CN113785242A - 物体定位器、用于校正物体形状的方法、光刻设备、物体检查设备、装置制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种物体定位器，包括：具有物体支撑表面的物体支撑件，该物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体支撑表面具有支撑表面温度；热装置，该热装置被配置为向物体的至少一部分提供第一物体温度，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

Description

物体定位器、用于校正物体形状的方法、光刻设备、物体检查 设备、装置制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月1日提交的欧洲申请19172109.1的优先权，该申请的全部内容通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及物体定位器、用于校正物体形状的方法、光刻设备、物体检查设备和装置制造方法。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投射到提供在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。物体检查设备例如适用于检查已被施加到物体、例如施加到衬底、例如施加到晶片的图案。

随着半导体制造工艺的不断进步，几十年来，电路元件的尺寸已不断地减小，而每个装置的诸如晶体管之类的功能元件的数目已经在稳步增加，这遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟得上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小特征的技术。为了将图案投射至衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前在使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有介于4nm至20nm范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备可以被用来在衬底上形成更小的特征。

在光刻工艺中，最重要的是被投射在衬底上的图案是高度准确的。其上被投射图案的物体(例如衬底，例如晶片)上的平坦度是获得投射图案的所期望准确度的重要因素。然而，例如由于衬底的处理，特别是抗蚀剂层的重复施加、固化和蚀刻，衬底的形状可能由于衬底在垂直于衬底平面的方向上的变形而偏离所期望的完全平坦形状。衬底可以例如是翘曲的，或者具有伞形或碗形，或者甚至可能具有与平面形状的更高阶偏离。

此外，还有变形，例如衬底的平面中的局部变形应被保持在最小值，以便尽可能地减少套刻误差。

已经提出了用于平整化衬底的若干解决方案。例如，在一些已知的光刻系统中，衬底被夹持到物体支撑件(例如衬底支撑件，例如晶片台)上，其中局部变化的夹持力允许至少在一定程度上平整化衬底。然而，这样的解决方案需要对物体支撑件进行修改，这可能很难实现。另外，衬底在衬底的平面内变形的问题没有得到解决，甚至可能由于衬底在垂直于衬底平面的方向上的变形而被加剧。

发明内容

本发明旨在提供一种有助于减少衬底变形的物体定位器和用于校正物体形状的方法。

根据本发明的一个实施例，提供了一种物体定位器，

其中包括：

-具有物体支撑表面的物体支撑件，该物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体支撑表面具有支撑表面温度，

-热装置，该热装置被配置为向物体的至少一部分提供第一物体温度，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

根据本发明，提供了一种物体支撑件，该物体支撑件提供有被配置为接合物体的至少一部分的物体支撑表面。物体支撑件例如是衬底支撑件或晶片桌或晶片台。物体支撑表面是例如在曝光期间或在测量期间将物体支撑在其上的衬底支撑件(例如晶片台)的支撑表面。物体支撑表面具有支撑表面温度。

此外，提供了一种热装置，其被配置为使物体的至少一部分(例如衬底，例如晶片)处于第一物体温度。第一物体温度不同于其上支撑或将支撑该物体的物体支撑表面的支撑表面温度。

已知的是，控制物体的温度以便使该温度处于与物体支撑表面具有的温度相同的温度，并且在物体上具有均匀的温度分布以防止物体的热变形。本发明通过有意为物体提供不同于支撑表面温度的第一物体温度而不同于该已知想法。通过这样做，物体将由于热膨胀和/或热收缩而以均匀的方式或非均匀的方式变形，这取决于热装置提供给物体的温度分布。这允许控制物体的形状，并由此抵消由于其他原因(例如在光刻设备外部的物体的处理，诸如在物体(例如衬底)上重复施加、固化和/或蚀刻抗蚀剂层)所导致的现有的不希望的物体变形。第一物体温度例如是物体外表面的温度。

热装置可以包括加热器和/或冷却器。第一物体温度可以高于或低于支撑表面温度。例如，热装置可以包括一个或多个热元件，其例如是加热元件(例如红外LED)和/或冷却元件(例如珀耳帖元件)。热装置可选地包括加热元件以及冷却元件。这些热元件可以例如被布置成网格状布局(例如，二维Carthesian网格或极坐标网格)或被布置成阵列(例如线性布置)。在物体的加热和/或冷却期间，热元件可以相对于物体静止，或者热元件可以相对于物体移动，例如在热元件相对于物体的扫描运动中。

根据本发明，例如整个物体被提供有第一物体温度。在这种情况下，物体获得均匀的温度。备选地，可以局部地为物体提供第一物体温度。在这种情况下，物体获得非均匀的温度。

在根据本发明的物体定位器的一个实施例中，热装置被配置为：向物体的第一部分提供第一物体温度并且向物体的第二部分提供第二物体温度，该第二物体温度与支撑表面温度相差第二预定温差。

第二温差可以与第一温差相同，或者第二温差可以与第一温差不同。第一物体温度可以与第二物体温度相同，或者第一物体温度可以与第二物体温度不同。第二物体温度例如是物体的外表面的温度。

在该实施例中，由于热装置的作用，物体获得非均匀的温度分布。这允许局部地校正物体的形状。例如，如果物体具有不希望的局部变形，例如局部凸起或变形的圆周边缘，则这是有利的。

如果在该实施例中第一物体温度与第二物体温度相同，和/或第二温差与第一温差相同，则物体在第一部分和第二部分之间的一个或多个部分可选地具有不同于第一物体温度和第二物体温度的温度。例如，物体在第一部分和第二部分之间的一个或多个部分可以具有或被提供有与支撑表面温度相同的温度。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，热装置被配置为向物体的至少一部分提供在第一最高温度和第一最低温度之间的温度梯度。第一物体温度是第一最高温度、第一最低温度或在第一最高温度与第一最低温度之间的温度。

取决于物体的形状，特别是取决于现有的不希望的物体变形，可以通过为物体提供温度梯度来获得更好地接近物体的期望形状的形状。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，物体定位器还包括物体进给装置，该物体进给装置被配置为将物体供应到物体支撑件。在该实施例中，热装置相对于物体进给装置来布置，使得在物体被布置在物体支撑件上之前为物体提供第一物体温度。

这样，热装置可以被布置在远离物体支撑件的位置处。在物体支撑件处或附近的构建空间通常非常稀缺，因此该实施例提供了通常更实用的布局。

在该实施例中，当确定第一物体温度和/或第二物体温度时，可选地考虑在物体向物体支撑件进行进一步传送期间的任何预期加热或冷却。

可选地，在该实施例中，物体进给装置的至少一部分和热装置的至少一部分相对于彼此可移动。例如，物体进给装置的至少一部分是可移动的，例如沿着路径是可移动的，以便将物体传送到物体支撑件。热装置的至少一部分，例如一个或多个热元件，诸如加热元件和/或冷却元件，可以例如沿着该轨迹布置，从而在通过热装置的热元件时为物体进给装置上的物体提供第一物体温度。备选地或附加地，当热装置向物体提供第一物体温度时物体进给装置可以是静止的，例如通过当物体进给装置静止时在物体上方移动一个或多个热元件。备选地，物体进给装置的至少一部分和热装置的一部分(例如一个或多个加热元件和/或冷却元件)例如在相反的方向上都移动，从而获得物体进给装置的至少一部分和热装置的至少一部分的相对移动。

例如，热装置可以包括一个或多个热元件，包括加热元件(例如红外LED)和/或冷却元件(例如珀耳帖元件)。这些热元件可以例如被布置成网格状布局(例如二维Carthesian网格或极坐标网格)或被布置成阵列(例如线性布置)。在物体的加热和/或冷却期间，热元件可以相对于物体静止，或者热元件可以相对于物体移动，例如，在加热元件和/或冷却元件相对于物体的扫描运动中。

可选地，在该实施例的变体中，热装置的至少一部分被安装在物体进给装置中，例如在进给装置支撑表面中或下方，该进给装置支撑表面被配置为在物体传送到物体支撑件期间支撑物体。可选地，热装置包括被布置在进给装置支撑表面中或下方的多个热元件。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，热装置的至少一部分和物体支撑件的至少一部分相对于彼此可移动。

例如，热装置包括一个或多个加热元件和一个或多个冷却元件，并且物体支撑件相对于这些加热元件和/或冷却元件可移动。物体支撑件可以是静止的并且加热元件和/或冷却元件是可移动的，或者物体支撑件可以是可移动的并且加热元件和/或冷却元件是静止的，或者物体支撑件和加热元件和/或冷却元件两者都是可移动的。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，热装置被安装在物体支撑件中，邻近物体支撑表面。

在该实施例中，例如物体支撑表面包括一个或多个凹口或凹部，热装置的加热元件和/或冷却元件被布置在该凹口或凹部中。备选地或附加地，热装置的一个或多个加热元件和/或冷却元件例如被布置在物体支撑表面下方，例如呈网格状布置。备选地或附加地，物体支撑件可以包括多个突节，它们一起形成物体支撑表面，并且其中热装置的一个或多个热元件被布置在突节之间。优选地，在热装置的加热元件和/或冷却元件之间，物体支撑表面具有与支撑表面温度相等的温度。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，热装置包括加热元件和/或冷却元件，加热元件例如是红外LED，冷却元件例如是珀耳帖元件。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，物体定位器还包括测量工具，其被配置为生成物体的形状数据。

测量工具生成形状数据，该形状数据可以被用来确定(例如计算)热装置必须提供的第一物体温度，以校正物体的实际形状。

可选地，还确定物体的期望温度分布(均匀或非均匀)和/或第二物体温度。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，物体定位器还包括控制装置，该控制装置被配置为接收与物体的形状相关的形状数据，并基于该形状数据来生成控制信号。在该实施例中，基于所述控制信号至少部分地控制热装置。

在物体定位器的这个实施例中，提供了接收与物体形状相关的数据的控制装置。例如可以通过测量或计算物体的实际形状来获得该形状数据。这样，物体的实际形状与期望形状的偏差是已知的。然后使用该信息来生成控制信号，基于该控制信号来控制热装置。

基于形状数据，确定(例如计算)第一物体温度应该是多少。然后，生成控制信号并将其发送至热装置(例如通过有线数据连接或无线数据连接)，并且激活热装置以为物体提供第一物体温度。

可选地，还确定物体的期望温度分布(均匀或非均匀)和/或第二物体温度，并且由控制装置创建用于热装置的对应控制信号。

可选地，在本实施例中，物体定位器还包括测量工具，该测量工具被配置为生成物体的形状数据，并且控制装置被配置为基于由测量工具所生成的形状数据来生成控制信号。

在根据本发明的物体定位器的实施例中，物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，该物体是衬底，例如晶片。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于校正物体形状的方法，该方法包括以下步骤：

-确定所述物体的形状，

-将所述物体的确定形状与所述物体的期望形状进行比较，并由此确定期望形状和确定形状之间的差异，

-确定针对物体的温度分布，该温度分布为物体提供变形形状，其中对于物体的至少一部分，变形形状和确定形状之间的差异小于期望形状和确定形状之间的差异，

-将温度分布施加到物体。

温度分布可以是均匀的温度分布，其中物体在其表面上获得均匀的温度。备选地，温度分布可以是非均匀的温度分布，其中物体在其表面上获得非均匀的温度，因此物体表面的第一部分与物体表面的第二部分具有不同的温度。

在根据本发明的方法的一个实施例中，该方法还包括将物体夹持在具有物体支撑表面的物体支撑件上的步骤，该物体支撑表面被配置为在所述物体的定位期间接合物体的至少一部分。在该实施例中，在将物体夹持到物体支撑件上之前或期间施加温度分布。

例如，物体支撑件是衬底支撑件，例如晶片台，例如在光刻设备或物体检查设备中。在光刻设备或物体检查设备中，在例如将物体相对于投射射束和/或测量射束定位期间，物体(例如衬底，例如晶片)被夹持在物体支撑件的物体支撑表面上。根据依照本发明的方法的该实施例，在将物体夹持在物体支撑表面进行之前或期间，将温度分布施加到物体(例如衬底，例如晶片)上。一般来说，在物体开始暴露于投射射束或测量射束之前施加温度分布。

可选地，在本实施例中，物体支撑表面具有支撑表面温度，并且施加到物体上的温度分布是在第一物体温度下的均匀温度分布，第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

可选地，在该实施例中，物体支撑表面具有支撑表面温度，并且施加到物体的温度分布是包括第一物体温度的非均匀温度分布，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

在根据本发明的方法的一个实施例中，物体是衬底，例如晶片。

根据本发明的实施例，提供了包括根据本发明的物体定位器的光刻系统。

在根据本发明的光刻设备的实施例中，光刻设备还包括投射系统，并且物体支撑件被配置用于相对于投射系统定位物体。

根据本发明的一个实施例，提供了一种光刻系统，其包括：

-照射系统，被配置为调节辐射射束；

-支撑件，被配置为支撑图案化装置，该图案化装置能够在辐射射束横截面中赋予辐射射束图案，以形成图案化辐射射束；

-被配置为将图案化辐射射束投射到衬底上的投射系统；该投射系统包括多个光学元件，

-具有衬底支撑表面的晶片台，该衬底支撑表面被配置为接合衬底的至少一部分，所述衬底支撑表面具有支撑表面温度，

-被配置为向衬底的至少一部分提供第一物体温度的热装置，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

可选地，在本实施例中，光刻设备还包括热稳定装置，热装置的至少一部分被布置在该热稳定装置中。例如，热装置的一个或多个热元件被布置在热稳定装置中。

可选地，在本实施例中，光刻设备还包括热稳定装置和衬底传送装置，衬底传送装置被配置为沿着衬底进给路径从热稳定装置向晶片台传送衬底。热装置的至少一部分沿着衬底进给路径来布置。例如，热装置的一个或多个热元件沿衬底进给路径来布置。

在本发明的另一个实施例中，提供了一种包括根据本发明的物体定位器的物体检查设备。

根据本发明的一个实施例，提供了一种包括将图案从图案化装置转移到衬底上装置制造方法，该方法包括使用根据本发明的光刻设备的步骤。

根据本发明的一个实施例，提供了一种装置制造方法，包括以下步骤:

-确定衬底的形状，

-将所述衬底的确定形状与所述衬底的期望形状进行比较，并由此确定期望形状和确定形状之间的差异，

-确定针对衬底的温度分布，该温度分布为衬底提供变形形状，其中对于衬底的至少一部分，变形形状和确定形状之间的差异小于期望形状和确定形状之间的差异，

-将温度分布施加到衬底，

-在将温度分布施加到衬底之后，将图案从图案化装置转移到衬底上。

附图说明

现在将参考所附示意图仅通过示例的方式描述本发明的实施例，其中：

-图1描绘了光刻设备的示意概览；

-图2描绘了图1的光刻设备的一部分的详细视图；

-图3示意性地描绘了位置控制系统；

-图4A以俯视图示意性地示出了具有偏离理想形状的实际形状的物体，

-图4B以侧视图示出了图4A的物体，

-图5示意性地示出了根据本发明的系统的第一实施例

-图6示意性地示出了根据本发明的系统的另一个实施例，

-图7示意性地示出了可以由热装置施加的具有非均匀温度分布的物体的示例。

具体实施方式

在本文档中，术语“辐射”和“射束”被用来涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如具有约5-100nm范围内的波长)。

如本文中采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案化装置”可以被广义地解释为指代可以被用来向入射辐射射束赋予图案化横截面的通用图案化装置，所述图案化横截面对应于将在衬底的目标部分中创建的图案。在此上下文中，也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射或反射、二元、相移、混合等等)以外，其他此类图案化装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，其被配置为调节辐射射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案化装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，第一定位器PM被配置为根据某些参数准确地定位图案化装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，第二定位器PW被配置为根据某些参数准确地定位衬底；以及投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS，其被配置为将通过图案化装置MA赋予辐射射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。

在操作中，照射系统IL接收来自辐射源SO的辐射射束，例如经由射束递送系统BD。照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁、电磁、静电和/或其他类型的光学组件或其任何组合。照射器IL可以被用来调节辐射射束B以使其在图案化装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间和角度强度分布。

本文中使用的术语“投射系统”PS应被广义地解释为涵盖各种类型的投射系统，包括折射、反射、折反射、变形、磁、电磁和/或静电光学系统或其任何组合，该投射系统适合于所使用的曝光辐射和/或其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。本文中对术语“投射透镜”的任何使用可以被认为为与更通用的术语“投射系统”PS同义。

光刻设备LA可以是如下这样的类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投射系统PS和衬底W之间的空间——其也被称为浸没式光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253中给出，其通过引用并入本文。

光刻设备LA也可以是具有两个或更多衬底支撑件WT(也称为“双台”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT之一上的衬底W上执行准备衬底W的后续曝光的步骤，同时另一个衬底支撑件WT上的另一个衬底W正被用于在另一个衬底W上曝光图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量台。测量台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投射系统PS的属性或辐射射束B的属性。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置为清洁光刻设备的一部分，例如投射系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量台可以在投射系统PS下方移动。

在操作中，辐射射束B入射到图案化装置(例如，入射到掩模MA)上，该图案化装置被保持在掩模支撑件MT上，并被图案化装置MA上存在的图案(设计布局)图案化。在穿过图案化装置MA后，辐射射束B穿过投射系统PS，其将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，可以准确地移动衬底支撑件WT，例如，以便在辐射射束B的路径中在聚焦和对准位置处定位不同的目标部分C。类似地，第一定位器PM和可能的另一个位置传感器(其未在图1中被明确描绘)可以被用来相对于辐射射束B的路径准确地定位图案化装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案化装置MA和衬底W。尽管所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对准标记。

为了阐明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即x轴、y轴和z轴。三个轴中的每一个轴都与另外两个轴正交。绕x轴的旋转被称为Rx旋转。绕y轴的旋转被称为Ry旋转。绕z轴的旋转被称为Rz旋转。x轴和y轴定义了水平面，而z轴处于垂直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明并且仅用于阐明。相反，可以使用诸如圆柱坐标系之类的另一个坐标系来阐明本发明。笛卡尔坐标系的取向可以不同，例如，使得z轴具有沿水平面的分量。

图2示出了图1的光刻设备LA的一部分的更详细视图。光刻设备LA可以提供有基座框架BF、平衡质量块BM、量测框架MF和振动隔离系统IS。量测框架MF支撑投射系统PS。此外，量测框架MF可以支撑位置测量系统PMS的一部分。量测框架MF经由振动隔离系统IS由基座框架BF支撑。振动隔离系统IS被布置成防止或减少振动从基座框架BF传播至量测框架MF。

第二定位器PW被布置成通过在衬底支撑件WT和平衡质量块BM之间提供驱动力来加速衬底支撑件WT。驱动力在期望的方向上加速衬底支撑件WT。由于动量守恒，驱动力也以相等的幅度但与所期望的方向相反的方向被施加至平衡质量块BM上。

通常，平衡质量块BM的质量明显大于第二定位器PW的移动部分和衬底支撑件WT的质量。

在实施例中，第二定位器PW由平衡质量块BM支撑。例如，其中第二定位器PW包括平面马达以将衬底支撑件WT悬浮在平衡质量块BM上方。在另一个实施例中，第二定位器PW由基座框架BF支撑。例如，其中第二定位器PW包括线性马达并且其中第二定位器PW包括轴承，例如气体轴承，以将衬底支撑件WT悬浮在基座框架BF上方。

位置测量系统PMS可以包括适合于确定衬底支撑件WT的位置的任何类型的传感器。位置测量系统PMS可以包括适合于确定掩模支撑件MT的位置的任何类型的传感器。传感器可以是光学传感器，诸如干涉仪或编码器。位置测量系统PMS可以包括干涉仪和编码器的组合系统。传感器可以是另一类型的传感器，诸如磁传感器、电容式传感器或电感式传感器。位置测量系统PMS可以确定相对于参考(例如量测框架MF或投射系统PS)的位置。位置测量系统PMS可以通过测量位置或通过测量位置的时间导数(诸如速度或加速度)来确定衬底台WT和/或掩模支撑件MT的位置。

位置测量系统PMS可以包括编码器系统。编码器系统例如根据2006年9月7日提交的美国专利申请US2007/0058173A1获知，该申请通过引用并入本文。编码器系统包括编码器头、光栅和传感器。编码器系统可以接收主辐射射束和次辐射射束。主辐射射束和次辐射射束二者源自同一辐射射束，即，原始辐射射束。通过利用光栅来衍射原始辐射射束而产生主辐射射束和次辐射射束中的至少一个。如果通过利用光栅来衍射原始辐射射束而产生主辐射射束和次辐射射束二者，则主辐射射束需要具有与次辐射射束相比不同的衍射阶。不同的衍射阶例如是+1阶、-1阶、+2阶和-2阶。编码器系统将主辐射射束和次辐射射束以光学的方式组合成组合辐射射束。编码器头中的传感器确定组合辐射射束的相位或相位差。传感器基于该相位或相位差来生成信号。该信号表示编码器头相对于光栅的位置。编码器头和光栅中的一个可以被布置在衬底结构WT上。编码器头和光栅中的另一个可以被布置在量测框架MF或基座框架BF上。例如，多个编码器头被布置在量测框架MF上，而光栅被布置在衬底支撑件WT的顶表面上。在另一示例中，光栅被布置在衬底支撑件WT的底表面上，并且编码器头被布置在衬底支撑件WT下方。

位置测量系统PMS可以包括干涉仪系统。干涉仪系统例如根据1998年7月13日提交的美国专利US6,020,964获知，该专利通过引用并入本文。干涉仪系统可以包括分束器、反射镜、参考反射镜和传感器。辐射的射束被分束器分成参考射束和测量射束。测量射束传播至反射镜并被反射镜反射回分束器。参考射束传播至参考镜并被参考镜反射回分束器。在分束器处，测量射束和参考射束被组合成组合辐射射束。组合辐射射束入射到传感器上。传感器确定组合辐射射束的相位或频率。传感器基于该相位或频率来生成信号。该信号表示反射镜的位移。在实施例中，反射镜连接到衬底支撑件WT。参考镜可以连接到量测框架MF。在实施例中，测量射束和参考射束由附加的光学组件代替分束器而被组合成组合辐射射束。

第一定位器PM可以包括长行程模块和短行程模块。短行程模块被布置成在小的移动范围内相对于长行程模块以高准确度移动掩模支撑件MT。长行程模块被布置成在大的移动范围内相对于投射系统PS以相对低的准确度来移动短行程模块。借助于长行程模块和短行程模块的组合，第一定位器PM能够在大的移动范围内相对于投射系统PS以高准确度移动掩模支撑件MT。类似地，第二定位器PW可以包括长行程模块和短行程模块。短行程模块被布置成在小的移动范围内相对于长行程模块以高准确度移动衬底支撑件WT。长行程模块被布置成在大的移动范围内相对于投射系统PS以相对低的准确度移动短行程模块。借助于长行程模块和短行程模块的组合，第二定位器PW能够在大的移动范围内相对于投射系统PS以高准确度移动衬底支撑件WT。

第一定位器PM和第二定位器PW各自提供有致动器以分别移动掩模支撑件MT和衬底支撑件WT。致动器可以是线性致动器以沿单个轴(例如y轴)提供驱动力。多个线性致动器可以被应用以沿多轴提供驱动力。致动器可以是平面致动器以沿多个轴提供驱动力。例如，平面致动器可以被布置成在6个自由度中移动衬底支撑件WT。致动器可以是包括至少一个线圈和至少一个磁体的电磁致动器。该致动器被布置成通过向至少一个线圈施加电流来相对于至少一个磁体移动该至少一个线圈。致动器可以是移动磁体型致动器，其具有对于掩模支撑件MT分别耦合至衬底支撑件WT的至少一个磁体。致动器可以是移动线圈型致动器，其具有对于掩模支撑件MT分别耦合至衬底支撑件WT的至少一个线圈。致动器可以是音圈致动器、磁阻致动器、洛伦兹致动器或压电致动器，或任何其他合适的致动器。

光刻设备LA包括如图3示意性地描绘的位置控制系统PCS。位置控制系统PCS包括设定点生成器SP、前馈控制器FF和反馈控制器FB。位置控制系统PCS向致动器ACT提供驱动信号。致动器ACT可以是第一定位器PM或第二定位器PW的致动器。致动器ACT驱动机组P，其可以包括衬底支撑件WT或掩模支撑件MT。机组P的输出是位置量，诸如位置或速度或加速度。位置量由位置测量系统PMS测量。位置测量系统PMS生成信号，该信号是表示机组P的位置量的位置信号。设定点生成器SP生成信号，该信号是表示机组P的期望位置量的参考信号。例如，参考信号表示衬底支撑件WT的期望轨迹。参考信号和位置信号之间的差形成反馈控制器FB的输入。基于该输入，反馈控制器FB为致动器ACT提供驱动信号的至少一部分。参考信号可以形成前馈控制器FF的输入。基于该输入，前馈控制器FF为致动器ACT提供驱动信号的至少一部分。前馈FF可以利用关于机组P的动态特性的信息，诸如质量、硬度、共振模式和本征频率。

图4A以俯视图示意性地示出了具有偏离理想形状的实际形状的物体W。在图4A的示例中，物体W(例如衬底，例如晶片)的理想形状，是平盘形状。在实际形状中，物体W的边缘向上卷曲，因此物体W的实际形状更像碗状。图4B以侧视图示出了该同一物体W。

在图4A和图4B中，虚线W-ID指示物体W的理想或期望轮廓，而实线W-ACT指示物体W的实际轮廓。

通过改变物体W的温度，其形状和/或大小将由于热膨胀或热收缩而改变。这允许校正物体W的形状，并由此使其处于更接近期望或理想形状的形状。取决于所期望的形状变化，可以局部地改变物体W的温度，或者可以改变物体的整体温度。

例如，在图4A和图4B中所示的碗状的情形中，当物体W的外圆周处于比物体W的中心更高的温度时，物体的外圆周W将扩展，这将导致碗形状变平整。

图4A示意性地示出了热装置10，其包括若干热元件11。热元件11可以是加热器和/或冷却器。它们优选地被布置在物体W的附近，例如在与物体W的平面平行的平面中。热元件11可以相对于物体W被布置成固定的或可移动的。热元件11可以被用来获得物体中的温度分布(即温度散布)W，其导致更接近理想或所期望形状的实际形状。

图5示意性地示出了根据本发明的物体定位器的第一实施例。

在图5的实施例中，物体定位器包括具有物体支撑表面WT-OSS的物体支撑件WT，该物体支撑表面WT-OSS被配置为接合物体W的至少一部分。物体支撑表面WT-OSS具有支撑表面温度。

物体W是例如衬底，例如晶片。物体支撑件WT例如是衬底支撑件、晶片台或晶片桌。如果根据图5的物体定位器是光刻设备的一部分，则物体支撑表面WT-OSS在物体W暴露于投射射束期间接合和/或支撑物体W。如果根据图5的物体定位器是物体检查设备的一部分，则物体支撑表面WT-OSS在物体W暴露于测量射束期间接合和/或支撑物体W。

在图5的示例中，物体支撑件WT提供有多个突节WT-B，其具有在使用中接合物体W的自由表面。这些突节WT-B的自由表面一起形成物体支撑表面WT-B。

图5的物体定位器还包括热装置10。热装置10被配置为向物体W的至少一部分提供第一物体温度。第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。这允许校正物体W的实际形状，即，将物体W的实际形状带到更接近物体W的期望或理想形状。第一物体温度可以高于或低于支撑表面温度。

通过向物体W的至少一部分提供不同于支撑表面温度的第一物体温度，物体W将由于热膨胀和/或热收缩而以均匀的方式或以非均匀的方式(这取决于由热装置10提供给物体W的温度分布)变形。这允许控制物体的形状，并由此抵消由于其他原因(例如物体W的处理，诸如在物体W上重复施加、固化和/或蚀刻抗蚀剂层)所导致的现有的不希望的物体W变形。第一物体温度例如是物体W的外表面的温度。

在图5的实施例中，例如整个物体W提供有第一物体温度。在这种情况下，物体W获得均匀的温度。备选地，物体W可以局部地提供有第一物体温度。在那种情况下，物体W获得非均匀的温度。

在图5的实施例中，例如热装置10被配置为向物体W的第一部分提供第一物体温度并且向物体W的第二部分提供第二物体温度。

第二物体温度与支撑表面温度相差第二预定温差。第二温差可以与第一温差相同，或者第二温差可以与第一温差不同。第一物体温度可以与第二物体温度相同，或者第一物体温度可以与第二物体温度不同。第二物体温度例如是物体W的外表面的温度。

在该实施例中，由于热装置10的作用，物体W获得非均匀的温度分布。这允许局部校正物体的形状。

物体W在第一部分和第二部分之间的一个或多个部分，可选地具有不同于第一物体温度和第二物体温度的温度，例如等于支撑表面温度的温度。

在图5的实施例中，可选地，热装置10被配置为向物体W的至少一部分提供在第一最高温度和第一最低温度之间的温度梯度。第一物体温度是第一最高温度、第一最低温度或在第一最高温度与第一最低温度之间的温度。

在图5的实施例中，热装置10包括多个热元件11。热元件11可以是加热元件和/或冷却元件。可选地，热装置10包含加热元件和冷却元件。例如，加热元件可以是红外LED。冷却元件可以例如是珀耳帖元件。

在图5的实施例中，热装置10被布置在距物体支撑件WT一定距离处。在备选实施例中，例如热元件11可以被布置在物体支撑件WT之中或之上，例如被布置在突节WT-B节之间。这由图5中的虚线来指示。

在图5的实施例中，物体定位器还包括控制装置15。控制装置15被配置为接收与物体的形状相关的形状数据，并基于该形状数据来生成控制信号。在该实施例中，基于所述控制信号至少部分地控制热装置10。特别地，热元件11的设置基于控制信号来被控制，以确保为物体W提供正确的第一物体温度。

由控制装置15接收的该形状数据例如可以通过测量或计算物体W的实际形状来获得。这样，物体W的实际形状与期望形状的偏差是已知的。该信息然后被用来生成控制信号，基于该控制信号来控制热装置10。

基于形状数据，确定(例如计算)第一物体温度应该是多少。然后，生成控制信号并发送至热装置10(例如通过有线数据连接16或无线数据连接；该数据连接可以是直接连接或间接连接)，并激活热装置10来为物体W提供第一物体温度。

可选地，还确定物体W的期望温度分布(均匀或非均匀)和/或第二物体温度，并且由控制装置15创建用于热装置10的对应控制信号。

在图5的实施例中，物体定位器还包括测量工具20，其被配置为生成物体W的形状数据。控制装置15被配置为基于测量工具20所生成的形状数据来生成控制信号。在测量工具之间提供有线数据连接21或无线数据连接，以将测量工具20所生成的形状数据传送到控制装置15。该数据连接可以是直接连接或间接连接。

图5的实施例适合于执行根据本发明的方法的实施例。

在本发明的这样的实施例中，确定物体W(例如衬底，例如晶片)的形状。在图5的实施例中，例如可以为此使用测量工具20。备选地或附加地，可以使用不同的测量工具(例如其不经由数据连接21连接到控制装置15)，或者可以例如使用数学模型来计算物体W的形状。

然后，将物体W的确定形状与物体W的期望或理想形状进行比较，由此确定期望形状和确定形状之间的差异。这可以例如在控制装置15中完成，例如在形成控制装置15的一部分的计算机中完成。备选地或附加地，可以(至少部分地)通过使用计算机来完成，该计算机不是控制装置15的一部分或者连接到控制装置15。

然后，确定针对物体W的温度分布，该温度分布为物体W提供变形形状，其中对于物体的至少一部分而言，变形形状和确定形状之间的差异小于期望形状和确定形状之间的差异。随后，将温度分布施加到物体W。当图5的实施例被用来执行根据本发明的方法的该实施例时，具有热元件11的热装置10被用来将温度分布施加到物体W。

在图5的实施例中，物体支撑件WT可选地提供有夹持装置，以将物体夹持到物体支撑件WT上，特别是夹持到物体支撑件WT的物体支撑表面WT-OSS上。夹持装置例如是真空夹持装置或静电夹持装置。

在其中提供了夹持装置的图5的实施例的变型中，可以执行根据本发明的方法的实施例，其还包括将物体W夹持到物体支撑件WT上的步骤，特别是夹持到物体支撑表面WT-OSS上，该物体支撑表面WT-OSS被配置为在定位物体W期间接合该物体W的至少一部分。在该实施例中，在实施将物体W夹持到物体支撑件WT上之前或之后施加温度分布。

例如，物体支撑件WT是衬底支撑件，例如晶片台，例如在光刻设备或物体检查设备中。在光刻设备或物体检查设备中，在例如将物体W相对于投射射束和/或测量射束定位期间，物体W(例如衬底，例如晶片)被夹持到物体支撑件WT的物体支撑表面WT-OSS上。根据依照本发明的方法的该实施例，在将物体W夹持在物体支撑表面WT-OSS被实施之前或之后，将温度分布施加到物体W(例如衬底，例如晶片)。一般来说，在物体W开始暴露于投射射束或测量射束之前施加温度分布。

可选地，在本实施例中，物体支撑表面WT-OSS具有支撑表面温度，并且施加到物体W的温度分布是在第一物体温度下的均匀温度分布，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

备选地，在该实施例中，物体支撑表面WT-OSS具有支撑表面温度，并且施加到物体W的温度分布是包括第一物体温度的非均匀温度分布，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

当物体W被布置在物体支撑表面WT-OSS上时或者在物体W被布置在物体支撑表面WT-OSS上之前，温度分布可以被施加到物体W。

例如，物体支撑表面WT-OSS由在物体支撑件WT上设置的多个突节WT-B的自由端处的表面形成。一个或多个热元件11可以例如被提供在突节WT-B之间，以便将温度分布施加到物体W。备选地或附加地，一个或多个热元件11可以被提供在距物体支撑件一定距离处。

图6示出了根据本发明的物体定位器的另一个实施例。

在图6的实施例中，物体定位器包括具有物体支撑表面WT-OSS的物体支撑件WT。物体支撑表面WT-OSS被配置为接合物体W(例如衬底，例如晶片)的至少一部分。物体支撑表面WT-OSS具有支撑表面温度。物体定位器还包括热装置10。热装置10被配置为向物体W的至少一部分提供第一物体温度。第一物体温度与支撑表面温度相差第一预定温差。

在图6的实施例中，物体定位器还包括物体进给装置30。物体进给装置30被配置为将物体W供应到物体支撑件WT，例如，供应到物体支撑表面WT-OSS。在该实施例中，热装置10相对于物体进给装置30来布置，以使得在物体W被布置在物体支撑件WT上之前，例如被布置在物体支撑件WT的物体支撑表面WT-OSS上之前被提供有第一物体温度。例如，热装置10可以至少部分地被布置在物体进给装置30的内部或附近。

物体进给装置10可选地包括热稳定装置32。在热稳定装置32中，通常使物体W处于等于支撑表面温度的期望的均匀温度。可选地，热装置10的至少一部分，例如一个或多个热元件11，可以被布置在热稳定单元32中。这种热元件11可以在热稳定装置32的热稳定期间或之后向第一物体提供第一物体温度。

在图6的实施例中，物体定位器还包括物体传送装置31，该物体传送装置31被配置为沿着物体进给路径33将物体从热稳定装置32向物体支撑件WT传送。热装置10的至少一部分沿着物体进给路径33布置。例如，热装置10的一个或多个热元件11沿着物体进给路径31布置，例如使得物体W在热元件11下方通过，同时从热稳定装置31向物体支撑件WT传送。

在该实施例中，当确定了第一物体温度并且可选地还有第二物体温度时，可选地考虑在物体W从热元件11的位置传送到物体支撑件WT期间物体的任何预期加热或冷却。

在图6的实施例中，物体进给装置30的至少一部分和热装置10的至少一部分可相对于彼此移动。例如，物体进给装置30的至少一部分是可移动的，例如物体传送装置31可沿着物体进给路径33移动，以便将物体W传送到物体支撑件WT。热装置10的至少一部分，例如一个或多个热元件，诸如加热元件和/或冷却元件，可以例如沿着物体进给路径33布置，因此物体进给装置30中的物体W在通过热装置10的热元件11时被提供有第一物体温度。备选地或附加地，当热装置10为物体提供第一物体温度时物体进给装置30的元件可以是静止的，例如在物体进给装置30中在物体静止的同时通过在物体上方移动一个或多个热元件11。备选地，物体进给装置30的至少一部分(例如物体传送装置31)和热装置10的一部分(例如一个或多个热元件11)例如在相反的方向上同时移动，从而获得物体进给装置30的相应部分和热装置10的相应部分的相对移动。

例如，热元件11可以是加热元件(例如红外LED)和/或冷却元件(例如珀耳帖元件)。这些热元件11可选地被布置成网格状布局(例如，二维Carthesian网格或极坐标网格)或被布置成阵列(例如线性布置)。在物体的加热和/或冷却期间，热元件11可以相对于物体W固定，或者热元件11可以相对于物体W移动，例如在热元件11相对于物体W的扫描运动中。热装置10可选地包括加热元件以及冷却元件。

可选地，热装置10的至少一部分，例如一个或多个热元件11，被安装在物体传送装置31的进给装置支撑表面中或下方，该进给装置支撑表面被配置为在物体W传送到物体支撑件WT期间支撑物体W。可选地，热装置包括多个热元件11，其被布置在进给装置支撑表面中或下方。可选地，物体传送装置31包括多个突节，并且这些突节的自由端处的表面一起形成进给装置支撑表面。在那种情况下，热装置的热元件11例如可以被布置在那些突节之间。

图7示意性地示出了具有可以由热装置10施加的非均匀温度分布的物体W的示例。

物体W包括被提供有第一物体温度的第一部分W1和被提供有第二物体温度的第二部分W2。对于物体的其余部分，控制温度以使其尽可能接近支撑表面温度。第一部分W1例如是在施加第一物体温度之前包括局部凸起的区域。第二部分W2是与物体W的边缘相邻的环形区域。例如在第二部分W2中存在变形，该变形在施加第二物体温度之前导致物体W具有不希望的碗形或伞形。

尽管在本文中可以具体地参考光刻设备在IC的制造中的使用，但是应当理解，本文描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

虽然在本文中可以具体地参考在光刻设备的上下文中的本发明的实施例，但是本发明的实施例可以被用于其他设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案化装置)之类的物体的任何设备的部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

虽然上面已经具体地参考在光学光刻的上下文中对本发明的实施例的使用，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻并且可以被用于其他应用(例如压印光刻)中。

在上下文允许的情况下，本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例也可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算装置)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁存储介质；光存储介质；闪存装置；电、光、声或其他形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行特定动作。然而，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便起见，并且这样的动作实际上是由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其他装置引起，并且这样做可能导致致动器或其他装置与物理世界相互作用。

虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在是说明性的而非限制性的。因此，对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下，对所描述的本发明进行修改。

Claims (26)

1.一种物体定位器，包括：

-物体支撑件，具有物体支撑表面，所述物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体支撑表面具有支撑表面温度，

-热装置，被配置为向所述物体的至少一部分提供第一物体温度，所述第一物体温度与所述支撑表面温度相差第一预定温差。

2.根据权利要求1的物体定位器，

其中所述热装置被配置为向所述物体的第一部分提供所述第一物体温度、并且向所述物体的第二部分提供第二物体温度，所述第二物体温度与所述支撑表面温度相差第二预定温差。

3.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述热装置被配置为向所述物体的至少一部分提供在第一最高温度和第一最低温度之间的温度梯度，其中所述第一物体温度是所述第一最高温度、所述第一最低温度或者介于所述第一最高温度和所述第一最低温度之间的温度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述物体定位器还包括物体进给装置，所述物体进给装置被配置为将所述物体供应到所述物体支撑件，并且其中所述热装置相对于所述物体进给装置来布置，使得在所述物体被布置在所述物体支撑件上之前向所述物体提供所述第一物体温度。

5.根据权利要求4所述的物体定位器，

其中所述物体进给装置的至少一部分和所述热装置的至少一部分相对于彼此可移动。

6.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述热装置的至少一部分和所述物体支撑件的至少一部分相对于彼此可移动。

7.根据权利要求4所述的物体定位器，

其中所述热装置的至少一部分被安装在所述物体进给装置中。

8.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述热装置被安装在所述物体支撑件中，与所述物体支撑表面邻近。

9.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述热装置包括加热元件和/或冷却元件，所述加热元件例如是红外LED，所述冷却元件例如是珀耳帖元件。

10.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述物体定位器还包括控制装置，所述控制装置被配置为接收与所述物体的形状相关的形状数据，并基于所述形状数据来生成控制信号，并且

其中基于所述控制信号所述热装置被至少部分地控制。

11.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

所述物体定位器还包括测量工具，所述测量工具被配置为生成物体的形状数据。

12.根据权利要求10的物体定位器，

所述物体定位器还包括测量工具，所述测量工具被配置为生成物体的形状数据，并且

其中所述控制装置被配置为基于所述测量工具所生成的所述形状数据来生成控制信号。

13.根据前述权利要求中任一项所述的物体定位器，

其中所述物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体是衬底，例如晶片。

14.一种用于校正物体的形状的方法，

所述方法包括以下步骤：

-确定所述物体的所述形状，

-将所述物体的确定形状与所述物体的期望形状进行比较，并由此确定所述期望形状和所述确定形状之间的差异，

-确定针对所述物体的温度分布，所述温度分布为所述物体提供变形形状，其中对于所述物体的至少一部分，所述变形形状和所述确定形状之间的差异小于所述期望形状和所述确定形状之间的差异，

-将所述温度分布施加到所述物体。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中所述方法还包括将所述物体夹持在物体支撑件上的步骤，所述物体支撑件具有物体支撑表面，所述物体支撑表面被配置为在所述物体的定位期间接合物体的至少一部分，并且

其中在将所述物体夹持到所述物体支撑件上实施之前或之后，所述温度分布被施加。

16.根据权利要求15所述的方法，

其中所述物体支撑表面具有支撑表面温度，并且

其中被施加到所述物体上的所述温度分布是在第一物体温度下的均匀温度分布，所述第一物体温度与所述支撑表面温度相差第一预定温差。

17.根据权利要求15所述的方法，

其中所述物体支撑表面具有支撑表面温度，并且

其中被施加到所述物体上的温度分布是包括在第一物体温度下的非均匀温度分布，所述第一物体温度与所述支撑表面温度相差第一预定温差。

18.根据权利要求14-17中任一项所述的方法，

其中所述物体是衬底，例如晶片。

19.一种光刻设备，

所述光刻设备包括根据权利要求1-13中任一项所述的物体定位器。

20.根据权利要求19所述的光刻设备，

所述光刻设备还包括投射系统，并且其中所述物体支撑件被配置为相对于所述投射系统定位物体。

21.一种光刻设备，包括：

-照射系统，被配置为调节辐射射束；

-支撑件，被配置为支撑图案化装置，所述图案化装置能够将其横截面中的图案赋予辐射射束以形成图案化辐射射束；

-投射系统，被配置为将所述图案化辐射射束投射到衬底上；所述投射系统包括多个光学元件，

-晶片台，具有衬底支撑表面，所述衬底支撑表面被配置为接合所述衬底的至少一部分，所述衬底支撑表面具有支撑表面温度，

-热装置，被配置为向所述衬底的至少一部分提供第一物体温度，所述第一物体温度与所述支撑表面温度相差第一预定温差。

22.根据权利要求21所述的光刻设备，

其中所述光刻设备还包括热稳定装置，并且

其中所述热装置的至少一部分被布置在所述热稳定装置中。

23.根据权利要求21所述的光刻设备，

其中所述光刻设备还包括热稳定装置和衬底传送装置，所述衬底传送装置被配置为从所述热稳定装置沿着衬底进给路径向所述晶片台传送衬底，并且

其中所述热装置的至少一部分沿着所述衬底进给路径来布置。

24.一种物体检查设备，

所述物体检查设备包括根据权利要求1-13中任一项所述的物体定位器。

25.一种包括将图案从图案化装置转移到衬底上的装置制造方法，包括使用根据权利要求19-23中任一项所述的光刻设备的步骤。

26.一种装置制造方法，包括以下步骤：

-确定衬底的形状，

-将所述衬底的确定形状与所述衬底的期望形状进行比较，并由此确定所述期望形状和所述确定形状之间的差异，

-确定针对所述衬底的温度分布，所述温度分布为所述衬底提供变形形状，其中对于所述衬底的至少一部分，所述变形形状和所述确定形状之间的差异小于所述期望形状和所述确定形状之间的差异，

-将所述温度分布施加到所述衬底，

-在将所述温度分布施加到所述衬底之后，将图案从图案化装置转移到所述衬底上。

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