 3 μm oder weniger hat. - Suszeptor (
11 ) nach Anspruch 1, worin ein planarer Außenumfangsabschnitt (3d ), der sich an den Außenumfangsabschnitt der Vertiefung (3 ) anschließt und teilweise oder vollständig eine Oberfläche (2a ) des Suszeptors (11 ) ausbildet, eine polierte Oberfläche mit einer Oberflächenrauigkeit Ra in einem Bereich von 0,05 μm oder mehr und 0,5 μm oder weniger hat. - Suszeptor (
11 ) nach Anspruch 2, der fünf Vertiefungen (3 ) aufweist, worin der planare Außenumfangsabschnitt (3d ) 70% oder mehr der Oberfläche (2a ) des Suszeptors (1 ) ohne die Vertiefungen (3 ) besetzt. - Suszeptor (
11 ) nach Anspruch 2, der eine Vertiefung (3 ) aufweist, worin der planare Außenumfangsabschnitt (3d ) die Gesamtheit der Oberfläche des Suszeptors (1 ) mit der Ausnahme der Vertiefung (3 ) abdeckt.
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Families Citing this family (374)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7622803B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-11-24 | Cree, Inc. | Heat sink assembly and related methods for semiconductor vacuum processing systems |
JP5024382B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-09-12 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US20110114022A1 (en) * | 2007-12-12 | 2011-05-19 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with hub |
US8021487B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-09-20 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with hub |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20110049779A1 (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity |
JP5603219B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置 |
WO2012024061A2 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Applied Materials, Inc. | Extended life deposition ring |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
KR101879175B1 (ko) * | 2011-10-20 | 2018-08-20 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
USD743357S1 (en) * | 2013-03-01 | 2015-11-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US20150267295A1 (en) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Asm Ip Holding B.V. | Removable substrate tray and assembly and reactor including same |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9517539B2 (en) | 2014-08-28 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10053774B2 (en) | 2015-06-12 | 2018-08-21 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system for sublimation of pre-clean byproducts and method thereof |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
JP6564151B1 (ja) * | 2019-02-28 | 2019-08-21 | 株式会社アドマップ | SiC膜単体構造体 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
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USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
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USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
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USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
JP1711119S (ja) * | 2021-10-22 | 2022-03-29 | サセプタリング |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5610921A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Material for equipment for manufacturing semiconductor and its treating furnace |
JPH07335572A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5200157A (en) * | 1986-02-17 | 1993-04-06 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Susceptor for vapor-growth deposition |
US7255775B2 (en) * | 2002-06-28 | 2007-08-14 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Semiconductor wafer treatment member |
-
2005
- 2005-09-21 DE DE102005045081A patent/DE102005045081B4/de active Active
- 2005-09-22 US US11/231,938 patent/US7393418B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5610921A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Material for equipment for manufacturing semiconductor and its treating furnace |
JPH07335572A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 56-010 921 A Norm JIS B 0601-1994. Japanese Industrial Standard |
Norm JIS B 0601-1994. Japanese Industrial Standard & JP 56010921 A * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7393418B2 (en) | 2008-07-01 |
US20060065196A1 (en) | 2006-03-30 |
DE102005045081A1 (de) | 2006-04-20 |
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