KR20150067724A - 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 제공하는데, 상기 장치는 임프린트재를 토출하는 토출구를 포함하고 상기 토출구를 통하여 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛, 및 상기 몰드와 상기 기판 사이의 제1 공간으로부터 이격된 제2 공간에 소프트 X선을 조사함으로써 이온을 생성하도록 구성된 생성 유닛을 포함하고, 상기 토출구와 상기 생성 유닛은 상기 몰드의 측면이 그 사이에 끼워지도록 배치되고, 상기 제2 공간에서 생성된 상기 이온을 상기 제1 공간에 공급함으로써 상기 제1 공간에서 제전을 행한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은 나노스케일의 미세 패턴을 형성할 수 있고, 자기 기억 매체나 반도체 디바이스의 양산을 위한 리소그래피 기술의 하나로서 실용화되고 있다. 임프린트 기술을 사용한 임프린트 장치는 미세한 패턴(요철)이 형성된 몰드(형)를 원판으로서 사용하여 실리콘 웨이퍼나 유리 플레이트 등의 기판 상에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는, 예를 들어, 기판 상에 광경화성 수지(예를 들어, 자외선 경화 수지)를 도포하고, 몰드를 사용하여 이 수지를 성형한다. 광(예를 들어, 자외선)을 조사하여 수지를 경화시키고 나서, 몰드를 경화된 수지로부터 박리함으로써, 수지의 패턴을 기판 상에 형성한다.
임프린트 장치에서의 기판 상의 경화된 수지로부터 몰드를 박리하는 박리 공정에서, 몰드 및 기판 상의 수지의 패턴(전사 패턴)의 각각의 면에 대전(박리 대전)이 발생할 수 있다. 박리 대전은 전사 패턴의 방전 파괴나 몰드에의 진애(파티클)의 부착을 야기할 수 있으므로, 전사 패턴 결함의 요인이 된다.
박리 대전을 제거하기 위해서, 일본 특허 제5137635호와 일본 특허 공개 제2009-286085호는 제전 장치(이오나이저)를 구비한 임프린트 장치를 제안하고 있다. 이 임프린트 장치는 진애가 발생하지 않는 소프트 X선을 조사하는 이오나이저를 사용하고 있다.
그러나, 종래 기술에서는, 이오나이저로부터의 소프트 X선은 임프린트 장치 내에 존재하는 미경화된 수지를 조사하여 수지의 중합 반응(경화 반응)을 개시한다. 특히, 임프린트 장치 내에 기판 상에 수지를 도포(공급)하는 도포 장치가 배치되어 있는 경우에, 토출구에 소프트 X선이 조사되면 이 토출구에 존재하는 수지가 경화되고, 수지를 기판 상에 도포하는 것이 불안정하게 된다.
본 발명은 몰드와 기판 사이의 공간에서의 제전을 행하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 광을 조사하여 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 박리함으로써, 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 임프린트재를 토출하는 토출구를 포함하고 상기 토출구를 통하여 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛, 및 상기 몰드와 상기 기판 사이의 제1 공간으로부터 이격된 제2 공간에 소프트 X선을 조사함으로써 이온을 생성하도록 구성된 생성 유닛을 포함하고, 상기 토출구와 상기 생성 유닛은 상기 몰드의 측면이 그 사이에 끼워지도록 배치되고, 상기 제2 공간에서 생성된 상기 이온을 상기 제1 공간에 공급함으로써 상기 제1 공간에서 제전을 행하는 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 특징은 첨부 도면을 참조하여 이루어진 예시적인 실시 형태들의 다음의 설명으로부터 분명해질 것이다.
도 1은 본 발명의 한 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2는 본 발명의 한 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 3은 몰드 척, 기판 스테이지, 제전 기구, 및 토출 헤드의 근방을 도시하는 개략도.
도 4는 몰드 척, 기판 스테이지, 제전 기구, 및 토출 헤드의 근방을 도시하는 개략도.
도 5a 및 도 5b는 수지 공급 유닛의 토출 헤드의 토출구 근방을 도시하는 개략도.
도 6은 몰드 척, 기판 스테이지, 제전 기구, 및 토출 헤드의 근방을 도시하는 개략도.
도 7은 수지 공급 유닛의 공급관의 구성을 도시하는 개략도.
도 8a 및 도 8b는 몰드 척, 기판 스테이지, 제전 기구, 및 토출 헤드의 근방을 도시하는 개략도.
본 발명의 양호한 실시 형태들이 이하 첨부 도면을 참조하여 설명된다. 도 면에 걸쳐서 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 표시하고, 그 반복 설명은 생략한다는 점에 유의한다.
도 1은 본 발명의 한 양태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용되는 리소그래피 장치이며, 몰드(형)를 사용하여 기판 상의 임프린트재(미경화된 수지)를 성형해서 기판 상에 패턴을 형성한다. 본 실시 형태에서, 임프린트 장치(100)는 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 자외선을 조사하여 임프린트재를 경화시키고, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 박리함으로써, 기판 상에 패턴을 형성한다.
임프린트 장치(100)는 몰드 척(2), 구조체(3), 스테이지 정반(5), 기판 스테이지(6), 조사 유닛(7), 수지 공급 유닛(12), 및 제전 기구(이오나이저)(15)를 포함한다.
몰드 척(2)은 기판(4)에 전사해야 할 패턴에 대응하는 요철(미세 패턴)이 형성된 몰드(1)를 유지하는 몰드 유지 부재이며, 상하 방향(기판(4)에 근접하거나 기판(4)으로부터 이격되는 방향)으로 이동가능하다. 몰드 척(2)은 구조체(3)에 의해 지지된다.
기판(4)은 스테이지 정반(5)의 면 내에서 이동가능한 기판 스테이지(6)에 유지된다. 기판 스테이지(6)에는 상하 방향(몰드(1)에 근접하거나 몰드(1)로부터 이격되는 방향)으로 이동가능한 기구가 설치될 수 있다. 기판(4)은 몰드(1)의 패턴이 전사되는 기판이며, 실리콘 웨이퍼와 유리 플레이트를 포함한다.
조사 유닛(7)은 광원과 광학 소자를 포함하고, 임프린트재를 경화시키기 위해 광을 조사한다. 본 실시 형태에서는, 임프린트재로서 자외선의 조사 시에 경화되는 자외선 경화 수지(10)가 사용되므로, 조사 유닛(7)이 자외선을 조사한다. 조사 유닛(7)으로부터의 광(그것의 파장)은 임프린트재의 종류에 따라 결정된다는 점에 유의한다.
수지 공급 유닛(12)은 기판(4) 상에 수지(10)를 공급(도포)한다. 수지 공급 유닛(12)은 수지(10)를 토출하는 토출구(11)가 형성된 토출 헤드(13), 수지(10)를 수용하는 탱크(14), 및 토출구(11)와 탱크(14)를 접속하고 탱크(14)에 수용된 수지(10)를 토출구(11)에 공급하는 공급관(23)을 포함한다. 토출 헤드(13)는 피에조 소자를 진동시키는 잉크젯 기구를 포함한다. 잉크젯 기구는 토출구(11)로부터 기판(4) 상으로 수지(10)를 토출한다.
임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리, 즉, 기판(4)의 소정의 위치(샷 영역)에 패턴을 형성하는 처리에 대해서 설명한다. 임프린트 처리에서는, 먼저, 기판(4)이 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11) 밑에 위치하도록 기판 스테이지(6)가 이동되고, 토출구(11)를 통하여 기판(4) 상에 수지(10)가 공급(도포)된다.
이어서, 수지(10)가 도포된 기판(4)이 몰드(1) 밑에 위치하도록 기판 스테이지(6)가 이동되고, 몰드 척(2)이 기판(4)에 가까워지는 방향으로 이동되어, 기판(4) 상의 수지(10)를 몰드(1)에 접촉시킨다(몰드(1)를 기판(4)에 가압한다). 이때, 기판 스테이지(6)를 몰드(1)에 가까워지는 방향으로 이동시킴으로써 기판(4) 상의 수지(10)가 몰드(1)와 접촉될 수 있다. 몰드(1)가 유동성 상태에 있는 수지(10), 즉, 미경화된 수지(10)와 접촉함으로써, 기판(4) 상의 수지(10)가 몰드(1)의 패턴(오목부)에 충전된다.
계속해서, 기판(4) 상의 수지(10)와 몰드(1)가 서로 접촉된 상태에서, 조사 유닛(7)으로부터의 자외선이 몰드(1)를 통하여 수지(10)에 조사된다. 자외선의 조사 시에 수지(10)의 중합 반응이 개시되고, 몰드(1)에 성형된 수지(10)가 경화된다.
이어서, 몰드 척(2)을 기판(4)으로부터 이격되는 방향으로 이동시킴으로써, 기판(4) 상의 경화된 수지(10)로부터 몰드(1)를 박리한다. 따라서, 기판(4)의 소정의 샷 영역에 수지(10)의 패턴(전사 패턴)이 형성된다.
이들 공정을 반복함으로써, 기판(4)의 전체 면, 즉, 기판(4)의 모든 샷 영역에 수지(10)의 패턴이 형성될 수 있다.
임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에서는, 기판(4) 상의 경화된 수지(10)로부터 몰드(1)를 박리하는 박리 공정에서, 몰드(1)의 표면과 전사 패턴의 표면에서 대전(박리 대전)이 발생한다. 몰드(1)의 표면과 전사 패턴의 표면이 대전되면, 전사 패턴의 방전 파괴나 몰드(1)에의 진애(주위의 공간에 부유하고 있는 파티클)의 부착을 야기하여, 전사 패턴 결함이 발생한다.
임프린트 장치(100)는 이러한 박리 공정에서 발생된 박리 대전을 제전하기 위한 제전 기구(15)를 포함한다. 본 실시 형태에서, 제전 기구(15)는 몰드(1)와 기판(4) 사이의 제1 공간(임프린트 공간) SP1으로부터 이격된 제2 공간 SP2에 소프트 X선을 조사함으로써 이온을 생성하는 생성 유닛으로서 기능한다.
제전 기구(15)는 본 기술에 공지된 어떠한 구성도 적용 가능하고, 예를 들어, 형광 관에 의해 발생된 소프트 X선을 조사 창으로부터 제2 공간 SP2으로 조사한다. 제전 기구(15)로부터 조사된 소프트 X선은 이온화에 의해 고농도 이온을 생성한다. 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선의 조사 각 θ는 넓으므로, 정전기가 광범위하게 제거될 수 있다. 제전 기구(15)로부터 조사된 소프트 X선에 의해 생성된 많은 이온을 포함하는 공기는 제1 공간 SP1의 주위를 흐르는 기체의 유로를 따라(기류를 타서) 몰드(1)의 근방에 도달하고, 몰드(1)의 대전과 기판(4) 상의 전사 패턴의 대전을 제전한다. 상술한 바와 같이, 임프린트 장치(100)는 제2 공간 SP2에서 생성된 이온을 제1 공간 SP1에 공급하여, 제1 공간 SP1에서 제전을 행한다. 제1 공간 SP1에서의 제전은 박리 공정에서 발생된 박리 대전의 제전, 또는 보다 구체적으로는, 몰드(1)에 대한 제전 및 기판(4) 상의 전사 패턴에 대한 제전 중 적어도 한쪽을 포함한다.
한편, 기판(4) 상에 공급되는 수지(10)는 소프트 X선의 조사에 의해서도 경화된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 임프린트 장치(100)의 내부에는 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)가 존재한다. 토출구(11)는 수지(10)와 주위의 기체가 경계(계면)를 형성하고 있는 상태에 있다. 그러므로, 이 계면에 소프트 X선이 조사되면, 계면에 존재하는 수지(10)가 경화되어 토출구(11)의 막힘을 야기하고, 기판(4)에의 수지(10)의 공급이 불안정하게 된다(수지(10)의 토출 불량이 발생한다).
이에 대처하기 위해서, 본 실시 형태에서는, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)와 제전 기구(15)가 그 사이에 몰드(1)의 측면을 끼우도록 배치되어 있다. 또한, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)가 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선의 조사 각 θ의 외측에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 토출 헤드(13)의 토출구(11)가 기판(4)을 향해서 하향으로 배치되어, 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선의 조사 각 θ의 내측에 토출구(11)가 존재하지 않게 된다. 따라서, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11) 및 제전 기구(15)가 상술한 것과 같이 배치되면, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 토출구(11)에 직접 조사되지 않는다.
임프린트 장치(100)는 제1 공간 SP1 및 제2 공간 SP2을 포함하는 내부 공간의 클린도를 높이기 위해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 임프린트 장치(100)에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛(17)을 또한 포함한다. 기체 공급 유닛(17)은, 예를 들어, 송풍기를 포함하고, 제1 공간 SP1에 필터를 통한 청정한 기체를 흘려서 제2 공간 SP2으로부터 제1 공간 SP1을 향하는 유로를 형성한다. 제전 기구(15)는 제2 공간 SP2으로부터 제1 공간 SP1을 향하는 유로의 상류측에 배치되고, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)는 제2 공간 SP2으로부터 제1 공간 SP1을 향하는 유로의 하류측에 배치된다. 따라서, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 몰드(1)와 토출구(11)(제1 공간 SP1)에 직접 조사되지 않고, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 기체 공급 유닛(17)과 제1 공간 SP1 사이의 제2 공간 SP2에 조사됨으로써, 제2 공간 SP2에서 생성된 이온이 유로를 통하여 제1 공간 SP1에 공급된다. 이렇게 제1 공간 SP1에 공급된 이온에 의해 제1 공간 SP1에서의 제전이 행해진다. 이에 의해, 임프린트 장치(100)에서는, 박리 공정에서 발생된 박리 대전을 해소하고 토출 헤드(13)의 토출구(11)에 존재하는 수지(10)가 경화되는 것을 방지할 수 있다.
임프린트 장치(100)는 기판(4) 상의 전사 패턴의 방전 파괴나 몰드(1)에의 진애의 부착을 방지하고, 또한 토출구(11)를 양호한 상태(수지(10)의 경화에 의한 토출 불량이 없는 상태)로 유지하여, 양호한 임프린트 처리를 계속해서 행할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선의 조사에 의한 수지(10)의 경화가 문제가 되는 부위로서 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)를 예로 들어 설명했다. 그러나, 수지(10)의 경화가 문제가 되는 부위는 토출구(11)에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 수지(10)의 경화가 문제가 되는 부위는 수지 공급 유닛(12)의 탱크(14)나 공급관(23), 및 토출구(11)의 유지 보수 기구 등의 임프린트 장치(100)의 내부에 미경화된 수지(10)가 존재하는 부위를 포함한다. 그러므로, 제전 기구(15)와 미경화된 수지(10)가 존재하는 부위가 이들 부위에 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 직접 조사되지 않도록 배치된다.
기판(4) 상의 미경화된 수지(10)에 대해서는, 기판(4)에 수지(10)를 공급하는 위치로부터 임프린트 처리를 행하는 위치까지의 기판(4)의 반송 경로가 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선의 조사 각 θ의 외측에 배치된다. 이것은 수지 공급 유닛(12)이 임프린트 장치(100)의 외부에 배치되는 경우, 즉, 임프린트 장치(100)의 외부에서 수지(10)가 공급된 기판(4)이 반입되는 경우에도 적용할 수 있다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 제전 기구(15)로부터 제2 공간 SP2에 조사되는 소프트 X선의 조사 각을 제한하기 위해서 제전 기구(15)와 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11) 사이에 차폐 부재(20)가 배치될 수 있다. 차폐 부재(20)는 바람직하게는 제전 기구(15)의 근방에서 조사 각을 제한한다. 예를 들어, 도 3에서는, 차폐 부재(20)는, 제전 기구(15)(소프트 X선의 사출구)로부터 원추 형상으로 퍼지는 소프트 X선 중, 제전 기구(15)와 토출구(11)를 연결하는 직선의 상측을 통과하는 소프트 X선, 즉, 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 차폐한다. 이에 의해, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 토출구(11)에 직접 조사되는 것을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 차폐 부재(20)를 배치하는 것이 아니고 임프린트 장치(100)를 구성하는 구조체를 사용하여 제전 기구(15)로부터 조사된 소프트 X선을 차폐할 수 있다. 도 4에서는, 제전 기구(15)로부터 조사되어서 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)를 향하는 소프트 X선이 몰드 척(2)에 의해 차폐되도록, 제전 기구(15)와 토출구(11) 사이에 몰드 척(2)이 배치되어 있다. 이에 의해, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 토출구(11)에 직접 조사되는 것을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.
또한, 도 5a에 도시한 바와 같이, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)의 근방을 제전 기구(15)로부터 조사된 소프트 X선을 차폐하는 차폐 구조로 할 수 있다. 도 5a에서는, 토출 헤드(13)는 토출구(11)가 형성된 면으로부터 기판측에 돌출되고 토출구(11)를 둘러싸는 부재(13a)를 갖고 있다. 부재(13a)는 제전 기구(15)로부터 조사되어서 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 차폐한다. 이에 의해, 제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 토출구(11)에 직접 조사되는 것을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.
제전 기구(15)로부터 조사되어서 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 차폐하는 차폐 부재는 항상 고정된 위치에 있을 필요는 없다. 예를 들어, 제전 기구(15)로부터 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 기판 스테이지(6)가 차폐하는 경우를 생각해 보자. 이 경우에, 임프린트 처리가 진행되고 있는 중에, 예를 들어, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11) 밑에 기판 스테이지(6)가 위치하고 있는 동안에, 제전 기구(15)로부터 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 기판 스테이지(6)가 차폐할 수 있다. 기판(4)의 교환 등이 있을 때 기판 스테이지(6)가 토출구(11) 아래로부터 이격되면, 제전 기구(15)로부터 토출구(11)를 향하는 소프트 X선이 토출구(11)에 조사될 수 있다는 점에 유의한다. 이러한 경우에, 수지 공급 유닛(12)의 토출 헤드(13)의 토출구(11) 밑에 기판 스테이지(6)가 위치하지 않는 동안에, 제전 기구(15)와 토출구(11) 사이에 제전 기구(15)로부터 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 차폐하는 차폐 부재가 삽입된다. 보다 구체적으로는, 도 5b에 도시한 바와 같이, 토출 헤드(13)의 토출구(11)를 덮도록 토출 헤드(13)에 착탈가능한 덮개(21)가 수지 공급 유닛(12)에 설치된다.
기판 스테이지(6)가 통상의 임프린트 위치(몰드(1) 아래 위치)로부터 크게 이격되는 경우도 또한 생각된다. 이러한 경우에, 도 6에 도시한 바와 같이, 토출 헤드(13)의 토출구(11)를 덮는 커버 부재(22)가 기판 스테이지(6)에 배치된다. 기판 스테이지(6)가 임프린트 위치로부터 멀리 떨어져 위치한 상태에서, 커버 부재(22)가 토출구(11)를 덮는다.
제전 기구(15)로부터의 소프트 X선이 미경화된 수지(10)에 조사되는 것을 방지한다고 하는 관점에서는, 예를 들어, 도 7에 도시한 바와 같이, 토출구(11)에 수지(10)를 공급하는 공급관(23)이 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선을 차폐하는 차폐재(23a)로 구성된다. 예를 들어, 차폐재(23a)로서 1mm 이상의 두께를 갖는 수지 튜브나 대략 0.1mm 이상의 두께를 갖는 금속관이 사용된다. 탱크(14), 공급관(23)의 조인트, 및 매니폴드 등의 미경화된 수지(10)를 공급하는 모든 계통은 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선을 차폐하는 차폐재로 구성될 수 있다.
임프린트 장치(100)에서, 제전 기구(15)에 의한 소프트 X선의 조사를 일시적으로 정지하는 것도 또한 가능하다. 그러므로, 제전 기구(15)로부터 토출구(11)를 향하는 소프트 X선이 토출구(11)에 조사될 가능성이 있는 경우에는, 제전 기구(15)에 의한 소프트 X선의 조사가 정지된다. 예를 들어, 제전 기구(15)로부터 토출구(11)를 향하는 소프트 X선을 기판 스테이지(6)가 차폐하는 경우를 생각해 보자. 이 경우에, 도 8a에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(6)가 통상의 임프린트 위치로부터 크게 이격될 때, 제전 기구(15)가 소프트 X선의 조사를 정지한다. 또한, 도 8b에 도시한 바와 같이, 기판(4)을 유지한 기판 스테이지(6)가 이동하고 제전 기구(15)로부터 조사되는 소프트 X선의 조사 각의 내측에 미경화된 수지(10)가 존재하는 경우에, 제전 기구(15)는 소프트 X선의 조사를 정지한다.
상술한 바와 같이, 임프린트 장치(100)는 기판(4) 상의 전사 패턴의 방전 파괴나 몰드(1)에의 진애의 부착을 방지하고, 또한 토출구(11)를 양호한 상태로 유지하여, 양호한 임프린트 처리를 계속해서 행할 수 있다. 따라서, 임프린트 장치(100)는 높은 스루풋으로 경제적으로 고품위의 반도체 디바이스 등의 물품을 제공할 수 있다.
물품으로서의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 이 제조 방법은 임프린트 장치(100)를 사용하여 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름형 기판 등) 상에 형성하는 공정을 포함한다. 이 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 더 포함한다. 이 처리 공정은 패턴의 잔막을 제거하는 공정을 포함할 수 있다. 이 처리 공정은 또한 패턴을 마스크로 사용하여 기판을 에칭하는 공정 등의 공지된 다른 공정을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 종래 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나가 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시 형태들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시 형태들에 한정되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 다음의 청구 범위는 모든 그러한 변형 및 그에 상응하는 구성 및 기능을 포함하도록 가장 폭넓은 해석에 따라져야 한다.

Claims (14)

  1. 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 광을 조사하여 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 박리함으로써, 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
    임프린트재를 토출하는 토출구를 포함하고 상기 토출구를 통하여 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 제1 공간으로부터 이격된 제2 공간에 소프트 X선을 조사함으로써 이온을 생성하도록 구성된 생성 유닛을 포함하고,
    상기 토출구와 상기 생성 유닛은 상기 몰드의 측면이 그 사이에 끼워지도록 배치되고,
    상기 제2 공간에서 생성된 상기 이온을 상기 제1 공간에 공급함으로써 상기 제1 공간에서 제전을 행하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 기체를 공급하여 상기 제2 공간으로부터 상기 제1 공간을 향하는 유로를 형성하도록 구성된 기체 공급 유닛을 더 포함하고,
    상기 제2 공간은 상기 제1 공간과 상기 기체 공급 유닛 사이의 공간이며,
    상기 제2 공간에서 생성된 상기 이온은 상기 유로를 통하여 상기 제1 공간에 공급되는 임프린트 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 생성 유닛은 상기 유로의 상류측에 배치되고,
    상기 토출구는 상기 유로의 하류측에 배치되는 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 생성 유닛과 상기 토출구 사이에 배치되고, 상기 생성 유닛에서 조사되어서 상기 토출구를 향하는 소프트 X선을 차폐하도록 구성된 차폐 부재를 더 포함하는 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 몰드를 유지하도록 구성된 몰드 유지 부재를 더 포함하고,
    상기 생성 유닛은 상기 생성 유닛에서 조사되어서 상기 토출구를 향하는 소프트 X선을 상기 몰드 유지 부재에 의해 차폐하도록 배치되는 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 공급 유닛은 상기 토출구가 형성된 토출 헤드를 포함하고,
    상기 토출 헤드는 상기 토출구가 형성된 면으로부터 상기 기판측에 돌출되고 상기 토출구를 둘러싸는 부재를 포함하는 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공급 유닛은 상기 토출구가 형성된 토출 헤드, 및 상기 토출구를 덮도록 상기 토출 헤드에 착탈가능한 덮개를 포함하는 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판을 유지하도록 구성된 이동가능한 스테이지; 및
    상기 토출구를 덮도록 구성된 커버 부재를 더 포함하고,
    상기 커버 부재는 상기 스테이지가 상기 몰드 아래 위치로부터 이격되어 위치한 상태에서 상기 토출구를 덮도록 상기 스테이지에 배치되는 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공급 유닛은 상기 토출구에 접속되어 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급관을 포함하고,
    상기 공급관은 상기 생성 유닛에서 조사된 소프트 X선을 차폐하도록 형성된 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 토출구는 상기 생성 유닛에서 조사되는 소프트 X선의 조사 각의 외측에 배치되는 임프린트 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 공간에서의 제전은 상기 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 박리함으로써 얻어진 상기 몰드에 대한 제전, 및 상기 기판 상의 경화된 임프린트재에 대한 제전 중 하나 이상을 포함하는 임프린트 장치.
  12. 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 광을 조사하여 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 박리함으로써, 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
    임프린트재를 토출하는 토출구를 포함하고 상기 토출구를 통하여 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 제1 공간으로부터 이격된 제2 공간에 소프트 X선을 조사함으로써 이온을 생성하도록 구성된 생성 유닛을 포함하고,
    상기 토출구는 상기 생성 유닛에서 조사되는 소프트 X선의 조사 각의 외측에 배치되고,
    상기 제2 공간에서 생성된 상기 이온을 상기 제1 공간에 공급함으로써 상기 제1 공간에서 제전을 행하는 임프린트 장치.
  13. 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 광을 조사하여 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 박리함으로써, 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 제1 공간으로부터 이격된 제2 공간에 소프트 X선을 조사함으로써 이온을 생성하도록 구성된 생성 유닛; 및
    기체를 공급하여 상기 제2 공간으로부터 상기 제1 공간을 향하는 유로를 형성하도록 구성된 기체 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제2 공간은 상기 제1 공간과 상기 기체 공급 유닛 사이의 공간이며,
    상기 제2 공간에서 생성된 상기 이온을 상기 제1 공간에 공급함으로써 상기 제1 공간에서 제전을 행하는 임프린트 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 장치를 사용하여 패턴을 기판 상에 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 물품의 제조 방법.
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