CN112585539A - 用于校准物体装载过程的平台设备和方法 - Google Patents
用于校准物体装载过程的平台设备和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112585539A CN112585539A CN201980054289.6A CN201980054289A CN112585539A CN 112585539 A CN112585539 A CN 112585539A CN 201980054289 A CN201980054289 A CN 201980054289A CN 112585539 A CN112585539 A CN 112585539A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- support
- annular protrusion
- object support
- relative
- platform device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种平台设备,所述平台设备包括物体支撑件,所述物体支撑件包括在第一平面上具有外半径的环形突起,并且所述物体支撑件被配置成支撑在所述第一平面上具有大于所述环形突起的所述外半径的半径的物体。所述平台设备还包括传感器模块,所述传感器模块被配置成检测所述物体支撑件和当所述物体被布置于所述物体支撑件上时的所述物体。所述平台设备还包括处理单元,所述处理单元被配置成接收来自所述传感器模块的一个或更多个信号,并且被配置成在所述物体被布置于所述物体支撑件上时,基于所述一个或更多个信号确定所述物体相对于所述环形突起的位置。所述处理单元还被配置成基于所述物体的位置来确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求保护2018年8月23日递交的欧洲申请18190476.4的优先权,并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种包括物体台的平台设备,特别地涉及在所述物体台上布置物体。
背景技术
光刻设备是构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(常常也称为“设计布局”或“设计”)投影至设置于衬底(例如,晶片)上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。
随着半导体制造过程继续进步,几十年来,电路元件的尺寸已不断地减小,而每器件的诸如晶体管等功能元件的量已在稳固地增加,这种遵循通常被称作“摩尔定律”的趋势。为了跟得上摩尔定律,半导体行业正追逐使能够产生越来越小特征的技术。为了将图案投影至衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定图案化于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm以及13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备,使用具有介于4nm至20nm的范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备可以用以在衬底上形成更小特征。
在将图案投影于衬底上时,通常将衬底安装在衬底支撑件上,并且例如借助于真空夹具保持在所述支撑件上。这种衬底支撑件可以例如包括多个突节和例如包围突节的环形突起。衬底相对所述衬底支撑件的安装常规地通过诸如搬运机器人等机器人在一定公差内执行。
诸如所谓的3DNAND和3D Xpoint衬底的近年来的发展已导致衬底更常常不平坦,而是具有脱离平面的形状,例如翘曲或弯曲。这可以是例如具有内应力的层数目增加的结果。已观察到,由衬底支撑件的夹具对这种翘曲或弯曲衬底的适当夹持可能需要衬底相对于衬底支撑件的更准确的定位。因此,期望提供衬底至衬底支撑件的更准确安装。
发明内容
本发明的目标是提供一种替代的平台设备。特别地,本发明的目标是使得能够确定物体相对于物体支撑件的位置,并且使得能够允许将物体更准确安装至物体支撑件上。
这种目标通过一种平台设备来实现,所述平台设备包括物体支撑件,所述物体支撑件包括在第一平面上具有外半径的环形突起,并且被配置成支撑在所述第一平面上具有大于所述环形突起的所述外半径的半径的物体。所述平台设备还包括传感器模块,所述传感器模块被配置成检测所述物体支撑件和在所述物体被布置于所述物体支撑件上时的所述物体。所述平台设备还包括处理单元,所述处理单元被配置成接收来自所述传感器模块的一个或更多个信号,并且被配置成在所述物体被布置于所述物体支撑件上时,基于所述一个或更多个信号确定所述物体相对于所述环形突起的位置。所述处理单元还被配置成基于所述物体的所述位置确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。
因此,本发明提供一种平台设备,其中确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。基于所述偏移值,可以调整所述物体和/或后续物体的位置。
在实施例中,所述传感器模块被配置成在没有物体布置于所述物体支撑件上时检测所述物体支撑件。有利地,当检测到物体支撑件时,没有物体布置于所述环形突起上方,使得当所述传感器模块布置于所述物体支撑件上方时,可于所述传感器模块中应用相对简单的测量技术。
在实施例中,传感器模块被配置成通过检测环形突起来检测物体支撑件。有利地,可以容易地确定所述物体相对于所述环形突起的位置。另外,例如由于所使用的算法更简单,因此所述物体相对于所述环形突起的所述位置的测量和确定可以是更具鲁棒性的。
在实施例中,所述处理单元还包括输出终端,所述输出终端被配置成将所述偏移值输出至物体操纵装置的控制单元和/或物体支撑件定位器的控制单元。有利地,可以考虑所述偏移值,以通过所述物体操纵装置或所述物体支撑件定位器来调整所述物体或后续物体相对于所述环形突起的位置。
在实施例中,所述平台设备还包括物体操纵装置,所述物体操纵装置包括:机器臂,其被配置成将后续物体提供至所述物体支撑件,和控制单元,其被配置成基于所述偏移值控制:当所述机器臂接收所述后续物体时所述后续物体相对于所述机器臂的位置,和/或当所述机器臂将所述后续物体相对于物体支撑件布置时所述机器臂相对于所述物体支撑件的位置。有利地,考虑所述偏移值,以通过所述物体操纵装置调整所述物体或后续物体相对于所述环形突起的位置。
在另一个实施例中,所述物体操纵装置还包括预对准器,所述机器臂从所述预对准器接收所述后续物体,其中所述控制单元被配置成在所述机器臂接收所述后续物体时,通过控制所述预对准器的位置和/或所述物体在所述预对准器上位置来控制所述后续物体相对于所述机器臂的位置。有利地,所述机器臂可以被配置成在通过调整所述预对准器来调整所述物体的位置时,保持执行重复动作。
在实施例中,所述处理单元被布置成通过确定所述环形突起的两个部位和/或所述物体的两个部位来确定所述物体相对于所述环形突起的位置。有利地,需要执行的测量的数目相对较低。
在实施例中,所述处理单元被配置成通过确定所述环形突起的四个部位中的三个和/或所述物体的四个部位中的三个来确定所述物体相对于所述环形突起的位置。有利地,可以增加准确度,并且可以补偿例如由于制造公差引起的物体的半径或环形突起的内半径或外半径的偏差,特别在当使用四个测量时。
在实施例中,所述传感器模块包括水平传感器。有利地,可以通过所述水平传感器容易地检测例如在所述环形突起的内半径或外半径处和/或在物体的半径处的高度差。另外,水平传感器可已经设置于所述平台设备中,例如以用于制作所述物体的高度图。
在实施例中,所述传感器模块包括光学传感器。有利地,使用所述光学传感器,可检测所述环形突起和所述物体。另外,光学传感器可已经设置于所述平台设备中,例如作为对准传感器的部分。
在实施例中,所述平台设备还包括竖直物体支撑件定位器,所述竖直物体支撑件定位器被配置成在垂直于所述第一平面的方向上定位所述物体支撑件,并且在所述方向上将所述物体支撑件定位在所述传感器模块的聚焦范围中,以使所述传感器检测所述物体支撑件。有利地,所述测量的准确度可以通过在所述聚焦范围中布置所述物体支撑件(例如更接近所述传感器模块)而改善。
在实施例中,所述平台设备还包括水平物体支撑件定位器,所述水平物体支撑件定位器被配置成在与所述第一平面平行的平面中定位所述物体支撑件,并且基于所述偏移值在所述物体支撑件被配置成接收后续物体之前在所述平面中定位所述物体支撑件。有利地,所述后续物体相对于所述环形突起的位置可以通过定位所述物体支撑件来调整。
在实施例中,所述平台设备包括物体支撑件定位器,所述物体支撑件定位器包括水平物体支撑件定位器和竖直物体支撑件定位器。
在实施例中,所述物体支撑件或物体台还包括被配置成可以通过所述传感器模块检测的一个或更多个标记。有利地,所述物体支撑件的位置可以容易地通过检测所述标记的一个或更多个标记来确定。
在另一个实施例中,所述处理单元被配置成基于单个标记来确定所述物体支撑件的位置。有利地,单个测量可足以确定所述物体支撑件的位置。
在实施例中,所述环形突起包括空气密封。有利地,可维持所述物体与所述物体支撑件之间的至少部分真空。
在实施例中,所述物体是测试物体,并且所述平台设备包括所述测试物体。所述测试物体包括在所述第一平面中与待布置于所述物体支撑件上的物体大致相同的半径,并且对于所述传感器模块是半透明的,由此当所述测试物体布置于所述物体支撑件上时,允许所述传感器模块同时检测所述物体支撑件和所述测试物体。有利地,所述物体相对于所述物体支撑件的位置可以从单个测量设定中导出。
在实施例中,所述物体和/或所述后续物体是衬底。有利地,所述衬底的位置可以使用本发明优化,由此例如在光刻过程中增加准确度。
本发明还涉及一种光刻设备,所述光刻设备包括用于将图案投影至衬底上的投影系统,和根据本发明的平台设备。有利地,可以优化所述平台设备中的所述衬底的位置,从而改善所述平台设备的性能和所述光刻过程的准确度。
本发明还涉及一种用于校准物体装载过程的方法,所述方法包括以下步骤:检测包括在第一平面上在内半径与外半径之间延伸的环形突起的物体支撑件;将物体布置于所述物体支撑件上,所述物体的半径大于所述环形突起的外半径,并且当物体布置于所述物体支撑件上时检测所述物体;当所述物体布置于所述物体支撑件上时,确定所述物体相对于所述环形突起的位置;以及基于所述物体的所述位置,确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。有利地,确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。基于所述偏移值,可以调整所述物体和/或后续物体的位置。
在所述方法的实施例中,将所述物体布置于所述物体支撑件上的步骤通过机器臂完成,并且所述方法还包括基于所述偏移值控制当所述机器臂接收后续物体时所述后续物体相对于所述机器臂的位置和/或当所述机器臂将所述后续物体相对于所述物体支撑件布置时所述机器臂相对于所述物体支撑件的位置的步骤。有利地,考虑所述偏移值,以通过所述物体操纵装置调整所述物体或后续物体相对于所述环形突起的位置。
在实施例中,所述方法还包括确定所述环形突起的两个部位和/或所述物体的两个部位的步骤,并且其中确定所述物体相对于所述环形突起的位置的步骤是基于所述部位完成的。有利地,需要执行的测量的数目相对较低。
在实施例中,所述方法还包括确定所述环形突起的三个或四个部位和/或所述物体的三个或四个部位的步骤,并且其中确定所述物体相对于所述环形突起的位置的步骤是基于所述部位完成的。有利地,准确度高。
在实施例中,所述物体和/或所述环形突起的部位通过检测分别指示所述物体和/或所述环形突起的边界的高度差来确定。有利地,可以容易地检测所述环形突起和/或物体。
在实施例中,所述方法还包括确定在物体台或所述物体支撑件上的标记和/或在所述物体上的标记的位置的步骤,其中确定所述物体相对于所述环形突起的位置的步骤是基于所述标记完成的。有利地,所述物体支撑件的位置可以容易地通过检测所述标记中的一个或更多个来确定。
本发明的第二方面涉及一种平台设备,其包括:物体支撑件,其包括被配置成支撑所述物体的多个突节;和传感器模块,其包括水平传感器,所述水平传感器被配置成检测所述多个突节中的至少一个突节和当所述物体布置于所述物体支撑件上时的所述物体。所述平台设备还包括处理单元,所述处理单元被配置成接收来自所述传感器模块的一个或更多个信号,并且被布置成在所述物体被布置于所述物体支撑件上时,基于所述一个或更多个信号确定所述物体相对于所述物体支撑件的位置。所述处理单元还被配置成基于所述物体的所述位置确定表示所述物体相对于所述物体支撑件的位置的偏移值。有利地,确定偏移值,基于所述偏移值可以改善所述物体和/或后续物体相对于所述物体支撑件的位置。有利地,水平传感器用以检测所述平台设备上已经存在的突节,例如以制作所述物体的高度图。
在另一个实施例中,所述处理单元被配置成通过确定所述物体相对于所述突节中的一个或更多个(例如,一个或更多个径向最外侧的突节)的位置来确定所述物体相对于所述物体支撑件的位置。在另一个实施例中,所述处理单元还可以被配置成确定所述偏移值,使得所述偏移值表示所述物体相对于所述突节的位置。有利地,可以改善相对于突节的位置。
本发明的第二方面还涉及一种用于校准物体装载过程的方法,所述方法包括以下步骤:通过水平传感器检测物体支撑件,所述物体支撑件包括被配置成支撑物体的多个突节;将物体布置于所述物体支撑件的突节上,并且当物体布置于所述物体支撑件上时,通过水平传感器检测所述物体;当所述物体布置于所述物体支撑件上时,确定所述物体相对于所述物体支撑件的位置;和基于所述物体的所述位置,确定表示所述物体相对于所述物体支撑件的位置的偏移值。有利地,确定偏移值,基于所述偏移值可以改善所述物体和/或后续物体相对于所述物体支撑件的位置。有利地,水平传感器用以检测突节。这种水平传感器可已经存在于平台设备中,例如以制作所述物体的高度图。
在另一个实施例中,确定所述物体相对于所述物体支撑件的位置的步骤可以包括:确定所述物体相对于所述突节中的一个或更多个(例如一个或更多个径向最外侧的突节)的位置。在另一个实施例中,可以确定所述偏移值,使得其表示所述物体相对于所述突节的位置。有利地,可以改善所述物体相对于突节的位置。
附图说明
现将参考随附示意性附图仅借助于示例来描述本发明的实施例,在随附示意性附图中:
-图1描绘光刻设备的示意性总体图;
-图2描绘图1的光刻设备的部分的详细视图;
-图3示意性地描绘位置控制系统;
-图4a描绘根据本发明的平台设备的实施例;
-图4b图示相对于环形突起正确对准的物体;
-图4c图示相对于环形突起不正确对准的物体;
-图5描绘包括测试物体的本发明的实施例;
-图6描绘物体操纵装置;
-图7a图示确定环形突起的位置的各种方法;
-图7b描绘包括标记的物体支撑件;
-图8a至图8b描绘其中传感器模块包括水平传感器以及根据本发明的第二方面的平台设备的实施例;
-图9描绘其中传感器模块包括光学传感器的实施例;
-图10图示根据本发明的方法的实施例。
具体实施方式
在本文中,术语“辐射”和“束”用以涵盖所有类型的电磁辐射,包括紫外幅射(例如,具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外辐射(EUV,例如具有在约5nm至100nm的范围内的波长)。
本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为是指可以用以将图案化的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置,所述图案化的横截面对应于将在衬底的目标部分中产生的图案。在这样的内容背景下也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射性或反射性掩模,二元掩模、相移掩模、混合式掩模等)以外,其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘可以例如根据本发明实施的光刻设备LA。光刻设备LA包括:照射系统(也称为照射器)IL,所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射);掩模支撑件(例如掩模台)MT,所述掩模支撑件被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述图案形成装置MA的第一定位器PM;衬底支撑件(例如晶片台)WT,所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位衬底支撑件的第二定位器PW;和投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS,所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。衬底支撑件WT可以例如是根据本发明的平台设备的部分。
在操作中,照射系统IL例如经由束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件,诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件,或其任何组合。照射器IL可以用以调节辐射束B,以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间和角强度分布。
本文中所使用的术语“投影系统”PS应广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射和/或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用等其它因素的各种类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射折射型、变形型、磁性型、电磁型和/或静电型光学系统,或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用均与更上位的术语“投影系统”PS同义。
光刻设备LA可以属于以下类型:其中衬底的至少一部分可以由具有相对较高折射率的液体(例如,水)覆盖以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间,这也称为浸没光刻术。在以引用的方式并入本文中的US6952253中给出关于浸没技术的更多信息。
光刻设备LA也可以属于具有两个或更多个衬底支撑件WT(又名“双平台”)的类型。在这样的“多平台”机器中,可以并行地使用衬底支撑件WT,和/或可以对位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W进行对于衬底W的后续曝光的准备步骤,同时将另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于在另一衬底W上曝光图案。
除了衬底支撑件WT以外,光刻设备LA也可以包括测量平台。所述测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量平台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置成清洁光刻设备的一部分,例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。测量平台可以在衬底支撑件WT远离投影系统PS时在投影系统PS下方移动。
在操作中,辐射束B入射到保持在掩模支撑件MT上的例如掩模等图案形成装置MA上,并且由存在于图案形成装置MA上的图案(设计布局)来图案化。在已穿过图案形成装置MA的情况下,辐射束B经过投影系统PS,所述投影系统将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF,可以准确地移动衬底支撑件WT,例如以便在聚焦和对准的位置处在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地,第一定位器PM和可能的另一位置传感器(其在图1中未明确地描绘)可以用以相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA与衬底W。虽然如所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分,但所述衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中。在衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时,这些衬底对准标记称为划线对准标记。
为阐明本发明,使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴,即,x轴、y轴和z轴。三个轴中的每个轴与其它两个轴正交。围绕x轴的旋转称为Rx旋转。围绕y轴的旋转称为Ry旋转。围绕z轴的旋转称为Rz旋转。x轴和y轴限定水平平面,而z轴在竖直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明且仅用于说明。作为替代,另一坐标系,诸如圆柱坐标系可以用于阐明本发明。笛卡尔坐标系的方向可以是不同的,例如,使得z轴具有沿水平平面的分量。
图2示出图1的光刻设备LA的一部分的更详细视图。光刻设备LA可以设置有基座框架BF、平衡质量块BM、量测框架MF和振动隔离系统IS。量测框架MF支撑投影系统PS。另外,量测框架MF可以支撑位置测量系统PMS的一部分。量测框架MF由基座框架BF经振动隔离系统IS支撑。振动隔离系统IS布置成防止或减少振动从基座框架BF传播至量测框架MF。
第二定位器PW布置成通过在衬底支撑件WT与平衡质量块BM之间提供驱动力来加速衬底支撑件WT。驱动力在期望的方向上加速衬底支撑件WT。由于动量守恒,驱动力也以相等的幅值但与所述期望的方向相反的方向施加至平衡质量块BM上。通常,平衡质量块BM的质量明显大于第二定位器PW的移动部分和衬底支撑件WT的质量。
在实施例中,第二定位器PW由平衡质量块BM支撑。例如,其中第二定位器PW包括平面马达以将衬底支撑件WT悬浮在平衡质量块BM上方。在另一个实施例中,第二定位器PW由基座框架BF支撑。例如,其中第二定位器PW包括线性马达且其中第二定位器PW包括轴承,如气体轴承,以将衬底支撑件WT悬浮在基座框架BF上方。
位置测量系统PMS可以包括任何类型的传感器,所述传感器适于确定衬底支撑件WT的位置。位置测量系统PMS可以包括任何类型的传感器,所述传感器适于确定掩模支撑件MT的位置。传感器可以是光学传感器,诸如干涉仪或编码器。位置测量系统PMS可以包括干涉仪和编码器的组合系统。传感器可以是另一类型的传感器,诸如磁传感器、电容式传感器或电感式传感器。位置测量系统PMS可以确定相对于参考(例如量测框架MF或投影系统PS)的位置。位置测量系统PMS可以通过测量位置或通过测量位置的时间导数,诸如速度或加速度,来确定衬底台WT和/或掩模支撑件MT的位置。
位置测量系统PMS可以包括编码器系统。例如,编码器系统根据2006年9月7日申请的美国专利申请US2007/0058173A1是已知的,特此以引用的方式并入。编码器系统包括编码器头、光栅和传感器。编码器系统可以接收主辐射束和次辐射束。主辐射束和次辐射束两者源自同一辐射束,即,原始辐射束。通过利用光栅来衍射原始辐射束而产生主辐射束和次辐射束中的至少一个。如果通过光栅来衍射原始辐射束而产生主辐射束和次辐射束两者,则主辐射束需要具有与次辐射束相比不同的衍射阶。例如,不同衍射阶是+1阶、-1阶、+2阶和-2阶。编码器系统将主辐射束和次辐射束以光学方式组合至组合辐射束中。编码器头中的传感器确定组合辐射束的相位或相位差。传感器基于所述相位或相位差而产生信号。信号表示编码器头相对于光栅的位置。编码器头和光栅中的一个可以布置于衬底结构WT上。编码器头和光栅中的另一个可以布置于量测框架MF或基座框架BF上。例如,多个编码器头布置于量测框架MF上,而光栅布置于衬底支撑件WT的顶表面上。在另一示例中,光栅布置于衬底支撑件WT的底表面上,并且编码器头布置于衬底支撑件WT下方。
位置测量系统PMS可以包括干涉仪系统。干涉仪系统根据例如1998年7月13日提交的美国专利US6,020,964是已知的,特此以引用的方式并入。干涉仪系统可以包括分束器、反射镜、参考反射镜和传感器。辐射束通过分束器分成参考束和测量束。测量束传播至反射镜,并通过反射镜反射返回至分束器。参考束传播至反射镜,并通过参考反射镜反射返回至分束器。在分束器处,测量束和参考束组合成组合辐射束。组合辐射束入射到传感器上。传感器确定组合辐射束的相位或频率。传感器基于该相位或频率而产生信号。该信号表示反射镜的位移。在实施例中,反射镜连接至衬底支撑件WT。参考反射镜可以连接至量测框架MF。在实施例中,测量束和参考束由额外的光学部件代替分束器来组合成组合辐射束。
第一定位器PM可以包括长行程模块和短行程模块。短行程模块被布置成在小的移动范围上以高准确度相对于长行程模块来移动掩模支撑件MT。长行程模块被布置成在大的移动范围上以相对较低的准确度相对于投影系统PS来移动短行程模块。借助于长行程模块和短行程模块的组合,第一定位器PM能够在大的范围移动中相对于投影系统PS以高准确度移动掩模支撑件MT。类似地,第二定位器PW可以包括长行程模块和短行程模块。短行程模块被布置成在小的移动范围上以高准确度相对于长行程模块来移动衬底支撑件WT。长行程模块被布置成在大的移动范围上以相对较低的准确度相对于投影系统PS来移动短行程模块。借助于长行程模块和短行程模块的组合,第二定位器PW能够在大的移动范围上以高准确度相对于投影系统PS来移动衬底支撑件WT。
第一定位器PM和第二定位器PW各自设置有致动器以分别移动掩模支撑件MT和衬底支撑件WT。致动器可以是线性致动器以沿单个轴(例如Y轴)提供驱动力。多个线性致动器可以应用于沿多个轴提供驱动力。致动器可以是平面致动器以沿多个轴提供驱动力。例如,平面致动器可以被布置成在6个自由度中移动衬底支撑件WT。致动器可以是包括至少一个线圈和至少一个磁体的电磁致动器。该致动器布置成通过施加电流至所述至少一个线圈而相对于所述至少一个磁体移动所述至少一个线圈。致动器可以是移动磁体型致动器,其具有耦接至衬底支撑件WT和/或掩模支撑件MT的至少一个磁体。致动器可以是移动线圈型致动器,其具有耦接至衬底支撑件WT和/或掩模支撑件MT的至少一个磁体。致动器可以是音圈致动器、磁阻致动器、洛伦兹致动器或压电致动器,或者任何其它合适的致动器。
光刻设备LA包括如图3示意性地描绘的位置控制系统PCS。位置控制系统PCS包括设定点发生器SP、前馈控制器FF和反馈控制器FB。位置控制系统PCS提供驱动信号至致动器ACT。致动器ACT可以是第一定位器PM或第二定位器PW的致动器。致动器ACT驱动设备P,所述设备P可以包括衬底支撑件WT或掩模支撑件MT。所述设备P的输出是位置量,诸如位置、速度或加速度。位置量由位置测量系统PMS测量。位置测量系统PMS产生信号,其是表示所述设备P的位置量的位置信号。设定点发生器SP产生信号,所述信号是表示设备P的期望位置量的参考信号。例如,参考信号表示衬底支撑件WT的期望轨迹。参考信号与位置信号之间的差形成反馈控制器FB的输入。基于该输入,反馈控制器FB为致动器ACT提供驱动信号的至少一部分。参考信号可以形成前馈控制器FF的输入。基于该输入,前馈控制器FF为致动器ACT提供驱动信号的至少一部分。前馈FF可以使用关于所述设备P的动态特性的信息,诸如质量、硬度、共振模式和本征频率。
图4a示出根据本发明的平台设备101的侧视图,所述平台设备101包括被配置成支撑物体105(例如是衬底W)的物体支撑件102。物体支撑件102包括环形突起102.1,并且可以例如布置于物体台109上。图4b示出俯视图,为清楚起见,该俯视图仅示出物体105、物体台109和环形突起102.1,当物体105布置于物体支撑件上时,所述环形突起布置于物体105下方。如图4b中可见,环形突起102.1在第一平面xy上具有外半径102.1b,并且物体105在第一平面xy上具有大于环形突起102.1的外半径102.1b的半径105a。图4b也示出环形突起102.1的内半径102.1a。
应注意,在本发明的内容背景下,第一平面xy中的物体105的半径优选地定义为当所述物体105布置于物体支撑件102上时所述物体105的半径。例如,当物体105具有脱离平面的形状时,所述物体可以在物体支撑件102上布置得更平坦,这在所述情况下可以产生更大的半径。
参考图4a,现给定物体105可以如何布置于物体支撑件102上的示例。平台设备101例如包括多个支撑构件103,所述多个支撑构件103用于支撑物体105,被布置成从夹持器104接收物体105且将物体105布置于物体支撑件102上,和/或反之亦然。支撑构件103至少在垂直于第一平面xy的竖直方向z上是可移动的。在所示出实施例中,平台设备101包括三个支撑构件103,其中两个在图4a中所示的侧视图中是可见的。三个支撑构件103优选地被布置成使得当在俯视图中观察时,可以绘制假想等边三角形,其中支撑构件103位于角上。然而,应注意,任何合适的数目的支撑构件103可以应用于任何合适的布置中。
可以随后例如如下完成将物体105布置于物体支撑件102上。在图4a中所示的情况中,物体105由支撑构件103支撑且夹持器104已部分回缩。在这样的情况之前,物体105由夹持器104支撑,所述夹持器将物体105布置于物体支撑件102上方以将物体105提供至平台设备101。夹持器104可以例如由机器人(例如多轴机器臂)驱动,其是提供物体105的操纵系统的一部分。支撑构件103随后从回缩位置竖直向上移动至图4a中所示的支撑位置,其中所述支撑构件布置于物体支撑件102下方。在所述竖直向上移动期间,支撑构件103接合物体105。一旦物体105由支撑构件103支撑,就可以回缩夹持器104以对应于图4a中所示的情况。支撑构件103在竖直方向z上可以布置于相同高度上,例如当物体105是大致平坦的时,使得物体105水平地布置。支撑构件103随后竖直向下移动直至物体105布置于表面102.1上,如由虚线105’指示的。
物体105可以以类似的方式移除,例如在已将图案投影在物体105上之后。在物体105布置于物体支撑件102上时,支撑构件103处于物体支撑件102下方的回缩位置。支撑构件103在竖直方向z上可以竖直向上移动直至其接合物体105,使得物体105由支撑构件103支撑而不是由物体支撑件102支撑。支撑构件103可以随后在竖直方向z上进一步竖直向上移动直至其再次到达如图4a中所示的支撑位置。夹持器104可以随后在物体105下方移动以支撑物体105。例如,夹持器104可以在布置于物体105下方之后竖直向上移动以便接合物体。在夹持器104已布置于物体105下方之后,也可以竖直向下移动支撑构件103,直至夹持器104接合物体105。应注意,在实施例中,用于移除物体105的夹持器可以是不同于用于提供物体105的夹持器104的夹持器,例如两个夹持器可以布置于物体105的相对侧上,例如图4a中的左侧和右侧。
在实施例中,物体支撑件102可选地包括多个突节102.2。当物体105布置于物体支撑件102上时,在图4a中由虚线105’所示的位置中,突节102.2支撑物体105。可选地,突节102.2相比于环形突起102.1在竖直方向z上进一步向上延伸,使得物体105不与环形突起102.1接触。
在实施例中,在物体105与物体支撑件102之间提供至少部分真空,例如在真空与平台设备周围的压力之间,以在物体105上施加夹持力,从而将物体105维持在相对于物体支撑件102的固定位置中。可选地,环形突起102.1包括空气密封,所述空气密封被配置成在物体105布置于物体支撑件102上时维持物体105与物体支撑件102之间的所述部分真空。可选地,物体105和环形突起102.1彼此不接触,使得空气可以经由它们之间的开口流入。
虽然传统地诸如衬底W之类的物体105是大致平坦的,类似图4a中所示的物体105,但是最近更常常处理的具有脱离平面的形状(例如翘曲或弯曲)的衬底。然而,一旦布置于物体支撑件102上,所述物体105就优选地是尽可能平坦的,例如以最小化曝光后的图案中的重叠和误差,所述重叠和误差可以由脱离平面的形状引起,并且由于物体之间的不同,所述重叠和误差可能是不可预测的。对此的一个解决方案是将突节102.2中的一个或更多个突节进一步沿径向向外布置,使得物体105的更大部分以受控方式(即由突节102.2)支撑。
为了向所述进一步向外布置的一个或更多个突节102.2提供空间,环形突起102.1也可以进一步向外布置,即环形突起102.1的外半径可以增加。例如由于环形突起102.1的外半径102.1b与物体105的半径105a之间的差已变得更小,所以随后可能出现如图4c中所示的情况。由于制造和过程公差,物体105与环形突起102.1之间的错位则可以出现,其中环形突起102不完全布置于物体105下方。在这样的情况下,一些部件的正确的功能性可能不再得到保证,例如环形突起102.1的空气密封可能不能正确实现功能。这可能导致物体105夹持失败。即使夹持自身仍成功,也可能导致物体105的卷曲,因为夹持力可能不足以在夹持期间将物体105保持在大致平坦的状态中。
因此,根据本发明的平台设备101包括示意性地示出于图4a中的传感器模块106。传感器模块106被配置成检测物体支撑件102和物体105(当物体105布置于物体支撑件102上时)。处理单元107被配置成在所示出的实施例中经由输出终端106.1和输入终端107.1接收来自传感器模块106的一个或更多个信号106a。基于所述一个或更多个信号106a,处理单元107被配置成在物体105布置于物体支撑件102上时确定物体105相对于环形突起102.1的位置。处理单元107还被配置成基于物体105的所述位置来确定表示物体105相对于环形突起102.1的位置的偏移值。
因此,本发明提供一种平台设备,所述平台设备确定表示物体105相对于环形突起102.1的位置的偏移值。所述偏移值可以用以调整物体105或后续物体相对于物体支撑件102和/或待布置于物体支撑件102上的类似物体的位置。这样,可以防止如图4c中所示的情况。如果要处理大量具有相同的或至少非常类似的半径105a的物体105(这在光刻过程中是通常的情况),则本发明可能尤其是有利的。第一物体105或具有相同半径105a的测试物体则可以用以确定偏移值,并且所有后续物体则可以相应地定位。在这种实施例中,所述第一物体105或测试物体用以校准平台设备。当然,对于后续物体,仍可以确定偏移值,例如跟随所述第一物体直至给定物体的偏移值低于阈值的物体,和/或在给定时间段内或给定数目的处理物体之后周期性地确定偏移值。这样可以校正偏移值。
在如例如图4a中所示的实施例中,传感器模块106被配置成在没有物体105布置于物体支撑件105上时检测物体支撑件102。例如,在物体105布置于物体支撑件102上之前或在已将物体105从其移除之后,传感器模块106可以检测所述物体支撑件。由于当物体105正确布置于物体支撑件102上时,物体105布置于环形突起102.1上方,因此在这种情况下,环形突起102.1可能无法从上方检测到。通过在所述情况发生之前或之后检测物体支撑件102,这种实施例允许在传感器模块106中使用相对简单的传感器,所述传感器模块实际上可以布置于物体支撑件102上方。可选地,处理单元107被配置成在已经执行了测量中的每次测量时,基于物体支撑件定位器的位置来匹配物体105的测量和物体支撑件102的测量。
图5描绘其中物体是测试物体175且其中平台设备101包括所述测试物体175的实施例。测试物体175包括与待布置于物体支撑件102上的物体大致相同的半径。测试物体175对于传感器模块106是半透明的。当测试物体175布置于物体支撑件102上时,这允许传感器模块106同时检测物体支撑件102和测试物体175。处理单元107于是可以被配置成在测试物体175作为物体的情况下确定偏移值。
在这种实施例中,测试物体175通过同时检测测试物体175和物体支撑件102使得能够校准平台设备。这消除了将两个或更多个彼此匹配且分别地执行测量(例如物体支撑件102和物体的测量)的需要。例如,测试物体175可以是部分反射由传感器模块106传输的测量束108.1作为第一反射束108.2且让测量束108.1部分地通过的材料,使得一部分测量束108.1由物体支撑件102反射作为第二反射束108.3。
例如,传感器模块106可以被配置成发射多个测量束,例如具有不同波长的测量束,其中至少一个测量束由物体或测试物体175反射,并且至少一个测量束传播通过物体或测试物体175,即物体或测试物体175对于所述测量束是透明的。例如,传感器模块106可以包括多种类型的传感器,包括检测物体或测试物体175的至少一个传感器和在物体或测试物体布置于物体支撑件102或环形突起102.1上方时检测该物体支撑件102或环形突起102.1的至少一个传感器。应注意,这些实施例的一些也可以应用于普通物体。在实施例中,测试物体175还可以包括可以由传感器模块106检测的一个或更多个标记。
在实施例中,例如如图4a中所示,处理单元107包括第一输出终端107.2,所述第一输出终端被配置成将偏移值(例如具有偏移信号107.2a)输出至例如包括夹持器104的物体操纵装置的控制单元。
图6示出在实施例中平台设备所包括的物体操纵装置301的实施例。应注意,为清楚起见,图6没有描绘所有部件,而是聚焦在与如下解释相关的那些部件上。物体操纵装置301包括机器臂304和控制单元305,所述机器臂被配置成将后续物体1005提供至物体支撑件102。控制单元305被配置成基于所述偏移值在机器臂304接收后续物体1005时控制该后续物体1005相对于机器臂304的位置,和/或当机器臂相对于物体支撑件105布置后续物体1005时控制机器臂304相对于物体支撑件102的位置。在这种实施例中,当后续物体1005布置于物体支撑件102上时,控制单元305同样控制后续物体1005相对于环形突起的位置。
在另一个实施例中,物体操纵装置301还包括预对准器303,所述机器臂304从所述预对准器接收后续物体1005,其中控制单元305被配置成在机器臂304接收所述后续物体1005时通过控制所述预对准器303的位置和/或物体1005在预对准器303上的位置来控制所述后续物体1005相对于机器臂304的位置。
在所示出实施例中,物体操纵装置301包括预对准器303,在机器臂304接收后续物体1005之前,后续物体1005在所述预对准器上预对准。预对准器303可以例如包括物体台303.1,和例如类似于将物体105布置于物体支撑件102上的支撑构件的构件(未示出)。在所示出实施例中,物体操纵装置301还包括可选的热调节器302,后续物体1005可以布置于所述热调节器上的由参考标记105″指示的部位上。在所示出实施例中,物体支撑件102进一步布置于测量平台100中。
在所示出实施例中,控制单元305接收来自处理单元107的偏移信号107.2a。图6进一步示出控制单元305具有第一输出终端305.2,用于通过第一控制信号305.2a控制机器臂304。机器臂304包括夹持器104,并且因此可以如此控制夹持器104的位置。由于夹持器104将后续物体1005布置于物体支撑件102上方,用于使支撑构件接合后续物体1005,因此可以如此控制后续物体1005相对于环形突起的位置。机器臂304还能够以高精度反复地重复其移动,使得每个后续物体1005可以相对于物体支撑件102布置于大致相同位置上。
另外,控制单元305具有可选的第二输出终端305.3,所述第二输出终端用于控制具有第二控制信号305.2a的预对准器303。基于第二控制信号305.2a,可以调适预对准器303的位置和/或在预对准器303上的后续物体1005的位置。于是,当机器臂304接收后续物体1005时,可以调整后续物体1005相对于机器臂304的位置,并且机器臂304因此将后续物体1005布置于相对于物体支撑件102的调整后的位置上。应注意,在实施例中,预对准器303和机器臂304可以由两个实体上和/或功能上分离的控制单元控制。
在如例如图4a中所示的实施例中,处理单元107包括第二输出终端107.3,所述第二输出终端被配置成例如经由输入终端111.1a、利用偏移信号107.3a将偏移值输出至水平物体支撑件定位器111的控制单元111.1。图4a中示意性地描绘的水平物体支撑件定位器111被配置成基于偏移值将物体支撑件102定位在平行于第一平面xy的平面中,并且在物体支撑件102被配置成接收后续物体之前将物体支撑件102定位在所述平面中。基于该偏移值,可以调整物体支撑件102的位置(例如对于后续物体105),使得所述物体105与环形突起102.1的对准是所期望的。例如,可以调整支撑构件103接合物体105时物体支撑件102的位置。应注意,在实施例中,第一输出终端107.2和第二输出终端107.3可以实施为单个输出终端。
在实施例中,物体支撑件102可以是如图1至图2中所示的衬底支撑件WT,并且水平物体支撑件定位器可以是如本文中参考那些图所述的第二定位器。偏移值例如可以用于图3中所示的位置控制系统PCS中,例如在设定点发生器SP中。可选地,基于偏移值的物体支撑件的定位可以用短行程模块或用长行程模块完成。
在例如图4a中所示的实施例中,支撑构件103可以通过长行程模块在第一平面xy上移动。例如,物体台109可以包括孔103.1,所述孔用于使支撑构件103在竖直方向z上延伸穿过,所述孔优选地足够大,以使物体台109通过短行程模块在第一平面xy上移动。在另一个实施例中,物体105相对于物体支撑件102的位置可以通过控制支撑构件103相对于物体支撑件102和/或物体台109的位置(例如通过相对于长行程模块来控制短行程模块)来控制。
图7a图示可以如何确定环形突起102.1的位置。在实施例中,处理单元107被配置成通过确定环形突起102.1的两个部位和/或物体105的两个部位来确定物体105相对于环形突起102.1的位置。由于环形突起102.1的内半径102.1a和外半径102.1b是已知的,因此当已知两个部位时,可以确定环形突起102的位置。
例如,物体支撑件可以在一个方向y上以线性方式移动,并且处理单元可以被配置成检测竖直方向z上的高度的变化,所述高度的变化指示环形突起102.1的开始或结束。当执行这种测量时,所检测的部位的位置和/或两个所检测的部位之间的距离可以例如基于物体支撑件定位器的位置来确定或匹配。
例如,可以确定在外半径102.1b处的两个这种部位。例如,可以检测图7a中所指示的部位161和部位162。可以确定它们之间的距离171,所述距离与外径一致,即环形突起102.1的外半径102.1b的两倍。这样,可以确定环形突起的位置。
例如,在实施例中,传感器模块可以被配置成在进一步远离环形突起102.1的中心线的部位处检测环形突起。例如,物体支撑件可以线性方式在一个方向y上移动,并且传感器模块可以被配置成检测部位163和部位164。由于它们之间的距离172是已知的,因此当所测量的距离偏离距离172时,可以容易地确定环形突起102.1的位置偏离。在这种实施例中,则可以基于所测量的距离是大于或小于距离172以及大多少或小多少,而容易地确定环形突起102.1的位置在哪个方向上偏离和偏离多少。如果环形突起的位置在图7a中较低,则所述所测量的距离增加,而如果环形突起的位置在图7a中更高,则所述所测量的距离增加。
环形突起102.1的位置也可以通过检测环形突起102.1的外半径102.1b处的部位(例如部位166)和内半径102.1a处的部位(例如部位167)来确定。它们之间的距离175是已知的,并且可以应用与参照部位163、164和距离172的上述解释相同的原理。有利地,在这种实施例中,需要物体支撑件的更小的移动。
替代地,可以检测环形突起102.1的不在单个直线上的三个部位,例如外半径102.1b处或内半径102.1a处的三个部位。例如,可以检测部位163、164和165。从所述三个部位163、164和165,当环形突起102.1是圆形的且外半径102.1b和/或内半径102.1a是已知的时,始终可以重构整个环形突起102.1。
在实施例中,检测环形突起102.1的三个或四个部位,例如部位161、162、163、164、165、166、167之外的三个或四个部位。测量的准确度可以因而相对较高,而所需测量的数目相对较低。另外,可以补偿例如由于制造公差造成的偏移。
在实施例中,可假定物体支撑件不围绕竖直轴线z旋转。即,物体支撑件和环形突起102.1的位置的偏移仅在x方向和/或y方向上。这简化了环形突起的位置的确定且减少所需的检测部位。
在实施例中,处理单元可以被配置成确定围绕垂直于环形突起102.1和/或物体105的第一平面xy的轴线z的旋转。这种旋转可以例如从标记或凹槽导出,例如从两个可识别部位(例如存在高度差的两个部位)之间的距离导出。
图7b图示其中物体台109还包括一个或更多个被配置成可以由传感器模块检测的标记181、182、183的实施例。可选地,处理单元被配置成基于单个标记181、182、183确定物体支撑件的位置。在实施例中,物体支撑件102包括环形突起102.1内的一个或更多个标记184。在实施例中,环形突起102.1包括一个或更多个标记185。
当检测和识别标记181、182、183、184、185中的一个标记时,处理单元可以确定检测物体台109的哪个部分。还可以假定,没有发生或可以忽略围绕物体台109和物体支撑件102的竖直轴线z的旋转。环形突起102.1相对于被检测的标记181、182、183、184、185的位置则是已知的,并且这样环形突起102.1的位置可以通过仅检测单个标记181、182、183、184、185来确定。标记181、182、183、184、185可以例如包括高度轮廓,所述高度轮廓包括可以由传感器模块检测的竖直方向z上的变化。
应注意,物体的位置可以类似于上文关于环形突起102.1所述的方法来确定。特别地,可以检测表示物体的半径处的边界的高度差。可以检测多个这种部位,例如两个或三个,并且可以由其得出物体的位置。也可以在物体上提供一个或更多个标记。
图8a图示其中传感器模块包括水平传感器200的实施例。水平传感器200的用途可以是有利的,因为水平传感器200可已经存在于平台设备101中,例如用于制作物体105的高度图,所述高度图例如用以正确地将图案投影至物体105上。水平传感器200被配置成确定物体105或物体支撑件102在第一平面xy上的某个部位处的在竖直方向z上的高度。这尤其允许检测高度差,例如指示环形突起102.1的内半径或外半径或物体105的半径。
在所示出实施例中,水平传感器200包括被配置成发射测量束203的发射器201和被配置成接收反射束204的接收器202,反射束204包括由物体105和/或物体支撑件102反射的测量束203的辐射。基于反射束204,可以确定已反射测量束203的高度,并且这样也可以确定物体105或物体支撑件102的高度。
在所示出实施例中,平台设备101还包括竖直物体支撑件定位器112,所述竖直物体支撑件定位器示意性地描绘在图8a中。竖直物体支撑件定位器112被配置成在垂直于第一平面xy的方向z上定位物体支撑件102,并且在所述方向z上将物体支撑件102定位在传感器模块的聚焦范围中,以便传感器模块检测物体支撑件102。聚焦范围反映出为了所述目的、可以利用传感器模块以充分高的准确度执行测量的范围。图8b图示其中物体支撑件102布置为更接近传感器模块的情况。通过将物体支撑件102布置为更接近传感器模块,物体支撑件布置于传感器模块的聚焦范围中,并且可以改善这种测量的准确度。特别地,当传感器模块包括如图8a至图8b中所示的水平传感器200时,这可以是有利的,因为这种水平传感器200可以在方向z上具有相对较小的聚焦范围,其中可以获得准确的测量,例如这种水平传感器200可以在正常地布置物体105的高度处,因为所述水平传感器200通常可以用以制作所述物体的高度图。
在所示出实施例中,竖直物体支撑件定位器112包括具有输入终端112.1a的处理单元112.1,用于接收例如来自传感器模块和/或平台设备101的处理单元的命令信号113。在实施例中,物体支撑件102可以是如图1至图2中所示的衬底支撑件WT,并且竖直物体支撑件定位器可以是如本文中参考那些图所述的第二定位器。将物体台102定位成更接近传感器模块的命令信号可以例如用于图3中所示的位置控制系统PCS中,例如设定点发生器SP中。可选地,基于偏移值的物体支撑件的定位可以用短行程模块或用长行程模块来完成。在实施例中,平台设备可以包括物体支撑件定位器,所述物体支撑件定位器包括图4a中所示的水平物体支撑件定位器111和图8a至图8b中所示的竖直物体支撑件定位器112。
图9图示其中传感器模块包括光学传感器401的实施例。光学传感器401可以例如被配置成捕获物体台102和/或物体105的一个或更多个图像,并且处理单元107可以被配置成在物体105基于所述图像布置于物体支撑件102上时,确定物体105相对于环形突起102.1的位置。例如,环形突起102.1的内半径和/或外半径可以根据所述图像以及物体105的半径来确定。在实施例中,光学传感器可以是也应用于其它目的的传感器,例如对准传感器,例如来自对准传感器的照像机。在实施例中,光学传感器401包括ccd图像传感器。
在实施例中,物体105是衬底,所述衬底可以例如经受光刻过程,如本文中参考图1至图3及其相应的描述所解释的。
本发明还涉及一种光刻设备,所述光刻设备可以例如包括参考图1至图3及其相应的描述所描述的光刻设备LA的特征和部件中的一个或更多个。
特别地,根据本发明的光刻设备LA包括用于在衬底W上投影图案的投影系统PS和根据本发明的平台设备。例如,根据本发明的平台设备的物体支撑件可以被配置成支撑衬底W。例如,图1至图2中所示的光刻设备LA的衬底支撑件WT可以被实施为根据本发明的平台设备的物体支撑件。
图10图示根据本发明的方法的实施例。在实施例中,方法可以用根据本发明的平台设备来执行。此外,关于平台设备所描述的特征中任一特征、以及使用所述平台设备的方法中任一方法可以被添加至根据本发明的方法,并且反之亦然。
在所示出实施例中,所述方法包括检测物体支撑件的第一步骤10,所述物体支撑件包括在内半径与外半径之间的第一平面中延伸的环形突起。其后,所述方法包括将物体布置于物体支撑件上的第二步骤20和当物体布置于物体支撑件上时检测物体的第三步骤30,所述物体的半径大于环形突起的外半径。第四步骤40需要当物体布置于物体支撑件上时确定物体相对于环形突起的位置,并且第五步骤50涉及基于物体的所述位置确定表示物体相对于环形突起的位置的偏移值。然而,应注意,可以在第一步骤10之前执行第二步骤20和第三步骤30,即首先检测物体且其后检测物体支撑件。也可以组合第一步骤10和第三步骤30,即在同一步骤中检测物体和物体支撑件。
因此,本发明提供确定偏移值的方法。基于所述偏移值,可以例如在第六步骤60中控制物体和/或后续物体相对于环形突起的位置。
例如,在实施例中,将物体布置于物体支撑件上的第二步骤20是用机器臂完成的。在这种实施例中,所述方法还包括:例如在第六步骤60中,当机器臂接收物体或后续物体时,基于所述偏移值控制物体和/或后续物体相对于所述机器臂的位置的步骤61,和/或当机器臂相对于物体支撑件布置物体或后续物体时,基于所述偏移值控制机器臂相对于物体支撑件的位置的步骤62,例如使支撑构件接合所述物体或后续物体。
例如,在实施例中,该方法可以包括:例如第六步骤60,当物体支撑件被配置成接收物体或后续物体时,基于所述偏移值控制物体支撑件的位置的步骤63。这可以例如通过控制支撑构件相对于物体和/或后续物体的位置和/或通过控制物体支撑件相对于支撑构件的位置来完成。
在实施例中,所述方法包括确定环形突起的两个部位和/或物体的两个部位的步骤,并且确定物体相对于环形突起的位置的第四步骤40是基于所述部位完成的。在另一个实施例中,环形突起和/或物体的部位通过检测分别指示环形突起和/或物体的边界的高度差来确定。
例如,在图10中所示的实施例中,检测物体支撑件的第一步骤10可以包括以下步骤。首先在步骤11中,物体支撑件在第一平面中的方向上移动。在步骤12中,随后通过检测高度差来确定外半径或内半径处的第一部位。在步骤13中,物体支撑件进一步在同一方向上移动,直至在步骤14中,通过检测高度差来确定外半径或内半径处的第二部位。在步骤15中,随后例如基于物体在所述方向上移动多少来确定所述第一部位与第二部位之间的距离。基于所述距离,并且例如使用已知的内半径和/或外半径,在步骤16中确定环形突起和/或物体支撑件的位置。在实施例中,可以检测更多部位(例如三个或四个)以改善准确度。
例如,在图10中所示的实施例中,检测物体的第三步骤30可以包括以下步骤。首先在步骤31中,物体在第一平面中的方向上移动。在步骤32中,随后通过检测高度差来确定半径处的第一部位。在步骤33中,物体进一步在同一方向上移动,直至在步骤34中,通过检测高度差来确定半径处的第二部位。在步骤35中,随后例如基于物体在所述方向移动多少来确定所述第一部位与第二部位之间的距离。基于所述距离,例如使用已知半径,在步骤36中确定物体的位置。在实施例中,可以检测更多部位(例如三个或四个部位)以改善准确度。
在实施例中,所述方法包括确定物体台或物体支撑件上的标记和/或物体上的标记的部位的步骤,其中确定物体相对于环形突起的位置的第四步骤40基于所述部位来完成。
例如,在图10中所示的实施例中,检测物体支撑件的第一步骤10可以包括以下步骤。首先,在步骤11’中,物体支撑件在第一平面中在一个或两个方向上移动直至在步骤12’中例如基于高度轮廓来检测标记。基于所述标记的位置,并且例如考虑到物体支撑件没有旋转,可以在步骤13’中确定环形突起和/或物体支撑件的位置。也可以继续移动物体支撑件直至检测到多个标记,并且基于多个标记确定环形突起和/或物体支撑件的位置。
例如,在图10中所示的实施例中,检测物体的第三步骤30可以包括以下步骤。首先,在步骤31’中,物体在第一平面中在一个或两个方向上移动直至在步骤32’中例如基于高度轮廓来检测标记。基于所述标记的位置,并且例如考虑到物体没有旋转,可以在步骤33’中确定物体的位置。也可以继续移动物体直至检测多个标记,并且基于多个标记确定物体支撑件的位置。
应注意,标记可以用作步骤11至步骤16或步骤31至步骤36的替代物,或它们可以组合使用。例如,可以在一个方向上移动物体支撑件或物体。如果检测到标记,则可以基于所述标记来确定物体支撑件或物体的位置。如果没有检测到标记,则还可以移动物体支撑件或物体直至检测到两个部位,且可以基于所述部位而确定物体支撑件或物体的位置。
参考图8a,也可以解释根据本发明的第二方面的平台设备101。应注意,图8中的平台设备因此可以根据第一方面或根据第二方面来实施。也可以在单个平台设备101中组合第一方面和第二方面。根据第二方面的平台设备的特征可以类似于关于第一方面所描述的方法中任一方法来实施和运行。另外,关于第一方面提及的特征中任一特征也可以被包括在根据第二方面的平台设备的实施例中。
根据第二方面,平台设备101包括:物体支撑件102,所述物体支撑件包括被配置成支撑物体105的多个突节102.2;和传感器模块,所述传感器模块包括水平传感器200,所述水平传感器被配置成检测所述多个突节102.2中的至少一个突节102.2和物体105(当物体105布置于物体支撑件102上)。平台设备101还包括处理单元,所述处理单元被配置成接收来自传感器模块的一个或更多个信号,并且以当物体105被布置于物体支撑件102上时,基于所述一个或更多个信号确定物体105相对于物体支撑件102的位置。处理单元还被配置成基于物体的所述位置确定表示物体105相对于物体支撑件102的位置的偏移值。
水平传感器可以例如通过检测高度差来检测突节102.2。在实施例中,水平传感器200可以特定地被配置成检测径向最外侧例如以圆形列布置的突节102.2。可选地,竖直物体支撑件定位器112被设置用于将物体支撑件102布置于水平传感器200的聚焦范围内,如例如图8b中所示。
应注意,虽然图8a中所示的物体105具有在第一平面xy上大于物体支撑件102的半径,但这对于根据第二方面的平台设备来说是不需要的。例如,物体105的半径可以小于外半径且可选地小于环形突起的内半径。
应注意,虽然图8a至图8b中所示的平台设备101包括环形突起102.1,但本发明的第二方面也可以应用于不包括这种环形突起102.1的平台设备101。
虽然可以在本文中具体地参考在IC制造中的光刻设备的使用,但应理解,本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头,等等。
虽然可以在本文中具体地参考在光刻设备的内容背景下的本发明的实施例,但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的部分。这些设备一般可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
虽然上文可以具体地参考在光学光刻的内容背景下对本发明的实施例的使用,但应了解,本发明在内容背景允许的情况下不限于光学光刻术且可以用于其它应用(例如压印光刻术)中。
在内容背景允许的情况下,可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施本发明的实施例。本发明的实施例也可以被实施为储存在机器可读介质上的指令,所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以可以由机器(例如,计算装置)读取的形式储存或传输信息的任何机制。例如,机器可读介质可以包括只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁性储存介质;光学储存介质;闪存装置;电、光学、声学或其它形式的传播信号(例如,载波、红外信号、数字信号等);及其他。另外,固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行特定动作。然而,应了解,这样的描述仅仅出于方便起见,并且这样的动作实际上由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置引起,并且这样做可能导致致动器或其它装置与实体世界相互作用。
虽然上文已描述本发明的具体实施例,但应了解,可以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述意图是说明性的,而不是限制性的。因此,本领域技术人员将明白,可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。
Claims (25)
1.一种平台设备,所述平台设备包括:
·物体支撑件,
i.所述物体支撑件包括在第一平面上具有外半径的环形突起,并且
ii.所述物体支撑件被配置成支撑在所述第一平面上具有大于所述环形突起的所述外半径的半径的物体,
·传感器模块,所述传感器模块被配置成
i.检测所述物体支撑件,和
ii.当所述物体被布置于所述物体支撑件上时检测所述物体,·处理单元,所述处理单元被配置成
i.接收来自所述传感器模块的一个或更多个信号,
ii.当所述物体被布置于所述物体支撑件上时,基于所述一个或更多个信号来确定所述物体相对于所述环形突起的位置,以及
iii.基于所述物体的所述位置,确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。
2.根据权利要求1所述的平台设备,其中所述传感器模块被配置成当没有物体被布置于所述物体支撑件上时检测所述物体支撑件。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的平台设备,其中所述传感器模块被配置成通过检测所述环形突起来检测所述物体支撑件。
4.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,所述处理单元还包括输出终端,所述输出终端被布置成将所述偏移值输出至物体操纵装置的控制单元和/或物体支撑件定位器的控制单元。
5.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,所述平台设备还包括物体操纵装置,所述物体操纵装置包括:
·机器臂,所述机器臂被配置成将后续物体提供至所述物体支撑件,
·控制单元,所述控制单元被配置成基于所述偏移值来控制:
i.当所述机器臂接收所述后续物体时所述后续物体相对于所述机器臂的位置,和/或
ii.当所述机器臂将所述后续物体相对于所述物体支撑件布置时所述机器臂相对于所述物体支撑件的位置。
6.根据权利要求5所述的平台设备,其中所述物体操纵装置还包括预对准器,所述机器臂从所述预对准器接收所述后续物体,其中所述控制单元被布置成当所述机器臂接收所述后续物体时,通过控制所述预对准器的位置和/或所述物体在所述预对准器上的位置来控制所述后续物体相对于所述机器臂的位置。
7.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述处理单元被配置成通过确定所述环形突起的两个部位和/或所述物体的两个部位来确定所述物体相对于所述环形突起的位置。
8.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述传感器模块包括水平传感器。
9.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述传感器模块包括光学传感器。
10.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,所述平台设备还包括竖直物体支撑件定位器,所述竖直物体支撑件定位器被配置成
·在垂直于所述第一平面的方向上定位所述物体支撑件,和
·沿所述方向将所述物体支撑件定位在所述传感器模块的聚焦范围中,用于使所述传感器检测所述物体支撑件。
11.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,所述平台设备还包括水平物体支撑件定位器,所述水平物体支撑件定位器被配置成
·在平行于所述第一平面的平面上定位所述物体支撑件,和
·在所述物体支撑件被配置成接收后续物体之前,基于所述偏移值在所述平面中定位所述物体支撑件。
12.根据权利要求10和权利要求11所述的平台设备,所述平台设备包括物体支撑件定位器,所述物体支撑件定位器包括所述水平物体支撑件定位器和所述竖直物体支撑件定位器。
13.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述物体支撑件和/或物体台还包括被配置成能够由所述传感器模块检测的一个或更多个标记。
14.根据权利要求13所述的平台设备,其中所述处理单元被配置成基于单个标记来确定所述物体支撑件的位置。
15.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述环形突起包括空气密封。
16.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述物体是测试物体,并且所述平台设备包括所述测试物体,所述测试物体:
·包括在所述第一平面中与待布置于所述物体支撑件上的物体大致相同的半径,并且
·对于所述传感器模块是半透明的,由此当所述测试物体布置于所述物体支撑件上时,允许所述传感器模块同时检测所述物体支撑件和所述测试物体。
17.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备,其中所述物体和/或所述后续物体是衬底。
18.一种光刻设备,所述光刻设备包括:
·投影系统,所述投影系统用于将图案投影至衬底上,
·根据前述权利要求中的一项或更多项所述的平台设备。
19.一种用于校正物体装载过程的方法,所述方法包括以下步骤:
·检测包括在第一平面上在内半径与外半径之间延伸的环形突起的物体支撑件;
·将物体布置于所述物体支撑件上,所述物体的半径大于所述环形突起的外半径,并且当所述物体布置于所述物体支撑件上时检测所述物体;
·当所述物体布置于所述物体支撑件上时,确定所述物体相对于所述环形突起的位置;以及
·基于所述物体的所述位置,确定表示所述物体相对于所述环形突起的位置的偏移值。
20.根据权利要求19所述的方法,其中将所述物体布置于所述物体支撑件上的步骤是通过机器臂完成,并且所述方法还包括基于所述偏移值控制:
i.当所述机器臂接收后续物体时所述后续物体相对于所述机器臂的位置,和/或
ii.当所述机器臂将所述后续物体相对于所述物体支撑件布置时所述机器臂相对于所述物体支撑件的位置。
21.根据权利要求19或权利要求20所述的方法,所述方法还包括确定所述环形突起的两个部位和/或所述物体的两个部位的步骤,并且其中确定所述物体相对于所述环形突起的位置的步骤是基于所述部位完成的。
22.根据权利要求21所述的方法,其中通过检测分别指示所述物体和/或所述环形突起的边界的高度差来确定所述物体和/或所述环形突起的所述部位。
23.根据权利要求19-22中的一项或更多项所述的方法,所述方法还包括确定在物体台或所述物体支撑件上的标记的位置和/或在所述物体上的标记的位置的步骤,其中确定所述物体相对于所述环形突起的位置的步骤是基于所述标记完成的。
24.一种平台设备,所述平台设备包括:
·物体支撑件,所述物体支撑件包括被布置成支撑物体的多个突节,
·传感器模块,所述传感器模块包括水平传感器,所述水平传感器被布置成检测
i.所述多个突节中的至少一个突节,和
ii.当所述物体被布置于所述物体支撑件上时的所述物体,
·处理单元,所述处理单元被布置成
i.接收来自所述传感器模块的一个或更多个信号,
ii.当所述物体被布置于所述物体支撑件上时,基于所述一个或更多个信号确定所述物体相对于所述物体支撑件的位置,以及
iii.基于所述物体的所述位置,确定表示所述物体相对于所述物体支撑件的位置的偏移值。
25.一种用于校正物体装载过程的方法,所述方法包括以下步骤:
·通过水平传感器检测物体支撑件,所述物体支撑件包括被配置成支撑物体的多个突节;
·将物体布置于所述物体支撑件的突节上,并且当所述物体布置于所述物体支撑件上时通过水平传感器检测所述物体;
·当所述物体布置于所述物体支撑件上时,确定所述物体相对于所述物体支撑件的位置;以及
·基于所述物体的所述位置,确定表示所述物体相对于所述物体支撑件的位置的偏移值。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18190476.4 | 2018-08-23 | ||
EP18190476 | 2018-08-23 | ||
PCT/EP2019/069685 WO2020038677A1 (en) | 2018-08-23 | 2019-07-22 | Stage apparatus and method for calibrating an object loading process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112585539A true CN112585539A (zh) | 2021-03-30 |
Family
ID=63371574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980054289.6A Pending CN112585539A (zh) | 2018-08-23 | 2019-07-22 | 用于校准物体装载过程的平台设备和方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11556064B2 (zh) |
JP (1) | JP7234345B2 (zh) |
KR (1) | KR102592792B1 (zh) |
CN (1) | CN112585539A (zh) |
NL (1) | NL2023546A (zh) |
TW (1) | TWI724496B (zh) |
WO (1) | WO2020038677A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11854911B2 (en) * | 2021-02-25 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Methods, systems, and apparatus for conducting chucking operations using an adjusted chucking voltage if a process shift occurs |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3131750B2 (ja) | 1992-10-20 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体検出装置及び方法 |
US5844683A (en) | 1996-05-22 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Position sensor system for substrate holders |
JPH1140648A (ja) | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Omron Corp | 多連式センサおよびウエハセンサ |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JP2000012657A (ja) | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体ウェハの位置決め装置 |
EP1077393A2 (en) * | 1999-08-19 | 2001-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus |
TW594431B (en) * | 2002-03-01 | 2004-06-21 | Asml Netherlands Bv | Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods |
TWI307526B (en) * | 2002-08-06 | 2009-03-11 | Nikon Corp | Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device |
SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
DE102005043569A1 (de) | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
KR20080048642A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 로딩용 척 |
US8149387B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Method of placing a substrate, method of transferring a substrate, support system and lithographic projection apparatus |
WO2009086042A2 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Lam Research Corporation | Arrangements and methods for determining positions and offsets |
TWI454851B (zh) * | 2007-12-28 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5477053B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-04-23 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ装置、ウェハホルダ、位置検出方法およびデバイスの製造方法 |
JP5524668B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-06-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | ウエハ保持装置及び方法 |
JP5477133B2 (ja) | 2010-04-09 | 2014-04-23 | 日新イオン機器株式会社 | ウェーハハンドリング方法およびイオン注入装置 |
JP5750327B2 (ja) | 2010-10-21 | 2015-07-22 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき処理方法及びめっき装置用基板ホルダの姿勢変換方法 |
TWI580814B (zh) | 2010-10-21 | 2017-05-01 | 荏原製作所股份有限公司 | 基板處理裝置,以及鍍覆裝置及鍍覆方法 |
NL2008630A (en) * | 2011-04-27 | 2012-10-30 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
JP5930519B2 (ja) | 2011-09-06 | 2016-06-08 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2014003259A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-09 | Nikon Corp | ロード方法、基板保持装置及び露光装置 |
EP2891175B1 (en) * | 2012-08-31 | 2019-08-14 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd. | Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames |
EP3049869B1 (en) * | 2013-09-27 | 2017-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2019
- 2019-07-22 CN CN201980054289.6A patent/CN112585539A/zh active Pending
- 2019-07-22 KR KR1020217005445A patent/KR102592792B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-22 NL NL2023546A patent/NL2023546A/en unknown
- 2019-07-22 JP JP2021510114A patent/JP7234345B2/ja active Active
- 2019-07-22 WO PCT/EP2019/069685 patent/WO2020038677A1/en active Application Filing
- 2019-07-22 US US17/269,328 patent/US11556064B2/en active Active
- 2019-08-15 TW TW108129086A patent/TWI724496B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11556064B2 (en) | 2023-01-17 |
JP2021535433A (ja) | 2021-12-16 |
KR102592792B1 (ko) | 2023-10-24 |
NL2023546A (en) | 2020-02-27 |
TW202022508A (zh) | 2020-06-16 |
US20210311403A1 (en) | 2021-10-07 |
TWI724496B (zh) | 2021-04-11 |
JP7234345B2 (ja) | 2023-03-07 |
WO2020038677A1 (en) | 2020-02-27 |
KR20210035865A (ko) | 2021-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI440982B (zh) | 度量工具、包含一微影設備及一度量工具的系統及用於測定一基材之參數的方法 | |
US11619886B2 (en) | Position measurement system, interferometer system and lithographic apparatus | |
US11726411B2 (en) | Substrate shape measuring device, substrate handling device, substrate shape measuring unit and method to handle substrates | |
EP3851916A1 (en) | Suction clamp, object handler, stage apparatus and lithographic apparatus | |
EP3385792A2 (en) | Stage apparatus for use in a lithographic apparatus | |
JP7234345B2 (ja) | ステージ装置および物体搭載プロセスの較正方法 | |
JP7430194B2 (ja) | 検査装置、リソグラフィ装置及び測定方法 | |
NL2022818A (en) | Stage apparatus, lithographic apparatus, control unit and method | |
CN113785242A (zh) | 物体定位器、用于校正物体形状的方法、光刻设备、物体检查设备、装置制造方法 | |
CN113841090A (zh) | 包括压电致动器或电致伸缩致动器的致动器组件 | |
US11156924B2 (en) | Substrate support, lithographic apparatus, substrate inspection apparatus, device manufacturing method | |
KR20240044425A (ko) | 센서 위치 설정 방법, 위치 설정 시스템, 리소그래피 장치, 계측 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
EP3761116A1 (en) | A mirror calibrating method, a position measuring method, a lithographic apparatus and a device manufacturing method | |
NL2023487A (en) | Substrate shape measuring device, Substrate handling device, Substrate shape measuring unit and Method to handle substrates | |
WO2023186569A1 (en) | Substrate warpage determination system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |