JP2602415B2 - ウェーハ位置決め装置 - Google Patents

ウェーハ位置決め装置

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勝明 佐藤
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイス製造に使
用するウェーハ位置決め装置に関し、特にCCDリニア
センサを用いたウェーハ位置決め装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のウェーハ位置決め装置は図6に示
す様に、ウェーハ(半導体ウェーハ)1を真空吸着する
ウェーハチャック2と、このチャックを担持してウェー
ハ表面にほぼ平行な平面内でウェーハを回転させる回転
ステージ3と、この回転ステージを担持して前記の平面
と平行な平面内で互いに直交するXY方向にウェーハを
移動させるXステージ5及びYステージ7と、固定部分
に配置されるウェーハ1の外周位置を検出する1対のC
CDリニアセンサ16と、回転位置を検出するエンコー
ダ4と、Xステージ駆動用パルスモータ6と、Yステー
ジ駆動用パルスモータ8と、CCDリニアセンサ16に
平行光束をパルス状に照射するランプ13及びレンジ1
4と、XYステージの位置を各パルスモータ6,8の駆
動パルス数に基づいて検出する機能及び回転ステージ位
置をエンコーダ4に基づいて検出する機能を含めて全て
の駆動部の制御を司どる演算・制御装置とを備えてい
る。上記従来技術は、例えば特開昭63−70436号
公報に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェーハ位
置決め装置では、1対のCCDリニアセンサ、すなわち
2つのCCDリニアセンサを必要とし、その信号記憶部
もその分の容量を必要とすることから部品数を比較的多
く必要とする。また1対のCCDリニアセンサがY軸に
平行に配置されているため、原理的に回転角度とCCD
リニアセンサの測定位置角度に誤差を生じ、結果的にウ
ェーハ中心位置に誤差を生じてしまうという問題点があ
った。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ位置決
め装置は、ウェーハを直行方向に移動するXYステー
ジと、ウェーハを回転させる回転ステージと、ウェーハ
の回転角度を検出する角度検出器と、ウェーハの外周に
光を投射する投光部と、X軸上に設けられ投射された光
を受けるCCDリニアセンサと、角度検出器およびCC
Dリニアセンサからの信号を受け、ウェーハの回転角度
に対応するCCDリニアセンサ信号と当該信号に対し位
相が180゜遅れた信号との差信号にもとづきXYステ
ージを駆動する演算制御部とを備えている。さらに演算
装置は、前述の差信号とその逆相信号との和信号を微分
し、回転ステージを駆動するものである。
【0005】
【実施例】図1は本発明の一実施例を模式的に示した図
であり、図5は実施例におけるウェーハ搬入からオリエ
ンテーションフラットの位置決めまでの動作を示したフ
ローチャートである。
【0006】図1において、ウェーハ(半導体ウェー
ハ)1は回転ステージ3に取付けられるウェーハチャッ
ク2に吸着される。又、回転ステージ3には角度検出器
としてエンコーダ4が取付けられており共にXステージ
5に固定されている。Xステージ5はYステージ6に取
付けられており、以上の部分により、回転、X軸方向お
よびY軸方向の移動を行なう。
【0007】投光部としてはLEDアレー9を用い、ウ
ェーハ面の下側近傍に1本のCCDリニアセンサ10を
設けて、LEDアレー9から投射された光をウェーハ1
の外周が遮光する位置信号を得ている。又、LEDアレ
ー9、CCDリニアセンサ10はYステージ6の原点を
通るX軸上に設けられている。さらにLEDアレー9と
CCDリニアセンサ10はウェーハリフト11によりウ
ェーハが上昇しても接触しない位置に設けられている。
【0008】演算・制御部12にはエンコーダ4,CC
Dリニアセンサ10からの信号が入力される。入力され
た信号は演算・制御部12にある記憶部に記憶され、計
算に必要な信号が入力されると記憶部より信号を引き出
し、X・Y位置ズレ量、オリエンテーションフラットの
位置を計算し、X・Yステージモータ6,8、回転ステ
ージ3、及びウェーハリフト11を操作し、ウェーハ中
心とX・Yステージ中心の位置合わせ、オリエンテーシ
ョンフラット位置合わせを行なう。
【0009】次に位置ズレ量及びオリエンテーションフ
ラット位置検出の方法について述べる。
【0010】図2は本発明のウェーハ位置決め装置にウ
ェーハ1が搬入された状態を示す。一般的に搬入時には
オリエンテーションフラットの位置が不定であるが、説
明を解り易くするため、ウェーハ1が円形であると仮定
し説明する。
【0011】図2に示す様に回転ステージ中心Oに対
し、ウェーハ中心OW がΔxO ,ΔyO ズレタ状態にあ
る場合、回転ステージを回転させると、CCDリニアセ
ンサ10からの信号は図3のAの様な波形となる。Bの
波形はAの波形を180°位相を遅らせた波形である。
【0012】本発明で位置ズレ量を計算する場合にはC
=A−B(図4)の信号を用いる。基本的なCの波形は
OからOW までの距離をaとすると(図2)、C=2a
×{sin(θ+α)}となる。X軸とY軸は90°位
相がズレている関係であるから図2の場合では図4に示
すCの波形の0°での値の半分がΔxO を、90°での
値の半分がΔyO を示す事になる。従ってこの値の量だ
け、X軸、Y軸方向にXYステージを移動すれば、ウェ
ーハ中心と回転ステージ中心が一致するわけである。
【0013】次にオリエンテーションフラットが図2の
2点鎖線の位置にある場合について述べる。この場合の
CCDリニアセンサ10の信号は図3に示すAの波形に
OFが加わった形となる。従って180°位相を遅らせ
た波形はBの波形にBOFを加えた形となり、両波形の差
は図4に示す様にCの波形にCOFを加えた形となる。こ
の場合、先に述べた方法を用いると、ΔxO の値にCOF
分の誤差を生じてしまう。この場合はCOFの影響が無い
位置まで基準となる軸を回転させることにより、先に述
べた方法を用いる事が出来る。
【0014】図2および図4のX軸45、Y軸45及びΔx
45、Δy45はそれらを示す。
【0015】又、他の方法として基本波形がsin波で
ある事が知れているのでCOFの部分について波形成形を
行なえば先に述べた方法をオリエンテーションフラット
の位置に関係無く使用できる。
【0016】次にオリエンテーションフラットの位置を
求める方法としては、AOFの波形を微分する事により得
られる信号がゼロとなる角度を求める事により、図2の
0から回転方向に見た場合の位置を知る事が出来る。
【0017】他に図4の波形に−2a×{sin(θ+
α)}の信号を加えるとCOFの波形のみ抽出する事が出
来、これを微分する事により得られる信号がゼロとなる
角度を求める事により、図2のOW から回転方向に見た
場合の位置を知る事が出来るが、この場合は2ケ所ゼロ
となる角度が生じるため、図3のAOFの角度と合わせ位
置を決定する必要がある。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、1つのC
CDリニアセンサでウェーハ中心と回転ステージ中心と
の位置ズレ量及びオリエンテーションフラットの位置を
測定し、その位置ズレ量の補正,オリエンテーションフ
ラットの位置決めをできるようにしたので、部品数を少
なくすることが可能となる。又、原理的にも誤差を生じ
ないため、高精度なウェーハ中心の位置出しが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の模式図。
【図2】図1に示した一実施例のウェーハが搬入された
状態の平面図。
【図3】CCDリニアセンサの信号波形を示す図。
【図4】演算・制御部で合成した位置ズレ波形を示す
図。
【図5】動作を示すフローチャート。
【図6】従来技術の模式図。
【符号の説明】
1 ウェーハ 2 ウェーハチャック 3 回転ステージ 4 エンコーダ 5 Xステージ 6 Xモータ 7 Yステージ 8 Yモータ 9 LEDアレー 10 CCDリニアセンサ 11 ウェーハリフト 12 演算・制御部 13 ランプ 14 レンズ 15 ベース 16 一対のCCDリニアセンサ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハを直方向に移動するXYステ
    ージと、前記ウェーハを回転させる回転ステージと、前
    記ウェーハの回転角度を検出する角度検出器と、前記ウ
    ェーハの外周に光を投射する投光部と、X軸上に設けら
    れ当該投射された光を受けるCCDリニアセンサと、前
    記角度検出器および前記CCDリニアセンサからの信号
    を受け、前記ウェーハの回転角度に対応するCCDリニ
    アセンサ信号と当該信号に対し位相が180゜遅れた信
    号との差信号にもとづき前記XYステージを駆動する演
    算制御部とを備えることを特徴とするウェーハ位置決め
    装置。
  2. 【請求項2】 前記演算装置は、さらに、前記差信号と
    その逆相信号との和信号を微分し、前記回転ステージを
    駆動することを特徴とする請求項1記載のウェーハ位置
    決め装置。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4973689A (en) * 1987-12-11 1990-11-27 Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co., Ltd. Method for production of cyclohexanecarboguanamine
JP2984635B2 (ja) * 1996-10-23 1999-11-29 日本電気株式会社 高精度パターンの外観の検査方法および装置
US6471464B1 (en) 1999-10-08 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Wafer positioning device
KR100387524B1 (ko) * 2001-01-26 2003-06-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지 시스템과 이를 이용하는 반도체장치 제조 설비 및 그에 따른 웨이퍼 위치 상태 감지방법
JP4408351B2 (ja) * 2002-10-24 2010-02-03 リンテック株式会社 アライメント装置
JP4113822B2 (ja) * 2003-09-19 2008-07-09 株式会社Sokudo エッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置
JP5132904B2 (ja) 2006-09-05 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め方法,基板位置検出方法,基板回収方法及び基板位置ずれ補正装置
US8057153B2 (en) 2006-09-05 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method
JP4799325B2 (ja) * 2006-09-05 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置,基板処理装置,基板受け渡し方法
JP2008270753A (ja) * 2007-03-09 2008-11-06 Applied Materials Inc クリーニング時における基板の回転のモニタ方法及び装置
JP5436876B2 (ja) * 2009-02-02 2014-03-05 株式会社ディスコ 研削方法
JP5534719B2 (ja) * 2009-06-08 2014-07-02 リンテック株式会社 位置認識装置及び位置認識方法
CN105097627B (zh) * 2014-04-15 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片校准装置以及半导体加工设备
CN105097601A (zh) * 2014-04-17 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片校准装置以及半导体加工设备
JP6432742B2 (ja) * 2015-09-30 2018-12-05 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2018047419A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社Screenホールディングス 周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法
CN107153065B (zh) * 2017-05-31 2019-09-17 上海华力微电子有限公司 一种晶圆颗粒检测系统及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656864B2 (ja) * 1987-10-21 1994-07-27 富士電機株式会社 半導体ウエハの搬送位置決め方式
JP2729297B2 (ja) * 1987-12-24 1998-03-18 株式会社ダイヘン 半導体ウエハのセンタ合せ装置
JPH06104330A (ja) * 1991-12-30 1994-04-15 Tatsumo Kk 円弧部有する板状物の自動芯出し装置
JPH05343294A (ja) * 1992-06-10 1993-12-24 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPH05347351A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Olympus Optical Co Ltd 位置決め装置

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