JP6432742B2 - エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
基板が載置されるサセプタと、
サセプタの表裏を貫通する貫通孔と、
貫通孔に挿入されてサセプタとの間で基板の受け渡しするために基板を支持して搬送するリフトピンと、
リフトピンに支持された基板の水平方向の位置情報を取得する取得部と、
サセプタとリフトピンとの水平方向の相対的な位置関係を変更することが可能な駆動部と、
位置情報に基づき駆動部を制御して水平方向におけるサセプタと基板との位置関係を調節する制御部と、
を備えることを特徴とする。
サセプタに向けて基板を搬送するためのリフトピンに支持された基板の水平方向の位置を計測する計測工程と、
計測工程で計測した位置に基づき水平方向におけるサセプタと基板との位置関係を調節する調節工程と、
を備えることを特徴とする。
直径300mm、主表面の面方位が(100)及び導電型がP型であるシリコン単結晶基板(基板W)と気相成長装置1を用意した。次に、気相成長装置1の反応炉2内に用意した基板Wを搬入し、搬入した基板W上に導電型がP型、抵抗率が1Ω・cmのエピタキシャル層を3μm成長してエピタキシャルウェーハを製造した。エピタキシャルウェーハを製造するにあたり、リフトピン4で基板Wをサセプタ3に搬送する際には、上記と同様にして水平方向における基板Wとサセプタ3との位置関係を調節した。具体的には、リフトピン4上に支持された基板Wの中心C2とポケット部3aの中心C1との水平方向の位置ずれがなくなるように、サセプタ3の位置を調節した後、基板Wをポケット部3aに載置した。
比較例では、次に示す構成以外は気相成長装置1と同様の従来からある気相成長装置101(図8)を用いてシリコンエピタキシャルウェーハを製造した。以下、気相成長装置101の説明をするが、気相成長装置1と同じ構成は同じ符号を付して説明を省略し、特有の構成について説明する。気相成長装置101は、サセプタ3の代わりにサセプタ103、リフトピン4の代わりにリフトピン104、サセプタ支持部5の代わりにサセプタ支持部105、リフトピン支持部6の代わりにリフトピン支持部106、駆動部7の代わりに駆動部107を備える。
2 反応炉 2a 天板
3 サセプタ 3a ポケット部
3b 貫通孔 4 リフトピン
5 サセプタ支持部 6 リフトピン支持部
7 駆動部 11 カメラ(取得部、撮像部)
12 制御部 W 基板
Claims (16)
- 基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタの表裏を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に挿入されて前記サセプタとの間で前記基板の受け渡しするために前記基板を支持して搬送するリフトピンと、
前記リフトピンに支持された前記基板の水平方向の位置情報を取得する取得部と、
前記サセプタと前記リフトピンとの水平方向の相対的な位置関係を変更することが可能な駆動部と、
前記サセプタを支持して前記駆動部に接続するサセプタ支持部と、
前記リフトピンを支持して前記駆動部に接続するリフトピン支持部と、
前記位置情報に基づき前記駆動部を制御して水平方向における前記サセプタと前記基板との位置関係を調節する制御部と、
を備え、
前記サセプタ支持部は、鉛直方向に円筒状に延びる筒状部と、前記筒状部の上端部から放射状に延びて前記サセプタの裏面に接続するサセプタ支持アームとを備え、
前記リフトピン支持部は、上端部が前記筒状部から突出するように前記筒状部に挿入される円柱状の支柱部と、前記支柱部の上端部から放射状に延びて前記リフトピンの下端部に固定されるリフトピン支持アームとを備え、
前記駆動部は、前記筒状部を通じて前記サセプタを間接的に作動させ、又は、前記支柱部を通じて前記リフトピンを間接的に作動させることで前記相対的な位置関係を変更することを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 前記制御部は、前記駆動部を制御して水平方向に前記サセプタを移動させて前記位置関係を調節する請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記制御部は、前記駆動部を制御して水平方向に前記リフトピンを移動させて前記位置関係を調節する請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記駆動部は、前記サセプタに対して前記リフトピンを相対的に上下方向に移動させることが可能であり、
前記制御部は、前記駆動部を制御して前記サセプタに対して前記リフトピンを相対的に下降させて前記サセプタに前記基板を載置する請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長装置。 - 前記取得部は、前記リフトピンに支持された前記基板の上方から前記基板の撮像画像を撮像して前記撮像画像を前記位置情報として取得する撮像部を有する請求項1ないし4のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長装置。
- 水平方向において互いに直交する2つの軸を第1軸と第2軸とし、
前記撮像部は、前記第1軸の一端側に位置する前記基板の端部を含む領域を撮像する第1カメラと、前記第2軸の一端側に位置する前記基板の端部を含む領域を撮像する第2カメラとを有し、前記第1及び第2カメラが撮像する前記撮像画像を前記位置情報とする請求項5に記載のエピタキシャル成長装置。 - 前記取得部は、前記第1カメラが撮像した撮像画像から前記第1軸の値が最大値となる前記基板の端の座標である第1座標を算出し、前記第2カメラが撮像した撮像画像から前記第2軸の値が最大値となる前記基板の端の座標である第2座標を算出し、前記第1座標及び前記第2座標に基づいて前記基板の中心座標を前記位置情報として算出する請求項6に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記駆動部は、前記筒状部を通じて前記サセプタを間接的に作動させ、かつ、前記支柱部を通じて前記リフトピンを間接的に作動させることで、上下方向に延びる軸線回りに前記サセプタと前記リフトピンを同期して回転させることが可能である請求項1ないし7のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長装置。
- サセプタに向けて基板を搬送するためのリフトピンに支持された前記基板の水平方向の位置を計測する計測工程と、
前記計測工程で計測した前記位置に基づき水平方向における前記サセプタと前記基板との位置関係を調節する調節工程と、
を備え、
前記サセプタは、鉛直方向に円筒状に延びる筒状部と、前記筒状部の上端部から放射状に延びて前記サセプタの裏面に接続するサセプタ支持アームとを備えたサセプタ支持部により支持されており、
前記リフトピンは、上端部が前記筒状部から突出するように前記筒状部に挿入される円柱状の支柱部と、前記支柱部の上端部から放射状に延びて前記リフトピンの下端部に固定されるリフトピン支持アームとを備えたリフトピン支持部により支持されており、
前記調節工程では、前記筒状部を通じて前記サセプタを間接的に作動させ、又は、前記支柱部を通じて前記リフトピンを間接的に作動させることで前記サセプタと前記基板との位置関係を調節することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記調節工程は、前記リフトピン又は前記サセプタの少なくとも一方を水平方向に移動させて前記位置関係を調節する請求項9に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記調節工程後に前記サセプタに対して前記リフトピンを相対的に下降させ、前記サセプタに前記基板を載置する載置工程を備える請求項10に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記載置工程は、前記リフトピンの姿勢を維持した状態で前記サセプタに対して前記リフトピンを相対的に下降させる請求項11に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記載置工程後に前記基板にエピタキシャル層を成長させる成長工程を備える請求項11又は12に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記計測工程は、前記リフトピンに支持された前記基板の上方から前記基板の撮像画像を撮像し、前記撮像画像に基づき前記位置を計測する請求項9ないし13のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 水平方向において互いに直交する2つの軸を第1軸と第2軸とし、
前記計測工程は、前記第1軸の一端側に位置する前記基板の端部を含む領域と、前記第2軸の一端側に位置する前記基板の端部を含む領域を前記撮像画像として撮像する請求項14に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記計測工程では、前記第1軸の一端側に位置する前記基板の端部を含む領域の撮像画像から前記第1軸の値が最大値となる前記基板の端の座標である第1座標を算出し、前記第2軸の一端側に位置する前記基板の端部を含む領域の撮像画像から前記第2軸の値が最大値となる前記基板の端の座標である第2座標を算出し、前記第1座標及び前記第2座標に基づいて前記基板の中心座標を前記位置として算出する請求項15に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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