JP2002353096A

JP2002353096A - 基板搬送方法、露光装置及び露光方法

Info

Publication number: JP2002353096A
Application number: JP2001152820A
Authority: JP
Inventors: Toshiya Ota; 稔也太田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-05-22
Filing date: 2001-05-22
Publication date: 2002-12-06

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に悪影響を及ぼすことなく帯電した静電
気を効率良く除去できる基板搬送方法、露光装置及び露
光方法を提供する。【解決手段】露光装置ＥＸは、感光基板Ｐを載置する
基板ホルダＰＨと、感光基板Ｐを載置する基板ホルダＰ
Ｈの載置面Ａに沿って露光光ＥＬとは異なる軟Ｘ線ＸＢ
を照射する軟Ｘ線照射部１１とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板ホルダに基板
を搬送する基板搬送方法、感光基板に露光光を照射する
露光装置及び露光方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示素子や半導体素子あ
るいは薄膜磁気ヘッド等を製造する際のフォトリソグラ
フィ工程においては種々の露光装置が用いられている
が、露光光（露光用照明光）でフォトマスクあるいはレ
チクル（以下、「マスク」と称する）を照明し、マスク
に形成されたパターンの像を、表面にフォトレジスト等
の感光剤が塗布された基板上に投影光学系を介して投影
露光する露光装置が一般的に使用されている。

【０００３】感光剤を塗布された基板（感光基板）は、
搬送装置によって露光装置の基板ホルダに搬送され、こ
の基板ホルダに載置された状態で露光光を照射される。
そして、露光処理を施された感光基板は基板ホルダから
搬出されるが、搬出の際、基板ホルダと基板との間で剥
離帯電が生じる場合がある。帯電した基板には、ゴミな
どの異物が付着したり、素子が絶縁破壊したりする問題
が生じる。したがって、基板に帯電した静電気を除去す
る必要がある。

【０００４】従来、基板に帯電した静電気を除去する除
電装置として、針状の電極に高電圧を印加してガス（エ
ア）をイオン化し、このイオンガスを基板に供給して静
電気を除去する除電装置や、基板に軟Ｘ線を照射して基
板の周囲のガスをイオン化して静電気を除去する除電装
置がある。軟Ｘ線を用いた除電装置としては、例えば、
図１４に示すようなものがある。図１４に示す除電装置
１４０は、基板Ｐの表面に対して上方から軟Ｘ線を照射
するものであって、基板Ｐの上方に配置されている。基
板Ｐの表面に照射された軟Ｘ線は基板表面近傍のガスを
イオン化することによって基板Ｐに帯電している静電気
を除去する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】軟Ｘ線を用いた除電装
置は、電極に高電圧を印可する除電装置に比べて精密な
除電が可能となり、周囲に誘導電荷が発生しにくいとい
う点で有利である。しかしながら、軟Ｘ線を基板表面に
照射した場合、たとえ軟Ｘ線が基板表面に塗布されてい
る感光剤を感光させる帯域の波長を有していなくても、
軟Ｘ線を長時間照射された感光剤には現像処理後にムラ
が発生するといった問題があった。したがって、感光剤
塗布処理や、露光処理、あるいは現像処理に関する工程
においては軟Ｘ線を用いた除電装置の使用は困難であっ
た。

【０００６】また、除電処理は通常、常時連続して行わ
れるので、基板は長時間軟Ｘ線に晒されることになり、
悪影響を更に受ける。

【０００７】また、前述したように、基板は基板ホルダ
から搬出される際の剥離帯電によって最も帯電しやす
い。この場合、静電気は基板の裏面に多く帯電するが、
上述したように、従来の除電装置は基板の表面側から除
電する構成であって基板の裏面を直接除電しないので、
除電効率が低かった。

【０００８】更に、基板の上方に除電装置を配置する構
成において、基板全体を除電するためには、除電装置と
基板との距離をある程度大きくする必要がある。しかし
ながら、露光装置において、基板の上方の空間には各種
装置・機構が存在しているので、装置設計上、除電装置
を取り付けることが困難であった。

【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、基板ホルダに基板を搬送する際、基板に悪影
響を及ぼすことなく帯電した静電気を効率良く除去でき
る基板搬送方法、基板に帯電した静電気を効率良く除去
し、精度良い露光処理ができる露光装置及び露光方法を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図１３に対応付け
した以下の構成を採用している。本発明の基板搬送方法
は、基板ホルダ（ＰＨ）に基板（Ｐ）を搬送する基板搬
送方法において、基板（Ｐ）を載置する基板ホルダ（Ｐ
Ｈ）の載置面（Ａ）に沿って軟Ｘ線（ＸＢ）を照射する
ことを特徴とする。

【００１１】本発明によれば、基板ホルダを載置する基
板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射するので、基板
の裏面を直接除電することができ、効率良く除電でき
る。また、基板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射す
ることにより、基板の裏面を広範囲に効率良く除電でき
る。

【００１２】本発明の露光装置（ＥＸ）は、感光基板
（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射する露光装置において、
感光基板（Ｐ）を載置する基板ホルダ（ＰＨ）と、感光
基板（Ｐ）を載置する基板ホルダ（ＰＨ）の載置面
（Ａ）に沿って露光光（ＥＬ）とは異なる軟Ｘ線（Ｘ
Ｂ）を照射する軟Ｘ線照射部（１１）とを備えることを
特徴とする。

【００１３】本発明によれば、基板ホルダを載置する基
板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射するので、感光
基板の裏面を直接除電することができ、効率良く除電で
きる。また、軟Ｘ線は感光基板の裏面側に照射され、表
面に塗布されている感光剤に向けて重点的に照射されな
いので、感光剤に悪影響を与えない。したがって、精度
良く安定した露光処理を行うことができる。また、基板
ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射することにより、
感光基板の上方に各種装置・機構が存在していても、軟
Ｘ線の照射動作は妨げられないので、作業効率良く除電
できる。また、基板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照
射することにより、感光基板の裏面を広範囲に効率良く
除電できる。

【００１４】本発明の露光方法は、感光剤を塗布された
基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露
光する露光方法において、基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）
を照射した後に、露光光（ＥＬ）とは異なる軟Ｘ線（Ｘ
Ｂ）を基板（Ｐ）に向けて照射することを特徴とする。

【００１５】本発明によれば、露光処理後における感光
基板の除電を効率良く行うことができる。そして、露光
処理後において基板の除電をすることにより、その後の
現像処理など他の工程を安定して行うことができる。ま
た、感光基板に対して常時軟Ｘ線を照射せずに、露光処
理後に軟Ｘ線を照射するので、感光基板が軟Ｘ線に晒さ
れる時間を最小限に抑えることができる。したがって、
感光基板に悪影響を及ぼすことなく精度良く安定した露
光処理を行うことができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の基板搬送方法、露
光装置及び露光方法について図面を参照しながら説明す
る。図１は本発明の露光装置を含むデバイス製造システ
ムを上方から見た概略平面図、図２は本発明の露光装置
を側方から見た概略構成図、図３は図２の要部拡大図で
あって基板ステージ近傍の側面図、図４は基板ステージ
近傍の斜視図、図５は制御系を示すブロック図である。
なお、以下の説明において、露光装置のうち投影光学系
の光軸方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する方向をそれ
ぞれＸ方向及びＹ方向とする。また、それぞれの軸周り
の回転方向をθＺ、θＸ、θＹとする。

【００１７】図１において、デバイス製造システムＳＹ
Ｓは、基板（ガラスプレート）にレジスト（感光剤）を
塗布するコータ（塗布装置）Ｃと、レジストを塗布され
た基板（感光基板）Ｐに露光光を照射して感光基板Ｐを
露光する露光装置ＥＸと、露光処理を施された感光基板
Ｐを現像処理するデベロッパ（現像装置）Ｄとを備えて
いる。露光装置ＥＸはチャンバＣ１内に収められてお
り、コータＣ及びデベロッパＤ（以下、「コータ・デベ
ロッパＣ／Ｄ」と称する）はチャンバＣ２内に収められ
ている。チャンバＣ２内には、コータＣでレジストが塗
布された基板Ｐを露光装置ＥＸ側に渡すとともに、露光
装置ＥＸ側から露光処理後の感光基板Ｐを受けてデベロ
ッパＤに搬送する搬送装置Ｈ２が設けられている。チャ
ンバＣ１内には、レジストが塗布され露光処理前の感光
基板Ｐを露光装置ＥＸに搬送するとともに、露光処理後
の感光基板Ｐを露光装置ＥＸから搬出する搬送装置Ｈ１
が設けられている。また、チャンバＣ１内には、感光基
板Ｐを温調する温調装置Ｅが設けられている。

【００１８】搬送装置Ｈ１，Ｈ２のそれぞれは、例え
ば、多関節型のロボットアームによって構成されてお
り、先端部分に感光基板Ｐを吸着保持するための吸着保
持部を備えている。そして、搬送装置Ｈ１，Ｈ２のそれ
ぞれは吸着保持部に連結された真空ポンプ（不図示）の
駆動・停止により感光基板Ｐを吸着保持・解除する。ま
た、搬送装置Ｈ１，Ｈ２のそれぞれはθＺ方向に旋回可
能に設けられているとともに関節を伸縮自在に設けられ
ており、保持した感光基板Ｐを任意の位置に搬送可能と
なっている。

【００１９】感光基板Ｐは、チャンバＣ１，Ｃ２間を搬
送される際、温調装置Ｅを経由して搬送される。すなわ
ち、コータ・デベロッパＣ／Ｄ側の搬送装置Ｈ２は、コ
ータＣから受けた感光基板ＰをチャンバＣ１，Ｃ２のそ
れぞれに設けられている開口部を介してチャンバＣ１内
の温調装置Ｅに搬送する。温調装置Ｅに搬送された感光
基板Ｐは所定時間載置されることによって温調される。
露光装置ＥＸ側の搬送装置Ｈ１は温調装置Ｅで温調され
た感光基板Ｐを露光装置ＥＸに搬送する。露光処理後の
感光基板Ｐは搬送装置Ｈ１によって露光装置ＥＸより搬
出され、温調装置Ｅに載置される。搬送装置Ｈ２は温調
装置Ｅに載置されている露光処理後の感光基板Ｐを保持
し、デベロッパＤに搬送する。

【００２０】図２に示すように、露光装置ＥＸは、露光
光（露光用照明光）ＥＬでマスクホルダＭＨに保持され
ているマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、この照明
光学系ＩＬ内に配置され露光光ＥＬを通過させる開口の
面積を調整してこの露光光ＥＬによるマスクＭに対する
照明範囲を規定するブラインド部ＢＬと、露光光ＥＬで
照明されたマスクＭのパターンの像を感光基板Ｐ上に投
影する投影光学系ＰＬと、感光基板Ｐを保持する基板ホ
ルダＰＨと、この基板ホルダＰＨを支持するとともに感
光基板Ｐの位置を移動させる基板ステージＰＳＴとを備
えている。

【００２１】照明光学系ＩＬは、露光用光源１と、光源
１から射出した光束を集光する楕円鏡２と、楕円鏡２で
集光され第１偏向ミラー３で偏向された光束をほぼ平行
な光束に変換するインプットレンズ４と、インプットレ
ンズ４を通過した光束をほぼ均一な照度分布の光束に調
整して露光光ＥＬに変換するフライアイインテグレータ
５と、第２偏向ミラー６によって偏向されたフライアイ
インテグレータ５からの露光光ＥＬを集光してマスクＭ
を均一な照度で照明するコンデンサレンズ系７とを備え
ている。ここで、本実施形態における露光用光源１には
水銀ランプが用いられ、露光光ＥＬとしては、照明光学
系ＩＬ内に配置された不図示の波長フィルタにより、露
光に必要な波長であるｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０
５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）などが用いられる。

【００２２】マスクホルダＭＨは、その上面の４つのコ
ーナー部分に真空吸着部を有しており、マスクＭは真空
吸着部を介してマスクホルダＭＨ上に保持される。マス
クホルダＭＨはマスクＭのパターンが形成された領域で
あるパターン領域に対応した開口を有し、不図示の駆動
機構によりＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向に微動可能となっ
ており、これによってパターン領域の中心（マスクセン
ター）が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを通るようにマスク
Ｍの位置決めをする。

【００２３】図３，図４に示すように、基板ステージＰ
ＳＴは、基板ホルダＰＨを載置した基板テーブルＰＴ
と、この基板テーブルＰＴと一体でＸ方向に移動するＸ
ステージＰＸと、ＸステージＰＸを載置した状態でＹ方
向に移動するＹステージＰＹと、ＹステージＰＹを支持
するベースプレートＢとを備えている。ＸステージＰＸ
はＸステージ駆動装置としてのサーボモータＤＸにより
移動する。ＹステージＰＹはＹステージ駆動装置として
のサーボモータＤＹにより移動する。更に、基板テーブ
ルＰＴにはＺ方向及びθＺ方向の駆動機構が設けられて
いるとともに、Ｙ方向の駆動機構は、光軸ＡＸに対して
傾斜方向にも駆動制御が可能であり、感光基板Ｐを支持
した際、感光基板Ｐのレベリング調整を含む位置調整を
可能としている。

【００２４】基板ホルダＰＨは、不図示の真空ポンプに
接続した真空吸着用溝を有しており、感光基板Ｐを真空
吸着保持する。また、図３に示すように、基板ホルダＰ
Ｈには複数のリフトピン（昇降装置）９が設けられてい
る。このリフトピン９は基板ホルダＰＨに対して感光基
板Ｐを昇降するものであって、制御装置（制御部）ＣＯ
ＮＴの指示に基づき昇降する。基板ホルダＰＨが感光基
板Ｐを真空吸着保持している間、リフトピン９は、基板
ホルダＰＨに設けられているピン収納穴（不図示）に収
納される。そして、リフトピン９が感光基板Ｐの下面
（−Ｚ方向の面）を支持しながら上昇することにより、
感光基板Ｐは基板ホルダＰＨに対して上昇する。

【００２５】感光基板Ｐを載置する基板ホルダＰＨのＸ
Ｙ方向の位置は、レーザー干渉システムによって検出さ
れる。レーザ干渉システムは、基板テーブルＰＴの＋Ｘ
側の端部においてＹ方向に延設された平面鏡からなるＸ
移動鏡ＸＬと、基板テーブルＰＴの＋Ｙ側の端部におい
てＸ方向に延設された平面鏡からなるＹ移動鏡ＹＬと、
Ｘ移動鏡ＸＬ及びＹ移動鏡ＹＬのそれぞれに測長ビーム
を照射し、その反射光に基づいて基板テーブルＰＴ（す
なわち基板ホルダＰＨ）の位置計測をするＸ軸レーザ干
渉計及びＹ軸レーザー干渉計（いずれも不図示）とを備
えている。また、基板ホルダＰＨに載置された感光基板
ＰのＺ方向の位置は、斜入射方式の焦点検出系の１つで
ある多点フォーカス位置検出系（不図示）によって検出
される。レーザ干渉計及び多点フォーカス位置検出系の
それぞれの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。
制御装置ＣＯＮＴは、レーザー干渉システム及び多点フ
ォーカス位置検出系のそれぞれの検出結果に基づいてス
テージ駆動装置ＤＸ、ＤＹを介して基板ステージＰＳＴ
を駆動し、感光基板Ｐの位置制御を行う。

【００２６】基板ステージＰＳＴの近傍には、軟Ｘ線イ
オナイザ（除電装置）１０が設けられている。この軟Ｘ
線イオナイザ１０は、基板ホルダＰＨの−Ｙ側に配置さ
れ、感光基板Ｐを載置する基板ホルダＰＨに向かって軟
Ｘ線ＸＢを照射する軟Ｘ線照射部１１と、軟Ｘ線ＸＢの
出力や動作を制御するイオナイザ制御部（制御部）１２
とを備えている。軟Ｘ線照射部１１は、基板テーブルＰ
Ｔの−Ｙ側に固定されており、基板テーブルＰＴ（基板
ホルダＰＨ）とともに移動する。本実施形態において、
軟Ｘ線照射部１１は、図４に示すように３つ設けられて
いる。軟Ｘ線照射部１１のＺ方向の位置は、基板ホルダ
ＰＨの上面（載置面）Ａより高く、且つ、感光基板Ｐが
リフトピン９によって上昇された際の感光基板Ｐの裏面
（−Ｚ側の面）より低い位置に設定されており、軟Ｘ線
照射部１１から射出された軟Ｘ線ＸＢは、感光基板Ｐを
載置する基板ホルダＨの載置面Ａに沿って照射される。
また、イオナイザ制御部１２は基板ステージＰＳＴとは
離れた位置に配置されており、軟Ｘ線照射部１１とイオ
ナイザ制御部１２とはケーブル１３ａ、１３ｂを介して
接続されている。

【００２７】軟Ｘ線イオナイザ１０は、露光光ＥＬとは
異なる波長１．３×１０^-4〜４．１×１０^-4μｍの光で
ある軟Ｘ線を用いた静電気除去装置であって、軟Ｘ線の
持つ電離作用により照射範囲の空間に高濃度のイオンを
生成し、短時間で帯電物体の静電気を除去できるもので
ある。軟Ｘ線照射部１１から軟Ｘ線ＸＢが射出される
と、軟Ｘ線ＸＢの光路上及びその周囲にある安定してい
る原子・分子から電子がはじき出されてプラスイオンが
生成される。そして、はじき出された電子が安定してい
る原子・分子に付着してマイナスイオンが生成される。
このように均等なバランスで生成されるプラスイオン及
びマイナスイオンは、軟Ｘ線ＸＢが当たっているところ
や光路の周囲の全てにおいて生成されるため、感光基板
Ｐの近傍で生成されたプラスイオンあるいはマイナスイ
オンが感光基板Ｐの電荷を吸収して感光基板Ｐを除電す
る。一方、その他の生成イオンは元の安定状態に戻って
いく。

【００２８】イオナイザ制御部１２は、軟Ｘ線ＸＢの出
力や動作を制御するものであって、安全回路や各種表示
部あるいは操作入力部なども備えており、軟Ｘ線照射部
１１から軟Ｘ線ＸＢを射出するかどうかのオン／オフ制
御を行う。また、イオナイザ制御部１２はメインコント
ローラである制御装置ＣＯＮＴに接続している。

【００２９】図４に示すように、軟Ｘ線照射部１１の隣
には、感光基板Ｐに向かってガス（エア）を排出する送
風部２５が設けられている。本実施形態において、送風
部２５は２つ設けられている。送風部２５は送風制御部
１９に接続しており、チューブ等の流路１９ａ，１９ｂ
を介して接続されている。なお、図ではケーブル１３
ａ、１３ｂと流路１９ａ、１９ｂとは一体で描かれてい
る。送風制御部１９は送風部２５からの単位時間当たり
の送風量や風速、あるいは送風部２５からガスを排出す
るかどうかのオン／オフ制御を行う。送風制御部１９は
制御装置ＣＯＮＴに接続している。そして、送風部２５
からの送風によって、軟Ｘ線照射部１１の照射により発
生したイオンガスが移動する。

【００３０】なお、ケーブル１３ａとケーブル１３ｂ、
流路１９ａと流路１９ｂとは、ベースプレートＢに固定
されたコネクタ部Ｃを介して接続されている。こうする
ことにより、軟Ｘ線照射部１１及び送風部２５が基板テ
ーブルＰＴ（基板ホルダＰＨ）とともに移動した際、ケ
ーブル・流路が絡まったり基板ステージＰＳＴと干渉し
たりせず、それぞれの動作を安定化する。

【００３１】基板ホルダＰＨの＋Ｙ側、すなわち、基板
ホルダＰＨを挟んで軟Ｘ線照射部１１と対向する位置に
は、軟Ｘ線ＸＢを遮蔽する遮蔽部材１５が設けられてい
る。この遮蔽部材１５は例えば鉛板やアルミニウム板等
の金属板、あるいは塩化ビニル板などの合成樹脂板によ
って構成されており、軟Ｘ線照射部１１から射出した軟
Ｘ線ＸＢが露光装置ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）の設置
されている領域の外部に漏洩するのを防止する。

【００３２】図４などに示すように、遮蔽部材１５は開
閉可能な扉部１５ａ、１５ｂを有している。また、図
１，図２に示すように、この扉部１５ａ、１５ｂの位置
に対応して、チャンバＣ１にも開閉可能な扉部１６ａ、
１６ｂが設けられている。例えば基板ステージＰＳＴに
関するメンテナンスを行う場合には、これら扉部１５
ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂを開けることにより、オペ
レータが基板ステージＰＳＴにアクセス可能となる。

【００３３】図４に示すように、遮蔽部材１５の扉部１
５ａ、１５ｂのそれぞれには、この扉部１５ａ、１５ｂ
の開閉状況を検出する扉センサ１７ａ、１７ｂがそれぞ
れ設けられている。扉センサ１７ａ、１７ｂは、扉部１
５ａ、１５ｂが開いているかどうかを検出し、検出信号
をイオナイザ制御部１２に出力する。イオナイザ制御部
１２は、扉センサ１７ａ、１７ｂの検出結果に基づい
て、扉部１５ａ、１５ｂの少なくとも一方が開いている
と判断したら、軟Ｘ線照射部１１からの軟Ｘ線ＸＢの射
出を行わない。このとき、たとえ、軟Ｘ線照射部１１か
ら軟Ｘ線ＸＢが射出している最中であっても、扉部１５
ａ、１５ｂの少なくとも一方が開いていると判断した
ら、イオナイザ制御部１２は軟Ｘ線ＸＢの射出を停止す
る。すなわち、イオナイザ制御部（制御部）１２は、軟
Ｘ線照射部１１の照射動作と、扉部１５ａ、１５ｂの開
閉動作とのそれぞれの動作を連動させる。

【００３４】遮蔽部材１５の＋Ｙ側、すなわち、遮蔽部
材１５のうちチャンバＣ１の扉部１６ａ、１６ｂ近傍に
は、軟Ｘ線照射部１１の状態を表示するランプ（表示
部）１８ａ、１８ｂが設けられている。ランプ１８ａ、
１８ｂはイオナイザ制御部１２に接続している制御装置
ＣＯＮＴに接続しており、制御装置ＣＯＮＴの指示に基
づいて動作する。そして、イオナイザ制御部１２の指示
によって軟Ｘ線照射部１１が軟Ｘ線ＸＢを照射している
とき、ランプ１８ａ、１８ｂは点灯し、軟Ｘ線照射部１
１が軟Ｘ線ＸＢを照射していないとき、ランプ１８ａ、
１８ｂは消灯する。

【００３５】次に、上述した構成を備える露光装置ＥＸ
によって感光基板Ｐを露光処理する方法について図６を
参照しながら説明する。コータ・デベロッパＣ／Ｄで感
光剤を塗布された基板Ｐが搬送装置Ｈ２によってチャン
バＣ１内の温調装置Ｅに搬送される。温調装置Ｅで温調
された感光基板Ｐは搬送装置Ｈ１によって裏面を保持さ
れ、露光装置ＥＸの基板ホルダＰＨに搬送される。搬送
装置Ｈ１から基板ホルダＰＨに感光基板Ｐを渡す際、制
御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴを駆動して、基
板ホルダＰＨを基板受け渡し位置に移動させる。具体的
には、搬送装置Ｈ１から基板ホルダＰＨに感光基板Ｐを
渡す際、制御装置ＣＯＮＴは基板ステージＰＳＴを駆動
して基板ホルダＰＨを−Ｘ方向に移動し、搬送装置Ｈ１
の近くに配置する。

【００３６】基板ホルダＰＨに感光基板Ｐが渡される
際、リフトピン９は上昇している。つまり、リフトピン
９は基板ホルダＰＨ上面より突出した状態で、搬送装置
Ｈ１で搬送された露光処理前の感光基板Ｐを受ける。感
光基板Ｐの裏面を保持している搬送装置Ｈ１は、感光基
板Ｐをリフトピン９に支持させた後、退避する。そし
て、感光基板Ｐを受けたリフトピン９が下降することに
よって、基板ホルダＰＨに感光基板Ｐが載置される。基
板ホルダＰＨに載置された感光基板ＰＨは真空吸着保持
される。

【００３７】そして、基板ステージＰＳＴを駆動して感
光基板Ｐの位置合わせをした後、制御装置ＣＯＮＴは感
光基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。感光基板Ｐは、照明
光学系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパ
ターンを投影光学系ＰＬを介して転写される。そして、
所望のパターンが感光基板Ｐに形成されたら、制御装置
ＣＯＮＴは感光基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射を停止
する。こうして、感光基板Ｐに対する露光処理が終了す
る（ステップＳ１）。

【００３８】制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴ
を駆動して、感光基板Ｐを載置している基板ホルダＰＨ
を搬送装置Ｈ１に対する基板受け渡し位置へ移動する
（ステップＳ２）。すなわち、前述したように、制御装
置ＣＯＮＴは基板ステージＰＳＴを駆動して感光基板Ｐ
を載置している基板ホルダＰＨを−Ｘ方向に移動させ
る。このとき、軟Ｘ線照射部１１及び送風部２５は基板
ホルダＰＨを載置している基板テーブルＰＴに固定され
ているため、基板ホルダＰＨ（基板テーブルＰＴ）とと
もに移動する。

【００３９】感光基板Ｐを載置している基板ホルダＰＨ
が基板受け渡し位置に移動したら、感光基板Ｐをアンロ
ードするため、搬送装置Ｈ１が感光基板Ｐの裏面を保持
可能なように、制御装置ＣＯＮＴは感光基板Ｐをリフト
ピン９によって上昇させる（ステップＳ３）。このと
き、感光基板Ｐと基板ホルダＰＨとが離れることによっ
て感光基板Ｐに剥離静電気帯電が生じる。

【００４０】制御装置ＣＯＮＴは、リフトピン９で基板
ホルダＰＨから感光基板Ｐを上昇させると同時に、イオ
ナイザ制御部１２を介して軟Ｘ線照射部１１から軟Ｘ線
ＸＢを射出させる。軟Ｘ線照射部１１から射出した軟Ｘ
線ＸＢは、図３に示すように、基板ホルダＰＨと感光基
板Ｐとで形成された空間に、感光基板Ｐを載置する基板
ホルダＰＨの載置面Ａに沿って照射される。軟Ｘ線ＸＢ
が照射されることにより、少なくとも、基板ホルダＰＨ
と感光基板Ｐとで形成された空間のガス（エア）がイオ
ン化され、感光基板Ｐに帯電している静電気が除去され
る（ステップＳ４）。

【００４１】軟Ｘ線照射部１１から軟Ｘ線ＸＢが照射さ
れている間、送風部２５からガスが送風される（ステッ
プＳ５）。送風部２５からの送風によって、軟Ｘ線照射
部１１の照射により発生したイオンガスが移動する。こ
うすることにより、感光基板Ｐと基板ホルダＰＨとで形
成された空間のイオンガス濃度が均一化される。この場
合、送風部２５による送風方向は、軟Ｘ線の照射方向に
沿う方向（＋Ｙ方向）に設定されている。なお、送風部
２５による送風動作は、軟Ｘ線照射部１１から軟Ｘ線Ｘ
Ｂを照射しつつ行ってもよいし、軟Ｘ線照射部１１によ
る照射の後に行ってもよい。

【００４２】こうして、感光基板Ｐに帯電している静電
気が除去されたら、搬送装置Ｈ１がアクセスし、リフト
ピン９で持ち上げられている感光基板Ｐと基板ホルダＰ
Ｈとの間に入り、感光基板Ｐの裏面を保持する。搬送装
置Ｈ１は保持した感光基板Ｐを基板ホルダＰＨから搬出
する（ステップＳ６）。

【００４３】そして、感光基板Ｐが搬送装置Ｈ１によっ
て基板ホルダＰＨより搬出されたら、制御装置ＣＯＮＴ
はイオナイザ制御部１２を介して軟Ｘ線照射部１１から
の軟Ｘ線ＸＢの照射を停止する（ステップＳ７）。同時
に、制御装置ＣＯＮＴは送風制御部１９を介して送風部
２５からの送風も停止する。なお、軟Ｘ線照射の停止や
送風停止のタイミングは、感光基板Ｐをアンロードする
ために搬送装置Ｈ１がアクセスする前に設定することも
できる。

【００４４】搬送装置Ｈ１によって基板ホルダＰＨより
搬出された基板Ｐは、温調装置Ｅを介してコータ・デベ
ロッパＣ／Ｄ側の搬送装置Ｈ２に渡され、現像処理を施
される。こうして、一連の処理が終了する。

【００４５】ところで、感光基板Ｐの除電処理中、すな
わち、感光基板Ｐに向けて軟Ｘ線ＸＢを照射中、あやま
って、オペレータがチャンバＣ１の扉部１６ａ、１６ｂ
を開けてしまう恐れがある。しかしながら、扉部１６
ａ、１６ｂの位置に対応するように、基板ホルダＰＨを
挟んで軟Ｘ線照射部１１に対向する位置に遮蔽部材１５
が設けられているので、オペレータは軟Ｘ線ＸＢによる
被曝を回避できる。

【００４６】イオナイザ制御部１２のもとで軟Ｘ線照射
部１１より軟Ｘ線ＸＢが射出している状態では、イオナ
イザ制御部１２に接続している制御装置ＣＯＮＴは、ラ
ンプ１８ａ，１８ｂを点灯させる。一方、軟Ｘ線照射部
１１より軟Ｘ線ＸＢが射出していない状態では、イオナ
イザ制御部１２に接続している制御装置ＣＯＮＴは、ラ
ンプ１８ａ，１８ｂを消灯させる。したがって、オペレ
ータがチャンバＣ１の扉部１６ａ、１６ｂを開けてチャ
ンバＣ１内に入った際、このランプ１８ａ、１８ｂによ
って注意を促すことができる。そして、オペレータは、
ランプ１８ａ、１８ｂの表示によって、軟Ｘ線ＸＢが照
射中かどうかを把握することができ、軟Ｘ線ＸＢが照射
中においては、例えばチャンバＣ１外に退避したり、遮
蔽部材１５の扉部１５ａ、１５ｂを開けないようにする
など、軟Ｘ線ＸＢによる被曝の危険性を回避することが
できる。

【００４７】また、軟Ｘ線ＸＢの照射中に、オペレータ
が遮蔽部材１５の扉部１５ａ、１５ｂを誤って開けてし
まっても、扉部１５ａ、１５ｂに設けられている扉セン
サ１７ａ、１７ｂが、扉部１５ａ、１５ｂが開放状態で
ある旨をイオナイザ制御部１２に出力することによっ
て、イオナイザ制御部１２は軟Ｘ線照射部１１からの軟
Ｘ線ＸＢの射出を停止するので、オペレータは軟Ｘ線Ｘ
Ｂによる被曝の危険性を回避できる。また、軟Ｘ線を照
射中は、扉部１５ａ、１５ｂの開放を規制するようにロ
ックするようにしてもよい。

【００４８】以上説明したように、感光基板Ｐを載置す
る基板ホルダＰＨの載置面Ａに沿って軟Ｘ線ＸＢを照射
するので、感光基板Ｐの裏面側に直接イオンガスを作用
させることができる。したがって、基板ホルダＰＨとの
間で剥離帯電を生じた感光基板Ｐの裏面側に帯電してい
る静電気の除去を直接行うことができ、除電処理を効率
良く行うことができる。そして、除電処理をすることに
より、感光基板Ｐに対するゴミなどの異物の付着や素子
の絶縁破壊を防ぎつつ、精度良く安定した露光処理を行
うことができる。

【００４９】また、基板ホルダＰＨの載置面Ａに沿って
軟Ｘ線ＸＢを照射することにより、感光基板Ｐの上方に
投影光学系ＰＬを初めとする各種装置・機構が存在して
いても、軟Ｘ線ＸＢの照射動作を安定して行うことがで
き、作業性良く除電処理できる。また、基板ホルダＰＨ
の載置面Ａに沿って軟Ｘ線ＸＢを照射することにより、
感光基板Ｐの裏面を広範囲に効率良く除電できる。

【００５０】また、軟Ｘ線ＸＢは感光基板Ｐの裏面側に
照射され、表面に塗布されている感光剤には照射されな
いので感光剤に悪影響を与えない。したがって、精度良
く安定した露光処理を行うことができる。そして、露光
処理後に感光基板Ｐの除電を行うことにより、その後の
現像処理など他の工程を安定して行うことができる。

【００５１】また、遮蔽部材１５の扉部１５ａ、１５ｂ
に、この扉部１５ａ、１５ｂの開閉状態を検出可能な扉
センサ１７ａ、１７ｂを設け、この扉センサ１７ａ、１
７ｂの検出結果に基づいて軟Ｘ線照射部１１の照射動作
が制御されるといった、いわゆるインタロック機構を設
けたので、メンテナンス時や除電効果を確認するための
帯電測定を行うためにオペレータが基板ステージＰＳＴ
にアクセスする際にも、オペレータの軟Ｘ線ＸＢによる
被曝を防ぐことができ、安全性を向上することができ
る。更に、軟Ｘ線照射部１１の動作状態を表示するラン
プ１８ａ、１８ｂを設けたので、軟Ｘ線ＸＢが照射中に
おいてオペレータに注意を促すことができ、安全性を更
に向上することができる。

【００５２】軟Ｘ線照射部１１は基板テーブルＰＴに固
定され、基板テーブルＰＴ（基板ホルダＰＨ）とともに
移動するので、常に感光基板Ｐに近接した状態で軟Ｘ線
ＸＢの照射をすることができる。そして、軟Ｘ線照射部
１１は、軟Ｘ線ＸＢが感光基板Ｐの裏面全体に行きわた
るのに十分な出力を有していればよく、過剰な出力を要
しないので、使用寿命を延ばすことができる。

【００５３】また、軟Ｘ線照射部１１を基板ホルダＰＨ
とともに移動させることにより、基板ホルダＰＨと感光
基板Ｐとで形成された空間以外には、軟Ｘ線ＸＢは照射
されない。したがって、基板ステージＰＳＴ近傍の各部
材・装置に対してイオンガスが作用するのを抑えること
ができる。各部材・装置の表面にはメッキ膜が設けられ
ているが、イオンガスが作用するとメッキ膜が剥離する
場合がある。剥離したメッキ膜は環境を汚染し露光精度
に悪影響を及ぼしたり、メッキ膜が剥離することによっ
て部材・装置が錆びたりするなど、装置自体にも悪影響
を及ぼす。しかしながら、各部材・装置に対するイオン
ガスの作用が抑えられているので、精度良く安定した露
光処理を行うことができる。

【００５４】なお、本実施形態おいて、軟Ｘ線照射部１
１より軟Ｘ線ＸＢを照射しつつ送風部２５より送風を行
うが、送風部２５及び送風制御部１９は必ずしも設けな
くてもよい。軟Ｘ線照射部１１の照射により発生したイ
オンガスによって、感光基板Ｐに対する除電効果を十分
に得ることができる。一方、送風部２５を設けることに
よって、前述したように、イオンガス濃度を均一化でき
る。

【００５５】なお、上記実施形態において、軟Ｘ線照射
部１１による照射は、感光基板Ｐに対する露光処理後に
行うが、露光処理前に行ってもよい。すなわち、搬送装
置Ｈ１によって露光処理前の感光基板Ｐが基板ホルダＰ
Ｈに搬送され、この基板ホルダＰＨに載置される前に、
感光基板Ｐに向けて軟Ｘ線ＸＢを照射する。このとき、
感光基板Ｐは上昇しているリフトピン９に支持され、リ
フトピン９が下降することによって基板ホルダＰＨに載
置されるので、リフトピン９の下降途中においては感光
基板Ｐと基板ホルダＰＨとの間に空間が形成されてい
る。軟Ｘ線照射部１１はこの空間に軟Ｘ線ＸＢを照射す
ることによって感光基板Ｐの除電を行う。

【００５６】なお、感光基板Ｐに対する露光処理後、感
光基板Ｐが基板ホルダＰＨに載置されている状態、つま
り、感光基板Ｐがリフトピン９によって基板ホルダＰＨ
から持ち上げられていない状態において、軟Ｘ線照射部
１１から感光基板Ｐに向けて軟Ｘ線ＸＢを照射すること
も可能である。この場合、照射開始直後は感光基板Ｐの
表面側に軟Ｘ線ＸＢが照射されることになる。そして、
軟Ｘ線ＸＢを照射しながらリフトピン９で感光基板Ｐを
持ち上げ、感光基板Ｐの裏面側にも軟Ｘ線ＸＢを照射す
る。この場合、感光基板Ｐの表面側から静電気を除去で
きるとともに、基板ホルダＰＨと感光基板Ｐとが離れた
瞬間から感光基板Ｐの裏面側の静電気を除去できるの
で、効率良く除電できる。そして、感光基板Ｐに対して
常時軟Ｘ線ＸＢを照射せずに、露光処理の後に軟Ｘ線Ｘ
Ｂを照射することによって、感光基板Ｐが軟Ｘ線ＸＢに
晒される時間を最小限に抑えることができるので、感光
基板Ｐに悪影響を及ぼすことなく精度良く安定した露光
処理を行うことができる。なお、感光基板Ｐの表面側に
軟Ｘ線ＸＢを照射することは感光剤に悪影響を及ぼす恐
れがあり、また、感光基板Ｐに帯電する静電気は基板ホ
ルダＰＨとの剥離帯電によって感光基板Ｐの主に裏面側
に帯電するため、上記実施形態のように、リフトピン９
で基板ホルダＰＨから感光基板Ｐを持ち上げ始めた瞬間
から、基板ホルダＰＨの載置面Ａに沿って主に感光基板
Ｐの裏面側の除電を行う構成とすることが好ましい。

【００５７】なお、上記実施形態において、軟Ｘ線照射
部１１より軟Ｘ線ＸＢの射出を開始するタイミングは、
リフトピン９により基板ホルダＰＨから感光基板Ｐを持
ち上げ始めたときに設定されているが、リフトピン９が
完全に上昇し終わってから、軟Ｘ線照射部１１より軟Ｘ
線ＸＢの射出を開始するようにしてもよい。あるいは、
リフトピン９が感光基板Ｐを上昇し始めてから所定時
間、あるいは、感光基板Ｐと基板ホルダＰＨとが所定距
離だけ離間してから軟Ｘ線照射部１１より軟Ｘ線ＸＢの
射出を開始してもよい。また、リフトピン９の上昇と軟
Ｘ線照射開始とを同時に行うようにしてもよい。このと
き、基板上昇（ステップＳ３）と軟Ｘ線照射開始（ステ
ップＳ４）とが図６とは逆になるが、このようなタイミ
ングでもほぼ同様の効果が得られる。すなわち、制御装
置ＣＯＮＴは、リフトピン９で基板ホルダＰＨから感光
基板Ｐを持ち上げる動作に伴って、軟Ｘ線ＸＢを照射す
る。

【００５８】上記実施形態において、軟Ｘ線照射部１１
からの軟Ｘ線ＸＢの射出を停止するタイミングは、搬送
装置Ｈ１によって感光基板Ｐが基板ホルダＰＨから搬出
された後に設定されているが、軟Ｘ線ＸＢの照射を所定
時間行い、停止した後に、搬送装置Ｈ１によって感光基
板Ｐを基板ホルダＰＨから搬出するようにしてもよい。
すなわち、軟Ｘ線照射部１１からの軟Ｘ線ＸＢの射出を
停止するタイミングは、搬送装置Ｈ１によって感光基板
Ｐが基板ホルダＰＨから搬出される前に設定してもよ
い。また、このときの軟Ｘ線ＸＢを照射する所定時間
は、感光基板Ｐに帯電している静電気を除去できるのに
十分な時間であって、予め実験などに基づいて設定する
ことができる。あるいは、基板ホルダＰＨに帯電量計測
装置を設けておき、軟Ｘ線ＸＢを感光基板Ｐに向けて照
射しながら帯電量計測装置で感光基板Ｐの帯電量を計測
し、この帯電量計測装置の計測結果に基づいて、感光基
板Ｐの帯電量が所定値より低くなっったら、軟Ｘ線ＸＢ
の照射を停止するようにしてもよい。なおこの場合、軟
Ｘ線を照射しながらの帯電量計測は精度良く行うことが
できない恐れがあるので、帯電量計測をする際は、軟Ｘ
線ＸＢの照射を一旦停止し、感光基板Ｐの帯電量が未だ
十分に低下していなかったら、軟Ｘ線ＸＢの照射を再開
する。

【００５９】上記実施形態において、軟Ｘ線照射部１１
は３つであるが、１つあるいは任意の複数個を設置する
ことができる。更に、本実施形態のようなＹ方向に軟Ｘ
線ＸＢを照射する軟Ｘ線照射部１１に加えて、Ｘ方向に
軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射部を基板ホルダＰＨの＋Ｘ
側（あるいは−Ｘ側）に設けることもできる。この場
合、安全性向上のために、設けた軟Ｘ線照射部に対向す
るように、基板ホルダＰＨの−Ｘ側（あるいは＋Ｘ側）
に遮蔽部材を設ける。

【００６０】なお、送風部２５を設ける場合、送風部２
５による送風方向は、軟Ｘ線ＸＢの照射方向に沿う方向
に限らず、軟Ｘ線の照射方向に対して交わる方向や、傾
斜方向に設定することも可能である。また、送風部２５
の設置位置も、軟Ｘ線照射部１１に隣接させずに、軟Ｘ
線照射部１１と離間した位置に設定することができる。

【００６１】上記実施形態において、遮蔽部材１５の扉
１５ａ、１５ｂを開けたときに軟Ｘ線の照射が停止され
るように説明したが、チャンバＣ１の扉部１６ａ、１６
ｂを開けたときに軟Ｘ線の照射が停止されるようにして
もよい。

【００６２】上記実施形態においては、感光基板Ｐと基
板ホルダＰＨとで形成された空間に対して基板ホルダＰ
Ｈの載置面Ａに沿って軟Ｘ線ＸＢを照射し、この軟Ｘ線
ＸＢの光路周囲で生成されたイオンガスを感光基板Ｐの
裏面に作用させる構成であるが、感光基板Ｐの裏面（基
板ホルダＰＨと対向する面）に対して軟Ｘ線ＸＢを直接
照射してもよい。

【００６３】本実施形態において、軟Ｘ線照射部１１か
ら軟Ｘ線ＸＢが射出しているときにランプ１８ａ、１８
ｂが点灯し、軟Ｘ線照射部１１から軟Ｘ線ＸＢが射出し
ていないときにランプ１８ａ、１８ｂが消灯するが、軟
Ｘ線ＸＢが射出しているときにランプ１８ａ、１８ｂが
消灯し、軟Ｘ線ＸＢが射出していないときにランプ１８
ａ、１８ｂが点灯してもよい。あるいは、軟Ｘ線ＸＢが
射出しているかどうかを表示する際、ランプ１８ａ、１
８ｂは点滅させてもよい。更に、軟Ｘ線ＸＢが射出して
いるかどうかを表示する表示部として、ランプに限ら
ず、モニタや液晶ディスプレイを用いてもよい。更に、
軟Ｘ線ＸＢが射出しているかどうかを、サイレンなど音
出力装置を用いて表示してもよい。

【００６４】次に、本発明の露光装置の第２実施形態に
ついて図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明
において、上述した第１実施形態と同一又は同等の構成
部分については同一の符号を付すとともにその説明を省
略又は簡略化する。図７に示す露光装置ＥＸは、感光基
板Ｐを載置する基板ホルダＰＨと、基板ホルダＰＨの−
Ｙ側に設けられたイオンガス供給装置（除電装置）２０
とを備えている。イオンガス供給装置２０は、電圧が印
加されることによってイオンガスを生成する電極２１
と、電極２１で生成されたイオンガスに、チューブなど
の流路２２ａ、２２ｂを介してガス（エア）を供給する
送風装置（送風部）２３とを備えている。送風装置２３
の駆動は制御装置ＣＯＮＴに制御される。送風装置２３
からの送風は流路２２ｂ、２２ａを介して電極２１に達
する。

【００６５】電極２１で生成されたイオンガスは、送風
装置２３からの送風によって、送風口２４より基板ホル
ダＰＨとリフトピン９で上昇された感光基板Ｐとで形成
された空間に供給される。送風装置２３の送風動作は、
リフトピン９による感光基板Ｐの基板ホルダＰＨに対す
る上昇動作中に行われる。感光基板Ｐは供給されたイオ
ンガスによって帯電していた静電気を除去される。

【００６６】このように、電極２１に電圧を印加し、発
生したイオンガスを送風装置２３による送風によって感
光基板Ｐの裏面に作用させることもできる。このとき、
イオンガスを感光基板Ｐの裏面に直接吹き付けることに
よって効率良く除電できる。そして、本実施形態におい
ては、軟Ｘ線を用いた光照射方式ではないため、第１実
施形態における遮蔽部材１５が不要となる。

【００６７】なお、本実施形態において、電極２１に電
圧を印加してから送風装置２３を駆動することによって
感光基板Ｐに対してイオンガスを供給し始めるタイミン
グは、露光処理後、リフトピン９により基板ホルダＰＨ
から感光基板Ｐを持ち上げ始めたときに設定してもよい
し、リフトピン９が完全に上昇し終わったときに設定し
てもよいし、リフトピン９が感光基板Ｐを上昇しはじめ
てから所定時間、あるいは、感光基板Ｐと基板ホルダＰ
Ｈとが所定距離だけ離間したときに設定してもよい。な
お、感光基板Ｐに対する露光処理中に電極２１に電圧を
印加しつつ送風装置２３を駆動することも考えられる
が、送風装置２３によるガスの移動に伴う露光光ＥＬの
光路上における揺らぎ（気体屈折率が局所的に大きく変
化する状態）が発生するため、露光処理後に、感光基板
Ｐに向けてイオンガスを供給するのが望ましい。

【００６８】次に、本発明の露光装置の第３実施形態に
ついて図８を参照しながら説明する。なお、以下の説明
において、上述した第１，第２実施形態と同一又は同等
の構成部分については同一の符号を付すとともにその説
明を省略又は簡略化する。図８に示す露光装置ＥＸは、
感光基板Ｐを載置する基板ホルダＰＨと、基板ホルダＰ
Ｈの−Ｙ側に設けられたイオンガス供給装置（除電装
置）３０とを備えている。イオンガス供給装置３０は、
箱型に形成され、基板ホルダＰＨ側に開口部３１ａを有
する収容部３１と、収容部３１内に配置された軟Ｘ線照
射部３２と、軟Ｘ線照射部３２を制御するイオナイザ制
御部３３と、収容部３１の内部にガス（エア）を供給す
る送風装置（送風部）３４とを備えている。そして、イ
オナイザ制御部３３と軟Ｘ線照射部３２とはケーブル３
５ａ、３５ｂで接続され、送風装置３４と収容部３１内
部とは流路３６ａ、３６ｂで接続されている。なお、図
８では、ケーブル・流路は一体に描かれている。

【００６９】軟Ｘ線照射部３２は、開口部３１ａ以外に
向けて軟Ｘ線を照射する。すなわち、軟Ｘ線は収容部３
１の外部には照射されず、収容部３１内部においてイオ
ンガスを生成する。

【００７０】そして、イオンガスで満たされた収容部３
１に対して送風装置３４よりガス（エア）を供給するこ
とにより、イオンガスは開口部３１ａを介して基板ホル
ダＰＨとリフトピン９で上昇された感光基板Ｐとで形成
された空間に供給される。感光基板Ｐに帯電していた静
電気は、供給されたイオンガスによって除去される。

【００７１】このように、軟Ｘ線を基板ホルダＰＨの載
置面Ａに沿って照射しなくても、イオンガスを移動させ
る送風装置３４を用いることによって、生成したイオン
ガスを感光基板Ｐに作用させ、除電することができる。
そして、本実施形態においては、軟Ｘ線は収容部３１の
外部に照射されないので、第１実施形態で示した遮蔽部
材１５が不要となる。

【００７２】次に、本発明の露光装置の第４実施形態に
ついて図９を参照しながら説明する。なお、以下の説明
において、上述した第１〜第３実施形態と同一又は同等
の構成部分については同一の符号を付すとともにその説
明を省略又は簡略化する。図９に示すように、露光装置
ＥＸは、第１実施形態同様、基板ホルダＰＨの載置面に
沿って軟Ｘ線を照射する軟Ｘ照射部１１を備えている。
そして、本実施形態の特徴部分として、露光装置ＥＸ
は、軟Ｘ線照射部１１を揺動可能な駆動部４０を備えて
いる。

【００７３】軟Ｘ線照射部１１は、支持部材４１によっ
て、θＸ方向に回動自在に支持されており、駆動部４０
によってθＸ方向に揺動される。駆動部４０は制御装置
ＣＯＮＴによって制御される。

【００７４】このような構成を備える露光装置ＥＸによ
って感光基板Ｐを露光処理した後の除電方法について説
明する。露光処理が終了し、感光基板Ｐに対する露光光
ＥＬの照射を停止したら、制御装置ＣＯＮＴはリフトピ
ン９で感光基板Ｐを基板ホルダＰＨから上昇させる。こ
れと同時に、制御装置ＣＯＮＴはイオナイザ制御部１２
を介して、軟Ｘ線照射部１１より軟Ｘ線を基板ホルダＰ
Ｈの載置面Ａに沿って照射する。

【００７５】リフトピン９による感光基板Ｐの上昇に追
従するように、制御装置ＣＯＮＴは駆動部４０を駆動し
て軟Ｘ線照射部１１をθＸ方向に回動させる。軟Ｘ線照
射部１１の射出角度が感光基板Ｐの位置に追従するよう
に変化することにより、軟Ｘ線照射部１１からの軟Ｘ線
は、上昇する感光基板Ｐの裏面あるいは裏面近傍に常に
照射される。したがって、感光基板Ｐは効率良く除電さ
れる。そして、軟Ｘ線照射部１１を揺動可能にすること
によって、リフトピン９による感光基板Ｐの上昇量が大
きく、感光基板Ｐと基板ホルダＰＨとで形成される空間
が大きくなっても、除電処理を安定して行うことができ
る。また、軟Ｘ線照射部１１をθＸ方向に回動させるこ
とにより、感光基板Ｐの全面に対して効率良く除電を行
うことが可能となる。

【００７６】なお、露光処理前の感光基板Ｐに対しても
駆動部４０によって揺動可能な軟Ｘ線照射部１１から軟
Ｘ線を照射し、除電することができる。すなわち、露光
処理前の感光基板Ｐは搬送装置Ｈ１によって上昇してい
るリフトピン９に渡され、リフトピン９が下降すること
により基板ホルダＰＨに載置されるが、この下降動作に
合わせて軟Ｘ照射部１１を揺動することができる。この
ように、リフトピン９による感光基板Ｐの昇降に合わせ
て、制御装置ＣＯＮＴは駆動部４０を駆動し、軟Ｘ線照
射部１１を揺動することができる。

【００７７】なお、軟Ｘ線照射部１１をθＸ方向に回動
する駆動部４０を設けたことにより、軟Ｘ線の照射中に
遮蔽部材１５の扉部１５ａ、１５ｂが誤って開けられて
しまった場合、制御装置ＣＯＮＴは駆動部４０介して軟
Ｘ線照射部１１を例えば下向きにするなど、軟Ｘ線照射
部１１の向きを制御することによって軟Ｘ線によるオペ
レータの被曝の危険性を回避することもできる。また、
扉部１５ａ、１５ｂの開閉によらず、除電処理を行わな
い場合は、軟Ｘ線照射部１１を下向きなど、所定の方向
に向けておくことによって、なんらかの誤動作で軟Ｘ線
照射部１１から軟Ｘ線が射出してしまっても、被曝の危
険性を回避することができる。

【００７８】なお、第２，第３実施形態におけるイオン
ガス供給装置２０，３０（図７，図８参照）にも駆動部
を設け、リフトピン９による感光基板Ｐの昇降に合わせ
て送風口２４あるいは開口部３１ａを揺動することがで
きる。

【００７９】第４実施形態において、軟Ｘ線照射部１１
は駆動部４０によってθＸ方向に回動するが、例えば、
軟Ｘ線照射部１１に、この軟Ｘ線照射部１１をＺ方向に
移動可能な駆動機構を設けておき、感光基板Ｐの昇降に
合わせて、軟Ｘ線照射部１１をＺ方向に移動させてもよ
い。

【００８０】上記各実施形態において、軟Ｘ線照射部１
１は基板テーブルＰＴに固定され、基板テーブルＰＴ
（基板ホルダＰＨ）とともに移動する構成であるが、図
１０に示すように、軟Ｘ線照射部１１（イオンガス供給
装置）を基板テーブルＰＴに固定せずに、基板ステージ
ＰＳＴと独立して設けることができる。この場合、軟Ｘ
線照射部１１の設置位置は、図１０に示すように、基板
ステージＰＳＴの−Ｘ側、すなわち、基板ホルダＰＨと
搬送装置Ｈ１との基板受け渡し位置に設定されている。
基板ホルダＰＨから感光基板Ｐを搬出する際の剥離帯電
を除去することによって効果的な除電処理を行うことが
できるので、基板受け渡し位置に軟Ｘ線照射部１１を予
め配置しておくことによって、効果的な除電処理を行う
ことができる。

【００８１】上記各実施形態においては、リフトピン９
で上昇した感光基板Ｐと基板ホルダＰＨとの間の空間に
軟Ｘ線（あるいはイオンガス）を作用させる構成である
が、図１１に示すように、基板ホルダＰＨには、感光基
板Ｐを真空吸着するための真空吸着用溝や、リフトピン
９を収納するピン収納穴などが設けられており、感光基
板Ｐを載置した状態でも、感光基板Ｐと基板ホルダＰＨ
との間には空間５０が形成される。したがって、この空
間５０に軟Ｘ線ＸＢを照射することによって、空間５０
内のガスをイオン化し、感光基板Ｐを除電することがで
きる。このように、感光基板Ｐを基板ホルダＰＨから上
昇させなくても、基板ホルダＰＨの載置面Ａに沿って軟
Ｘ線ＸＢを照射して感光基板Ｐを除電することができ
る。

【００８２】なお、第１，第４実施形態は、基板ホルダ
ＰＨの載置面Ａに沿って軟Ｘ線ＸＢを照射する構成であ
るのに対し、第２，第３実施形態は、発生させたイオン
ガスを送風装置を用いて感光基板Ｐの裏面に作用させる
構成である。ここで、第２，第３実施形態において、送
風装置の出力が十分でないと、面積の大きい感光基板Ｐ
に対して満遍なくイオンガスが作用されない恐れがあ
る。一方、送風装置の出力を上げた場合は、基板ステー
ジＰＳＴ近傍の各部材にもイオンガスが作用して、前述
したようにメッキ膜を剥がしてしまう恐れがある。しか
しながら、第１，第４実施形態のように、基板ホルダＰ
Ｈの載置面Ａあるいは感光基板Ｐの裏面に沿って軟Ｘ線
を照射する構成においては、たとえ面積の大きい感光基
板Ｐに対しても、容易に満遍なく軟Ｘ線を照射すること
ができるので、安定した除電処理を行うことができる。

【００８３】ところで、上記各実施形態において、軟Ｘ
線照射部１１は、露光装置ＥＸの基板ステージＰＳＴ上
の基板ホルダＰＨ近傍に設けられて除電処理を行う構成
であるが、図１２に示すように、温調装置Ｅに軟Ｘ線照
射部６０を設置することができる。温調装置Ｅは、感光
基板Ｐを載置することによってこの感光基板Ｐを所定の
温度にする温調ホルダ６１と、温調ホルダ６１に設けら
れ、感光基板Ｐを昇降するリフトピン６２と、感光基板
Ｐの帯電量を測定する帯電量測定装置６３とを備えてい
る。そして、コータ・デベロッパＣ／Ｄから搬送装置Ｈ
２によって搬送された露光処理前の感光基板Ｐは上昇し
ているリフトピン６２に支持され、このリフトピン６２
が下降することによって温調ホルダ６１に載置される。
そして、所定時間保持することによって温調ホルダ６１
は感光基板Ｐを温調する。温調された感光基板Ｐはリフ
トピン６２によって上昇され、搬送装置Ｈ１に裏面を保
持されるが、このリフトピン６２による上昇動作に伴っ
て、感光基板Ｐと温調ホルダ６１との間に剥離帯電が生
じる。このとき、温調ホルダ６１と感光基板Ｐとで形成
された空間に軟Ｘ線照射部６０より軟Ｘ線ＸＢを照射す
ることにより、感光基板Ｐは除電される。そして、感光
基板Ｐは除電されてから露光装置ＥＸの基板ホルダＰＨ
に搬送される。

【００８４】このように、除電装置としての軟Ｘ線照射
部は、温調装置Ｅや、あるいは基板受け渡しポート、周
辺露光装置など、基板搬送中において感光基板Ｐを一旦
保持するホルダを備える全ての部分に設置することが可
能である。これら感光基板Ｐを一旦保持するホルダで
は、感光基板Ｐを搬出する際の剥離帯電が大きいので、
ホルダのそれぞれに軟Ｘ線照射部を設けておくことによ
って、除電処理を効果的に行うことができる。

【００８５】上記各実施形態の露光装置ＥＸとして、マ
スクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを
露光する走査型の露光装置に適用することができるし、
マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパター
ンを露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ
・アンド・リピート型の露光装置に適用することもでき
る。

【００８６】露光装置ＥＸの用途としては角型のガラス
プレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露
光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の
露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置
にも広く適当できる。

【００８７】本実施形態の露光装置ＥＸの光源１は、ｇ
線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５
ｎｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ₂レー
ザ（１５７ｎｍ）を用いることもできる。

【００８８】投影光学系ＰＬの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍および拡大系のいずれでもよい。

【００８９】投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザ
などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石な
どの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂レーザやＸ線
を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にす
る。

【００９０】基板ステージＰＳＴやマスクステージにリ
ニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエ
ア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用
いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステー
ジは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイ
ドを設けないガイドレスタイプでもよい。

【００９１】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に
設ければよい。

【００９２】基板ステージＰＳＴの移動により発生する
反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に
逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。

【００９３】マスクステージの移動により発生する反力
は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているよ
うに、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃が
してもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装
置においても適用可能である。

【００９４】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。

【００９５】半導体デバイスは、図１３に示すように、
デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この
設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ２０
２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０
３、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパター
ンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス
組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工
程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０
６等を経て製造される。

【００９６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１，２に記
載の基板搬出方法によれば、基板ホルダを載置する基板
ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射するので、基板の
裏面を直接除電することができ、効率良く除電できる。
また、基板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射するこ
とにより、基板の裏面を広範囲に効率良く除電できる。

【００９７】請求項３，４に記載の基板搬送方法によれ
ば、基板が移動しても、軟Ｘ線は基板の裏面あるいは裏
面近傍に常に確実に照射されるので、基板ホルダと基板
とで形成された空間が大きくなっても、安定した除電処
理を効率良く行うことができる。

【００９８】請求項５に記載の露光装置によれば、基板
ホルダを載置する基板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を
照射するので、感光基板の裏面を直接除電することがで
き、効率良く除電できる。また、軟Ｘ線は感光基板の裏
面側に照射され、表面に塗布されている感光剤には照射
されないので、感光剤に悪影響を与えない。したがっ
て、精度良く安定した露光処理を行うことができる。ま
た、基板ホルダの載置面に沿って軟Ｘ線を照射すること
により、感光基板の上方に各種装置・機構が存在してい
ても、軟Ｘ線の照射動作は妨げられないので、作業効率
良く除電できる。また、基板ホルダの載置面に沿って軟
Ｘ線を照射することにより、感光基板の裏面を広範囲に
効率良く除電できる。

【００９９】請求項６に記載の露光装置によれば、昇降
装置によって感光基板が昇降しても、感光基板の昇降に
合わせてＸ線照射部を揺動することによって、軟Ｘ線は
基板の裏面あるいは裏面近傍に常に確実に照射されるの
で、基板ホルダと感光基板とで形成された空間が大きく
なっても、安定した除電処理を効率良く行うことができ
る。

【０１００】請求項７に記載の露光装置によれば、送風
部によって軟Ｘ線照射部の照射により発生したイオンガ
スを移動することにより、基板ホルダと感光基板とで形
成された空間のイオンガス濃度が均一化される。したが
って、大きな感光基板でも全体の除電処理を満遍なく確
実に行うことができる。

【０１０１】請求項８に記載の露光装置によれば、軟Ｘ
線照射部と対向する位置に設けられた遮蔽部材によっ
て、軟Ｘ線による被曝の危険性を回避することができ
る。

【０１０２】請求項９に記載の露光装置によれば、遮蔽
部材の扉部を開けて基板ホルダや露光装置にアクセスす
ることができるので、メンテナンスなど所定の処理を作
業性良く行うことができる。また、扉部の開閉動作に連
動して軟Ｘ線照射部の照射動作が制御されるといったイ
ンタロック機構を設けたので、オペレータの軟Ｘ線によ
る被曝を防ぐことができ、安全性を向上することができ
る。更に、軟Ｘ線照射部の状態を表示する表示部によっ
て、軟Ｘ線が照射中においてオペレータに注意を促すこ
とができ、安全性を更に向上することができる。

【０１０３】請求項１０に記載の露光方法によれば、露
光処理後における感光基板の除電を効率良く行うことが
できる。そして、露光処理後において基板の除電をする
ことにより、その後の現像処理など他の工程を安定して
行うことができる。また、感光基板に対して常時軟Ｘ線
を照射せずに、露光処理後に軟Ｘ線を照射するので、感
光基板が軟Ｘ線に晒される時間を最小限に抑えることが
できる。したがって、感光基板に悪影響を及ぼすことな
く精度良く安定した露光処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光装置を含むデバイス製造システム
を上方から見た概略平面図である。

【図２】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成
図である。

【図３】本発明の露光装置の第１実施形態を示す要部拡
大図であって基板ステージ近傍の側面図である。

【図４】本発明の露光装置の第１実施形態を示す要部拡
大図であって基板ステージ近傍の斜視図である。

【図５】本発明の露光装置の第１実施形態に係る制御系
を示すブロック図である。

【図６】本発明の基板搬送方法、露光方法の一例を示す
フローチャート図である。

【図７】本発明の露光装置の第２実施形態を示す要部拡
大図である。

【図８】本発明の露光装置の第３実施形態を示す要部拡
大図である。

【図９】本発明の露光装置の第４実施形態を示す要部拡
大図である。

【図１０】本発明の露光装置の他の実施形態を示す要部
拡大図である。

【図１１】本発明の露光装置の他の実施形態を示す要部
拡大図である。

【図１２】本発明の露光装置の他の実施形態を示す要部
拡大図である。

【図１３】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフロ
ーチャート図である。

【図１４】従来の基板搬送方法を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

９リフトピン（昇降装置）１１軟Ｘ線照射部１２イオナイザ制御部（制御部）１５遮蔽部材１５ａ、１５ｂ扉部１８ａ、１８ｂランプ（表示部）２５送風部４０駆動部Ａ（基板ホルダ）載置面ＣＯＮＴ制御装置（制御部）ＥＸ露光装置Ｐ感光基板（基板）ＰＨ基板ホルダＸＢ軟Ｘ線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F031 CA02 CA05 FA02 FA07 FA12 FA15 GA08 GA47 HA01 HA02 HA13 HA33 HA53 JA01 JA02 JA06 JA14 JA17 JA27 JA30 JA31 JA32 JA51 KA05 LA03 LA04 LA07 LA08 MA04 MA07 MA13 MA27 NA01 NA02 NA16 PA02 PA08 PA21 PA23 5F046 AA28 CD01 CD04 CD10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板ホルダに基板を搬送する基板搬送方
法において、前記基板を載置する前記基板ホルダの載置面に沿って軟
Ｘ線を照射することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項２】請求項１に記載の基板搬送方法におい
て、前記基板ホルダと前記基板とで形成された空間に前記軟
Ｘ線を照射することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項３】請求項１又は２に記載の基板搬送方法に
おいて、前記基板の位置に追従して前記軟Ｘ線の光束を揺動させ
ることを特徴とする基板搬送方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の基板搬
送方法において、前記基板ホルダから前記基板を持ち上げる動作に伴っ
て、前記軟Ｘ線を照射することを特徴とする基板搬送方
法。
【請求項５】感光基板に露光光を照射する露光装置に
おいて、前記感光基板を載置する基板ホルダと、前記感光基板を載置する前記基板ホルダの載置面に沿っ
て前記露光光とは異なる軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射部
とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項６】請求項５に記載の露光装置において、前記基板ホルダに対して前記感光基板を昇降させる昇降
装置と、前記昇降装置による前記感光基板の昇降に合わせて前記
軟Ｘ線照射部を揺動可能な駆動部とを備えることを特徴
とする露光装置。
【請求項７】請求項５又は６に記載の露光装置におい
て、前記軟Ｘ線照射部の照射により発生したイオンガスを移
動させる送風部を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項８】請求項５〜７のいずれかに記載の露光装
置において、前記軟Ｘ線照射部と対向する位置に前記軟Ｘ線を遮蔽す
る遮蔽部材を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項９】請求項８に記載の露光装置において、前記遮蔽部材は開閉可能な扉部を有し、前記軟Ｘ線照射部の照射動作と前記扉部の開閉動作との
それぞれの動作を連動させる制御部と、前記軟Ｘ線照射部の状態を表示する表示部とを備えるこ
とを特徴とする露光装置。
【請求項１０】感光剤を塗布された基板に露光光を照
射して前記基板を露光する露光方法において、前記基板に露光光を照射した後に、前記露光光とは異な
る軟Ｘ線を前記基板に向けて照射することを特徴とする
露光方法。