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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, umfassend das Halten eines Wafers in einer Halteöffnung eines Trägers und das Bearbeiten der beiden Waferoberflächen, und insbesondere ein Verfahren zum Feststellen, dass der Wafer nicht normal in der Halteöffnung gehalten wird, um zu verhindern, dass der Wafer bricht.
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STAND DER TECHNIK
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In der Vergangenheit gehörte zu einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers, wie beispielsweise eines spiegelpolierten Siliziumwafers, im Allgemeinen ein Aufschneidevorgang zum Aufschneiden eines mit einer Einkristallherstellungsvorrichtung hergestellten Einkristallstabs, um einen Wafer in Form einer dünnen Scheibe zu erhalten, ein Anfasvorgang zum Anfasen eines äußeren Randabschnitts des mittels des Aufschneidevorgangs erhaltenen Wafers, um ein Brechen und einen Span im Wafer zu verhindern, ein Läppvorgang zum Läppen des angefasten Wafers, um den Wafer zu ebnen, ein Ätzvorgang zum Entfernen einer mechanischen, an der vorderen Fläche des angefasten und geläppten Wafers verbliebenen Beschädigung, ein Poliervorgang zum Polieren der vorderen Fläche des geätzten Wafers zu einer spiegelglatten Fläche und ein Reinigungsvorgang zum Reinigen des polierten Wafers.
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Darüber hinaus wird als Ebnungsvorgang zusätzlich zum Lappen auch eine Technik verwendet, die als Doppelkopfschleifen bezeichnet wird, bei der beide Seiten gleichzeitig mittels eines Schleifsteins geschliffen werden. Außerdem gibt es als Poliervorgang das doppelseitige Polieren, bei dem beide Seiten gleichzeitig poliert werden, und das einseitige Polieren, bei dem eine Seite poliert wird.
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Im Übrigen besteht eine Aufgabe des Läppvorgangs zum Beispiel darin, den durch Aufschneiden erhaltenen Wafer mit einer vorbestimmten Dicke vorzusehen und die erforderliche Formgenauigkeit, wie beispielsweise die Ebenheit und Parallelität, zu erreichen. Im Allgemeinen ist bekannt, dass der einer Läppbearbeitung unterworfene Wafer die höchste Formgenauigkeit aufweist, und es wird davon ausgegangen, dass diese Formgenauigkeit die endgültige Form des Wafers bestimmt; daher ist die Formgenauigkeit beim Läppvorgang sehr wichtig.
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Darüber hinaus ist für die Läpptechnik eine Läppvorrichtung bekannt, mit der das Läppen dadurch ausgeführt wird, dass den Drehtischen und den Wafern eine Relativbewegung durch Kombinieren von drei Bewegungsarten verliehen wird: der Drehbewegung der konzentrischen Drehtische, der Orbitalbewegung eines kreisförmigen Waferhalteträgers in Bezug auf einen Hauptkörper der Vorrichtung und der Drehbewegung des runden Waferhalteträgers (siehe beispielsweise Patentdokument 1). Diese Läppvorrichtung ist zum Beispiel wie in 5(A) und (B) gezeigt aufgebaut.
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Wie in 5(A) und (B) gezeigt ist, besitzt eine Läppvorrichtung 101 einen oberen Drehtisch 103 und einen unteren Drehtisch 104, die derart vorgesehen sind, dass sie einander in vertikaler Richtung zugewandt sind. Dieser obere und untere Drehtisch 103 und 104 werden durch eine nicht veranschaulichte Antriebseinheit in entgegengesetzten Richtungen gedreht. Der untere Drehtisch 104 weist in der Mitte auf seiner oberen Fläche ein Sonnenrad 110 auf und an seinem Rand ist ein ringförmiges Innenzahnrad 109 vorgesehen.
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Weiterhin ist am äußeren Umfang jedes Waferhalteträgers 102 ein Zahnradabschnitt 111 ausgebildet, der mit dem Sonnenrad 110 und dem Innenzahnrad 109 in Eingriff steht, und insgesamt ist ein Zahnradaufbau ausgebildet. Bei den Waferhalteträgern 102 ist eine Mehrzahl von Halteöffnungen 107 vorgesehen. Die zu läppenden Wafer W werden in die Halteöffnungen 107 eingeführt und gehalten.
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Die die Wafer haltenden Träger 102 sind zwischen den oberen und unteren Drehtisch 103 und 104 eingefügt und führen eine Planetenradbewegung aus, d. h. führen eine Rotation und Drehung zwischen dem oberen und unteren Drehtisch 103 und 104 aus, die sich drehen, während sie einander zugewandt sind. Um das Läppen durchzuführen, wird eine trübe Lösung, enthaltend Polierschleifkörner, wie beispielsweise Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumkarbid (SiC), und eine Flüssigkeit, wie beispielsweise Wasser, enthaltend ein Tensid, wobei die trübe Lösung als Aufschlämmung bezeichnet wird, über einen Gießer durch eine im oberen Drehtisch 103 vorgesehene Durchgangsöffnung 112 in einen Raum zwischen dem oberen und unteren Drehtisch 103 und 104 gegossen, um die Schleifkörner zwischen den Wafern W und dem oberen und unteren Drehtisch 103 und 104 zu bringen, und die Formen des oberen und unteren Drehtischs 103 und 104 werden auf die Wafer W übertagen. Da der obere und untere Drehtisch und die Träger sich mit der Verwendung verschleißen, ist es notwendig, den oberen und unteren Drehtisch und die Träger durch neue zu ersetzen, nachdem sie für einen bestimmten Zeitraum verwendet wurden.
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Zum Beenden der Bearbeitung, wenn die Dicke der Wafer die Zieldicke erreicht hat, wird außerdem die Bearbeitung unter Messen der Dicke der Wafer durchgeführt. Als Verfahren zum Durchführen der Bearbeitung unter Messen der Waferdicke ist zum Beispiel das Kristallgrößenbestimmungsverfahren bekannt (siehe das Patentdokument 2).
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Das Kristallgrößenbestimmungsverfahren verwendet eine piezoelektrische Wirkung, die erzeugt wird, wenn ein in einer Halteöffnung eines Trägers gehaltener Kristall mit Wafern bearbeitet wird, und dabei handelt es sich um ein Verfahren, mit dem die Dicke der Wafer indirekt durch Messen der Dicke des Kristalls unter Anwendung der Tatsache verwendet wird, dass die Frequenz hoch wird, wenn der Kristall dünner wird.
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ENTGEGENHALTUNGSLISTE PATENTLITERATUR
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- Patentdokument 1: japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. H10-180624
- Patentdokument 2: japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. H11-285969
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG TECHNISCHES PROBLEM
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Die Wafer W und ein Kristall werden von einer Bedienperson oder einem Roboterarm in die Halteöffnungen des Trägers eingeführt. Dabei passt ein Wafer manchmal nicht genau in die Halteöffnung der Trägers hinein oder steht aufgrund der Drehung der Drehtische über die Halteöffnung hervor, was dazu führt, dass sich der Wafer nicht an der richtigen Stelle befindet (nachfolgend als Fehlschlagen beim Halten bezeichnet). Die Bedienpersonen müssen demgemäß den Wafer und den Kristall durch Berühren untersuchen, nachdem der Wafer und der Kristall in die Halteöffnungen des Trägers eingesetzt wurden. Eine solche direkte Untersuchung durch die Berührung der Bedienperson kostet Zeit und ist nicht effizient. Außerdem können Bedienpersonen ein Fehlschlagen beim Halten übersehen und mit der Bearbeitung anfangen, was zu einem Brechen des Wafers und des Kristalls führt. Ein solches Problem könnte nicht nur bei dem zuvor beschriebenen Lappen auftreten, sondern auch beim doppelseitigen Polieren, bei dem beide Flächen des Wafers gleichzeitig poliert werden.
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Die vorliegende Erfindung erfolgte im Hinblick auf die zuvor beschriebenen Probleme, und ihre Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers zur Verfügung zu stellen, mit dem automatisch präzise festgestellt werden kann, ob der Wafer aufgrund des Fehlschlagens beim Halten nicht normal gehalten wird, bevor mit der Bearbeitung begonnen wird, um zu verhindern, dass der Wafer bricht, und um zum Verbessern der Betriebseffizienz die Notwendigkeit einer Untersuchung durch die Bedienperson mittels Berührung überflüssig zu machen, wenn der Wafer in eine Halteöffnung eines Trägers zum Halten des Wafers eingesetzt wird, sowie zum Einfügen des den Wafer haltenden Trägers zwischen einen oberen Drehtisch und einen unteren Drehtisch, um beide Flächen des Wafers gleichzeitig zu bearbeiten.
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LÖSUNG DES PROBLEMS
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Um die zuvor beschriebene Aufgabe zu erzielen, sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, bei dem der Wafer in eine Halteöffnung eines Trägers zum Halten des Wafers eingesetzt wird, und zum Einfügen des den Wafer haltenden Trägers zwischen einen oberen Drehtisch und einen unteren Drehtisch vor, um beide Flächen des Wafers gleichzeitig zu bearbeiten, umfassend die folgenden Schritte: Feststellen einer Höhenposition des oberen Drehtischs durch einen Laserverlagerungssensor vor dem Bearbeiten des Wafers, während der den Wafer haltende Träger zwischen den oberen Drehtisch und den unteren Drehtisch eingefügt wird; und Ermitteln, dass der Wafer nicht normal gehalten wird, um das Halten des Wafers noch einmal durchzuführen, wenn zwischen der festgestellten Höhenposition und einer Bezugsposition einen Grenzwert überschritten wird.
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Ein solches Verfahren kann die Notwendigkeit einer Untersuchung durch die Bedienperson mittels Berühren überflüssig machen und automatisch ein Fehlschlagen beim Halten präzise feststellen, so dass der Wafer wirksam bearbeitet wird, während verhindert wird, dass der Wafer bricht.
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Die Bezugsposition ist vorzugsweise eine Höhenposition des oberen Drehtischs, die vor dem Feststellschritt mittels des Laserverlagerungssensors festgestellt wird, während der Träger, der keinen Wafer hält, zwischen den oberen Drehtisch und den unteren Drehtisch eingefügt wird.
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Auf diese Weise kann ein Fehlschlagen beim Halten präzise ermittelt werden, ohne durch durch wiederholtes Bearbeiten von Wafern hervorgerufene Variationen im Hinblick auf die Dicke der Drehtische und des Trägers beeinflusst zu werden.
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Das Verfahren kann das Halten eines Kristalls zum Messen der Waferdicke in einer in dem Träger vorgesehenen Halteöffnung separat von der Halteöffnung zum Halten des Wafers umfassen, um zu ermitteln, ob der Kristall nicht normal gehalten wird, und zwar zusammen mit dem Ermitteln, dass der Wafer nicht normal gehalten wird.
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Mit einem solchen Verfahren kann auch automatisch ein Fehlschlagen beim Halten des Kristalls ermittelt werden, indem die Dicke des zu bearbeitenden Wafers gemessen wird.
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Der Laserverlagerungssensor ist vorzugsweise ein CCD-Lasermikrometer.
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Das CCD-Lasermikrometer kann die Höhenposition des oberen Drehtischs genauer feststellen, wodurch es möglich wird, das Fehlschlagen beim Halten präziser zu ermitteln.
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VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
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Das Verfahren der vorliegenden Erfindung beinhaltet das Feststellen der Höhenposition eines oberen Drehtischs mittels eines Laserverlagerungssensors, während ein einen Wafer haltender Träger zwischen dem oberen Drehtisch und einem unteren Drehtisch eingefügt wird, und das Ermitteln, dass der Wafer nicht normal gehalten wird, um das Halten des Wafers noch einmal durchzuführen, wenn der Unterschied zwischen der erfassten Höhenposition und einer Bezugsposition einen Grenzwert übersteigt, bevor der den Wafer haltende Träger zwischen den oberen Drehtisch und den unteren Drehtisch eingefügt wird, um beide Waferflächen gleichzeitig zu bearbeiten. Das Verfahren kann daher die Notwendigkeit einer Untersuchung durch die Bedienperson mittels Berühren überflüssig machen und automatisch das Fehlschlagen eines Haltens präzise feststellen, wodurch der Wafer wirksam bearbeitet wird, während verhindert wird, dass der Wafer bricht.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1A ist eine schematische Ansicht eines Beispiels für eine Läppvorrichtung, die bei einem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
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1B ist eine schematische Ansicht von oben auf die Vorrichtung in 1A;
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2 ist eine schematische Ansicht, die veranschaulicht, wie ein Fehlschlagen beim Halten in einem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks der vorliegenden Erfindung festgestellt wird;
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3A ist eine schematische Ansicht eines beispielhaften Verfahrens zum Anbringen eines Laserverlagerungssensors, der bei einem Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
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3B ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs in der Nähe der Laserverlagerungsmesseinrichtung in 3A;
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4 ist eine Darstellung der Ergebnisse des Beispiels;
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5A ist eine schematische Ansicht einer herkömmlichen Läppvorrichtung; und
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5B ist eine schematische Ansicht von oben auf die Vorrichtung der 5A.
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BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei allerdings die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt ist.
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Bei einem Verfahren, wie beispielsweise einem Lappen oder einem doppelseitigen Polieren, bei dem ein einen Wafer haltender Träger zwischen einen oberen und einen unteren Drehtisch eingefügt ist und beide Waferflächen gleichzeitig bearbeitet werden, kann es vorkommen, dass der Wafer nicht in geeigneter Weise in einer Halteöffnung des Trägers gehalten wird, d. h. es kann ein Fehlschlagen beim Halten auftreten. Herkömmlicherweise müssen demgemäß Bedienpersonen durch Berührung eine Untersuchung durchführen, nachdem der Wafer und falls notwendig ein Kristall in die entsprechenden Halteöffnungen des Trägers eingesetzt wurden.
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Der vorliegende Erfinder hat überlegt, wie das Fehlschlagen beim Halten ohne die Untersuchung durch die Bedienperson mittels Berührung automatisch festgestellt werden kann, und hat herausgefunden, dass das Fehlschlagen beim Halten die Höhenposition des oberen Drehtischs von einer passenden Position abweichen lässt, wenn die Träger zwischen den oberen und den unteren Drehtisch eingefügt werden, und präzise festgestellt werden kann, indem das Abweichen der Höhenposition des oberen Drehtischs mittels eines Laserverlagerungssensors ermittelt wird. Der vorliegende Erfinder hat dadurch die vorliegende Erfindung zum Abschluss gebracht.
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Die vorliegende Erfindung ist auf ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers gerichtet, mit dem der Wafer in eine Halteöffnung eines Trägers eingesetzt wird, der den Wafer haltende Träger zwischen einen oberen und einen unteren Drehtisch eingefügt wird und beide Waferflächen gleichzeitig bearbeitet werden, und kann zum Beispiel für ein doppelseitiges Läppen und doppelseitiges Polieren verwendet werden.
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Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers durch doppelseitiges Läppen wird nun beispielhaft beschrieben.
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1A und 1B sind schematische Ansichten eines Beispiels für eine Läppvorrichtung, die bei einem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann. Wie in 1A gezeigt ist, hat eine Läppvorrichtung 1 einen oberen Drehtisch 3 und einen unteren Drehtisch 4, die so angeordnet sind, dass sie einander in vertikaler Richtung zugewandt sind. Der obere Drehtisch 3 bleibt in der Ruhestellung, und der untere Drehtisch 4 wird von einer Antriebseinheit 6 gedreht.
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Wie in 1B gezeigt ist, hat der untere Drehtisch 4 ein Sonnenrad 10 in der Mitte seiner oberen Fläche und ist an seinem Rand ein ringförmiges Innenzahnrad 9 vorgesehen. Das Sonnenrad 10 und das Innenzahnrad 9 stehen mit einem Zahnrad 11 in Eingriff, das auf der äußeren Umfangsfläche jedes die Wafer W haltenden Trägers 2 ausgebildet ist, und diese Zahnräder stellen insgesamt einen Zahnradaufbau dar.
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Im Träger 2 ist eine Mehrzahl von Halteöffnungen 7 vorgesehen. Zu läppende Wafer W werden in den jeweiligen Halteöffnungen 7 angeordnet und gehalten.
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Jeder der die Wafer W haltenden Träger 2 wird zwischen den oberen und unteren Drehtisch 3 und 4 eingefügt und zwischen dem sich drehenden, unteren Drehtisch 4 und dem in Ruhestellung verbleibenden, oberen Drehtisch 3 um seine Achse und um die Drehachse des unteren Drehtischs gedreht (d. h. eine Planetenradbewegung). Obwohl die in 1A gezeigte Läppvorrichtung vom Dreiwegtyp ist, in der sich jeweils der untere Drehtisch 4, das Sonnenrad 10 und das Innenzahnrad 9 drehen, kann die Erfindung auch eine Läppvorrichtung vom Vierwegtyp verwenden, bei der sich jeweils der obere Drehtisch 3, der untere Drehtisch 4, das Sonnenrad 10 und das Innenzahnrad 9 drehen.
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Bevor die Wafer W mit einer solchen Läppvorrichtung geläppt werden, werden die Wafer W in die Halteöffnungen 7 jedes der Träger 2 eingesetzt und gehalten. Dabei kann auch ein Kristall zum Messen der Dicke der Wafer W in eine Halteöffnung eingesetzt und gehalten werden, die in jedem der Träger separat von den Halteöffnungen 7 zum Halten der Wafer vorgesehen ist. Wie in 1B gezeigt ist, wird der Kristall 8 in der Halteöffnung gehalten, die in der Mitte jedes Trägers angeordnet ist, und sind um die mittige Halteöffnung die Halteöffnungen 7 angeordnet, in denen zum Beispiel die Wafer W gehalten werden. Die Wafer und die Kristalle werden durch eine Bedienperson oder einen Roboterarm in die Halteöffnungen eingesetzt.
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Wie in 1A gezeigt ist, wird jeder der Träger, der die Wafer so hält, zwischen den oberen und unteren Drehtisch 3 und 4 eingefügt. In diesem Zustand wird die Höhenposition des oberen Drehtischs 3 mittels eines Laserverlagerungssensor 5 festgestellt. Der Unterschied zwischen der festgestellten Höhenposition und einer Bezugsposition (eine geeignete Position) wird berechnet. Hier wird eine Mehrzahl von Höhenpositionen vorzugsweise an mehreren Messpunkten mittels einer Mehrzahl von Laserverlagerungssensoren festgestellt, wobei die Zahl der Laserverlagerungsmesseinrichtungen nicht besonders beschränkt ist. Wie in 1A gezeigt ist, können die Laserverlagerungssensoren auf den jeweiligen Wellen angeordnet werden, die so aufgebaut sind, dass sie beispielsweise zusammen mit einer Auf- und Abbewegung des oberen Drehtischs bewegt werden. Alternativ können so viele Laserverlagerungssensoren wie Träger verwendet werden, um die Höhenpositionen des oberen Drehtischs oberhalb der entsprechenden Träger zu messen, wodurch ein Fehlschlagen beim Halten mit größerer Sicherheit festgestellt wird.
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Die Laserverlagerungssensoren werden daher verwendet, um die Höhenpositionen an den mehreren Messpunkten festzustellen, und es werden die Unterschiede zwischen den jeweiligen Höhenpositionen und einem vorbestimmten Bezugsposition berechnet. Die vorbestimmte Bezugsposition ist vorzugsweise eine Höhenposition, bei der ein Fehlschlagen beim Halten nicht auftritt, d. h. in einem normalen Zustand. Auf diese Weise kann das Fehlschlagen beim Halten sicherer festgestellt werden, und zwar ungeachtet einer Stelle, bei der das Fehlschlagen beim Halten aufgetreten ist, selbst wenn das Fehlschlagen beim Halten an mehreren Stellen aufgetreten ist.
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Alternativ kann die Bezugsposition auf eine jede der festgestellten Höhenpositionen eingestellt werden, um die Unterschiede zu berechnen. Die vorliegende Erfindung umfasst natürlich auch das Berechnen eines Unterschieds zwischen einer einzelnen Höhenposition des oberen Drehtischs, die bei einem einzelnen Messpunkt gemessen wird, und der Bezugsposition.
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Darüber hinaus macht die Verwendung des Laserverlagerungssensors die Höhenposition des oberen Drehtischs mit hoher Präzision möglich.
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Wie in 2 gezeigt ist, weicht beim Auftreten eines Fehlschlagens beim Halten eines Wafers oder eines Kristalls in der Halteöffnung die Höhenposition des oberen Drehtischs von einer geeigneten Position, d. h. der Bezugsposition, in einem Bereich ab, der dem Fehlschlagen entspricht (,A' in 2). Das Fehlschlagen kann demgemäß durch Bewerten des Unterschieds zwischen diesen Positionen festgestellt werden. Insbesondere wird ein Grenzwert im Hinblick auf den Unterschied zwischen der festgestellten Höhenposition und der Bezugsposition bereitgestellt, und es wird ermittelt, dass der/die Wafer nicht normal gehalten wird/werden, um das Halten noch einmal durchzuführen, wenn der Unterschied den Grenzwert überschreitet. Es wird ermittelt, dass der/die Wafer normal gehalten wird/werden, wenn der Unterschied den Grenzwert bei allen Messpunkten nicht überschreitet.
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Das Läppen beginnt nach dem Beseitigen des Fehlschlagens beim Halten des Wafers. Insbesondere wird eine trübe Lösung (die als Aufschlämmung bezeichnet wird) von polierenden Schleifkörnern, wie beispielsweise Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumkarbid (SiC), und einer Flüssigkeit, wie beispielsweise Wasser, das ein Tensid enthält, aus einem Ausguss durch eine im oberen Drehtisch 3 vorgesehene Durchgangsöffnung in einen Raum zwischen dem oberen und unteren Drehtisch 3 und 4 zugeführt, um die Schleifkörner zwischen den Wafern W und den oberen und unteren Drehtisch 3 und 4 zu bringen, und es werden beide Oberflächen der Wafer W geläppt.
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Ein solches Verfahren kann das Fehlschlagen beim Halten des Wafers und des Kristalls ohne die Untersuchung durch die Bedienperson mittels Berühren präzise feststellen und ohne Weiteres automatisiert werden, indem eine Steuerung verwendet wird, die automatisch eine Steuerung durchführt, um den Unterschied zwischen der festgestellten Höhenposition und der Bezugsposition zu bewerten und um das Bearbeiten des Wafers anzuhalten, wenn ein Fehlschlagen beim Halten festgestellt wird. Das Verfahren kann daher den Wafer bearbeiten, während verhindert wird, dass der Wafer und der Kristall im Falle seiner Verwendung brechen.
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Dabei ist die Bezugsposition vorzugsweise eine Höhenposition des oberen Drehtischs, die vor dem obigen Feststellen der Höhenposition des oberen Drehtischs durch den Laserverlagerungssensor festgestellt wird, während der Träger, der keinen Wafer hält, zwischen den oberen Drehtisch und den unteren Drehtisch eingefügt wird.
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Da die Bearbeitung der Wafer wiederholt wird, verändert sich die Dicke der Drehtische, der Träger, der Polierkissen einer Poliervorrichtung usw. im Laufe der Zeit. Weiterhin kann das Reinigen oder Warten einer Vorrichtung die Position der Drehtische leicht verändern. Diese Änderungen können die Bezugsposition, die als geeignete Position eingestellt wurde, von der geeigneten Position abweichen lassen. Das erneute Einstellen der Bezugsposition auf eine geeignete Position vor jeder Bearbeitung von Wafern auf die obige Weise macht es in vorteilhafter Weise möglich, dass ein Fehlschlagen beim Halten sicher mit hoher Präzision festgestellt werden kann.
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Alternativ kann die Bezugsposition, die in der nächsten Bearbeitung verwendet wird, auf eine Höhenposition des oberen Drehtischs eingestellt werden, wenn ermittelt wird, dass der Wafer bei der gegenwärtigen Bearbeitung normal gehalten wird, um die Einstellzeit der Bezugsposition zu verkürzen, anstatt die Bezugsposition durch Feststellen der Höhenposition des oberen Drehtischs jedes Mal vor dem Feststellen der Höhenposition des oberen Drehtischs auf die obige Weise neu einzustellen.
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Der Laserverlagerungssensor 5 ist vorzugsweise ein digitales CCD-Lasermikrometer vom Transmissionstyp, wie in 3A und 3B gezeigt ist. Wie in 3B veranschaulicht ist, ist ein Sensoransatz 13 in einer Welle 12 angeordnet, die sich nach oben und unten in einer Auf- und Abbewegung des oberen Drehtischs 3 bewegt, und der Sensoransatz 13 ist so positioniert, dass er einen Laser blockiert, wenn die die Wafer haltenden Träger zwischen den oberen und unteren Drehtisch eingefügt werden.
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Dadurch ist es möglich, die Höhenposition des oberen Drehtischs und daher das Fehlschlagen beim Halten mit hoher Präzision festzustellen. Darüber hinaus kann das Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers der vorliegenden Erfindung ohne weiteres sowohl für eine Läppvorrichtung als auch für eine doppelseitige Poliervorrichtung verwendet werden, und zwar ungeachtet der Art und des Aufbaus der Vorrichtung.
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Weiterhin kann der Unterschied zwischen der Höhenposition des oberen Drehtischs und der Bezugsposition nicht nur vor sondern auch während des Bearbeitens von Wafern bewertet werden, um eine Abnormalität, wie beispielsweise das Hinausragen der Wafer und eines Kristall bei dessen Verwendung über die Halteöffnungen, festzustellen.
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BEISPIELE
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Nachstehend wird die vorliegende Erfindung näher anhand eines Beispiels und eines Vergleichsbeispiels der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei aber die vorliegende Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt ist.
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(Beispiel)
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Gemäß dem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers der vorliegenden Erfindung wurden Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 300 mm mit der in 1A und 1B gezeigten Läppvorrichtung geläppt, um zu beurteilen, wie präzise ein Fehlschlagen beim Halten festgestellt wird. Dabei wurden zwei digitale CCD-Lasersensoren vom Transmissionstyp (IG028 hergestellt von KEYENCE Corporation) als Laserverlagerungssensoren verwendet. Wie in 3 gezeigt ist, wurden die zwei Sensoren auf den jeweiligen Wellen vorgesehen, die auf gegenüberliegenden Seiten im Hinblick auf eine mittlere Welle angeordnet waren. Durch wiederholte Überprüfungen der Genauigkeit der Sensoren wurde zeigt, dass die Sensoren eine durchschnittliche Genauigkeit von 0,01 μm mit einem maximalen/minimalen Unterschied von 0,06 μm aufweisen.
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Wenn die Träger keinen Wafer hielten und zwischen den oberen und unteren Drehtisch eingefügt waren, wurde die Höhenposition des oberen Drehtischs unter Verwendung der Laserverlagerungssensoren festgestellt, und die Bezugsposition wurde auf die festgestellte Höhenposition eingestellt. Ein Kristall zum Messen der Waferdicke wurde dann in die Halteöffnung eingesetzt, die in der Mitte von jedem der in 1B gezeigten Träger angeordnet ist, und vier Siliziumwafer wurden in die Halteöffnungen um die in der Mitte von jedem der Träger angeordnete Halteöffnung herum eingesetzt.
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Die Höhenpositionen des oberen Drehtischs wurden dann durch die Laserverlagerungssensoren in einem Zustand festgestellt, in dem die die Wafer haltenden Träger zwischen den oberen und unteren Drehtisch eingefügt wurden, und es wurden die Unterschiede zwischen den jeweiligen erfassten Höhenpositionen und der Bezugsposition berechnet. Es wurde ermittelt, dass die Wafer nicht normal gehalten wurden, wenn bei mindestens einem der Unterschiede ein Grenzwert von 0,15 mm überschritten wurde. Mit dem Läppen der Wafer wurde nach dem Ausschließen des Fehlschlagens beim Halten begonnen.
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Die durch Wiederholen des obigen Läppens erhaltenen Ergebnisse sind in 4 angegeben. Wie in 4 gezeigt ist, trat das Fehlschlagen beim Halten tatsächlich zweimal auf, und beide Male wurde das Fehlschlagen festgestellt. In allen Läppbearbeitungen außer in diesen zwei Fällen wurde ermittelt, dass die Wafer normal gehalten wurden und ein Brechen des Wafers nicht auftrat. Die Genauigkeit des Feststellens des Fehlschlagens beim Halten betrug 100%.
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Es wurde demgemäß bestätigt, dass mit dem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers der vorliegenden Erfindung vor dem Bearbeiten automatisch präzise festgestellt werden kann, ob der Wafer aufgrund eines Fehlschlagens beim Halten nicht normal gehalten wird, um zu verhindern, dass der Wafer bricht, und um die Notwendigkeit einer Untersuchung mittels Berühren durch die Bedienperson auszuschließen, um die Betriebseffizienz zu verbessern.
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(Vergleichsbeispiel)
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Es wurden Siliziumwafer unter denselben Bedingungen wie im Beispiel geläppt, mit der Ausnahme, dass ein Fehlschlagen beim Halten durch eine Bedienperson festgestellt wurde.
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Während des Läppens wurde das Fehlschlagen beim Halten übersehen und der Wafer brach.
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Es ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehende Ausführungsform beschränkt ist. Die Ausführungsform dient nur zur Erläuterung, und alle Beispiele, die weitgehend dieselben Merkmale aufweisen und dieselben Funktonen und Wirkungen wie die im technischen Konzept zeigen, die in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschrieben sind, sind vom technischen Umfang der vorliegenden Erfindung umfasst.
