CN104551902A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，具有：第1基板承载台(10)，其具有对基板(W)的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面(10a)；第2基板承载台(20)，其具有对基板(W)的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面(20a)；承载台升降机构(51)，其使第1基板保持面(10a)在比第2基板保持面(20a)高的上升位置与对比第2基板保持面(20a)低的下降位置之间移动；以及对准器(36、41、60)，其对基板(W)的偏心量进行测定，使基板(W)的中心对准第2基板承载台(20)的轴心。采用本发明，可高精度地使晶片等基板的中心对准基板承载台的轴心，不会使基板挠曲地对基板进行处理。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种可适用于对晶片等基板的周缘部进行研磨的研磨装置及研磨方法等的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
作为对晶片等基板的周缘部进行研磨用的装置，使用一种具有研磨带、砂轮等研磨器具的研磨装置。图14是表示这种型式的研磨装置的示意图。如图14所示，研磨装置具有：利用真空吸引而对晶片W的中心部进行保持、且使晶片W进行旋转的基板承载台110；以及将研磨器具100按压到晶片W周缘部的研磨头105。通过晶片W与基板承载台110一起旋转、且在该状态下研磨台105将研磨器具100按压到晶片W周缘部上而对晶片W周缘部进行研磨。作为研磨器具100，使用研磨带或砂轮。
如图15所示，晶片W由研磨器具100研磨的部位的宽度(下面将其称为研磨宽度)，由研磨器具100相对晶片W的相对位置确定。通常，研磨宽度是离开晶片W最外周端数毫米。为了将晶片W的周缘部以固定的研磨宽度研磨，需要使晶片W的中心对准基板承载台100的轴心。因此，在将晶片W放在基板承载台100上之前，通过用如图16所示那样的定心机械手115来把持晶片W，从而对晶片W进行定心。定心机械手115接近由输送用自动装置(未图示)输送过来的晶片W的两侧并与其边缘部接触对晶片W进行把持，定心机械手115与基板承载台110的相对位置被固定，由定心机械手115把持的晶片W的中心就位于基板承载台110的轴心上。
但是，这种以往的定心机构，其晶片定心的精度有限度，其结果，有时研磨宽度不稳定。另外，还有定心机械手115产生磨损、晶片定心精度下降的现象。此外，若将研磨器具100按压到晶片W周缘部上，则有时晶片W整体产生挠曲，晶片W的周缘部产生缺陷。为了防止这种晶片W的挠曲，考虑了这样的技术：用与基板承载台110另外设置的支承承载台(未图示)对晶片W的下表面的外周部进行支承。但是，当基板承载台110的基板支承面与支承承载台的基板支承面不处于同一平面内时，晶片W就产生挠曲。
专利文献1：日本特许4772679号公报
发明内容
发明所要解决的课题
因此，本发明的目的是，提供一种基板处理装置及基板处理方法，可高精度地使晶片等基板的中心对准基板承载台的轴心，且可不使基板挠曲地对基板的周缘部进行研磨等基板处理。
用于解决课题的机械手段
为了实现上述目的，本发明的一方式是一种对基板进行处理的基板处理装置，其特点是，具有：第1基板承载台，该第1基板承载台具有对所述基板的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面；第2基板承载台，该第2基板承载台具有对所述基板的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面；第2承载台旋转机构，该第2承载台旋转机构使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转；承载台升降机构，该承载台升降机构使所述第1基板保持面在比所述第2基板保持面高的上升位置与比所述第2基板保持面低的下降位置之间进行移动；以及对准器，该对准器对所述基板的中心离开所述第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心。
本发明的另一方式是一种对基板进行处理的基板处理方法，其特点是，由第1基板承载台的第1基板保持面对所述基板的下表面内的第1区域进行保持，对所述基板的中心离开第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心，使所述第1基板承载台下降，直至所述基板的下表面内的第2区域与所述第2基板承载台的第2基板保持面接触，由所述第2基板保持面对所述第2区域进行保持，使所述第1基板承载台进一步下降而使所述第1基板保持面离开所述基板，通过使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转而使所述基板旋转，对旋转的所述基板进行处理。
发明的效果
采用本发明，基板的中心离开第2基板承载台的轴心的偏心量被测定。因此，可使基板的中心对准第2基板承载台的轴心以使该偏心量为零。另外，在第2基板承载台将基板的下表面的第2区域(尤其是外周部)予以保持后，可使第1基板承载台离开基板。因此，能在仅仅由第2基板承载台对基板的下表面的第2区域进行保持的状态下，不使基板挠曲地处理基板。
附图说明
图1是表示研磨装置的示意图。
图2是表示在晶片旋转一周期间所取得的光量的图表。
图3是表示在晶片旋转一周期间所取得的光量的图表。
图4是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。
图5是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。
图6是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。
图7是对用于修正晶片的偏心的步骤进行说明的俯视图。
图8是对用于修正晶片的偏心的步骤进行说明的俯视图。
图9是对用于修正晶片的偏心的步骤进行说明的俯视图。
图10是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。
图11是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。
图12是用于说明研磨装置的动作顺序的示意图。
图13是表示在晶片旋转一周期间所取得的光量的图表。
图14是表示以往研磨装置的示意图。
图15是说明晶片的研磨宽度的示图。
图16是表示具有定心机械手的以往研磨装置的示意图。
符号说明
1      研磨器具
5      研磨头
10     第1基板承载台
10a    第1基板保持面
15     第1真空管线
20     第2基板承载台
20a    第2基板保持面
25     第2真空管线
22     空间
30     支承轴
31     连结块
32     轴承
35     转矩传递机构
36     第1旋转机构
38     旋转编码器
40     直动轴承
41     水平移动机构
42     台
43     支承臂
44     旋转接头
45     促动器
46     直动导向件
47     偏置电动机
48     偏心凸轮
49     凹部
51     承载台升降机构
55     转矩传递机构
56     第2旋转机构
58     转动接头
60     偏心检测部
61     射光部
62     受光部
65     处理部
69     横向移动机构
90     机械手
M1、M2    电动机
具体实施方式
下面，参照说明书附图来说明本发明的实施方式。下面说明的本发明的基板处理装置及基板处理方法的实施方式，是对基板的周缘部进行研磨的研磨装置及研磨方法。
图1是表示研磨装置的示意图。如图1所示，研磨装置具有对作为基板的一例的晶片W进行保持的第1基板承载台10及第2基板承载台20。第1基板承载台10是对晶片W进行定心用的定心承载台，第2基板承载台20是对晶片W进行研磨用的处理承载台。晶片W的定心过程中，晶片W仅由第1基板承载台10保持，晶片W的研磨过程中，晶片W仅由第2基板承载台20保持。
在第2基板承载台20的内部具有空间22，第1基板承载台10被收容在第2基板承载台20的空间22内。第1基板承载台10具有对晶片W的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面10a。第2基板承载台20具有对晶片W的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面20a。第1区域和第2区域是处于晶片W的下表面内的不同位置的区域。在本实施方式中，第1基板保持面10a具有圆形形状，且构成为对晶片W的下表面的中心侧部位进行保持。第2基板保持面20a具有环状形状，且构成为对晶片W的下表面的外周部进行保持。上述中心侧部位位于上述外周部的内侧。本实施方式中的中心侧部位是包含晶片W的中心点的圆形部位，但只要位于上述外周部的内侧，也可是不包含晶片W的中心点的环状部位。第2基板保持面20a配置成包围第1基板保持面10a。环状的第2基板保持面20a的宽度例如是5mm～50mm。
第1基板承载台10通过轴承32而与配置在其下方的支承轴30连结。轴承32固定在支承轴30的上端，将第1基板承载台10支承成旋转自如。第1基板承载台10通过由带轮及皮带等构成的转矩传递机构35而与电动机M1连接，第1基板承载台10就以其轴心为中心进行旋转。电动机M1固定在连结块31上。电动机M1及转矩传递机构35构成使第1基板承载台10以其轴心C1为中心进行旋转的第1旋转机构(第1承载台旋转机构)36。电动机M1连结有旋转编码器38，第1基板承载台10的旋转角度由旋转编码器38测定。
在第1基板承载台10及支承轴30的内部，设有向其轴向延伸的第1真空管线15。该第1真空管线15通过固定在支承轴30下端的旋转接头44与真空源(未图示)连结。第1真空管线15的上端开口部位于第1基板保持面10a内。因此，当第1真空管线15内形成真空时，晶片W的中心侧部位利用真空吸引而被保持在第1基板保持面10a上。
第1基板承载台10通过支承轴30而与承载台升降机构51连结。承载台升降机构51配置在第2基板承载台20的下方，并且与支承轴30连接。承载台升降机构51可使支承轴30及第1基板承载台10一体地上升和下降。
第1基板承载台10与水平移动机构41连结，该水平移动机构41使第1基板承载台10沿水平延伸的规定的偏置轴OS移动。第1基板承载台10利用直动轴承40而被支承成旋转自如，该直动轴承40固定在连结块31上。直动轴承40构成为，允许第1基板承载台10上下移动，同时将第1基板承载台10支承成旋转自如。作为直动轴承40，例如使用滚珠花键轴承。
水平移动机构41具有：上述的连结块31；使第1基板承载台10向水平方向移动的45；以及将第1基板承载台10的水平移动限制成沿上述偏置轴OS的水平移动的直动导向件46。该偏置轴OS是沿直动导向件46的长度方向延伸的假想移动轴。图1中用箭头表示偏置轴OS。
直动导向件46固定在台42上。该台42固定在支承臂43上，支承臂43与研磨装置的框架等静止部件连接。连结块31利用直动导向件46而被支承成沿水平方向移动自如。促动器45具有：固定在台42上的偏置电动机47；安装在该偏置电动机47的驱动轴上的偏心凸轮48；以及形成在连结块31上、收容偏心凸轮48的凹部49。当偏置电动机47使偏心凸轮48旋转时，偏心凸轮48就一边与凹部49接触一边使连结块31沿偏置轴OS水平移动。
当促动器45动作时，第1基板承载台10在其移动方向由直动导向件46导向的状态下沿偏置轴OS水平移动。第2基板承载台20的位置被固定。因此，水平移动机构41使第1基板承载台10相对第2基板承载台20作相对的水平移动，承载台升降机构51使第1基板承载台10相对第2基板承载台20作相对的铅垂方向移动。
第1基板承载台10、第1旋转机构36及水平移动机构41被收容在第2基板承载台20的空间22内。因此，可将由第1基板承载台10及第2基板承载台20等构成的基板保持部做得紧凑。另外，第2基板承载台20可保护第1基板承载台10避免沾到在晶片W的研磨过程中供给到晶片W表面上的研磨液(纯水、药液等)。
第2基板承载台20利用未图示的轴承而被支承成可旋转。第2基板承载台20通过由带轮及皮带等构成的转矩传递机构55而与电动机M2连接，使第2基板承载台20以其轴心C2为中心进行旋转。电动机M2及转矩传递机构55构成使第2基板承载台20以其轴心C2为中心进行旋转的第2旋转机构(第2承载台旋转机构)56。
第2基板承载台20的上表面构成环状的第2基板保持面20a。第2基板承载台20内设有多个第2中空管线25。该第2中空管线25通过旋转接头58与真空源(未图示)连结。第2真空管线25的上端开口部处于第2基板保持面20a内。因此，当在第2真空管线25内形成真空时，晶片W的下表面的外周部就利用真空吸引而被保持在第2基板保持面20a上。第2基板保持面20a具有与晶片W的直径相同或比晶片W的直径小的外径。
在第2基板承载台20的第2基板保持面20a的上方，配置有将研磨器具1按压到晶片W的周缘部上的研磨头5。研磨头5构成为可向铅垂方向及晶片W的径向移动。研磨头5通过将研磨器具1向下方按压到旋转的晶片W的周缘部上而对晶片W的周缘部进行研磨。作为研磨器具1，使用研磨带或砂轮。
在第2基板承载台20的上方配置有偏心检测部60，该偏心检测部60对由第1基板承载台10保持的晶片W的中心离开第2基板承载台20的轴心C2的偏心量进行测定。该偏心检测部60是光学式偏心传感器，具有：发光的射光部61；接受光的受光部62；以及根据受光部62测定的光量而确定晶片W的偏心量的处理部65。偏心检测部60与横向移动机构69连结，偏心检测部60可向相对于晶片的周缘部接近和离开的方向移动。
晶片W的偏心量，在第1基板承载台10的轴心C1与第2基板承载台20的轴心C2一致的状态下被测定。具体来说，晶片W的偏心量如下那样被测定。使偏心检测部60接近晶片W的周缘部，直至晶片W的周缘部位于射光部61与受光部62之间。在该状态下，使晶片W以第1基板承载台10的轴心C1(及第2基板承载台20的轴心C2)为中心进行旋转，同时射光部61向受光部62发光。光的一部分由晶片W遮挡，光的另一部分到达受光部62。
由受光部62测定的光量，依赖于晶片W与第1基板承载台10的相对位置而改变。在晶片W的中心处于第1基板承载台10的轴心C1上的情况下，晶片W旋转一周期间所取得的光量如图2所示，保持规定的基准光量RD。相反，在晶片W的中心偏离第1基板承载台10的轴心C1的情况下，晶片W旋转一周期间所取得的光量如图3所示，随着晶片W的旋转角度而变化。
晶片W的偏心量与由受光部62测定的光量成反比。换言之，光量最小的晶片W的角度，是晶片W的偏心量最大的角度。上述的基准光量RD，是在具有基准直径(例如直径300.00mm)的基准晶片(基准基板)的中心处于第1基板承载台10的轴心C1上的状态下对该基准晶片进行测定的光量。该基准光量RD预先被存储在处理部65内。此外，表示光量与晶片W的离开第1基板承载台10的轴心C1的偏心量之间的关系的数据(表格、关系式等)，预先存储在处理部65内。与基准光量RD对应的偏心量是0。处理部65基于数据而根据光量的测定值来确定晶片W的偏心量。
偏心检测部60的处理部65与旋转编码器38连接，表示第1基板承载台10的旋转角度(即晶片W的旋转角度)的信号从旋转编码器38被送到处理部65。处理部65确定光量最小的晶片W的角度即最大偏心角度。离开第1基板承载台10的轴心C1最远的晶片W上的最大偏心点由最大偏心角度特定。晶片W的偏心量，在第1基板承载台10的轴心C1与第2基板承载台20的轴心C2一致的状态下被测定。因此，处理部65可确定离开第2基板承载台20的轴心C2最远的晶片W上的最大偏心点。此外，处理部65可根据光量来确定晶片W离开第2基板承载台20的轴心C2的偏心量。
接着，参照图4至图12来说明用于研磨晶片W的研磨装置的动作顺序。图4至图12省略了除第1基板承载台10、第2基板承载台20及偏心检测部60以外的结构要素。首先，第1基板承载台10利用水平移动机构41(参照图1)而水平移动，直至其轴心C1与第1基板承载台20的轴心C2并排在一直线上。此外，如图4所示，第1基板承载台10利用承载台升降机构51而上升到上升位置。在该上升位置，第1基板承载台10的第1基板保持面10a处于比第2基板承载台20的第2基板保持面20a高的位置。
在该状态下，晶片W被输送机构的机械手90输送，且如图5所示，晶片W被放在第1基板承载台10的圆形的第1基板保持面10a上。第1真空管线15中形成真空，由此，晶片W的下表面的中心侧部位利用真空吸引而被保持在第1基板保持面10a上。然后，如图6所示，输送机构的机械手90离开研磨装置，第1基板承载台10以其轴心C1为中心而被旋转。偏心检测部60接近旋转的晶片W，且如上所述对晶片W的偏心量进行测定，确定离开第1基板承载台10的轴心C1最远的晶片W上的最大偏心点。
图7至图9是从上方看第1基板承载台10上的晶片W的示图。在图7所示的例子中，放在第1基板承载台10上的晶片W，其中心偏离基板承载台10、20的轴心C1、C2。当从晶片W上方看时，离开基板承载台10、20的轴心C1、C2最远的晶片W上的最大偏心点(假想点)F不在水平移动机构41的偏置轴(假想轴)OS上。因此，如图8所示，使第1基板承载台10旋转，并使从晶片W的上方看时最大偏心点F位于偏置轴OS上。即，使第1基板承载台10旋转，直至将最大偏心点F与第1基板承载台10的轴心C1连接起来的线(假想线)与偏置轴OS平行。此时的第1基板承载台10的旋转角度相当于对最大偏心点F的位置进行特定的角度与对偏置轴OS的位置进行特定的角度之差。
此外，如图9所示，在最大偏心点F处于偏置轴OS上的状态下，利用水平移动机构41(参照图1)使第1基板承载台10沿偏置轴OS移动，直至由第1基板承载台10保持的晶片W的中心位于第2基板承载台20的轴心C2上。此时的第1基板承载台10的移动距离相当于晶片W的偏心量。这样，晶片W的中心与第2基板承载台20的轴心对准。在本实施方式中，使晶片W的中心与第2基板承载台20的轴心对准的对准器包括：偏心检测部60、第1旋转机构36、以及水平移动机构41。
接着，如图10所示，使第1基板承载台10下降，直至晶片W的下表面的外周部与第2基板承载台20的第2基板保持面20a接触。在该状态下，第2真空管线25中形成真空，由此，晶片W的下表面的外周部利用真空吸引而被保持在第2基板承载台20上。然后，第1真空管线15向大气开放。如图11所示，第1基板承载台10进一步下降到规定的下降位置，该第1基板保持面10a离开晶片W。其结果，晶片W仅由第2基板承载台20保持。
第1基板承载台10仅对晶片W的下表面的中心侧部位进行保持，第2基板承载台20仅对晶片W的下表面的外周部进行保持。当晶片W同时由第1基板承载台10和第2基板承载台20双方保持时，晶片W有时产生挠曲。这是因为，由于机械定位精度的问题，第1基板承载台10的第1基板保持面10a与第2基板承载台20的第2基板保持面20a非常难以处在同一水平面内。采用本实施方式，晶片W的研磨过程中，仅晶片W的下表面的外周部由第2基板承载台20保持，第1基板承载台10离开晶片W。因此，可防止晶片W挠曲。
如图12所示，第2基板承载台20以其轴心C2为中心进行旋转。由于晶片W的中心处于第2基板承载台20的轴心C2上，因此，晶片W绕其中心旋转。在该状态下，一边将研磨液(例如纯水或浆料)从未图示的研磨液供给喷管供给到晶片W上，一边通过研磨头5将研磨器具1按压到旋转的晶片W的周缘部上，对该周缘部进行研磨。由于在晶片W的研磨过程中，晶片W的下表面的外周部由第2基板承载台20保持，因此，可从研磨器具1的下方对研磨器具1的荷载进行支撑。因此，可防止研磨过程中的晶片W的挠曲。
研磨后的晶片W随着相反的动作顺序而被从研磨装置取出。环状的第2基板保持面20a相比于将晶片的整个下表面予以吸附的基板承载台而言，还有当使研磨后的晶片W离开第2基板保持面20a时晶片W不易开裂的这种优点。
晶片W的由研磨器具1研磨的部位的宽度(下面将其称为研磨宽度)，由研磨器具1相对晶片W的相对位置来确定。根据晶片不同，其直径有可能比规定的基准直径(例如300.00mm)稍大或小。当每个晶片的直径不同时，研磨器具1相对晶片的相对位置就因晶片而不同，结果，对于每个晶片来说研磨宽度就不同。为了防止这种研磨宽度的误差，较好的是在研磨晶片之前对该晶片的直径进行测定。
图1所示的偏心检测部60构成为可对晶片直径进行测定。具有比规定的基准直径(例如300.00mm)稍大的直径(例如300.10mm)的晶片在旋转一周期间所取得的光量的平均值D1如图13所示，由于光量整体稍下降，因此比基准光量RD小。具有比基准直径稍小的直径(例如299.90mm)的晶片在旋转一周期间所取得的光量的平均值D2，由于光量整体稍增加，因此比基准光量RD大。
基准光量RD与测定出的光量的平均值的差异，对应于基准直径与第1基板承载台10上的晶片W的实际直径的差异。因此，处理部65可根据基准光量RD与测定出的平均光量的差异，来确定第1基板承载台10上的晶片W实际直径。
如上所述，由于偏心检测部60可测定晶片W的直径，因此可根据直径的测定值来正确地调整研磨宽度。换言之，由于可正确地取得晶片W最外周的边缘部的位置，因此，可根据晶片W最外周的边缘部的位置来调整研磨器具1相对晶片W的相对位置。结果，研磨器具1可按所需的研磨宽度来研磨晶片W的周缘部。
上述的研磨装置，是本发明的基板处理装置的一实施方式，但本发明的基板处理装置及基板处理方法，还可应用于一边对基板进行保持一边对基板进行处理的其它装置及方法，例如CVD用的装置及方法、喷镀用的装置及方法等。
上述的实施方式，是以本发明所属的技术领域中具有通常知识的人员能实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的各种变形例若是本领域技术人员就当然可实施，本发明的技术思想还可适用于其它的实施方式。因此，本发明不限于所记载的实施方式，应由基于权利要求书所定义的技术思想的最大范围来解释。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，是对基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，具有：
第1基板承载台，该第1基板承载台具有对所述基板的下表面内的第1区域进行保持的第1基板保持面；
第2基板承载台，该第2基板承载台具有对所述基板的下表面内的第2区域进行保持的第2基板保持面；
第2承载台旋转机构，该第2承载台旋转机构使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转；
承载台升降机构，该承载台升降机构使所述第1基板保持面在比所述第2基板保持面高的上升位置与比所述第2基板保持面低的下降位置之间进行移动；以及
对准器，该对准器对所述基板的中心离开所述第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第2区域是所述基板的下表面的外周部，
所述第1区域是位于所述外周部的内侧的所述基板的下表面的中心侧部位。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第2基板保持面利用真空吸引而对所述第2区域进行保持。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述对准器具有：
偏心检测部，该偏心检测部对所述偏心量进行测定，且确定离开所述第1基板承载台的轴心最远的所述基板上的最大偏心点；
第1承载台旋转机构，该第1承载台旋转机构使所述第1基板承载台旋转，直至将所述最大偏心点与所述第1基板承载台的轴心连接起来的线与水平延伸的规定的偏置轴平行；以及
水平移动机构，该水平移动机构使所述第1基板承载台沿所述偏置轴移动，直至由所述第1基板承载台保持的所述基板的中心位于所述第2基板承载台的轴心上。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1基板承载台、所述第1承载台旋转机构及所述水平移动机构被收容在所述第2基板承载台内。
6.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述偏心检测部构成为，对保持在所述第1基板承载台上的所述基板的直径进行测定。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有研磨头，该研磨头将研磨器具按压在由所述第2基板承载台保持的所述基板的周缘部上，对该周缘部进行研磨。
8.一种基板处理方法，是对基板进行处理的基板处理方法，其特征在于，
由第1基板承载台的第1基板保持面对所述基板的下表面内的第1区域进行保持，
对所述基板的中心离开第2基板承载台的轴心的偏心量进行测定，
使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心，
使所述第1基板承载台下降，直至所述基板的下表面内的第2区域与所述第2基板承载台的第2基板保持面接触，
由所述第2基板保持面对所述第2区域进行保持，
使所述第1基板承载台进一步下降而使所述第1基板保持面离开所述基板，
通过使所述第2基板承载台以该第2基板承载台的轴心为中心进行旋转而使所述基板旋转，
对旋转的所述基板进行处理。
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述第2区域是所述基板的下表面的外周部，
所述第1区域是位于所述外周部的内侧的所述基板的下表面的中心侧部位。
10.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述第2基板保持面利用真空吸引而对所述第2区域进行保持。
11.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，使所述基板的中心对准所述第2基板承载台的轴心的工序是如下工序：
确定离开所述第1基板承载台的轴心最远的所述基板上的最大偏心点，
使所述第1基板承载台旋转，直至将所述最大偏心点与所述第1基板承载台的轴心连接起来的线与水平延伸的规定的偏置轴平行，
使所述第1基板承载台沿所述偏置轴移动，直至由所述第1基板承载台保持的所述基板的中心位于所述第2基板承载台的轴心上。
12.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，对保持在所述第1基板承载台上的所述基板的直径进行测定。
13.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，对旋转的所述基板进行处理的工序，是将研磨器具按压在旋转的所述基板的周缘部上而对该周缘部进行研磨的工序。
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