JP4113822B2

JP4113822B2 - エッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置

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Publication number: JP4113822B2
Application number: JP2003329016A
Authority: JP
Inventors: 一也秋山
Original assignee: Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
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Priority date: 2003-09-19
Filing date: 2003-09-19
Publication date: 2008-07-09
Anticipated expiration: 2023-09-19
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Description

本発明は、基板周縁部を露光するエッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置に関する。

半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の各種基板の処理工程において、基板上に回路パターンを形成するためレジスト塗布処理が行われる。

レジスト塗布処理後の基板にはその全面にレジスト膜が形成される。ここで、基板周縁部に形成されたレジスト膜は、基板搬送時の機械的な接触により剥離され、パーティクルとなる場合がある。パーティクルの発生等を防止するため、基板周縁部に形成されたレジスト膜を予め除去する処理が行われている。

レジスト膜の除去は、例えば、レジスト塗布処理後の基板を回転させつつ基板周縁部に形成されたレジスト膜を露光（エッジ露光処理）し、現像することにより行われる。

エッジ露光処理は、エッジ露光装置により行われる。従来の一般的なエッジ露光装置においては、次のようにエッジ露光処理が行われる。

初めに、基板が基板回転保持台により回転可能に保持される。次に、基板周縁部の上方に、基板の露光に用いられる光（以下、露光用光と呼ぶ。）を投光可能な投光装置が配置される。そこで、基板回転保持台により保持された基板を回転させる。そして、投光装置から露光用光が投光される。その結果、基板周縁部が露光用光により露光される。

ところで、このようなエッジ露光処理の分野では、従来より基板周縁部の露光幅が一定にならないという問題が指摘されてきた。この問題は、例えば、基板に予め設けられるノッチまたはオリエンテーションフラットの形状、および基板が基板回転保持台の回転中心から偏心して保持されること等により発生する。

このような問題を解決すべく、比較的簡単な構成で、基板回転保持台に載置された基板周辺の位置情報を得て基板周縁部を精度よく露光することを目的としたエッジ露光装置がある（例えば、特許文献１参照）。

このエッジ露光装置は、基板を回転駆動する基板回転駆動手段と、基板回転駆動手段を所定の角度でステップ送りする回転駆動制御手段と、露光用光を照射するための投光装置と、投光装置と基板との位置関係を相対的に変位させる投光装置変位手段と、基板の周辺位置を検出する一次元イメージセンサと、ステップ送りの停止時に一次元イメージセンサからの周辺位置データを取り込むタイミングを与えるデータ取り込みタイミング制御手段と、取り込まれた周辺位置データを記憶する記憶手段と、基板回転駆動手段の露光時のステップ送りごとに、記憶手段に記憶された基板の周辺位置データに基づき投光装置変位手段の変位量を制御する投光装置変位制御手段とを備える。

上記のエッジ露光装置は、例えば次のように動作する。

初めに、基板周辺位置データのサンプリングが行われる。基板周辺位置データのサンプリング時において、基板回転駆動手段は、回転駆動制御手段からの指令に基づいて基板を所定の角度でステップ送りする。データ取り込みタイミング制御手段は、一次元イメージセンサから連続的に出力されている周辺位置データのうち、ステップ送りが停止したときの周辺位置データを取り囲むようにデータ取り込みタイミングを制御する。取り囲まれた周辺位置データは、各々のステップ角度に対応付けて記憶手段に記憶される。

次に、記憶手段に記憶された周辺位置データに基づいて基板の露光が行われる。露光時において、投光装置変位制御手段は、回転駆動制御手段による露光時のステップ送りごとに記憶手段から各ステップ角度に対応した周辺位置データを記憶手段から読み出し、その周辺位置データに基づいて露光用の投光装置の変位量を算出して投光装置変位手段を制御する。これにより、露光用の投光装置が基板の周辺形状に応じて移動されることにより、基板周辺に沿って露光用光が照射される。

ここで、投光装置変位手段による投光装置の移動は、具体的には、基板回転駆動手段のスピンチャックの回転中心を通る一方向に行われる。

以上の構成および動作により、正確な基板の周辺位置データが得られるとともに、その周辺位置データに基づいて投光装置が移動し、基板周縁部が一定の露光幅で露光される。
特開平３−１１７２６号公報

ところで、基板周縁部の露光は常に基板の全周に対して行われるとは限らない。例えば、基板にナンバリングを行う場合、その対象個所に位置するレジスト膜を局部的に露光する必要がある。

しかしながら、上記のエッジ露光装置では、基板回転駆動手段のスピンチャックの回転中心に対して基板が偏心して保持されている場合、露光幅は一定になるが露光長さが所望の長さからずれる場合がある。

この場合の露光長さのずれについて説明する。図１３は、従来のエッジ露光装置の露光長さのずれを説明するための図である。

図１３（ａ）においては、基板回転駆動手段のスピンチャック９４３上に基板Ｗが載置された場合の平面図が模式的に表されている。基板Ｗの周縁部には、一次元イメージセンサ９５３と投光装置９１０とが基板Ｗの中心を挟んで反対側の位置となるように設けられている。

投光装置９１０は図示しない投光装置変位手段により、スピンチャック９４３の所定の半径方向（矢印Ｙの方向）に移動可能に保持されている。

スピンチャック９４３が回転することにより基板Ｗが回転する。一次元イメージセンサ９５３により得られる基板Ｗの周辺位置データに基づいて、投光装置９１０が矢印Ｙの方向に移動する。

それにより、投光装置９１０から投光される露光用光の光スポットＬＰが移動する。その結果、斜線部に示すように所望の露光幅で基板Ｗの周縁部が露光される。

図１３（ｂ）に示すように、このようなエッジ露光装置において、例えば、基板Ｗの周縁部の４分の１の長さの領域（破線で示す位置Ｐ９０からＰ１８０までの領域）を露光する場合を考える。この場合、基板回転駆動手段のスピンチャック９４３は９０度回転するように制御される。

しかしながら、基板Ｗが偏心してスピンチャック９４３に保持されると、スピンチャック９４３の回転中心ＣＣが基板Ｗの中心ＷＣからずれているので、スピンチャック９４３が回転中心ＣＣを基準に９０度回転した場合、基板中心ＷＣを基準とする基板Ｗの回転角度αは、９０度とならない。このような、スピンチャック９４３の回転中心ＣＣを基準とする基板Ｗの回転角度と基板中心ＷＣを基準とする基板Ｗの回転角度とのずれにより、基板Ｗの周縁部は斜線で示される範囲しか露光されない。

本発明の目的は、簡単な構成で基板の周縁部の所定領域に露光処理を正確に行うことが可能なエッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置を提供することである。

第１の発明に係るエッジ露光装置は、基板の周縁部を露光するエッジ露光装置であって、基板を保持して回転させる回転保持手段と、回転保持手段に保持される基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、回転中心を基準とする基板の外周部の位置を検出し、検出された位置を位置データとして出力する検出手段と、回転保持手段に保持された基板の周縁部に露光用の光を照射する光照射手段と、光照射手段と回転保持手段とを相対的に基板の表面と平行な第１の方向に移動させる第１の移動手段と、光照射手段と回転保持手段とを相対的に基板の表面と平行で第１の方向に交差する第２の方向に移動させる第２の移動手段と、回転保持手段、光照射手段、第１の移動手段および第２の移動手段を制御する制御手段とを備え、制御手段は、回転保持手段により基板を回転させつつ検出手段により出力される基板の外周部の位置データを一定の回転角度ごとに収集し、収集された位置データに基づいて、回転保持手段により保持される基板の回転中心に対する基板の中心の偏心量および偏心方向を算出し、算出された偏心量および偏心方向に基づいて基板の回転角度ごとに第１の方向における基板の外周部の変位量および第２の方向における基板の外周部の変位量を算出し、回転保持手段により基板を回転させるとともに、第１の移動手段による移動量を算出された第１の方向における変位量に制御しかつ第２の移動手段による移動量を算出された第２の方向における変位量に制御しつつ、光照射手段により基板の周縁部へ光を照射させるものである。

第１の発明に係るエッジ露光装置においては、回転保持手段により基板が保持されて回転し、回転保持手段に保持された基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、回転中心を基準とする基板の外周部の位置が検出手段により検出され、検出された位置が位置データとして出力される。回転保持手段により基板が回転されつつ検出手段により出力される基板の外周部の位置データが一定の回転角度ごとに制御手段により収集される。

位置データに基づいて、制御手段により、基板の回転中心に対する基板の中心の偏心量および偏心方向が算出され、算出された偏心量および偏心方向に基づいて基板の回転角度ごとに第１の方向における基板の外周部の変位量および第２の方向における基板の外周部の変位量が算出される。
回転保持手段により基板が回転されるとともに、第１の移動手段による第１の方向への光照射手段と回転保持手段との相対的な移動量が算出された第１の方向における変位量に制御されかつ第２の移動手段による第２の方向への光照射手段と回転保持手段との相対的な移動量が算出された第２の方向における変位量に制御されつつ、光照射手段により基板の周縁部へ光が照射される。

これにより、基板が回転保持手段に偏心して保持された場合であっても、第１の方向への光照射手段と回転保持手段との位置関係の変位および第２の方向への光照射手段と回転保持手段との位置関係の変位により、露光領域の露光幅および露光長さ（基板の回転角度）が補正される。したがって、基板の周縁部の所定の領域に露光幅が一定でかつ位置ずれのない正確な露光処理を行うことが可能となる。

また、本発明に係るエッジ露光装置は、第１の移動手段を備えた既存のエッジ露光装置に対して、第２の移動手段を追加するとともに制御手段の動作を変更することにより、非常に簡単な構成により実現することができる。

第１の方向は、回転保持手段により保持される基板の回転中心と基板の外周部とを通る方向であり、第２の方向は、第１の方向に直交する方向であってもよい。

この場合、基板の回転中心と基板の外周部とを通る方向に光照射手段と回転保持手段との位置関係を変位させることにより、露光幅を補正することができる。また、第１の方向に直交する方向に光照射手段と回転保持手段との位置関係を変位させることにより、露光長さを補正することができる。したがって、基板周縁部の所定の領域に、露光幅が一定で、かつ位置ずれのない正確な露光処理を行うことが可能となる。

第２の発明に係るエッジ露光方法は、基板の周縁部を露光するエッジ露光方法であって、回転保持手段により基板を保持して回転させつつ、基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、回転中心を基準とする基板の外周部の位置を一定の回転角度ごとに検出し、検出された位置を位置データとして収集するステップと、収集された位置データに基づいて、回転保持手段により保持される基板の回転中心に対する基板の中心の偏心量および偏心方向を算出し、算出された偏心量および偏心方向に基づいて基板の回転角度ごとに第１の方向における基板の外周部の変位量および第２の方向における基板の外周部の変位量を算出するステップと、回転保持手段により基板を保持して回転させつつ、光照射手段と回転保持手段とを相対的に基板の表面と平行な第１の方向に移動させるとともに基板の表面と平行で第１の方向に交差する第２の方向に移動させ、第１の方向における移動量を算出された第１の方向における変位量に制御しかつ第２の方向における移動量を算出された第２の方向における変位量に制御しつつ、光照射手段により基板の周縁部に露光用の光を照射するステップとを備えたものである。

第２の発明に係るエッジ露光方法においては、回転保持手段により基板が保持されて回転し、回転保持手段に保持された基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、回転中心を基準とする基板の外周部の位置が検出され、検出された位置が位置データとして出力される。回転保持手段により基板が回転されつつ出力される基板の外周部の位置データが一定の回転角度ごとに収集される。

収集された位置データに基づいて、基板の回転中心に対する基板の中心の偏心量および偏心方向が算出され、算出された偏心量および偏心方向に基づいて基板の回転角度ごとに第１の方向における基板の外周部の変位量および第２の方向における基板の外周部の変位量が算出される。
回転保持手段により基板が回転されるとともに、第１の方向への光照射手段と回転保持手段との相対的な移動量が算出された第１の方向における変位量に制御されかつ第２の方向への光照射手段と回転保持手段との相対的な移動量が算出された第２の方向における変位量に制御されつつ、光照射手段により基板の周縁部へ光が照射される。

第３の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、塗布装置により処理液が塗布された基板の周縁部を露光する第１の発明に係るエッジ露光装置とを備えたものである。

第３の発明に係る基板処理装置においては、塗布装置により基板に処理液の塗布処理が行われ、処理液が塗布された基板の周縁部が、第１の発明に係るエッジ露光装置により露光される。

この場合、第１の発明に係るエッジ露光装置が用いられるので、基板の周縁部の所定の領域に露光幅が一定でかつ位置ずれのない正確な露光処理を行うことが可能となる。

本発明に係るエッジ露光装置においては、回転保持手段により基板が保持されて回転し、回転保持手段に保持された基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、回転中心を基準とする基板の外周部の位置が検出手段により検出され、検出された位置が位置データとして出力される。回転保持手段により基板が回転されつつ検出手段により出力される基板の外周部の位置データが一定の回転角度ごとに制御手段により収集される。

以下、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置について図１〜図１２に基づき説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

図１は本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の一側面を示す図であり、図２は本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の他の側面を示す図である。また、図３は本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の上面図である。

以下、図１〜図３の説明においては、各図中の矢印Ｘ，Ｙで示すように後述の基板回転ユニット４０に載置される基板Ｗに平行な所定の方向をＹ方向として定義し、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向として定義する。

図１および図２に示すように、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００は、投光部１０、投光部保持ユニット２０、基板回転ユニット４０および基板周縁部検出ユニット５０を備える。

投光部１０は、光ファイバケーブル等からなるライトガイドを介して図示しない後述の露光用光源と接続されている。これにより、投光部１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために投光部１０により基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。

投光部保持ユニット２０は、Ｙ方向駆動モータ２１、Ｙ方向ボールネジ２２、投光部保持ガイド２３、支柱２４、Ｘ方向駆動モータ３１、支柱保持ガイド３２およびＸ方向ボールネジ３３を備える。

投光部保持ユニット２０において、投光部保持ガイド２３は投光部１０をＹ方向に移動可能に保持する。また、Ｙ方向ボールネジ２２は投光部１０に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｙ方向ボールネジ２２はＹ方向に延びるように設けられており、Ｙ方向駆動モータ２１の動作に伴って、矢印Ｒ１の方向に回転する。これにより、投光部１０は、Ｙ方向ボールネジ２２の回転に伴ってＹ方向に移動する。

Ｙ方向駆動モータ２１および投光部保持ガイド２３は、支柱２４により所定の高さに支持されている。

支柱２４は、その下端部が支柱保持ガイド３２により保持されている。支柱保持ガイド３２は、支柱２４をＸ方向に移動可能に保持する。また、Ｘ方向ボールネジ３３は、支柱２４に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｘ方向ボールネジ３３は、Ｘ方向に延びるように設けられており、Ｘ方向駆動モータ３１の動作に伴って矢印Ｒ３の方向に回転する。これにより、支柱２４は、Ｘ方向ボールネジ３３の回転に伴ってＸ方向に移動する。

このような、投光部保持ユニット２０の各部の動作により、投光部１０はＸ方向およびＹ方向に移動する。

なお、投光部保持ユニット２０のＹ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１は、図示しない後述の中央演算処理装置（以下、ＣＰＵと略記する。）に接続されている。ＣＰＵは、Ｙ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１の動作を制御することにより、投光部１０を所望の平面位置に移動させる。

基板回転ユニット４０は、基板回転モータ４１、基板回転軸４２およびスピンチャック４３を備える。基板周縁部の露光処理（エッジ露光処理）時において、スピンチャック４３上には基板Ｗが載置される。そこで、スピンチャック４３は基板Ｗを吸着保持する。スピンチャック４３は、基板回転モータ４１より突出して設けられた基板回転軸４２に接続されている。

基板回転モータ４１が基板回転軸４２を矢印Ｒ２の方向に回転させる。それにより、スピンチャック４３が回転し、吸着保持された基板Ｗが回転する。

なお、基板回転モータ４１は、Ｙ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１と同様に図示しない後述のＣＰＵに接続されている。ＣＰＵは基板回転モータ４１の動作を制御することにより基板Ｗを回転させる。さらに、基板回転モータ４１には図示しない後述のカウンタが設けられており、基板Ｗの回転角度についてのデータがＣＰＵに送られる。

基板周縁部検出ユニット５０は、センサ光源５１、レンズ５２および電荷結合素子（以下、ＣＣＤと略記する。）ラインセンサ５３を備え、基板回転ユニット４０を中心として投光部保持ユニット２０と対向するように配置されている。さらに、基板周縁部検出ユニット５０において、レンズ５２およびＣＣＤラインセンサ５３は、互いがスピンチャック４３に載置された基板Ｗの中心に対向するように配置されている。

特に、エッジ露光時においては、投光部保持ユニット２０により投光部１０がＸ方向およびＹ方向に移動される。これにより、図３に示すように基板Ｗの中心に関して基板周縁部検出ユニット５０と投光部１０とが対称位置となる。そして、露光用光の光スポットＬＰにより、スピンチャック４３に吸着保持され、回転される基板Ｗの周縁部が露光される。

センサ光源５１から基板周縁部の形状を得るための光（以下、センサ用光と呼ぶ。）が発生される。センサ用光はレンズ５２を通過することにより整形される。整形されたセンサ用光は、ＣＣＤラインセンサ５３に投光される。

ここで、ＣＣＤラインセンサ５３は基板Ｗの周縁部がＣＣＤラインセンサ５３の有効画素領域内となるように配置されている。これにより、ＣＣＤラインセンサ５３に投光されるセンサ用光はその一部が基板Ｗの周縁部により遮光される。したがって、ＣＣＤラインセンサ５３は、基板周縁部の形状に応じた光量を受光する。

ＣＣＤラインセンサ５３は、図示しない後述のＣＰＵに接続されている。その結果、ＣＰＵは、ＣＣＤラインセンサ５３によるセンサ用光の受光量に基づいて基板Ｗの周縁部の形状を後述の周辺位置データとして得ることができる。詳細については後述する。

図４は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００の構成を示す模式図である。

図４に示すように、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００は、Ｙ方向駆動モータ２１、Ｘ方向駆動モータ３１、基板回転モータ４１、パルス発生回路２０ａ，３０ａ，４０ａ、モータ駆動回路２０ｂ，３０ｂ，４０ｂ、カウンタ４０ｃ、ＣＣＤラインセンサ５３、アナログデジタル（以下、Ａ／Ｄと略記する。）コンバータ５０ａ、信号処理回路５０ｂ、ＣＣＤ駆動回路５０ｃ、ＣＰＵ６０、ランダムアクセスメモリ（以下、ＲＡＭと略記する。）６１および露光用光源７０を備える。

ＣＰＵ６０は、後述のフローチャートで示されるプログラムをＲＡＭ６１上で実行する。エッジ露光装置１００の各構成部は、ＣＰＵ６０より与えられる各種信号に応答して動作する。

ＣＣＤ駆動回路５０ｃには、ＣＰＵ６０からＡ／Ｄコンバータ５０ａおよび信号処理回路５０ｂを介してＣＣＤラインセンサ５３を動作させるための指令信号が与えられる。

ＣＣＤ駆動回路５０ｃはＣＰＵ６０からの指令信号に応答して、ＣＣＤラインセンサ５３を動作させる。これにより、ＣＣＤラインセンサ５３は、Ｙ方向駆動モータ２１、Ｘ方向駆動モータ３１および基板回転モータ４１の動作と無関係（非同期）かつ、連続的に基板Ｗの周縁部を検出する。基板周縁部は、上述のように、ＣＣＤラインセンサ５３によるセンサ用光の受光量に基づいて検出される。

ＣＣＤラインセンサ５３によるセンサ用光の受光量のデータ（以下、受光量データと呼ぶ。）ＤＡ１はＣＣＤ駆動回路５０ｃを介して、信号処理回路５０ｂに順次与えられる。

信号処理回路５０ｂは、ＣＣＤ駆動回路５０ｃからの受光量データＤＡ１に基づいてＣＣＤラインセンサ５３の画素数に比例したアナログの受光量データＤＡ２を生成する。ＣＣＤ駆動回路５０ｃにより生成されたアナログの受光量データＤＡ２はＡ／Ｄコンバータ５０ａへ与えられる。

Ａ／Ｄコンバータ５０ａには、ＣＰＵ６０からデータの取り込みタイミングを示すデータ取り込みタイミング信号ＤＴが与えられている。

Ａ／Ｄコンバータ５０ａは、データ取り込みタイミング信号ＤＴに基づいて、アナログの受光量データＤＡ２をデジタルの受光量データＤＡ３に変換する。変換されたデジタルの受光量データＤＡ３は、所定のタイミングでＣＰＵ６０へ与えられる。ＣＰＵ６０は、与えられたデジタルの受光量データＤＡ３を基板Ｗの周辺位置データ（基板周縁部の形状を示すデータ）として、ＲＡＭ６１に記憶させる。

上述のように、基板回転モータ４１の動作はＣＰＵ６０により制御される。ＣＰＵ６０は、基板回転モータ４１の所定の回転数のデータ（以下、回転数データと呼ぶ。）ＲＤ１をパルス発生回路４０ａへ与える。パルス発生回路４０ａは、与えられた回転数データＲＤ１に基づいて、所要個数のパルス信号ＲＰ１をモータ駆動回路４０ｂおよびカウンタ４０ｃに与える。

また、ＣＰＵ６０は上記の回転数データＲＤ１をプリセット信号ＰＲとしてカウンタ４０ｃに与える。カウンタ４０ｃはプログラマブルカウンタであり、パルス発生回路４０ａから与えられるパルス信号ＲＰ１をカウントする。カウンタ４０ｃは、これにより得られるカウントアップ信号ＣＰをＣＰＵ６０に与える。その結果、ＣＰＵ６０はカウンタ４０ｃから与えられるカウントアップ信号ＣＰに基づいて、回転数データＲＤ１のパルス発生回路４０ａへの出力を調整する。

モータ駆動回路４０ｂは、パルス信号ＲＰ１に応答して基板回転モータ４１を動作させる。それにより、基板回転モータ４１による基板Ｗの所望の回転が実現される。

上述のように、Ｙ方向駆動モータ２１の動作はＣＰＵ６０により制御される。ＣＰＵ６０は、Ｙ方向駆動モータ２１の所定の回転数データＲＤ２をパルス発生回路２０ａへ与える。パルス発生回路２０ａは、与えられた回転数データＲＤ２に基づいて、所要個数のパルス信号ＲＰ２をモータ駆動回路２０ｂに与える。

モータ駆動回路２０ｂは、パルス信号ＲＰ２に応答してＹ方向駆動モータ２１を動作させる。それにより、図１に示すような、Ｙ方向駆動モータ２１による投光部１０のＹ方向の移動が実現される。

上述のように、Ｘ方向駆動モータ３１の動作はＣＰＵ６０により制御される。ＣＰＵ６０は、Ｘ方向駆動モータ３１の所定の回転数データＲＤ３をパルス発生回路３０ａへ与える。パルス発生回路３０ａは、与えられた回転数データＲＤ３に基づいて、所要個数のパルス信号ＲＰ３をモータ駆動回路３０ｂに与える。

モータ駆動回路３０ｂは、パルス信号ＲＰ３に応答してＸ方向駆動モータ３１を動作させる。それにより、図２に示すような、Ｘ方向駆動モータ３１による投光部１０のＸ方向の移動が実現される。

露光用光源７０はＣＰＵ６０と接続されている。露光用光源７０は、ＣＰＵ６０から与えられる制御信号に基づいて露光用光を図１の投光部１０へ送る。これにより、基板周縁部の露光が行われる。

上記において、ＣＰＵ６０によるＲＡＭ６１への受光量データＤＡ３の記憶は、基板回転モータ４１の動作を制御する回転数データＲＤ１、プリセット信号ＰＲおよびカウンタ４０ｃより与えられるカウントアップ信号ＣＰに基づいて、基板Ｗの回転位置と対応させて行われる。このＣＰＵ６０の動作は、後述のフローチャートに示されるプログラムに基づく。

ここで、図５〜図８に基づいて図１の基板回転ユニット４０のスピンチャック４３上に基板Ｗが偏心して吸着保持された場合の基板Ｗの回転およびそれに基づく基板Ｗの位置ずれについて説明する。

図５および図６は、図１のスピンチャック４３に偏心して吸着保持された基板Ｗの所定の回転角度毎の位置ずれを示す模式図である。

図５および図６の各図において、スピンチャック４３の中心、すなわち基板Ｗの回転中心ＣＣを基準として、ｘ軸座標およびｙ軸座標を定義する。また、図５および図６では、偏心されない状態でスピンチャック４３に吸着保持された基板Ｗの位置が破線で示されている。なお、基板Ｗのオリエンテーションフラットまたはノッチ等の位置決め部は省略する。

初めに、図５（ａ）に示すように、基板Ｗがスピンチャック４３に偏心して吸着保持された場合、基板Ｗの基板中心ＷＣは回転中心ＣＣからｘ軸方向にずれている。この場合のｘ軸方向のずれを「Ｘ０」とし、ｙ軸方向のずれを「Ｙ０」とする。

ここで、図５（ａ）においては、基板中心ＷＣがｘ軸上で正の方向にずれている。したがって、基板Ｗの回転角度が０度の場合、ｘ軸方向のずれＸ０は正の最大変位量となり、ｙ軸方向のずれＹ０は０となる。基板Ｗの回転が開始されることにより、基板中心ＷＣは矢印ｒ１の方向に回転する。

次に、図５（ｂ）に示すように、基板Ｗが９０度回転された場合、基板Ｗの基板中心ＷＣは回転中心ＣＣからｙ軸方向にずれている。この場合のｙ軸方向のずれを「Ｘ９０」とし、ｙ軸方向のずれを「Ｙ９０」とする。

ここで、図５（ｂ）においては、基板中心ＷＣがｙ軸上で負の方向にずれている。したがって、基板Ｗが９０度回転された場合、ｘ軸方向のずれＸ９０は０となり、ｙ軸方向のずれＹ９０は負の最大変位量となる。続いて基板Ｗの回転が継続されることにより、基板中心ＷＣは矢印ｒ２の方向に回転する。

さらに、図５（ｃ）に示すように、基板Ｗが１８０度回転された場合、基板Ｗの基板中心ＷＣは回転中心ＣＣからｘ軸方向にずれている。この場合のｘ軸方向のずれを「Ｘ１８０」とし、ｙ軸方向のずれを「Ｙ１８０」とする。

ここで、図５（ｃ）においては、基板中心ＷＣがｘ軸上で負の方向にずれている。したがって、基板Ｗが１８０度回転された場合、ｘ軸方向のずれＸ１８０は負の最大変位量となり、ｙ軸方向のずれＹ１８０は０となる。続いて基板Ｗの回転が継続されることにより、基板中心ＷＣは矢印ｒ３の方向に回転する。

また、図５（ｄ）に示すように、基板Ｗが２７０度回転された場合、基板Ｗの基板中心ＷＣは回転中心ＣＣからｙ軸方向にずれている。この場合のｘ軸方向のずれを「Ｘ２７０」とし、ｙ軸方向のずれを「Ｙ２７０」とする。

ここで、図５（ｄ）においては、基板中心ＷＣがｙ軸上で負の方向にずれている。したがって、基板Ｗが２７０度回転された場合、ｘ軸方向のずれＸ２７０は０となり、ｙ軸方向のずれＹ２７０は正の最大変位量となる。続いて基板Ｗの回転が継続されることにより、基板中心ＷＣは矢印ｒ４の方向に回転する。

このように、基板Ｗはスピンチャック４３による回転中心ＣＣを中心として矢印ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４の方向に回転する。

図７は、図５および図６に示すように図１のスピンチャック４３に偏心して吸着保持された基板Ｗの回転角度毎のｘ軸方向およびｙ軸方向の変位量を示すグラフである。図７において、縦軸はｘ軸方向およびｙ軸方向の変位量を表す。また、グラフ中の実線ＬＸは基板Ｗのｘ軸座標の変位量の変化を表し、破線ＬＹは基板Ｗのｙ軸座標の変位量の変化を表す。なお、実線ＬＸおよび破線ＬＹ上には、図５および図６に示した基板Ｗのｘ軸方向およびｙ軸方向のずれＸ０、Ｘ９０、Ｘ１８０、Ｘ２７０、Ｙ０、Ｙ９０、Ｙ１８０およびＹ２７０がプロットされている。

図７の実線ＬＸおよび上述の図５および図６に示すように、ｘ軸方向の変位量は基板Ｗの回転角度が０度のときに正の最大変位量を示す。ｘ軸方向の変位量は基板Ｗの回転角度が１８０度になるまで減少し、１８０度のときに負の最大変位量を示す。その後、ｘ軸方向の変位量は基板Ｗの回転角度が３６０度（０度）になるまで増加し、３６０度のときに再び正の最大変位量を示す。

一方、図７の実線ＬＹおよび上述の図５および図６に示すように、ｙ軸方向の変位量は基板Ｗの回転角度が０ときの時に０を示す。ｙ軸方向の変位量は０度から基板Ｗの回転角度が９０度になるまで増加し、９０度のときに正の最大変位量を示す。その後、ｙ軸方向の変位量は基板Ｗの回転角度が２７０度になるまで減少し、２７０度のときに負の最大変位量を示す。その後、ｙ軸方向の変位量は基板Ｗの回転角度が３６０度（０度）になるまで増加し、３６０度のときに再び０を示す。

上記のように、スピンチャック４３に偏心して吸着保持された基板Ｗの回転時における位置ずれは、ｘ軸方向およびｙ軸方向に常に変動する。

その結果、本実施の形態では基板Ｗの偏心によるｘ軸方向およびｙ軸方向のずれのみならず、上述の図１３（ｂ）に示すように、基板Ｗの基板中心ＷＣを基準とした基板Ｗの回転角度とスピンチャック４３の回転中心ＣＣを基準とした基板Ｗの回転角度との間でのずれが発生する。

これら、偏心した基板Ｗの回転によるｘ軸方向、ｙ軸方向および回転角度のずれを補正するために、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００は投光部保持ユニット２０が投光部１０をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させる。

以下、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００のエッジ露光処理の動作について図８および図９のフローチャートに基づき説明する。なお、エッジ露光装置１００のエッジ露光処理の動作は、図１のスピンチャック４３に吸着保持された基板Ｗの周辺位置データを取得するためのエッジサンプリング処理動作および基板Ｗの周縁部を露光する露光処理動作からなる。初めに、エッジサンプリング処理が行われ、続いて、露光処理動作が行われる。

図８は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００のエッジサンプリング処理動作を示すフローチャートである。

初めに、図１の基板回転ユニット４０のスピンチャック４３上に基板Ｗが載置される。そして、スピンチャック４３は基板Ｗを吸着保持する。

図４のＣＰＵ６０は、基板Ｗの周縁部のうち、図１のＣＣＤラインセンサ５３に初めに対向するサンプリング点を回転角度が０度のときの周辺位置データとして図４のＲＡＭ６１に記憶させる（ステップＳ１１）。

ここで、周辺位置データは上述のように基板Ｗの周縁部の形状を示すが、正確には基板Ｗの回転中心からＣＣＤラインセンサ５３上に位置する基板周縁部までの距離に基づいて作成される。

次に、ＣＰＵ６０は基板Ｗの周辺位置データのサンプリング用の所定のステップ送り角度に対応した回転数を示す回転数データＲＤ１を図４のパルス発生回路４０ａに与えるとともに、この回転数データＲＤ１をプリセット信号ＰＲとしてカウンタ４０ｃに与える(ステップＳ１２)。

回転数データＲＤ１がパルス発生回路４０ａに与えられることにより、パルス発生回路４０ａから回転数データＲＤ１に対応した個数のパルス信号ＲＰ１が図１のモータ駆動回路４０ｂに与えられ、基板回転モータ４１が駆動される。その結果、基板Ｗが所定角度だけステップ送りで回転される。

なお、サンプリング用の所定のステップ送り角度は、例えば９度である。この場合、基板Ｗの周縁部について４０点のサンプリングを行うことができる。

また、プリセット信号ＰＲがカウンタ４０ｃに与えられることにより、カウンタ４０ｃがプリセットされる。

上記において、パルス発生回路４０ａはカウンタ４０ｃに対してもパルス信号ＲＰ１を与える。ここで、カウンタ４０ｃは、所定の個数のパルス信号ＲＰ１が与えられることによりカウントアップ信号ＣＰをＣＰＵ６０に与える。

ＣＰＵ６０は、カウントアップ信号ＣＰが与えられたか否かに基づいて基板回転モータ４１の停止を判別する(ステップＳ１３)。

基板回転モータ４１が停止した場合、ＣＰＵ６０は、Ａ／Ｄコンバータ５０ａにデータ取り込みタイミング信号ＤＴを与える(ステップＳ１４)。これにより、ＣＣＤラインセンサ５３により得られる受光量データＤＡ１に基づく次のサンプリング点の周辺位置データをＲＡＭ６１に記憶させる(ステップＳ１５)。

この場合の周辺位置データのＲＡＭ６１への記憶は、そのサンプリング点における回転角度と対応付けて行われる。

続いて、ＣＰＵ６０は、対象となる全てのサンプリング点について周辺位置データをＲＡＭ６１に記憶させたか否か（基板回転モータ４１が３６０度回転駆動されたか否か）を判別する(ステップＳ１６）。

全てのサンプリング点について周辺位置データがＲＡＭ６１に記憶されていない場合、ＣＰＵ６０は上記ステップＳ１２の動作を繰り返す。

一方、全てのサンプリング点について周辺位置データがＲＡＭ６１に記憶された場合、ＣＰＵ６０はＲＡＭ６１に記憶された各周辺位置データ間の補間処理を行う(ステップＳ１７)。各周辺位置データ間の補間処理の方法は特に限定されない。

上記ステップＳ１１〜Ｓ１７の動作によりＣＰＵ６０はエッジサンプリング処理動作を終了する。

図９は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００の露光処理動作を示すフローチャートである。

以下の説明において、ＲＡＭ６１には予め基板Ｗの露光対象となる領域が記憶されている。以下、ＲＡＭ６１に記憶された露光対象となる領域のデータを露光領域データと呼ぶ。露光領域データは、基板Ｗの回転角度に基づき設定される。

また、上記のエッジサンプリング処理により得られた周辺位置データに基づいて、スピンチャック４３の回転中心ＣＣに対する基板Ｗの基板中心ＷＣの偏心量が算出される。なお、エッジ露光装置１００においては、予め図５に示すように基板Ｗの回転中心ＣＣを基準にｘｙ座標が定義されている。

周辺位置データのサンプリングのために、基板Ｗが１回転することにより、基板Ｗは最初の状態に戻っている。図３に示すように、最初のサンプリング点（回転角度の０度位置）に位置するＣＣＤラインセンサ５３は、エッジ露光時において回転中心ＣＣを挟んで投光部１０と反対側の位置にある。

したがって、下記露光処理時において、ＣＰＵ６０は、露光対象となる領域に対して１８０度ずれた位置における周辺位置データをＲＡＭ６１から読み出す。

初めに、ＣＰＵ６０はＲＡＭ６１から予め定められた露光領域データを読み出し、露光領域データに基づいて周辺位置データを読み出す(ステップＳ２１)。そして、読み出した周辺位置データに基づいて露光開始時の図１の投光部１０の位置を決定する(ステップＳ２２)。

ここで、投光部１０の位置の決定は、次のように行われる。

ＣＰＵ６０は、ＲＡＭ６１に記憶された周辺位置データのうち露光領域データにより定められる回転角度の周辺位置データを読み出す。そして、読み出した周辺位置データおよび基板Ｗの回転中心ＣＣに対する基板中心ＷＣの偏心量および偏心方向に基づいて、露光対象となる基板周縁部のｘ座標方向およびｙ座標方向における変位量を算出する。それにより、投光部１０の位置の決定が行われる。

上記ステップＳ２２においては、投光部１０の位置の決定の他、次の動作が平行して行われてもよい。

ＣＰＵ６０は、ステップＳ２２の動作と平行して、エッジサンプリング処理により得られた周辺位置データからオリエンテーションフラットまたはノッチ等の位置を算出する。そして、ＲＡＭ６１に記憶されている露光領域データ（露光開始時の回転角度と露光終了時の回転角度）に基づいて、露光対象開始時のオリエンテーションフラットまたはノッチの位置決め（基板Ｗの回転）を行う。

続いて、ＣＰＵ６０は、決定した投光部１０の位置に基づいて、図４のパルス発生回路２０ａおよびパルス発生回路３０ａに回転数データＲＤ２および回転数データＲＤ３をそれぞれ与える(ステップＳ２３)。これにより、図４のＹ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１が駆動され、投光部１０が最初の露光位置に移動される。

次に、ＣＰＵ６０は露光用光源７０に露光用光を投光部１０へ送る旨の制御信号を与える(ステップＳ２４)。それにより、露光用光が投光部１０に送られ、投光部１０から基板Ｗへ露光用光が照射される。

ＣＰＵ６０は、露光領域データにより定められた最初の露光位置から、例えば１度のステップで基板Ｗを回転させるための回転数データＲＤ１をパルス発生回路４０ａおよびカウンタ４０ｃに与える(ステップＳ２５)。

回転数データＲＤ１がパルス発生回路４０ａに与えられることにより、パルス発生回路４０ａから回転数データＲＤ１に対応した個数のパルス信号ＲＰ１が図１のモータ駆動回路４０ｂに与えられ、基板回転モータ４１が駆動される。その結果、基板Ｗが１度だけステップ送りで回転される。

パルス発生回路４０ａはカウンタ４０ｃに対してもパルス信号ＲＰ１を与える。カウンタ４０ｃは、予め設定された個数のパルス信号ＲＰ１が与えられることによりカウントアップ信号ＣＰをＣＰＵ６０に与える。

ＣＰＵ６０は、カウントアップ信号ＣＰが与えられたか否かを判別する(ステップＳ２６)。

カウントアップ信号ＣＰが与えられた場合、ＣＰＵ６０は、前回の回転角度から１度移動した次の回転角度の周辺位置データを読み出す(ステップＳ２７)。そして、読み出した次の周辺位置データに基づいて次の回転角度における投光部１０の位置を決定する(ステップＳ２８)。

ここで、ＣＰＵ６０は露光領域データに基づいて、現在の回転角度が露光対象となる領域の露光終了時の回転角度であるか否かを判別する(ステップＳ２９)。

ＣＰＵ６０は、現在の回転角度が露光対象となる領域の露光終了時の回転角度でない場合、上記ステップＳ２５の動作を繰り返す。

一方、ＣＰＵ６０は、現在の回転角度が露光対象となる領域の露光終了時の回転角度である場合、露光用光源７０に露光用光を投光部１０へ送らない旨の制御信号を与える(ステップＳ３０)。それにより、露光用光が投光部１０に送られず、投光部１０から基板Ｗへの露光用光の照射が停止される。

上記ステップＳ２１〜Ｓ３０の動作により、基板Ｗの周縁部の露光処理動作が終了する。なお、上記ステップＳ３０の後に再び基板周縁部の周辺位置データをサンプリングし、露光処理の露光誤差の有無を確認してもよい。

以上、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００によれば、エッジ露光処理時において、投光部１０が投光部保持ユニット２０により図１および図２のＸ方向およびＹ方向に移動する。

すなわち、投光部１０による基板Ｗ上の露光用光の光スポットＬＰが、基板Ｗの回転中心ＣＣから露光対象部（基板周縁部）への半径方向および露光対象部（基板周縁部）における基板Ｗの接線方向に移動する。

その結果、基板Ｗが図１のスピンチャック４３に偏心して吸着保持された場合であっても、露光幅が投光部１０の上記半径方向への移動により補正され、露光領域の長さ（基板Ｗの回転角度）が投光部１０の上記接線方向への移動により補正される。したがって、基板周縁部の全周および局部に対して露光幅が一定で、かつ位置ずれのない正確な露光処理が可能となっている。

また、エッジ露光装置１００は、従来の投光部１０を一方向に移動可能なエッジ露光装置に対して、投光部保持ユニット２０にさらに一方向の移動が可能となるような駆動部（図１および図２のＸ方向駆動モータ３１）を設け、ＣＰＵ６０のプログラムを変更することにより実現されている。

したがって、従来のエッジ露光装置に対して、一つの駆動系を設け、プログラムを変更するだけで実現されているので、非常に簡単な構成となっている。

なお、エッジ露光装置１００においては、投光部１０が投光部保持ユニット２０により移動されることにより露光幅の補正および露光領域の長さの補正が行われているが、これに代えて、投光部１０を固定し、基板回転ユニット４０を移動させることにより、スピンチャック４３の平面位置を移動させてもよい。この場合、スピンチャック４３の移動により露光幅の補正および露光領域の長さの補正が行われる。

上記の実施の形態に係るエッジ露光装置１００を備えた基板処理装置について説明する。

図１０は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００を備える基板処理装置の平面図である。

図１０から後述の図１２までの各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。以下の説明におけるＸ方向およびＹ方向は、上記図１〜図３の説明に用いたＸ方向およびＹ方向と同じであってもよいし、異なってもよい。

図１０に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック５０９、反射防止膜用処理ブロック５１０、レジスト膜用処理ブロック５１１、現像処理用ブロック５１２およびインターフェースブロック５１３を含む。インターフェースブロック５１３に隣接するようにステッパ部５１４が配置される。

インデクサブロック５０９は、複数のキャリア載置台５６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨを有する。また、インデクサブロック５０９には、後述する熱処理ユニットの動作を制御するベークユニットコントローラ５３０が設けられる。反射防止膜用処理ブロック５１０は、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１、反射防止膜用塗布処理部５７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部５５０，５５１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１を有する。

レジスト膜用処理ブロック５１１は、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３、レジスト膜用塗布処理部５８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部５８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部５５２，５５３に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２を有する。

現像処理用ブロック５１２は、現像用熱処理部５５４，５５５、現像処理部５９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部５９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部５５４，５５５に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３を有する。

インターフェースブロック５１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび図１のエッジ露光装置１００を含む。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ４を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ８とステッパ部５１４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック５０９、反射防止膜用処理ブロック５１０、レジスト膜用処理ブロック５１１、現像処理用ブロック５１２およびインターフェースブロック５１３の順に並設されている。

以下、インデクサブロック５０９、反射防止膜用処理ブロック５１０、レジスト膜用処理ブロック５１１、現像処理用ブロック５１２およびインターフェースブロック５１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。

基板処理装置５００には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が設けられている。

また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が２個ずつ上下に近接して設けられている。

また、現像処理用ブロック５１２の現像用熱処理部５５５には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられ、インターフェースブロック５１３のエッジ露光装置１００には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５は、未処理の基板Ｗを受け渡す場合に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６は、処理済みの基板Ｗを受け渡す場合に用いられる。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について簡潔に説明する。

インデクサブロック５０９のキャリア載置台５６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。

また、本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック５１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５７０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットＢＡＲＣにより塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５７０から基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１に搬入する。反射防止膜用熱処理部５５０，５５１において所定の処理が施された後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック５１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部５８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部５８０では、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットＲＥＳにより塗布形成される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部５８０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３に搬入する。レジスト膜用熱処理部５５２，５５３において所定の処理が施された後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理用ブロック５１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック５１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光装置１００に搬入する。エッジ露光装置１００において所定の処理が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光装置１００から基板Ｗを取り出し、エッジ露光装置１００に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗをステッパ部５１４に搬入する。ステッパ部５１４において、所定の処理が基板Ｗに施される。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ステッパ部５１４より基板Ｗを受け取り、エッジ露光装置１００に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック５１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを現像用熱処理部５５５に搬入する。現像用熱処理部５５５においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部５５５から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部５９０に搬入する。現像処理部５９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部５９０から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部５５４に搬入する。現像用熱処理部５５４において所定の処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部５５４から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック５１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック５１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック５１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック５０９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。

次に、図１１は、図１０の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

インデクサブロック５０９のキャリア載置台５６０上に基板Ｗを収納したキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、±θ方向に回転または±Ｙ方向に進退してキャリアＣ内の基板Ｗを受け取る。

反射防止膜用処理ブロック５１０の反射防止膜用熱処理部５５０には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部５５１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック５１１のレジスト膜用熱処理部５５２には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部５５３には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理用ブロック５１２の現像用熱処理部５５４には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像熱処理部５５５には、基板載置部ＰＡＳＳ７、５個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部５５４，５５５には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

インターフェースブロック５１３には、２個のエッジ露光装置１００、バッファ部ＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース搬送機構ＩＦＲ（図示せず）が配置される。

図１２は、図１０の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

インデクサブロック５０９の上方には、ベークユニットコントローラ５３０が配置されている。反射防止膜用処理ブロック５１０の反射防止膜用塗布処理部５７０には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用処理ブロック５１１のレジスト膜用塗布処理部５８０には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理用ブロック５１２の現像処理部５９０には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。

上記のように、基板処理装置５００には図１のエッジ露光装置１００が設けられている。したがって、基板処理装置５００においては、精度の高いエッジ露光処理が行われ、基板Ｗの円周方向に対する局部的な露光であっても露光幅が一定で、かつ位置ずれのない正確な露光処理が行われる。

以上、本発明の一実施の形態において、エッジ露光装置１００はエッジ露光装置に相当し、基板処理装置５００は基板処理装置に相当し、基板回転ユニット４０のスピンチャック４３が回転保持手段に相当し、受光量データＤＡ１，ＤＡ２，ＤＡ３および周辺位置データは位置データに相当し、ＣＣＤラインセンサ５３、Ａ／Ｄコンバータ５０ａ、信号処理回路５０ｂおよびＣＣＤ駆動回路５０ｃが検出手段に相当し、投光部１０および露光用光源７０が光照射手段に相当する。

また、図１〜図３のＹ方向および基板Ｗの回転中心ＣＣから露光対象部（基板周縁部）への半径方向は第１の方向に相当し、投光部保持ユニット２０のＹ方向駆動モータ２１、Ｙ方向ボールネジ２２および投光部保持ガイド２３は第１の移動手段に相当し、図１〜図３のＸ方向および露光対象部（基板周縁部）における基板Ｗの接線方向は第２の方向に相当し、投光部保持ユニット２０の支柱２４、Ｘ方向駆動モータ３１、支柱保持ガイド３２およびＸ方向ボールネジ３３は第２の移動手段に相当する。

さらに、投光部１０の図１〜図３のＹ方向への変位量が第１の方向への位置関係の変位に相当し、投光部１０の図１〜図３のＸ方向への変位量が第２の方向への位置関係の変位に相当し、ＣＰＵ６０が制御手段に相当し、レジスト膜用塗布処理部５８０は塗布装置に相当する。

本発明は、基板の周縁部を局部的に露光するエッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置として有用である。

本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の一側面を示す図である。本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の他の側面を示す図である。本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の上面図である。本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の構成を示す模式図である。図１のスピンチャックに偏心して吸着保持された基板Ｗの所定の回転角度毎の位置ずれを示す模式図である。図１のスピンチャックに偏心して吸着保持された基板Ｗの所定の回転角度毎の位置ずれを示す模式図である。図５および図６に示すように図１のスピンチャックに偏心して吸着保持された基板Ｗの回転角度毎のｘ軸方向およびｙ軸方向の変位量を示すグラフである。本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置のエッジサンプリング処理動作を示すフローチャートである。本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の露光処理動作を示すフローチャートである。本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置を備える基板処理装置の平面図である。図１０の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。図１０の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。従来のエッジ露光装置の露光長さのずれを説明するための図である。

符号の説明

１０投光部
２０投光部保持ユニット
２１Ｙ方向駆動モータ
２２Ｙ方向ボールネジ
２３投光部保持ガイド
２４支柱
３１Ｘ方向駆動モータ
３２支柱保持ガイド
３３Ｘ方向ボールネジ
４０基板回転ユニット
４３スピンチャック
５０ａＡ／Ｄコンバータ
５０ｂ信号処理回路
５０ｃＣＣＤ駆動回路
５３ＣＣＤラインセンサ
６０ＣＰＵ
７０露光用光源
１００エッジ露光装置
５００基板処理装置
５８０レジスト膜用塗布処理部
ＣＣ回転中心
ＷＣ基板中心
ＤＡ１，ＤＡ２，ＤＡ３受光量データ
ＥＥＲエッジ露光部
Ｗ基板

Claims

基板の周縁部を露光するエッジ露光装置であって、
基板を保持して回転させる回転保持手段と、
前記回転保持手段に保持される基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、前記回転中心を基準とする基板の外周部の位置を検出し、検出された位置を位置データとして出力する検出手段と、
前記回転保持手段に保持された基板の周縁部に露光用の光を照射する光照射手段と、
前記光照射手段と前記回転保持手段とを相対的に基板の表面と平行な第１の方向に移動させる第１の移動手段と、
前記光照射手段と前記回転保持手段とを相対的に基板の表面と平行で前記第１の方向に交差する第２の方向に移動させる第２の移動手段と、
前記回転保持手段、前記光照射手段、前記第１の移動手段および前記第２の移動手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記回転保持手段により基板を回転させつつ前記検出手段により出力される基板の外周部の位置データを一定の回転角度ごとに収集し、収集された位置データに基づいて、前記回転保持手段により保持される基板の回転中心に対する基板の中心の偏心量および偏心方向を算出し、算出された偏心量および偏心方向に基づいて基板の回転角度ごとに前記第１の方向における基板の外周部の変位量および前記第２の方向における基板の外周部の変位量を算出し、前記回転保持手段により基板を回転させるとともに、前記第１の移動手段による移動量を前記算出された前記第１の方向における変位量に制御しかつ前記第２の移動手段による移動量を前記算出された前記第２の方向における変位量に制御しつつ、前記光照射手段により基板の周縁部へ光を照射させることを特徴とするエッジ露光装置。
前記第１の方向は、前記回転保持手段により保持される基板の回転中心と基板の外周部とを通る方向であり、
前記第２の方向は、前記第１の方向に直交する方向であることを特徴とする請求項１記載のエッジ露光装置。
基板の周縁部を露光するエッジ露光方法であって、
回転保持手段により基板を保持して回転させつつ、基板の回転中心を通りかつ基板の表面に平行な一方向において、前記回転中心を基準とする基板の外周部の位置を一定の回転角度ごとに検出し、検出された位置を位置データとして収集するステップと、
前記収集された位置データに基づいて、前記回転保持手段により保持される基板の回転中心に対する基板の中心の偏心量および偏心方向を算出し、算出された偏心量および偏心方向に基づいて基板の回転角度ごとに前記第１の方向における基板の外周部の変位量および前記第２の方向における基板の外周部の変位量を算出するステップと、
前記回転保持手段により基板を保持して回転させつつ、光照射手段と前記回転保持手段とを相対的に基板の表面と平行な第１の方向に移動させるとともに基板の表面と平行で前記第１の方向に交差する第２の方向に移動させ、前記第１の方向における移動量を前記算出された前記第１の方向における変位量に制御しかつ前記第２の方向における移動量を前記算出された前記第２の方向における変位量に制御しつつ、前記光照射手段により基板の周縁部に露光用の光を照射するステップとを備えたことを特徴とするエッジ露光方法。
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、
前記塗布装置により処理液が塗布された基板の周縁部を露光する請求項１または２記載のエッジ露光装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。