JP7426808B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本願は、基板処理装置に関する。

従来から、円板状の基板を水平に保持し、基板の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで基板を回転させつつ、当該基板に対する処理を行う基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１～３）。これらの基板処理装置は、基板の下面を吸着する真空チャック部と、真空チャック部を当該回転軸のまわりで回転させる回転部と、基板の位置を調整するための位置決め機構とを含んでいる。位置決め機構は、真空チャック部の上に載置された基板の端部を水平方向に押すことにより、基板を真空チャック部に対して摺動させて、基板の中心を回転軸に一致させる。これにより、基板は、自身の中心を通る回転軸のまわりで回転する。

特開２０１１－２５８９２４号公報 特開２０１１－２５８９２５号公報 特開２０１９－１４９４２３号公報

特許文献１～３では、位置決め機構は基板を真空チャック部に対して摺動させるので、基板の下面が損傷または汚染される可能性がある。

そこで、本願は、基板の下面の損傷または汚染を低減して基板の偏心状態を低減できる基板処理装置を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、基板を処理するための基板処理装置であって、基板の裏面を吸着し前記基板を水平に保持する吸着保持機構と、前記基板を保持した前記吸着保持機構を前記基板の中心を通る鉛直方向の回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記吸着保持機構によって保持された前記基板に向かって処理液を吐出するノズルと、前記吸着保持機構によって保持された前記基板を囲む筒状の形状を有するガードと、前記吸着保持機構によって保持された前記基板よりも下方において、当該基板と対向する位置に設けられた複数のリフトピンと、前記複数のリフトピンの上端を、前記吸着保持機構の吸着面よりも上方である第１位置と、前記吸着保持機構の前記吸着面よりも下方である第２位置との間で上下方向に移動させる上下移動機構と、前記複数のリフトピンを前記吸着保持機構に対して水平方向に移動させる水平移動機構と、前記吸着保持機構に保持された前記基板の偏心状態を測定するセンサと、移動機構収納部材とを備え、前記上下移動機構は、前記複数のリフトピンを前記第１位置に移動させることで前記吸着保持機構から前記基板を支持し、前記水平移動機構は、前記基板を支持した状態において、前記センサにより測定された前記基板の偏心状態に基づいて前記複数のリフトピンを水平方向に移動させ、前記回転機構は、前記吸着保持機構から下方に延在するシャフトに連結され、前記上下移動機構および前記水平移動機構は、前記回転機構を収納する収納部材に連結されており、前記上下移動機構および前記水平移動機構は、前記収納部材の上面部に設けられており、前記移動機構収納部材は、前記回転軸を囲み、前記収納部材の上面部に連結された内周壁と、前記内周壁と間隔を開けて当該内周壁の外周面を囲む外周壁と、前記上下移動機構および前記水平移動機構より上方に位置し、前記内周壁の上端周縁と前記外周壁の上端周縁に連結される移動機構上面部と、を有し、前記移動機構上面部には、前記複数のリフトピンにおける各リフトピンによって貫通される貫通孔が形成され、前記上下移動機構および前記水平移動機構は、前記内周壁と前記外周壁との間に設けられ、前記移動機構上面部と前記複数のリフトピンにおける各リフトピンとの間に、前記貫通孔を封止するシールが設けられる。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のリフトピンは互いに連結されて一体で移動する。

基板処理装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のリフトピンは、前記回転軸を中心とした仮想円上に等間隔で並んで設けられる。

基板処理装置の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のリフトピンは、平面視において、前記吸着保持機構によって保持された前記基板の半径の４分の１の半径を有する仮想内円と、当該基板の半径の４分の３の半径を有する仮想外円とで挟まれる環状領域内に位置する。

基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のリフトピンは、平面視において、前記吸着保持機構よりも外側に位置する。

基板処理装置の第６の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記吸着保持機構には、前記複数のリフトピンによって上下方向に貫通される貫通孔が形成されている。

基板処理装置の第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のリフトピンの少なくとも一つの上端には、前記基板を吸着する吸着口が形成されている。

基板処理装置によれば、基板の下面の損傷または汚染を低減して基板の偏心状態を低減できる。

基板処理システムの全体構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一部の一例を拡大して示す図である。 吸着保持機構およびリフトピンの構成の一例を概略的に示す平面図である。 センサおよび基板の構成の一例を概略的に示す図である。 受光量と基板の回転位置との関係の一例を示すグラフである。 制御部の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 基板の構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板の位置調整処理の具体的な一例を示すフローチャートである。 リフトピンおよび吸着保持機構の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。 吸着保持機構の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。 リフトピンの構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板処理装置１の動作の他の一例を示すフローチャートである。 センサ６０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。

以下、添付の図面を参照しながら、実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣの任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

第１の実施の形態
＜基板処理システムの概略構成＞
図１は、基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理システム１００は、薬液またはリンス液などの処理液によって半導体ウエハ等の略円形の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理システムである。基板処理システム１００は、インデクサブロック１１０と、インデクサブロック１１０に結合された処理ブロック１２０と、基板処理システム１００に設けられた装置の動作およびバルブの開閉を制御する制御部１３０とを含んでいる。

インデクサブロック１１０は、キャリア保持部１１１と、インデクサロボットＩＲと、ＩＲ移動機構１１２とを含んでいる。キャリア保持部１１１は、複数枚の基板Ｗを収納できるキャリアＣを保持する。複数のキャリアＣは、水平なキャリア配列方向Ｄに配列された状態でキャリア保持部１１１に保持される。ＩＲ移動機構１１２は、キャリア配列方向ＤにインデクサロボットＩＲを移動させる。インデクサロボットＩＲは、キャリア保持部１１１に保持されたキャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板ＷをキャリアＣから搬出する搬出動作を行う。基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによって水平姿勢で搬送される。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う状態をいう。

一方、処理ブロック１２０は、基板Ｗを処理する複数（たとえば、４つ以上）の処理ユニット１２１と、センターロボットＣＲとを含んでいる。複数の処理ユニット１２１は、平面視において、センターロボットＣＲを取り囲むように配置されている。複数の処理ユニット１２１は、例えば、基板Ｗに薬液を供給する薬液供給ユニット１２１ａと、基板Ｗと薬液との反応を進行させる反応ユニット１２１ｂと、基板Ｗに供給された薬液を洗い流すリンスユニット１２１ｃとを含む。センターロボットＣＲは、処理ユニット１２１に基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板Ｗを処理ユニット１２１から搬出する搬出動作を行う。さらに、センターロボットＣＲは、複数の処理ユニット１２１間で基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、センターロボットＣＲによって水平姿勢で搬送される。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから基板Ｗを受け取るとともに、インデクサロボットＩＲに基板Ｗを渡す。

＜基板処理装置１の構成＞
図２は、処理ユニット１２１の一例である基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す図であり、図３は、基板処理装置１の一部の構成を拡大して概略的に示す図である。基板処理装置１は吸着保持機構１０と回転機構２０とリフトピン３０と上下移動機構４０と水平移動機構５０とセンサ６０と処理部９０とを含んでいる。

吸着保持機構１０は、基板Ｗの裏面を吸着し、基板Ｗを水平に保持する。ここでいう「裏面」とは、例えば基板Ｗの主面のうち、デバイスが形成されていない面である。基板Ｗは、裏面が下方を向く姿勢で吸着保持機構１０によって保持される。図２の例では、吸着保持機構１０は吸着部材１１を含んでおり、基板Ｗは吸着部材１１の吸着面１１ａの上に載置される。図２の例では、吸着部材１１は、吸着面１１ａを上面に有する板状部材１２と、板状部材１２の下面の中央部から下方に延在する円筒部材１３とを含んでいる。吸着部材１１の吸着面１１ａは平面視において例えば円形状を有する。吸着部材１１の吸着面１１ａの直径は基板Ｗの直径よりも小さく、例えば、基板Ｗの直径の４分の１以下である。

吸着部材１１の吸着面１１ａには、不図示の吸着口が形成されている。吸着面１１ａには、複数の吸着口が分散して形成されていてもよい。吸着部材１１の内部には、吸着口に繋がる不図示の内部流路が形成されている。当該内部流路は、吸引管１５を介して吸引機構１６に接続される。吸引機構１６は例えばポンプを含んでおり、吸引管１５の内部から気体を吸引する。これにより、吸着面１１ａの吸着口から気体が吸引されて、基板Ｗが吸着部材１１に吸着保持される。吸引機構１６は制御部１３０によって制御される。

回転機構２０は吸着保持機構１０（より具体的には、吸着部材１１）を、回転軸Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、吸着保持機構１０に吸着保持された基板Ｗも回転軸Ｑ１のまわりで回転する。回転軸Ｑ１は鉛直方向に沿って延在する仮想的な軸である。

回転機構２０はモータ２１を含んでいる。モータ２１はシャフト２２を介して吸着部材１１に連結される。シャフト２２は回転軸Ｑ１に沿って延在しており、その上端が吸着部材１１に連結される。具体的には、シャフト２２の上端が吸着部材１１の円筒部材１３に連結される。シャフト２２は例えば円筒形状を有する中空シャフトであり、吸引管１５は当該シャフト２２の中空部を通って吸着部材１１の内部流路に接続される。

モータ２１はシャフト２２に連結されており、シャフト２２を回転軸Ｑ１のまわりで回転させる。図２の例では、モータ２１はシャフト２２と同軸に設けられている。シャフト２２はモータ２１から上方に延在している。モータ２１がシャフト２２を回転させることにより、吸着部材１１を回転軸Ｑ１のまわりで回転させることができる。モータ２１は制御部１３０によって制御される。

モータ２１は、モータ収納部材７０に収納されている。モータ収納部材７０は少なくとも上面部７１と側面部７２とを有している（図３も参照）。上面部７１はモータ２１よりも上方に位置している。上面部７１は略板状の形状を有しており、例えば回転軸Ｑ１を中心とした円板状の形状を有している。上面部７１の中央部には、シャフト２２によって貫通される貫通孔７１ａが形成されている。上面部７１の貫通孔７１ａには、不図示のシール軸受が設けられてもよい。具体的には、当該シール軸受の内輪がシャフト２２の外周面に取り付けられ、外輪が上面部７１に取り付けられる。これにより、シャフト２２が回転可能にモータ収納部材７０に連結される。

側面部７２は筒状の形状を有しており、上面部７１の外周縁から下方に延在する。側面部７２はモータ２１の側面を囲む。側面部７２の下端周縁は例えばモータ２１の下端と同じ高さ位置であってもよく、あるいは、下方に位置してもよい。側面部７２の下端周縁は例えば基板処理装置１の床面に連結される。基板処理装置１の床面は、例えば、複数の処理ユニット１２１（基板処理装置１）が設けられた支持台の上面である。モータ収納部材７０は基板処理装置１の床面に直接に連結されてもよく、あるいは、他の固定体（例えば板状の土台）を介して当該床面に連結されていてもよい。

モータ収納部材７０は基板処理装置１内において固定されており、実質的な変位を行わない非駆動体である。つまり、モータ収納部材７０と基板処理装置１の床面との間には、駆動体が設けられていない。

モータ収納部材７０はモータ２１を外部の処理雰囲気から保護することができる。具体的な一例として、後述のノズル９１から吐出された薬液およびリンス用ノズル（不図示）から吐出されたリンス液からモータ２１を保護することができる。

処理部９０は、吸着保持機構１０によって吸着保持された基板Ｗに対して処理を行う。ここでは、処理部９０は、基板Ｗの周縁部に処理液を供給するベベル処理を行う。図２の例では、処理部９０はノズル９１と配管９２とバルブ９３とを含んでいる。ノズル９１は、吸着保持機構１０によって保持された基板Ｗの周縁部に向かって処理液を吐出する。図２の例では、ノズル９１は基板Ｗの周縁部よりも上方に位置している。

基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの周縁から所定幅を有する環状領域に相当する。基板Ｗの直径は例えば数百ｍｍであり、所定幅は例えば数ｍｍ程度以下である。処理液は、例えば、基板Ｗの周縁部に付着した不純物（金属など）を除去可能なエッチング液などの薬液を含む。

ノズル９１は配管９２を介して処理液供給源９４に接続されている。処理液供給源９４は配管９２を介してノズル９１に薬液を供給する。ノズル９１は薬液を基板Ｗの表面の周縁部に吐出する。配管９２の途中には、バルブ９３が介挿されている。バルブ９３は配管９２の内部流路の開閉を切り替える。バルブ９３は制御部１３０によって制御される。バルブ９３は配管９２の内部を流れる薬液の流量を調整可能なバルブであってもよい。

回転機構２０が吸着保持機構１０および基板Ｗを回転させた状態で、バルブ９３が開くことにより、ノズル９１は回転中の基板Ｗの周縁部に薬液を供給する。これにより、薬液が基板Ｗの周縁部の全周に亘って供給され、基板Ｗの周縁部の不純物が除去される（いわゆるベベル処理）。薬液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁から外側に飛散する。

図２の例では、ノズル９１は、ノズル移動機構９５によって処理位置と待機位置との間で移動可能である。ノズル移動機構９５は例えばモータを含んでおり、制御部１３０によって制御される。処理位置は、ノズル９１が薬液を吐出する位置であり、図２の例では、基板Ｗよりも上方あって基板Ｗの周縁部と対向する位置である。待機位置は、ノズル９１が薬液を吐出しない位置であって、例えば基板Ｗと上下方向で対向しない位置である。つまり、例えば待機位置は平面視において、基板Ｗの周縁よりも外側の位置である。

処理部９０は複数種類の処理液を基板Ｗの周縁部に吐出してもよい。例えば処理部９０は処理液の種類に応じた複数のノズルを備えていてもよい。例えば処理液として薬液およびリンス液を採用することができる。また、薬液として２種の薬液（例えばアルカリ性の薬液および酸性の薬液）を採用することができる。リンス液としては、例えば純水を採用することができる。これらのノズルは基板Ｗの周方向に沿って並んで配置され、互いに一体に連結されてもよい。このように複数のノズルが連結された構造体は、ノズルヘッドとも呼ばれる。

以下では、ノズル９１の他にリンス用ノズルが設けられる態様について述べる。具体的には、処理部９０は例えばいずれも不図示のリンス用ノズル、リンス用配管およびリンス用バルブをさらに含む。リンス用ノズルは、吸着保持機構１０によって保持された基板Ｗの周縁部に向かってリンス液を吐出する。リンス液は、基板Ｗの周縁部上の薬液を洗い流すための処理液である。

リンス用ノズルはリンス用配管を介してリンス液供給源に接続される。リンス用バルブはリンス用配管に介挿されており、リンス用配管の内部流路の開閉を切り替える。リンス用バルブは制御部１３０によって制御される。リンス用バルブは、リンス用配管の内部を流れるリンス液の流量を調整可能なバルブであってもよい。

処理部９０は基板Ｗの周縁部に薬液を供給した後にリンス液を供給することにより、基板Ｗの周縁部上の薬液を洗い流すことができる。言い換えれば、基板Ｗの周縁部上の薬液をリンス液に置換することができる。リンス液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁から外側に飛散する。リンス用ノズルは例えばノズル９１と連結されており、ノズル移動機構９５によって処理位置と待機位置との間で移動可能である。

図２の例では、基板処理装置１はガード９６をさらに含んでいる。ガード９６は平面視において基板Ｗを囲む筒状の形状を有している。このガード９６は、基板Ｗの周縁から飛散した処理液を受け止めて、当該処理液を不図示の回収部に流す。ガード９６は、ガード移動機構９７によって上下方向に移動可能である。ガード移動機構９７は、ガード９６の上端が基板Ｗよりも上方に位置する上位置と、ガード９６の上端が基板Ｗよりも下方に位置する下位置との間でガード９６を移動させる。ガード移動機構９７は例えばシリンダ機構またはボールねじ機構などを含む。

ところで、上述のベベル処理において、基板Ｗの周縁部の不純物は薬液によって除去される。一方で、基板Ｗの表面のうち周縁部よりも内側の領域は、デバイスが形成されるデバイス領域に相当するので、当該デバイス領域には薬液が侵入しないことが望まれる。よって、基板Ｗに対する薬液の着液位置が重要である。例えば基板Ｗの中心が回転軸Ｑ１からずれていると、つまり、基板Ｗが偏心していると、基板Ｗに対する着液位置は基板Ｗの回転に伴って径方向に変動する。この変動が大きくなると、薬液のデバイス領域への進入を招くので、基板Ｗの中心と回転軸Ｑ１とのずれ（偏心量）は小さいことが望ましい。

本実施の形態では、基板処理装置１は、基板Ｗの水平面における位置を調整して基板Ｗの偏心状態を解消するための位置調整機構を含んでいる。具体的には、基板処理装置１は当該位置調整機構として、複数のリフトピン３０と上下移動機構４０と水平移動機構５０とを含んでいる。

複数のリフトピン３０は、吸着保持機構１０によって保持された基板Ｗの裏面と対向する位置に設けられている。つまり、複数のリフトピン３０は、基板Ｗよりも下方、かつ、基板Ｗの周縁よりも回転軸Ｑ１側に設けられている。各リフトピン３０は、上下方向に延在する長尺状の形状を有している。具体的には、リフトピン３０は、上下方向における長さが水平方向よりも長い棒状の形状を有している。ここでは、上下方向は鉛直方向に平行である。リフトピン３０の先端部は、上方に向かうにしたがって幅狭となる先細形状を有していてもよい。図２の例では、リフトピン３０の上端は半球面に沿う形状を有している。

複数のリフトピン３０は回転軸Ｑ１のまわりに配置されており、より具体的には、回転軸Ｑ１を中心とした仮想円上に等間隔で配置される。図４は、吸着保持機構１０およびリフトピン３０の構成の一例を概略的に示す平面図である。図４の例では、３つのリフトピン３０が１２０度間隔で配置されている。なお、リフトピン３０の個数は適宜に変更可能である。

複数のリフトピン３０は上下方向に移動可能に設けられている。上下移動機構４０は複数のリフトピン３０を上位置と下位置との間で往復移動させる。下位置は、リフトピン３０の上端が吸着保持機構１０の吸着面１１ａよりも下方となる位置である。図２および図３では、リフトピン３０は下位置に位置している。上位置は、リフトピン３０の上端が吸着保持機構１０の吸着面１１ａよりも上方となる位置である。複数のリフトピン３０は上位置に位置する状態で、基板Ｗを支持することができる。図３の例では、上位置に位置するリフトピン３０および基板Ｗを仮想線で示している。上下移動機構４０の構成は特に制限されないものの、例えばリニアモータ機構、ボールねじ機構またはシリンダ機構を含んでおり、制御部１３０によって制御される。

複数のリフトピン３０は例えば連結部材３１によって相互に連結されてもよい。連結部材３１は、回転軸Ｑ１を囲む環状の板状形状を有している。図３および図４の例では、リフトピン３０は連結部材３１の上面から上方に向かって突出している。上下移動機構４０は連結部材３１を上下方向に移動させる。これにより、連結部材３１に連結された複数のリフトピン３０が一体に上下方向に移動する。

上下移動機構４０は固定体４１と可動体４２と駆動機構４３とを含んでいる。図３の例では、固定体４１、可動体４２および駆動機構４３を模式的にブロックで示している。なお、図３に示す各ブロックの形状、大きさおよび位置関係は、固定体４１、可動体４２および駆動機構４３の構成の形状、大きさおよび位置関係を示すものではない。この点は後述する水平移動機構５０についても同様である。

可動体４２は固定体４１に対して上下方向に沿って移動可能に設けられる。駆動機構４３は、可動体４２を固定体４１に対して上下方向に移動させるための駆動力を可動体４２に作用させる。駆動機構４３は例えばモータを含む。例えば可動体４２は、適宜にリンク部材等を介してモータの回転子に連結されており、当該リンク部材がモータによって変位することにより、可動体４２が固定体４１に対して上下方向に移動する。可動体４２は連結部材３１に連結される。駆動機構４３が可動体４２を固定体４１に対して上下方向に移動させることにより、可動体４２に連結された連結部材３１、および、連結部材３１に連結された複数のリフトピン３０が一体的に上下方向に移動する。

基板Ｗが吸着保持機構１０の吸着面１１ａの上に載置された状態で、複数のリフトピン３０が下位置から上位置に一体的に移動することにより、基板Ｗを吸着保持機構１０から持ち上げることができる。このとき、複数のリフトピン３０の上端が基板Ｗの裏面に当接し、複数のリフトピン３０が基板Ｗを水平に支持する。リフトピン３０は点接触で基板Ｗの下面に当接してもよい。これによれば、リフトピン３０による基板Ｗの下面の汚染を低減することができる。

水平移動機構５０は複数のリフトピン３０を水平に移動させる。水平移動機構５０は、例えば水平な一方向に複数のリフトピン３０を一体的に移動させる。以下では、この一方向を水平移動方向と呼ぶ。水平移動方向は、回転軸Ｑ１についての径方向に沿う方向である。水平移動機構５０は特に制限されないものの、例えばリニアモータ機構、ボールねじ機構またはシリンダ機構を含んでおり、制御部１３０によって制御される。

水平移動機構５０は固定体５１と可動体５２と駆動機構５３とを含んでいる。可動体５２は固定体５１に対して水平移動方向に沿って移動可能に設けられる。駆動機構５３は、可動体５２を固定体５１に対して移動させるための駆動力を可動体５２に作用させる。例えば、水平移動機構５０がリニアモータ機構を有する場合、駆動機構５３はリニアモータである。リニアモータは固定子と移動子とを含み、移動子を固定子に対して水平移動方向に移動させる。例えばリニアモータは、固定子に取り付けられたコイルと、移動子に取り付けられた永久磁石とを含み、これらの磁気作用により、移動子を固定子に対して水平移動方向に移動させる。固定体５１はリニアモータの固定子に連結され、可動体５２は、リニアモータの移動子に連結される。

水平移動機構５０の可動体５２は上下移動機構４０の固定体４１に連結される。よって、可動体５２が水平移動方向に移動することにより、上下移動機構４０、連結部材３１および複数のリフトピン３０が一体的に水平移動方向に移動する。

基板処理装置１には、水平移動機構５０の可動体５２の水平移動方向における位置を検出する位置測定センサ５５が設けられていてもよい。位置測定センサ５５は、リニアエンコーダとも呼ばれる。例えば位置測定センサ５５は、水平移動方向に延びるスケールと、当該スケールに対して水平移動方向に移動可能に設けられた走査部材とを含んでいる。走査部材は可動体５２に連結され、可動体５２と一体的に移動する。走査部材は例えばスケールに対して光を照射する光源と、スケールを透過または反射した光を受光する受光素子とを内蔵し、当該光がスケールに照射されることにより、当該スケールに対する走査部材の位置、つまり、可動体５２の水平移動方向における位置が検出される。位置測定センサ５５は、可動体５２の位置を示す電気信号を制御部１３０に出力する。位置測定センサ５５は水平移動機構５０に内蔵されていてもよい。制御部１３０は、位置測定センサ５５によって測定された可動体５２の位置に基づいて、水平移動機構５０を制御する。

上下移動機構４０が複数のリフトピン３０を下位置から上位置に移動させることで、複数のリフトピン３０が基板Ｗを吸着保持機構１０から持ち上げて支持することができる。この状態で、水平移動機構５０が複数のリフトピン３０を水平移動方向に移動させることにより、基板Ｗの水平移動方向における位置を調整することができる。水平移動機構５０によって基板Ｗの位置を調整した後に、上下移動機構４０が複数のリフトピン３０を上位置から下位置に移動させる。これにより、基板Ｗが吸着保持機構１０の吸着面１１ａの上に載置される。以上のように、基板Ｗの水平移動方向における位置を調整して基板Ｗを吸着保持機構１０の吸着面１１ａに置き直すことができる。

なお、本実施の形態の一例では、回転機構２０による基板Ｗの回転も基板Ｗの水平位置の調整に利用する。この点は後に詳述する。

図３の例では、上下移動機構４０および水平移動機構５０はモータ収納部材７０に連結されている。より具体的な一例として、上下移動機構４０および水平移動機構５０はモータ収納部材７０の上面部７１の上面に設けられている。図３の例では、水平移動機構５０の固定体５１がモータ収納部材７０の上面部７１に連結される。固定体５１は、基板処理装置１の床面に固定されたモータ収納部材７０（つまり非駆動体）に連結されるので、駆動されない。つまり、図２の例では、固定体５１も非駆動体である。

なお、上述の例では、上下移動機構４０が水平移動機構５０によって水平移動方向に移動するものの、必ずしもこれに限らない。例えば、上下移動機構４０と水平移動機構５０の位置関係が逆であってもよい。つまり、上下移動機構４０が水平移動機構５０および複数のリフトピン３０を一体的に上下方向に沿って移動させてもよい。言い換えれば、上下移動機構４０の固定体４１がモータ収納部材７０に連結され、可動体４２が水平移動機構５０の固定体５１に連結され、可動体５２が連結部材３１に連結されていてもよい。

図３に例示するように、基板処理装置１には、上下移動機構４０および水平移動機構５０を収納する移動機構収納部材７５が設けられてもよい。図３の例では、移動機構収納部材７５は、上面部７６と内周壁７７と外周壁７８とを含んでいる。内周壁７７はシャフト２２の外周面を囲む筒状の形状を有している。内周壁７７はシャフト２２と間隔を空けて対向している。内周壁７７の下端周縁はモータ収納部材７０の上面部７１に連結されている。

外周壁７８は間隔を空けて内周壁７７の外周面を囲む筒状の形状を有している。外周壁７８の下端周縁もモータ収納部材７０の上面部７１に連結されている。上下移動機構４０および水平移動機構５０は、内周壁７７と外周壁７８との間に設けられている。

上面部７６は、上下移動機構４０および水平移動機構５０の両方よりも上方に位置しており、外周壁７８の上端周縁と内周壁７７の上端周縁とに連結される。上面部７６には、各リフトピン３０によって貫通される貫通孔７６ａが形成されている。貫通孔７６ａの個数はリフトピン３０の個数と等しい。上述の例では、３つのリフトピン３０が設けられているので、上面部７６には、３つの貫通孔７６ａが形成される。平面視において、貫通孔７６ａはリフトピン３０よりも広く、リフトピン３０は貫通孔７６ａを貫通した状態で水平移動方向に移動可能である。

リフトピン３０が水平移動方向に移動して、上面部７６のうち貫通孔７６ａのまわりの周縁部に当接すると、リフトピン３０はこれ以上移動することができない。つまり、リフトピン３０の移動可能距離は、平面視におけるリフトピン３０の大きさおよび貫通孔７６ａの大きさによって規定される。この移動可能距離は、基板Ｗの偏心状態を解消するのに十分な値に設定されればよく、例えば数ｍｍ以下である。

移動機構収納部材７５の上面部７６と各リフトピン３０との間には、貫通孔７６ａを封止するシール８０が設けられる。シール８０は、リフトピン３０が上下方向および水平移動方向に移動可能に、上面部７６とリフトピン３０との間を封止する。シール８０は弾性変形可能な材質（例えばゴムなどの樹脂）によって構成されており、密着部８１と密着部８２と変形部８３とを含んでいる。密着部８１は環状の形状を有しており、リフトピン３０の長手方向の一部において全周に密着する。密着部８２は密着部８１よりも大きな環状の形状を有しており、上面部７６のうち貫通孔７６ａを形成する周縁部に密着する。図４の例では、密着部８２は、上面部７６の下面に密着しており、例えば所定の固定部材（不図示）により上面部７６に固定される。

変形部８３は密着部８１および密着部８２に連結されている。密着部８１、密着部８２および変形部８３は同一の材質で一体に構成され得る。変形部８３は、密着部８１および密着部８２よりも薄い薄膜部であり、略蛇腹状の形状を有している。具体的な一例として、変形部８３は、密着部８１の周縁から遠ざかるにつれて下方に延在する第１傘部と、第１傘部の外周縁から遠ざかるにつれて上方に延在する第１逆傘部と、第１逆傘部の外周縁から遠ざかるにつれて下方に延在して密着部８２に連結される第２傘部とを含んでいる。第１傘部および第１逆傘部の連結角度、第１逆傘部および第２傘部の連結角度はそれぞれ変形部８３の弾性変形により可変である。このようなシール８０はブーツとも呼ばれ得る。

この変形部８３は、リフトピン３０の上下方向および水平移動方向への移動に伴って弾性変形する。具体的には、変形部８３は連結角度が適宜に変化するように弾性変形する。この変形部８３の弾性変形によって、リフトピン３０が上下方向および水平移動方向に移動しても、密着部８１はリフトピン３０に密着し続け、密着部８２は上面部７６に密着し続ける。つまり、シール８０は貫通孔７６ａを封止することができる。

移動機構収納部材７５およびシール８０は上下移動機構４０および水平移動機構５０を外部の処理雰囲気から保護することができる。具体的な一例として、ノズル９１から吐出された薬液およびリンス用ノズルから吐出されたリンス液から上下移動機構４０および水平移動機構５０を保護することができる。

図２の例では、基板処理装置１には、基板Ｗの偏心状態を検出するためのセンサ６０が設けられている。ここでいう偏心状態とは、基板Ｗの中心と回転軸Ｑ１との間のずれ量（以下、偏心量とも呼ぶ）、および、ずれ方向（以下、偏心方向とも呼ぶ）を示す。

図２の例では、基板処理装置１はセンサ移動機構６５を含んでいる。センサ移動機構６５はセンサ６０を後述の測定位置と待機位置との間で往復移動させる。センサ移動機構６５は例えばリニアモータ機構、ボールねじ機構またはシリンダ機構を含み、制御部１３０によって制御される。

センサ６０の待機位置は、センサ６０が基板Ｗの偏心状態を測定しない位置であり、例えば基板Ｗと上下方向において対向しない位置である。図２の例では、センサ６０は待機位置に位置している。

センサ６０の測定位置は、基板Ｗの偏心状態を測定する際のセンサ６０の位置である。図５は、センサ６０および基板Ｗの構成の一例を概略的に示す図である。図５では、センサ６０は測定位置で停止している。図５の例では、センサ６０は発光部６１および受光部６２を含んでいる。発光部６１は、吸着保持機構１０によって吸着保持された基板Ｗよりも上方に位置している。センサ６０が測定位置で停止した状態において、発光部６１は当該基板Ｗの周縁部と上下方向において対向する。発光部６１は光Ｌ１を基板Ｗの周縁部に向かって光を照射する。発光部６１は、例えばＬＥＤなどの光源を含む。光Ｌ１の波長は特に制限されないものの、例えば光Ｌ１として赤外線を採用することができる。光Ｌ１は少なくとも回転軸Ｑ１についての径方向に広い。この光Ｌ１のうち径方向内側の一部は基板Ｗの周縁部で遮られ、光Ｌ１の残りの一部（以下、光Ｌ１１と呼ぶ）は基板Ｗの外側を上下方向に沿って進行する。

図５の例では、受光部６２は、吸着保持機構１０によって吸着保持された基板Ｗの周縁部に対して発光部６１とは反対側に位置している。つまり、基板Ｗの周縁部は発光部６１と受光部６２との間に位置する。受光部６２は、発光部６１からの光Ｌ１のうち、基板Ｗの径方向外側を進行する光Ｌ１１を受光する。受光部６２は、例えばフォトトランジスタおよびフォトダイオードなどの受光素子（光電変換素子ともいう）を含む。受光部６２は、受光した光Ｌ１１の光量（例えば強度）を示す電気信号を制御部１３０に出力する。

基板Ｗの中心が回転軸Ｑ１に一致している場合、基板Ｗの１回転中に受光部６２が受光する光Ｌ１１の受光量は理想的には常に一定である。一方、基板Ｗの中心が回転軸Ｑ１からずれている場合、基板Ｗの１回転中に受光部６２が受光する光Ｌ１１の光量は、基板Ｗの回転位置に応じて変化する。

図６は、光Ｌ１１の光量と基板Ｗの回転位置との関係の一例を示すグラフである。図６は、基板Ｗの中心が回転軸Ｑ１からずれている場合のグラフを示している。図６に例示するように、受光量は基板Ｗの回転位置に対して正弦波状に変化する。この受光量の波形において、受光量の振幅は基板Ｗの偏心量を示し、受光量が最大値または最小値をとるときの回転位置は偏心方向を示す。言い換えれば、制御部１３０は、基板Ｗの１回転中においてセンサ６０によって取得される受光量の波形に基づいて、基板Ｗの偏心状態を求めることができる。具体的には、制御部１３０はセンサ６０からの信号に基づいて、受光量の振幅を求め、この振幅に基づいて偏心量を求める。また制御部１３０は、受光量が最大値または最小値をとる回転角度を偏心方向として求める。この制御部１３０の偏心状態算出機能は、センサ６０に属しているともいえる。つまり、発光部６１、受光部６２および制御部１３０の偏心状態算出機能がセンサ６０を構成しているといえる。なお、偏心状態算出機能を有する演算処理部が制御部１３０とは別体で設けられてもよい。

また、センサ６０の待機位置は測定位置と同一水平面内に含まれてもよい。つまり、センサ移動機構６５はセンサ６０を水平に移動させてもよい。ただし、図２に例示するように、ガード９６が上位置で停止する場合には、センサ６０とガード９６が衝突し得る。よって、センサ移動機構６５は、ガード９６が下位置に退避した状態で、センサ６０を待機位置と測定位置との間で水平に移動させる。これにより、センサ６０とガード９６との間の衝突を避けることができる。

制御部１３０は基板処理装置１を制御する。制御部１３０は制御回路とも言える。図７は、制御部１３０の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部１３０は演算処理部１３１と記憶媒体１３２とを含む。演算処理部１３１は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）などの処理装置を含む。記憶媒体１３２は例えば非一時的な記憶媒体１３２１と一時的な記憶媒体１３２２とを含む。非一時的な記憶媒体１３２１は、例えばＲＯＭ（Read Only Memory）などのメモリを含む。一時的な記憶媒体１３２２は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリを含む。図７の例では、演算処理部１３１および記憶媒体１３２はバス１３３によって相互に接続されている。制御部１３０に電気的に接続される上述の各種構成は、直接または通信回路を介してバス１３３に接続される。

非一時的な記憶媒体１３２１には、演算処理部１３１によって実行されるプログラムが格納されている。演算処理部１３１が当該プログラムを実行することにより、制御部１３０は各種の機能を実行することができる。ただし、制御部１３０が実行する機能の一部または全部は、プログラムなどのソフトウェアが不要なハードウェア回路によって実現されてもよい。

＜基板処理装置の動作＞
次に、基板処理装置１の動作の一例について述べる。図８は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。初期的には、ノズル９１、リンス用ノズルおよびセンサ６０はそれぞれの待機位置に位置し、リフトピン３０およびガード９６はそれぞれの下位置に位置する。

まず、センターロボットＣＲが基板Ｗを吸着保持機構１０に渡し、吸着保持機構１０が基板Ｗを吸着保持する（ステップＳ１）。具体的には、吸引機構１６が気体の吸引を行うことで、吸着保持機構１０が基板Ｗを吸着保持する。次に、制御部１３０は偏心測定処理を行う（ステップＳ２）。具体的には、まずセンサ移動機構６５がセンサ６０を水平に移動させて待機位置から測定位置に移動させる。次に、発光部６１が光Ｌ１を照射し、回転機構２０が基板Ｗを回転させつつ、受光部６２が受光量を順次に測定し、その測定結果を制御部１３０に出力する。受光部６２は例えば所定の回転角度ごとに受光量を測定する。受光量の波形を取得すると、回転機構２０は基板Ｗの回転を停止し、センサ移動機構６５はセンサ６０を測定位置から待機位置に移動させる。制御部１３０は受光量の波形に基づいて基板Ｗの偏心状態（具体的には、偏心量および偏心方向）を求める。

次に、制御部１３０は基板Ｗの位置調整処理が必要であるか否かを判断する（ステップＳ３）。具体的には、制御部１３０は基板Ｗの偏心量が基準値よりも小さいか否かを判断する。基準値は例えば百μｍオーダー以下であり、予め設定され得る。偏心量が基準値よりも小さい場合には、基板Ｗはほとんど偏心していないと判断されるので、制御部１３０は基板Ｗの調整を不要と判断する。この場合、制御部１３０は後述の位置調整処理（ステップＳ４）を実行せずに、ベベル処理（ステップＳ５）を実行する。

一方で、偏心量が基準値よりも大きいときには、基板Ｗが偏心しているので、制御部１３０は基板Ｗの位置調整処理が必要であると判断する。図９は、基板Ｗの構成の一例を概略的に示す平面図である。図９の例では、基板Ｗの中心Ｑ２は回転軸Ｑ１からずれている。具体的には、基板Ｗの中心Ｑ２は回転軸Ｑ１に対して紙面右斜め上方向にずれている。この場合、制御部１３０は基板Ｗの位置調整処理が必要と判断し、基板Ｗの位置調整処理を実行する（ステップＳ４）。

図１０は、基板Ｗの位置調整処理の具体的な一例を示すフローチャートである。まず、回転機構２０は、基板Ｗの偏心方向が水平移動機構５０による水平移動方向Ｄ１（図９も参照）に沿うように、基板Ｗを回転させる（ステップＳ４１）。図９の例では、回転後の基板Ｗを二点鎖線で示している。図９の例では、回転後の基板Ｗの中心Ｑ２は水平移動方向Ｄ１において回転軸Ｑ１と並んでいる。

次に、リフトピン３０が基板Ｗを吸着保持機構１０から持ち上げる（ステップＳ４２）。具体的には、吸引機構１６が気体の吸引を停止して基板Ｗの吸着を解除した上で、上下移動機構４０が複数のリフトピン３０を下位置から上位置に移動させる。この移動により、複数のリフトピン３０が吸着保持機構１０から基板Ｗを受け取って持ち上げる。よって、基板Ｗは複数のリフトピン３０によって支持される。

次に、水平移動機構５０は、基板Ｗの偏心量が低減する方向に基板Ｗを水平移動方向Ｄ１に沿って移動させる（ステップＳ４３）。図９の例では、回転後の基板Ｗを紙面下方に移動させる。基板Ｗの移動量としては、センサ６０によって測定された基板Ｗの偏心量を採用するとよい。これにより、理想的には、平面視において、基板Ｗの中心Ｑ２が回転軸Ｑ１に一致する。

次に、リフトピン３０が基板Ｗを吸着保持機構１０の吸着面１１ａの上に載置する（ステップＳ４４）。具体的には、上下移動機構４０がリフトピン３０を上位置から下位置に移動させる。この移動により、基板Ｗが吸着保持機構１０の吸着面１１ａの上に再び載置される。次に、水平移動機構５０は水平移動方向Ｄ１においてリフトピン３０を元の位置に移動させてもよい。

以上のように、基板Ｗの偏心量を低減した状態で、リフトピン３０が下位置に移動して基板Ｗを吸着面１１ａの上に載置するので、吸着保持機構１０は偏心量が小さい状態で基板Ｗを吸着保持することができる。

次に、制御部１３０はベベル処理を実行する（ステップＳ５）。具体的には、ノズル移動機構９５がノズル９１およびリンス用ノズルを処理位置に移動させ、ガード移動機構９７がガード９６を下位置から上位置に移動させる。次に、回転機構２０が、ベベル処理に適した回転速度で基板Ｗを回転させる。次に、バルブ９３が開くことにより、ノズル９１から薬液が基板Ｗの周縁部に供給されて、基板Ｗの周縁部の不純物が除去される。不純物が十分に除去されると、バルブ９３を閉じ、リンス用バルブを開く。これにより、リンス用ノズルからリンス液が基板Ｗの周縁部に供給される。リンス液は基板Ｗの周縁部上の薬液を洗い流す。言い換えれば、基板Ｗの周縁部上の薬液がリンス液に置換される。十分に薬液が洗い流されると、リンス用バルブを閉じる。次に、基板Ｗを乾燥すべく、回転機構２０は基板Ｗの回転速度を増加させ、乾燥に適した回転速度で基板Ｗを回転する（いわゆるスピン乾燥）。乾燥処理が終了すると、回転機構２０は基板Ｗの回転を終了させる。

次に、処理済みの基板Ｗが搬出される（ステップＳ６）。具体的には、吸引機構１６が基板Ｗの吸着を解除し、センターロボットＣＲが基板Ｗを吸着保持機構１０から受け取って外部に搬送する。

以上のように、基板処理装置１によれば、基板Ｗの偏心量を低減することができる。よって、偏心量が小さい状態で基板Ｗに対するベベル処理を実行することができる。したがって、薬液が基板Ｗのデバイス領域に進入する可能性を低減することができる。

しかも、基板処理装置１によれば、リフトピン３０が基板Ｗを持ち上げた状態で、リフトピン３０および基板Ｗを一体的に水平移動方向Ｄ１に沿って移動させて、基板Ｗの偏心量を低減する。よって、先行技術文献１，２のように、基板Ｗが吸着面１１ａ上に載置された状態で基板Ｗを吸着保持機構１０に対して水平方向に摺動させる場合に比して、基板Ｗと吸着面１１ａとの間の擦れを回避することができる。よって、擦れによる基板Ｗの下面の汚染または損傷を低減することができる。

また、上述の例によれば、リフトピン３０を移動させるピン移動機構（上下移動機構４０および水平移動機構５０）は、モータ収納部材７０に設けられている。モータ収納部材７０は吸着保持機構１０の直下に位置しているので、ピン移動機構を基板Ｗの近くに設けることができる。図３の例では、ピン移動機構はモータ収納部材７０の上面部７１に設けられている。これによれば、ピン移動機構を基板Ｗのより近くに配置することができる。これによれば、ピン移動機構は基板Ｗの近くで基板Ｗの位置を調整するので、基板Ｗの位置調整の精度を向上することができる。例えばセンターロボットＣＲが基板Ｗの水平面の位置を調整する場合に比して、より高い精度で基板Ｗの位置を調整できる。

また上述の例では、ピン移動機構は、基板処理装置１の床面に固定された非駆動体であるモータ収納部材７０に連結されている。つまり、ピン移動機構とモータ収納部材７０（非駆動体）との間に他の駆動体が介在していない。よって、基板の水平面内の位置を調整する調整機構が、例えばガード９６などの駆動体に連結されている場合に比して、より高い精度で基板Ｗの位置を調整することができる。つまり、調整機構がガード９６などの駆動体に連結されている場合には、その駆動体における恒常的な微小変位が調整機構に影響し、調整機構の位置調整に誤差を生じさせ得る。これに対して、ピン移動機構が非駆動体（例えばモータ収納部材７０）に連結されている場合には、そのような誤差を回避することができる。

また、上述の例では、基板Ｗの位置調整に必要なピン移動機構（上下移動機構４０および水平移動機構５０）、連結部材３１およびリフトピン３０は、平面視において、基板Ｗの周縁よりも回転軸Ｑ１側に位置している。よって、平面視において基板Ｗよりも外側の空間を他の部材の配置に利用することができる。

また、上述の例では、複数のリフトピン３０は連結部材３１によって連結され、ピン移動機構によって一体で移動する。よって、各リフトピン３０に対して個別にピン移動機構が設けられる場合に比して、ピン移動機構を小型化できる。

＜リフトピンの位置＞
リフトピン３０は平面視において次に説明する領域内に位置しているとよい。具体的には、基板Ｗの直径の４分の１を直径とする仮想内円と、基板Ｗの直径の４分の３を直径とする仮想外円とで挟まれる環状領域内に、複数のリフトピン３０が位置しているとよい。

比較のために、リフトピン３０が平面視において基板Ｗの周縁に位置している場合について考察する。この場合、リフトピン３０は基板Ｗの下面の周縁を支持する。よって、基板Ｗを支持する支持点（つまり基板の周縁）と、基板Ｗの中心部との間の距離は比較的に長い。したがって、リフトピン３０が基板Ｗを持ち上げた状態で、基板Ｗの中心部が支持点に対して下方に大きく撓む。このように基板Ｗが大きく撓むと、基板Ｗを吸着保持機構１０の吸着面１１ａの上に載置する際に、基板Ｗが吸着面１１ａに対して水平方向にずれる可能性が高くなる。

これに対して、リフトピン３０が上記環状領域内に位置する場合には、リフトピン３０による基板Ｗの支持点と、基板Ｗの中心部との間の距離を低減することができる。よって、基板Ｗの撓み量を低減することができる。したがって、吸着面１１ａへの載置時に生じる基板Ｗの位置ずれを低減することができる。

＜リフトピンと吸着保持機構との位置関係＞
上述の例では、リフトピン３０は吸着保持機構１０（吸着部材１１）よりも径方向外側に位置している。しかしながら、必ずしもこれに限らない。図１１は、リフトピン３０および吸着保持機構１０の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。吸着保持機構１０の吸着部材１１には、リフトピン３０と対向する位置に貫通孔１１ｂが形成されている。貫通孔１１ｂは吸着部材１１（より具体的には、板状部材１２）を上下方向に貫通している。この貫通孔１１ｂは、吸着部材１１内に形成される吸着用の内部流路と干渉しないように形成される。貫通孔１１ｂは平面視においてリフトピン３０よりも大きく、リフトピン３０が貫通孔１１ｂを貫通した状態で、水平移動方向Ｄ１に沿って移動可能である。貫通孔１１ｂの大きさは、リフトピン３０の移動可能範囲を確保できるように設定される。

図１２は、吸着保持機構１０の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。吸着保持機構１０は吸着部材１１Ａを含んでいる。吸着部材１１Ａは回転軸Ｑ１を囲む筒状の形状を有している。よって、吸着部材１１Ａの吸着面１１Ａａは平面視において環状の形状を有する。吸着部材１１Ａの吸着面１１Ａａの上には基板Ｗが載置される。吸着面１１Ａａの外径は例えば基板Ｗの直径よりも小さい。吸着面１１Ａａには、不図示の吸着口が形成される。吸着部材１１Ａには、吸着口に繋がる内部流路が形成されており、当該内部流路は不図示の吸引管を介して不図示の吸引機構に接続される。吸引機構が気体を吸引することにより、基板Ｗの裏面が吸着部材１１Ａの吸着面１１Ａａに吸引される。これにより、基板Ｗが吸着部材１１Ａに吸着保持される。

吸着部材１１Ａの下端はシャフト２２を介してモータ２１に連結される。モータ２１はシャフト２２を回転させることにより、吸着部材１１Ａを回転軸Ｑ１のまわりで回転させる。シャフト２２は中空シャフトである。

モータ２１はモータ収納部材７０Ａに収納されている。モータ収納部材７０Ａの上面部には、シャフト２２によって貫通される貫通孔７０Ａａが形成されている。貫通孔７０Ａａには不図示のシール軸受が設けられてもよい。シャフト２２はこのシール軸受を介して回転可能にモータ収納部材７０Ａに連結される。

図１２では、基板処理装置１には、複数のピン３０Ａが設けられている。複数のピン３０Ａは、リフト部材３１Ａの上面３１Ａａに立設されている。複数のピン３０Ａは回転軸Ｑ１を中心とした仮想円上に等間隔で配置される。例えば３つのピン３０Ａが１２０度間隔で配置される。各ピン３０Ａは上面３１Ａａから上方に突出する。リフト部材３１Ａは複数のピン３０Ａを連結する連結部材として機能する。

リフト部材３１Ａは、吸着部材１１Ａおよびシャフト２２の中空部内において、上下方向に沿って延在している。よって、複数のピン３０Ａは平面視において、吸着部材１１Ａの吸着面１１Ａａよりも回転軸Ｑ１側に位置している。

複数のピン３０Ａは上下移動機構４０Ａによって上下方向に移動可能である。図１２の例では、上下移動機構４０Ａはリフト部材３１Ａを上下方向に移動させることにより、複数のピン３０Ａを一体的に上下方向に移動させる。上下移動機構４０Ａは、リフト部材３１Ａを上位置と下位置との間で移動させる。上位置は、ピン３０Ａの上端が吸着面１１Ａａよりも上方となる位置であり、下位置は、ピン３０Ａの上端が吸着面１１Ａａよりも下方となる位置である。上下移動機構４０Ａの構成は上下移動機構４０と同様である。ピン３０Ａは上下方向に移動するので、リフトピンであると言える。

上下移動機構４０Ａがリフト部材３１Ａを下位置から上位置に移動させることにより、複数のピン３０Ａが基板Ｗの裏面に当接して基板Ｗを持ち上げる。これにより、基板Ｗは複数のピン３０Ａによって支持される。

複数のピン３０Ａは水平移動機構５０Ａによって水平移動方向に移動可能である。図１２の例では、水平移動機構５０Ａは上下移動機構４０Ａを水平移動方向に移動させることにより、複数のピン３０Ａを一体的に水平移動方向に移動させる。複数のピン３０Ａが基板Ｗを持ち上げた状態で、複数のピン３０Ａが水平移動方向に移動することにより、基板Ｗも水平移動方向に移動する。複数のピン３０Ａの水平移動方向における移動可能距離は、平面視におけるリフト部材３１Ａの大きさ、吸着部材１１Ａの中空部の大きさ、および、シャフト２２の中空部の大きさによって規定される。この移動可能距離は、基板Ｗの偏心状態を解消するのに十分な値に予め設定されればよい。

図１２の例では、水平移動機構５０Ａはモータ収納部材７０Ａの下面部に連結されている。モータ収納部材７０Ａは非駆動体（言い換えれば、固定体）である。つまり、複数のピン３０Ａを移動させるピン移動機構（上下移動機構４０Ａおよび水平移動機構５０Ａ）は非駆動体に連結される。より具体的には、ピン移動機構は他の駆動体を介さずに非駆動体に連結されている。よって、ピン移動機構は高い精度で基板Ｗの位置を調整することができる。なお、モータ収納部材７０が下面部を有さずに、その側面部の下端周縁が基板処理装置１の床面に連結されている場合には、ピン移動機構（上下移動機構４０Ａおよび水平移動機構５０Ａ）は基板処理装置１の床面に直接に連結されていてもよい。また、上下移動機構４０Ａおよび水平移動機構５０Ａの位置関係は逆であってもよい。

＜リフトピンの吸着機構＞
複数のリフトピン３０の少なくともいずれか一つの上端には、吸着口が形成されていてもよい。図１３は、リフトピン３０の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１３の例では、３つのリフトピン３０のいずれもが、吸着口３０ａを有している。各リフトピン３０の上端面は基板Ｗの下面に平行であり、吸着口３０ａはリフトピン３０の上端面に形成される。リフトピン３０には、吸着口３０ａに繋がる内部流路が形成されており、当該内部流路は吸引管３８を介して吸引機構３９に接続されている。吸引管３８は可撓性を有しており、リフトピン３０の移動に応じて変形する。吸引機構３９はポンプを含んでおり、吸引管３８の内部の気体を吸引する。これにより、吸着口３０ａから気体が吸引される。吸引機構３９は制御部１３０によって制御される。

複数のリフトピン３０が上位置に移動して基板Ｗを支持した状態で、吸引機構３９が気体を吸引することにより、基板Ｗはリフトピン３０によって吸着保持される。これにより、リフトピン３０の移動に伴うリフトピン３０と基板Ｗとの間に位置ずれが生じる可能性を低減することができる。

＜基板の位置調整＞
基板Ｗの位置を調整した後に、基板Ｗの偏心状態を再度確認してもよい。図１４は、基板処理装置１の動作の他の一例を示すフローチャートである。まず、未処理の基板Ｗが搬入されて吸着保持機構１０によって吸着保持される（ステップＳ１）。次に、センサ６０が基板Ｗの偏心状態を測定し（ステップＳ２）、制御部１３０が基板Ｗの位置調整処理の必要性を判断し（ステップＳ３）、必要に応じて、制御部１３０が基板Ｗの位置調整処理を実行する（ステップＳ４）。

基板Ｗの位置調整処理が終了すると、センサ６０は再び偏心状態を測定する（ステップＳ２Ａ）。つまり、制御部１３０は、ステップＳ３の基板Ｗの位置調整処理によって適切に基板Ｗの偏心状態を解消したかどうかを確認する。ステップＳ２Ａの具体的な処理はステップＳ２と同じである。

次に、制御部１３０は再度の基板Ｗの位置調整処理が必要であるか否かを判断する（ステップＳ３Ａ）。ステップＳ３Ａの具体的な処理はステップＳ３と同じである。偏心量が基準値よりも小さいときには、ステップＳ３の位置調整処理によって基板Ｗの偏心状態が解消されているので、制御部１３０は再度の位置調整処理は不要と判断し、ステップＳ５のベベル処理を実行する。

一方で、偏心量が基準値よりも大きいときには、制御部１３０は再度の位置調整処理が必要であると判断し、基板Ｗの位置調整処理を再び実行する（ステップＳ４Ａ）。ステップＳ４Ａの具体的な処理は例えばステップＳ４と同じであってもよい。次に、制御部１３０はベベル処理を実行する（ステップＳ５）。ベベル処理の後に、処理済みの基板Ｗが基板処理装置１から搬出される（ステップＳ６）。

上述の動作によれば、１回目の基板Ｗの位置調整処理後に再び基板Ｗの偏心状態を測定し、その測定結果に応じて、再び基板Ｗの位置調整処理を行う。よって、基板Ｗの偏心量をより適切に低減することができる。

なお、上述の例では、必要に応じて２回の位置調整処理を行っているものの、必ずしも２回に限らない。制御部１３０は、基板Ｗの偏心量が基準値を下回るまで、繰り返し基板Ｗの位置調整処理を行ってもよい。

また、２回目以降の基板Ｗの調整処理においては、基板Ｗの水平移動方向Ｄ１の移動量として、直前に測定された偏心量をそのまま採用するのではなく、当該偏心量を補正した値を採用してもよい。例えば、ステップＳ４の位置調整処理の直前（ステップＳ２）および直後（ステップＳ２Ａ）で測定した基板Ｗの偏心方向が互いに反対であり、位置調整の直前および直後に測定した基板Ｗの偏心量がそれぞれ１ｍｍ，０．２ｍｍである場合を想定する。この数値は実際に即したものではなく、説明のために誇張した値である。

この場合、水平移動方向の移動量１ｍｍに応じて０．２ｍｍの誤差が生じていると考えられ得る。つまり、ステップＳ４の位置調整処理での１ｍｍの移動に対して２割の誤差（０．２ｍｍ）が生じているとも考えられる。要するに、設定された移動量の１ｍｍに対して、実際の移動量が２割増しの１．２ｍｍとなっていると考えられ得る。

そこで、ステップＳ２で測定された偏心量に対するステップＳ２Ａで測定された偏心量の割合に基づいて、ステップＳ４Ａでの基板Ｗの移動量を求めてもよい。つまり、２割増しで基板Ｗが移動するのであれば、ステップＳ４Ａの移動量として、２割減の０．１６｛＝（０．２）・（１－０．２／１）｝ｍｍを採用する。これにより、ステップＳ４Ａの位置調整処理によって、基板Ｗの偏心状態をより適切に解消することができる。

また、制御部１３０は、位置調整処理の前後の偏心量を都度、データベースとして記憶媒体１３２に記憶し、次回以降の位置調整処理における基板Ｗの移動量を当該データベースに基づいて決定してもよい。

第２の実施の形態
第２の実施の形態にかかる基板処理装置１の構成は、センサ６０の構成を除いて第１の実施の形態と同様である。第２の実施の形態では、センサ６０に替えてセンサ６０Ａが設けられる。ただし、第２の実施の形態は必ずしも第１の実施の形態を前提とする必要はなく、センサ６０Ａは、適宜、他の基板処理装置に適応可能である。

図１５は、センサ６０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。図１５の例では、センサ６０Ａは測定位置に位置しており、基板Ｗの周縁部と対向する。図１５の例では、センサ６０Ａは発光部６１と受光部６２と光路変更素子６４とを含んでいる。以下、センサ６０Ａが測定位置に位置する状態での発光部６１、受光部６２および光路変更素子６４について述べる。発光部６１は第１の実施の形態と同様に、測定位置において光Ｌ１を基板Ｗの周縁部に照射する。発光部６１は基板Ｗの表面に対して上方に位置している。

第２の実施の形態では、受光部６２も基板Ｗの表面に対して上方に位置している。受光部６２は平面視において発光部６１および基板Ｗと隣り合っており、これらと重ならない。図１５の例では、受光部６２は発光部６１よりも径方向外側に位置しており、発光部６１と径方向において並んでいる。なお、受光部６２は回転軸Ｑ１の周方向において発光部６１と隣り合っていてもよい。

光路変更素子６４は、発光部６１から照射された光Ｌ１のうち基板Ｗの外側を通過した光Ｌ１１の進路を変更し、光Ｌ１１を受光部６２へ向かって進行させる。つまり、受光部６２は、光Ｌ１のうち基板Ｗの外側を通過した光Ｌ１１を、光路変更素子６４を介して受光する。光路変更素子６４は例えばプリズムである。この光路変更素子６４は発光部６１および受光部６２よりも高い耐薬品性を有している。例えばプリズムは石英またはサファイアガラスなどによって形成される。なお、光路変更素子６４は複数のミラーによって構成されていてもよい。

発光部６１、受光部６２および光路変更素子６４は不図示の連結部材によって互いに連結されていてもよい。これによれば、センサ移動機構６５は、発光部６１、受光部６２および光路変更素子６４を一体に移動させることができる。

センサ６０による基板Ｗの偏心状態の測定アルゴリズムは第１の実施の形態と同様である。

第２の実施の形態によれば、基板Ｗよりも上方に発光部６１および受光部６２が設けられており、基板Ｗよりも下方に光路変更素子６４が設けられている。基板Ｗよりも下方の部材には、処理液が付着したり、あるいは、基板Ｗよりも下方の空間には、処理液（例えば薬液）の揮発成分を多く含んだ雰囲気が形成され得る。もし、基板Ｗよりも下方に発光部６１または受光部６２が設けられていると、処理液または揮発成分が発光部６１または受光部６２に付着し、これを腐食させる場合がある。これにより、センサ６０の測定精度が低下し得る。

これに対して、第２の実施の形態では、発光部６１および受光部６２が基板Ｗよりも上方に位置しており、処理液または揮発成分が付着しにくい。よって、処理液または揮発成分が発光部６１および受光部６２に付着することに伴う不都合が生じにくい。

図１５の例では、発光部６１および受光部６２は、薬液耐性の大きい保護部材６６で覆われている。保護部材６６のうち、少なくとも、発光部６１の発光面と対向する部分、および、受光部６２の受光面と対向する部分は、光Ｌ１に対する透光性を有している。発光面とは、光源と対向する面であり、光源で発光した光Ｌ１が透過する。受光面とは、受光素子と対向する面であり、光Ｌ１１が透過する面である。保護部材６６を構成する材料としては、例えばフッ素系の樹脂などが例示される。

発光部６１および受光部６２は基板Ｗよりも上方に位置するので、発光部６１および受光部６２に対して保護部材６６を設けたとしても、発光部６１または受光部６２が基板Ｗの下方に設けられる場合に比してスペース的な困難が生じにくい。その理由について簡単に説明する。基板Ｗよりも下方の空間には、例えば基板Ｗの周縁部を全周に亘って加熱するヒータなどの他の部材が設けられ得る。当該ヒータは、平面視において環状形状を有しており、基板Ｗの周縁部に対して略全周で対向する。これに対して、基板Ｗの周縁部よりも上方空間では、下方空間に比べて大きな部材が設けられない。よって、スペース的に、発光部６１および受光部６２を大きい保護部材６６で容易に覆うことが可能である。

一方、光路変更素子６４が発光部６１および受光部６２よりも高い耐薬品性を有している場合には、光路変更素子６４に対しては保護部材を設けていなくてもよい。あるいは、光路変更素子６４に対しても適宜に保護部材を設けてもよい。光路変更素子６４は発光部６１および受光部６２に比して簡易な構造を有しているので、簡単にこれらよりも薄く作製することができる。よって、基板Ｗよりも下方に位置する光路変更素子６４に対して保護部材を設けても、スペース的に問題が生じにくい。

この基板処理装置１は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、基板処理装置１がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

例えば、第１の実施の形態においては、センサ６０はカメラを含んでいてもよい。カメラが、吸着保持機構１０に保持された基板Ｗを撮像して画像データを取得し、制御部１３０が当該画像データに対して画像処理を行うことで、基板Ｗの中心を特定してもよい。

また、第１および第２の実施の形態において、リフトピン３０が吸着口３０ａを有している場合には、リフトピン３０は基板Ｗよりも上方に設けられてもよい。この場合、リフトピン３０は吸着口３０ａを基板Ｗの表面に向けて配置される。リフトピン３０が下位置に移動して吸着口３０ａが基板Ｗの表面に当接した状態で、吸着口３０ａから気体が吸引されることにより、リフトピン３０が基板Ｗを吸着保持することができる。この状態で、リフトピン３０が上位置に移動して基板Ｗを持ち上げて、水平移動方向に移動した後に、下位置に移動して、基板Ｗを吸着保持機構１０に受け渡してもよい。

１ 基板処理装置
１０ 吸着保持機構
２０ 回転機構
３０，３０Ａ リフトピン
４０，４０Ａ 上下移動機構
５０，５０Ａ 水平移動機構
６０ センサ
７０ 収納部材（モータ収納部材）

Claims (7)

1. 基板を処理するための基板処理装置であって、
   基板の裏面を吸着し前記基板を水平に保持する吸着保持機構と、
   前記基板を保持した前記吸着保持機構を前記基板の中心を通る鉛直方向の回転軸を中心に回転させる回転機構と、
   前記吸着保持機構によって保持された前記基板に向かって処理液を吐出するノズルと、
   前記吸着保持機構によって保持された前記基板を囲む筒状の形状を有するガードと、
   前記吸着保持機構によって保持された前記基板よりも下方において、当該基板と対向する位置に設けられた複数のリフトピンと、
   前記複数のリフトピンの上端を、前記吸着保持機構の吸着面よりも上方である第１位置と、前記吸着保持機構の前記吸着面よりも下方である第２位置との間で上下方向に移動させる上下移動機構と、
   前記複数のリフトピンを前記吸着保持機構に対して水平方向に移動させる水平移動機構と、
   前記吸着保持機構に保持された前記基板の偏心状態を測定するセンサと、
   移動機構収納部材と
   を備え、
   前記上下移動機構は、前記複数のリフトピンを前記第１位置に移動させることで前記吸着保持機構から前記基板を支持し、
   前記水平移動機構は、前記基板を支持した状態において、前記センサにより測定された前記基板の偏心状態に基づいて前記複数のリフトピンを水平方向に移動させ、
   前記回転機構は、前記吸着保持機構から下方に延在するシャフトに連結され、
   前記上下移動機構および前記水平移動機構は、前記回転機構を収納する収納部材に連結されており、
   前記上下移動機構および前記水平移動機構は、前記収納部材の上面部に設けられており、
   前記移動機構収納部材は、
   前記回転軸を囲み、前記収納部材の上面部に連結された内周壁と、
   前記内周壁と間隔を開けて当該内周壁の外周面を囲む外周壁と、
   前記上下移動機構および前記水平移動機構より上方に位置し、前記内周壁の上端周縁と前記外周壁の上端周縁に連結される移動機構上面部と、
   を有し、
   前記移動機構上面部には、前記複数のリフトピンにおける各リフトピンによって貫通される貫通孔が形成され、
   前記上下移動機構および前記水平移動機構は、前記内周壁と前記外周壁との間に設けられ、
   前記移動機構上面部と前記複数のリフトピンにおける各リフトピンとの間に、前記貫通孔を封止するシールが設けられる、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記複数のリフトピンは互いに連結されて一体で移動する、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記複数のリフトピンは、前記回転軸を中心とした仮想円上に等間隔で並んで設けられる、基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記複数のリフトピンは、平面視において、前記吸着保持機構によって保持された前記基板の半径の４分の１の半径を有する仮想内円と、当該基板の半径の４分の３の半径を有する仮想外円とで挟まれる環状領域内に位置する、基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記複数のリフトピンは、平面視において、前記吸着保持機構よりも外側に位置する、基板処理装置。
6. 請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記吸着保持機構には、前記複数のリフトピンによって上下方向に貫通される貫通孔が形成されている、基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記複数のリフトピンの少なくとも一つの上端には、前記基板を吸着する吸着口が形成されている、基板処理装置。

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