JP4799325B2 - 基板受け渡し装置,基板処理装置,基板受け渡し方法 - Google Patents

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Description

本発明は,基板受け渡し装置,基板処理装置,基板受け渡し方法に関する。
一般に,半導体集積回路の製造工程においては,被処理基板例えば半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」とも称する)に成膜処理,エッチング処理,熱処理などの各種のプロセス処理を繰り返し行うことによってウエハ上に集積回路を形成していく。また,上記各プロセス処理が施されたウエハには,所定の後処理が行われる場合もある。後処理としては,例えばウエハの洗浄のための処理(例えばウエハに付着した付着物の除去処理など),プロセス処理の結果を測定する処理(例えば膜厚測定処理,パーティクル測定処理など)が挙げられる。
このようなウエハの処理は,例えばプラズマ処理,測定処理など所定の処理を実行可能に構成された処理室を備える基板処理装置によって行われる。基板処理装置は,例えばウエハを搬送する搬送アームを旋回,進退自在に設けた搬送ロボットを備え,この搬送アームによってウエハが処理室に搬送される。一般に,処理室内にはウエハを載置する載置台が設けられ,この載置台と上記搬送アームとの間でウエハの受け渡しが行われる。
上記のようなウエハの受け渡しは,従来から載置台を貫通する複数の支持ピンを上下動させることによって,搬送アーム上のウエハを支持ピンで受け取って,載置台に載置させるものが知られている(例えば特許文献1参照)。また,搬送ロボットと載置台との間に回転腕を設け,この回転腕によって搬送ロボットのピンセット上のウエハを載置台へ移載するものもある(特許文献2参照)。
特開平6−97269号公報 特開平5−343500号公報 特開平8−8328号公報 特開2002−280287号公報
ところで,載置台上のウエハに対して適切な処理を施すためには,ウエハを水平方向の位置ずれがないように正確に載置台上に載置する必要がある。このため,従来はウエハに水平方向の位置ずれがあると,載置台上のウエハを搬送アームで取り出して,搬送アームや搬送ロボットで位置ずれを補正してから,もう一度載置台にウエハを置き直すようにしていた。
具体的には例えば特許文献1に示すような支持ピンを上下させてウエハの受け渡しを行うものにおいては,ウエハに位置ずれがあると,載置台上のウエハを支持ピンで持ち上げて,搬送アームを差し入れてウエハを受け取って取り出す。そして,搬送アームを動かしてウエハの位置を調整した上で,再び載置台にウエハを置き直すようにしていた。
また,特許文献2に示すような搬送ロボット自体にウエハの位置合わせ装置を設けたものにおいては,搬送ロボットのピンセット上でウエハの位置を補正した上で,回転腕によってウエハを載置台に移載する(特許文献2の図2,図3参照)。
しかしながら,上記のように搬送アームや搬送ロボットにて位置ずれを補正するものにおいては,その補正動作のために搬送アームや搬送ロボットは他の作業(例えば他のウエハの搬送作業)を行うことができなくなる。このため,ウエハ処理のスループットが低下するという問題があった。
この点,搬送アームを用いずに,載置台をXY方向に移動させることによってウエハの水平方向の位置ずれを補正するものも知られている。例えば特許文献3には,ウエハを載置台に載置したまま回転させて,CCDリニアセンサでウエハ外縁全周を検出することによってウエハの位置ずれを検出し,その位置ずれを載置台をXY方向に移動させることによって補正するものが記載されている。
また,例えば特許文献4には,処理室内に吊下げられた回転支持体(搬入アーム)でウエハを支持したまま,複数のCCDカメラでウエハの外縁を撮影し,その撮影結果に基づいてウエハの位置を検出し,その位置ずれを載置台をXY方向に移動させることによって補正するものが記載されている。
ところが,特許文献3に記載のものでは,ウエハの位置ずれを検出するために,ウエハリフトでウエハを載置台に下ろさなければならず,さらにウエハに位置ずれがあった場合にはそれを補正するために,ウエハリフトでウエハを持ち上げてから載置台をXY方向に移動した上で再びウエハを載置台に下ろさなければならない。このように,何度もウエハを上げ下ろししなければならないので,位置ずれ補正に時間がかかり,その分ウエハ処理のスループットが低下してしまう。
また,特許文献4に記載のものでは,例えばCCDカメラでウエハの外縁を検出できないほどウエハの位置ずれが大きい場合には,ウエハの位置ずれを検出できず,その位置ずれを載置台のXY駆動によって補正することができない。また,ウエハを支持する回転支持体(搬入アーム)自体はXY方向に移動しないので,回転支持体(搬入アーム)でXY方向の補正をすることもできない。
従って,このような場合には,搬送ロボットや搬送アームでウエハを取り出し,回転支持体(搬入アーム)に載せ直さなければならない。その間,上記のように搬送アームや搬送ロボットは他の作業(例えば他のウエハの搬送作業)を行うことができなくなるので,ウエハ処理のスループットが低下してしまう。
そこで,本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので,その目的は,搬送アームから基板を支持ピンで受け取った後は,搬送アームや搬送ロボットを使わずに,支持ピンで基板を水平方向に駆動させることにより,基板の位置ずれを素早く補正することができ,結果としてウエハ処理のスループットを向上させることができる基板受け渡し装置などを提供することにある。
上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,基板を搬送する搬送アームと前記基板を載置する載置台との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置であって,前記載置台の支持軸周りに離間して配設され,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させて,前記基板の上げ下ろしを行う上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させて,前記基板の水平方向の位置を調整する水平駆動手段とを備えることを特徴とする基板受け渡し装置が提供される。
このような発明によれば,支持ピンを水平方向(XY方向)に移動可能に構成したことにより,例えば搬送アームから基板を支持ピンで受け取った後は,搬送アームを使わずに,支持ピンで基板を支持したまま水平方向に駆動させることができる。これにより,基板の位置ずれを素早く補正することができる。また,搬送アームは支持ピンに基板を渡した後はすぐに他の作業を行うことができる。したがって,基板処理のスループットを向上させることができる。
また,上記載置台の近傍に,支持ピンで支持した前記基板の水平方向の位置を検出する基板位置検出手段を配設することが好ましい。これにより,支持ピンで基板を支持したまま,基板の水平方向の位置を検出して,位置ずれしているか否かを検出することができる。さらに,本発明によれば,載置台を水平方向に駆動させるのではなく,支持ピンを水平方向に駆動させるようにしたので,例えば基板の位置ずれが大きくて基板位置検出手段で検出できない場合でも,支持ピンで基板を持ち上げたまま,基板位置検出手段で検出できる位置まで支持ピンで基板を水平方向に移動させることができる。これにより,基板が大きく位置ずれしている場合でも,基板の位置を検出して位置ずれを素早く補正することができる。
なお,上記基板位置検出手段は,例えば前記基板の周縁部の少なくとも2箇所以上の位置を検出できるように構成することが好ましい。基板の周縁部の少なくとも2箇所の位置を検出できれば,例えば半導体ウエハのような円板状の基板であればその基板の中心位置を検出することができる。
また,基板の受け渡し処理を行う制御部を設け,例えば上下駆動手段により前記支持ピンを上昇させて前記搬送アームから前記基板を受け取ると,前記支持ピンで前記基板を支持した状態で,前記基板位置検出手段により前記基板の水平方向の位置を検出して,前記基板が位置ずれしていれば前記水平駆動手段により前記支持ピンを水平方向に駆動させて前記基板の位置ずれを補正した上で,前記上下駆動手段により前記支持ピンを下降させて前記基板を前記載置台上に載置させる受け渡し処理を実行させるようにしてもよい。
これによれば,支持ピンで前記基板を支持したままで,基板位置を検出して位置ずれ補正を素早く行うことができる。このため,従来のように例えば基板位置の検出や基板の位置ずれ補正のために搬送アームや支持ピンで載置台に基板を置き直す場合に比して,より高速で位置ずれ補正を行うことができる。これにより,基板処理のスループットを向上させることができる。
また,上記搬送アームから前記基板を受け取る際,前記支持ピンを上昇させた状態で,前記搬送アームを下降させて前記基板を受け取るようにしてもよい。これによれば,支持ピンを上昇させたまま基板を受け取ることができる。
また,上記複数の支持ピンを,例えば前記載置台の支持軸周りに前記載置台の径よりも内側に離間して配設し,前記載置台に形成された貫通孔を通して前記載置台の基板載置面から前記各支持ピンの先端が突没可能に構成する。このような構成によれば,基板の中心寄りのポイントを各支持ピンで支持することができるので,例えば載置台上の基板の端部に処理(例えば基板端部に付着した付着物の除去処理)を施す場合に,その処理の対象となる部位からできるだけ離れたポイントで基板を支持することができる。
また,上記載置台を支持軸周りに回転自在に構成した場合には,例えば前記載置台を回転させるときには,前記支持ピンの先端が前記載置台の底面よりも下側になるように前記支持ピンを下降させる。これにより,載置台を回転するときに貫通孔と支持ピンとが衝突しないようにすることができる。
また,上記基板受け渡し装置において,前記複数の支持ピンを前記載置台の支持軸周りに前記載置台の径よりも外側に離間して配設するようにしてもよい。この構成によれば,載置台に貫通孔を形成することなく基板を支持ピンで支持することができる。また,支持ピンの水平方向への移動量が貫通孔に制限されないため,より大きく基板を水平移動させることができる。従って,一度に基板を水平方向に移動させる移動量を大きくとることができる。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,処理室内に配設された載置台上に基板を載置して所定の処理を行う基板処理装置であって,前記処理室内に前記基板を搬出入する搬送アームと前記載置台との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置を前記載置台近傍に配置し,前記基板受け渡し装置は,前記載置台の支持軸周りに離間して配設され,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させて,前記基板の上げ下ろしを行う上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させて,前記基板の水平方向の位置を調整する水平駆動手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
このような発明によれば,搬送アームを使わずに,支持ピンで基板を水平方向に移動させて位置ずれを素早く補正することができる。このため,搬送アームは,基板受け渡し装置に基板を渡した後はすぐに他の作業を行うことができる。したがって,基板処理のスループットを向上させることができる。また,基板を位置ずれなく載置台に載置することができるため,基板に対して安定的に所定の処理を施すことができる。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,基板に所定の処理を施す複数の処理室を備え,前記基板を搬送アームで各処理室を順番に搬送しながら基板に連続して処理を行う基板処理装置であって,前記処理室の少なくとも1つは,他の処理室でプロセス処理を行った基板を搬送して後処理を行う後処理室とし,前記後処理室は,その内部に設けられた載置台と前記搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置を備え,前記基板受け渡し装置は,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させて,前記基板の上げ下ろしを行う上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させて,前記基板の水平方向の位置を調整する水平駆動手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
このような後処理室に搬送される基板は,他の処理室を経由して搬送アームによる搬出入が繰り返されているため,大きく位置ずれしている蓋然性が高い。この点,本発明にかかる基板受け渡し装置によれば,基板の位置ずれが大きい場合であっても,従来のように基板を取り出して入れ直したり,また載置台に置き直したりすることなく,支持ピンで基板を支持したまま水平方向に駆動することによってその位置ずれを素早く正確に補正することができる。従って,このような後処理室に本発明にかかる基板受け渡し装置を適用する効果は大きい。
また,上記後処理室は,前記基板の周縁部に付着した付着物を除去する洗浄処理室であってもよい。またこの場合,前記基板受け渡し装置の複数の支持ピンを,前記載置台の支持軸周りに前記載置台の径よりも内側に離間して配設し,前記載置台に形成された貫通孔を通して前記載置台の基板載置面から前記支持ピンの先端が突没可能にすることが好ましい。これによれば,基板裏面において中心寄りのポイントを各支持ピンで支持することができる。このため,各支持ピンに妨げられることなく基板の周縁部に付着した付着物を除去することができる。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,基板を搬送する搬送アームと前記基板を載置する載置台との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置による受け渡し方法であって,前記基板受け渡し装置は,前記載置台の支持軸周りに離間して配設され,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させる上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させる水平駆動手段と,前記基板の水平方向の位置を検出する基板位置検出手段とを備え,前記上下駆動手段により前記支持ピンを上昇させて,前記搬送アームから前記基板を受け取る工程と,受け取った前記基板の水平方向の位置を,前記支持ピンで前記基板を支持したままの状態で,前記基板位置検出手段により検出する工程と,
前記基板位置検出手段により検出された基板の位置に基づいて,その基板が所定の基準位置から位置ずれしているか否かを判断する工程と,前記判断工程において前記基板が位置ずれしていないと判断した場合は,前記上下駆動手段により前記支持ピンを下降させて前記載置台上に載置させる工程と,前記判断工程において前記基板が位置ずれしていると判断した場合は,前記支持ピンを前記水平駆動手段により水平方向に駆動させて前記基板の位置ずれを補正した上で,前記上下駆動手段により前記支持ピンを下降させて前記載置台上に載置させる工程とを有することを特徴とする基板受け渡し方法が提供される。
このような発明によれば,搬送アームから基板を支持ピンで受け取った後は,基板に位置ずれがあったとしても,搬送アームを使わずに,支持ピンで基板を支持したまま水平方向に駆動させることにより,基板の位置ずれを素早く補正することができる。また,搬送アームは支持ピンに基板を渡した後はすぐに他の作業を行うことができる。したがって,基板処理のスループットを向上させることができる。
また,上記搬送アームから前記基板を受け取る工程では,前記支持ピンを上昇させた状態で,前記搬送アームを下降させて前記基板を受け取るようにしてもよい。これによれば,支持ピンを上昇させたまま基板を受け取ることができる。
また,上記基板の位置を検出する工程は,前記基板位置検出手段で基板を検出できない場合には,前記支持ピンを水平方向に駆動させることによって,前記基板を前記基板位置検出手段で検出できるまで移動させるようにしてもよい。これによれば,支持ピンで受け取ったときの基板の位置ずれが大きいために,基板位置検出手段で基板を検出できなくても,支持ピンでそのまま基板を移動させることができるので,基板位置検出手段で基板の位置を検出できるようにすることができる。これにより,基板を載置台に置き直すことなく,位置ずれを補正することができる。
本発明によれば,搬送アームを使わずに,基板受け渡し装置で基板を水平方向に移動させて位置ずれを補正することができるため,搬送アームは基板受け渡し装置に基板を渡した後はすぐに他の作業(例えば他の基板の搬送作業)を行うことができる。しかも,基板を載置台に載置させる前に基板の位置ずれを補正することができるので,基板の位置ずれを素早く補正することができる。このため,基板処理のスループットを向上させることができる。
以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書および図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
(基板受け渡し装置)
まず,本発明の実施形態にかかる基板受け渡し装置について図面を参照しながら説明する。図1は各装置の設置例を説明するための斜視図であり,図2は図1に示す各装置の側面を示す図である。本実施形態では,図示しない搬送アームと載置台112との間で基板例えば半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」とも称する)Wを受け渡しする基板受け渡し装置130についての実施形態について説明する。
図1,図2に示すように,ウエハWを載置する載置台112を備える載置台ユニット110の近傍に,本実施形態にかかる基板受け渡し装置(リフタユニット)130が配設される。また,載置台ユニット110の近傍にはウエハWの位置を検出する基板位置検出ユニット150が配設されている。
載置台112は,例えば図1に示すようにウエハWの径よりも小さい円板状に形成されている。ウエハWは載置台112の上側の載置面に載置される。載置台112は,支持軸114によって例えば処理室内の底面にボルトなどの締結部材で取り付けられている。なお,載置台112は回転するように構成してもよい。載置台112を回転するように構成する場合には,例えば支持軸114の内部に例えばステッピングモータを設け,このステッピングモータの駆動によって載置台112を回転させる。また,載置台112には,その載置面上のウエハWを例えばバキュームチャック機能によって吸着保持するようにしてもよい。これによって,載置台112が高速回転しても,載置台112からのウエハWの脱落を防止できる。載置台ユニット110は,図2に示すように制御部200に接続されており,この制御部200からの制御信号に基づいて載置台112が回転制御されるようになっている。
ここで,基板受け渡し装置130の構成について図1,図3を参照しながら詳細に説明する。図3は,図1から基板受け渡し装置のみを取り出して図示したものである。なお,図3では基板受け渡し装置の構成を分りやすくするため,載置台112を省略して載置台112の支持軸114のみを2点鎖線で示している。
図3に示すように,基板受け渡し装置130は,図示しない搬送アームと載置台112との間でウエハWの受け渡しする際に,ウエハWを支持する複数(例えば3つ)の支持ピン(リフタピン)132A〜132Cを備える。これらの支持ピン132A〜132Cは図3に示すように載置台112の支持軸114周りに離間して配設される。支持ピン132A〜132Cは例えばウエハWを安定して支持できるように支持軸114周りに等間隔で配置することが好ましい。また,支持ピンの数は,3つに限られるものではないが,ウエハを安定して支持できるように少なくとも3つ以上であることが好ましい。
支持ピン132A〜132Cは,基台(リフタベース)134に立設され,この基台134を介してすべての支持ピン132A〜132Cを一斉に上下方向又は水平方向に移動できるようになっている。基台134は,例えば図3に示すように略リング形状に形成された取付板135と,取付板135を支持する支持板136によって構成される。取付板135にはその上部にリング形状に沿って所定の間隔(例えば等間隔)で各支持ピン132A〜132Cが取り付けられ,支持板136は後述する支持ピン駆動機構138のX方向駆動手段138Xを構成するステージに取り付けられている。
なお,取付板135のリング状の一部には,支持軸114の側面から取付板135を挿入できる程度の開口部が設けられている。これにより,支持軸114が処理室の底面に固定した後でも,取付板135をその開口部から支持軸114に挿入させて支持軸114周りに支持ピン132A〜132Cが配置するように基板受け渡し装置130を設置することができる。
基台134は,支持ピン132A〜132Cを上下方向のみならず,水平方向にも駆動可能な支持ピン駆動機構138に取り付けられている。具体的には例えば支持ピン駆動機構138は,基台134を介して支持ピン132A〜132CをX方向に駆動させることができるX方向駆動手段138Xと,Y方向に駆動させることができるY方向駆動手段138Yを備える。X方向駆動手段138Xは例えばX方向にリニア駆動可能なステージで構成し,Y方向駆動手段138Yは例えばX方向とは垂直のY方向にX方向駆動手段をリニア駆動可能なステージで構成するようにしてもよい。なお,これらX方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yは,水平方向(XY方向)駆動手段を構成する。
また,支持ピン駆動機構138は,基台134を介して支持ピン132A〜132CをZ方向(上下方向)に駆動可能な上下方向駆動手段としてのZ方向駆動手段138Zを備える。Z方向駆動手段138ZはX方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yを例えばリニア駆動可能なステージで上下駆動させるように構成してもよい。
これら各駆動手段138X,138Y,138Zのアクチュエータとしては,例えばリニアアクチュエータを用いることが好ましい。リニアアクチュエータを採用すれば,数μmまたはそれ以下の繰り返し位置決め精度が得られ,かつ高速に各ステージを推進することができる。なお,リニアアクチュエータ以外にも,例えばボールネジとステッピングモータの組み合わせ機構によって各ステージを駆動するように構成してもよい。なお,基板受け渡し装置130は,図2に示すように制御部200に接続されており,この制御部200からの制御信号に基づいて各駆動手段138X,138Y,138Zが駆動制御されるようになっている。
このような支持ピン駆動機構138によれば,Z方向駆動手段138Zで支持ピン132A〜132Cを基台134を介して上下駆動させることにより,搬送アーム又は載置台112に対するウエハWの上げ下ろしを行うことができる。また,X方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yにより,支持ピン132A〜132Cを基台134を介して水平方向(XY方向)に駆動させて,支持ピン132A〜132Cの上にウエハWを載せたまま,水平方向の位置を調整することができる。
これにより,搬送アームからウエハWを支持ピン132A〜132Cで受け取った後は,搬送アームや搬送ロボットを使わずに,支持ピン132A〜132Cの上にウエハWを載せたまま水平方向に動かすだけでウエハの位置ずれを補正することができ,結果としてウエハ処理のスループットを向上させることができる。
ところで,図1に示すような比較的大きな径の載置台112でウエハの受け渡しを行う場合には,各支持ピン132A〜132Cを載置台112の径よりも内側に配設する。そして,載置台112に形成された貫通孔を通して載置台112の載置面から各支持ピン132A〜132Cの先端が突没するように構成する。例えば図1に示すように載置台112に支持ピン132A〜132Cをそれぞれ通す貫通孔113A〜113Cを形成する。
これによれば,Z方向駆動手段138Zにより支持ピン132A〜132Cを上下駆動することによって,各支持ピン132A〜132Cの先端が貫通孔113A〜113Cを突没可能に昇降させることができる。またX方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yにより支持ピン132A〜132Cを水平駆動(XY駆動)することによって,各支持ピン132A〜132Cの先端が各貫通孔113A〜113C内を通して載置台112の載置面から突き出したまま,各貫通孔113A〜113C内を水平移動(XY移動)させることができる。
このような構成によればウエハの中心寄りのポイントを各支持ピン132A〜132Cで支持することができるので,例えば載置台112上のウエハの端部に処理(例えば後述する洗浄処理)を施す場合に,その処理の対象となる部位からできるだけ離れたポイントでウエハを支持することができる。
なお,このような各貫通孔113A〜113Cの開口径は,例えば支持ピン132A〜132Cの径と水平方向への移動量(例えば水平方向の位置決め可能範囲)に応じて設定することが好ましい。各貫通孔113A〜113Cは,例えば直径10〜20mmで形成される。
また,載置台112が回転可能に構成される場合,載置台112を回転させるときには,支持ピン132A〜132Cの先端が載置台112の底面よりも下側になるように支持ピン132A〜132Cを下降することにより,載置台112を回転するときに貫通孔113A〜113Cと支持ピン132A〜132Cとが衝突しないようにすることができる。
また,本実施形態では,載置台の各貫通孔に支持ピンを1つずつ挿入するようにした場合について説明したが,必ずしもこれに限定されるものではなく,支持ピンの数を多くする場合には,載置台の複数の貫通孔に複数の支持ピンをそれぞれ挿入するようにしてもよい。
(基板位置検出手段)
ここで,基板位置検出手段を備える基板位置検出ユニットについて図1,図4を参照しながら説明する。図4は基板位置検出手段の構成を説明するための斜視図である。図4では,基板位置検出手段の構成を説明し易くするために,図1に示す取付台156や載置台112を省略している。
基板位置検出ユニット150は,ウエハWの水平方向の位置を検出するための基板位置検出手段を備える。基板位置検出手段は,例えば図4に示すようにウエハWの周縁部を検出する複数(ここでは3つ)の撮像手段152A〜152Cと,これら撮像手段152A〜152Cにそれぞれ対向して配置される照明用光源154A〜154Cにより構成される。
撮像手段152A〜152Cとしては,例えばCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ,焦点調整用のレンズなどを設けたCCDカメラにより構成される。また,照明用光源154A〜154Cとしては,例えばLEDユニットにより構成される。なお,照明用光源154A〜154Cは,光の放出面に拡散板を備えており,これによって光の放出面全体にわたり光の強度を均一化できるようになっている。
基板位置検出手段を構成する撮像手段152A〜152C及び照明用光源154A〜154Cは例えば図1に示すような起立した取付台156に取り付けられる。取付台156には,その上部から水平に張り出したブラケット157と,このブラケット157の下方に水平に張り出したブラケット158を備える。上方のブラケット157には撮像手段152A〜152Cが取り付けられ,下方のブラケット157には照明用光源154A〜154Cが取り付けられる。こうして,撮像手段152A〜152Cと照明用光源154A〜154Cとは,ウエハWの上下にウエハWの周縁部を挟むように配設される。
図4に示すように,各照明用光源154A〜154Cの光軸はそれぞれ,各撮像手段152A〜152Cの受光面に向かうように調整される。また,支持ピン132A〜132Cを載置台112の載置面よりも上側に上昇させて,搬送アームからウエハWを受取ったときのウエハWの高さを受け取り高さとし,ウエハWの中心と載置台の中心とが一致するときのウエハWの位置(図4に示す2点鎖線で示すウエハの位置)を水平方向の基準位置Wstとすれば,各撮像手段152A〜152Cはそれぞれ,受け取り高さにある基準位置Wstのウエハの周縁部に焦点が合うように調整される。さらに基準位置Wstのウエハの周縁部を検出できる部位が各撮像手段152A〜152Cの測定視野153A〜153Cになるように調整される。
具体的には,各撮像手段152A〜152Cの測定視野153A〜153Cは,例えば後述する図5Aに示すように基準位置Wstのウエハの周縁部に沿って等間隔に並ぶようになっている。例えば基準位置Wstのウエハの中心から見た角度を考えると,ここでは測定視野153Aから153Bまでの角度と測定視野153Bから153Cまでの角度をそれぞれ45度(deg)とし,測定視野153Aから153Cまでの角度を90度(deg)となるようにしている。このような測定視野153A〜153Cの角度は,上記のものに限られるものではなく,各撮像手段152A〜152Cの取付位置を調整することによって自由に変えることができる。
各撮像手段152A〜152Cは,図2に示すように制御部200に接続されており,各撮像手段152A〜152Cで撮像された画像のデータは,基板受け渡し装置130などの各部を制御する制御部200に送信される。制御部200は,各撮像手段152A〜152Cで撮像された測定視野153A〜153Cの出力画像データに基づいてウエハWの周縁部を検出するようになっている。
例えば測定視野153AにウエハWの周縁部が入ると,測定視野153Aのうち,ウエハWが存在する領域は,照明用光源154Aからの光が遮られて暗くなり,それ以外の部分は明るくなる。これにより,測定視野153AでウエハWの周縁部の有無を検出することができる。従って,この状態を周縁部有り状態(グレー状態)として,後述する測定視野のすべてが明るい状態(白状態),測定視野のすべてが暗い状態(黒状態)と区別する。
また,上述の例で測定視野153Aにおける明るい領域と暗い領域の境界がウエハWの周縁部の形状(例えば本実施形態のような円板状のウエハの場合には円弧形状)になるので,測定視野153Aの出力画像からウエハWの周縁部の形状を検出することができる。
こうして検出されたウエハWの周縁部の形状に基づいて,制御部200はウエハWの中心位置を算出する。そして,載置台112の中心(載置台112が回転する場合は回転中心)からのウエハWの水平方向の位置ずれ量および位置ずれ方向を求める。この位置ずれ量および位置ずれ方向に応じてX方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yを駆動して支持ピン132A〜132Cを水平方向に駆動させることによって,ウエハWの水平方向の位置を調整することができる。
なお,ウエハWの水平方向の位置ずれは,上記の他,ウエハWが上記の基準位置Wstにあるときの測定視野153A〜153Cの出力画像データを基準画像データとして予め記憶しておき,ウエハ位置を検出するために得られた測定視野153A〜153Cの出力画像データを基準画像データと比較して判断するようにしてもよい。例えばウエハWが基準位置Wstからずれていて測定視野153Aの出力画像データにおけるウエハWの周縁部の位置がずれているとする。このとき,例えば測定視野153Aの出力画像データの明るい領域と暗い領域の割合(明暗割合)は,ウエハWが基準位置Wstからずれている場合と,ウエハWが基準位置Wstにある場合とでは相違する。従って,対象となるウエハWについての明暗割合を,基準位置Wstにあるウエハについての明暗割合と比較することによってウエハWの位置ずれを検出することができ,明暗割合に応じて位置ずれ量と位置ずれ方向を求めることができる。
この場合,測定視野153Aの明暗割合が基準位置Wstの場合の割合と同じになるように,位置ずれ量と位置ずれ方向に応じて支持ピン132A〜132Cを水平方向に駆動して,ウエハWの水平方向の位置を調整することができる。
さらに,ウエハWの水平方向の位置ずれは,上記の他,予めウエハWが位置ずれしていない場合のウエハWの周縁形状のパターン(基準パターン)を記憶手段に記憶しておき,実際に検出されたウエハWの周縁形状のパターンと上記基準パターンを比較することによって,ウエハWの位置ずれの有無を判断し,ウエハWの周縁形状のパターンと上記基準パターンとの相違に基づいて位置ずれ方向およびその量を算出するようにしてもよい。
ところで,本実施形態にかかる基板受け渡し装置130のようにウエハWを支持ピンを上昇させて受け取る場合には,上方からウエハWの端部を引っかけて吊り上げる受け渡しアームのようにアーム上でウエハWの位置が規制されるような受け渡し部材で受け取る場合に比して,ウエハWの位置ずれが大きい場合がある。
例えばいずれの測定視野153A〜153Cの出力画像データにもウエハWの周縁部が存在しないほど大きく位置ずれすることもある。具体的には測定視野によっては,全部が明るい領域になったり(この場合は測定視野が白状態(又は明状態)と判定),全部が暗い領域になったり(この場合は測定視野が黒状態(又は暗状態)と判定)して,ウエハWの周縁部を検出できない。これでは,ウエハWの位置を検出できないので位置ずれの程度もわからず,ウエハの位置ずれを補正することができない。
ここで,このような測定視野の白黒判定(明暗判定)とウエハ位置との関係について説明する。例えばある測定視野が白状態と判定された場合(測定視野全部が明るい領域の場合)には,その測定視野にはウエハWが存在しないことになる。このとき支持ピン132A〜132C上にウエハWが存在する場合には,ウエハWの中心はその測定視野から基準位置Wstのウエハの中心(基準となる中心)へ向けて大きく位置ずれしている蓋然性が高い。また,ある測定視野が黒状態と判定された場合(測定視野全部が暗い領域の場合)には,その測定視野にはウエハWが存在するものの,ウエハWの中心は基準位置Wstのウエハの中心からその測定視野へ向けて大きく位置ずれしている蓋然性が高い。
従って,ある測定視野が白状態と判定された場合には,その測定視野から基準位置Wstのウエハの中心へ向けて近づけるように支持ピン132A〜132Cを水平移動させてウエハWの位置ずれを補正できる。また,ある測定視野が黒状態と判定された場合には,基準位置Wstのウエハの中心からその測定視野へ向けて遠ざけるように支持ピン132A〜132Cを水平移動させてウエハWの位置ずれを補正できる。さらに,複数の測定視野で白黒判定があった場合には,それらの組合せによって位置ずれしている方向を推測できる。従って,これらの白黒判定の組合せに応じて位置ずれ調整方向を決定することにより,ウエハの位置ずれを調整することができる。これにより,ウエハの位置が検出できなくても,おおよそ位置ずれが補正される方向へウエハの位置を調整することができる。
例えば図5Aに示すように,測定視野153A〜153Cのすべてが白状態と判定された場合には,ウエハWの中心はすべての測定視野153A〜153Cから遠ざかる方向(ここではY軸のプラス方向)へ大きく位置ずれしている。この場合には,ウエハWの中心がすべての測定視野153A〜153Cに近づく方向,すなわち基準位置Wstのウエハの中心から各測定視野153A〜153Cまでのそれぞれの向き(方向ベクトル)を合成した方向(ここではY軸のマイナス方向)に支持ピン132A〜132Cを水平移動させることにより,図5Bに示すようにウエハWの位置ずれを補正することができる。なお,図示はしないが,測定視野153A〜153Cのすべてが黒状態と判定された場合には,ウエハWの中心がすべての測定視野153A〜153Cから遠ざかる方向,すなわち各測定視野153A〜153Cから基準位置Wstのウエハの中心までのそれぞれの向きを合成した方向(ここではY軸のプラス方向)に支持ピン132A〜132Cを水平移動させることにより,ウエハの位置ずれを補正することができる。
例えば図6Aに示すように,測定視野153AではウエハWの周縁部を検出できるものの,測定視野153B,153CではウエハWの周縁部を検出できず,白状態と判定された場合には,ウエハWの中心は測定視野153B及び153Cから遠ざかる方向へ大きく位置ずれしている。この場合には,ウエハWの中心は測定視野153B,153Cから遠ざかる方向,すなわち基準位置Wstのウエハの中心から各測定視野153B,153Cまでのそれぞれの向きを合成した方向に支持ピン132A〜132Cを水平移動させることにより,図6Bに示すようにウエハWの位置ずれを補正することができる。
例えば図7Aに示すように,測定視野153BではウエハWの周縁部を検出できるものの,測定視野153A,153CについてはウエハWの周縁部を検出できず,測定視野153Aでは黒状態と判定されるとともに,測定視野153Cでは白状態と判定された場合には,ウエハWの中心は測定視野153Aに近づく方向であって測定視野153Cから遠ざかる方向(ここではX軸のマイナス方向)へ大きく位置ずれしている。この場合には,ウエハWの中心は測定視野153Aから遠ざかる方向であって測定視野153Cに近づく方向,すなわち測定視野153Aから基準位置Wstのウエハの中心までの向きと,基準位置Wstのウエハの中心から測定視野153Cまでの向きをそれぞれ合成した方向(ここではX軸のプラス方向)に支持ピン132A〜132Cを水平移動させることにより,図7Bに示すようにウエハWの位置ずれを補正することができる。
このように,測定視野の白黒判定に応じてウエハの位置ずれを検出してその補正を行うことにより,ウエハWの周縁部を検出できないほど大きく位置ずれしていた場合であっても,ウエハの位置ずれを補正することができる。なお,白黒判定によって得られる位置ずれ補正方向にウエハWを所定量ずつ移動させて,測定視野153A〜153CのすべてにウエハWの周縁部が入った時点で,ウエハWの周縁部を検出してウエハの中心位置を求めて,ウエハ位置を検出するようにしてもよい。これにより,ウエハWが大きく位置ずれしていた場合あっても,ウエハWの位置をより正確に検出することができる。
上述したような載置台ユニット110,基板受け渡し装置130,基板位置検出ユニット150の各部は制御部200により制御される。制御部200は,例えば制御部本体を構成するCPU(Central Processing Unit),CPUが処理を行うために必要なデータを記憶するROM(Read Only Memory),CPUが行う各種データ処理のために使用されるメモリエリアなどを設けたRAM(Random Access Memory),CPUが各部を制御するためのプログラムや各種データを記憶するハードディスク(HDD)又はメモリ等の記憶手段などにより構成される。
(ウエハ受け渡し処理)
次に,上述した基板受け渡し装置によって行われるウエハの受け渡し処理の具体例について図面を参照しながら説明する。制御部200は記憶手段から読出した所定のプログラムに基づいて基板受け渡し装置130,基板位置検出ユニット150の各部を制御して受け渡し処理を実行する。図8は,搬送アーム上のウエハを受け取って載置台に載置させる際の受け渡し処理の具体例を示すフローチャートである。また,図9A〜図9Eは,ウエハの受け渡し処理における基板受け渡し装置130の動作例を説明するための作用説明図である。なお,図9A〜図9Eにおいて,CwはウエハWの中心を示し,Ctは上述した基準位置Wstのウエハの中心を示す。
搬送アームTA上のウエハWを載置台112に受け渡す際には,図8に示すように,まずステップS110にて支持ピン132A〜132Cを上昇させて搬送アームTA上のウエハWを受け取る。具体的には図9Aに示すように,ウエハWを載せた搬送アームTAが載置台112の上側に差し入れられると,Z方向駆動手段138Zを駆動させて支持ピン132A〜132Cを所定のウエハWの受け取り高さまでZ(鉛直)方向に上昇させる。すると,各支持ピン132A〜132Cの先端は,それぞれ各貫通孔113A〜113Cを通って載置台112の載置面から上方へ突出し,さらに上昇して図9Bに示すように搬送アームTA上のウエハWを持ち上げる。こうして,支持ピン132A〜132Cの先端でウエハWを受け取ると,搬送アームTAは,図9Bに示すように載置台112の上側から引き抜かれて図9Cに示すようになる。
このように,本実施形態では支持ピン132A〜132Cで搬送アームTAからウエハWを受け取る際,支持ピン132A〜132Cの方を上昇させて受け取るようにしているが,必ずしもこれに限定されるものではない。例えば搬送アームTAが昇降可能に構成されている場合には,搬送アームTAの方を下降させて支持ピン132A〜132Cの先端にウエハWを下ろすようにしてもよい。この場合には,先ずZ方向駆動手段138Zを駆動させて支持ピン132A〜132CをZ軸方向に上昇させた状態で,ウエハWを載せた搬送アームTAを載置台112の上側に差し入れる。そして,搬送アームTAの方を下降させて支持ピン132A〜132Cで受け取る。これによれば,支持ピン132A〜132Cを上昇させたままウエハWを受け取ることができる。
なお,図9Aに示すように載置台112の上側に搬送アームTAで差し入れられたときに,ウエハWの水平方向の位置ずれ(ここでは基準位置Wstのウエハの中心(基準となる中心)Ctに対するウエハWの中心Cwの位置ずれ)が生じていると,そのままウエハWを支持ピン132A〜132Cで上方に持ち上げることになる。
このようなウエハWの位置ずれは,以降のウエハの位置決め処理(ステップS120〜ステップS140)によって支持ピン132A〜132CでウエハWを支持したまま,ウエハWの水平方向の位置ずれを検出し,支持ピン132A〜132Cを水平方向へ移動させることによって補正する。これにより,搬送アームTAは,ウエハを支持ピンに渡した後は,すぐに次の作業(例えば他のウエハを搬送する作業)を開始することができるので,ウエハ処理のスループットを向上させることができる。
このようなウエハの位置決め処理では,先ずステップS120にて基板位置検出ユニット150によってウエハWの位置を検出する。ここでは,ウエハWを各支持ピン132A〜132Cで支持したままウエハWの水平方向の位置を検出する。具体的には上述したように,照明用光源154A〜154Cを発光させて撮像手段152A〜152Cで撮像して得られた測定視野153A〜153Cの出力画像データに基づいてウエハWの位置を検出する。例えば出力画像データにより検出されたウエハWの周縁部の形状からウエハWの中心をウエハWの位置として検出する。
次にステップS130にてウエハWに位置ずれがあるか否かを判断する。具体的には,検出されたウエハWの位置に基づいて,ウエハWの水平方向の位置ずれ量を求め,位置ずれ量が所定の許容位置ずれ範囲内にある場合には位置ずれなしと判断し,位置ずれ量が所定の許容位置ずれ範囲を超える場合には位置ずれありと判断する。
例えばウエハWの中心をウエハWの位置として検出する場合には,そのウエハWの中心と基準位置Wstのウエハの中心(基準となる中心)とのずれ量をウエハWの位置ずれ量として算出する。なお,ウエハWの位置ずれ量の算出はこれに限られるものではなく,例えば上述したように明るい領域と暗い領域との割合(明暗割合)を,ウエハWが基準位置Wstにある場合の明暗割合と比較して位置ずれ量を算出してもよく,またウエハ周縁部形状のパターンを基準位置Wstのパターンと比較して位置ずれ量を算出してもよい。
ステップS130にてウエハWに位置ずれがないと判断した場合には,ステップS150にてそのまま支持ピン132A〜132Cを下降させてウエハWを載置台112に載置させる。これに対して,ウエハWに位置ずれがあると判断した場合には,ステップS140にて,X方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yを駆動させることによって支持ピン132A〜132Cを水平方向へ移動させてウエハWの位置を補正する。例えば図9Cに示すようにウエハWがX軸のマイナス方向にずれている場合には,X方向駆動手段138Xのみを駆動して支持ピン132A〜132CをX軸のプラス方向へ移動させる。これによって,図9Dに示すようにウエハWの中心Cwと基準位置Wstのウエハの中心Ctとが一致するようにウエハWを位置決めすることができる。
なお,ウエハWの位置を補正する場合には,予めウエハWの位置ずれ量及び位置ずれ方向を算出してから,ウエハWの位置ずれ量及び位置ずれ方向に応じて支持ピン132A〜132Cの水平方向への移動させるようにしてもよく,また支持ピン132A〜132Cを水平方向に所定量ずつ移動させて,その都度撮像手段152A〜152CによってウエハWの位置を検出して確認しながら,ウエハWを基準位置まで移動させるようにしてもよい。
こうして,ウエハWの位置決め処理(ステップS120〜ステップS140)が終了すると,ステップS150にて支持ピン132A〜132Cを下降させてウエハWを載置台112上に載置させる。具体的には図9Dに示すように,Z方向駆動手段138Zを駆動させて支持ピン132A〜132Cを下降させて,ウエハWを載置台112上に下ろす。これにより,図9Eに示すように,水平方向の位置が補正されたウエハWが載置台112上に載置される。こうしてウエハWの受け渡し処理が終了する。
なお,支持ピン132A〜132Cを下降させる場合には,その先端を貫通孔113A〜113Cを介して載置台112の下面よりも下側まで待避させることが好ましい。これにより,例えば載置台112が回転する場合に支持ピン132A〜132Cが干渉することを防止できる。
また,図8に示すステップS120において,測定視野153A〜153Cの出力画像データからウエハWの周縁部が検出できないほどウエハWが位置ずれしている場合には,ステップS140にて,上述したような各測定視野153A〜153Cの白黒判定の組合せに応じて位置ずれ補正方向を決定して,ウエハの位置ずれを補正するようにしてもよい。これによれば,ウエハWの周縁部を検出できないほど大きく位置ずれしていた場合であっても,ウエハの位置ずれを補正することができる。また,これに限られず,例えばステップS120にて白黒判定による位置ずれ補正方向に測定視野153A〜153CのすべてにウエハWの周縁部が入るまで所定量ずつウエハWを移動させた上で,ウエハWの周縁部を検出して以降の処理を行うようにしてもよい。
また,図8に示す処理では,本実施形態にかかる基板受け渡し装置130を利用してウエハWを搬送アームTAから載置台112に受け渡す場合について説明したが,基板受け渡し装置130を利用してウエハWを載置台112から搬送アームTAに受け渡す場合においても,載置台112上のウエハWを支持ピン132A〜132Cで持ち上げて受け取ると,そのままウエハWの位置を検出し,ウエハWの位置を補正してから搬送アームTAに渡すようにしてもよい。こうすることにより,例えばウエハWが支持ピン132A〜132Cの水平方向へ移動させても補正できないほど大きくずれている場合に,少なくとも搬送アームTAでウエハWを取り出し可能な位置までウエハWを移動させることができる。
以上のように,本実施形態によれば,支持ピン132A〜132Cを水平方向(XY方向)に移動可能に構成したことにより,例えば搬送アームTAからウエハWを支持ピン132A〜132Cで受け取った後は,搬送アームTAを使わずに,支持ピン132A〜132CでウエハWを支持したまま水平方向に駆動させることができる。これにより,ウエハWの位置ずれを素早く補正することができる。また,搬送アームTAは支持ピン132A〜132Cにウエハを渡した後はすぐに他の作業(例えば他のウエハの搬送動作)を行うことができる。したがって,ウエハ処理のスループットを向上させることができる。
また,ウエハWの水平方向への位置決めは,高分解能を有し高速動作可能なX方向駆動手段138XとY方向駆動手段138Yによって行われるため,短時間のうちに,ウエハWを載置台112の載置面の正確な位置(基準位置)に載置することができる。したがって,さらにウエハ処理のスループットを向上させることができるとともに,載置台112のウエハ載置面に載置されたウエハWに対する処理を確実に精度よく行うことができる。
また,本実施形態にかかる基板受け渡し装置130は,載置台ユニット110とは別体で構成としているので,簡単な構成にすることができる。また,処理室内への設置の自由度も高くなるので,様々な処理室に適用可能となる。さらに,載置台112が回転する場合には,載置台ユニット110と基板受け渡し装置130を別体にすることにより,載置台112を高速回転させることができる。また,基板受け渡し装置130についても,X方向駆動手段138XとY方向駆動手段138Yで支持ピン132A〜132Cを水平方向に駆動する構成を採ることができるので,高精度でウエハWの位置補正を行うことができる。
さらに,本実施形態にかかる基板受け渡し装置130は,載置台を水平方向に駆動させて位置ずれを補正するのではなく,支持ピン132A〜132Cを水平方向に駆動させて位置ずれを補正するようにしたので,例えばウエハWの位置ずれが大きくて基板位置検出ユニット150で検出できない場合でも,支持ピン132A〜132CでウエハWを持ち上げたまま,基板位置検出ユニット150で検出できる位置まで支持ピン132A〜132CでウエハWを水平方向に移動させることができる。これにより,ウエハWが大きく位置ずれしている場合でも,ウエハWの位置を検出して位置ずれを素早く補正することができる。
ところで,ウエハWの位置合わせには,例えばウエハWのオリエンテーションフラットやノッチなどを検出する方法を用いる場合がある。この方法によれば,ウエハWを少なくとも1回転させる必要がある。これに対して,本実施形態によれば,撮像手段152A〜152Cを用いてウエハWの水平方向の位置ずれを検出するため,ウエハWを回転させる必要がない。したがって,位置ずれ検出の所要時間はきわめて短くなる。この結果,ウエハ処理のスループットが向上する。
また,本実施形態によれば,搬送アームTAから支持ピン132A〜132CにウエハWが渡された後,ウエハWを載置台112のウエハ載置面に載置する前にすぐにウエハWの水平方向の位置決め処理を行うことができるので,位置決め処理が完了するまでにかかる時間が短くなる。この結果,ウエハ処理のスループットが向上する。
また,上記実施形態にかかる基板受け渡し装置130では,支持ピン132A〜132Cは,Z方向駆動手段138Zにより貫通孔113A〜113Cを各支持ピン132A〜132Cの先端が突没可能に上下駆動させることができ,また各貫通孔113A〜113Cを通して載置台112の載置面から各支持ピン132A〜132Cの先端が突き出したまま,各貫通孔113A〜113Cの中をX方向駆動手段138X及びY方向駆動手段138Yにより水平駆動させることができるように構成されているが,本発明はこのような構成に限定されるものではない。
例えば図10に示す基板受け渡し装置130のように,各支持ピン132A〜132Cを載置台116の支持軸114周りに載置台116の径よりも外側に離間して配設するようにしてもよい。これによれば,載置台116に各支持ピン132A〜132Cを通すための貫通孔113A〜113Cを設ける必要がなくなる。また,貫通孔113A〜113Cの径に制限されることなく支持ピン132A〜132Cを大きく水平移動させることが可能となる。従って,ウエハWの位置ずれ補正や位置調整を行う際に,ウエハWの1回分の移動量を大きくとることができる。
なお,図10に示すように載置台116よりも外側に支持ピン132A〜132Cを配置する構成では,各支持ピンは載置台の径が大きいほどウエハWの端部近傍に配置されることになる。このため,ウエハWの端部に処理を行うような処理室(例えば洗浄処理室400)に適用する場合には,図1に示すような載置台よりも内側に支持ピン132A〜132Cを配置する構成を採ることが好ましい。
また,本実施形態では,3つの撮像手段152A〜152Cを用いてウエハWの水平方向の位置ずれを検出する場合について説明したが,必ずしもこれに限定されるものではなく,1つ又は2つの撮像手段でウエハWの水平方向の位置ずれを検出するようにしてもよい。また,撮像手段152A〜152Cとして,CCDイメージセンサやCCDカメラ以外にも,各種の光電センサ,超音波センサなどを用いることができる。また,本実施形態では,図3に示すように支持ピン132A〜132Cは,略リング状に形成された取付板135に離間して取り付けられるため,ウエハWがずれていると取付板135が傾いて支持板136のモーメントが変化する。従って,支持板136にモーメントセンサを取付けて,そのモーメントの変化によってウエハWの位置や,位置ずれを検出することができる。
(基板受け渡し装置の適用例)
次に,上記の基板受け渡し装置を適用可能な基板処理装置の一例を図面を参照しながら説明する。図11は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
基板処理装置300は,ウエハWに対して真空圧雰囲気中で成膜処理,エッチング処理などの各種のプロセス処理を行う複数のプロセス処理室を備えるプロセス処理ユニット310と,このプロセス処理ユニット310に対してウエハWを搬出入させる搬送ユニット320とを備える。
まず,搬送ユニット320の構成例について説明する。カセット容器332に収容された複数枚(例えば25枚)のウエハWを基板処理装置300に出し入れするための搬送室330を備える。搬送室330には例えば3つのカセット台331A〜331Cがそれぞれゲートバルブ333A〜333Cを介して設けられており,これらの各カセット台331A〜331Cにはそれぞれカセット容器332A〜332Cがセットできるようになっている。
また,搬送室330には,プロセス処理前にウエハWの位置合せを行うプリアライメント処理室(オリエンタ)336と,プロセス処理後にウエハWに付着した付着物の除去処理を行う後処理室の1例としての洗浄処理室400が設けられている。
プリアライメント処理室336は,例えばその処理室内に回転可能に配設された載置台338と載置台338上のウエハWの周縁部を光学的に検出する光学センサ339を備え,載置台338でウエハWを回転させて,ウエハWの周縁部に形成されるオリエンテーションフラットやノッチなどを光学センサ339で検出してウエハWの位置合せを行う。なお,洗浄処理室400の具体的構成例については後述する。
搬送室330内には,その長手方向(図11に示す矢印方向)に沿ってスライド自在に構成された搬送ロボット370が設けられている。搬送ロボット370には,例えばウエハWを載せて搬送するための搬送アーム373A,373Bが設けられている。搬送アーム373A,373Bは,屈伸・昇降・旋回可能に構成されており,上記カセット容器332A〜332C,プリアライメント処理室336,洗浄処理室400,後述するロードロック室360M,360Nに対してウエハWの出し入れを行うようになっている。なお,搬送ロボット370は2つの搬送アーム373A,373Bを備えるので,これらを利用して例えばロードロック室360M,360N,プリアライメント処理室336,洗浄処理室400などに対して,処理済みのウエハWと処理前のウエハWとを交換するように,ウエハWの出し入れをすることができる。
次に,プロセス処理ユニット310の構成例について説明する。プロセス処理ユニット310は例えば図11に示すようなクラスタツール型に構成される。すなわち,プロセス処理ユニット310は,多角形(例えば六角形)に形成された共通搬送室350を備え,この共通搬送室350の周囲には,ウエハWに対して所定のプロセス処理を施す複数(例えば6つ)のプロセス処理室340A〜340Fがそれぞれゲートバルブ344A〜344Fを介して接続される。
各プロセス処理室340A〜340Fは,ウエハWを載置するための載置台342(342A〜342F)がそれぞれ設けられ,予め制御部500の記憶媒体などに記憶されたプロセス・レシピなどに基づいて,載置台342上のウエハWに対して例えば成膜処理やエッチング処理などの処理を施すようになっている。なお,プロセス処理室340の数は,図11に示す場合に限られるものではない。
また,共通搬送室350の周囲には,上記搬送室330との間でウエハをやり取りするロードロック室360M,360Nが設けられている。第1,第2ロードロック室360M,360Nは,その内部に配設された受渡台364M,364Nを介してウエハWを一時的に保持し,圧力調整後に真空圧側の共通搬送室350と大気圧側の搬送室330との間でウエハWをパスさせるものである。従って,気密保持のため,ロードロック室360M,360Nは,共通搬送室350とはゲートバルブ354M,354Nを介して接続され,搬送室330とはゲートバルブ362M,362Nを介して接続される。
共通搬送室350内には,その長手方向に沿って設けられた案内レール384に沿ってスライド自在に構成された搬送ロボット380が設けられている。搬送ロボット380には,例えばウエハWを載せて搬送するための搬送アーム383A,383Bが設けられている。搬送アーム383A,383Bは,屈伸・昇降・旋回可能に構成されており,各プロセス処理室340A〜340F,ロードロック室360M,360Nに対してウエハWの出し入れを行うようになっている。
例えば搬送ロボット380を共通搬送室350の基端側寄りにスライドさせて,各ロードロック室360M,360Nとプロセス処理室340A,340Fに対してウエハWの出し入れを行い,また共通搬送室350の先端側寄りにスライドさせて,4つのプロセス処理室340B〜340Eに対してウエハWの出し入れを行う。なお,搬送ロボット380は,2つの搬送アーム383A,383Bを備えるので,これらを利用して例えばプロセス処理室340A〜340F,ロードロック室360M,360Nに対して処理済みのウエハWと処理前のウエハWとを交換するように,ウエハWの出し入れをすることができる。
なお,基板処理装置300には,搬送ロボット370,380,各ゲートバルブ333,344,354,362,プリアライメント処理室336,洗浄処理室400などの制御を含め,基板処理装置全体の動作を制御する制御部500が設けられている。制御部500は,例えば制御部本体を構成するCPU ,CPUが処理を行うために必要なデータを記憶するROM,CPUが行う各種データ処理のために使用されるメモリエリアなどを設けたRAM,CPUが各部を制御するためのプログラムや各種データを記憶するハードディスク(HDD)又はメモリ等の記憶手段の他,操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイ,オペレータによるプロセス・レシピの入力や編集など種々のデータの入力および所定の記憶媒体へのプロセス・レシピやプロセス・ログの出力など各種データの出力などを行うことができる入出力手段,基板処理装置300の各部を制御するための各種コントローラなどを備える。
このような基板処理装置300において,本実施形態にかかる基板受け渡し装置が適用される処理室について説明する。基板処理装置300において搬送アームと載置台との間でウエハWの受け渡しを行う処理室としては,プロセス処理室340A〜340F,プリアライメント処理室336,洗浄処理室400が設けられているので,これらすべての処理室に本実施形態にかかる基板受け渡し装置130を適用可能である。その他,図示はしないが,基板処理装置300の搬送室330にウエハWに対するプロセス処理の結果を測定する測定処理室(例えば膜厚測定処理室,パーティクル測定処理室など)を設けることができるので,その場合にはこの測定処理室にも上記の基板受け渡し装置130を適用することができる。本実施形態では,これらの処理室のうち洗浄処理室400に基板受け渡し装置130を適用した場合について具体的な構成例を後述する。
(基板処理装置の動作)
次に,基板処理装置300の動作について説明する。基板処理装置300は制御部500により所定のプログラムに基づいて稼働する。例えば搬送ロボット370によりカセット容器332A〜332Cのいずれかから搬出されたウエハWは,プリアライメント処理室336に搬入されて位置決め処理がなされる。位置決め処理されたウエハWは,プリアライメント処理室336から搬出されてロードロック室360Mまたは360N内へ搬入される。このとき,必要なすべてのプロセス処理が完了したウエハWがロードロック室360Mまたは360Nにあれば,そのウエハWを搬出して未処理のウエハWを搬入する。
ロードロック室360Mまたは360Nへ搬入されたウエハWは,搬送ロボット380によりロードロック室360Mまたは360Nから搬出され,プロセス処理室340A〜340Fのうちの所定の処理室へ搬入されて所定のプロセス処理が実行される。例えばウエハWがプロセス処理室に搬入されて下部電極を構成する載置台上に受け渡されると,例えば上部電極を構成するシャワーヘッドから所定のプロセス処理ガスを導入し,上記各電極に所定の高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し,そのプラズマによりウエハW上にエッチング,成膜などの所定のプロセス処理を施す。そして,プロセス処理が完了したウエハWは,搬送ロボット380によりプロセス処理室340から搬出され,処理が残っていれば次のプロセス処理室340へ搬送される。
このように,ウエハWに対して処理ガスのプラズマを用いたプロセス処理を施すと,載置台342上のウエハWの周縁部の下側に回り込んで,不所望な付着物が付着することがある。例えば処理ガスとしてフロロカーボン系(CF系)ガスをプラズマ化してウエハWの表面にプラズマエッチング処理を行う場合には,競争反応(重合反応)によってフロロカーボン系ポリマ(CF系ポリマ)からなる副生成物(デポ)が生成し,ウエハWの端部(例えばベベル部を含む端部の裏面側)に付着する。
このような付着物が付着しているウエハWが,例えばカセット容器332A〜332Cのいずれかに戻されたときに,ウエハWの端部がカセット容器内の保持部に接触して付着物が剥離し,そのウエハWの下に収容される他のウエハWの表面に落下する可能性がある。これが場合によってはウエハW上に形成される半導体デバイスの不具合の原因となる。したがって,このようなウエハWの端部の付着物は洗浄により除去する必要がある。
そこで,本実施形態にかかる基板処理装置300では,各プロセス処理室340での処理が完了したウエハWを,ロードロック室360Mまたは360Nを介して洗浄処理室400へ搬送し,洗浄処理室400でウエハWの端部の洗浄処理を行った上で,元のカセット容器332A〜332Cに戻すようにしている。この洗浄処理によってウエハWの端部の付着物が除去されるため,そのようなウエハWを例えばカセット容器332Aに戻したときに,このウエハWから付着物が落下することはなく,他のウエハWの表面を清浄に保つことができる。
(洗浄処理室の構成例)
ここで,洗浄処理室400の構成例について説明する。本実施形態にかかる洗浄処理室400は,回転自在に設けられた載置台112上にウエハWを載置してウエハWを回転させながら,ウエハWの端部に部分的に所定の光を照射して付着物を除去するように構成される。このため,ウエハWの水平方向の位置ずれがないように正確に載置台112上に載置させる必要あるので,このような洗浄処理室400に基板受け渡し装置130を適用する場合を例に挙げて説明する。
洗浄処理室400は,具体的には例えば図12に示すように構成される。図12に示すように,洗浄処理室400は,容器402内に,載置台ユニット110,基板受け渡し装置130,基板位置検出ユニット150,および洗浄手段410を備えている。
洗浄手段410は,レーザユニット412とオゾン発生器414を備えている。レーザユニット412を構成するレーザ光源(図示せず)としては,例えば半導体レーザ,気体レーザ,固体レーザなど各種レーザを用いることができる。レーザユニット412の光軸は,載置台112に載置されているウエハWの端部裏面に付着している付着物Pにレーザ光が照射されるように調整される。オゾン発生器414は,ウエハWの端部裏面に付着している付着物Pを分解するための酸素系反応性ガスとしてオゾン(O)を発生させ,これを載置台112に載置されているウエハWの端部裏面に向けて吐出する。これらレーザユニット412とオゾン発生器414は,制御部200によってその動作が制御される。なお,オゾン(O)や付着物Pが分解されて生成された二酸化炭素(CO)とフッ素(F)を吸引排気する排気手段(図示せず)をオゾン発生器414に対向する位置に備えるようにしてもよい。
次に,洗浄処理室400で実行されるウエハWの洗浄処理について説明する。この洗浄処理室400には,上記の基板受け渡し装置130および基板位置検出ユニット150が備えられているため,搬送ロボット370の搬送アーム373によって搬入出口404を介して容器402内に搬入されたウエハWを位置ずれなく載置台112のウエハ載置面に載置することができる。また,もし搬送ロボット370から支持ピン132A〜132CにウエハWが渡されたときにウエハWに位置ずれがあっても,搬送ロボット370を用いることなく,支持ピン132A〜132Cを水平移動させてこの位置ずれを補正することができるので,搬送ロボット370は他のウエハWの搬送処理を行うことができる。
次に,洗浄手段410を用いてウエハWの端部裏面の洗浄処理を行う。例えばウエハWの端部に付着物として例えばCF系ポリマPが付着している場合,CF系ポリマPに酸素系反応性ガスを接触させつつ,光を照射して分解反応を起こさせると,これを除去することができる。なお,以下のように光とガスの種類を使い分けることができる。
例えば,ウエハWの端部を例えば所定の温度(例えば200℃程度)に加熱しつつ,CF系ポリマPに紫外線を照射するとともに,CF系ポリマPの表面付近に酸素系反応ガス(例えば酸素(O))の流れを形成する方法がある。これによって,CF系ポリマPが二酸化炭素(CO)とフッ素(F)に分解され除去される。
この他,CF系ポリマPに酸素系反応性ガスとしてオゾン(O)を接触させつつ,CF系ポリマPにレーザ光を照射する方法を採用するようにしてもよい。この方法によれば,CF系ポリマPに対して局所的に高いエネルギーが供給されるため,分解反応が促進され,効率よくCF系ポリマPを除去することができる。
これらの方法を採用すれば,ウエハWの端部を研磨することなく,ウエハWの端部に付着する付着物Pを除去することができるため,研磨によって生じる粉塵の処理に手間を省くことができるとともに,そのような粉塵による汚染の問題もない。また,プラズマを発生させることなくウエハWの端部に付着する付着物Pを除去することができるため,ウエハWの表面に形成される膜(例えばLow−K膜)がダメージを受けることもない。本実施形態では,洗浄処理室400においてレーザ光を用いた洗浄処理が行われる。
具体的には,ウエハWを載置した状態で載置台112を回転させ,ウエハWの端部裏面に向けてレーザユニット412からレーザ光を出射するとともに,オゾン発生器414からオゾン(O)を吐出する。これによって,ウエハWの端部裏面に付着物Pが付着していても,その付着物Pを化学分解して除去することができる。なお,付着物Pの付着面積がレーザ光のスポット径に対して広い場合には,例えばレーザ光のスポット位置がウエハWの径方向に移動するようにレーザユニット412を構成することが好ましい。このようにすれば,広い面積に付着した付着物Pを完全に除去することができる。
洗浄処理が完了したウエハWは,再び支持ピン132A〜132Cによって鉛直方向に持ち上げられ,容器402の搬入出口404から進入してくる搬送ロボット370に渡される。搬送ロボット370は,洗浄処理済みのウエハWを,搬送室330を経由して元のカセット容器332A〜332Cに戻す。この洗浄処理済みのウエハWから付着物Pが落下することはなく,このため他のウエハWの表面を清浄に保つことができる。
ところで,載置台112に載置されているウエハWの中心と載置台112の回転中心がずれた状態のままウエハWを回転させると,ウエハWは偏心した状態で回転することになる。レーザ光を用いてウエハWの端部裏面に付着物Pを除去する洗浄処理室400の場合,ウエハWが偏心していると,レーザ光のスポット径が狭いこともあって,付着物Pを完全に除去できない可能性もある。この点,洗浄処理室400に備えられた基板受け渡し装置130によれば,高い精度(例えば,数μm以下の精度)でウエハWの位置決めを行うことができる。したがって,洗浄処理を正確に行うことができる。
また,基板処理装置300において,カセット容器332A〜332Cから取り出されたウエハWは,プリアライメント処理室336,プロセス処理室340A〜340Fなどを巡回して所定の処理が施された後に,洗浄処理室400や測定処理室などの後処理室に搬入される。このため,後処理室に搬入されるウエハWは,複数の処理室によって搬送アームによる搬出入が繰り返されているので,ウエハWの位置ずれが大きくなっている蓋然性が高い。この点,本実施形態にかかる基板受け渡し装置130によれば,ウエハWの位置ずれが大きい場合であっても,従来のようにウエハWを取り出して入れ直したり,また載置台に置き直したりすることなく,支持ピン132A〜132CでウエハWを支持したまま水平方向に駆動することによってその位置ずれを素早く正確に補正することができる。従って,このような後処理室に基板受け渡し装置130を適用する効果は大きい。
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は,基板受け渡し装置,基板処理装置,基板受け渡し方法に適用可能である。
本発明の実施形態にかかる基板受け渡し装置,基板位置検出ユニット,及び載置台ユニットを説明するための斜視図である。 図1に示す各装置の側面を示す図である。 図1に示す基板受け渡し装置の構成を示す斜視図である。 同実施形態にかかる基板位置検出ユニットが備える基板位置検出手段の構成を説明するための斜視図である。 各測定視野の状態とウエハWの位置との関係を説明するための図であって,測定視野のすべてが白状態(明状態)と判定された場合の例である。 図5Aの位置ずれを補正したときの支持ピンとウエハの位置関係を示す図である。 各測定視野の状態とウエハWの位置との関係を説明するための図であって,測定視野の1つが(グレー状態)と判定され,その他が白状態(明状態)と判定された場合の例である。 図6Aの位置ずれを補正したときの支持ピンとウエハの位置関係を示す図である。 各測定視野の状態とウエハWの位置との関係を説明するための図であって,測定視野の1つが(グレー状態)と判定され,その他がそれぞれ黒状態(暗状態)と白状態(明状態)と判定された場合の例である。 図7Aの位置ずれを補正したときの支持ピンとウエハの位置関係を示す図である。 同実施形態にかかるウエハの受け渡し処理の具体例を示すフローチャートである。 基板受け渡し装置の動作例を説明するための図である。 基板受け渡し装置の動作例を説明するための図である。 基板受け渡し装置の動作例を説明するための図である。 基板受け渡し装置の動作例を説明するための図である。 基板受け渡し装置の動作例を説明するための図である。 同実施形態にかかる基板受け渡し装置の他の構成例を示す斜視図である。 同実施形態にかかる基板受け渡し装置を適用可能な基板処理装置の構成例を示す断面図である。 本実施形態にかかる基板受け渡し装置を適用した洗浄処理室の内部構成例を示す側面図である。
符号の説明
110 載置台ユニット
112 載置台
113A〜113C 貫通孔
114 支持軸
116 載置台
130 基板受け渡し装置
132A〜132C 支持ピン
134 基台
135 取付板
136 支持板
138 支持ピン駆動機構
138X X方向駆動手段
138Y Y方向駆動手段
138Z Z方向駆動手段
150 基板位置検出ユニット
152A〜152C 撮像手段
153A〜153C 測定視野
154A〜154C 照明用光源
156 取付台
157,158 ブラケット
200 制御部
300 基板処理装置
310 プロセス処理ユニット
320 搬送ユニット
330 搬送室
331A〜331C カセット台
332A〜332C カセット容器
333A〜333C ゲートバルブ
336 プリアライメント処理室
338 載置台
339 光学センサ
340A〜340F プロセス処理室
342 載置台
344A〜344F ゲートバルブ
350 共通搬送室
354M,354N ゲートバルブ
360M,360N ロードロック室
362M,362N ゲートバルブ
364M,364N 受渡台
370,380 搬送ロボット
373A,373B 搬送アーム
383A,383B 搬送アーム
384 案内レール
400 洗浄処理室
402 容器
404 搬入出口
410 洗浄手段
412 レーザユニット
414 オゾン発生器
500 制御部
W ウエハ

Claims (14)

  1. 基板を搬送する搬送アームと前記基板を載置する載置台との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置であって,
    前記載置台の支持軸周りに離間して配設され,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,
    前記支持ピンが取り付けられる基台と,
    前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させて,前記基板の上げ下ろしを行う上下駆動手段と,
    前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させて,前記基板の水平方向の位置を調整する水平駆動手段と,
    を備えることを特徴とする基板受け渡し装置。
  2. 前記載置台の近傍に,前記支持ピンで支持した前記基板の水平方向の位置を検出する基板位置検出手段を配設したことを特徴とする請求項1に記載の基板受け渡し装置。
  3. 前記基板は,円板状の半導体ウエハであり,
    前記基板位置検出手段は,前記基板の周縁部の少なくとも2箇所以上の位置を検出することを特徴とする請求項2に記載の基板受け渡し装置。
  4. 前記上下駆動手段により前記支持ピンを上昇させて前記搬送アームから前記基板を受け取ると,前記支持ピンで前記基板を支持した状態で,前記基板位置検出手段により前記基板の水平方向の位置を検出して,前記基板が位置ずれしていれば前記水平駆動手段により前記支持ピンを水平方向に駆動させて前記基板の位置ずれを補正した上で,前記上下駆動手段により前記支持ピンを下降させて前記基板を前記載置台上に載置させる受け渡し処理を行う制御部を設けたことを特徴とする請求項2に記載の基板受け渡し装置。
  5. 前記搬送アームから前記基板を受け取る際,前記支持ピンを上昇させた状態で,前記搬送アームを下降させて前記基板を受け取ることを特徴とする請求項4に記載の基板受け渡し装置。
  6. 前記複数の支持ピンを前記載置台の支持軸周りに前記載置台の径よりも内側に離間して配設し,前記載置台に形成された貫通孔を通して前記載置台の基板載置面から前記各支持ピンの先端が突没可能にしたことを特徴とする請求項1に記載の基板受け渡し装置。
  7. 前記載置台は,前記支持軸周りに回転自在に構成し,
    前記載置台を回転させるときには,前記支持ピンの先端が前記載置台の底面よりも下側になるように前記支持ピンを下降させることを特徴とする請求項6に記載の基板受け渡し装置。
  8. 前記複数の支持ピンを前記載置台の支持軸周りに前記載置台の径よりも外側に離間して配設したことを特徴とする請求項1に記載の基板受け渡し装置。
  9. 処理室内に配設された載置台上に基板を載置して所定の処理を行う基板処理装置であって,
    前記処理室内に前記基板を搬出入する搬送アームと前記載置台との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置を前記載置台近傍に配置し,
    前記基板受け渡し装置は,前記載置台の支持軸周りに離間して配設され,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させて,前記基板の上げ下ろしを行う上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させて,前記基板の水平方向の位置を調整する水平駆動手段と,
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  10. 基板に所定の処理を施す複数の処理室を備え,前記基板を搬送アームで各処理室を順番に搬送しながら基板に連続して処理を行う基板処理装置であって,
    前記処理室の少なくとも1つは,他の処理室でプロセス処理を行った基板を搬送して後処理を行う後処理室とし,
    前記後処理室は,その内部に設けられた載置台と前記搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置を備え,
    前記基板受け渡し装置は,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させて,前記基板の上げ下ろしを行う上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させて,前記基板の水平方向の位置を調整する水平駆動手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
  11. 前記後処理室は,前記基板の周縁部に付着した付着物を除去する洗浄処理室であり,
    前記基板受け渡し装置の複数の支持ピンを,前記載置台の支持軸周りに前記載置台の径よりも内側に離間して配設し,前記載置台に形成された貫通孔を通して前記載置台の基板載置面から前記支持ピンの先端が突没可能にしたことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
  12. 基板を搬送する搬送アームと前記基板を載置する載置台との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置による受け渡し方法であって,
    前記基板受け渡し装置は,前記載置台の支持軸周りに離間して配設され,前記基板をその下面で支持する複数の支持ピンと,前記支持ピンが取り付けられる基台と,前記支持ピンを前記基台を介して上下駆動させる上下駆動手段と,前記支持ピンを前記基台を介して水平駆動させる水平駆動手段と,前記基板の水平方向の位置を検出する基板位置検出手段とを備え,
    前記上下駆動手段により前記支持ピンを上昇させて,前記搬送アームから前記基板を受け取る工程と,
    受け取った前記基板を前記支持ピンで支持したまま,前記基板位置検出手段により基板の位置を検出する工程と,
    前記基板位置検出手段により検出された基板の位置に基づいて,その基板が所定の基準位置から位置ずれしているか否かを判断する工程と,
    前記判断工程において前記基板が位置ずれしていないと判断した場合は,前記上下駆動手段により前記支持ピンを下降させて前記載置台上に載置させる工程と,
    前記判断工程において前記基板が位置ずれしていると判断した場合は,前記支持ピンを前記水平駆動手段により水平方向に駆動させて前記基板の位置ずれを補正した上で,前記上下駆動手段により前記支持ピンを下降させて前記載置台上に載置させる工程と,
    を有することを特徴とする基板受け渡し方法。
  13. 前記搬送アームから前記基板を受け取る工程では,前記支持ピンを上昇させた状態で,前記搬送アームを下降させて前記基板を受け取ることを特徴とする請求項12に記載の基板受け渡し方法。
  14. 前記基板の位置を検出する工程は,前記基板位置検出手段で基板を検出できない場合には,前記支持ピンを水平方向に駆動させることによって,前記基板を前記基板位置検出手段で検出できるまで移動させることを特徴とする請求項12に記載の基板受け渡し方法。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4564078B2 (ja) * 2008-04-28 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5537380B2 (ja) * 2009-11-16 2014-07-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5996857B2 (ja) * 2011-09-30 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 駆動装置及び基板処理システム
JP2013161946A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR101319022B1 (ko) * 2012-03-13 2013-10-29 피에스케이 주식회사 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치
ITMO20130088A1 (it) * 2013-04-05 2014-10-06 Kemet Electronics Italia S R L Sistema di movimentazione
CN103531509A (zh) * 2013-09-26 2014-01-22 苏州经贸职业技术学院 一种工作台上精确定位圆心的方法
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN104979258B (zh) * 2014-04-14 2018-01-12 睿励科学仪器(上海)有限公司 一种晶圆对准系统和晶圆对准方法
CN105097627B (zh) * 2014-04-15 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片校准装置以及半导体加工设备
TWI619145B (zh) 2015-04-30 2018-03-21 佳能股份有限公司 壓印裝置,基板運送裝置,壓印方法以及製造物件的方法
US9405287B1 (en) * 2015-07-22 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for optical calibration of wafer placement by a robot
WO2017037785A1 (ja) * 2015-08-28 2017-03-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6432742B2 (ja) * 2015-09-30 2018-12-05 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
CN105824200B (zh) * 2016-05-31 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种基板支撑结构及曝光机
JP6797063B2 (ja) * 2017-04-14 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 ピン制御方法及び基板処理装置
JP6783185B2 (ja) * 2017-05-15 2020-11-11 東京エレクトロン株式会社 検査装置
CN110832633B (zh) * 2017-06-30 2023-06-02 东芝三菱电机产业系统株式会社 基板定位装置及基板定位方法
KR102164067B1 (ko) * 2017-09-29 2020-10-12 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI681492B (zh) * 2018-02-14 2020-01-01 萬潤科技股份有限公司 載台及使用載台之晶圓量測方法及裝置
TWI805795B (zh) * 2018-07-20 2023-06-21 美商應用材料股份有限公司 基板定位設備與方法
DE102018007307A1 (de) * 2018-09-17 2020-03-19 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung
JP7219879B2 (ja) * 2018-12-17 2023-02-09 株式会社東京精密 補助方法及び補助装置
CN109686684B (zh) * 2018-12-27 2020-08-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备
JP7290988B2 (ja) * 2019-04-26 2023-06-14 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法
US20200411348A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-31 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer apparatus
CN110246788B (zh) * 2019-06-28 2020-05-19 英特尔半导体(大连)有限公司 用于在晶圆沉积薄膜的设备
CN110718497B (zh) * 2019-10-18 2022-10-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆卡盘、键合设备、晶圆位置的调整方法及系统
KR102412374B1 (ko) * 2019-11-22 2022-06-23 정성욱 복수의 비전 카메라를 이용한 웨이퍼 검사 장치 및 복수의 비전 카메라를 이용한 웨이퍼 검사 방법
JP7426808B2 (ja) * 2019-11-27 2024-02-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7357549B2 (ja) 2020-01-07 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板の位置ずれ検出方法、基板位置の異常判定方法、基板搬送制御方法、及び基板の位置ずれ検出装置
KR102616914B1 (ko) * 2021-03-24 2023-12-21 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
CN113725136A (zh) * 2021-08-30 2021-11-30 长江存储科技有限责任公司 晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器
CN115206862B (zh) * 2022-09-16 2023-02-03 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 一种解决硅片交接过程中精度失控的控制装置及控制方法
CN116913832A (zh) * 2023-05-31 2023-10-20 江苏亚电科技有限公司 一种晶圆搬运装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2602415B2 (ja) * 1994-06-16 1997-04-23 山形日本電気株式会社 ウェーハ位置決め装置
JPH09181154A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP2002280287A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2003051535A (ja) 2001-08-07 2003-02-21 Canon Inc 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP4080401B2 (ja) * 2003-09-05 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2006071395A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Nikon Corp 較正方法及び位置合わせ方法

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