JP2019091741A - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 型の除電を効率よく行うために有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】 型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持して移動する型保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、気体を供給する気体供給部と、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で前記気体供給部に前記気体の供給を開始させ、前記型保持部および前記ステージのうち少なくとも1つを移動させて前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記気体供給部により供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給するように制御する制御部と、を有する。【選択図】 図2
Description
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上のインプリント材を型で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成しうる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショット領域に光硬化性のインプリント材を供給する。次に、型(原版)のパターン部とショット領域の位置合せを行いながら、型のパターン部とインプリント材とを接触(押印)させ、インプリント材をパターン部に充填させる。そして、光を照射してインプリント材を硬化させた上で型のパターン部とインプリント材とを引き離すことにより、インプリント材のパターンが基板上のショット領域に形成される。
インプリント装置では、硬化したインプリント材から型を引き離すことによって、型が帯電する剥離帯電と呼ばれる現象が起こる。このような剥離帯電が起こると、型の周囲の異物(パーティクル)が型に引き寄せられ型に付着することがある。そして、型に異物が付着した状態で型と基板上のインプリント材とを接触させると、基板上に形成されるパターンが変形したり、型が破損したりする可能性がある。
特許文献1および特許文献2には、イオン化された気体を型と基板との間の空間に供給することにより、型の除電を行う技術が開示されている。
しかし、型と基板との間の空間は狭いため、イオン化された気体を効率よく型と基板の間に供給して、型と基板との間の空間においてイオン化された気体の濃度を必要な濃度にすることが困難になる。
そこで本発明は、型の除電を効率よく行うために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント装置は、型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持して移動する型保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、気体を供給する気体供給部と、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で前記気体供給部に前記気体の供給を開始させ、前記型保持部および前記ステージのうち少なくとも1つを移動させて前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記気体供給部により供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給するように制御する制御部と、を有する。
本発明によれば、帯電した型の除電を効率よく行うために有利なインプリント装置を提供することができる。
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1はインプリント装置を示した図である。まず、図1を用いて、インプリント装置の代表的な構成について説明する。インプリント装置1は、基板2上に供給されたインプリント材8と型4とを接触させ、インプリント材8に硬化用のエネルギーを与えることにより、型4の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
ここで、インプリント材8には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が150nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材8は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材8の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。
基板2は、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英を材料に含むガラスウエハなどである。
型4は、矩形の外周形状を有し、基板に対向する面(パターン面)に3次元状に形成されたパターン(回路パターンなどの基板2に転写すべき凹凸パターン)を備えたパターン部5を有する。型は、光を透過させることが可能な材料、例えば、石英で構成される。
本実施例では、インプリント装置1は、光の照射によりインプリント材8を硬化させる光硬化法を採用するものとして説明する。また、以下では、基板上のインプリント材に対して照射する光の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2方向をX軸方向及びY軸方向とする。
インプリント装置1は、照射部20(硬化部)と、型保持部6と、ステージ3と、供給部7を備えうる。照射部20は、型4のパターン部5と基板上のインプリント材8が接触している状態で、インプリント材8に対して光21を照射して、インプリント材8を硬化させる。照射部20は、不図示の光源と、光源から照射された光21を適切な光に調整する光学素子とを含みうる。
型保持部6は、型4における光21の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型4を保持する。型保持部6は、型4を保持して移動するために駆動機構(不図示)を有する。型保持部6は、型4と基板2上のインプリント材8との押し付け、または引き離しを選択的に行うように型4を各軸方向に移動させる。型保持部6は、型4の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。型保持部6は、Z軸方向だけでなく、X軸方向やY軸方向、または各軸のθ方向の位置調整機能や、型4の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成としてもよい。なお、インプリント装置1における押し付けおよび引き離し動作は、型4をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ステージ3をZ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
ステージ3は、基板2の被処理面と反対の面を真空吸着力や静電力により引き付けることで基板2を保持する。ステージ3は各軸方向に移動可能とする駆動機構(不図示)を有する。ステージ3は、型4とインプリント材8との位置合わせを行うために基板2を保持して移動する。ステージ3の駆動機構は、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、Z軸周りの回転(Zθ)方向の位置調整機能、または基板2の傾きを補正するためのチルト調整機能などを有する構成としてもよい。
供給部7は、型保持部6の近傍に設置され、基板2の被処理面上に未硬化のインプリント材8を供給する。基板2上にインプリント材8が供給された後、パターン部5をインプリント材8に押し付ける。そして、インプリント材8を硬化させた後、パターン部5を引き離すことで基板2上にパターンを形成する。
制御部11は、CPUやメモリなどを含むコンピュータで構成され、メモリに格納されたプログラムに従ってインプリント装置1の全体を制御する。また、制御部11は、インプリント装置1の各部の動作及び調整などを制御することで基板2上にパターンを形成するインプリント処理を制御する。また、制御部11は、インプリント装置1の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、インプリント装置1の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。また、制御部11は、複数のコンピュータからなる構成としてもよい。
ここで、パターンを形成する基板2上のショット領域や型4のパターン部5に異物が付着した状態で、基板2上のインプリント材と型4のパターン部5を接触させると、基板2上に形成されるパターンが変形したり、パターン部5が破損したりしうる。また、異物はインプリント装置1を構成する各部から発生したり、インプリント装置1の外部から侵入したりするため、インプリント装置1内から全ての異物を除去することは困難になりうる。
また、インプリント装置1では、硬化したインプリント材8からパターン部5を引き離す工程でパターン部5が帯電する剥離帯電という現象が起こりうる。このような剥離帯電が起こると、型4の周囲の異物が引き寄せられ、パターン部5に付着しうる。パターン部5のパターン寸法やパターン深さにより異なるが、一般的にハーフピッチ寸法以上の大きさの異物があると、基板2上に形成されるパターンが変形したり、パターン部5が破損したりする可能性が高くなる。
そこで、インプリント装置1は、パターン部5を除電するための気体9を型4の周囲に供給する気体供給部10を有する。気体9は、空気と比べて、電子に対する平均自由行程が長い気体にする必要がある。例えば、気体9は単原子分子である希ガスであればよいが、単原子分子である希ガスの中でも平均自由行程が長いヘリウムを含むことが望ましい。電界中に存在する電子は、電界によって陽極側に運ばれ、その途中で気体分子に衝突する。このとき電子が十分に加速されて気体の電離電圧以上のエネルギーをもって気体分子に衝突すると電離が起こり、電子−陽イオン対が生成される。さらに、生成された電子も電界で加速され、気体分子を電離させる。このように次々に電離が起こることで大量の電子−陽イオン対が生成される現象を電子雪崩と呼ぶ。ヘリウム等の電子に対する平均自由行程が長い気体は、加速中の電子が途中で気体分子に衝突せず高エネルギー状態まで加速される。よって、空気と比べて、低い電界中でも電子雪崩が起こりやすく、パターン部5に大きな電圧が蓄積されるまえに除電することができる。なお、必ずしも電子雪崩の現象が発生しなくてもパターン部5を除電することはできる。
また、気体9は、一般に拡散性が高いため、パターン部5を基板2上のインプリント材8に押し付ける際にパターン部5とインプリント材8との間を気体9で満たすことで、インプリント材8のパターン部5に対する充填性が向上する。
図1(b)に示すように、気体供給部10は、型4を取り囲むように型4の周囲に配置される。気体供給部10は、複数の気体供給部10a、10b、10c、および10dに分割されている。また、気体供給部10a、10b、10c、および10dから供給される気体9の供給量は、制御部11によって個別に制御される。
次に、図2、図3を用いて型4のパターン部5の除電方法の一例を説明する。図2は、インプリント装置の動作を示す図である。また、図3は、インプリント処理を示すフローチャートである。
図2(a)、図3のS101に示すように、制御部11は、ステージ3にインプリント材8を供給する基板2のショット領域を供給部7の下に移動させるように制御する。そして、制御部11は、ショット領域を供給部7の下に位置している状態で供給部7に基板2のショット領域上にインプリント材8を供給させるように制御する。
次に、図2(b)、図2(c)、図3のS102に示すように、制御部11は、ステージ3にインプリント材8が供給されたショット領域を型4のパターン部5の下に移動させるように制御する。このとき、制御部11は、ステージ3を移動させながら供給部7と型4との間に配置された気体供給部10aに気体9を供給させるように制御する。ここで、気体供給部10aは基板保持部に保持された型4と供給部7との間に配置されている。型4に対するステージ3の移動方向において上流側の気体供給部10aから気体9を供給することで、基板2およびステージ3の表面にクエット流れが発生する。これにより、気体9はパターン部5に向けて引き込まれる。そして、インプリント材8が供給されたショット領域がパターン部5の下に移動したとき、パターン部5とインプリント材8との間の空間は気体9で満たされる。また、本実施例では、気体供給部10aのみで気体9の供給を行っているが、制御部11は、気体供給部10aに加えて、気体供給部10b、10c、および10dのうち少なくとも1つから気体9を供給するように制御してもよい。
次に、図2(d)、図3のS103に示すように、制御部11は、型保持部6およびステージ3のうち少なくとも1つを移動させるように制御して、型4のパターン部5と基板2上のインプリント材8とを接触させる。このとき、パターン部5に形成されたパターンにインプリント材8が充填される必要があるために、必要な時間だけパターン部5とインプリント材8を接触させた状態を維持する。
ここで、気体供給部10から供給される気体9の供給量は、コストの観点から可能な限り削減するのが望ましい。また、パターン部5とインプリント材8が接触している状態では、型4の周囲の異物がパターン部5またはインプリント材8に付着する可能性は低い。そこで、制御部11はパターン部5とインプリント材8とが接触している期間の少なくとも一部において気体供給部10による気体9の供給を停止、または、供給量を低減するように制御する。これにより、気体供給部10から供給される気体9の供給量を削減しうる。
次に、図2(e)、図3のS104に示すように、制御部11は、照射部20にパターン部5と接触している状態のインプリント材8に光21を照射させるように制御する。これにより、インプリント材8が硬化する。ここで、制御部11は、パターン部5とインプリント材8とを引き離す前に、気体供給部10に気体9を供給させるように制御する。
次に、図2(f)、図3のS105に示すように、制御部11は、型保持部6およびステージ3のうち少なくとも1つを移動させるように制御して、パターン部5とインプリント材8を引き離す。これにより、基板2上に硬化したインプリント材8のパターンが形成される。
次に、図3のS106に示すように、制御部11は、基板2上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了したか否かを判定する。制御部11が基板2上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了していないと判定した場合は、制御部11はS101に戻り、次のショット領域に対してインプリント処理を行うように制御する。また、制御部11が基板2上の全ショット領域に対してインプリント処理が終了したと判定した場合は、制御部11は基板2に対するインプリント処理を終了する。
ここで、図2(e)、図2(f)について詳細に説明する。図2(e)に示すように、制御部11は、パターン部5とインプリント材8とを引き離す前に、気体供給部10に型4の周囲に気体9を供給させるように制御する。パターン部5とインプリント材8とが接触している状態では、型4と基板2との間の空間は狭く、流体抵抗が大きいため、気体9は型4と基板2の間の空間にほとんど引き込まれない。そして、型4の周囲の空間(第1空間)に気体9が供給されている状態で、パターン部5とインプリント材8とを引き離すと、図2(f)に示すように、型4と基板2との間の空間(第2空間)の体積が大きくなる。そして、型4と基板2との間の空間の圧力は型4の周囲の空間の圧力よりも低くなる。よって、型4と基板2の間の空間の気体9は、インプリント材8とパターン部5との間の空間に供給される。そして、気体9により電子雪崩が発生してパターン部5が除電される。これにより、パターン部5とインプリント材8とが引き離された後にパターン部5に異物が付着することを抑制できる。
また、図2(e)において、型4の周囲の空間における気体9の濃度を高くするために、気体供給部10a、10b、10c、および10dから気体9を供給することが望ましい。ただし、図2(f)において、パターン部5とインプリント材8との間の空間において、気体9の濃度が電子雪崩の発生に必要な濃度になっていれば、気体供給部10a、10b、10c、および10dの全てから気体9を供給しなくてもよい。また、制御部11は、気体供給部10a、10b、10c、および10dのいずれかの気体供給部について最適な供給量を個別に設定して、気体9を供給させるように制御してもよい。
また、制御部11は、パターン部5とインプリント材8との間の空間に十分な濃度の気体9が供給されれば、パターン部5とインプリント材8を引き離す前に、気体供給部10による気体9の供給を停止する、または、供給量を低減させるように制御してもよい。
次に、気体供給部10により供給される気体の供給量の一例について説明する。図4は、気体供給部により供給される気体の供給量を示す図である。図4のグラフにおいて、横軸が時間、縦軸が気体9の供給量を表している。また、実線は気体供給部10aから供給される気体9の供給量を表し、破線は気体供給部10b、10c、および10dのそれぞれから供給される気体9の供給量を表している。
まず、Aの期間は図3のS102において気体9を供給する期間を表している。Aの期間において、制御部11は、気体供給部10aから供給量Q1の気体9が供給されるように制御する。また、Aの期間において、制御部11は、気体供給部10b、10c、および10dによる気体9の供給を停止させるように制御する。また、Aの期間において、制御部11は、気体供給部10b、10c、および10dによる気体9の供給を低減させるように制御してもよい。
次に、Bの期間は、図3のS103においてパターン部5とインプリント材8とが接触してから、T1が経過するまでの期間を表している。また、T1が経過するまでの期間は予め定めた一定の期間であり、パターン部5とインプリント材8とが接触する期間よりも短い。つまり、Bの期間はパターン部5とインプリント材8とが接触したときに開始して、パターン部5とインプリント材8とが接触している間に終了する。Bの期間において、制御部11は、気体供給部10a、10b、10c、および10dによる気体9の供給を停止させるように制御する。また、Bの期間において、制御部11は、気体供給部10a、10b、10c、および10dによる気体9の供給を低減させるように制御してもよい。
次に、Cの期間は、図3のS103においてT1が経過してから、T2が経過するまでの期間を表している。また、T1とT2とを合わせた期間は、S103においてパターン部5とインプリント材8とが接触する期間と等しい。つまり、Cの期間は、Bの期間が終了してから、S104の処理を開始するまでの期間である。Cの期間において、制御部11は、気体供給部10a、10b、10c、および10dから供給量Q2の気体9が供給されるように制御する。供給量Q2、時間T2はS105においてパターン部5とインプリント材8を引き離す前に、型4の周囲の空間における気体9の濃度が電子雪崩の発生に必要な濃度になるように調整される。また、気体供給部10a、10b、10c、および10dの供給量を個別に設定して気体9を供給するようにしてもよいし、気体供給部10a、10b、10c、および10dのいずれか1つ以上の気体供給部から気体9を供給するようにしてもよい。
次に、Dの期間は、S104においてインプリント材8に光21を照射してから、S105においてパターン部5とインプリント材8を引き離すまでの期間を表している。Dの期間において、制御部11は、気体供給部10a、10b、10c、および10dによる気体9の供給を停止させるように制御する。また、Dの期間において、制御部11は、気体供給部10a、10b、10c、および10dによる気体9の供給を低減させるように制御してもよい。また、制御部11は、S104またはS105の途中まで気体供給部10からの気体9の供給を継続するように制御してもよい。また、制御部11は、おいてパターン部5とインプリント材8を引き離した後も気体供給部10からの気体9の供給を継続するように制御してもよい。
また、S106において基板2上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了していないと判定された場合、制御部11は次のショット領域を供給部7の下、および型4のパターン部の下に移動させるよう制御する。このとき、型4のパターン部5は、S104で供給された気体9により除電されている。そのため、パターン部5の下をステージ3が移動してもステージ3の表面に付着している異物がパターン部5に付着することは抑制される。よって、S102において次のショット領域を型4のパターン部5の下に移動させる場合、制御部11は、気体供給部10による気体9の供給を停止する、または、供給量を低減させるように制御してもよい。
また、S106において基板2上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了したと判定された場合、制御部11は、基板2を搬出するためにステージ3を移動させるように制御する。このとき、型4のパターン部5は、S104で供給された気体9により除電されている。そのため、パターン部5の下をステージ3が移動してもステージ3の表面に付着している異物がパターン部5に付着することは抑制される。よって、基板2をステージ3から搬出するために移動させる場合、制御部11は、気体供給部10による気体9の供給を停止する、または、供給量を低減させるように制御してもよい。
以上により、本実施例に係るインプリント装置によれば、型4と基板2とが接触している状態で気体9を供給した後に型4と基板2とを引き離すことにより、型4と基板2との間に気体9が供給されるので、型4の除電を効率よく行いうる。
(物品の製造方法)
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図5(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコン基板等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
図5(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図5(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図5(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
図5(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図5(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
Claims (12)
- 型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持して移動する型保持部と、
前記基板を保持して移動するステージと、
気体を供給する気体供給部と、
前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で前記気体供給部に前記気体の供給を開始させ、前記型保持部および前記ステージのうち少なくとも1つを移動させて前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記気体供給部により供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給するように制御する制御部と、を有する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記制御部は、前記型と前記インプリント材とを接触させた期間の一部において前記気体供給部に前記気体の供給を停止させる、または低減させるように制御することを特徴とする、請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記型と前記インプリント材とを接触させた期間が開始してから一定の期間は前記気体供給部に前記気体の供給を停止させ、または低減させ、前記一定の期間が経過した後、かつ前記型と前記インプリント材とを引き離す前に前記気体供給部に前記気体を供給させるように制御することを特徴とする、請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記型と接触した前記インプリント材を硬化させる硬化部を有し、
前記制御部は、前記硬化部に前記インプリント材の硬化を開始させる前に前記気体供給部に前記気体の供給を停止させる、または低減させるように制御することを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記型と接触した前記インプリント材を硬化させる硬化部を有し、
前記制御部は、前記硬化部に前記インプリント材の硬化を開始させた後に前記気体供給部に前記気体の供給を停止させる、または低減させるように制御することを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記気体供給部は、前記型保持部に保持された型の周囲に配置されることを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記インプリント材を前記基板上に供給する供給部を有し、
前記気体供給部は、前記型保持部に保持された型と前記供給部の間に配置され、
前記制御部は、前記ステージに前記基板を前記供給部の下から前記型の下に移動させるときに、前記気体供給部に前記気体を供給させるように制御することを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記気体は、電子に対する平均自由工程が空気よりも長い気体を含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記気体は、単原子分子である希ガスを含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記気体は、ヘリウムを含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材とを接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で気体を供給する供給工程と、
前記供給工程において前記気体の供給を開始した後に前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記供給工程において供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給する工程を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。 - 請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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JP2017217628A JP2019091741A (ja) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
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