JP5407693B2 - ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板 - Google Patents

ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板 Download PDF

Info

Publication number
JP5407693B2
JP5407693B2 JP2009215801A JP2009215801A JP5407693B2 JP 5407693 B2 JP5407693 B2 JP 5407693B2 JP 2009215801 A JP2009215801 A JP 2009215801A JP 2009215801 A JP2009215801 A JP 2009215801A JP 5407693 B2 JP5407693 B2 JP 5407693B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
glass substrate
motor
amount
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009215801A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011062776A (ja
Inventor
宏 木村
訓仁展 池田
龍 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2009215801A priority Critical patent/JP5407693B2/ja
Priority to US12/883,519 priority patent/US8267741B2/en
Priority to SG201006776-7A priority patent/SG169958A1/en
Priority to CN201010287381.8A priority patent/CN102019579B/zh
Publication of JP2011062776A publication Critical patent/JP2011062776A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5407693B2 publication Critical patent/JP5407693B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73911Inorganic substrates
    • G11B5/73921Glass or ceramic substrates
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Description

本発明は、ガラス基板の研磨加工を精度高く制御する技術に関する。
ガラス基板の研磨加工を行う際、研磨加工中の研磨装置や被研磨体の状態を的確に捉え、得られた情報に基づきガラス基板の研磨加工を制御して、精度高く研磨加工を行うことが、従来から検討されている。
その中でも、ガラス基板の研磨量を精度高く制御しながら研磨する方法は、ガラス基板製品に求められる、重要な品質特性である板厚に大きく影響を及ぼすことから、さまざまな方法が検討されている。
例えば、磁気記録媒体用ガラス基板においては、近年の高記録密度化に伴い、磁気記録媒体に使用するガラス基板の加工精度に対する要求が高くなってきており、ガラス基板の板厚の寸法バラツキが小さいガラス基板が求められている。
ガラス基板の研磨量を制御する従来方法として、
(1)ロット毎に、事前に研磨加工を行ったときの研磨速度を用いて本研磨の研磨速度を算出し、研磨前ガラス基板の板厚を質量法もしくはマイクロメーター法により測定して必要な研磨量を決定し、本研磨の研磨速度と必要な研磨量から研磨時間を求め、ロット毎に研磨時間を決定して研磨する方法、
(2)研磨装置の上定盤を支持する上定盤支軸の上下動を、渦電流センサを用いて測定し、磁気ディスク用基板の研磨量を制御する方法や、マグネスケールを用いてスライダに対する上定盤の支軸の相対的な上下位置を特定して磁気ディスク用基板の板厚を制御する方法(例えば、特許文献1参照)、
(3)研磨加工中に、研磨量測定用のガラス基板を抜き取って、研磨前ガラス基板に対する質量減少量を測定して研磨量を管理する方法(例えば、特許文献2参照)、
が知られている。
特開2004−345018号公報 特開2008−825号公報
しかしながら、上記の従来方法(1)では、経験的に求めた研磨速度の算出式を用いて本研磨の研磨速度を算出するため、本研磨の研磨速度が経験的予測から外れてしまった場合、研磨量が多くなりすぎてガラス基板厚みが薄くなりすぎてしまいガラス基板を破棄する、若しくは研磨量が少なく目標とする所定の寸法範囲内にまでガラス基板を研磨できていないガラス基板を再度研磨する、などの問題がある。その結果、ガラス基板の板厚の寸法バラツキが大きくなってしまう。
また、上記の従来方法(2)では、研磨装置に板厚測定機構を取り付ける手間やコストがかかり、また装置の振動や加工よる装置部材温度上昇の影響やセンサ検出箇所の汚染により、十分に精度高く板厚を制御できない問題がある。
また、上記の従来方法(3)では、研磨加工中の研磨装置を一旦停止して、研磨量測定用のガラス基板を抜き取り洗浄と乾燥を行い質量測定するため、ガラス基板の板厚の寸法バラツキが大きくなり、生産性も低下してしまう。
そこで、本発明は、ガラス基板の研磨加工の精度を向上させることができる、ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びに、適用製品の品質特性と品質の安定性を向上させることができるガラス基板の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の製造方法は、
研磨装置に設けられたモーターの駆動によってガラス基板を研磨する研磨工程を含むガラス基板の製造方法であって、
前記モーターの駆動に必要な電力または電力量に基づいて、前記研磨工程で行われる前記ガラス基板の研磨を制御する制御動作を行うことを特徴とするものである。
また、上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の研磨方法は、
研磨装置に設けられたモーターの駆動によってガラス基板を研磨する、ガラス基板の研磨方法であって、
前記モーターの駆動に必要な電力または電力量に基づいて、前記ガラス基板の研磨量を調整することを特徴とするものである。
また、上記目的を達成するため、本発明に係る研磨装置は、
モーターと、
前記モーターを制御する制御部とを備え、
前記制御部が、前記モーターの駆動を制御することによってガラス基板を研磨する研磨装置であって、
前記制御部が、前記モーターの駆動に必要な電力または電力量に基づいて、前記ガラス基板の研磨を制御する制御動作を行うことを特徴とするものである。
本発明のガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置によれば、ガラス基板の研磨加工の精度を向上させることができる。また、本発明のガラス基板によれば、適用製品の品質特性と品質の安定性を向上させることができる。
本発明の一実施形態である両面研磨装置10の縦断面図である。 本発明の一実施形態である両面研磨装置11の縦断面図である。 上定盤を上昇させた状態を模式的に示す縦断面図である。 上定盤を降下させた状態を模式的に示す縦断面図である。 下定盤に載置されたキャリヤの取付状態を示す平面図である。 図3中A−A線に沿う断面を模式的に拡大して示す縦断面図である。 基台20に収容された駆動部の一部分を断面で示した、駆動部の構成図である。 制御部により制御される各機器を示す制御系のブロック図である。 4つの駆動モーターの平均電力とガラス基板1枚あたりの研磨速度に1ロットで加工したガラス基板枚数を積した値との関係である。 2つの駆動モーターの平均電力とガラス基板1枚あたりの研磨速度に1ロットで加工したガラス基板枚数を積した値との関係である。 1つの駆動モーター(下定盤)の平均電力とガラス基板1枚あたりの研磨速度に1ロットで加工したガラス基板枚数を積した値との関係である。 1つの駆動モーター(上定盤)の平均電力とガラス基板1枚あたりの研磨速度に1ロットで加工したガラス基板枚数を積した値との関係である。 制御部90が実行する研磨工程の制御処理及び作業者が行なう作業の手順を説明するためのフローチャートである。 図8Aの制御処理に続いて実行される制御処理及び作業者が行なう作業の手順を説明するためのフローチャートである。 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートの第1例である。 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートの第2例である。 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートの第3例である。 1次研磨終了後のガラス基板の板厚測定結果である。 1次研磨終了後のガラス基板の板厚測定結果である。 3次研磨終了後のガラス基板の板厚測定結果である。
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下に記載される実施形態に限られない。
図1Aは、本発明の一実施形態である両面研磨装置10の縦断面図である。図1Aに示されるように、両面研磨装置10は、複数のガラス基板の上面及び下面を同時に研磨するように構成されており、基台20と、下定盤30と、上定盤40と、昇降機構50と、回転伝達機構60とを有する。基台20の上部には、下定盤30が回転可能に支持されており、基台20の内部には、後述する駆動部としての上定盤40等を回転駆動する駆動モーターが取り付けられている。
下定盤30は、後述するようにキャリヤに保持された複数のガラス基板の下面を研磨する下側研磨パッドを有する。また、上定盤40は、下定盤30の上方に対向配置され複数のガラス基板の上面を研磨する上側研磨パッドを有する。
昇降機構50は、基台20の上方に起立する門型のフレーム70により支持されており、キャリヤ交換時に上定盤40を昇降させる昇降用シリンダ装置52を有する。昇降用シリンダ装置52は、フレーム70の梁72の中央に垂下方向に伸縮動作するように取り付けられている。昇降用シリンダ装置52のピストンロッド54は、下方に延在しており、その先端部には軸受56の内周側に嵌合する軸部材58が結合されている。軸受56は、上定盤40を回転可能に支持する。また、軸部材58の下部には、ロータリジョイントが設けられている。
また、軸受56の外周側に嵌合する吊下部材80は、上定盤40を吊下するように取り付けられている。従って、昇降用シリンダ装置52のピストンロッド54が上方向または下方向に駆動されると、ピストンロッド54と吊下部材80を介して連結された上定盤40も同時に駆動されて上昇または降下する。
さらに、フレーム70の梁72には、ドレス用位置決めストッパ機構320が昇降用シリンダ装置52の両側に設けられている。このドレス用位置決めストッパ機構320は、後述する研磨パッドの表面を整えるドレス処理を行なう際にドレスキャリヤの厚さ分(例えば、20mm程度)上定盤40を上昇させた位置に位置決めする。ドレス用位置決めストッパ機構320は、水平方向に取り付けられた水平駆動用シリンダ装置322と、水平駆動用シリンダ装置322のピストンロッドの先端に支持されたストッパ板324とを有する。ストッパ板324は、通常、昇降用シリンダ装置52の外側に退避しており、ドレス処理を行なう際に中心側に駆動されてピストンロッド54をドレスキャリヤの厚さ分上方に移動した位置に位置決めする。
もちろん、ドレス用位置決めストッパ機構320は、無くてもよいし、他の構成で、ドレス処理の際の上定盤40の位置決めを行ってもよい。
図1Bは、本発明の一実施形態である両面研磨装置11の縦断面図である。図1Bにおいて、図1Aに示した両面研磨装置10と機能的に同一の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
ピストンロッド54の下側先端部には、吊下部材80の中央部に接続されたユニバーサルジョイント55が結合されている。吊下部材80は、上下方向に延在する複数の支柱80aと、支柱80aの下端部に固定された円環状取付部材80bとを備える。円環状取付部材80bの下面に、上定盤40の上面が固定されている。したがって、昇降用シリンダ装置52のピストンロッド54が上方向または下方向に駆動されると、ピストンロッド54とユニバーサルジョイント55と吊下部材80を介して連結された上定盤40も同時に駆動されて上昇または降下する。
両面研磨装置10、11は、上定盤40、昇降機構50、回転伝達機構60を制御する制御部90を有する。
図2Aは上定盤を上昇させた状態を模式的に示す縦断面図である。図2Aには、代表して両面研磨装置11の上定盤を上昇させた状態を示す。
上定盤40は、キャリヤ交換時またはパッド交換時に昇降用シリンダ装置52によって上昇して下定盤30の上方(Za方向)に移動する。この上昇状態では、下定盤30の上面に載置された研磨工程が終了した複数のガラス基板及びキャリヤ160(後述。図3参照)を取り出して別のまたは洗浄した同じキャリヤ160及び未研磨のガラス基板を下定盤30の上面に装着することが可能になる。
また、図1Aに示した両面研磨装置10の場合、回転伝達機構60は、上定盤40の駆動モーターのモーター駆動軸61の上端に円筒形状に形成された結合部62を有する。この結合部62は、上面に、上定盤40の被駆動孔101に設けられた連結孔102に嵌合する複数の連結ピン63を有する。この連結ピン63は、先端が連結孔102に挿入しやすい円錐形状に形成されている。また、上定盤40が昇降用シリンダ装置52によって降下させる際は、上定盤40及び結合部62に予め設けられた位置合わせマークを一致させた状態で上定盤40を降下させることで連結孔102と連結ピン63との相対位置を一致させることができる。
一方、図1Bの場合、回転伝達機構60は、上定盤40の中心孔を貫通する結合部62の上側側面に形成されたキー溝(凹部)62aに嵌合可能なキー(爪)81を有する。上定盤40の内周側に突出するキー81は、支軸82を揺動中心として、支軸82によって円環状取付部材80bに揺動可能に取り付けられている。
上定盤40が降下した状態では、キー81はキー溝62aに嵌合し、上定盤40が上昇した状態では、キー81はキー溝62aから離れる。キー81とキー溝62aが嵌合した状態で、上定盤40の駆動モーターの駆動トルクが上定盤40に伝達され、上定盤40は結合部62とともに回転する。
図2Bは上定盤を降下させた状態を模式的に示す縦断面図である。図2Bに示されるように、昇降用シリンダ装置52の下室に対する圧縮空気の供給圧力P1を低くすることにより(このとき、昇降用シリンダ装置52の上室は大気開放、P2は大気圧)、昇降用シリンダ装置52のピストンロッド54が上定盤40の自重により下方(Zb方向)に駆動されると、吊下部材80と共に上定盤40が降下する。
図1Aに示した両面研磨装置10の場合、上定盤40の駆動モーターの回転トルクは、結合部62に起立する各連結ピン63と各連結孔102とを介して上定盤40に伝達される。また、回転伝達機構60は、各連結ピン63と各連結孔102とが嵌合する構成であるので、図1Bに示したキー構造の両面研磨装置11と比較して、結合部62の軸方向に延在形成されたキー溝62aとキー81との嵌合に伴う上下方向の動き(上下にこねるような動き)を防止することで、上下方向の分力を発生させない構成になっている。
なお、本発明の実施にあたり、図1Aに示した連結ピン構造の研磨装置を用いてもよいし、図1Bに示したキー構造の研磨装置を用いてもよい。
また、上定盤40等を回転駆動する駆動モーターは、基台20の内部に配置されており、フレーム70には設けられていないので、装置全体の重心を低くして研磨動作時の振動を抑制すると共に、研磨動作時の安定性がより高められている。
尚、図2Bにおいて、上定盤40が自重により又は所定の圧力下で下定盤30に載置された複数のガラス基板の上面に当接した状態になっている。
図3は下定盤に載置されたキャリヤを示す平面図である。図3に示されるように、下定盤30の上面31には、複数のキャリヤ160が載置される。キャリヤ160は、ガラス基板200よりも薄い樹脂材により円盤状に形成されており、ガラス基板200が収納される多数の収納孔161が同心円状に設けられている。多数の収納孔161は、夫々収納された各ガラス基板200の外周をガタツキなく保持する寸法に形成されている。尚、本実施例では、キャリヤ160が5個配された構成を一例として示すが、これに限らず、下定盤30とキャリヤ160との大きさ(直径)に応じて5個以上又は5個未満配置しても良い。
また、下定盤30の上面31の回転中心孔には、サンギア32が下方から挿通され、下定盤30の上面31の外周の外側には、キャリヤ160のギア162と噛み合う位置に、インターナルギア33が設けられている。キャリヤ160は、外周に形成されたギア162がサンギア32及びインターナルギア33に噛合している。そのため、キャリヤ160は、下定盤30が基台20に設けられた駆動モーターによって回転駆動するのに伴ってインターナルギア33がサンギア32に対して周方向に相対回転(すなわち、インターナルギア33がサンギア32に対して周方向で反対方向に回転)すると共に、自転しながらサンギア32の周方向に公転する。また、サンギア32及びインターナルギア33も、それぞれを駆動するための駆動モーターによって自転する。これにより、各キャリヤ160の各収納孔161に収納された各ガラス基板200の研磨量の片寄りを防止して研磨後のガラス基板の板厚を均一化することが可能になる。
図4は図3中A−A線に沿う断面を模式的に拡大して示す縦断面図である。図4に示されるように、研磨時は、下定盤30の上面31に保持された下側研磨パッド210が各ガラス基板200の下面に接しており、且つ昇降機構50により研磨位置に降下した上定盤40に保持された上側研磨パッド220が各ガラス基板200の上面に接している。そのため、両面研磨装置10、11においては、上定盤40及び下定盤30が相対回転(すなわち、上定盤40が下定盤30に対して周方向で反対方向に回転)することで、上定盤40と下定盤30との間でキャリヤ160に保持された各ガラス基板200の上面及び下面を同時に研磨することが可能になる。尚、各ガラス基板200に接する下側研磨パッド210、上側研磨パッド220の表面が研磨面となる。
ここで、基台20に設けられた駆動部の構成について説明する。
図5は、基台20に収容された駆動部の一部分を断面で示した、駆動部の構成図である。上定盤40、下定盤30、サンギア32及びインターナルギア33は、基台20の内側下面に設けられた台上に同一の軸線の周りに回転可能に支持されている。上定盤40の回転軸であるモーター駆動軸61、下定盤30、サンギア32及びインターナルギア33には、それぞれ、第1モーターM1、第2モーターM2、第3モーターM3及び第4モーターM4からの回転動力が駆動ギアを介して伝達される。図5では、駆動モーターとして、4つのモーターの場合が示されている。しかしながら、これらの駆動モーターを一つ又は二つ以上のモーターとしてもよい。一つ又は二つ以上のモーターから歯車装置を介して動力を分岐させて各ギアを駆動して、モーター駆動軸61、下定盤30、サンギア32及びインターナルギア33のそれぞれを回転させてもよい。
上定盤40は、モーターM1の駆動力に対応した回転速度で回転し、下定盤30が、モーターM2の駆動力に対応した回転速度で回転する。下定盤30は、上定盤40に対して逆方向に回転する。また、サンギア32は、モーターM3の駆動力に対応した回転速度で回転し、インターナルギア33は、モーターM4の駆動力に対応した回転速度で回転する。
図6は、制御部90により制御される各機器を示す制御系のブロック図である。図6に示されるように、制御部90は、昇降用シリンダ装置52、加圧機構120、基台20の内部に設けられたモーターM1〜M4、モニタやスピーカ等の報知手段310、作業者や他の制御部からの入力情報を受け付ける入力装置330、モーターM1〜M4の電力(又は、電力量)を算出するためのセンサ340などと電気的に接続されており、各機器を制御するための制御信号を生成する。制御部90は、CPU等の演算処理装置を備え、演算処理装置により処理される所定のプログラムに従って、上記制御信号を生成する。
入力装置330は、制御部90外部からの情報を受け付けて制御部90に伝達するインターフェイス装置である。入力装置330は、例えば、作業者が入力情報を入力するための操作部(例えば、タッチパネル、ボタン、レバー、キーボードなど)や、パソコンなどの外部のコンピュータとの接続を可能にする通信インターフェイス装置である。
センサ340は、例えば、モーターM1〜M4の回転数を検出する回転数検出センサ、モーターM1〜M4に流れる電流を検出する電流検出センサなどが挙げられる。制御部90は、センサ340の検出値に応じた出力信号に従って、モーターM1〜M4の電力(又は、電力量)を算出する。また、センサ340は、モーターM1〜M4の電力又は電力量を検出する検出センサでもよい。
また、制御部90は、センサ340からの出力信号に従って、上定盤40による、下定盤30に載置された複数のガラス基板の上面に対する圧力を増減させるための加圧機構120の加減圧動作と、上定盤40等を回転駆動するためのモーターM1〜M4の回転とを制御することによって、ガラス基板の研磨量を調整する。
ガラス基板の研磨量の調整方法(制御方法)は、上述したとおり、今日まで、様々な方法が考えられている。例えば、モーターM1〜M4の回転による研磨開始時点からの経過時間をカウントし、予め設定された所定時間に達した時点で、ガラス基板の研磨を終了させるべくモーターM1〜M4を停止させる従来方法がある。しかしながら、この従来方法の場合の「所定時間」は、ガラス基板の厚さ寸法が規定値になるまでの研磨量によって経験的に設定されていた。例えば、ガラス基板の硬さ、パッドの研磨剤粒度、スラリーの種別、パッド加圧力、定盤回転速度、前ロットの研磨速度などの各種条件を総合的に勘案して設定されていた。したがって、この場合の所定時間は経験的に設定された時間であるため、研磨前に予測される研磨量と実際に研磨した後の研磨量との誤差が大きい場合がある。
これに対し、本発明者は、研磨装置には各モーターM1〜M4の電力がモニタリングできる機能を備えている点に着眼し、ガラス基板の研磨量に影響を与え得るあらゆる要件の中から、ガラス基板の研磨のために駆動力を伝達するモーターの電力量が、ガラス基板の研磨量との間で一定の相関関係を有していることを見出した。すなわち、本発明者は、日付やロット違いなどの異なる研磨条件で得られた実データを整理し、ガラス基板を研磨するためのモーターを研磨のために一定時間回転させたときの電力の積算値(すなわち、電力量)の実データとガラス基板の研磨量との実データとの関係を検証すると、当該積算値がガラス基板の研磨量との間で一定の相関関係を有していることを見出した。
この一定の相関関係について説明する。
『モーターの総電力量は、モーターの無負荷時の電力量とモーターが研磨に要した電力量との和に等しい』と考えることができることから、
U:負荷電力積算値(総電力量)
P0:単位時間(1秒)当たりの無負荷電力
UV:1枚のディスクを1μm研磨するのに要する負荷電力量
V:研磨量
R(=V/t):研磨量Vをモーターの駆動時間である回転時間tで除算した、単位時間当たりの研磨量(研磨速度)
N:1バッチ(ロット)のガラス基板の枚数(一研磨装置の全キャリヤ160上に配置されて研磨されるガラス基板の枚数)
とおくと、式(1)が成立する。そして、変数を含む項を減らすため、式(1)の両辺をtで除算すると、式(2)が導かれる(R=V/t)。式(2)は、式(3)に変形できる。
Figure 0005407693
式(3)から明らかなように、「U/t」を一つの変数として考え、「NR」を一つの変数として考えると、「NR」は、「U/t」の一次関数で表すことができる。「U/t」は、モーターの電力量Uに応じて変化する第1の変数に相当し、「NR」は、ガラス基板の研磨量Vに応じて変化する第2の変数に相当する。第1の変数「U/t」は、電力量Uをモーターの回転時間tで除算した値、つまり、回転時間tにおけるモーターの平均電力値を意味している。第2の変数「NR」は、ガラス基板の枚数Nと研磨速度Rとの乗算値を意味している。
図7A〜図7Dは、両面研磨装置において、第1の変数「U/t」の実データと第2の変数「NR」の実データとの対応関係をプロットして示した図である。横軸が、第1の変数「U/t」であり、縦軸が、第2の変数「NR」である。
図7Aは、4つの駆動モーター(上定盤用+下定盤用+サンギア用+インターナルギア用)でガラス基板を研磨したときの第2の変数「NR」と、それらの4つの駆動モーターそれぞれの第1の変数「U/t」を合計した合計値との関係を示している。図7Bは、4つの駆動モーター(上定盤用+下定盤用+サンギア用+インターナルギア用)でガラス基板を研磨したときの第2の変数「NR」と、2つの駆動モーター(上定盤用+下定盤用)それぞれの第1の変数「U/t」を合計した合計値との関係を示している。図7Cは、4つの駆動モーター(上定盤用+下定盤用+サンギア用+インターナルギア用)でガラス基板を研磨したときの第2の変数「NR」と、1つの駆動モーター(下定盤用)の第1の変数「U/t」との関係を示している。図7Dは、4つの駆動モーター(上定盤用+下定盤用+サンギア用+インターナルギア用)でガラス基板を研磨したときの第2の変数「NR」と、1つの駆動モーター(上定盤用)の第1の変数「U/t」との関係を示している。
図7A〜Dに示されるように、実データをプロットしても、式(3)が表している通り、第1の変数「U/t」と第2の変数「NR」との間に直線的な相関関係があることが示されている。そこで、第1の変数「U/t」を表す実データと第2の変数「NR」を表す実データとの関係を回帰分析することによって、式(3)内の各項における、未知の第1の係数(1/UV)と未知の第2の係数(−P0/UV)を算出することができる。最小二乗法によって係数が決定された式(3)を、図7の各図内に示している(xは、「U/t」,yは「NR」、R2は決定係数を表す)。
決定係数R2が1に近いほど、第1の変数「U/t」と第2の変数「NR」との相関が高いことを表す。したがって、第1の変数「U/t」と第2の変数「NR」との相関は、4つのモーターの第1の変数「U/t」を合計したときに(すなわち、図7Aの場合に)、最も相関が高い。この結果は、すべてのモーターの仕事が研磨に使われるという考えに適っている。
Figure 0005407693
また、式(4)は、式(1)〜(3)の変形である。回帰分析によって求められた第1の係数と第2の係数を式(4)に代入する。制御部90は、係数が決定された関係式(4)に従って、モーターの総電力量Uとモーターの回転時間tをモーターの回転中に監視しながら、モーターの回転動作を制御する。例えば、制御部90は、モーターの総電力量Uの監視データとモーターの回転時間tの監視データを関係式(4)に代入することによって、関係式(4)から導出される研磨量Vが所定の研磨量Vの目標値VGに到達するまで、モーターの回転動作を継続させる。
つまり、未知の第1の係数(1/UV)と未知の第2の係数(−P0/UV)を特定できた関係式(4)によれば、研磨前にガラス基板の枚数Nの値を設定し、モーターの回転開始時点からの経過時間(回転時間t)のカウントの演算と総電力量Uの演算をし続けていき、それらの演算した値を逐次代入した関係式(4)によって求められる研磨量Vの値が、目標値として設定された必要研磨量VGに達した時点で、モーターの回転を停止させることによって、実際の研磨量をその目標値VGに極めて正確に調整することができる。
もちろん、上定盤用、または下定盤用のモーターのみの総電力量、もしくは上定盤用と下定盤用のモーター総電力量の和を用いても良いが、4つの駆動モーター(上定盤用+下定盤用+サンギア用+インターナルギア用)の総電力量の和を用いて、第1の係数(1/UV)と第2の係数(−P0/UV)を特定した場合が、最も精度が高い。
このように、研磨装置に設けられたモーターの駆動によってガラス基板を研磨する研磨工程において、モーターの駆動に必要な電力量U(換言すれば、モーターの消費電力量U)に基づいて、ガラス基板の研磨を制御する制御動作を行うことによって、ガラス基板の加工を精度高く制御することができる。
ガラス基板の加工を精度高く制御するためには、電力量Uに基づいて、ガラス基板の研磨を制御する制御動作をモーターの駆動中に行う。より具体的には、電力量Uの監視データ及びモーターの駆動時間である回転時間tの監視データに基づいて、ガラス基板の研磨を制御する制御動作をモーターの駆動中に行う。
ガラス基板の研磨を制御する制御動作は、例えば、上述のように、制御部90によって行われる、ガラス基板の研磨量を所定の目標値に調整する調整動作である。上述の場合、この調整動作は、電力量U及びモーターの回転時間tをモーターの駆動中に関係式(4)に逐次代入し、関係式(4)から導出されるガラス基板の研磨量Vが所定の目標値VGに到達するまで、モーターを駆動させる駆動動作である。
ここで、制御部90が実行する研磨工程の制御処理及び作業者が行なう作業の手順について図8A、図8Bのフローチャートを参照して説明する。
図8AのS11で制御部90は、両面研磨装置の電源スイッチがオンに操作されたか否かをチェックしており、電源スイッチがオンなると、S15に進む。S15では、昇降用シリンダ装置52の下室への供給圧力P1を高くすることにより(このとき、昇降用シリンダ装置52の上室は大気開放、P2は大気圧)、ピストンロッド52を上方に駆動して吊下部材80と共に上定盤40を上昇させる(図2A参照)。これにより、上定盤40は、下定盤30の上方に離間する。
次のS17では、作業者が下定盤30の上面にキャリヤ160をセットする。続いて、S19では、作業者がキャリヤ160の各収納孔161にガラス基板200をセットする。
S21では、制御部90が昇降用シリンダ装置52の下室への供給圧力P1を低くすることにより(このとき、昇降用シリンダ装置52の上室は大気開放、P2は大気圧)、ピストンロッド52を上定盤40の自重で下方(Zb方向)に駆動させる(図2B参照)。これにより、吊下部材80と共に上定盤40がシリンダ52のストロークエンドまで降下し、上定盤40の連結孔102が結合部62の連結ピン63に嵌合すると(図1A参照)、又は上定盤40に連結されたキー81が結合部62のキー溝62aに嵌合すると(図1B参照)、上定盤40の下面に配された上側研磨パッド220がキャリヤ160に保持された各ガラス基板200の上面に当接する。この上側研磨パッド220がガラス基板200に当接した状態では、上定盤40の質量によって又は所定の圧力によって、各ガラス基板200の上面に圧力が作用している。
S23では、制御部90は、入力装置330から入力された入力値を、今回の研磨条件として設定する。入力値として、例えば、ガラス基板の枚数N、開始板厚WS、目標板厚WGが入力される。制御部90は、開始板厚WSから目標板厚WGを減算することによって、ガラス基板の目標研磨量VGを算出する(VG=WS−WG)。
S25では、制御部90がスラリーを上定盤40側から(例えば、上定盤40に空けた複数の孔から)供給する。さらに、S27に進み、モーターM1〜M4を起動させて、モーター駆動力を下定盤30及び上定盤40に伝達する。
S29では、研磨開始直後に制御部90が加圧機構120に加圧動作をさせる。これにより、上定盤40の下面に装着された上側研磨パッド220は、加圧機構120の加圧動作によってキャリヤ160に保持された各ガラス基板200の上面に所定の圧力で密着する。
例えば、図1Aに示した両面研磨装置10の場合、S29では、研磨開始直後に制御部90が加圧機構120の空気袋に圧縮空気を供給する。空気袋に圧縮空気が供給されると、空気袋は下方に膨らみ、上定盤40の下面に装着された上側研磨パッド220は、空気袋の圧力によってキャリヤ160に保持された各ガラスディスク200の上面に密着する。
次のS31では、モーターの回転時間である研磨時間(定盤回転駆動時間)をカウントするとともに、電力のモニタによってモーターの回転開始時点からの電力の積算値(電力量)を算出する。S33で、制御部90は、関係式(4)によって求められた研磨量が、目標研磨量VGに到達したか否かを判断する。到達していなければ、S31を継続する。
S33において、目標研磨量VGに達したときは、図8BのS35に進み、ガラス基板の研磨を終了させるため、制御部90は加圧機構120に減圧動作をさせる。減圧動作による加圧の解除により、ガラス基板の研磨は終了する。
例えば、図1Aに示した両面研磨装置10の場合、S33において、目標研磨量VGに達したときは、図8BのS35に進み、ガラス基板の研磨を終了させるため、加圧機構120の空気袋内側の圧縮空気を排気して大気に減圧にすることにより、空気袋による加圧を解除する。空気袋による加圧の解除により、ガラス基板の研磨は終了する。
S33において関係式(4)によって逐次導出される研磨量Vが目標研磨量VGに到達した時点で、加圧機構120による加圧を解除することによってガラス基板の研磨を停止させてもよいし、加圧機構120の加圧圧力を段階的に下げてからガラス基板の研磨を停止させてもよいし、モーターの回転を停止させることによってガラス基板の研磨を停止させてもよい。
次のS37では、駆動モーターM1〜M4への通電を停止して回転トルクをゼロにする。続いて、S39では、スラリー供給を停止する。
次のS41では、研磨完了したことを報知手段310により音声ガイドまたはモニタ表示で報知する。
続いて、S43に進み、昇降用シリンダ装置52の下室への供給圧力P1を高くすることにより(このとき、昇降用シリンダ装置52の上室は大気開放、P2は大気圧)、ピストンロッド54を上昇動作させて上定盤40を下定盤30の上方(Za方向)に移動する(図2A参照)。このような上定盤40の上昇動作により、研磨が完了した複数のガラス基板200及びキャリヤ160を取り出すことが可能になる。
次のS45では、作業者が下定盤30からキャリヤ160を取り出す。続いて、S47では、作業者が下定盤30上から研磨完了したガラス基板200を全て取り出す。
次のS49で作業者は、下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220が目詰まりしているか否かを判断し、パッド交換が必要か否かを確認する。
尚、下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220の目詰まり具合によるパッド交換は、例えば、研磨時間の累積値、あるいは研磨工程の回数、あるいは作業者によるパッド溝深さ計測などによって判断することが可能であるが、モーターの電力または電力量によって判断することも可能である。
また、S49において、作業者が下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220が目詰まりしていると判断したときは、パッド交換が必要か、あるいはドレスが必要かを選択する。パッド交換が必要と判断した場合は、S61に進む。
さらに、作業者は、パッド交換が不要な場合には、S51で下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220のドレス処理が必要か否かを確認する。ドレス不要の場合には、S53で作業者は研磨継続か否かを確認する。S53において、引き続き研磨を継続する場合は、前述したS15に戻り、S15以降の手順を繰り返す。
続いて、S61では、作業者は、上定盤40から上側研磨パッド220を取り外す。そして、上定盤40の下面に新しい上側研磨パッド220を取付ける。また、下定盤30に装着された下側研磨パッド210も交換することができる。両面研磨機の場合、研磨精度の安定化等の点で、研磨パッドは上下両方同時期に交換することが好ましい。
この後は、S65に進み、作業者は下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220にパッドドレス処理を施す。すなわち、昇降用シリンダ装置52により上定盤40を上昇させた後、下定盤30の上方にドレスキャリヤをセットし、上定盤40をドレス用高さ位置に降下させる。上定盤40がドレス用高さ位置に降下した状態で、所定圧力で加圧しながら、ドレス処理が行われる。この際、昇降用シリンダ装置52のピストンロッド54は、ドレス用位置決めストッパ機構320(図1A参照)のストッパ板324により降下位置を規制され、ドレスキャリヤの厚さ分上定盤40を上昇させた位置に位置決めされてもよい。ドレスキャリヤには、ダイヤモンドドレッサーが装着されており、ダイヤモンドドレッサーによって下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220のパッド表面を整える。
パッドドレス処理が終了すると、昇降用シリンダ装置52により上定盤40を上昇させて、ドレスキャリヤを除去する。この後は、前述したS15の処理に戻り、S15以降の処理を繰り返す。
また、S51において、下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220のドレス処理が必要と判断された場合も、前述したS65に進み、作業者は下側研磨パッド210及び上側研磨パッド220にパッドドレス処理を施す。この後は、前述したS15の処理に戻り、S15以降の処理を繰り返す。
ここで、図8A,Bに示されるような研磨工程において、制御部90は、モーターM1〜M4の少なくともいずれか一つの総電力量Uを該モーターの回転中に監視しながら、その監視対象のモーターの回転中の総電力量Uの監視データに基づいて、ガラス基板の研磨量を左右する処理動作(制御動作)を制御してもよい。
また、制御部90は、モーターM1〜M4の少なくともいずれか一つのモーターの総電力量U(又は、総電力P)及び該モーターの回転時間tを該モーターの回転中に監視しながら、その監視対象のモーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)及び回転時間tの監視データに基づいて、ガラス基板の研磨量を調整するだけでなく、ガラス基板の研磨を左右する処理動作(制御動作)を制御してもよい。
これにより、ガラス基板の加工を精度高く制御することができ、例えばガラス基板の研磨量の精度がばらつくことを防ぐことができる。
例えば、モーターの駆動に必要な電力量U(又は、電力P)に基づいてガラス基板の研磨を制御する制御動作が、電力量U(又は、電力P)に基づいて上側又は下側の研磨パッドのドレス処理を制御する制御動作でもよい。例えば、電力量U(又は、電力P)に基づいて、研磨パッドのドレス処理の実施時期を判定する判定動作でもよい。また、電力量U(又は、電力P)に基づいて、研磨パッドの交換時期を判定する判定動作でもよい。また、電力量U(又は、電力P)に基づいて、研磨スラリーの交換時期を判定する判定動作でもよい。また、電力量U(又は、電力P)に基づいて、上定盤、下定盤などの定盤の修正時期を判定する判定動作でもよい。また、電力量U(又は、電力P)に基づいて、研磨中のガラス基板の割れを検出する検出動作でもよいし、研磨中のガラス基板の割れを検出した後にガラス基板の研磨を停止させる停止動作でもよい。また、電力量U(又は、電力P)に基づいて、研磨装置又は研磨装置に設けられた研磨に関わる部品(例えば、ガラス基板の研磨動作を制御する電磁弁など)の故障を判定する判定動作でもよいし、故障の発生を予測する予測動作でもよい。例えば、電力量U(又は、電力P)に基づいて、その電磁弁の交換時期を判定する判定動作でもよいし、その電磁弁の故障の発生を予測する予測動作でもよい。
制御部90は、例えば、所定の第1の閾値以上(又は、該第1の閾値より低い所定の第2の閾値以下)の電力量U(又は、電力P)が測定された時点以後の期間を、ドレス処理の実施時期、研磨パッドの交換時期、研磨スラリーの交換時期と判定する。その判定結果に従って、研磨パッドのドレス処理、交換等の所定の作業が行われることによって、ガラス基板の研磨速度Rを安定化させることができる。また、研磨したガラス基板の特性(例えば、表面うねり、表面粗さ、端面形状(ダレ)など)を向上させて、品質を安定化させることができる。また、研磨したガラス基板のキズを低減させて、品質を安定化させることができる。
また、制御部90は、例えば、所定の第1の閾値以上(又は、該第1の閾値より低い所定の第2の閾値以下)の電力量U(又は、電力P)が測定された時点以後の期間を、上定盤又は下定盤などの定盤の修正時期、ドレス処理の実施時期、研磨パッドの交換時期、研磨スラリーの交換時期と判定する。その判定結果に従って、定盤の修正、ドレス処理、交換等の所定の作業が行われることによって、研磨したガラス基板の平坦度の特性を向上させて、品質を安定化させることができる。
また、制御部90は、例えば、電力量U(又は、電力P)の単位時間当たりの変動幅が所定値以上測定された場合、研磨中のガラス基板が割れたと判定し、ガラス基板の研磨を停止させる。これによって、ガラス基板の生産の安定化を図ることができる。
また、制御部90は、例えば、電力量U(又は、電力P)が所定値以上測定された場合、研磨装置又は研磨装置に設けられた研磨に関わる部品が故障したと判定する。又は、故障の発生が予測されると判定する。この判定結果に従って、故障後速やかに又は故障前に、当該部品の交換等が行われることによって、ガラス基板の生産の安定化を図ることができる。
制御部90は、モーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)と回転時間tの少なくともいずれか一方に基づいて、モーターの回転動作を制御する制御動作を、ガラス基板の研磨を制御する制御動作として行ってもよい。例えば、制御部90は、総電力量U(又は、総電力P)の単位時間当たりの増加率が所定値以下の場合、モーターの回転動作を停止させる。総電力P、又は電力の積算によって値が増加する総電力量Uが所定時間内に所定の閾値に達しなければ、何らかの異常があるとして、モーターの回転動作を停止させることによって、ガラス基板の研磨量に誤差が発生することを防ぐとともに、異常の発生や拡大を未然に防ぐことができる。
または、研磨の加工圧力を調整(加圧、減圧)して、総電力P、又は電力の積算によって値が増加する総電力量Uが所定時間内に所定の閾値に達するように、制御して、研磨加工工程の生産性低下を防いだり、研磨量のバラツキを抑制したりすることができる。
制御部90は、モーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)と回転時間tの少なくともいずれか一方に基づいて、パッドのドレス処理(図8BのS65参照)を作業者に促す報知動作を制御する制御動作を、ガラス基板の研磨を制御する制御動作として行ってもよい。例えば、制御部90は、総電力量U(又は、総電力P)が所定値以下測定された場合、研磨パッドの目詰まりが発生すると、研磨速度が下がり、電力が下がると考えられるため、パッドのドレス処理を作業者に促す報知動作を開始する。これにより、ドレス処理の未実施の状態が継続することによってガラス基板の研磨量に誤差が発生することを防ぐとともに、ドレス処理の実施タイミングを作業者に適切に知らせることができる。
制御部90は、モーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)と回転時間tの少なくともいずれか一方に基づいて、パッドの交換(図8BのS49参照)を作業者に促す報知動作を制御する制御動作を、ガラス基板の研磨を制御する制御動作として行ってもよい。例えば、制御部90は、所定値以下の総電力量U(又は、総電力P)が測定された場合、研磨パッドの目詰まりが発生すると、研磨速度が下がり、電力が下がると考えられるため、パッドの交換を作業者に促す報知動作を開始する。これにより、パッドの交換の未実施の状態が継続することによってガラス基板の研磨量に誤差が発生することを防ぐとともに、パッドの交換の実施タイミングを作業者に適切に知らせることができる。
制御部90は、モーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)と回転時間tの少なくともいずれか一方に基づいて、上定盤又は下定盤の修正を作業者に促す報知動作を制御する制御動作を、ガラス基板の研磨を制御する制御動作として行ってもよい。例えば、制御部90は、所定値以上の総電力量U(又は、総電力P)が測定された場合、定盤の修正を作業者に促す報知動作を開始する。これにより、定盤の修正の未実施の状態が継続することによってガラス基板の研磨量に誤差が発生することを防ぐとともに、定盤の修正の実施タイミングを作業者に適切に知らせることができる。
制御部90は、モーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)と回転時間tの少なくともいずれか一方に基づいて、スラリーの交換(図8AのS25、図8BのS39参照)を作業者に促す報知動作を制御する制御動作を、ガラス基板の研磨を制御する制御動作として行ってもよい。例えば、制御部90は、所定値以下の総電力量U(又は、総電力P)が測定された場合、研磨パッドの目詰まりが発生すると、研磨速度が下がり、電力が下がると考えられるため、スラリーの交換を作業者に促す報知動作を開始する。これにより、スラリーの交換の未実施の状態が継続することによってガラス基板の研磨量に誤差が発生することを防ぐとともに、スラリーの交換の実施タイミングを作業者に適切に知らせることができる。
制御部90は、モーターの回転中の総電力量U(又は、総電力P)と回転時間tの少なくともいずれか一方に基づいて、両面研磨装置10、11等の研磨装置の異常を作業者に知らせる報知動作を制御する制御動作を、ガラス基板の研磨を制御する制御動作として行ってもよい。例えば、制御部90は、所定値以上の総電力量U(又は、総電力P)が測定された場合、研磨装置の異常を作業者に知らせる報知動作を開始する。これにより、研磨装置の異常が放置された状態が継続することによってガラス基板の研磨量に誤差が発生することを防ぐとともに、研磨装置の異常発生を作業者に適切に知らせることができる。
このように、上述の実施形態によれば、手間や高いコストを掛けることなく、精度高くガラス基板の研磨加工を制御することができ、品質安定性に優れるガラス基板を、生産性高く提供することができる。
なお、上述の実施形態は両面研磨装置であったが、本発明の実施形態は、片面研磨装置でもよいし、基板側面(端面)の研磨装置でもよい。
本発明の実施形態のガラス基板は、磁気記録媒体用ガラス基板でもよいし、フォトマスク用ガラス基板でもよい。また、液晶や有機EL等のディスプレイ用ガラス基板でもよいし、レンズ、光学フィルター、光ピックアップ素子などの光学部品用ガラス基板でもよい。また、半導体用の基板(シリコン基板、炭化ケイ素基板など)でもよい。
本発明の実施形態のガラス基板は、アモルファスガラスでもよいし、結晶化ガラスでもよく、化学強化ガラスでもよい。また、本発明の実施形態のガラス基板のガラス素基板は、フロート法で造られたものでも良く、プレス成形法で造られたものでもよい。
本発明の実施形態である両面研磨装置は、4個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する4ウェイ方式であるが、1個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する1ウェイ方式でもよいし、2個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する2ウェイ方式でもよいし、3個のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する3ウェイ方式でもよい。また、4個以上のモーターの回転による駆動力によってガラスを研磨する研磨装置でもよい。
2ウェイ方式の両面研磨装置は、上下定盤が回転することなく固定されていて、工作物はモーターの回転駆動によって回転するインターナルギアとサンギアの双方と噛み合うキャリヤ内に保持されて運動し、上下定盤に挟み付けられる研磨圧のもとで研磨される形式のものである。3ウェイ方式の両面研磨装置は、インターナルギアとサンギアに加えて下定盤もモーターの回転駆動によって回転する形式のものである。
CMP研磨装置は、パッドを張り付けた定盤と、ワークを保持したホルダーからなり、ワークを回転するパッドに一定圧で押しつけながら、ホルダーが回転し揺動する形式のものである。定盤を回転させる第1のモーターと、ホルダーを回転させる第2のモーターと、ホルダーを揺動させる第3のモーターとを備える。
ガラス基板の端面を研磨する側面研磨装置は、ブラシ及びパッドなどの研磨具を回転させる第1のモーターと、ブラシ及びパッドなどの研磨具を揺動させる第2のモーターと、ワークであるガラス基板を回転させる第3のモーターとを備える。
また、ガラス基板の研磨は、モーターの駆動により発生する駆動力によって行われるが、本発明に係る研磨装置は、モーターの回転動作によって研磨定盤を回転させてガラス基板を研磨するものでもよいし、モーターの駆動動作によって研磨定盤を往復運動させることによってガラス基板を研磨するものでもよい。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものでははい。本実施例では、図1Bに示したキー構造の両面研磨装置11を用いている。
図9Aは、磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程を示したフローチャートの第1例である。磁気記録用ガラス基板の製造工程は、P1からP9までの工程である。工程P9の終了段階で、第1の最終製品である磁気記録媒体用ガラス基板が製造される。そして、磁気記録媒体用ガラス基板に対して、磁気ディスク製造工程P10を経ることによって、第2の最終製品である磁気ディスクが製造される。
(形状加工工程P1)
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径65mm、内径20mm、板厚0.635mmの磁気ディスク用ガラス基板が得られるような、ドーナツ状円形ガラス板(中央部に円孔を有する円盤状ガラス板)に加工した。このドーナツ状円形ガラス板の内周側面と外周側面を、面取り幅0.15mm、面取り角度45°となるように面取り加工を行った。
(ラッピング工程P2)
その後、ガラス板上下面のラッピングを、酸化アルミニウム砥粒を用いて行い、砥粒を洗浄除去した。
(端面研磨工程P3)
次に、内周端面研磨を行ったガラス基板を、外周側面と外周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、外周側面と外周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように加工した。外周端面研磨を行ったガラス基板は、ベルクリン及びアルカリ洗剤を用いたスクラブ洗浄と、アルカリ性洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄により、砥粒を洗浄除去される。
(1次研磨工程P4)
その後、研磨具として硬質ウレタンパッドと酸化セリウム砥粒を含有した研磨液(平均粒子径約1.4μmの酸化セリウムを主成分とした研磨液組成物)を用いて、両面研磨装置により上下主平面の研磨加工を行った。両面研磨装置としては、スピードファム社製の22B型を用い、1ロットで200枚のガラス基板を研磨加工した(関係式(4)において、N=200)。
本発明の実施例と比較例(従来方法)とを比較するため、研磨量の測定は、精密電子天秤(株式会社エー・アンド・デイ 型式FX−120i)を用い、研磨加工前後の質量変化量を測定することにより行った(質量法)。研磨加工前後の質量変化量を、ガラス基板の比重と両主平面の面積(主平面の面積×2)で除することにより、研磨加工で除去した板厚(研磨量)を算出した。研磨量の測定は、1ロットにつき6枚のガラス基板を用いて実施した。
研磨加工前に、研磨量測定用ガラス基板6枚の質量を精密電子天秤を用いて測定した。質量を測定したガラス基板6枚は、ガラス基板保持冶具(キャリヤ)の内周側に3枚、外周側に3枚設置した状態で、他のガラス基板と共に研磨加工を行った。
関係式(4)に基づいて求められた研磨量Vが研磨加工前に入力装置330を介して入力した目標研磨量VG(=研磨加工前板厚WS−目標板厚WG)に達した時点で、研磨加工を自動的に停止するプログラムを、研磨装置に設定した。
目標研磨量VGと基板枚数N(=200)を入力装置330を介して研磨加工前に研磨装置に入力し、研磨加工中の研磨装置の駆動モーターの電力を1秒毎に積算していくことによって、研磨加工中の駆動モーターの電力積算値Uを1秒毎に得た。本実施例で使用した研磨装置には、駆動モーターが4つ設置(上定盤、下定盤、サンギア、インターナルギア)されており、駆動モーターの電力積算値Uは4つの駆動モーター全てについて記録した。
研磨加工後のガラス基板は、ベルクリン及びアルカリ洗剤を用いたスクラブ洗浄と、アルカリ性洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄により、砥粒を洗浄除去される。洗浄後、研磨前に質量の測定を行った6枚のガラス基板を、エアブローにて完全に水分が除去されるまで乾燥した。乾燥したガラス基板の質量を、精密電子天秤を用いて測定し、研磨加工後のガラス基板の質量を測定した。研磨加工前後の質量変化量から、研磨加工で除去した板厚(研磨量)を算出した。
本発明の研磨方法を設定した研磨装置を用い、電力積算値Uと時間tを監視しながら関係式(4)に従って研磨加工したときの結果(実施例)と、上述の従来方法(1)を用いて研磨加工したときの結果(比較例)を、図10A、Bに示した。
50ロットを同一の研磨装置で連続研磨加工したときの、各ロットの板厚平均値(各ロットにつき6枚のガラス基板を用いて求めた。)のバラツキ(板厚バラツキ寸法範囲)は、5.2μmに抑えられており、従来の方法で研磨量を制御して研磨加工したときの板厚平均値バラツキ寸法範囲15.0μmに比べて大きく改善している。本発明の研磨方法を用いることにより、研磨加工後の板厚を精度高く制御して研磨加工できることを確認した。
(2次研磨工程P5)
1次研磨加工を行なったガラス基板は、研磨具として軟質ウレタンパッドと上記の酸化セリウム砥粒よりも平均粒子径が小さい酸化セリウム砥粒を含有した研磨液(平均粒子径約0.5μmの酸化セリウムを主成分とする研磨液組成物)を用いて、両面研磨装置により上下主平面の研磨加工を行い、酸化セリウムを洗浄除去された。研磨加工量は上下面の厚さ方向で計4μmであった。
(3次研磨工程P7)
更に、仕上げ研磨の研磨具として軟質ウレタンパッドとコロイダルシリカを含有する研磨液(一次粒子の平均粒子径20〜30nmのコロイダルシリカを主成分とする研磨液組成物)を用いて、両面研磨装置により上下主平面の研磨加工を行い、上下面の厚さ方向で計1μm研磨加工した。
図11に示されるように、電力積算値Uと時間tに基づいて本発明の方法で研磨量を関係式(4)に従って調整して1次研磨加工を行なったあと、3次研磨まで行ったガラス基板の板厚バラツキは±5μm(板厚バラツキ範囲10μm)に抑えられており、従来の方法で研磨量を制御して1次研磨加工したあと、3次研磨まで行ったガラス基板の板厚バラツキは±8.5μm(板厚バラツキ範囲17μm)であった。図11の横軸は、目標板厚との偏差を表す。また、図11において、比較例の第1回目の評価結果のデータは、90ロット(17927枚)を同一の研磨装置で連続研磨加工したときの、各ロットのガラス基板の板厚バラツキであり、比較例の第2回目の評価結果のデータは、97ロット(19276枚)を同一の研磨装置で連続研磨加工したときの、各ロットのガラス基板の板厚バラツキであり、実施例の第1回目の評価結果のデータは、76ロット(14097枚)を同一の研磨装置で連続研磨加工したときの、各ロットのガラス基板の板厚バラツキであり、実施例の第2回目の評価結果のデータは、86ロット(17065枚)を同一の研磨装置で連続研磨加工したときの、各ロットのガラス基板の板厚バラツキである。
本発明の方法で研磨量を制御しながら1次研磨を行うことにより、最終製品である磁気記録媒体用ガラス基板(成膜前の磁気ディスクガラス基板)の板厚バラツキも抑えられており、板厚が高精度に制御できているガラス基板を得ることができた。
3次研磨後のガラス基板の板厚または研磨量測定は、CCDレーザー変位計(キーエンス社製、レーザーヘッドはLK−G15/アンプLK-G3000V)を用い、1ロット中全数枚の測定を行なった。測定場所は磁気記録媒体用ガラス基板の記録再生領域における中間部にて測定した。
(洗浄工程P9)
仕上げ研磨後のドーナツ状円形ガラス板を、仕上げ研磨の研磨液と同じpHに調整した溶液への浸漬し、ベルクリン及びアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄、純水へ浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、IPA蒸気にて乾燥した。
主平面を研磨し、洗浄したあとのガラス基板主平面の算術平均粗さ(Ra)をAFM(原子間力顕微鏡)により、微小うねり(μWa)を走査型白色干渉計により測定した。本実施例において、算術平均粗さ(Ra)は全ての研磨バッチにおいて0.15nm以下であった。微小うねり(μWa)は、全ての研磨バッチにおいて0.15nm以下であった。
表面粗さは、原子間力顕微鏡( Digital Instruments社製、Nano scope D3000)によって、測定したもので規定される。測定領域は、ガラス基板の記録再生領域の中間部にある、縦0.5μm、横1.0μmの領域内とし、測定点数は面内0°、180°の2箇所の位置で、ガラス基板の表面と裏面の計4ヶ所で測定した。
微小うねりは、走査型白色干渉計(Zygo社製、Zygo New View 5032)によって測定したもので規定される。測定領域は、ガラス基板の記録再生領域の中間部にある、縦0.7mm、横1.0mmの領域内とし、測定点数は面内0°、180°の2箇所の位置で、ガラス基板の表面と裏面の計4ヶ所で測定した。
以上、本実施例は本発明を1次研磨工程に適用した場合を示したが、ラッピング工程、端面研磨工程、2次研磨工程、3次研磨工程に本発明を適用してもよい。
なお、図9Aに示した製造プロセスに化学強化工程を追加した他の製造プロセス例を、図9Bと図9Cに示す。図9Bは、化学強化工程P6を2次研磨工程P5と3次研磨工程P7との間に追加したフローチャートである。図9Cは、化学強化工程P8を3次研磨工程P7と洗浄工程P9との間に追加したフローチャートである。本発明は、図9B又は図9Cに示したフローチャートに適用することも可能である。
化学強化工程P6又はP8では、例えば低温イオン交換法による化学強化が、ガラス基板に対して行われる。化学強化を行うことによって、ガラス基板の剛性を高めることができる。
10、11 両面研磨装置
20 基台
30 下定盤
31 上面
32 サンギア
33 インターナルギア
40 上定盤
50 昇降機構
52 昇降用シリンダ装置
54 ピストンロッド
55 ユニバーサルジョイント
56 軸受
58 軸部材
60 回転伝達機構
61 モーター駆動軸
62 結合部
62a キー溝
63 連結ピン
70 フレーム
72 梁
80 吊下部材
80a 支柱
80b 円環状取付部材
81 キー
82 支軸
90 制御部
101 被駆動孔
102 連結孔
120 加圧機構
160 キャリヤ
161 収納孔
162 ギア
200 ガラス基板
210 下側研磨パッド
220 上側研磨パッド
310 報知手段
320 ドレス用位置決めストッパ機構
322 水平駆動用シリンダ装置
324 ストッパ板
330 入力装置
340 センサ
M1〜M4 モーター

Claims (9)

  1. 研磨装置に設けられたモーターの駆動によってガラス基板を研磨する研磨工程を含むガラス基板の製造方法であって、
    前記モーターの駆動に必要な電力または電力量に応じて変化する第1の変数と前記ガラス基板の研磨量に応じて変化する第2の変数との相関関係に従って、前記ガラス基板の研磨量を調整する調整動作を行うことを特徴とし、
    前記第1の変数が、前記電力量を前記モーターの駆動時間で除算した値である平均電力値であり、
    前記第2の変数が、前記ガラス基板の枚数に、前記ガラス基板の研磨量を前記モーターの駆動時間で除算した値である研磨速度を乗算した乗算値であり、
    前記相関関係が、前記平均電力値と前記乗算値との関係を表現する回帰式の係数を求めることによって特定された、前記ガラス基板の研磨量と前記電力量と前記モーターの駆動時間との関係式であって、
    前記調整動作が、
    前記電力量及び前記モーターの駆動時間を前記モーターの駆動中に前記関係式に逐次代入し、前記関係式から導出される前記ガラス基板の研磨量が所定の目標値に到達するまで、前記モーターを駆動させる駆動動作である、ガラス基板の製造方法。
  2. 前記研磨工程が、
    形状加工工程と、ラッピング工程と、端面研磨工程とを備える製造プロセスに含まれる、請求項に記載のガラス基板の製造方法。
  3. 前記製造プロセスに、化学強化工程が含まれる、請求項に記載のガラス基板の製造方法。
  4. 前記ガラス基板が、磁気記録媒体用である、請求項1からのいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
  5. 研磨装置に設けられたモーターの駆動によってガラス基板を研磨する、ガラス基板の研磨方法であって、
    前記モーターの駆動に必要な電力または電力量に応じて変化する第1の変数と前記ガラス基板の研磨量に応じて変化する第2の変数との相関関係に従って、前記ガラス基板の研磨量を調整することを特徴とし、
    前記第1の変数が、前記電力量を前記モーターの駆動時間で除算した値である平均電力値であり、
    前記第2の変数が、前記ガラス基板の枚数に、前記ガラス基板の研磨量を前記モーターの駆動時間で除算した値である研磨速度を乗算した乗算値であり、
    前記相関関係が、前記平均電力値と前記乗算値との関係を表現する回帰式の係数を求めることによって特定された、前記ガラス基板の研磨量と前記電力量と前記モーターの駆動時間との関係式であって、
    前記電力量及び前記モーターの駆動時間を前記モーターの駆動中に前記関係式に逐次代入し、前記関係式から導出される前記ガラス基板の研磨量が所定の目標値に到達するまで、前記モーターを駆動させる、ガラス基板の研磨方法。
  6. 前記ガラス基板が、磁気記録媒体用である、請求項に記載のガラス基板の研磨方法。
  7. 請求項5又は6に記載のガラス基板の研磨方法によって研磨されたガラス基板。
  8. モーターと、
    前記モーターを制御する制御部とを備え、
    前記制御部が、前記モーターの駆動を制御することによってガラス基板を研磨する研磨装置であって、
    前記制御部が、前記モーターの駆動に必要な電力または電力量に応じて変化する第1の変数と前記ガラス基板の研磨量に応じて変化する第2の変数との相関関係に従って、前記ガラス基板の研磨量を調整する調整動作を行うことを特徴とし、
    前記第1の変数が、前記電力量を前記モーターの駆動時間で除算した値である平均電力値であり、
    前記第2の変数が、前記ガラス基板の枚数に、前記ガラス基板の研磨量を前記モーターの駆動時間で除算した値である研磨速度を乗算した乗算値であり、
    前記相関関係が、前記平均電力値と前記乗算値との関係を表現する回帰式の係数を求めることによって特定された、前記ガラス基板の研磨量と前記電力量と前記モーターの駆動時間との関係式であって、
    前記調整動作が、
    前記電力量及び前記モーターの駆動時間を前記モーターの駆動中に前記関係式に逐次代入し、前記関係式から導出される前記ガラス基板の研磨量が所定の目標値に到達するまで、前記モーターを駆動させる駆動動作である、研磨装置。
  9. 前記ガラス基板が、磁気記録媒体用である、請求項に記載の研磨装置。
JP2009215801A 2009-09-17 2009-09-17 ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板 Active JP5407693B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009215801A JP5407693B2 (ja) 2009-09-17 2009-09-17 ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板
US12/883,519 US8267741B2 (en) 2009-09-17 2010-09-16 Glass substrate manufacturing method, glass substrate polishing method, glass substrate polishing apparatus and glass substrate
SG201006776-7A SG169958A1 (en) 2009-09-17 2010-09-17 Glass substrate manufacturing method, glass substrate polishing method, glass substrate polishing apparatus and glass substrate
CN201010287381.8A CN102019579B (zh) 2009-09-17 2010-09-17 玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置以及玻璃基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009215801A JP5407693B2 (ja) 2009-09-17 2009-09-17 ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011062776A JP2011062776A (ja) 2011-03-31
JP5407693B2 true JP5407693B2 (ja) 2014-02-05

Family

ID=43730882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009215801A Active JP5407693B2 (ja) 2009-09-17 2009-09-17 ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8267741B2 (ja)
JP (1) JP5407693B2 (ja)
CN (1) CN102019579B (ja)
SG (1) SG169958A1 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8900033B2 (en) * 2009-12-01 2014-12-02 Sumco Corporation Wafer polishing method
JP5505713B2 (ja) * 2010-04-26 2014-05-28 株式会社Sumco 研磨液分配装置及びこれを備えた研磨装置
JP5853408B2 (ja) * 2011-05-09 2016-02-09 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体用ガラス基板
CN102229093B (zh) * 2011-07-01 2013-09-18 中国电子科技集团公司第四十五研究所 一种应用在晶片抛光设备上的升降加压机构
JP5768554B2 (ja) * 2011-07-21 2015-08-26 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体用ガラス基板
JP2013031909A (ja) * 2011-08-03 2013-02-14 Seiko Instruments Inc ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計
JP5630414B2 (ja) 2011-10-04 2014-11-26 信越半導体株式会社 ウェーハの加工方法
DE102012201465B4 (de) * 2012-02-01 2018-01-18 Wafios Ag Verfahren zum Schleifen von Federenden und Federendenschleifmaschine
CN104170013B (zh) * 2012-03-30 2018-02-27 Hoya株式会社 信息记录介质用玻璃基板的制造方法和信息记录介质
CN103586772B (zh) * 2012-08-16 2016-01-06 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 压力检测装置
US20140127857A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carrier Wafers, Methods of Manufacture Thereof, and Packaging Methods
CN103921207B (zh) * 2013-01-10 2017-12-05 新源蓝宝石科技(深圳)有限公司 精磨抛光机
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
CN103317394A (zh) * 2013-06-21 2013-09-25 中国科学院上海技术物理研究所 液相外延衬底化学抛光系统
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN105881213A (zh) * 2014-09-01 2016-08-24 曾庆明 一种精密双面研磨机的控制器
JP6105116B1 (ja) * 2016-03-23 2017-03-29 株式会社東海理化電機製作所 操作装置及びその製造方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
DE102017121692A1 (de) * 2017-09-19 2019-03-21 Supfina Grieshaber Gmbh & Co. Kg Feinbearbeitungsmaschine
TWI811249B (zh) * 2017-11-09 2023-08-11 瑞士商格勞斯頓瑞士有限公司 用於加工玻璃窗格的方法
CN114845962A (zh) * 2019-12-23 2022-08-02 日本电气硝子株式会社 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板
CN113305098B (zh) * 2021-05-25 2022-11-29 云南电网有限责任公司电力科学研究院 一种均压电极垢样检测及去除装置和使用方法
CN113500516A (zh) * 2021-07-13 2021-10-15 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种研磨装置的清洗方法及系统
WO2023248960A1 (ja) * 2022-06-21 2023-12-28 Agc株式会社 ワークを両面研磨する方法
CN115771083B (zh) * 2022-12-27 2023-06-30 广东福临门世家智能家居有限公司 一种均匀磨损的玻璃磨边装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49112277A (ja) * 1973-03-01 1974-10-25
US4525958A (en) * 1981-11-19 1985-07-02 Ppg Industries, Inc. Method of controlling article speed during edge grinding
DE3730795A1 (de) * 1987-09-14 1989-03-23 Wolters Peter Fa Hon-, laepp- oder poliermaschine
JP2607267B2 (ja) * 1988-05-11 1997-05-07 不二越機械工業株式会社 研磨量検出方法と自動定寸研磨機
JP3115281B2 (ja) * 1992-10-20 2000-12-04 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法
US5846882A (en) * 1996-10-03 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Endpoint detector for a chemical mechanical polishing system
JPH11221742A (ja) * 1997-09-30 1999-08-17 Hoya Corp 研磨方法及び研磨装置並びに磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体
US5827112A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
JP2956694B1 (ja) * 1998-05-19 1999-10-04 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
JP2972830B1 (ja) * 1998-08-31 1999-11-08 株式会社三井金属プレシジョン 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
US6179688B1 (en) * 1999-03-17 2001-01-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint of a chemical-mechanical polishing operation
JP2000301441A (ja) * 1999-04-19 2000-10-31 Nippon Micro Coating Kk 化学的機械的テクスチャ加工方法
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6210259B1 (en) * 1999-11-08 2001-04-03 Vibro Finish Tech Inc. Method and apparatus for lapping of workpieces
CN1397065A (zh) * 2000-01-05 2003-02-12 斯科特玻璃技术有限公司 用于磁介质的玻璃基板和基于此种玻璃基板的磁介质
KR100718737B1 (ko) * 2000-01-17 2007-05-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱 장치
JP2001341058A (ja) * 2000-03-29 2001-12-11 Nihon Micro Coating Co Ltd 磁気ディスク用ガラス基板表面加工方法及び加工用砥粒懸濁液
CN1175401C (zh) * 2000-04-28 2004-11-10 三井金属矿业株式会社 磁记录介质用玻璃基板的制造方法
JP3370648B2 (ja) * 2000-06-09 2003-01-27 三井金属鉱業株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2002046065A (ja) 2000-08-07 2002-02-12 Hoya Corp 研磨装置及び研磨方法、並びに磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体の製造方法
US6572444B1 (en) * 2000-08-31 2003-06-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods of automated wafer-grinding using grinding surface position monitoring
JP2002154049A (ja) * 2000-11-15 2002-05-28 Fujikoshi Mach Corp 研磨方法
EP1247616B1 (en) * 2001-04-02 2006-07-05 Infineon Technologies AG Method for conditioning a polishing pad surface
US6736705B2 (en) * 2001-04-27 2004-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Polishing process for glass or ceramic disks used in disk drive data storage devices
JP3933432B2 (ja) * 2001-09-10 2007-06-20 Hoya株式会社 ガラス基板のクランプ治具、ガラス基板の加工方法およびガラス基板
JP2004345018A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Hoya Corp 磁気ディスク用基板の研磨方法及び研磨装置、並びに磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP3824626B2 (ja) 2004-06-03 2006-09-20 株式会社テスコム フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置及びフラットパネルディスプレイ
US7052373B1 (en) * 2005-01-19 2006-05-30 Anji Microelectronics Co., Ltd. Systems and slurries for chemical mechanical polishing
JP2006231471A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Speedfam Co Ltd 両面ポリッシュ加工機とその定寸制御方法
US7775853B2 (en) * 2006-06-14 2010-08-17 Komico Technology, Inc. Configurable polishing apparatus
JP2008000825A (ja) 2006-06-20 2008-01-10 Konica Minolta Opto Inc ガラス基板の研磨量管理方法
JP2008062304A (ja) * 2006-09-04 2008-03-21 Shiba Giken:Kk 研磨方法及び研磨機
JP5060755B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-31 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェハの粗研磨方法、及び半導体ウェハの研磨装置
US8210903B2 (en) 2006-09-29 2012-07-03 Hoya Corporation Method of manufacturing glass substrate for magnetic disk, method of manufacturing magnetic disk, and polishing apparatus of glass substrate for magnetic disk
JP5061694B2 (ja) * 2007-04-05 2012-10-31 信越半導体株式会社 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド並びにウエーハの研磨方法
JP5245319B2 (ja) * 2007-08-09 2013-07-24 富士通株式会社 研磨装置及び研磨方法、基板及び電子機器の製造方法
WO2010001743A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 旭硝子株式会社 ガラス基板の研磨方法及び製造方法
JP5399115B2 (ja) 2009-03-31 2014-01-29 Hoya株式会社 研磨装置、ガラス基材の研磨方法及びガラス基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011062776A (ja) 2011-03-31
US20110064971A1 (en) 2011-03-17
SG169958A1 (en) 2011-04-29
US8267741B2 (en) 2012-09-18
CN102019579A (zh) 2011-04-20
CN102019579B (zh) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5407693B2 (ja) ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板
TW466153B (en) Method and apparatus for measuring a pad profile and closed loop control of a pad conditioning process
JP5598241B2 (ja) ガラス基板の研磨方法及び製造方法、並びに研磨装置
JP5454180B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板
WO2010013390A1 (ja) ウェーハの研磨方法および両面研磨装置
CN102554788B (zh) 一种抛光垫修整方法
JPH0592363A (ja) 基板の両面同時研磨加工方法と加工装置及びそれを用いた磁気デイスク基板の研磨加工方法と磁気デイスクの製造方法並びに磁気デイスク
CN110497307A (zh) 使用研磨头对研磨垫的研磨面进行检测的方法以及研磨装置
JP2013056405A (ja) 研磨装置、並びに磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法
JP5585269B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2004345018A (ja) 磁気ディスク用基板の研磨方法及び研磨装置、並びに磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2007098483A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法および端面研削装置
JP2000117623A (ja) ウェーハ研磨装置
JP2011014177A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP4942428B2 (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および加工装置、および磁気ディスクの製造方法
JP6138113B2 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、研削用キャリア
JP2012059307A (ja) 円板状基板内径測定装置、円板状基板内径測定方法及び円板状基板の製造方法
JP2016159384A (ja) 研磨装置及び研磨方法
JPH05303735A (ja) 磁気ディスクおよび磁気ディスク装置
JP2021010952A (ja) 両面研磨装置の制御システム、制御装置および基板の製造方法
JP2015069676A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び研磨装置
JP5839818B2 (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP2012130988A (ja) 研磨パッド用ドレッサー及びその製造方法及びガラス基板及びその製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
US7147540B2 (en) Magnetic head slider and method of manufacturing the same
JP2001047361A (ja) ラップ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131008

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131021

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5407693

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250