CN102019579A - 玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置以及玻璃基板 - Google Patents

玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置以及玻璃基板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置以及玻璃基板，能够提高玻璃基板的研磨精度。该研磨装置具备：驱动上平台(40)的电动机、驱动下平台(30)的电动机、驱动设于下平台(30)的内周的内侧的太阳齿轮的电动机、驱动设于下平台(30)的外周的外侧的内啮合齿轮的电动机、以及控制这些电动机的控制部(90)，控制部(90)通过控制这些电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨，其特征在于，控制部(90)基于这些电动机的驱动所需的电力或者电力量调整玻璃基板的研磨。

Description

玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置以及玻璃基板
技术领域
本发明涉及一种高精度地控制玻璃基板的研磨加工的技术。
背景技术
一直以来，对在进行玻璃基板的研磨加工时，准确地掌握研磨加工中的研磨装置及被研磨体的状态，基于得到的信息控制玻璃基板的研磨加工以高精度地进行研磨加工的技术进行了研究。
其中，边高精度地控制玻璃基板的研磨量边进行研磨的方法由于对玻璃基板产品所要求的重要的品质特性即板厚大有影响，因而正在研究各种各样的方法。
例如，在磁记录介质用玻璃基板中，随着近年来的高记录密度化，对磁记录介质所使用的玻璃基板的加工精度的要求也日益提高，需要玻璃基板的板厚的精度误差小的玻璃基板。
作为控制玻璃基板的研磨量的现有方法，公知有：
(1)对于每一批，预先使用执行研磨加工时的研磨速度计算出主研磨的研磨速度，研磨前利用质量法或者千分尺法测定玻璃基板的板厚以决定需要的研磨量，根据主研磨的研磨速度和需要的研磨量求出研磨时间，对每一批决定研磨时间来进行研磨的方法；
(2)使用涡电流传感器测定支承研磨装置的上平台的上平台支轴的上下移动来控制磁盘用基板的研磨量的方法，及使用磁尺确定相对于游标的上平台支轴的相对的上下位置来控制磁盘用玻璃基板的板厚的方法(例如，参照专利文献1)；
(3)在研磨加工中选取研磨量测定用的玻璃基板，测定相对于研磨前玻璃基板的质量减少量来管理研磨量的方法(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2004-345018号公报
专利文献2：日本特开2008-825号公报
发明内容
但是，在上述的现有方法(1)中，由于使用根据经验求出的研磨速度的计算式计算出主研磨的研磨速度，因而在主研磨的研磨速度与经验预测不符的情况下，存在如下问题：研磨量过多而造成玻璃基板厚度过薄而使玻璃基板报废，或者对研磨量小而不能将玻璃基板研磨到作为目标的规定尺寸范围内的玻璃基板再次进行研磨等。其结果是，造成玻璃基板的板厚尺寸误差变大。
而在上述的现有方法(2)中，需要花费将板厚测定机构安装于研磨装置的时间及成本，由于装置的振动、加工对装置部件温度上升的影响、传感器检测部位的污染，而存在不能以足够高的精度控制板厚的问题。
而在上述的现有方法(3)中，由于使研磨加工中的研磨装置暂时停止，选取研磨量测定用的玻璃基板进行清洗及干燥来进行质量测定，因而玻璃基板的板厚的尺寸误差变大，生产率也降低。
因此，本发明的目的在于提供一种可提高玻璃基板的研磨加工精度的玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置，以及可提高适用产品的品质特性及品质的稳定性的玻璃基板。
为实现上述目的，本发明的玻璃基板的制造方法，包含通过设于研磨装置的电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨的研磨工序，其特征在于，
基于所述电动机的驱动所需的电力或者电力量，进行对在所述研磨工序中进行的所述玻璃基板的研磨进行控制的控制动作。
另外，为实现上述目的，本发明的玻璃基板的研磨方法，通过设于研磨装置的电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨，其特征在于，
基于所述电动机的驱动所需的电力或者电力量，调整所述玻璃基板的研磨量。
另外，为实现上述目的，本发明的研磨装置，具备：
电动机；及
控制所述电动机的控制部，
所述控制部通过控制所述电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨，
其特征在于，
所述控制部基于所述电动机的驱动所需的电力或者电力量进行控制所述玻璃基板的研磨的控制动作。
根据本发明的玻璃基板的制造方法、研磨方法及研磨装置，可提高玻璃基板的研磨加工精度。另外，根据本发明的玻璃基板，可提高适用产品的品质特性和品质的稳定性。
附图说明
图1A是本发明一实施方式的双面研磨装置10的纵剖面图；
图1B是本发明一实施方式的双面研磨装置11的纵剖面图；
图2A是示意性表示使上平台上升后的状态的纵剖面图；
图2B是示意性表示使上平台下降后的状态的纵剖面图；
图3是表示载置于下平台的托架的安装状态的俯视图；
图4是将沿图3中A-A线的剖面示意性放大表示的纵剖面图；
图5是用剖面表示收容于基台20的驱动部的一部分的驱动部的构成图；
图6是表示被控制部控制的各设备的控制系统的框图；
图7A为四个驱动电动机的平均电力和每一片玻璃基板的研磨速度与在一批中加工的玻璃基板片数相乘后的值的关系；
图7B为两个驱动电动机的平均电力和每一片玻璃基板的研磨速度与在一批中加工的玻璃基板片数相乘后的值的关系；
图7C为一个驱动电动机(下平台)的平均电力和每一片玻璃基板的研磨速度与在一批中加工的玻璃基板片数相乘后的值的关系；
图7D为一个驱动电动机(上平台)的平均电力和每一片玻璃基板的研磨速度与在一批中加工的玻璃基板片数相乘后的值的关系；
图8A为用于说明控制部90执行的研磨工序的控制处理及作业人员进行的作业的过程的流程图；
图8B为用于说明继图8A的控制处理之后执行的控制处理及作业人员进行的作业的过程的流程图；
图9A是表示磁记录介质用玻璃基板及磁盘的制造工序的流程图的第一例；
图9B是表示磁记录介质用玻璃基板及磁盘的制造工序的流程图的第二例；
图9C是表示磁记录介质用玻璃基板及磁盘的制造工序的流程图的第三例；
图10A为一次研磨结束后的玻璃基板的板厚测定结果；
图10B为一次研磨结束后的玻璃基板的板厚测定结果；
图11为三次研磨结束后的玻璃基板的板厚测定结果。
具体实施方式
下面，说明用于实施本发明的方式，但本发明不限于以下记载的实施方式。
图1A是本发明一实施方式的双面研磨装置10的纵剖面图。如图1A所示，双面研磨装置10以同时对多个玻璃基板的上表面及下表面进行研磨的方式构成，其具有：基台20、下平台30、上平台40、升降机构50、旋转传动机构60。在基台20的上部可旋转地支承下平台30，在基台20的内部安装有作为后述的驱动部的驱动上平台40等旋转的驱动电动机。
下平台30具有对如后所述保持于托架的多个玻璃基板的下表面进行研磨的下侧研磨垫。另外，上平台40具有与下平台30的上方对向配置且对多个玻璃基板的上表面进行研磨的上侧研磨垫。
升降机构50由在基台20的上方立起的门型框架70支承，具有在更换托架时使上平台40升降的升降用气缸装置52。升降用气缸装置52以在下垂方向进行伸缩动作的方式安装于框架70的梁72的中央。升降用气缸装置52的活塞杆54向下方延伸，在其前端部结合有嵌合于轴承56的内周侧的轴部件58。轴承56可旋转地支承上平台40。另外，在轴部件58的下部设有旋转接头。
另外，嵌合于轴承56的外周侧的悬挂部件80以悬挂上平台40的方式安装。因此，当向上方向或者下方向驱动升降用气缸装置52的活塞杆54时，经由悬挂部件80与活塞杆54连结的上平台40也同时被驱动而上升或者下降。
另外，在框架70的梁72上，将修整用定位制动机构320设于升降用气缸装置52的两侧。该修整用定位制动机构320在进行后述的修整研磨垫的表面的修整处理时定位于使上平台40以修整托架的厚度量(例如20mm左右)上升的位置。修整用定位制动机构320具有安装于水平方向的水平驱动用气缸装置322和支承于水平驱动用气缸装置322的活塞杆的前端的制动板324。制动板324通常避让到升降用气缸装置52的外侧，在进行修整处理时被向中心侧驱动，定位于使活塞杆54以修整托架的厚度量向上方移动的位置。
当然，也可以不设置修整用定位制动机构320，可以以其它构成进行修整处理时的上平台40的定位。
图1B是作为本发明一实施方式的双面研磨装置11的纵剖面图。在图1B中，对于与如图1A所示的双面研磨装置10功能相同的构成标注同一标号而省略其说明。
在活塞杆54的下侧前端部结合有与悬挂部件80的中央部连接的万向接头55。悬挂装置80具备沿上下方向延伸的多个支柱80a和固定于支柱80a的下端部的圆环状安装部件80b。在圆环状安装部件80b的下表面固定有上平台40的上表面。因此，当沿上方向或者下方向驱动升降用气缸装置52的活塞杆54时，经由悬挂部件80与活塞杆54和万向接头55连结的上平台40也同时被驱动而上升或者下降。
双面研磨装置10、11具有对上平台40、升降机构50、旋转传动机构60进行控制的控制部90。
图2A是示意性表示使上平台上升后的状态的纵剖面图。在图2A中作为代表表示了使双面研磨装置11的上平台上升后的状态。
在更换托架时或者在更换研磨垫时，上平台40通过升降用气缸装置52而上升并向下平台30的上方(Za方向)移动。在该上升状态下，可将载置于下平台30的上表面的研磨工序结束的多个玻璃基板及托架160(如后所述。参照图3)取出，并将其它的或者清洗后的同一托架160及未研磨的玻璃基板安装于下平台30的上表面。
另外，在如图1A所示的双面研磨装置10的情况下，旋转传动机构60具有在上平台40的驱动电动机的电动机驱动轴61的上端形成为圆筒状的结合部62。该结合部62在上表面具有与设于上平台40的被驱动孔101的连结孔102嵌合的多个连结销63。该连结销63的前端形成为易于插入连结孔102的圆锥形状。另外，在利用升降用气缸装置52使上平台40下降时，以使预先设于上平台40及结合部62的对位标记相一致的状态使上平台40下降，由此可使连结孔102和连结销63的相对位置一致。
另一方面，在图1B的情况下，旋转传动机构60具有可与在贯通上平台40的中心孔的结合部62的上侧侧面上形成的键槽(凹部)62a嵌合的键(爪)81。向上平台40的内周侧突出的键81以支轴82为摆动中心，通过支轴82可摆动地安装于圆环状安装部件80b上。
在上平台40下降的状态下，键81与键槽62a嵌合，在上平台40上升的状态下，键81脱离键槽62a。在键81和键槽62a嵌合的状态下，上平台40的驱动电动机的驱动转矩传递到上平台40，上平台40与结合部62一起旋转。
图2B是示意性表示使上平台下降后的状态的纵剖面图。如图2B所示，在通过降低压缩空气对升降用气缸装置52的下室的供给压力P1(此时，升降用气缸装置52的上室向大气开放，P2为大气压)，将升降用气缸装置52的活塞杆54利用上平台40的自重向下方(Zb方向)驱动时，上平台40与悬挂部件80一起下降。
在如图1A所示的双面研磨装置10的情况下，上平台40的驱动电动机的旋转转矩经由在结合部62立起的各连结销63和各连结孔102传递给上平台40。另外，由于旋转传动机构60为各连结销63和各连结孔102嵌合的构成，因而与如图1B所示的键结构的双面研磨装置11相比较，通过防止沿结合部62的轴方向延伸形成的键槽62a和键81的嵌合引起的上下方向的移动(在上下方向上插拔的移动)，成为不产生上下方向的分力的构成。
另外，在本发明的实施中，可以使用如图1A所述的连结销结构的研磨装置，也可以使用如图1B所示的键结构的研磨装置。
另外，由于驱动上平台40等旋转的驱动电动机配置于基台20的内部，而不是设于框架70，因而可降低装置整体的重心而抑制研磨动作时的振动，并且进一步提高了研磨动作时的稳定性。
另外，在图2B中，上平台40成为利用自重或者在规定的压力下抵接于载置在下平台30上的多个玻璃基板的上表面的状态。
图3是表示载置于下平台的托架的俯视图。如图3所示，在下平台30的上表面31上载置有多个托架160。托架160由比玻璃基板200薄的树脂材料形成为圆盘状，收纳玻璃基板200的多个收纳孔161设置为同心圆状。多个收纳孔161形成为不晃动地保持各自收纳的各玻璃基板200的外周的尺寸。另外，在本实施例，作为一例表示的是配置有5个托架160的构成，但不局限于此，也可以根据下平台30和托架160的大小(直径)配置5个以上或者不足5个。
另外，在下平台30的上表面31的旋转中心孔中，使太阳齿轮32从下方插通，在下平台30的上表面31的外周的外侧，在与托架160的齿轮162啮合的位置设有内啮合齿轮33。托架160中，形成于外周的齿轮162与太阳齿轮32及内啮合齿轮33啮合。因此，利用设于基台20的驱动电动机驱动下平台33旋转，与之相伴内啮合齿轮33相对于太阳齿轮32在周方向相对旋转(即，内啮合齿轮33相对于太阳齿轮32在周方向沿相反方向旋转)，并且托架160边自转边在太阳齿轮32的周方向进行公转。另外，太阳齿轮32及内啮合齿轮33也通过用于驱动它们的驱动电动机进行自转。由此，可防止收纳于各托架160的各收纳孔161的各玻璃基板200的研磨量偏向一方而使研磨后的玻璃基板的板厚均匀。
图4是将沿图3中A-A线的剖面示意性放大表示的纵剖面图。如图4所示，研磨时，在下平台30的上表面31上保持的下侧研磨垫210与各玻璃基板200的下表面相接，且在通过升降机构50而下降到研磨位置的上平台40上保持的上侧研磨垫220与各玻璃基板200的上表面相接。因此，在双面研磨装置10、11中，通过使上平台40及下平台30相对旋转(即，上平台40相对于下平台30在周方向沿相反方向旋转)，可同时对在上平台40和下平台30之间保持于托架160的各玻璃基板200的上表面及下表面进行研磨。另外，与各玻璃基板200相接的下侧研磨垫210、上侧研磨垫220的表面成为研磨面。
在此，对设于基台20的驱动部的构成进行说明。
图5是用剖面表示收容于基台20的驱动部的一部分的驱动部的构成图。上平台40、下平台30、太阳齿轮32及内啮合齿轮33可绕同一轴线旋转地支承于设在基台20的内侧下表面的台上。对于上平台40的旋转轴即电动机驱动轴61、下平台30、太阳齿轮33及内啮合齿轮33，分别经由驱动齿轮传递有来自第一电动机M1、第二电动机M2、第三电动机M3及第四电动机M4的旋转动力。图5中，表示的是作为电动机有4个电动机的情况。但是，也可以将这些电动机设为一个或者两个以上的电动机。也可以从一个或者两个以上的电动机经由齿轮装置将动力分支而驱动各齿轮，分别使电动机驱动轴61、下平台30、太阳齿轮32及内啮合齿轮33旋转。
上平台40以与电动机M1的驱动力相对应的转速旋转，下平台30以与电动机M2的驱动力相对应的转速旋转。下平台30相对于上平台40向反方向旋转。另外，太阳齿轮32以与电动机M3的驱动力相对应的转速旋转，内啮合齿轮33以与电动机M4的驱动力相对应的转速旋转。
图6是表示被控制部90控制的各设备的控制系统的框图。如图6所示，控制部90与升降用气缸装置52、加压机构120、设于基台20的内部的电动机M1～M4、监视器及扬声器等报警单元310、接收来自作业人员及其它控制部的输入信息的输入装置330、用于计算电动机M1～M4的电力(或者电力量)的传感器340等电连接，生成用于控制各设备的控制信号。控制部90具备CPU等运算处理装置，根据由运算处理装置进行处理的规定程序生成上述控制信号。
输入装置330为接收来自控制部90外部的信息并将其传达到控制部90的接口装置。输入装置330为例如可与用于供作业人员输入输入信息的操作部(例如，触摸板、按钮、控制杆、键盘等)、个人电脑等外部计算机连接的通信接口装置。
传感器340例如可列举对电动机M1～M4的转速进行检测的转速检测传感器、对流过电动机M1～M4的电流进行检测的电流检测传感器等。控制部90根据与传感器340的检测值相对应的输出信号计算电动机M1～M4的电力(或者电力量)。另外，传感器340也可以是对电动机M1～M4的电力或者电力量进行检测的检测传感器。
另外，控制部90根据来自传感器340的输出信号，并通过控制加压机构120的加减压动作和用于驱动上平台40等旋转的电动机M1～M4的旋转，来调整玻璃基板的研磨量，所述加压机构120用于使上平台40产生的相对于载置于下平台30的多个玻璃基板的上表面的压力增加或减少。
如上所述，玻璃基板的研磨量的调整方法(控制方法)迄今为止已采用了各种各样的方法。例如存在如下现有方法：对从电动机M1～M4的旋转引起的研磨开始时刻起的经过时间进行计数，在达到预先设定的规定时间的时刻，使应结束玻璃基板的研磨的电动机M1～M4停止。但是，该现有方法的情况下的“规定时间”是根据玻璃基板的厚度尺寸达到规定值为止的研磨量凭经验设定的。例如，综合考虑玻璃基板的硬度、研磨垫的研磨剂粒度、浆料的种类、研磨垫加压力、平台转速、上一批的研磨速度等各种条件而进行设定。因此，由于该情况下的规定时间为凭经验设定的时间，因而有时研磨前预测的研磨量和实际研磨后的研磨量之间的误差较大。
与此相对，本发明人着眼于研磨装置具备可监控各电动机M1～M4的电力的功能这一点，从可对玻璃基板的研磨量带来影响的所有要件中，发现为了研磨玻璃基板而传递驱动力的电动机的电力量与玻璃基板的研磨量之间具有一定的相关关系。即，本发明人对在不同日期及不同批次等不同的研磨条件下得到的实际数据进行整理，对为了进行研磨而使用于研磨玻璃基板的电动机旋转一定时间时的电力的累计值(即电力量)的实际数据和玻璃基板的研磨量的实际数据之间的关系进行验证后，发现该累计值和玻璃基板的研磨量之间具有一定的相关关系。
对该一定的相关关系进行说明。
可认为“电动机的总电力量等于电动机无负载时的电力量和电动机研磨所需要的电力量之和”，因此，在设
U：负载电力累计值(总电力量)
P0：每单位时间(1秒)的无负载电力
UV：将一个盘研磨1μm需要的负载电力量
V：研磨量
R(＝V/t)：研磨量除以电动机的驱动时间即旋转时间t得到的每单位时间的研磨量(研磨速度)
N：一批(组)玻璃基板的片数(配置于一研磨装置的所有托架160上进行研磨的玻璃基板的片数)
时，式(1)成立。而且，当为消去含有变量的项而将式(1)的两边除以t后，可导出式(2)(R＝V/t)。式(2)可变形为式(3)。
数学式1
U＝P0t+NUVV           …(1)
U t = P 0 + U V NR · · · ( 2 )
NR = 1 Uv ( U t ) - P 0 Uv · · · ( 3 )
如由式(3)所表明，当将“U/t”作为一变量考虑、将“NR”作为一变量考虑时，“NR”可用“U/t”的一次函数表示。“U/t”相当于随电动机的电力量U而变化的第一变量，“NR”相当于随玻璃基板的研磨量V而变化的第二变量。第一变量“U/t”表示电力量U除以电动机的旋转时间t得到的值，即表示旋转时间t内的电动机的平均电力量。第二变量“NR”表示玻璃基板的片数N和研磨速度R的乘积值。
图7A～图7D为将双面研磨装置中第一变量“U/t”的实际数据和第二变量“NR”的实际数据的对应关系描绘曲线而表示的图。横轴为第一变量“U/t”，纵轴为第二变量“NR”。
图7A表示用四个驱动电动机(上平台用+下平台用+太阳齿轮用+内啮合齿轮用)对玻璃基板进行研磨时的第二变量“NR”和将这四个驱动电动机各自的第一变量“U/t”合计后的合计值之间的关系。图7B表示用四个电动机(上平台用+下平台用+太阳齿轮用+内啮合齿轮用)对玻璃基板进行研磨时的第二变量“NR”和将两个驱动电动机(上平台用+下平台用)各自的第一变量“U/t”合计后的合计值之间的关系。图7C表示用四个驱动电动机(上平台用+下平台用+太阳齿轮用+内啮合齿轮用)对玻璃基板进行研磨时的第二变量“NR”和一个驱动电动机(下平台用)的第一变量“U/t”之间的关系。图7D表示用四个驱动电动机(上平台用+下平台用+太阳齿轮用+内啮合齿轮用)对玻璃基板进行研磨时的第二变量“NR”和一个驱动电动机(上平台用)的第一变量“U/t”之间的关系。
如图7A～D所示，即使描绘实际数据，也如式(3)所示，表现出在第一变量“U/t”和第二变量“NR”之间具有线性相关关系。因此，通过对表示第一变量“U/t”的实际数据和表示第二变量“NR”的实际数据的关系进行回归分析，可计算出式(3)内的各项中的未知的第一系数(1/UV)和未知的第二系数(-P0/UV)。将通过最小二乘法决定系数的式(3)示于图7的各图内(x表示“U/t”，y表示“NR”，R2表示决定系数)。
决定系数R2越接近1，表示第一变量“U/t”和第二变量“NR”的相关性越高。因此，第一变量“U/t”和第二变量“NR”的相关性在将四个电动机的第一变量“U/t”合计时(即，图7A的情况下)，相关性最高。其结果是，符合所有电动机的做功都用于研磨的思路。
数学式2
V = 1 N ( 1 U V U - P 0 U V t ) · · · ( 4 )
另外，式(4)为式(1)～(3)的变形。将通过回归分析求出的第一系数和第二系数代入式(4)。控制部90根据由系数决定的关系式(4)，边在电动机的旋转中监视电动机的总电力量U和电动机的旋转时间t，边控制电动机的旋转动作。例如，控制部90在通过将电动机的总电力量U的监视数据和电动机的旋转时间t的监视数据代入关系式(4)而从关系式(4)导出的研磨量V达到规定的研磨量V的目标值VG之前，使电动机的旋转动作持续。
即，根据可确定未知的第一系数(1/UV)和未知的第二系数(-P0/UV)的关系式(4)，在研磨前设定玻璃基板的片数N值，使从电动机的旋转开始时刻起的经过时间(旋转时间t)的计数的运算和总电力量U的运算持续，在通过将这些运算的值依次代入关系式(4)而求出的研磨量V的值达到作为目标值而设定的需要研磨量VG的时刻，停止电动机的旋转，由此，可极为准确地将实际的研磨量调整为其目标值VG。
当然，也可以使用只有上平台用或者下平台用的电动机的总电力量，或者上平台用和下平台用的电动机总电力量之和，但是在使用四个驱动电动机(上平台用+下平台用+太阳齿轮用+内啮合齿轮用)的总电力量之和来确定第一系数(1/UV)和第二系数(-P0/UV)的情况下，精度最高。
这样，在利用设于研磨装置的电动机的驱动对玻璃基板进行研磨的研磨工序中，基于电动机驱动所需的电力量U(换言之，电动机的消耗电力量U)，并通过进行控制玻璃基板的研磨的控制动作，可高精度地控制玻璃基板的加工。
为高精度地控制玻璃基板的加工，而基于电力量U在电动机的驱动中进行控制玻璃基板的研磨的控制动作。更具体而言，基于电力量U的监视数据及电动机的驱动时间即旋转时间t的监视数据，在电动机的驱动中进行控制玻璃基板的研磨的控制动作。
控制玻璃基板的研磨的控制动作例如上述那样为由控制部90进行的将玻璃基板的研磨量调整为规定的目标值的调整动作。在上述的情况下，该调整动作为，在电动机的驱动中将电力量U及电动机的旋转时间t依次代入关系式(4)，驱动电动机直至根据关系式(4)导出的玻璃基板的研磨量V达到规定的目标值VG的驱动动作。
在此，参照图8A、图8B的流程图对控制部90执行的研磨工序的控制处理及作业人员进行的作业的顺序进行说明。
在图8A的S11，控制部90检查双面研磨装置的电源开关是否操作为接通，当电源开关接通时，进入S15。在S15，通过提高向升降用气缸装置52的下室的供给压力P1(此时，升降用气缸装置52的上室向大气开放，P2为大气压)，将活塞杆54向上方驱动而使上平台40与悬挂部件80一起上升(参照图2A)。由此，上平台40分离到下平台30的上方。
在随后的S17，作业人员将托架160安置于下平台30的上表面。然后，在S19，作业人员将玻璃基板200安置于托架160的各收纳孔161。
在S21，控制部90通过降低向升降用气缸装置52的下室的供给压力P1(此时，升降用气缸装置52的上室向大气开放，P2为大气压)，而利用上平台40的自重将活塞杆54向下方(Zb方向)驱动(参照图2B)。由此，上平台40与悬挂部件80一起下降至气缸52的冲程末端，当上平台40的连结孔102嵌合于结合部62的连结销63时(参照图1A)，或者当连接于上平台40的键81嵌合于结合部62的键槽62a时(参照图1B)，配置于上平台40的下表面的上侧研磨垫220抵接于被托架160保持的各玻璃基板200的上表面。在该上侧研磨垫220抵接于玻璃基板200的状态下，利用上平台40的质量或者利用规定的压力使压力作用于各玻璃基板200的上表面。
在S23，控制部90设定从输入装置330输入的输入值作为本次的研磨条件。作为输入值，例如可输入玻璃基板的片数N、起始板厚WS、目标板厚WG。控制部90通过从起始板厚WS减去目标板厚WG而计算出玻璃基板的目标研磨量VG(VG＝WS-WG)。
在S25，控制部90从上平台40侧(例如，在上平台40上打通的多个孔)供给浆料。然后进入S27，使电动机M1～M4起动，将电动机驱动力传递到下平台30及上平台40。
在S29，控制部90在研磨开始后立即使加压机构120进行加压动作。由此，安装于上平台40的下表面的上侧研磨垫220通过加压机构120的加压动作而以规定的压力紧贴于保持在托架160上的各玻璃基板200的上表面。
例如，在如图1A所示的双面研磨装置10的情况下，在S29中，在研磨开始后控制部90立即向加压机构120的空气袋供给压缩空气。向空气袋供给压缩空气后，空气袋向下方膨胀，安装于上平台40的下表面的上侧研磨垫220通过空气袋的压力紧贴于保持在托架160上的各玻璃盘200的上表面。
在随后的S31，对电动机的旋转时间即研磨时间(平台旋转驱动时间)进行计数，同时，根据电力的监控计算自电动机旋转开始时刻起的电力的累计值(电力量)。在S33，控制部90对根据关系式(4)求出的研磨量是否达到目标研磨量VG进行判断。若未达到则继续S31。
在S33，当达到目标研磨量VG时，进入图8B的S35，为结束玻璃基板的研磨，控制部90使加压机构120进行减压动作。通过利用减压动作解除加压，而结束玻璃基板的研磨。
例如在如图1A所示的双面研磨装置10的情况下，在S33，当达到目标研磨量VG时，进入图8B的S35，为结束玻璃基板的研磨，通过将加压机构120的空气袋内侧的压缩空气排出而减压到大气压，来解除空气袋进行的加压。通过解除空气袋进行的加压，而结束玻璃基板的研磨。
在S33也可以在由关系式(4)依次导出的研磨量V达到目标研磨量VG的时刻，通过解除利用加压机构120进行的加压而停止玻璃基板的研磨，也可以在使加压机构120的加压压力阶段性下降之后停止玻璃基板的研磨，还可以通过停止电动机的旋转而停止玻璃基板的研磨。
在随后的S37，停止向驱动电动机M1～M4的通电而使转矩变为零。接着，在S39停止浆料的供给。
在随后的S41，由报警单元310用声音引导或者监视器显示而对研磨结束情况进行报警。
接着，进入S43，通过提高向升降用气缸装置52的下室的供给压力P 1(此时，升降用气缸装置52的上室向大气开放，P2为大气压)，使活塞杆54进行上升动作而使上平台40移动到下平台30的上方(Za方向)(参照图2A)。通过这样的上平台40的上升动作，可取出完成了研磨的多个玻璃基板200及托架160。
在随后的S45，作业人员从下平台30取出托架160。接着，在S47，作业人员从下平台30上将完成研磨的玻璃基板200全部取出。
在随后的S49，作业人员判断下侧研磨垫210及上侧研磨垫220是否堵塞，确认是否需要更换研磨垫。
另外，根据下侧研磨垫210及上侧研磨垫220的堵塞情况而进行的研磨垫更换，例如可根据研磨时间的累计值或者研磨工序的次数、或者作业人员进行的研磨垫槽深计测等进行判断，但是也可以根据电动机的电力或者电力量进行判断。
另外，在S49，在作业人员判断为下侧研磨垫210及上侧研磨垫220被堵塞时，选择是需要更换研磨垫或者还是需要修整。在判断为需要更换研磨垫的情况下，进入S61。
另外，作业人员在不需要更换研磨垫的情况下，在S51确认是否需要下侧研磨垫210及上侧研磨垫220的修整处理。在不需要修整的情况下，作业人员在S53确认是否继续研磨。在S53中继续进行接着的研磨的情况下，返回到上述的S15，重复进行S15以后的步骤。
接着，在S61，作业人员从上平台40取出上侧研磨垫220。然后，在上平台40的下表面安装新的上侧研磨垫220。另外，也可更换安装于下平台30的下侧研磨垫210。在双面研磨机的情况下，从研磨精度的稳定化等考虑，优选在上下两方同时更换研磨垫。
此后，进入S65，作业人员对下侧研磨垫210及上侧研磨垫220实施研磨垫修整处理。即，在利用升降用气缸装置52使上平台40上升之后，在下平台30的上方安置修整托架，使上平台40下降到修整用高度位置。在上平台40下降到修整用高度位置的状态下，边以规定压力进行加压边进行修整处理。此时，升降用气缸装置52的活塞杆54也可以通过修整用定位制动机构320(参照图1A)的制动板324限制下降位置，而定位于使上平台40上升修整托架的厚度量的位置。在修整托架上安装有金刚石修整工具，利用金刚石修整工具对下侧研磨垫210及上侧研磨垫220的研磨垫表面进行修整。
当研磨垫修整处理结束后，利用升降用气缸装置52使上平台40上升，除去修整托架。此后，返回到上述的S15的处理，重复进行S15以后的处理。
另外，在S51，在判断为需要下侧研磨垫210及上侧研磨垫220的修整处理的情况下，也进入上述的S65，作业人员对下侧研磨垫210及上侧研磨垫220实施研磨垫修整处理。此后，返回到上述的S15的处理，重复进行S15以后的处理。
在此，在如图8A、B所示的研磨工序中，控制部90也可以对电动机M1～M4的至少任意一个的总电力量U在该电动机的旋转中边进行监视，边基于该监视对象的电动机旋转中的总电力量U的监视数据控制影响玻璃基板的研磨量的处理动作(控制动作)。
另外，控制部90也可以对电动机M1～M4中的至少任意一个的总电力量U(或者总电力P)及该电动机的旋转时间t在该电动机的旋转中边进行监视，边基于该监视对象的电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)及旋转时间t的监视数据，不仅调整玻璃基板的研磨量，还控制影响玻璃基板的研磨的处理动作(控制动作)。
由此，可高精度地控制玻璃基板的加工，可防止例如玻璃基板的研磨量的精度产生偏差。
例如，基于电动机的驱动所需的电力量U(或者电力P)控制玻璃基板的研磨的控制动作也可以是基于电力量U(或者电力P)控制上侧或者下侧的研磨垫的修整处理的控制动作。例如，也可以是基于电力量U(或者电力P)判定研磨垫的修整处理的实施时期的判定动作。另外，也可以是基于电力量U(或者电力P)判定研磨垫的更换时期的判定动作。另外，也可以是基于电力量U(或者电力P)判定研磨浆料的更换时期的判定动作。另外，也可以是基于电力量U(或者电力P)判定上平台、下平台等平台的修整时期的判定动作。另外，既可以是基于电力量U(或者电力P)检测研磨中的玻璃基板的裂纹的检测动作，也可以是在检测出研磨中的玻璃基板的裂纹之后停止玻璃基板的研磨的停止动作。另外，既也可以是基于电力量U(或者电力P)判定研磨装置或者设置于研磨装置的与研磨有关的部件(例如控制玻璃基板的研磨动作的电磁阀等)的故障的判定动作，也可以是预测故障的发生的预测动作。例如，既可以是基于电力量U(或者电力P)判定该电磁阀的更换时期的判定动作，也可以是预测该电磁阀的故障的发生的预测动作。
控制部90例如将对规定的第一阈值以上(或者比该第一阈值低的规定的第二阈值以下)的电力量U(或者电力P)进行测定的时刻以后的期间判定为修整处理的实施时期、研磨垫的更换时期、研磨浆料的更换时期。通过根据该判定结果进行研磨垫的修整处理、更换等规定的作业，可使玻璃基板的研磨速度R稳定。另外，可提高研磨后的玻璃基板的特性(例如，表面波纹度、表面粗糙度、端面形状(塌边)等)，可使品质稳定。另外，可降低研磨后的玻璃基板的划痕，可使品质稳定。
另外，控制部90例如将对规定的第一阈值以上(或者比该第一阈值低的规定的第二阈值以下)的电力量U(或者电力P)进行测定的时刻以后的期间判定为上平台或者下平台等平台的修整时期、修整处理的实施时期、研磨垫的更换时期、研磨浆料的更换时期。通过根据该判定结果进行平台的修正、修整处理、更换等规定的作业，可提高研磨后的玻璃基板的平整度特性，可使品质稳定。
另外，控制部90例如在测定到电力量U(或者电力P)的每单位时间的变动幅度为规定值以上的情况下，则判定为研磨中的玻璃基板破裂，并停止玻璃基板的研磨。由此，可实现玻璃基板生产的稳定化。
另外，控制部90例如在测定到电力量U(或者电力P)为规定值以上的情况下，判定为研磨装置或者设于研磨装置的与研磨有关的部件发生了故障。或者判定为预测到故障的发生。通过根据该判定结果在故障后迅速地或者在故障前进行该部件的更换等，可实现玻璃基板生产的稳定化。
控制部90也可以将基于电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)和旋转时间t中的至少任意一方控制电动机的旋转动作的控制动作作为控制玻璃基板的研磨的控制动作来进行。例如，控制部90在总电力量U(或者总电力P)的每单位时间的增加率为规定值以下的情况下，停止电动机的旋转动作。当总电力P或者随电力的累计而值增加的总电力量U在规定时间内达到规定的阈值时，作为发生某一故障而停止电动机的旋转动作，由此既可防止在玻璃基板的研磨量上产生误差，又可将异常的发生及扩大防患于未然。
或者，对研磨的加工压力进行调整(加压、减压)，以总电力P或者随电力的累计而值增加的总电力量U在规定时间内达到规定的阈值的方式对其进行控制，可防止研磨加工工序的生产率的下降，或者可抑制研磨量的偏差。
控制部90也可以将基于电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)和旋转时间t的至少任意一方控制促使作业人员对研磨垫进行修整处理(参照图8B的S65)的报警动作的控制动作作为控制玻璃基板的研磨的控制动作来进行。例如，控制部90在测定到总电力量U(或者总电力P)为规定值以下的情况下，当发生研磨垫的堵塞时，由于考虑到研磨速度降低、电力下降，而开始促使作业人员进行研磨垫的修整处理的报警动作。由此，通过使未实施修整处理的状态继续，可防止在玻璃基板的研磨量上产生误差，且可将修整处理的实施定时准确地告知作业人员。
控制部90也可以将基于电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)和旋转时间t的至少任意一方控制促使作业人员进行研磨垫的更换(参照图8B的S49)的报警动作的控制动作作为控制玻璃基板的研磨的控制动作来进行。例如，控制部90在测定到规定值以下的总电力量U(或者总电力P)的情况下，当发生研磨垫的堵塞时，由于考虑到研磨速度降低、电力下降，而开始促使作业人员进行研磨垫的更换的报警动作。由此，通过使未实施研磨垫更换的状态继续，可防止在玻璃基板的研磨量上产生误差，且可将修整处理的实施定时准确地告知作业人员。
控制部90也可以将基于电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)和旋转时间t的至少任意一方控制促使作业人员对上平台或者下平台进行修整的报警动作的控制动作作为控制玻璃基板的研磨的控制动作来进行。例如，控制部90在测定到规定值以上的总电力量U(或者总电力P)的情况下，开始促使作业人员进行平台的修整的报警动作。由此，通过使未实施平台的修整的状态继续，可防止在玻璃基板的研磨量上产生误差，且可将平台修整的实施定时准确地告知作业人员。
控制部90也可以将基于电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)和旋转时间t的至少任意一方控制促使作业人员更换浆料(参照图8A的S25、图8B的S39)的报警动作的控制动作作为控制玻璃基板的研磨的控制动作来进行。例如，控制部90在测定到规定值以下的总电力量U(或者总电力P)的情况下，当发生研磨垫的堵塞时，由于考虑到研磨速度降低、电力下降，而开始促使作业人员更换浆料的报警动作。由此，通过使未实施浆料更换的状态继续，可防止在玻璃基板的研磨量上产生误差，且可将浆料更换的实施定时准确地告知作业人员。
控制部90也可以将基于电动机旋转中的总电力量U(或者总电力P)和旋转时间t的至少任意一方控制将双面研磨装置10、11等研磨装置的异常告知作业人员的报警动作的控制动作作为控制玻璃基板的研磨的控制动作来进行。例如，控制部90在测定到规定值以上的总电力量U(或者总电力P)的情况下，开始将研磨装置的异常告知作业人员的报警动作。由此，通过继续将研磨装置的异常置之不理的状态，可防止在玻璃基板的研磨量上产生误差，且可将研磨装置的异常的产生准确地告知作业人员。
这样，根据上述的实施方式，不需要人工和高成本就可高精度地控制玻璃基板的研磨加工，可高生产率地提供品质稳定性优良的玻璃基板。
另外，上述的实施方式为双面研磨装置，但是本发明的实施方式既可以是单面研磨装置，也可以是基板侧面(端面)的研磨装置。
本发明实施方式的玻璃基板可以是磁记录介质用玻璃基板，也可以是光掩模用玻璃基板。此外，可以是液晶或有机EL等显示器用玻璃基板，还可以是透镜、光学滤光器、光拾取器元件等光学部件用玻璃基板。另外，也可以是半导体用的基板(硅基板、碳化硅基板等)。
本发明实施方式的玻璃基板既可以是非晶玻璃，也可以是结晶玻璃，还可以是化学强化玻璃。另外，本发明实施方式的玻璃基板的玻璃原板既可以用浮法制造，也可以通过冲压成型法制造。
本发明实施方式的双面研磨装置为用四个电动机旋转产生的驱动力对玻璃进行研磨的四路方式，但是也可以是用一个电动机旋转产生的驱动力对玻璃进行研磨的单路方式，也可以是用两个电动机旋转产生的驱动力对玻璃进行研磨的双路方式，还可以是用三个电动机旋转产生的驱动力对玻璃进行研磨的三路方式。另外，也可以是用四个以上电动机旋转产生的驱动力对玻璃进行研磨的研磨装置。
双路方式的双面研磨装置为下述形式：将上下平台不旋转地固定，工件保持于托架内而运动，所述托架与通过电动机的旋转驱动而旋转的内啮合齿轮和太阳齿轮的双方啮合，工件因被上下平台夹持的研磨压力而被研磨。三路方式的双面研磨装置为下述形式：除内啮合齿轮和太阳齿轮之外下平台也通过电动机的旋转驱动而旋转。
CMP研磨装置为下述形式：由粘合有研磨垫的平台和保持工件的保持器构成，边以一定压力按压使工件旋转的研磨垫边使保持器旋转摆动。而且具备：使平台旋转的第一电动机；使保持器旋转的第二电动机；以及使保持器摆动的第三电动机。
对玻璃基板的端面进行研磨的侧面研磨装置具备：使研磨刷及研磨垫等研磨工具旋转的第一电动机；使研磨刷及研磨垫等研磨工具摆动的第二电动机；以及使工件即玻璃基板旋转的第三电动机。
另外，玻璃基板的研磨通过因电动机的旋转而产生的驱动力而进行，而本发明的研磨装置既可以利用电动机的旋转动作使研磨平台旋转而对玻璃基板进行研磨，也可以通过利用电动机的驱动动作使研磨平台往复运动而对玻璃基板进行研磨。
实施例
下面列举实施例及比较例进一步说明本发明，但本发明丝毫不局限于此。在本实施例中，使用如图1B所示的键结构的双面研磨装置11。
图9A是表示磁记录介质用玻璃基板及磁盘的制造工序的流程图的第一例。磁记录用玻璃基板的制造工序为P1～P9的工序。在工序P9的结束阶段，制造出第一最终产品即磁记录介质用玻璃基板。而且，对于磁记录介质用玻璃基板，通过经由磁盘制造工序P10，制造第二最终产品即磁盘。
(形状加工工序P1)
将由浮法成型的硅酸盐玻璃板加工成可得到外径为65mm、内径为20mm、板厚为0.635mm的磁盘用玻璃基板那样的环状圆形玻璃板(在中央部具有圆孔的圆盘状玻璃板)。对该环状圆形玻璃板的内周侧面和外周侧面以得到磨边宽度0.15mm、磨边角度45°的方式进行磨边加工。
(抛光工序P2)
其后，使用氧化铝磨粒进行玻璃板上下表面的抛光，并清洗除去磨粒。
(端面研磨工序P3)
然后，使用研磨刷和氧化铈磨粒对内周侧面和内周磨边部、外周侧面和外周磨边部进行研磨，除去内周侧面和内周磨边部、外周侧面和外周磨边部的划痕，加工以成为镜面。进行了外周端面研磨的玻璃基板通过使用PVA海绵刷(PVA海绵刷)及碱性清洗剂的清洗和浸渍在碱性清洗剂溶液的状态下的超声波清洗而清洗除去磨粒。
(一次研磨工序P4)
之后，使用含有硬质氨基甲酸酯研磨垫和氧化铈磨粒的研磨液作为研磨工具(以平均粒径约1.4μm的氧化铈为主成分的研磨液组成物)，通过双面研磨装置进行上下主平面的研磨加工。作为双面研磨装置，使用スピ一ドフアム公司制造的22B型，对一批200片玻璃基板进行研磨加工(在关系式(4)中，N＝200)。
为了对本发明的实施例和比较例(现有方法)进行比较，研磨量的测定是通过使用精密电子天平(株式会社エ一·アンド·デイ，型号FX-120i)测定研磨加工前后的质量变化量而进行的(质量法)。通过研磨加工前后的质量变化量除以玻璃基板的比重和两主平面的面积(主平面的面积×2)，计算出通过研磨加工除去的板厚(研磨量)。研磨量的测定是每一批使用六片玻璃基板而实施的。
在研磨加工前，使用精密电子天平测定六片研磨量测定用玻璃基板的质量。六片测定了质量的玻璃基板在玻璃基板保持工具(托架)的内周侧设置三片、在外周侧设置三片的状态下与其它玻璃基板一起进行研磨加工。
在基于关系式(4)求出的研磨量V达到在研磨加工前经由输入装置330输入的目标研磨量VG(＝研磨加工前板厚WS-目标板厚WG)的时刻，将使研磨加工自动停止的程序设定于研磨装置。
经由输入装置330在研磨加工前将目标研磨量VG和基板片数N(＝200)输入到研磨装置，通过在每一秒累计研磨加工中的研磨装置的驱动电动机的电力，得到每一秒的研磨加工中的驱动电动机的电力累计值U。在本实施例使用的研磨装置中设置有四个驱动电动机(上平台、下平台、太阳齿轮、内啮合齿轮)，对全部四个驱动电动机都记录驱动电动机的电力累计值U。
研磨加工后的玻璃基板通过使用了PVA海绵刷及碱性清洗剂的清洗和浸渍在碱性清洗剂溶液的状态下的超声波清洗而清洗除去磨粒。清洗后，将在研磨前进行了质量测定的六片玻璃基板通过鼓风进行干燥直至完全除去水分。对干燥后的玻璃基板的质量使用精密电子天平进行测定，测定研磨加工后的玻璃基板的质量。根据研磨加工前后的质量变化量计算出通过研磨加工而除去的板厚(研磨量)。
将使用设定了本发明的研磨方法的研磨装置，边监视电力累计值U和时间t边根据关系式(4)进行研磨加工时的结果(实施例)和使用上述的现有方法(1)进行研磨加工时的结果(比较例)示于图10A、B。
使用同一研磨装置对50批进行连续研磨加工时的各批的板厚平均值(对每批使用六片玻璃基板求出)的偏差(板厚偏差尺寸范围)被抑制在5.2μm，与用现有的方法控制研磨量进行研磨加工时的板厚平均值偏差尺寸范围15.0μm相比得到较大改善。通过使用本发明的研磨方法，确认了可高精度地控制研磨加工后的板厚而进行研磨加工。
(二次研磨工序P5)
对进行了一次研磨加工的玻璃基板，使用含有软质氨基甲酸酯研磨垫和平均粒径比上述的氧化铈磨粒小的氧化铈磨粒的研磨液(以平均粒径约0.5μm的氧化铈为主成分的研磨液组成物)作为研磨工具，并通过双面研磨装置进行上下主平面的研磨加工，清洗除去氧化铈。研磨加工量在上下表面的厚度方向上合计为4μm。
(三次研磨工序P7)
另外，使用含有软质氨基甲酸酯研磨垫和胶质二氧化硅的研磨液(以一次粒子的平均粒径为20～30nm的胶质二氧化硅为主成分的研磨液组成物)作为精研磨的研磨工具，并通过双面研磨装置进行上下主平面的研磨加工，在上下表面的厚度方向上进行合计1μm的研磨加工。
如图11所示，基于电力累计值U和时间t用本发明的方法并根据关系式(4)对研磨量进行调整而进行了一次研磨加工之后，可将进行到三次研磨的玻璃基板的板厚偏差抑制在±5μm(板厚偏差范围为10μm)内，用现有的方法控制研磨量而进行了一次研磨加工之后，进行到三次研磨的玻璃基板的板厚偏差为±8.5μm(板厚偏差范围为17μm)。图11的横轴表示与目标板厚的偏差。另外，在图11上，比较例的第一次评价结果的数据为用同一研磨装置对90批(17927片)进行连续研磨加工时的各批玻璃基板的板厚偏差，比较例的第二次评价结果的数据为用同一研磨装置对97批(19276片)进行连续研磨加工时的各批玻璃基板的板厚偏差，实施例的第一次评价结果的数据为用同一研磨装置对76批(14097片)进行连续研磨加工时的各批玻璃基板的板厚偏差，实施例的第二次评价结果的数据为用同一研磨装置对86批(17065片)进行连续研磨加工时的各批玻璃基板的板厚偏差。
通过用本发明的方法边控制研磨量边进行一次研磨，也可抑制最终产品即磁记录介质用玻璃基板(成膜前的磁盘玻璃基板)的板厚偏差，且能够得到可高精度地控制板厚的玻璃基板。
三次研磨后的玻璃基板的板厚或者研磨量测定使用CCD激光位移计(キ一エンス公司制造，激光头为LK-G15/放大器为LK-G3000V)进行一批中所有片的测定。测定场所是在磁记录介质用玻璃基板的记录再现区域中的中间部进行测定。
(清洗工序P9)
将精研磨后的环状圆形玻璃基板浸渍在调整为与精研磨的研磨液同一pH值的溶液，依次进行基于PVA海绵刷及碱性清洗剂的清洗、浸渍在碱性清洗剂溶液的状态下的超声波清洗、浸渍于纯水状态下的超声波清洗，用IPA蒸气进行干燥。
对主平面进行研磨，用AFM(原子力显微镜)测定清洗后的玻璃基板主平面的算数平均粗糙度(Ra)，用扫描型白色干涉仪测定微小波纹度(μWa)。在本实施例中，算数平均粗糙度(Ra)在所有的研磨批次中都为0.15nm以下。微小波纹度(μWa)在所有的研磨批次中都为0.15nm以下。
表面粗糙度通过由原子力显微镜(Digital Instruments公司制造，Nano scope D3000)测定的结果进行规定。测定区域设为位于玻璃基板的记录再现区域的中间部的长0.5μm、宽1.0μm的区域内，测定点数为在面内0°、180°两个部位的位置且在玻璃基板的表面和里面合计4个位置进行测定。
微小波纹度通过由扫描型白色干涉仪(Zygo社制造，Zygo New View 5032)测定的结果进行规定。测定区域设为位于玻璃基板的记录再现区域的中间部的长0.7mm、宽1.0mm的区域内，测定点数为面内0°、180°两个部位的位置且在玻璃基板的表面和里面合计4个位置进行测定。
以上，本实施例展示了在一次研磨工序中应用本发明的情况，但是，也可以在抛光工序、端面研磨工序、二次研磨工序、三次研磨工序中应用本发明。
另外，将在如图9A所示的制造工艺中追加化学强化工序的另一制造工艺例示于图9B和图9C。图9B是将化学强化工序P6追加在二次研磨工序P5和三次研磨工序P7之间的流程图。图9C是将化学强化工序P8追加在三次研磨工序P7和清洗工序P9之间的流程图。本发明也可以应用于如图9B或者图9C所示的流程图中。
在化学强化工序P6或者P8中，例如对玻璃基板进行基于低温离子交换法的化学强化。通过进行化学强化，可提高玻璃基板的刚性。

Claims (21)

1.一种玻璃基板的制造方法，包含通过设于研磨装置的电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨的研磨工序，其特征在于，
基于所述电动机的驱动所需的电力或者电力量，进行对在所述研磨工序中进行的所述玻璃基板的研磨进行控制的控制动作。
2.如权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其中，基于所述电力或者电力量在所述电动机的驱动中进行所述控制动作。
3.如权利要求1或者2所述的玻璃基板的制造方法，其中，
对于所述电动机，预先求出根据所述电力或者电力量而变化的第一变量和根据所述玻璃基板的研磨量而变化第二变量之间的相关关系，
所述控制动作为根据求出的所述相关关系调整所述玻璃基板的研磨量的调整动作。
4.如权利要求3所述的玻璃基板的制造方法，其中，
所述第一变量为用所述电动机的驱动时间去除所述电力量所得的值即平均电力值，
所述第二变量为研磨速度乘以所述玻璃基板的片数所得到的乘积值，其中，所述研磨速度是用所述电动机的驱动时间去除所述玻璃基板的研磨量而得到的值，
所述相关关系是通过求出表示所述平均电力值和所述乘积值之间关系的回归式的系数而特定的、所述玻璃基板的研磨量和所述电力量及所述电动机的驱动时间之间的关系式，
所述调整动作为下述驱动动作：
在所述电动机的驱动中将所述电力量及所述电动机的驱动时间依次代入所述关系式，驱动所述电动机直至根据所述关系式导出的所述玻璃基板的研磨量达到规定的目标值。
5.如权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述研磨工序包含于具备形状加工工序、端面研磨工序和清洗工序的制造工艺中。
6.如权利要求5所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述制造工艺中含有化学强化工序。
7.如权利要求1～6中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述玻璃基板为磁记录介质用玻璃基板。
8.一种玻璃基板的研磨方法，通过设于研磨装置的电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨，其特征在于，
基于所述电动机的驱动所需的电力或者电力量调整所述玻璃基板的研磨量。
9.如权利要求8所述的玻璃基板的研磨方法，其中，基于所述电力或者电力量在所述电动机的驱动中调整所述玻璃基板的研磨量。
10.如权利要求8或者9所述的玻璃基板的研磨方法，其中，
对于所述电动机，预先求出根据所述电力或者电力量而变化的第一变量和根据所述玻璃基板的研磨量而变化的第二变量之间的相关关系，
根据求出的所述相关关系调整所述玻璃基板的研磨量。
11.如权利要求10所述的玻璃基板的研磨方法，其中，
所述第一变量为用所述电动机的驱动时间去除所述电力量得到的值即平均电力值，
所述第二变量为研磨速度乘以所述玻璃基板的片数所得到的乘积值，其中，所述研磨速度是用所述电动机的驱动时间去除所述玻璃基板的研磨量而得到的值。
所述相关关系是通过求出表示所述平均电力值和所述乘积值之间关系的回归式的系数而特定的、所述玻璃基板的研磨量和所述电力量及所述电动机的驱动时间之间的关系式，
在所述电动机的驱动中将所述电力量及所述电动机的驱动时间依次代入所述关系式，驱动所述电动机直至根据所述关系式导出的所述玻璃基板的研磨量达到规定的目标值。
12.如权利要求8～11中任一项所述的玻璃基板的研磨方法，其中，所述玻璃基板为磁记录介质用玻璃基板。
13.一种玻璃基板，其中，通过权利要求8～12中任一项所述的玻璃基板的研磨方法研磨而成。
14.一种研磨装置，具备：
电动机；及
控制所述电动机的控制部，
所述控制部通过控制所述电动机的驱动而对玻璃基板进行研磨，
其特征在于，
所述控制部基于所述电动机的驱动所需的电力或者电力量进行控制所述玻璃基板的研磨的控制动作。
15.如权利要求14所述的研磨装置，其中，基于所述电力或者电力量在所述电动机的驱动中进行所述控制动作。
16.如权利要求14或者15所述的研磨装置，其中，
对于所述电动机，预先求出根据所述电力或者电力量而变化的第一变量和根据所述玻璃基板的研磨量而变化的第二变量之间的相关关系，
所述控制动作为根据求出的所述相关关系调整所述玻璃基板的研磨量的调整动作。
17.如权利要求16所述的研磨装置，其中，
所述第一变量为用所述电动机的驱动时间去除所述电力量得到的值即平均电力值，
所述第二变量为研磨速度乘以所述玻璃基板的片数所得到的乘积值，其中，所述研磨速度是用所述电动机的驱动时间去除所述玻璃基板的研磨量而得到的值，
所述相关关系是通过求出表示所述平均电力值和所述乘积值之间关系的回归式的系数而特定的、所述玻璃基板的研磨量和所述电力量及所述电动机的驱动时间之间的关系式，
所述调整动作为下述驱动动作：
在所述电动机的驱动中将所述电力量及所述电动机的驱动时间依次代入所述关系式，驱动所述电动机直至根据所述关系式导出的所述玻璃基板的研磨量达到规定的目标值。
18.如权利要求14～17中任一项所述的研磨装置，其中，所述玻璃基板为磁记录介质用玻璃基板。
19.一种玻璃基板，用研磨装置研磨而成，其中，用同一研磨装置研磨的玻璃基板间的板厚偏差在5.2μm以内。
20.一种磁记录介质用玻璃基板，用研磨装置研磨而成，其中，用同一研磨装置研磨的玻璃基板间的板厚偏差在10μm以内。
21.一种磁记录介质用玻璃基板，其中，基板主平面的算术平均粗糙度Ra及/或微小波纹度μWa为0.15nm以下。
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