JP2015115413A - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】モールドと基板との間の空間における除電を行うのに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態で紫外線を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、インプリント材を吐出する吐出口を含み、前記吐出口を介して前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、前記モールドと前記基板との間の第1空間から離れた第2空間に軟X線を照射することでイオンを生成する生成部と、を有し、前記吐出口と前記生成部とは、前記モールドの側面を挟んで配置され、前記第2空間で生成された前記イオンを前記第1空間に供給して前記第1空間における除電を行うことを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンの形成を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の1つとして実用化されつつある。インプリント技術を用いたインプリント装置は、微細なパターン(凹凸)が形成されたモールド(型)を原版として用いて、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上にパターンを形成する。例えば、インプリント装置では、基板上に光硬化性樹脂(例えば、紫外線硬化樹脂)を塗布し、かかる樹脂をモールドで成形する。そして、光(例えば、紫外線)を照射して樹脂を硬化させてからモールドを剥離することで、樹脂のパターンが基板上に形成される。
インプリント装置では、基板上の硬化した樹脂からモールドを剥離する剥離工程において、モールド及び基板上の樹脂のパターン(転写パターン)のそれぞれの面で帯電(剥離帯電)が生じることがある。剥離帯電は、転写パターンの放電破壊やモールドへの塵埃(パーティクル)の付着を引き起こすことがあるため、転写パターンの欠陥の要因となる。
そこで、剥離帯電を除去するために、除電装置(イオナイザー)を備えたインプリント装置が提案されている(特許文献1及び2参照)。かかるインプリント装置では、発塵の懸念のない軟X線を照射するイオナイザーが用いられている。
特許第5137635号公報 特開2009−286085号公報
しかしながら、従来技術には、イオナイザーから照射される軟X線によって、インプリント装置内に存在する未硬化の樹脂の重合反応(硬化反応)が開始されてしまうという課題がある。特に、インプリント装置内に基板上に樹脂を塗布(供給)する塗布装置が配置されている場合、樹脂の吐出口に軟X線が照射されると、かかる吐出口に存在する樹脂が硬化し、基板への樹脂の塗布が不安定になってしまう。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板との間の空間における除電を行うのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態で紫外線を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、インプリント材を吐出する吐出口を含み、前記吐出口を介して前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、前記モールドと前記基板との間の第1空間から離れた第2空間に軟X線を照射することでイオンを生成する生成部と、を有し、前記吐出口と前記生成部とは、前記モールドの側面を挟んで配置され、前記第2空間で生成された前記イオンを前記第1空間に供給して前記第1空間における除電を行うことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、モールドと基板との間の空間における除電を行うのに有利な技術を提供することができる。
本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 モールドチャック、基板ステージ、除電機構及び吐出ヘッドの近傍を示す概略図である。 モールドチャック、基板ステージ、除電機構及び吐出ヘッドの近傍を示す概略図である。 樹脂供給部の吐出ヘッドの吐出口の近傍を示す概略図である。 モールドチャック、基板ステージ、除電機構及び吐出ヘッドの近傍を示す概略図である。 樹脂供給部の供給管の構成を示す概略図である。 モールドチャック、基板ステージ、除電機構及び吐出ヘッドの近傍を示す概略図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、例えば、半導体デバイスなどのデバイスの製造に用いられるリソグラフィ装置であって、基板上のインプリント材(未硬化の樹脂)をモールド(型)で成形して基板上にパターンを形成する。インプリント装置100は、本実施形態では、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態で紫外線を照射してインプリント材を硬化させ、基板上の硬化したインプリント材からモールドを剥離することで基板上にパターンを形成する。
インプリント装置100は、モールドチャック2と、構造体3と、ステージ定盤5と、基板ステージ6と、照射部7と、樹脂供給部12と、除電機構(イオナイザー)15とを有する。
モールドチャック2は、基板4に転写すべきパターンに対応する凹凸(微細パターン)が形成されたモールド1を保持するモールド保持部材であって、上下方向(基板4に近づいたり、基板4から離れたりする方向)に移動可能である。モールドチャック2は、構造体3によって支持されている。
基板4は、ステージ定盤5の面内で移動可能な基板ステージ6に保持される。基板ステージ6には、上下方向(モールド1に近づいたり、モールド1から離れたりする方向)に移動可能な機構を設けてもよい。基板4は、モールド1のパターンが転写される基板であって、シリコンウエハやガラスプレートなどを含む。
照射部7は、光源や光学素子などを含み、インプリント材を硬化させるための光を照射する。本実施形態では、インプリント材として、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂10を用いているため、照射部7から紫外線が照射される。但し、照射部7から照射される光(の波長)は、インプリント材の種類に応じて決定される。
樹脂供給部12は、基板4の上に樹脂10を供給(塗布)する。樹脂供給部12は、樹脂10を吐出する吐出口11が形成された吐出ヘッド13と、樹脂10を収容するタンク14と、吐出口11とタンク14とを接続し、タンク14に収容された樹脂10を吐出口11に供給する供給管23とを含む。吐出ヘッド13は、ピエゾ素子を振動させるインクジェット機構を含み、かかるインクジェット機構によって吐出口11から基板4に向けて樹脂10が吐出される。
インプリント装置100におけるインプリント処理、即ち、基板4の所定の位置(ショット領域)にパターンを形成する処理について説明する。インプリント処理においては、まず、基板4が樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11の下に位置するように基板ステージ6を移動させ、吐出口11を介して基板4の上に樹脂10を供給(塗布)する。
次に、樹脂10を塗布した基板4がモールド1の下に位置するように基板ステージ6を移動させ、モールドチャック2を基板4に近づく方向に移動させて、基板4の上の樹脂10とモールド1とを接触させる(モールド1を基板4に押し付ける)。この際、基板ステージ6をモールド1に近づく方向に移動させて、基板4の上の樹脂10とモールド1とを接触させてもよい。モールド1と流動性を有する状態の樹脂10、即ち、未硬化の樹脂10とが接触することで、基板4の上の樹脂10がモールド1のパターン(凹部)に充填される。
次いで、基板4の上の樹脂10とモールド1とを接触させた状態において、照射部7からの紫外線を、モールド1を介して樹脂10に照射する。紫外線の照射によって樹脂10の重合反応が開始され、モールド1に成形された樹脂10が硬化する。
次に、モールドチャック2を基板4から離れる方向に移動させて、基板4の上の硬化した樹脂10からモールド1を剥離する。これにより、基板4の所定のショット領域に樹脂10のパターン(転写パターン)が形成される。
これらの工程を繰り返すことで、基板4の全面、即ち、基板4の全てのショット領域に樹脂10のパターンを形成することができる。
インプリント装置100におけるインプリント処理では、基板4の上の硬化した樹脂10からモールド1を剥離する剥離工程において、モールド1の表面や転写パターンの表面で帯電(剥離帯電)が生じる。モールド1の表面や転写パターンの表面が帯電すると、転写パターンの放電破壊やモールド1への塵埃(周囲の空間に浮遊しているパーティクル)の付着を引き起こし、転写パターンの欠陥が発生してしまう。
このような剥離工程で生じた剥離帯電を除電するために、インプリント装置100は、除電機構15を有している。除電機構15は、本実施形態では、モールド1と基板4との間の第1空間(インプリント空間)SP1から離れた第2空間SP2に軟X線を照射することでイオンを生成する生成部として機能する。
除電機構15は、当業界で周知のいかなる構成をも適用可能であり、例えば、蛍光管で発生した軟X線を照射窓から第2空間SP2に向けて照射する。除電機構15から照射された軟X線は、電離作用によって高濃度のイオンを生成する。除電機構15から照射される軟X線の照射角θは広く、静電気の除去が広範囲で可能である。除電機構15から照射された軟X線によって生成された多くのイオンを含む空気は、第1空間SPの周囲を流れる気体の流路に沿って(気流に乗って)モールド1の近傍に到達し、モールド1の帯電や基板4の上の転写パターンの帯電を除電する。このように、インプリント装置100では、第2空間SP2で生成されたイオンを第1空間SP1に供給して第1空間SP1における除電を行う。ここで、第1空間SP1における除電は、剥離工程で生じた剥離帯電の除電、具体的には、モールド1に対する除電及び基板4の上の転写パターンに対する除電の少なくとも一方を含む。
一方、基板4に供給される樹脂10は、軟X線が照射されても硬化してしまう。図1に示すように、インプリント装置100の内部には、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11が存在する。吐出口11では、樹脂10と周囲の気体とが境界(界面)を形成している状態である。従って、かかる界面に軟X線が照射されると、界面に存在する樹脂10が硬化して吐出口11の目詰まりが生じ、基板4への樹脂10の供給が不安定になってしまう(樹脂10の吐出不良が生じてしまう)。
そこで、本実施形態では、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11と除電機構15とをモールド1の側面を挟んで配置している。また、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11を、除電機構15から照射される軟X線の照射角θの外側に配置している。本実施形態では、吐出ヘッド13の吐出口11を基板4に向けて下向きに配置し、除電機構15から照射される軟X線の照射角θの内側に吐出口11が存在しないようにしている。従って、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11及び除電機構15を成就したように配置すれば、除電機構15からの軟X線が吐出口11に直接照射されることはない。
また、インプリント装置100は、第1空間SP1や第2空間SP2を含む内部の空間のクリーン度を高めるために、図2に示すように、インプリント装置100に気体を供給する気体供給部17を有している。気体供給部17は、例えば、送風機などを含み、第1空間SP1に対してフィルタを介した清浄な気体を流して第2空間SP2から第1空間SP1に向かう流路を形成する。除電機構15は、第2空間SP2から第1空間SP1に向かう流路の流路の上流側に配置され、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11は、第2空間SP2から第1空間SP1に向かう流路の下流側に配置されている。従って、除電機構15からの軟X線を、モールド1や吐出口11(第1空間SP1)に直接照射せず、気体供給部17と第1空間SP1との間の第2空間SP2に照射することで、第2空間SP2で生成されたイオンが流路を介して第1空間SP1に供給される。このようにして第1空間SP1に供給されたイオンによって、第1空間SP1における除電が行われる。これにより、インプリント装置100では、剥離工程で生じた剥離帯電が解消され、且つ、吐出ヘッド13の吐出口11に存在する樹脂10が硬化することを防止することができる。
インプリント装置100によれば、基板4の上の転写パターンの放電破壊やモールド1への塵埃の付着を防止するとともに、吐出口11を良好な状態(樹脂10の硬化による吐出不良がない状態)に維持して、良好なインプリント処理を継続して行うことができる。
本実施形態では、除電機構15からの軟X線の照射による樹脂10の硬化が問題となる部位として、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11を例に説明したが、樹脂10の硬化が問題となる部位は吐出口11に限定されるものではない。例えば、樹脂10の硬化が問題となる部位は、樹脂供給部12のタンク14や供給管23、吐出口11のメンテナンス機構などのインプリント装置100の内部の未硬化の樹脂10が存在する部位を含む。従って、このような部位に対して除電機構15からの軟X線が直接照射されないように、除電機構15と未硬化の樹脂10が存在する部位とを配置するとよい。
また、基板4の上の未硬化の樹脂10については、基板4に樹脂10を供給する位置からインプリント処理を行う位置までの基板4の搬送経路が、除電機構15から照射される軟X線の照射角θの外側になるようにすればよい。これは、樹脂供給部12をインプリント装置100の外部に配置する場合、即ち、インプリント装置100の外部で樹脂10を供給した基板4を搬入する場合にも適用することができる。
また、図3に示すように、除電機構15から第2空間SP2に照射される軟X線の照射角を制限するために、除電機構15と樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11との間に遮蔽部材20を配置してもよい。遮蔽部材20は、除電機構15の近傍で照射角を制限するとよい。例えば、図3(a)では、遮蔽部材20は、除電機構15(軟X線の射出口)から円錐状に広がる軟X線のうち、除電機構15と吐出口11とを結ぶ直線の上側を通過する軟X線、即ち、吐出口11に向かう軟X線を遮蔽する。これにより、除電機構15からの軟X線が吐出口11に直接照射されることをより効率的に防止することができる。
また、遮蔽部材20を配置するのではなく、図4に示すように、インプリント装置100を構成する構造体によって、除電機構15から照射された軟X線を遮蔽してもよい。図4では、除電機構15から照射されて樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11に向かう軟X線がモールドチャック2によって遮蔽されるように、除電機構15と吐出口11との間にモールドチャック2が配置されている。これにより、除電機構15からの軟X線が吐出口11に直接照射されることをより効率的に防止することができる。
また、図5(a)に示すように、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11の近傍を、除電機構15から照射された軟X線を遮蔽する遮蔽構造としてもよい。図5(a)では、吐出ヘッド13は、吐出口11が形成された面から基板側に突出し、吐出口11を取り囲む部材13aを有している。部材13aは、除電機構15から照射されて樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11に向かう軟X線を遮蔽する。これにより、除電機構15からの軟X線が吐出口11に直接照射されることをより効率的に防止することができる。
また、除電機構15から照射されて樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11に向かう軟X線を遮蔽する遮蔽部材の位置を常に固定しておく必要はない。例えば、除電機構15から吐出口11に向かう軟X線を基板ステージ6によって遮蔽する場合を考える。この場合、インプリント処理を行っている間、例えば、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11の下に基板ステージ6が位置している間は、除電機構15から吐出口11に向かう軟X線を基板ステージ6によって遮蔽することができる。但し、基板4の交換などで基板ステージ6が吐出口11の下から離れると、除電機構15から吐出口11に向かう軟X線が吐出口11に照射されてしまう可能性がある。このような場合には、樹脂供給部12の吐出ヘッド13の吐出口11の下に基板ステージ6が位置していない間は、除電機構15と吐出口11との間に除電機構15から吐出口11に向かう軟X線を遮蔽する遮蔽部材を挿入すればよい。具体的には、図5(b)に示すように、吐出ヘッド13の吐出口11を覆うように吐出ヘッド13に着脱可能な蓋21を樹脂供給部12に設ければよい。
また、基板ステージ6が通常のインプリント位置(モールド1の下の位置)から大きく離れる場合も考えられる。このような場合には、図6に示すように、吐出ヘッド13の吐出口11を覆うカバー部材22を基板ステージ6に配置し、基板ステージ6がインプリント位置から大きく離れた位置に位置する状態において、カバー部材22で吐出口11を覆うようにすればよい。
また、除電機構15からの軟X線が未硬化の樹脂10に照射されることを防止するという観点では、例えば、図7に示すように、吐出口11に樹脂10を供給する供給管23を、除電機構15から照射された軟X線を遮蔽する遮蔽材23aで構成するとよい。遮蔽材23aとしては、例えば、1mm以上の厚さを有する樹脂チューブや0.1mm以上の厚さを有する金属管などがある。なお、タンク14、供給管23の継ぎ手、マニホールドなどの未硬化の樹脂10の供給系統の全てを、除電機構15から照射された軟X線を遮蔽する遮蔽材で構成してもよい。
また、インプリント装置100では、除電機構15による軟X線の照射を一時的に停止することも可能である。従って、除電機構15から吐出口11に向かう軟X線が吐出口11に照射されてしまう可能性がある場合には、除電機構15による軟X線の照射を停止すればよい。例えば、除電機構15から吐出口11に向かう軟X線を基板ステージ6によって遮蔽する場合を考える。この場合、図8(a)に示すように、基板ステージ6が通常のインプリント位置から大きく離れる際には、除電機構15による軟X線の照射を停止する。また、図8(b)に示すように、基板4を保持した基板ステージ6が移動することで、除電機構15から照射される軟X線の照射角の内側に未硬化の樹脂10が存在するようになる場合には、除電機構15による軟X線の照射を停止する。
このように、インプリント装置100は、基板4の上の転写パターンの放電破壊やモールド1への塵埃の付着を防止するとともに、吐出口11を良好な状態に維持して良好なインプリント処理を継続して行うことができる。従って、インプリント装置100は、高いスループットで経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。
物品としてのデバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置100を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (13)

  1. 基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態で紫外線を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
    インプリント材を吐出する吐出口を含み、前記吐出口を介して前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、
    前記モールドと前記基板との間の第1空間から離れた第2空間に軟X線を照射することでイオンを生成する生成部と、を有し、
    前記吐出口と前記生成部とは、前記モールドの側面を挟んで配置され、
    前記第2空間で生成された前記イオンを前記第1空間に供給して前記第1空間における除電を行うことを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記インプリント装置に気体を供給して前記第2空間から前記第1空間に向かう流路を形成する気体供給部を更に有し、
    前記第2空間は、前記第1空間と前記気体供給部との間の空間であり、
    前記第2空間で生成された前記イオンは、前記流路を介して前記第1空間に供給されることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記生成部は、前記流路の上流側に配置され、
    前記吐出口は、前記流路の下流側に配置されていることを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  4. 前記生成部と前記吐出口との間に配置され、前記生成部から照射されて前記吐出口に向かう軟X線を遮蔽する遮蔽部材を更に有することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  5. 前記モールドを保持するモールド保持部材を更に有し、
    前記生成部は、前記生成部から照射されて前記吐出口に向かう軟X線が前記モールド保持部材によって遮蔽されるように配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  6. 前記供給部は、前記吐出口が形成された吐出ヘッドを含み、
    前記吐出ヘッドは、前記吐出口が形成された面から前記基板側に突出し、前記吐出口を取り囲む部材を有することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  7. 前記供給部は、前記吐出口が形成された吐出ヘッドと、前記吐出口を覆うように前記吐出ヘッドに着脱可能な蓋と、を含むことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  8. 前記基板を保持して移動可能なステージと、
    前記吐出口を覆うカバー部材と、を更に有し、
    前記カバー部材は、前記ステージが前記モールドの下の位置から離れた位置に位置する状態で前記吐出口を覆うように前記ステージに配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  9. 前記供給部は、前記吐出口に接続してインプリント材を供給する供給管を含み、
    前記供給管は、前記生成部から照射された軟X線を遮蔽するように構成されていることを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  10. 前記供給管は、1mm以上の厚さの樹脂、又は、0.1mm以上の厚さの金属で構成されていることを特徴とする請求項9に記載のインプリント装置。
  11. 前記吐出口は、前記生成部から照射される軟X線の照射角の外側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  12. 前記第1空間における除電は、前記基板上の硬化したインプリント材から前記モールドを剥離することで帯電した前記モールドに対する除電及び前記基板上の硬化したインプリント材に対する除電の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
  13. 請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
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