JP2004513527A - 基板周辺を露光するためのシステムおよび方法 - Google Patents
基板周辺を露光するためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004513527A JP2004513527A JP2002541445A JP2002541445A JP2004513527A JP 2004513527 A JP2004513527 A JP 2004513527A JP 2002541445 A JP2002541445 A JP 2002541445A JP 2002541445 A JP2002541445 A JP 2002541445A JP 2004513527 A JP2004513527 A JP 2004513527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- edge
- periphery
- emitter
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の背景】
この発明は、基板の周辺上で材料を露光するためのシステムおよび方法に関する。
【0002】
集積回路(IC)および半導体装置の製造においては、スピンコーティングのプロセスを用いて半導体ウェハ上にフォトレジスト(レジスト)を塗布する。スピンコーティングでは、ウェハがチャック上に置かれ、ウェハ上にレジストが与えられ、さらにウェハを回転させてウェハの表面上にレジストの薄膜が広げられる。遠心力によりレジストがウェハの周辺上にまで分散されるが、いくつかのICおよび装置をその周辺に設けることができない。実際には、ウェハハンドラ、ピックアンドプレース装置およびウェハカセットが周辺に接触することがあり、これによりレジストが剥離したり、ウェハを汚染したりする。
【0003】
これらの問題を防ぐために、周辺上のレジストを露光し除去するよう、システムが設計されてきた。あるシステムには、ウェハの周辺に露光線を放射する非回転型光ファイバの下方に位置するウェハを回転させるためのチャックが含まれる。非回転センサがウェハエッジを検出し、ウェハ全体のエッジを横断した後に、信号を制御システムの記憶装置に送る。これは、ウェハマッピングと称されるプロセスである。ウェハマッピングの後、制御システムは、記憶された信号に基づいた信号を半径方向搬送アームに送り、この半径方向搬送アームは、ウェハ上の露光の深度を制御するよう光ファイバを半径方向に移動させる。
【0004】
このシステムはいくつかの問題を有する。回転チャックアセンブリは、ウェハを汚染する浮遊微小粒子と、ウェハ温度の均一性に影響を及ぼす熱とを生成するおそれがある。ウェハマッピングにはさらに時間が必要となり、こうしてスループットが減じられる。さらに、露光源アセンブリのランプにより生成される熱から、および制御装置からウェハを隔離しないでおくと、ウェハが、不必要な熱および粒子汚染に晒される。
【0005】
現在、理想的なシステムは、ノッチ、クリップ、フラットのある、および/またはエッジが不規則である200mmおよび300mm等の直径の異なるウェハの周辺を正確に露光し、ウェハエッジから0.5mm〜10mm等の予め定められた幅を露光し、1時間当り100以上のウェハ等の高スループットを有し、さらに、汚染のない環境において温度の均一性を変えることなく、露光されたレジストから露光されていないレジストへと迅速に移動することが可能であるべきである。これは、維持、動作、製造が容易であり、信頼性があり、かつ小型であるべきである。
【0006】
【発明の概要】
この発明は、基板の周辺を露光するシステムおよび方法を提供する。ある実施例では、このシステムは、放射線をウェハに向けるガイドに連結された露光源、エッジ検出器、搬送部、支持部および制御システムを含む。ガイドは、光ファイバおよび/または、反射屈折式光学系アセンブリ等の光学系システムを含む。搬送部は、露光中、基板の周辺に沿ってガイドを移動させる。搬送部は、半径方向機構および回転機構によりこれを達成し得る。一実施例では、回転機構は、ガイドおよびエッジ検出器を支持する半径方向機構を支持する。エッジ検出器は信号を制御システムに送り、周辺を露光する必要がある場合、この制御システムが信号を処理し、搬送部を制御して放射ガイドの位置を調整する。
【0007】
他の実施例では、このシステムは、粒子汚染および熱汚染から基板を隔離するために、露光源チャンバ、プロセスチャンバおよび制御チャンバを含む。回転機構は、基板を収納し半径方向機構を支持するためにドラムを含んでいてもよい。半径方向機構は、好ましくは、基板に隣接してエッジ検出器およびガイドエミッタを保持するトラッキング露光ヘッドを支持する。回転機構および半径方向機構は、誘導および停止機構に従ってエミッタおよびエッジ検出器を移動させる。光ファイバアセンブリは、好ましくは放射線を露光源からウェハに向ける。エッジ検出器は、エッジの不規則さに合わせて調整するようトラッキング露光ヘッドを制御するために信号を提供する。
【0008】
【好ましい実施例の詳細な説明】
図1は、基板の周辺上の放射線感光性材料を露光し除去するためのシステム10を示す。簡潔に示すために、半導体ウェハ上のレジストの露光が説明されるが、他の用途も可能である。システム10は、通路15を備えた装着プレート14、システム10を硬質のフレーム(図示せず)に固定するための1対のL型ブラケット16(一方を図示)、およびレベリングアーム65を含む。モジュール保持および水平アーム18、20および22の組は、システム10を、図示されていないロード/アンロードロボットと同じ高さにする。露光源チャンバ24は露光源アセンブリ38(図2B)を収納し、プロセスチャンバ26は露光の間ウェハ12を収納し、制御チャンバ28は制御システムを収納する。
【0009】
図1は、上から下に積み重ねられた露光源チャンバ24、プロセスチャンバ26および制御チャンバ28を示すが、この配置は必須ではない。各チャンバは好ましくは、点検および整備のためのアクセスを含む。3つのチャンバは、露光源チャンバ24および制御チャンバ28で生じた熱をプロセスチャンバ26から隔離する。
【0010】
露光源チャンバ24は内部エンクロージャ30を含み、この内部エンクロージャ30は、露光源アセンブリ38(図2B)を保護し、アクセスドアが外されるとき露光源アセンブリ38との接触に対して安全バリアを提供する。露光源アセンブリ38が紫外線(UV)光源を含む場合、内部エンクロージャ30はまた、オペレータの安全のためにUV放射線を囲む。内部エンクロージャ30はまた、熱汚染および粒子汚染の管理を助ける。プロセスの要件により、どの露光源を用いるかが決定される。たとえば、水銀キセノン等の水銀ランプおよびエキシマレーザは、ウェハ上のレジストを露光することができる。より特定的には、248nmに中心を合わせる遠紫外線レジストにとって好適な露光源は、ホロゲニクス(Hologenix, Huntington Beach, California)によって製造されるハイパーキュア(Hypercure)200である。好適な内部エンクロージャ30および露光源アセンブリ38は、単一のユニットとして、オプティカルアソシエーツ(Optical Associates, Inc., Milpitas, CA)(OAI)から入手できる(たとえば、部品番号0860−0041−01)。
【0011】
露光源チャンバ24は、プロセスチャンバ26につながる通路34を備えたフロア32を有する。空気等の冷却ガスが、プロセスチャンバ26から通路34を通ってもたらされて、内部エンクロージャ30を冷却し、粒子が通路34を通ってプロセスチャンバ26に落ちるのを防ぐ。ダクト140(図8)はまた、空気等のガスをプロセスチャンバ24から抜く。このダクト140は、制御チャンバ28からの排気管142に接続されている。
【0012】
図1および図2Aは、放射線を放射するエミッタ41およびエッジ検出器43を周辺に沿って移動させるための搬送部を示す。エミッタ41は以下に述べられるように、光ファイバおよび/または光学系システムの一部および/またはこれと互換性のあるものである。図2Aおよび図3〜図4に示されるように、搬送部は回転機構および半径方向機構を含む。回転機構は、ウェハ12上の粒子汚染を減ずるためのドラム42を含み、このドラム42は、上部カバー44、下部カバー46、およびウェハ通路49を備えた壁48を含む。回転機構が回転すると、エミッタ41がウェハ12の周辺まわりで回転する。回転ドラムが好ましいが、図1および図2Aは、回転機構が単に、ウェハ12近くで制御された回転が可能な、上部カバー44または硬質の非汚染構造であってもよいことを示す。半径方向機構56は、エミッタ41およびエッジ検出器43をウェハ12の上で半径方向に搬送するが、上部カバー44の上に位置してウェハ12の粒子汚染を減ずる。好ましい実施例では、トラッキング露光ヘッド40はエミッタ41およびエッジ検出器43を支持する。
【0013】
制御チャンバ28は、主制御システム68を支持する電子回路トレイ66の送り出しのための1対の平行なガイド62および64を含む。この主制御システム68はコンピュータを含み、好ましくは、しかし必ずしもそうでなくともよいが、標準の記憶装置および周辺機器、ならびにマウス、キーボードおよび/またはキーパッド等の入力装置、ならびにディスプレイおよび/またはプリンタ等の標準の出力装置とインターフェイス接続可能である。制御チャンバ28は、主制御システム68により生じる熱を除去するための排気管142を含む。プロセスチャンバ26は、ウェハ12を、基部51によって支持されるチャック50上へロードし、かつチャック50からアンロードするためのウェハ通路136を含む。
【0014】
図2Aは、図1に示されるシステム10の上面図である。図2A〜図2Bは、光ファイバアセンブリ36が、内部エンクロージャ30におけるローラおよびスラスト軸受アセンブリ72で終端となることを示す。光ファイバアセンブリ36は、ドラム42等の回転機構(図3〜図4)が回転すると、ローラおよびスラスト軸受アセンブリ72において高速回転する。図2Aは、光ファイバアセンブリ36がウェハ12に隣接するトラッキング露光ヘッド40上のエミッタ41にまで通ずることを示す。
【0015】
上部カバー44は、r軸サーボ制御装置プリント回路板(PCB)74、電荷結合素子(CCD)カウンタPCB76、増幅器PCB78および増幅共振器79を支持する。OAIは、好適なサーボ制御装置PCB74(たとえば、OAI部品番号080−0005−01)およびCCDカウンタPCB76(たとえば、OAI部品番号0860−0003−01)を提供する。CCDカウンタPCB76には、トラッキング露光ヘッド40上に支持されるCCDセンサチップ59と通信する、OAI部品番号5500−007−01等の13ミクロンピッチCCDが組込まれている。ある好適なセンサチップ59に、OAIにより製造される部品番号08600002−02がある。増幅器PCB78および増幅共振器79は、半径方向機構モータ56を駆動するモータ増幅器として機能する。ナノモーション(Nanomotion, Ltd., Yokneam, Israel)は、好適な増幅器PCB78(たとえば、OAI部品番号4900−116−01)、および好適な増幅共振器79(たとえば、OAI部品番号4900−118−01)を製造する。
【0016】
上部カバー44上における専用の制御装置PCB74、76および78の位置付けにより、主コンピュータ68から半径方向機構56までのラインの数を減じる。CCDカウンタPCB76は、トラッキング露光ヘッド40により支持されるPCB上のCCDセンサ59と通信する。各制御装置PCB74、76および78は、好ましくは、図示されていない従来の粒子カバーを含む。
【0017】
図2Aはドラム42を回転させるための回転モータ80を示す。下部カバー46の下方に位置するドラムおよびケーブルトレイ82は、フラットケーブル(図示せず)を格納し、このフラットケーブルは、制御チャンバ28からモータ80ならびに制御装置PCB74、76および78まで延びる電力および制御ラインを担持する。フラットケーブルはドラム回転モータおよびケーブルトレイ82において螺旋状に配置されており、ドラム42がフラットケーブルに圧力を加えることなく回転するときに、フラットケーブルを巻いたり解いたりできる。フラットケーブルはトレイ82から出て、回転ドラム42の円筒形の壁48ならびに制御装置PCB74、76および78に固定される。
【0018】
図2Bは露光源アセンブリ38の詳細を示す。露光源アセンブリ38は、たとえば前述の水銀ランプであるランプ86を、UVに最適化された反射板88に含み、一部が示されている内部エンクロージャフレーム91により支えられている。好適なランプ86に、OAI部品番号3800−162−01がある。反射板88およびフレーム91の隣にあるランプ強度プローブ90は、ランプ86の露光エネルギ出力を監視し、このため出力が必要とされる値より下になる前にランプ86を交換することができる。好適なプローブ90に、OAI部品番号0860−0030−01があり、好ましくは米国国立標準技術研究所(NIST)にトレーサブルであり、これで較正される。NISTトレーサブルとは、プローブ90を較正するために用いられる較正および設備をNISTが文書化していることを意味する。反射板88は好ましくは、露光源アセンブリ38の着脱可能な一部分である。こうして、この好ましい実施例では、反射板88を交換することにより、ランプ86を交換する必要がなくなる。反射板88は、円錐形184においてランプ86からの放射線の焦点を合わせ、この円錐形184の頂部186は、ローラ軸受72内の光ファイバアセンブリ36の光源端部を塞ぐよう一直線に並ぶ。
【0019】
図3は、露光源チャンバ24およびプロセスチャンバ26の構成要素を示すために、エンクロージャ壁が取外された、システム10の斜視図である。図3には、内部エンクロージャ30、露光源チャンバ24およびプロセスチャンバ26を分離するフロア32、光ファイバアセンブリ36、回転ドラム42、トラッキング露光ヘッド40、エミッタ41、半径方向機構56、制御装置PCB74、76および78、共振器モジュール79、上部カバー44、回転ドラム壁48、ウェハ通路49、回転ドラムおよびケーブルトレイ82、プロセスチャンバ26を制御チャンバ28から分離するフロア96、回転リミットスイッチガイドワイヤ120、ブロック従動部114、アーム従動部116、ブロック従動部ガイド118、ならびにガイドブロック126が示される。プロセスチャンバ26の下方部分における構成要素は、後に図7に関連してさらに説明される。
【0020】
図4〜図6はシステム10の構成要素の詳細を示す。図4は、上部カバー44が制御装置PCB74、76および78、ならびに半径方向機構56を支持しているのを示し、この半径方向機構56は、フォトセンサ98、およびフォトセンサ98からの制御信号に従った動作においてL型プレート52がスライドし過ぎるのを防ぐためのスライドストップブロック100を含む。フォトセンサ98はまた、半径方向機構56の定位置を決定する。この定位置および制御装置PCB74、76および78の機能については、図10〜図11に関連して、後にさらに記載される。
【0021】
図5は、エミッタ41(図1)およびエッジ検出器43を支持するトラッキング露光ヘッド40の斜視図である。トラッキング露光ヘッド40は、L型プレート52に取付けられるか、またはL型プレート52と一体化しかつこれに対して垂直なブラケット54を含む。ブラケット54は、CCDセンサ59に面する発光ダイオード(LED)58を含むエッジ検出器43を支持する。CCDセンサ59は、ウェハ12によって覆われないLED58からの放射線を捕捉して、後述のように、ウェハ12のエッジを検出する。好適なLED58は、OAI部品番号080−0018−01である。
【0022】
クラッシュセンサ61は、トラッキング露光ヘッド40の経路の障害物を検出し、図11に関連して下に説明される保護論理回路164を動作させ、この保護論理回路164は、障害物が取除かれるまでトラッキング露光ヘッド40のさらなる半径方向移動を止めるようモータ108に命令する。
【0023】
図4〜図6は、半径方向機構56がトラッキング露光ヘッド40のL型プレート52に取付けられているのを示す。図5に示されるように、半径方向機構56自体は、上部カバー44に搭載された固定スライドベース102、ならびに外側のクロスローラ軸受レール105および107を備えたスライド往復台104を含み、このスライド往復台104は、固定スライドベース102の平行な内側のクロスローラ軸受レール110および112上をスライドする。リニアエンコーダ106と、エンコーダ−モータ嵌合ブラケット109により支持されるピエゾセラミックリニアモータ108と、可動スライド往復台104の側面に接着されかつリニアエンコーダ106に隣接するエンコーダテープ(図示せず)とが、トラッキング露光ヘッド40の、ウェハ12に対する制御された半径方向移動をもたらす。好適な半径方向機構56に、OAI部品番号0860−0010−01がある。
【0024】
半径方向機構56は、エミッタ41を支持するトラッキング露光ヘッド40を、ウェハ12の周辺の露光のために所定位置へ搬送し、また、CCDセンサ59およびLED58を含むエッジ検出器43を搬送する。リニアエンコーダ106は半径方向機構56のスライド往復台104の位置を測定し、これによりCCDセンサ59の位置が示される。CCDセンサ59の信号は、スライド往復台104およびトラッキング露光ヘッド40の線形位置の関数である。たとえば、モータ108が半径方向機構56をウェハ12の中心に向かって10mm移動させると、CCDセンサ59からはウェハ12が10mm分多く見える。すなわち、ウェハ12は、LED58からの光のうち、何らかの計算可能な量がCCDセンサ59により捕捉されるのを阻止する。
【0025】
図7は、ドラム42等の回転機構を回転させ、誘導し、その回転を停止させるのに用いられる構成要素の斜視図である。一実施例では、構成要素はプロセスチャンバ26のフロア96上に搭載される。フロアは、ドラム42(図3)を回転させるためのモータ80(図2A)のための孔130、および、電気ケーブル、たとえばモータ80と関連づけられるケーブル等のための通路132を含む。図3および図7に示されるように、ブロック従動部114は、ドラム42の下部カバー46(図2A)で、およびブロック従動部ガイド118上で回動するアーム従動部116の回動点で回動する。ブロック従動部ガイド118は、ガイドワイヤ120と関連してスライドすることを可能にする開口部を含む。ガイドワイヤ120は、反射センサブラケット124により保持される反射センサ122を含み、この反射センサ122は、ブロック従動部ガイド118がセンサ122と隣接するとき検出を行ない、ドラム42を回転させるモータ80を停止させるよう制御信号を与える。ガイドワイヤ120の反対側の端部は、反射センサブラケット129により保持される反射センサ127を含み、この反射センサ127は、ブロック従動部ガイド118がセンサ127と隣接するとき検出を行ない、ドラム42を回転させるモータ80を停止させるよう制御信号を与える。システムはまた、センサ127を支持するために堅固な止め具128を備える。
【0026】
図8は、ウェハ通路136を備えたエンクロージャ壁134、内部エンクロージャ30、ドラム42、ワイヤダクト138、ならびに露光源チャンバ24および制御チャンバ26から排気管142への電気ユーティリティおよび熱除去のための通路を提供するダクト140を備えた、図1〜図2に示されるシステムの斜視図である。
【0027】
図9および図12に示される代替のガイドは、ランプハウス積分球166から光学系システムを介してウェハ12へ光(たとえば、UV)を送る、光反射アセンブリ200を含む。積分球166は、積分球166に孔202を介して挿入され、好ましくは積分球166の焦点に配置される、200ワットの水銀ランプ等のランプ(図示せず)からのエネルギを集める。これは、ランプからウェハ12への光の伝達損失を補うのに役に立つ。図9および図12に示されるように、積分球166からの光は光遮蔽部230を通って伝わり、上部のレンズ168により平行にされる。反射鏡170は、平行光を反射し、この光を光線(line beam)に絞るために曲げられる。この光線は、途中でベローズ172を介して従来のハウジング176に伝わり、この従来のハウジング176は従来のフィルタおよび光線変向鏡232を含んでおり、この光線変向鏡232の配向は、1組の鏡ノブ177および179ならびに/または下部のレンズ234の向きを変えることにより調整することができる。ベローズ172は、トラッキング露光ヘッド40(図1)がウェハ12をわたり半径方向に移動するとき、拡張および収縮する。図示のとおり、光線変向鏡170および232、ならびにレンズ168および234は、光を、ハウジング176の底の開口部236によって形成される光の柱(light column)182に向け直し、ウェハ12上のレジストを露光する。好適な光反射アセンブリ200に、OAI部品番号0860−055−01がある。リバーモア(Livermore, California)のCVIは、好適な上部のレンズ168(たとえば、CVI部品番号RCX49.0−38.1−UV245−390)、下部のレンズ234(たとえば、CVI部品番号RCX40.0−19.1−UV245−390、コーティング済)、ならびに反射板の前面部上に紫外線強化された誘電体を有する光線変向鏡170および232(たとえば、CVI部品番号TLM248/365−45UNP−RW50.0−30.0−5.0)を提供する。
【0028】
図10は制御システムの一実施例のブロック図であり、この制御システムは、システムスーパーバイザ144、r軸モジュール146、シータ軸モジュール148および調整モジュール150の4つのモジュールを含む。システムスーパーバイザ144はハイレベルの制御機能を実行し、モジュール146、148および150はローレベルの運動制御機能を実行する。システムスーパーバイザ144は、レシピを、SVGプロ・セル・ホストコンピュータ(SVG Pro Cell Host Computer)等の外部ホストから、たとえばRS−232シリアル通信を介して受取り、レシピにより特定された露光作業を行なうようローレベルのモジュール146、148および150に指令する。ローレベルのモジュール146、148および150は実時間の制御機能を実行し、このためシステムスーパーバイザ144とローレベルのモジュール146、148および150との間の通信は速度優先とはならない。したがって、従来のシリアル通信を、システムスーパーバイザ144と他のモジュール146、148および150との間で用いることができ、配線の複雑さが減じられる。システムスーパーバイザ144は好ましくはシングルボードコンピュータ68(図1)で実施され、このため小型であり、プログラムの作成が容易で、所望の場合ハードドライブおよびフロッピー(R)ドライブ等の標準のコンピュータ周辺機器を用いてもよい。
【0029】
運動制御システムの動作の詳細が図10〜図11に関連して説明される。シータ軸モジュール148は、ウェハ12のまわりに露光線を与えるエミッタ41を回転させるドラム42の制御を担う。シータ軸モジュール148は、モータ80、回転エンコーダおよび制御電子回路を含む、従来の回転ステージから構成される。
【0030】
調整モジュール150は、r軸制御装置の運動を、シータ軸の運動と調整することを担う。調整モジュール150は、シータ軸回転エンコーダと接続することによりシータ軸位置を監視し、このシータ軸回転エンコーダは、r軸制御装置のためにシータ軸位置を示す一連のパルスを生成する。シータ軸がある小さい角度だけ回転するたびに、1パルスが生成される。調整モジュール150はまた、r軸制御装置がノッチまたはフラットを検出するとシータ位置を捕捉する。これにより、システムスーパーバイザ144が、捕捉されたシータ位置を読取ることによりノッチまたはフラットの場所を判定することが可能となる。
【0031】
r軸モジュール146の主要な機能は、半径方向機構56を制御して、エミッタ41を、ウェハ12のエッジに沿った移動中、適切な露光深度となるよう移動させることである。r軸モジュール146は、モータ108に送られた電力を制御して、エミッタ41を半径方向に移動させる。露光線位置がリニアエンコーダ106で決定され、LED58およびCCDセンサ59がウェハエッジ位置を検出し、このため測定されたウェハエッジ位置は絶対位置ではなく露光線位置と相対的である。CCDセンサ59を照射するのに、エミッタ41からの放射ではなく、LED58が用いられ、このためウェハ12を露光することなくエッジ位置を決定し得る。CCDセンサ59は好ましくは露光線に対しても直接対向しないが、これは露光線がCCDセンサ59にとってあまりにも強いおそれがあるからである。一実施例では、CCDセンサ59は、8mm等の小さなオフセットだけ露光線を導く。したがって、CCDセンサ59からの即値データは、エミッタ41の前方の位置に対応する。この実施例は先入れ先出し(FIFO)バッファ156(図11)等の記憶装置を用いて、CCDセンサ59からの入力データを、露光線がウェハ12の周辺上の、そのCCDデータに対応する同じ地点に達するまで記憶する。調整モジュール150により生成される調整信号は、FIFOバッファ156を通じたデータのシフトを管理する。FIFOバッファ156は、信号の各パルスごとに1位置分シフトされる。パルス間のシータ軸間隔を較正することにより、FIFOバッファ156から出ていくデータを、エミッタ41の即時位置と適合させることができる。
【0032】
CCDセンサ59がトラッキングヘッド40とともに移動するので、CCDデータはトラッキング露光ヘッド40の即時位置に依存する。たとえば、トラッキングヘッド40が半径方向に10mm内方へ移動する場合、CCDセンサ59からはウェハ12が10mm分多く見える。すなわち、ウェハ12は、LED58からの光のその量が、CCDセンサ59により捕捉されるのをさらに阻止する。この発明は、CCDデータから、エンコーダ106により測定される半径方向位置を減ずることにより、この依存性を補償する。結果として生じるデータはトラッキング露光ヘッド40の位置に依存しない。この補償されたデータは次いで、上述のとおり、FIFOバッファ156に記憶される。
【0033】
図11は、r軸サーボ制御装置PCB74の機能性を示す。PID補償器162は、r軸モジュール146を基準位置信号により特定された位置に駆動する、閉ループ位置制御装置である。これは、瞬時位置誤差を誤差の積分および誤差の微分と組合わせることにより瞬時のモータコマンドを決定する、従来のPID補償技術を用いて達成される。
【0034】
基準位置は、たとえばナノモーションのモータである、モータ108にとって、いかなる時点においても所望の位置である。これは、現在の動作のモードに従って制御装置によって生成される。単純な2地点間の移動については、基準は所望の加速度、速度、最終位置および時間に基づく。エッジトラッキングの場合、基準位置は、ウェハエッジ位置および所望の露光深度に基づく。制御装置は、基準位置を用いてモータ108に対する出力を決定する。理想的には、モータは常に正確に基準位置にあるが、実際には、モータ/ロードの慣性、制御装置の限界、モータに対する外力および他の要因のせいで逸れる。
【0035】
コマンドがモータ108に送られる前に、クラッシュ保護論理回路164がクラッシュセンサ61、すなわち光電遮断ビーム検出器(a photoelectric break beam detector)(OAI部品番号0860−0044−01)をチェックして、露光トラッキングヘッド40の経路に障害物があるかどうかを判定する。クラッシュが差し迫っている場合、制御システムは、信号を用いてその方向への移動を妨げるようモータ108に命令して、システム10に対する損傷を避ける。
【0036】
図11の残りのブロックは、システムスーパーバイザ144から受取ったコマンドに基づく基準位置の生成を担う。コマンドシーケンサ158は、RS−232等の従来のシリアル通信により、システムスーパーバイザ144からハイレベルのコマンドを受取る。コマンドシーケンサ158は、ウェハエッジの発見およびトラッキング、または定位置への移動等のハイレベルのコマンドを、制御の3つの基本モード間で切換えることにより実行する。これらモードはトラッキング、移動および保持であり、これらの各々は、異なった態様で基準位置信号を生成する。保持モードは、モータ108の位置が一定に保持されるよう一定の基準位置を維持する。この保持モードは、典型的には、r軸がその最終目的地に到達したときに用いられる。
【0037】
トラッキングモードを用いるのは、半径方向機構56が、ウェハ12のエッジからある固定された間隔を維持しなければならないとき、たとえばウェハ12のエッジを露光するとき等である。トラッキングモードは、CCDセンサ59およびリニアエンコーダ106の両方からのデータを用いて基準位置を生成する。
【0038】
CCDセンサ59の出力はウェハ位置に対して線形ではないが、これはLED58からの照射光の入射角がCCDの長さにわたって一定ではないからである。CCDセンサの出力は非線形変換152によって線形にされる。CCD測定値を露光の際には取らないので、データは、上述のとおりFIFOバッファ156を介して送られる。FIFOバッファ156から得られる位置は、露光の際のウェハエッジの絶対位置に対応する。次いで、所望の深度がエッジ位置から減じられて、エミッタ41からの露光線の所望の位置が得られる。最後に、基準位置をこの所望の露光位置と等しくセットすることにより、リニアモータ108が適切な露光位置に移動される。
【0039】
制御の第3のモードは移動モードである。これを用いて、半径方向機構56を所望の目的地に移動させる。たとえば、ウェハ12の露光が完了すると、システムスーパーバイザ144はr軸モジュール146に、ウェハエッジから休止位置まで遠ざかるよう命令する。最終目的地まで滑らかに、制御して移動させるために、基準位置が、台形速度分布ブロック160に従って時間をかけて更新される。これは、基準位置を突然変えるのではなく、最終位置に到達するまで少しずつ変えることを意味する。台形速度分布は、最高速度までの一定の加速、平行移動中の一定の速度、および最終位置までの一定の減速という特徴を有する。図11の左下方にある台形分布ブロック160は、システムスーパーバイザ144によって特定される最終位置、速度および加速度に従った時間変動性の基準位置の生成を担う。
【0040】
ノッチ/フラット検出器154はウェハ12上のノッチまたはフラットを検出し、その位置を決定することができる。r軸モジュール146は、CCD測定値および調整モジュール105からの調整パルスを用いて、ウェハエッジの曲率を算出する。ノッチまたはフラットの隅部は比較的大きな曲率を有しており、このためノッチ/フラット検出器154は、曲率算出に基づいてウェハ12のノッチまたはフラットを検出する。ノッチまたはフラットが検出されると、r軸モジュール146は調整モジュール150に信号を送り、調整モジュール150は、回転ドラム42の現在のシータ位置を即時に捕捉する。
【0041】
いくつかの適用では、露光された周辺がウェハ12のノッチで浸漬することがあってはならない。このような事態は、一定の露光深度がウェハ12のまわりを通じて維持される場合に生ずる。ウェハ12のエッジがマッピングされないので、r軸モジュール146は、好ましくはノッチの場所を知る必要なくノッチを飛ばさねばならない。クリップを行なうとき、ノッチ位置を各露光の前に判定してもよいが、これは典型的には行なわれない。しかしながら、CCDセンサ59が好ましくは、エミッタ41から露光線を公知の僅かな間隔、すなわちオフセット分だけ導くので、ノッチを、露光の少し前に検出することができる。ノッチが検出されると、トラッキング(すなわち、エッジ検出)がノッチが始まるちょうど前の地点まで続く。この地点で、トラッキングを停止し、半径方向機構56を固定させておくが、この間ドラム42は回転している。r軸モジュール146は、露光線がノッチの上を通過するとき、一定の深度を保持するよう構成される。露光線がノッチの上を通過すると、r軸モジュール146はウェハ12のエッジのトラッキングを再開し、ウェハ12の残りが一定の深度で露光される。
【0042】
いくつかの適用では、ウェハ処理のために、クリップと呼ばれる小さな領域を露光する必要がある。典型的には、ウェハ12のエッジのまわりに、ノッチまたはフラットから公知の間隔で分散された3〜6個のクリップがある。以下にノッチについて述べるが、フラットも同様に扱ってもよい。クリップの露光は、ノッチまたはフラットの場所を決定することにより始まる。露光源アセンブリ38のランプがオフにされた状態で、ドラム42がシータ軸モジュール148に従って回転し、r軸モジュール146がウェハエッジをトラッキングする。CCDセンサ59がノッチまたはフラットの上を通過すると、ノッチまたはフラット位置が捕捉され、トラッキング露光ヘッド40を備えたドラム42が定位置まで戻る。次いで、露光源アセンブリ38のランプがオンにされ、エミッタ41を備えたドラム42を回転させて、第1のクリップが始まる部分まで露光する。レシピが、ノッチまたはフラットに対する各クリップの開始および停止位置を決定するための情報を提供する。露光源アセンブリ38の露光源をオンにする前に、この装置がウェハエッジをスキャンして、定位置に対するノッチ位置を決定する。この装置は次いで、レシピを用いて、定位置に対するクリップの開始/停止位置を決定する。
【0043】
回転を止めた状態で、半径方向機構56がエミッタ41をクリップの露光深度まで移動させ、そして回転がクリップの長さにわたって続く。レシピが、クリップ寸法(角度またはアーク長のどちらか)を特定する。これは、回転モータ80のための回転距離に変換される。回転モータ80は単に、この距離を移動するよう命令されて、クリップを露光する。半径方向機構56がエミッタ41をクリップのない周辺の深度に戻し、ウェハ12の周辺全体が露光されるまでこのプロセスが続けられる。露光が完了すると、露光源がオフにされ、エミッタ41が定位置まで回転して戻される。
【0044】
代替的には、ノッチの位置を捕捉してもよく、エミッタ41をオンにして、クリップを含む周辺をその直後に露光してもよく、エミッタ41を定位置に戻し、いかなるクリップをも備えた残りの周辺をノッチまたはフラットまで露光してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】システムの露光チャンバ、プロセスチャンバ、および制御チャンバにおける構成要素を示すためにエンクロージャ壁を取外した、システムの斜視図である。
【図2A】図1のシステムを示す正面図である。
【図2B】露光源チャンバにおける、内部エンクロージャ内の露光源アセンブリの概略図である。
【図3】図2Bに示される露光源アセンブリを収納する内部エンクロージャと、露光源から、回転ドラムに隣接して位置するトラッキング露光ヘッドにより支持されるエミッタまで導くガイドとを示す、システムの斜視図である。
【図4】回転ドラム上に搭載される構成要素に関する詳細を示す、図3に示される回転ドラムの斜視図である。
【図5】トラッキング露光ヘッドの一実施例の斜視図である。
【図6】半径方向機構の上部分の一実施例の斜視図であり、トラッキング露光ヘッドを移動させるのに用いられるスライド、レール、リニアエンコーダおよびモータを示す図である。
【図7】回転機構のための誘導および停止機構を含むプロセスチャンバのフロアの斜視図である。
【図8】エアダクトおよびワイヤダクトを示す、図1のシステムの斜視図である。
【図9】露光源からウェハに放射線を送るためのガイドの代替的な実施例である。
【図10】制御システムの一実施例を示すブロック図である。
【図11】制御システムのr軸モジュールのブロック図である。
【図12】図9に示される実施例で用いられる光学系システムの概略図である。
Claims (21)
- 基板周辺上で材料を露光するシステムであって、
ガイドに連結され、周辺で放射する露光源アセンブリと、
基板エッジを検出し、これを示す信号を生成するためのエッジ検出器と、
露光源アセンブリおよびエッジ検出器のための搬送部と、
信号を処理し、信号に従って周辺を露光するように移動するよう搬送部に命令する制御システムとを含む、システム。 - ガイドは光ファイバおよび/または反射屈折式アセンブリを含む、請求項1に記載のシステム。
- 搬送部は、ガイドを基板の上で移動させるための回転機構および半径方向機構を含む、請求項1に記載のシステム。
- 搬送部は、ガイドおよびエッジ検出器を支持するトラッキング露光ヘッドを含む、請求項1に記載のシステム。
- 回転機構および半径方向機構のための誘導機構および停止機構をさらに含む、請求項3に記載のシステム。
- 回転機構は半径方向機構を支持し、この半径方向機構はトラッキング露光ヘッドを支持する、請求項4に記載のシステム。
- 回転機構は、基板を収納しかつ半径方向機構を支持するドラムであり、この半径方向機構は、基板に隣接してエッジ検出器およびガイドを保持するトラッキング露光ヘッドを支持する、請求項4に記載のシステム。
- 基板の周辺を露光するためのシステムであって、
露光源を収納するチャンバと、
プロセスチャンバとを含み、このプロセスチャンバは、
支持部上の基板と、
エッジ検出器およびエミッタを備えた搬送部とを含み、前記システムはさらに、
露光源をエミッタに連結するガイドと、
基板エッジを示す信号を検出器から受取り、そのエッジ信号に従って、基板の周辺に沿って搬送部を導く制御システムとを含む、システム。 - 制御チャンバは主制御システムを収納し、露光源チャンバは露光源を収納する内部エンクロージャを含む、請求項8に記載のシステム。
- 露光源アセンブリおよび主制御システムにより生じる熱を除去するダクトをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 搬送部は、周辺に沿ってエミッタを回転させるための機構、基板の上でのエミッタの半径方向移動のための機構、ならびにエミッタおよびエッジ検出器を支持するトラッキング露光ヘッドを含む、請求項8に記載のシステム。
- 回転機構および半径方向機構は、誘導機構および停止機構に従ってエミッタおよびエッジ検出器を移動させる、請求項11に記載のシステム。
- 回転機構は半径方向機構を支持し、この半径方向機構はトラッキング露光ヘッドを支持する、請求項11に記載のシステム。
- 回転機構は半径方向機構を支持するドラムであり、この半径方向機構は、基板に隣接してエッジ検出器およびエミッタを保持するトラッキング露光ヘッドを支持する、請求項11に記載のシステム。
- 基板の周辺上の放射線感光性材料を露光する方法であって、
基板を固定支持部上に置くステップと、
周辺上の材料を、固定基板の周辺に沿って露光線を移動させることにより露光するステップと、
固定基板の周辺に沿って検出器を移動させることにより、基板エッジを検出し、エッジ信号を生成するステップと、
エッジ信号に従って露光の深度を制御するステップとを含む、方法。 - エッジ信号を記憶装置にシーケンスで記憶するステップと、エッジ信号をそのシーケンスで読出すステップとをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 基板、支持部、検出器および放射端部を露光源から隔離するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 基板がウェハであり、放射線感光性材料がフォトレジストであり、ウェハは、エッジを検出するステップと、周辺上のフォトレジストを露光するステップとの間固定されている、請求項15に記載の方法。
- 検出器および露光源は、ウェハの周辺を露光する必要がある場合、ウェハのまわりを回転し、半径方向に移動する、請求項18に記載の方法。
- ウェハ周辺の露光を制御する方法であって、エミッタの種々の機械的な移動を示すコンピュータの記憶データに依存しており、前記方法は、
コンピュータプロセッサを用いて、ウェハ基準に対する露光線の角度位置を算出するステップと、
センサを回転させてウェハのエッジを決定するステップと、
角度位置の関数としてエッジを算出するステップと、
エッジおよび対応する角度位置を記憶装置に記憶するステップと、
記憶装置からエッジおよび角度位置を読出して、ウェハの周辺を露光する光線を調整するステップとを含む、方法。 - 基板の周辺上で材料を露光するシステムであって、
放射線を周辺に向けるエミッタを備えた反射屈折式アセンブリに連結された露光源アセンブリと、
基板エッジの場所を突き止め、この場所を示す信号を生成するための検出器と、
周辺に沿ってエミッタを移動させるための搬送部と、
制御システムとを含み、エッジ検出器は信号を制御システムに送り、この制御システムは、信号を処理し、エミッタを移動させる搬送部を制御して周辺を露光させる、システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/709,975 US6509577B1 (en) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | Systems and methods for exposing substrate periphery |
PCT/US2001/047539 WO2002039182A1 (en) | 2000-11-10 | 2001-11-08 | Systems and methods for exposing substrate periphery |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004513527A true JP2004513527A (ja) | 2004-04-30 |
JP2004513527A5 JP2004513527A5 (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=24852096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002541445A Pending JP2004513527A (ja) | 2000-11-10 | 2001-11-08 | 基板周辺を露光するためのシステムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6509577B1 (ja) |
EP (1) | EP1340123B1 (ja) |
JP (1) | JP2004513527A (ja) |
KR (1) | KR100860089B1 (ja) |
WO (1) | WO2002039182A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329475A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7281339B2 (en) * | 2004-05-06 | 2007-10-16 | Universal Instruments Corporation | Encoder system |
US7121010B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-10-17 | Black & Decker Inc. | Line generating device |
US7161669B2 (en) * | 2005-05-06 | 2007-01-09 | Kla- Tencor Technologies Corporation | Wafer edge inspection |
KR100677988B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-02-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 포토 장비의 노광 에너지 튜닝 장치 및 방법 |
NL2014645A (en) | 2014-04-16 | 2015-11-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method for positioning an object in a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN111562625B (zh) * | 2020-05-25 | 2021-05-18 | 中商七一一船舶科技发展有限公司 | 一种基于红外摄影设备的火场火点勘探车 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4899195A (en) * | 1988-01-29 | 1990-02-06 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of wafer |
JPH0795516B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
JPH0612756B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1994-02-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハの周辺部露光装置 |
US5289263A (en) * | 1989-04-28 | 1994-02-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for exposing periphery of an object |
JP2874280B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1999-03-24 | 株式会社ニコン | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
US5229811A (en) * | 1990-06-15 | 1993-07-20 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing peripheral portion of substrate |
JP2874292B2 (ja) * | 1990-06-15 | 1999-03-24 | 株式会社ニコン | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
US5420663A (en) * | 1993-03-19 | 1995-05-30 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing peripheral portion of substrate |
JPH0950951A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Nikon Corp | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
TW316322B (ja) * | 1995-10-02 | 1997-09-21 | Ushio Electric Inc | |
JP3237522B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2001-12-10 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法および装置 |
KR100257279B1 (ko) * | 1996-06-06 | 2000-06-01 | 이시다 아키라 | 주변노광장치 및 방법 |
JP2000021765A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Nikon Corp | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
-
2000
- 2000-11-10 US US09/709,975 patent/US6509577B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-08 WO PCT/US2001/047539 patent/WO2002039182A1/en active Application Filing
- 2001-11-08 JP JP2002541445A patent/JP2004513527A/ja active Pending
- 2001-11-08 EP EP01993844A patent/EP1340123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-08 KR KR1020037006391A patent/KR100860089B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329475A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030091938A (ko) | 2003-12-03 |
US6509577B1 (en) | 2003-01-21 |
EP1340123B1 (en) | 2011-10-19 |
EP1340123A1 (en) | 2003-09-03 |
KR100860089B1 (ko) | 2008-09-25 |
WO2002039182A1 (en) | 2002-05-16 |
EP1340123A4 (en) | 2005-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7692764B2 (en) | Exposure apparatus, operation decision method, substrate processing system, maintenance management method, and device manufacturing method | |
US10777441B2 (en) | Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method | |
US8477301B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system and inspection/periphery exposure apparatus | |
JP6543064B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
TW200403543A (en) | Reflection mirror apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method | |
KR20120038886A (ko) | 열처리방법 및 열처리장치 | |
JP2002353096A (ja) | 基板搬送方法、露光装置及び露光方法 | |
EP1340123B1 (en) | Systems and methods for exposing substrate periphery | |
US6549277B1 (en) | Illuminance meter, illuminance measuring method and exposure apparatus | |
JP3163636B2 (ja) | 処理装置、ステージ装置、及び露光装置 | |
JP2000091192A (ja) | 露光装置 | |
JPH1041376A (ja) | 基板保持装置、基板保持方法及び露光装置 | |
JP2001159613A (ja) | 異物検査装置およびこれを備えた露光装置 | |
JP4722684B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11251236A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
KR20230062831A (ko) | 리소그래피 장치를 위한 포드 핸들링 시스템 및 방법 | |
JP4113822B2 (ja) | エッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置 | |
JP3256462B2 (ja) | レジスト処理方法及びレジスト処理システム | |
JPH07240366A (ja) | 露光装置 | |
JP2004513527A5 (ja) | ||
WO1999038207A1 (fr) | Procede et appareil de detection de tranche | |
JP6675580B2 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2005311259A (ja) | 駆動機構の劣化検出装置及び方法並びに露光装置 | |
JP2001124622A (ja) | 紫外線照度測定機構 | |
JP2005026439A (ja) | 電子線描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040610 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061214 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080220 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080313 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080501 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080616 |