CN114746993A - 基板处理装置 - Google Patents

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CN114746993A CN202080081549.1A CN202080081549A CN114746993A CN 114746993 A CN114746993 A CN 114746993A CN 202080081549 A CN202080081549 A CN 202080081549A CN 114746993 A CN114746993 A CN 114746993A
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Abstract

基板处理装置具备吸附保持机构、旋转机构、多个升降销、上下移动机构以及水平移动机构。吸附保持机构吸附保持基板。旋转机构使保持基板的吸附保持机构以旋转轴为中心旋转。上下移动机构使多个升降销沿上下方向移动。传感器测量保持于吸附保持机构的基板(W)的偏心状态。上下移动机构通过使多个升降销移动而从吸附保持机构支撑基板，在支撑基板的状态下，水平移动机构基于由传感器测量出的基板的偏心状态使多个升降销沿水平方向移动。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。
背景技术
一直以来，提出有一种基板处理装置(例如，专利文献1～3)，其水平地保持圆板状的基板，且一边使基板绕通过基板的中心的铅垂的旋转轴旋转一边对该基板进行处理。这些基板处理装置包含：真空吸盘部，其吸附基板的下表面；旋转部，其使真空吸盘部绕该旋转轴旋转；以及定位机构，其用于调整基板的位置。定位机构是通过在水平方向上推动载置于真空吸盘部上的基板的端部，使基板相对于真空吸盘部滑动，从而使基板的中心与旋转轴一致。由此，基板绕通过自身的中心的旋转轴旋转。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-258924号公报
专利文献2：日本特开2011-258925号公报
专利文献3：日本特开2019-149423号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1～3中，由于定位机构使基板相对于真空吸盘部滑动，因此存在损伤或污染基板的下表面的可能性。
因此，本案的目的在于提供一种基板处理装置，能够降低基板下表面的损伤或污染，降低基板的偏心状态。
用于解决课题的方案
基板处理装置的第一方案用于处理基板，该基板处理装置具备：吸附保持机构，其吸附基板的背面，将上述基板水平地保持；旋转机构，其使保持上述基板的上述吸附保持机构以通过上述基板的中心的铅垂方向的旋转轴为中心旋转；多个升降销，其设于在比由上述吸附保持机构保持的上述基板靠下方与该基板对置的位置；上下移动机构，其使上述多个升降销的上端在第一位置与第二位置之间沿上下方向移动，上述第一位置是比上述吸附保持机构的吸附面靠上方的位置，上述第二位置是比上述吸附保持机构的上述吸附面靠下方的位置；水平移动机构，其使上述多个升降销相对于上述吸附保持机构在水平方向上移动；以及传感器，其测量保持于上述吸附保持机构的上述基板的偏心状态，上述上下移动机构通过使上述多个升降销向上述第一位置移动而从上述吸附保持机构支撑上述基板，在支撑上述基板的状态下，上述水平移动机构基于由上述传感器测量出的上述基板的偏心状态使上述多个升降销在水平方向上移动。
基板处理装置的第二方案根据第一方案的基板处理装置，其中，上述旋转机构连结于从上述吸附保持机构向下方延伸的轴，上述上下移动机构及上述水平移动机构连结于收纳上述旋转机构的收纳部件。
基板处理装置的第三方案根据第二方案的基板处理装置，其中，上述上下移动机构及上述水平移动机构设于上述收纳部件的上表面部。
基板处理装置的第四方案根据第一～第三中任一个方案的基板处理装置，其中，上述多个升降销互相连结而一体地移动。
基板处理装置的第五方案根据第一～第四中任一个方案的基板处理装置，其中，上述多个升降销等间隔地排列设置于以上述旋转轴为中心的假想圆上。
基板处理装置的第六方案根据第一～第五中任一个方案的基板处理装置，其中，在俯视下，上述多个升降销位于由假想内圆和假想外圆夹着的环状区域内，上述假想内圆具有由上述吸附保持机构保持的上述基板的半径的四分之一的半径，上述假想外圆具有该基板的半径的四分之三的半径。
基板处理装置的第七方案根据第一～第六中任一个方案的基板处理装置，其中，在俯视下，上述多个升降销位于比上述吸附保持机构靠外侧。
基板处理装置的第八方案根据第一～第六中任一个方案的基板处理装置，其中，在上述吸附保持机构形成有由上述多个升降销沿上下方向贯通的贯通孔。
基板处理装置的第九方案根据第一～第六中任一个方案的基板处理装置，其中，上述吸附保持机构具有包围上述旋转轴的环状的形状，在俯视下，上述多个升降销位于比上述吸附保持机构靠内侧。
基板处理装置的第十方案根据第一～第九中任一个方案的基板处理装置，其中，在上述多个升降销的至少一个的上端形成有吸附上述基板的吸附口。
发明效果
根据基板处理装置，能够降低基板下表面的损伤或污染，降低基板的偏心状态。
附图说明
图1为示意地表示基板处理系统的整体结构的一例的俯视图。
图2为示意地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图3为放大表示基板处理装置的结构的一部分的一例的图。
图4为示意地表示吸附保持机构及升降销的结构的一例的俯视图。
图5为示意地表示传感器及基板的结构的一例的图。
图6为表示受光量与基板的旋转位置的关系的一例的曲线图。
图7为示意地表示控制部的内部结构的一例的块图。
图8为表示基板处理装置的动作的一例的流程图。
图9为示意地表示基板的结构的一例的俯视图。
图10为表示基板的位置调整处理的具体的一例的流程图。
图11为示意地表示升降销及吸附保持机构的结构的另一例的俯视图。
图12为示意地表示吸附保持机构的结构的另一例的俯视图。
图13为示意地表示升降销的结构的一例的俯视图。
图14为表示基板处理装置1的动作的另一例的流程图。
图15为示意地表示传感器60A的结构的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行说明。此外，在本实施方式中所记载的结构要素仅为例示而已，并不意味着将本公开的范围局限于此。为了便于理解，在图中，存在配合需要将各部分的尺寸、数量夸张或简化地图示的情况。
除非特别地说明，否则表示相对或绝对的位置关系的表述(例如“在一方向上”“沿一方向”“平行”“正交”“中心”“同心”“同轴”等)不仅严谨地表示位置关系，而且也表示在公差或可获得同程度的功能的范围内相对地在角度或距离上产生了位移的状态。除非特别地说明，否则表示相等的状态的表述(例如“相同”“相等”“均等”等)不仅严谨且定量地表示相等的状态，而且也表示存在公差或可获得相同程度的功能的差的状态。除非特别地说明，否则表示形状的表述(例如“四边形状”或“圆筒形状”等)不仅在几何学上严谨地表示该形状，而且也表示在可获得同程度的效果的范围内具有例如凹凸、倒角等的形状。“配备”“具”“具备”“包含”或“具有”一个结构要素的表述并非将其它的结构要素的存在排除在外的排他性表述。“A、B以及C的至少任一个”的表述包含仅A、仅B、仅C、A、B以及C中的任意两个、以及A、B以及C全部。
第一实施方式
＜基板处理系统的概略结构＞
图1为示意地表示基板处理系统100的结构的一例的图。基板处理系统100是通过药液或洗涤液等处理液逐片处理半导体晶圆等大致圆形的基板W的单片式的基板处理系统。基板处理系统100包含：分度块110；处理块120，其结合于分度块110；以及控制部130，其控制设于基板处理系统100的装置的动作及阀的开闭。
分度块110包含载体保持部111、分度机器人IR、以及IR移动机构112。载体保持部111保持能够收纳多个基板W的载体C。多个载体C以沿水平的载体排列方向D排列的状态保持于载体保持部111。IR移动机构112使分度机器人IR沿载体排列方向D移动。分度机器人IR进行将基板W搬入保持于载体保持部111的载体C的搬入动作、以及将基板W从载体C搬出的搬出动作。基板W由分度机器人IR以水平姿势搬送。在此所谓的水平姿势是指基板W的厚度方向沿着铅垂方向的状态。
另一方面，处理块120包括处理基板W的多个(例如，四个以上)的处理单元121、以及中央机器人CR。多个处理单元121配置成在俯视下围绕中央机器人CR。多个处理单元121例如包含有：药液供给单元121a，其向基板W供给药液；反应单元121b，其使药液与基板W的反应进行；以及洗涤单元121c，其冲洗供给至基板W的药液。中央机器人CR进行将基板W搬入处理单元121的搬入动作、以及将基板W从处理单元121搬出的搬出动作。并且，中央机器人CR在多个处理单元121之间搬送基板W。基板W由中央机器人CR以水平姿势搬送。中央机器人CR从自分度机器人IR接取基板W，并且将基板W移交至分度机器人IR。
＜基板处理装置1的结构＞
图2为示意地表示作为处理单元121的一例的基板处理装置1的结构的一例的图，图3为将基板处理装置1的一部分的结构放大并示意地表示的图。基板处理装置1包含吸附保持机构10、旋转机构20、升降销30、上下移动机构40、水平移动机构50、传感器60以及处理部90。
吸附保持机构10吸附基板W的背面且水平地保持基板W。在此所谓的“背面”是指例如基板W的主表面中的未形成组件的面。基板W以背面朝向下方的姿势由吸附保持机构10保持。在图2的例中，吸附保持机构10包含吸附部件11，基板W载置于吸附部件11的吸附面11a上。在图2的例中，吸附部件11包含在上表面具有吸附面11a的板状部件12和从板状部件12的下表面的中央部朝下方延伸的圆筒部件13。在俯视下，吸附部件11的吸附面11a例如为圆形。吸附部件11的吸附面11a的直径比基板W的直径小，例如为基板W的直径的四分之一以下。
在吸附部件11的吸附面11a形成有未图示的吸附口。也可以在吸附面11a分散地形成有多个吸附口。在吸附部件11的内部形成有连接于吸附口的未图示的内部流路。该内部流路经由吸引管15连接于吸引机构16。吸引机构16例如包含泵，从吸引管15的内部吸引气体。由此，气体从吸附面11a的吸附口被吸引，进而基板W被吸附保持于吸附部件11。吸引机构16由控制部130控制。
旋转机构20使吸附保持机构10(更具体为吸附部件11)绕旋转轴Q1旋转。由此，被吸附保持于吸附保持机构10的基板W也绕旋转轴Q1旋转。旋转轴Q1是沿铅垂方向延伸的假想的轴。
旋转机构20包含马达21。马达21经由轴22连结于吸附部件11。轴22沿旋转轴Q1延伸，其上端连结于吸附部件11。具体而言，轴22的上端连结于吸附部件11的圆筒部件13。轴22例如为具有圆筒形状的中空轴，吸引管15通过该轴22的中空部连接于吸附部件11的内部流路。
马达21连结于轴22，且使轴22绕旋转轴Q1旋转。在图2的例中，马达21被设置为与轴22同轴。轴22从马达21朝上方延伸。马达21使轴22旋转，由此能够使吸附部件11绕旋转轴Q1旋转。马达21由控制部130控制。
马达21被收纳于马达收纳部件70。马达收纳部件70至少具有上表面部71及侧面部72(也参照图3)。上表面部71位于比马达21靠上方。上表面部71具有大致板状的形状，例如具有以旋转轴Q1为中心的圆板状的形状。在上表面部71的中央部形成有由轴22贯通的贯通孔71a。也可以在上表面部71的贯通孔71a设置未图示的密封轴承。具体而言，该密封轴承的内圈安装于轴22的外周面，外圈安装于上表面部71。由此，轴22能够旋转地连结于马达收纳部件70。
侧面部72具有筒状的形状，且从上表面部71的外周缘朝下方延伸。侧面部72包围马达21的侧面。侧面部72的下端周缘例如可以位于与马达21的下端等高的位置，或者也可以位于靠下方。侧面部72的下端周缘例如连结于基板处理装置1的地板。基板处理装置1的地板例如为设有多个处理单元121(基板处理装置1)的支撑台的上表面。马达收纳部件70可以直接连结于基板处理装置1的地板，或者也可以经由其它固定体(例如板状的台座)而连结于该地板。
马达收纳部件70固定于基板处理装置1内，为不进行实质的位移的非驱动体。也就是，在马达收纳部件70与基板处理装置1的地板之间未设置驱动体。
马达收纳部件70保护马达21不受外部的处理环境气体的影响。作为具体的一例，能够保护马达21不受从后述的喷嘴91吐出的药液及从洗涤用喷嘴(未图示)吐出的洗涤液的影响。
处理部90对由吸附保持机构10吸附保持的基板W进行处理。在此，处理部90进行向基板W的周缘部供给处理液的晶边(bevel)处理。在图2的例中，处理部90包含喷嘴91、配管92以及阀93。喷嘴91向由吸附保持机构10保持的基板W的周缘部吐出处理液。在图2的例中，喷嘴91位于比基板W的周缘部靠上方。
基板W的周缘部相当于相距基板W的周缘具有预定宽度的环状区域。基板W的直径例如为数百mm，预定宽度例如为数mm左右以下。处理液例如包含能够除去附着于基板W的周缘部的杂质(金属等)的蚀刻液等药液。
喷嘴91经由配管92连接于处理液供给源94。处理液供给源94经由配管92将药液供给至喷嘴91。喷嘴91朝基板W的表面的周缘部吐出药液。在配管92的途中插入有阀93。阀93切换配管92的内部流路的开闭。阀93由控制部130控制。阀93也可以是能够调整流动于配管92的内部的药液的流量的阀。
在旋转机构20使吸附保持机构10及基板W旋转的状态下，打开阀93，从而喷嘴91将药液供给至旋转中的基板W的周缘部。由此，遍及基板W的周缘部的全周地供给药液，基板W的周缘部的杂质被除去(所谓的晶边处理)。药液受到伴随着基板W的旋转的离心力而从基板W的周缘向外侧飞散。
在图2的例中，喷嘴91通过喷嘴移动机构95能够在处理位置与待机位置之间移动。喷嘴移动机构95例如包含马达，且由控制部130控制。处理位置是喷嘴91吐出药液的位置，在图2的例中是比基板W靠上方且与基板W的周缘部对置的位置。待机位置是喷嘴91不吐出药液的位置，是例如在上下方向上与基板W不对置的位置。也就是，例如，待机位置是在俯视下比基板W的周缘靠外侧的位置。
处理部90也可以向基板W的周缘部吐出多种处理液。例如，处理部90可以具备与处理液的种类相应的多个喷嘴。例如，作为处理液，能够采用药液及洗涤液。此外，作为药液，能够采用两种药液(例如，碱性的药液及酸性的药液)。作为洗涤液，例如能够采用纯水。这些喷嘴可以沿基板W的周向排列配置，且互相一体地连结。这样连结多个喷嘴的结构体也称为喷嘴头。
以下对除了喷嘴91，还设有洗涤用喷嘴的方式进行说明。具体而言，处理部90例如还包含均未图示的洗涤用喷嘴、洗涤用配管以及洗涤用阀。洗涤用喷嘴向由吸附保持机构10保持的基板W的周缘部吐出洗涤液。洗涤液是用以冲洗基板W的周缘部上的药液的处理液。
洗涤用喷嘴经由洗涤用配管连接于洗涤液供给源。洗涤用阀插于洗涤用配管，切换洗涤用配管的内部流路的开闭。洗涤用阀由控制部130控制。洗涤用阀也可以是能够调整流动于洗涤用配管的内部的洗涤液的流量的阀。
处理部90在向基板W的周缘部供给药液后，供给洗涤液，由此能够冲洗基板W的周缘部上的药液。换言之，能够将基板W的周缘部上的药液置换为洗涤液。洗涤液受到伴随着基板W的旋转的离心力而从基板W的周缘向外侧飞散。洗涤用喷嘴例如与喷嘴91连结，且通过喷嘴移动机构95能够在处理位置与待机位置之间移动。
在图2的例中，基板处理装置1还包含防护体96。俯视下，防护体96具有包围基板W的筒状的形状。该防护体96遮挡从基板W的周缘飞散的处理液，使该处理液流动至未图示的回收部。防护体96通过防护体移动机构97能够沿上下方向移动。防护体移动机构97使防护体96在防护体96的上端位于比基板W靠上方的上位置与防护体96的上端位于比基板W靠下方的下位置之间移动。防护体移动机构97例如包含缸筒机构或滚珠螺杆机构等。
另外，在上述的晶边处理中，基板W的周缘部的杂质通过药液被除去。另一方面，基板W的表面中的比周缘部靠内侧的区域相当于形成有组件的组件区域，因此希望药液不侵入至该组件区域。因此，药液相对于基板W的着液位置很重要。例如，若基板W的中心偏离旋转轴Q1，也就是，若基板W偏心，则相对于基板W的着液位置随着基板W的旋转在径向上变动。若该变动变大，则导致药液进入组件区域，因此希望基板W的中心与旋转轴Q1的偏离(偏心量)小。
在本实施方式中，基板处理装置1包含位置调整机构，该位置调整机构用于调整基板W的在水平面上的位置，消除基板W的偏心状态。具体而言，基板处理装置1包含多个升降销30、上下移动机构40以及水平移动机构50作为该位置调整机构。
多个升降销30设于与由吸附保持机构10保持的基板W的背面对置的位置。也就是，多个升降销30设于比基板W靠下方、且比基板W的周缘靠旋转轴Q1侧。各升降销30具有沿上下方向延伸的长条状的形状。具体而言，升降销30具有上下方向上的长度比水平方向长的杆状的形状。在此，上下方向与铅垂方向平行。升降销30的前端部也可以具有随着朝向上方而宽度变窄的尖细形状。在图2的例中，升降销30的上端具有沿着半球面的形状。
多个升降销30绕旋转轴Q1配置，更具体而言，等间隔配置于以旋转轴Q1为中心的假想圆上。图4为示意地表示吸附保持机构10及升降销30的结构的一例的俯视图。在图4的例中，三个升降销30以120度间隔配置。此外，升降销30的数量可适当地变更。
多个升降销30设为可沿上下方向移动。上下移动机构40使多个升降销30在上位置与下位置之间往返移动。下位置是升降销30的上端成为比吸附保持机构10的吸附面11a靠下方的位置。在图2及图3中，升降销30位于下位置。上位置是升降销30的上端成为比吸附保持机构10的吸附面11a靠上方的位置。多个升降销30在位于上位置的状态下，能够支撑基板W。在图3的例中，以假想线示出了位于上位置的升降销30及基板W。上下移动机构40的结构并未特别地限制，但是包含例如线性马达机构、滚珠螺杆机构或缸筒机构，且由控制部130控制。
多个升降销30例如也可以通过连结部件31相互连结。连结部件31具有围绕旋转轴Q1的环状的板状形状。在图3及图4的例中，升降销30从连结部件31的上表面向上方突出。上下移动机构40使连结部件31沿上下方向移动。由此，连结于连结部件31的多个升降销30一体地沿上下方向移动。
上下移动机构40包含固定体41、可动体42以及驱动机构43。在图3的例中用方块示意地示出了固定体41、可动体42以及驱动机构43。此外，图3所示的各方块的形状、大小以及位置关系并非表示固定体41、可动体42以及驱动机构43的结构的形状、大小以及位置关系。该点对于后述的水平移动机构50也同样。
可动体42设为能够相对于固定体41沿上下方向移动。驱动机构43对可动体42作用用于使可动体42相对于固定体41沿上下方向移动的驱动力。驱动机构43例如包含马达。例如，可动体42适当地经由连杆部件等连结于马达的转子，该连杆部件通过马达进行位移，由此可动体42相对于固定体41沿上下方向移动。可动体42连结于连结部件31。驱动机构43使可动体42相对于固定体41沿上下方向移动，由此连结于可动体42的连结部件31、以及连结于连结部件31的多个升降销30一体地沿上下方向移动。
在基板W载置于吸附保持机构10的吸附面11a上的状态下，多个升降销30一体地从下位置向上位置移动，由此能够将基板W从吸附保持机构10抬起。此时，多个升降销30的上端抵接于基板W的背面，多个升降销30水平地支撑基板W。升降销30也可以点接触地抵接于基板W的下表面。由此，能够降低升降销30对基板W的下表面的污染。
水平移动机构50使多个升降销30水平移动。水平移动机构50例如使多个升降销30一体地沿水平的一方向移动。以下的说明中，将该一方向称为水平移动方向。水平移动方向是沿旋转轴Q1的径向的方向。水平移动机构50并未特别地被限制，但是例如包含线性马达机构、滚珠螺杆机构或缸筒机构，且由控制部130控制。
水平移动机构50包含固定体51、可动体52以及驱动机构53。可动体52设为能够相对于固定体51沿水平移动方向移动。驱动机构53对可动体52作用用于使可动体52相对于固定体51移动的驱动力。例如，在水平移动机构50具有线性马达机构的情况下，驱动机构53为线性马达。线性马达包含定子和动子，且使动子相对于定子沿水平移动方向移动。例如，线性马达包含安装于定子的线圈和安装于动子的永久磁铁，通过它们的磁作用，使动子相对于定子沿水平移动方向移动。固定体51连结于线性马达的定子，可动体52连结于线性马达的动子。
水平移动机构50的可动体52连结于上下移动机构40的固定体41。由此，通过可动体52沿水平移动方向移动，上下移动机构40、连结部件31以及多个升降销30一体地沿水平移动方向移动。
在基板处理装置1也可以设有位置测量传感器55，该位置测量传感器55检测水平移动机构50的可动体52的在水平移动方向上的位置。位置测量传感器55也被称为线性编码器。例如，位置测量传感器55包含沿水平移动方向延伸的标尺和被设为相对于该标尺能够沿水平移动方向移动的扫描部件。扫描部件连结于可动体52，且与可动体52一体地移动。扫描部件例如内置对标尺照射光的光源和对透过标尺或反射的光进行受光的受光元件，通过向标尺照射该光，检测扫描部件相对于该标尺的位置、也就是可动体52的水平移动方向上的位置。位置测量传感器55向控制部130输出表示可动体52的位置的电信号。位置测量传感器55也可以内置于水平移动机构50。控制部130基于由位置测量传感器55测量出的可动体52的位置控制水平移动机构50。
通过上下移动机构40使多个升降销30从下位置向上位置移动，多个升降销30能够将基板W从吸附保持机构10抬起并支撑。在该状态下，水平移动机构50使多个升降销30沿水平移动方向移动，由此能够调整基板W的在水平移动方向上的位置。在通过水平移动机构50调整基板W的位置之后，上下移动机构40使多个升降销30从上位置向下位置移动。由此，基板W载置于吸附保持机构10的吸附面11a上。如上述地，能够调整基板W的在水平移动方向上的位置，将基板W重新载置于吸附保持机构10的吸附面11a。
此外，在本实施方式的一例中，旋转机构20对基板W的旋转也用于基板W的水平位置的调整。这点以后详述。
在图3的例中，上下移动机构40及水平移动机构50连结于马达收纳部件70。作为更具体的一例，上下移动机构40及水平移动机构50设于马达收纳部件70的上表面部71的上表面。在图3的例中，水平移动机构50的固定体51连结于马达收纳部件70的上表面部71。固定体51由于连结于被固定于基板处理装置1的地板的马达收纳部件70(也就是非驱动体)，因此不被驱动。也就是，在图2的例中，固定体51也是非驱动体。
此外，在上述例中，上下移动机构40通过水平移动机构50沿水平移动方向移动，但不必局限于此。例如，上下移动机构40与水平移动机构50的位置关系也可以相反。也就是，上下移动机构40也可以使水平移动机构50及多个升降销30一体地沿上下方向移动。换言之，也可以是，上下移动机构40的固定体41连结于马达收纳部件70，可动体42连结于水平移动机构50的固定体51，可动体52连结于连结部件31。
如图3所例示地，也可以在基板处理装置1设有收纳上下移动机构40及水平移动机构50的移动机构收纳部件75。在图3的例中，移动机构收纳部件75包含上表面部76、内周壁77以及外周壁78。内周壁77具有围绕轴22的外周面的筒状的形状。内周壁77隔开间隔与轴22对置。内周壁77的下端周缘连结于马达收纳部件70的上表面部71。
外周壁78具有隔开间隔围绕内周壁77的外周面的筒状的形状。外周壁78的下端周缘也连结于马达收纳部件70的上表面部71。上下移动机构40及水平移动机构50设于内周壁77与外周壁78之间。
上表面部76位于比上下移动机构40及水平移动机构50双方靠上方，且连结于外周壁78的上端周缘和内周壁77的上端周缘。在上表面部76形成有各升降销30贯通的贯通孔76a。贯通孔76a的数量与升降销30的数量相等。在上述的例中设有三个升降销30，因此在上表面部76形成有三个贯通孔76a。俯视下，贯通孔76a比升降销30大，升降销30在贯通贯通孔76a的状态下可沿水平移动方向移动。
当升降销30沿水平移动方向移动而抵接于上表面部76中的贯通孔76a周围的周缘部时，升降销30不能进一步移动。也就是，升降销30的可移动距离由俯视下的升降销30的大小及贯通孔76a的大小规定。该可移动距离只要设定为可充分消除基板W的偏心状态的值即可，例如为数mm以下。
在移动机构收纳部件75的上表面部76与各升降销30之间设有将贯通孔76a密封的密封件80。密封件80以使升降销30能够沿上下方向及水平移动方向移动的方式将上表面部76与升降销30之间密封。密封件80由可弹性变形的材质(例如橡胶等树脂)构成，且包含密接部81、密接部82以及变形部83。密接部81具有环状的形状，且在升降销30的长边方向的一部分全周密接。密接部82具有比密接部81大的环状的形状，与上表面部76中的形成贯通孔76a的周缘部密接于。在图4的例中，密接部82密接于上表面部76的下表面，例如，通过预定的固定部件(未图示)固定于上表面部76。
变形部83连结于密接部81及密接部82。密接部81、密接部82以及变形部83可利用相同的材质一体地构成。变形部83是比密接部81及密接部82薄的薄膜部，且具有大致蛇腹状的形状。作为具体的一例，变形部83包含随着远离密接部81的周缘而向下方延伸的第一伞部、随着远离第一伞部的外周缘而向上方延伸的第一倒伞部、以及随着远离第一倒伞部的外周缘而向下方延伸且连结于密接部82的第二伞部。第一伞部及第一倒伞部的连结角度、第一倒伞部及第二伞部的连结角度分别通过变形部83的弹性变形而可变。这样的密封部件80也可被称为套管。
该变形部83随着升降销30的沿上下方向及水平移动方向的移动而弹性变形。具体而言，变形部83以连结角度适当地变化的方式弹性变形。通过该变形部83的弹性变形，即使升降销30沿上下方向及水平移动方向移动，密接部81仍继续密接于升降销30，且密接部82继续密接于上表面部76。也就是，密封部件80能够将贯通孔76a密封。
移动机构收纳部件75及密封部件80能够保护上下移动机构40及水平移动机构50不受外部的处理环境气体的影响。作为具体的一例，能够保护上下移动机构40及水平移动机构50不受从喷嘴91吐出的药液及从洗涤用喷嘴吐出的洗涤液的影响。
在图2的例中，在基板处理装置1设有用于检测基板W的偏心状态的传感器60。在此所谓的偏心状态表示基板W的中心与旋转轴Q1之间的偏离量(以下，也称为偏心量)、以及偏离方向(以下，也称为偏心方向)。
在图2的例中，基板处理装置1包含传感器移动机构65。传感器移动机构65使传感器60在后述的测量位置与待机位置之间往返移动。传感器移动机构65例如包含线性马达机构、滚珠螺杆机构或缸筒机构，且由控制部130控制。
传感器60的待机位置是传感器60不测量基板W的偏心状态的位置，例如是在上下方向上与基板W不对置的位置。在图2的例中，传感器60位于待机位置。
传感器60的测量位置是测量基板W的偏心状态时的传感器60的位置。图5为示意地表示传感器60及基板W的结构的一例的图。在图5中，传感器60停止于测量位置。在图5的例中，传感器60包含发光部61及受光部62。发光部61位于比由吸附保持机构10吸附保持的基板W靠上方。在传感器60停止于测量位置的状态下，发光部61在上下方向上与该基板W的周缘部对置。发光部61向基板W的周缘部照射光L1。发光部61例如包含LED等光源。光L1的波长未特别地被限制，但例如能够采用红外线作为光L1。光L1至少在关于旋转轴Q1的径向上较宽。该光L1中的径向内侧的一部分被基板W的周缘部遮挡，光L1的剩余的一部分(以下称为光L11)沿上下方向在基板W的外侧进行。
在图5的例中，受光部62相对于由吸附保持机构10吸附保持的基板W的周缘部位于与发光部61相反的侧。也就是，基板W的周缘部位于发光部61与受光部62之间。受光部62接收来自发光部61的光L1中的在基板W的径向外侧行进的光L11。受光部62例如包含光电晶体管及光电二极管等受光元件(也称为光电转换元件)。受光部62向控制部130输出表示接收到的光L11的光量(例如，强度)的电信号。
在基板W的中心与旋转轴Q1一致的情况下，受光部62在基板W转一圈的期间接收的光L11的受光量理想状态下始终恒定。另一方面，在基板W的中心偏离旋转轴Q1的情况下，受光部62在基板W转一圈的期间接收的光L11的光量根据基板W的旋转位置而变化。
图6为表示光L11的光量与基板W的旋转位置的关系的一例的曲线图。图6表示基板W的中心偏离旋转轴Q1的情况的曲线。如图6所例示，受光量相对于基板W的旋转位置以正弦波状变化。在该受光量的波形中，受光量的振幅表示基板W的偏心量，受光量为最大值或最小值时的旋转位置表示偏心方向。换言之，控制部130能够基于在基板W转一圈的期间由传感器60取得的受光量的波形，求出基板W的偏心状态。具体而言，控制部130基于来自传感器60的信号求出受光量的振幅，基于该振幅求出偏心量。此外，控制部130求出受光量为最大值或最小值的旋转角度作为偏心方向。该控制部130的偏心状态算出功能也可以说是属于传感器60。也就是，也可以说是发光部61、受光部62以及控制部130的偏心状态算出功能构成传感器60。此外，具有偏心状态算出功能的运算处理部也可以与控制部130分体地设置。
另外，传感器60的待机位置也可以包含在与测量位置相同的水平面内。也就是，传感器移动机构65也可以使传感器60水平地移动。但是，如图2所示，在防护体96停在上位置的情况下，传感器60和防护体96可能碰撞。因此，传感器移动机构65在防护体96退避至下位置的状态下，使传感器60在待机位置与测量位置之间水平移动。由此，能够避免传感器60与防护体96之间的碰撞。
控制部130控制基板处理装置1。控制部130也可以称为控制电路。图7为示意地表示控制部130的内部结构的一例的块图。控制部130包含有运算处理部131及存储介质132。运算处理部131例如包含有CPU(Central Processing Unit)等处理装置。存储介质132例如包含有非易失性的存储介质1321及易失性的存储介质1322。非易失性的存储介质1321例如包含有ROM(Read Only Memory)等存储器。易失性的存储介质1322例如包含有RAM(RandomAccess Memory)等存储器。在图7的例中，运算处理部131及存储介质132通过总线133相互连接。电连接于控制部130的上述的各种结构直接或经由通信电路连接于总线133。
在非易失性的存储介质1321储存有由运算处理部131执行的程序。通过运算处理部131执行该程序，控制部130能够执行各种功能。但是，控制部130执行的功能的一部分或全部也可以通过不需要程序等软件的硬件电路实现。
＜基板处理装置的动作＞
接着，对基板处理装置1的动作的一例进行说明。图8为表示基板处理装置1的动作的一例的流程图。在初期，喷嘴91、洗涤用喷嘴以及传感器60分别位于待机位置，升降销30及防护体96分别位于下位置。
首先，中央机器人CR将基板W移交至吸附保持机构10，吸附保持机构10吸附保持基板W(步骤S1)。具体而言，通过吸引机构16进行气体的吸引，吸附保持机构10吸附保持基板W。然后，控制部130进行偏心测量处理(步骤S2)。具体而言，首先，传感器移动机构65使传感器60水平移动，从待机位置移动至测量位置。接着，发光部61照射光L1，旋转机构20使基板W旋转，并且受光部62依次测量受光量，且将该测量结果输出至控制部130。受光部62例如每预定的旋转角度测量受光量。当取得受光量的波形时，旋转机构20停止基板W的旋转，传感器移动机构65使传感器60从测量位置移动至待机位置。控制部130基于受光量的波形，求出基板W的偏心状态(具体而言，偏心量及偏心方向)。
然后，控制部130判断是否需要进行基板W的位置调整处理(步骤S3)。具体而言，控制部130判断基板W的偏心量是否小于基准值。基准值例如为百μm级以下，可预先设定。在偏心量小于基准值的情况下，判断为基板W大致未偏心，因此控制部130判断为不需要进行基板W的调整。该情况下，控制部130不执行后述的位置调整处理(步骤S4)而执行晶边处理(步骤S5)。
另一方面，在偏心量大于基准值时，基板W偏心，因此控制部130判断为需要进行基板W的位置调整处理。图9为示意地表示基板W的结构的一例的俯视图。在图9的例中，基板W的中心Q2偏离旋转轴Q1。具体而言，基板W的中心Q2相对于旋转轴Q1向纸面右斜上方偏离。该情况下，控制部130判断为需要进行基板W的位置调整处理，且执行基板W的位置调整处理(步骤S4)。
图10为表示基板W的位置调整处理的具体的一例的流程图。首先，旋转机构20使基板W旋转，以使基板W的偏心方向沿着水平移动机构50的水平移动方向D1(也参照图9)(步骤S41)。在图9的例中，用二点划线表示旋转后的基板W。在图9的例中，旋转后的基板W的中心Q2是在水平移动方向D1上与旋转轴Q1排列。
然后，升降销30将基板W从吸附保持机构10抬起(步骤S42)。具体而言，在吸引机构16停止气体的吸引，解除对基板W的吸附后，上下移动机构40使多个升降销30从下位置向上位置移动。通过该移动，多个升降销30将基板W从吸附保持机构10接取并抬起。由此，基板W由多个升降销30支撑。
然后，水平移动机构50使基板W沿水平移动方向D1向使基板W的偏心量减小的方向移动(步骤S43)。在图9的例中，使旋转后的基板W向纸面下方移动。作为基板W的移动量，可以采用由传感器60测量出的基板W的偏心量。由此，理想地，在俯视下，基板W的中心Q2与旋转轴Q1一致。
然后，升降销30将基板W载置于吸附保持机构10的吸附面10a上(步骤S44)。具体而言，上下移动机构40使升降销30从上位置向下位置移动。通过该移动，基板W再次被载置于吸附保持机构10的吸附面11a上。然后，水平移动机构50也可以在水平移动方向D1上使升降销30移动至原位置。
如上述地，在减小了基板W的偏心量的状态下，升降销30移动至下位置，将基板W载置于吸附面11a上，因此，吸附保持机构10能够在偏心量小的状态下吸附保持基板W。
然后，控制部130执行晶边处理(步骤S5)。具体而言，喷嘴移动机构95使喷嘴91及洗涤用喷嘴移动至处理位置，防护体移动机构97使防护体96从下位置移动至上位置。然后，旋转机构20以适于晶边处理的转速使基板W旋转。然后，打开阀93，由此从喷嘴91向基板W的周缘部供给药液，基板W的周缘部的杂质被除去。当杂质充分地被除去时，关闭阀93，并打开洗涤用阀。由此，从洗涤用喷嘴向基板W的周缘部供给洗涤液。洗涤液冲洗基板W的周缘部上的药液。换言之，基板W的周缘部上的药液被置换为洗涤液。当充分地冲洗药液时，关闭洗涤用阀。然后，为了干燥基板W，旋转机构20增加基板W的转速，使基板W以适于干燥的转速旋转(所谓的旋转干燥)。当干燥处理结束时，旋转机构20结束基板W的旋转。
然后，搬出处理完毕的基板W(步骤S6)。具体而言，吸引机构16解除基板W的吸附，中央机器人CR从吸附保持机构10接取基板W，将其搬送至外部。
如上述地，根据基板处理装置1，能够减小基板W的偏心量。由此，能够在偏心量小的状态下对基板W执行晶边处理。因此，能够降低药液进入基板W的组件区域的可能性。
而且，根据基板处理装置1，在升降销30抬起基板W的状态下，使升降销30及基板W一体地沿水平移动方向D1移动，减小基板W的偏心量。由此，与如现有技术文献1、2地在基板W载置于吸附面11a上的状态下使基板W相对于吸附保持机构10在水平方向上滑动的情况相比，能够避免基板W与吸附面11a之间的磨擦。由此，能够减少因磨擦所引起的基板W的下表面的污染或损伤。
此外，根据上述的例，使升降销30移动的销移动机构(上下移动机构40及水平移动机构50)设于马达收纳部件70。马达收纳部件70位于吸附保持机构10的正下方，因此能够将销移动机构设于基板W的附近。在图3的例中，销移动机构设于马达收纳部件70的上表面部71。由此，能够将销移动机构配置于更进一步靠近基板W。由此，销移动机构在基板W的附近对基板W的位置进行调整，因此能够提高基板W的位置调整的精度。与例如中央机器人CR调整基板W的水平面的位置的情况相比，能够以更高的精度调整基板W的位置。
另外，在上述的例中，销移动机构连结于作为固定于基板处理装置1的地板的非驱动体的马达收纳部件70。也就是，在销移动机构与马达收纳部件70(非驱动体)之间未插入有其它的驱动体。由此，与调整基板的水平面内的位置的调整机构连结于例如防护体96等驱动体的情况相比，能够以更高的精度调整基板W的位置。也就是，在调整机构连结于防护体96等驱动体的情况下，该驱动体的正常的微小位移对调整机构产生影响，可能使调整机构的位置调整产生误差。与之相对，在销移动机构连结于非驱动体(例如，马达收纳部件70)的情况下，能够避免这样的误差。
此外，在上述的例中，基板W的位置调整所需的销移动机构(上下移动机构40及水平移动机构50)、连结部件31以及升降销30在俯视下位于比基板W的周缘靠旋转轴Q1侧。由此，能够将俯视下比基板W靠外侧的空间用于其它部件的配置。
此外，在上述的例中，多个升降销30通过连结部件31连结，且通过销移动机构一体地移动。由此，与针对各升降销30个别地设置销移动机构的情况相比，能够将销移动机构小型化。
＜升降销的位置＞
升降销30在俯视下可以位于如下说明的区域内。具体而言，可以使多个升降销30位于由以基板W的直径的四分之一为直径的假想内圆与以基板W的直径的四分之三为直径的假想外圆夹着的环状区域内。
为了进行比较，对升降销30在俯视下位于基板W的周缘的情况进行考察。该情况下，升降销30支撑基板W的下表面的周缘。由此，支撑基板W的支撑点(也就是基板的周缘)与基板W的中心部之间的距离较长。因此，在升降销30将基板W抬起的状态下，基板W的中心部相对于支撑点向下方大幅地弯曲。若基板W这样大幅地弯曲，则在将基板W载置于吸附保持机构10的吸附面11a上时，基板W相对于吸附面11a在水平方向上偏离的可能性变高。
与之相对地，在升降销30位于上述环状区域内的情况下，能够减小升降销30对基板W的支撑点与基板W的中心部之间的距离。由此，能够降低基板W的弯曲量。因此，能够减小向吸附面11a载置时产生的基板W的错位。
＜升降销与吸附保持机构的位置关系＞
在上述的例中，升降销30位于比吸附保持机构10(吸附部件11)靠径向外侧。然而，并不一定限于此。图11为示意地表示升降销30及吸附保持机构10的结构的另一例的俯视图。在吸附保持机构10的吸附部件11上的与升降销30对置的位置形成有贯通孔11b。贯通孔11b沿上下方向贯通吸附部件11(更具体地，板状部件12)。该贯通孔11b以与形成于吸附部件11内的吸附用的内部流路不干涉的方式形成。俯视下，贯通孔11b比升降销30大，升降销30在贯通贯通孔11b的状态下，能够沿水平移动方向D1移动。贯通孔11b的大小设定为能够确保升降销30的可移动范围。
图12为示意地表示吸附保持机构10的结构的另一例的俯视图。吸附保持机构10包含吸附部件11A。吸附部件11A具有围绕旋转轴Q1的筒状的形状。由此，吸附部件11A的吸附面11Aa在俯视下具有环状的形状。在吸附部件11A的吸附面11Aa上载置有基板W。吸附面11Aa的外径例如小于基板W的直径。在吸附面11Aa形成有未图示的吸附口。在吸附部件11A形成有与吸附口相连的内部流路，该内部流路经由未图示的吸引管连接于未图示的吸引机构。通过吸引机构吸引气体，基板W的背面被吸引于吸附部件11A的吸附面11Aa。由此，基板W被吸附保持于吸附部件11A。
吸附部件11A的下端经由轴22连结于马达21。马达21使轴旋转，由此使吸附部件11A绕旋转轴Q1旋转。轴22是中空轴。
马达21被收纳于马达收纳部件70A。在马达收纳部件70A的上表面部形成有由轴22贯通的贯通孔70Aa。也可以在贯通孔70Aa设有未图示的密封轴承。轴22经由该密封轴承可旋转地连结于马达收纳部件70A。
在图12中，在基板处理装置1设有多个销30A。多个销30A竖立设置于升降部件31A的上表面31Aa。多个销30A在以旋转轴Q1为中心的假想圆上等间隔地配置。例如，三个销30A以120度间隔配置。各销30A从上表面31Aa向上方突出。升降部件31A作为连结多个销30A的连结部件发挥功能。
升降部件31A在吸附部件11A及轴22的中空部内沿上下方向延伸。由此，多个销30A在俯视下位于比吸附部件11A的吸附面11Aa靠旋转轴Q1侧。
多个销30A通过上下移动机构40A可以沿上下方向移动。在图12的例中，上下移动机构40A使升降部件31A沿上下方向移动，由此使多个销30A一体地沿上下方向移动。上下移动机构40A使升降部件31A在上位置与下位置之间移动。上位置是销30A的上端成为比吸附面11Aa靠上方的位置，下位置是销30A的上端成为比吸附面11Aa靠下方的位置。上下移动机构40A的结构与上下移动机构40相同。销30A沿上下方向移动，因此也可称为升降销。
上下移动机构40A使升降部件31A从下位置向上位置移动，由此多个销30A抵接于基板W的背面并将基板W抬起。由此，基板W由多个销30A支撑。
多个销30A通过水平移动机构50A能够沿水平移动方向移动。在图12的例中，水平移动机构50A使上下移动机构40A沿水平移动方向移动，由此使多个销30A一地体沿水平移动方向移动。在多个销30A将基板W抬起的状态下，使多个销30A沿水平移动方向移动，由此基板W也沿水平移动方向移动。多个销30A的在水平移动方向上的可移动距离由俯视下的升降部件31A的大小、吸附部件11A的中空部的大小以及轴22的中空部的大小规定。该可移动距离只要预先设定为对于消除基板W的偏心状态为充分的值即可。
在图12的例中，水平移动机构50A连结于马达收纳部件70A的下表面部。马达收纳部件70A是非驱动体(换言之，固定体)。也就是，使多个销30A移动的销移动机构(上下移动机构40A及水平移动机构50A)连结于非驱动体。更具体而言，销移动机构不经由其它驱动体地连结于非驱动体。由此，销移动机构能够以高精度对基板W的位置进行调整。此外，在马达收纳部件70不具有下表面部，且其侧面部的下端周缘连结于基板处理装置1的地板的情况下，销移动机构(上下移动机构40A及水平移动机构50A)也可以直接连结于基板处理装置1的地板。此外，上下移动机构40A及水平移动机构50A的位置关系也可以相反。
＜升降销的吸附机构＞
在多个升降销30的至少任一个的上端可以形成有吸附口。图13为示意地表示升降销30的结构的一例的俯视图。在图13的例中，三个升降销30均具有吸附口30a。各升降销30的上端面与基板W的下表面平行，吸附口30a形成于升降销30的上端面。在升降销30形成有与吸附口30a相连的内部流路，该内部流路经由吸引管38连接于吸引机构39。吸引管38具有柔性，且根据升降销30的移动而变形。吸引机构39包含泵，对吸引管38的内部的气体进行吸引。由此，从吸附口30a吸引气体。吸引机构39由控制部130控制。
在多个升降销30向上位置移动并支撑基板W的状态下，吸引机构39吸引气体，由此基板W被升降销30吸附保持。由此，能够降低伴随升降销30的移动在升降销30与基板W之间产生错位的可能性。
＜基板的位置调整＞
可以在调整基板W的位置之后，再次确认基板W的偏心状态。图14为表示基板处理装置1的动作的另一例的流程图。首先，未处理的基板W被搬入并由吸附保持机构10吸附保持(步骤S1)。然后，传感器60测量基板W的偏心状态(步骤S2)，控制部130判断基板W的位置调整处理的必要性(步骤S3)，根据需要，控制部130执行基板W的位置调整处理(步骤S4)。
当基板W的位置调整处理结束时，传感器60再次测量偏心状态(步骤S2A)。也就是，控制部130确认通过步骤S3的基板W的位置调整处理是否适当地消除了基板W的偏心状态。步骤S2A的具体的处理与步骤S2相同。
接着，控制部130判断是否需要再次进行基板W的位置调整处理(步骤S3A)。步骤S3A的具体的处理与步骤S3相同。字偏心量小于基准值时，通过步骤S3的位置调整处理消除了基板W的偏心状态，因此控制部130判断为不需要再次进行位置调整处理，执行步骤S5的晶边处理。
另一方面，在偏心量大于基准值时，控制部130判断为需要再次进行位置调整处理，并再次执行基板W的位置调整处理(步骤S4A)。步骤S4A的具体的处理例如也可以与步骤S4相同。接着，控制部130执行晶边处理(步骤S5)。在晶边处理之后，将处理完毕的基板W从基板处理装置1搬出(步骤S6)。
根据上述的动作，在第一次的基板W的位置调整处理后再次测量基板W的偏心状态，且根据该测量结果，再次进行基板W的位置调整处理。由此，能够更适当地减小基板W的偏心量。
此外，在上述的例中根据需要进行了两次位置调整处理，但并不一定限定于两次。控制部130也可以直至基板W的偏心量低于基准值，反复进行基板W的位置调整处理。
此外，在第二次以后的基板W的调整处理中，作为基板W的水平移动方向D1的移动量，也可以不是直接采用之前刚测量出的偏心量，而是采用对该偏心量进行了修正的值。例如，假定如下情况：在步骤S4的位置调整处理之前(步骤S2)及之后(步骤S2A)测量出的基板W的偏心方向彼此相反，且在位置调整之前及之后测量出的基板W的偏心量分别为1mm、0.2mm。该数值并非实际的值，而是为了说明进行了夸张的值。
该情况下，可以认为，对应于水平移动方向的移动量1mm，产生0.2mm的误差。也就是，可以认为相对于步骤S4的位置调整处理中的1mm的移动，产生了20％的误差(0.2mm)。简单地说，可以认为是，相对于设定的移动量即1mm，实际的移动量为增加了20％的1.2mm。
因此，也可以基于在步骤S2A测量出的偏心量相对于在步骤S2测量出的偏心量的比例，求出在步骤S4A中的基板W的移动量。也就是，若基板W移动增加了20％，则作为步骤S4A的移动量，采用减少了20％的0.16{＝(0.2)·(1-0.2/1)}mm。由此，通过步骤S4A的位置调整处理，能够更适当地消除基板W的偏心状态。
此外，控制部130也可以将位置调整处理前后的偏心量每次都作为数据库存储于存储介质132，基于该数据库决定以后的位置调整处理中的基板W的移动量。
第二实施方式
第二实施方式的基板处理装置1的结构除了传感器60的结构，与第一实施方式相同。在第二实施方式中，设置传感器60A来取代传感器60。但是，第二实施方式不一定需要以第一实施方式作为前提，传感器60A可以适当地应用于其它基板处理装置。
图15为示意地表示传感器60A的结构的一例的图。在图15的例中，传感器60A位于测量位置，且与基板W的周缘部对置。在图15的例中，传感器60A包含发光部61、受光部62以及光路变更元件64。以下，对传感器60A位于测量位置的状态下的发光部61、受光部62以及光路变更元件64进行说明。发光部61与第一实施方式相同，在测量位置对基板W的周缘部照射光L1。发光部61相对于基板W的表面位于上方。
在第二实施方式中，受光部62也相对于基板W的表面位于上方。在俯视下，受光部62与发光部61及基板W相邻，而与它们不重叠。在图15的例中，受光部62位于比发光部61靠径向外侧，且与发光部61在径向上排列。此外，受光部62也可以在旋转轴Q1的周向上与发光部61相邻。
光路变更元件64变更从发光部61照射的光L1中的在基板W的外侧通过的光L11的行进路线，使光L11朝向受光部62行进。也就是，受光部62经由光路变更元件64对光L1中的在基板W的外侧通过的光L11进行受光。光路变更元件64例如为棱镜。该光路变更元件64具有比发光部61及受光部62高的耐药性。例如，棱镜由石英或蓝宝石玻璃等形成。此外，光路变更元件64也可以由多个反射镜构成。
发光部61、受光部62以及光路变更元件64也可以通过未图示的连结部件互相连结。由此，传感器移动机构65能够使发光部61、受光部62以及光路变更元件64一体地移动。
传感器60对基板W的偏心状态的测量算法与第一实施方式相同。
根据第二实施方式，在比基板W靠上方设有发光部61及受光部62，且在比基板W靠下方设有光路变更元件64。在比基板W靠下方的部件可能附着处理液、或者在比基板W靠下方的空间可能形成有大量含有处理液(例如药液)的挥发成分的环境气体。如果在比基板W靠下方设有发光部61或受光部62，则存在处理液或挥发成分附着于发光部61或受光部62，使其腐蚀的情况。由此，传感器60的测量精度可能下降。
与之相对，在第二实施方式中，发光部61及受光部62位于比基板W靠上方，处理液或挥发成分不易附着。由此，不易产生伴随处理液或挥发成分附着于发光部61及受光部62而引起的问题。
在图15的例中，发光部61及受光部62被耐药性强的保护部件66覆盖。保护部件66中的至少与发光部61的发光面对置的部分、以及与受光部62的受光面对置的部分具有针对光L1的透光性。发光面是指与光源对置的面，使在光源发出的光L1透过。受光面是指与受光元件对置的面，是使光L11透过的面。作为构成保护部件66的材料，例如示例有氟系的树脂等。
发光部61及受光部62位于比基板W靠上方，因此即使对发光部61及受光部62设置保护部件66，与将发光部61或受光部62设于基板W的下方的情况相比，仍不易产生空间上的困难。对该理由简单地进行说明。在比基板W靠下方的空间，例如可能设有遍及全周对基板W的周缘部进行加热的加热器等其它部件。该加热器在俯视下具有环状形状，在大致全周与基板W的周缘部对置。与之相对，在比基板W的周缘部靠上方的上方空间，与下方空间相比，未设置较大的部件。由此，在空间上可以利用较大的保护部件66容易地覆盖发光部61及受光部62。
另一方面，在光路变更元件64具有比发光部61及受光部62高的耐药性的情况下，也可以对光路变更元件64不设置保护部件。或者，也可以适当地对光路变更元件64设置保护部件。光路变更元件64具有比发光部61及受光部62简易的构造，因此能够简单地制作得比它们薄。由此，即使对位于比基板W靠下方的光路变更组件64设置保护部件，也不易在空间上产生问题。
虽然对该基板处理装置1详细地进行了说明，但上述的说明在所有的情况下皆为例示而已，基板处理装置1不被局限于此。应当理解，只要在不脱离本公开的范围内，可想出无数的未例示的变形例。在上述各实施方式及各变形例中所说明的各结构，只要不相互矛盾，皆可适当地组合或省略。
例如，在第一实施方式中，传感器60也可以包含照相机。也可以是，照相机拍摄保持于吸附保持机构10的基板W而取得图像数据，控制部130对该图像数据进行图像处理，由此确定基板W的中心。
此外，在第一及第二实施方式中，在升降销30具有吸附口30a的情况下，也可以将升降销30设于比基板W靠上方。该情况下，升降销30朝向基板W的表面配置吸附口30a。在升降销30移动至下位置并使吸附口30a抵接于基板W的表面的状态下，从吸附口30a吸引气体，由此能够使升降销30吸附保持基板W。在该状态下，也可以是，升降销30向上位置移动而将基板W抬起，并沿水平移动方向移动，然后向下位置移动，将基板W移交至吸附保持机构10。
符号说明
1—基板处理装置，10—吸附保持机构，20—旋转机构，30、30A—升降销，40、40A—上下移动机构，50、50A—水平移动机构，60—传感器，70—收纳部件(马达收纳部件)。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其用于处理基板，该基板处理装置的特征在于，具备：
吸附保持机构，其吸附基板的背面，将上述基板水平地保持；
旋转机构，其使保持上述基板的上述吸附保持机构以通过上述基板的中心的铅垂方向的旋转轴为中心旋转；
多个升降销，其设于在比由上述吸附保持机构保持的上述基板靠下方与该基板对置的位置；
上下移动机构，其使上述多个升降销的上端在第一位置与第二位置之间沿上下方向移动，上述第一位置是比上述吸附保持机构的吸附面靠上方的位置，上述第二位置是比上述吸附保持机构的上述吸附面靠下方的位置；
水平移动机构，其使上述多个升降销相对于上述吸附保持机构在水平方向上移动；以及
传感器，其测量保持于上述吸附保持机构的上述基板的偏心状态，
上述上下移动机构通过使上述多个升降销向上述第一位置移动而从上述吸附保持机构支撑上述基板，
在支撑上述基板的状态下，上述水平移动机构基于由上述传感器测量出的上述基板的偏心状态使上述多个升降销在水平方向上移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述旋转机构连结于从上述吸附保持机构向下方延伸的轴，
上述上下移动机构及上述水平移动机构连结于收纳上述旋转机构的收纳部件。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述上下移动机构及上述水平移动机构设于上述收纳部件的上表面部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述多个升降销互相连结而一体地移动。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述多个升降销等间隔地排列设置于以上述旋转轴为中心的假想圆上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在俯视下，上述多个升降销位于由假想内圆和假想外圆夹着的环状区域内，上述假想内圆具有由上述吸附保持机构保持的上述基板的半径的四分之一的半径，上述假想外圆具有该基板的半径的四分之三的半径。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在俯视下，上述多个升降销位于比上述吸附保持机构靠外侧。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述吸附保持机构形成有由上述多个升降销沿上下方向贯通的贯通孔。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述吸附保持机构具有包围上述旋转轴的环状的形状，
在俯视下，上述多个升降销位于比上述吸附保持机构靠内侧。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述多个升降销的至少一个的上端形成有吸附上述基板的吸附口。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023045549A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4410119B2 (ja) * 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
US8057153B2 (en) * 2006-09-05 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method
JP4799325B2 (ja) * 2006-09-05 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置，基板処理装置，基板受け渡し方法
JP5005770B2 (ja) * 2007-12-27 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP2009194346A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Kenichi Kojima 単軸駆動アライナー
JP5402042B2 (ja) * 2009-02-06 2014-01-29 シンフォニアテクノロジー株式会社 ワークの中心位置合わせ装置
JP2011124298A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Yaskawa Electric Corp プリアライナ装置およびそれを備えた搬送システム
JP5449239B2 (ja) 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5572575B2 (ja) 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5451895B2 (ja) * 2010-10-07 2014-03-26 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
JP2012195427A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP6432742B2 (ja) * 2015-09-30 2018-12-05 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
JP7030416B2 (ja) * 2017-03-16 2022-03-07 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法
JP6841188B2 (ja) * 2017-08-29 2021-03-10 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布液捕集部材
JP6934435B2 (ja) 2018-02-26 2021-09-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス センタリング装置、センタリング方法、基板処理装置、および基板処理方法

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