KR102179737B1 - 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102179737B1
KR102179737B1 KR1020197016503A KR20197016503A KR102179737B1 KR 102179737 B1 KR102179737 B1 KR 102179737B1 KR 1020197016503 A KR1020197016503 A KR 1020197016503A KR 20197016503 A KR20197016503 A KR 20197016503A KR 102179737 B1 KR102179737 B1 KR 102179737B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
substrate
gas
imprint
stage
Prior art date
Application number
KR1020197016503A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190073573A (ko
Inventor
가즈키 나카가와
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20190073573A publication Critical patent/KR20190073573A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102179737B1 publication Critical patent/KR102179737B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

기판 상의 임프린트재가 몰드와 접촉하는 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치가 제공된다. 임프린트 장치는 기판을 보유지지하면서 이동되는 스테이지; 기판이 보유지지된 스테이지의 부분의 주변에 배치되고 몰드 측에 전기 도전성 표면을 갖는 주변 부재; 기체를 몰드와 기판 사이의 공간에 공급하는 기체 공급 유닛; 임프린트재를 기판에 공급하는 디스펜서; 및 스테이지의 이동 및 기체 공급 유닛에 의한 기체의 공급을 제어하는 제어 유닛을 포함한다. 임프린트 장치는, 기체 공급 유닛 및 디스펜서가 몰드를 보유지지하는 보유지지 유닛을 사이에 개재하여 배치되고, 제어 유닛이, 경화된 임프린트재와 몰드가 서로 분리되게 한 후에, 스테이지의 디스펜서의 저부를 향한 이동의 개시 전에 기체 공급 유닛이 기체의 공급을 개시하게 하며, 스테이지의 이동 동안 몰드를 중성화하기 위해 주변 부재가 기체를 통해 몰드에 대면하게 하는 것에 의해 특징지어 진다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법
본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 및 MEMS의 추가적인 미세화의 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술과 함께, 기판 상에 수 나노미터 오더의 매우 미세한 패턴(구조체)을 형성할 수 있는 임프린트 처리가 주목받고 있다. 임프린트 기술은, 기판 상에 미경화 임프린트재를 공급(도포)하고, 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시켜서, 몰드에 형성된 매우 미세한 오목-볼록 패턴에 대응하는 임프린트재 패턴을 기판 상에 형성하는 미세가공 기술이다.
임프린트 기술에서, 임프린트재를 경화시키는 방법으로서 광경화법이 사용된다. 광경화법은, 기판 상의 샷 영역에 공급된 임프린트재가 몰드와 접촉하는 상태에서 임프린트재에 광을 조사해서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재를 몰드로부터 분리하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법이다.
임프린트 기술을 채용하는 임프린트 장치에서는, 몰드가 임프린트재의 분리에 의해 대전되는 분리 대전이라고 불리는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 분리 대전이 발생하면, 몰드의 주위의 이물(파티클)이 몰드에 끌어당겨질 것이고 몰드에 부착될 것이다. 이물이 몰드에 부착된 상태에서 기판 상의 임프린트재와 몰드가 서로 접촉하는 경우, 이물은 기판 상에 형성되는 패턴에 결함을 발생시키거나 일부 경우에 몰드를 손상시킬 수 있다. 따라서, 몰드와 기판(기판 상의 임프린트재) 사이의 공간에 이온화된 기체를 공급함으로써 몰드로부터 전하를 제거하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
일본 특허 공개 제2007-98779호 일본 특허 제5235506호
그러나, 종래 기술에서는, 몰드와 기판 사이의 공간에 이온화된 기체가 공급되는 동안 이러한 기체의 이온 농도가 저하된다. 특히, 기체가 통과하는 공간의 단면적이 작고 기체 통과 경로가 긴 경우에는 이온 농도의 저하가 현저해진다. 이온화된 기체가 전하 제거 대상 몰드에 도달할 때까지, 충분한 이온 농도를 유지할 수 없으면, 몰드로부터 전하를 효과적으로 제거하는 것이 어렵다.
본 발명은 몰드로부터 전하를 제거하는데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태로서의 임프린트 장치는, 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성되는 스테이지; 상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되며, 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재; 상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 기체를 공급하도록 구성되는 기체 공급 유닛; 상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성되는 디스펜서; 및 상기 스테이지의 이동 및 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고, 상기 기체 공급 유닛 및 상기 디스펜서는 상기 몰드를 보유지지하도록 구성되는 보유지지 유닛을 사이에 개재하도록 배치되며, 상기 제어 유닛은, 상기 몰드 및 상기 경화된 임프린트재가 분리된 후 상기 스테이지의 상기 디스펜서 아래로의 이동을 개시하기 전에 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 개시하고, 상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재를 상기 기체를 통해 상기 몰드에 대면시킴으로써 상기 몰드로부터 전하를 제거하는 것에 의해 특징지어 지는 임프린트 장치이다.
본 발명에 따르면, 예를 들어 몰드로부터 전하를 제거하는데 유리한 임프린트 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참고하여 이하에 제공되는 설명으로부터 명백해질 것이다. 첨부 도면에서 동일한 참조 번호는 동일하거나 유사한 구성요소를 나타낸다는 것에 유의한다.
명세서에 통합되고 그 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 실시형태를 나타내며 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 일 양태로서의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 임프린트 장치에서 행해지는 몰드 전하 제거의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a는 도 1에 도시된 임프린트 장치에서 행해지는 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3b는 도 1에 도시된 임프린트 장치에서 행해지는 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 보조판의 근방을 도시하는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 보조판의 근방을 도시하는 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 임프린트 장치의 보조판의 근방을 도시하는 도면이다.
도 7은 도 1에 도시된 임프린트 장치의 보조판의 근방을 도시하는 도면이다.
도 8은 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 양태로서의 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는, 물품으로서의 반도체 디바이스 등의 제조에 사용되고, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 본 실시형태에서는, 임프린트 장치(1)는, 기판 상에 공급된 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써 몰드의 오목-볼록 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다.
임프린트재로서는, 경화 에너지를 받음으로써 경화하는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 칭함)이 사용된다. 경화 에너지의 예는 전자기파, 열 등이 있다. 전자기파는, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 광이다. 전자기파의 예는 적외선, 가시광선, 및 자외선일 수 있다.
경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 조성물 중, 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료이다.
임프린트재는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막의 형태로 공급될 수 있다. 또한, 임프린트재는 액체 분사 헤드에 의해 공급되는 액적의 형태로 또는 복수의 액적이 연결되어 획득되는 섬 또는 막의 형태로 기판 상에 도포될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)이다.
임프린트 장치(1)는 임프린트재 경화법으로서 광경화법을 채용한다. 임프린트 장치(1)는 조사 유닛(20), 몰드 보유지지 유닛(6), 기판 스테이지(3), 디스펜서(7), 및 제어 유닛(50)을 포함한다. 여기에서는, 기판 상의 임프린트재(8)에 자외선(21)을 조사하는 조사 유닛(20)의 광축에 평행한 방향이 Z 축이고, Z 축에 수직한 평면에서 서로 직교하는 방향이 X 축 및 Y 축인 것으로 상정한다.
조사 유닛(20)은, 기판 상의 임프린트재(8)를 경화시킬 때에, 몰드(4)를 통해서 기판 상의 임프린트재(8)에 자외선(21)을 조사한다. 조사 유닛(20)은, 예를 들어 광원(도시되지 않음), 및 광원으로부터 사출된 자외선(21)을 임프린트재(8)를 경화시키는데 적합한 광으로 조정하는 광학계를 포함한다.
몰드(4)는, 직사각형 외주 형상을 갖고, 기판(2)에 대향하는 면에, 기판(2)에 전사해야 할 오목-볼록 패턴(예를 들어, 회로 패턴)이 3차원적으로 형성된 패턴부(5)를 포함한다. 몰드(4)는 예를 들어 석영 등의 자외선(21)을 투과시킬 수 있는 재료로 구성된다.
몰드 보유지지 유닛(6)은 몰드(4)를 보유지지하여 이동시킨다. 몰드 보유지지 유닛(6)은, 몰드(4) 중 자외선(21)이 조사되는 면의 주변 영역을 진공 흡착력 또는 정전기력에 의해 척킹함으로써 몰드(4)를 보유지지한다. 몰드 보유지지 유닛(6)은, 몰드(4)와 기판 상의 임프린트재(8)를 서로 접촉시키는 동작(압인 동작) 및 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리하는 동작(몰드 분리 동작)을 선택적으로 행할 수 있도록 몰드(4)를 각각의 축 방향으로 이동시킨다. 몰드 보유지지 유닛(6)은, 몰드(4)의 위치결정을 고정밀도로 실현하기 위해서 조동 구동계 및 미동 구동계 등의 복수의 구동계를 포함할 수 있다. 몰드 보유지지 유닛(6)은 또한 Z 축 방향뿐만 아니라 X 축 방향, Y 축 방향, 및 각 축의 θ 방향으로도 몰드(4)를 이동시키는 기능 및 몰드(4)의 기울기를 보정하는 기능을 가질 수 있다.
임프린트 장치(1)에서의 압인 동작 및 몰드 분리 동작은 본 실시형태에서와 같이 몰드(4)를 Z 축 방향으로 이동시킴으로써 실현될 수 있지만, 이들은 기판(2)(기판 스테이지(3))을 Z 축 방향으로 이동시킴으로써 실현될 수 있다. 압인 동작 및 몰드 분리 동작은 또한 몰드(4)와 기판(2)의 양자 모두를 상대적으로 Z 축 방향으로 이동시킴으로써 실현될 수 있다.
기판(2)으로서 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라 기판의 표면에 기판과 상이한 재료로 이루어지는 부재가 형성될 수 있다. 더 구체적으로는, 기판(2)으로서 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 또는 실리카 유리가 사용될 수 있다. 기판(2)에는, 몰드(4)의 패턴부(5)에 의해 성형되는 임프린트재(8)가 공급된다.
기판 스테이지(3)는 기판(2)을 보유지지하여 이동시킨다. 기판 스테이지(3)는, 몰드(4)와 기판 상의 임프린트재(8)를 서로 접촉시킬 때, 몰드(4)와 기판(2)을 위치결정하기 위해 사용된다. 기판 스테이지(3)는 기판(2)을 각각의 축 방향으로 이동시킨다. 기판 스테이지(3)는 X 축 및 Y 축의 각각의 방향에 대하여 조동 구동계 및 미동 구동계 등의 복수의 구동계를 포함할 수 있다. 또한, 기판 스테이지(3)는, Z 축 방향 및 각 축의 θ 방향으로 기판(2)을 이동시키는 기능 및 기판(2)의 기울기를 보정하는 기능을 가질 수 있다.
디스펜서(7)는 몰드 보유지지 유닛(6)의 근방에 배치되고 기판(2)에 임프린트재(8)를 공급(토출)한다. 임프린트재(8)는, 본 실시형태에서는, 자외선(21)의 조사에 의해 경화하는 성질을 갖지만, 임프린트재의 종류는 반도체 디바이스의 제조 공정 등의 각종 조건에 따라서 적절히 선택된다. 또한, 디스펜서(7)로부터 토출되는 임프린트재(8)의 양은 기판 상에 형성해야 할 임프린트재(8)의 두께(잔막 두께), 기판 상에 형성해야 할 패턴의 밀도 등에 따라 적절히 결정된다.
제어 유닛(50)은 CPU, 메모리 등을 포함하고, 임프린트 장치(1)의 각 유닛을 제어해서 임프린트 장치(1)를 동작시킨다. 더 구체적으로는, 먼저, 제어 유닛은 기판(2)에 임프린트재(8)가 공급되게 하고, 몰드(4)와 기판(2)을 미리결정된 위치 관계에 위치결정한다. 그리고, 제어 유닛은 몰드(4)를 -Z 방향으로 이동시켜 몰드(4)(패턴부(5))와 기판 상의 임프린트재(8)가 서로 접촉하게 한다. 제어 유닛은, 몰드(4)와 임프린트재(8)가 서로 접촉하는 상태에서 임프린트재(8)가 경화되게 하고, 몰드(4)를 +Z 방향으로 이동시켜서 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리함으로써 기판 상에 임프린트재(8)의 패턴이 형성되게 한다.
파티클 등의 이물이 몰드(4)(패턴부(5))에 부착된 상태에서 몰드(4)와 기판 상의 임프린트재(8)가 서로 접촉되는 경우, 이물은 기판 상에 형성되는 패턴에 결함을 발생시킬 수 있거나 또는 몰드(4)를 손상시킬 수 있다. 임프린트 장치(1)는 반도체 디바이스를 제조하기 위한 청정한 환경 내에 배치되어 있지만, 이물의 발생을 완전히 제거하는 것은 매우 어렵다. 이물은, 임프린트 장치(1)를 형성하는 각 유닛 자체로부터 발생될 수 있거나, 임프린트 장치(1)를 형성하는 각각의 유닛의 미끄럼 동작으로부터 발생될 수 있거나, 또는 임프린트 장치(1)가 외부로부터 반입될 때 발생될 수 있다.
또한, 임프린트 장치(1)에서는, 일반적으로, 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리함으로써 몰드(4)(패턴부(5))가 대전되는 분리 대전이라고 불리는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 분리 대전이 발생하면, 몰드(4)의 주위의 이물이 몰드(4)에 끌어당겨지고, 이는 이물이 몰드(4)에 부착될 가능성을 증가시킨다. 몰드(4)의 패턴부(5)의 패턴의 치수 및 패턴의 깊이에 따라 상이하지만, 기판 상에 형성되는 패턴 상의 결함 또는 몰드(4)에 대한 손상의 가능성은 패턴의 절반 피치 이상의 크기의 이물이 몰드(4)에 부착될 때 높아진다.
이러한 분리 대전에 대응하기 위해서, 임프린트 장치(1)에서는 몰드(4)로부터 전하가 제거될 필요가 있다. 종래 기술에서는, 예를 들어 이오나이저를 사용해서 몰드(4)로부터 전하를 제거한다. 코로나 방전 방식을 채용하는 이오나이저, 에너지 빔 조사 방식(예를 들어, X 선 조사 방식 또는 α 선 조사 방식)을 채용하는 이오나이저 등의 다양한 종류의 이오나이저가 존재한다. 일반적으로, 코로나 방전 방식은 파티클 발생을 유발할 수 있다. 따라서, 청정도를 유지하면서 몰드(4)로부터 전하를 제거하기 위해서는 X 선 조사 방식 또는 α 선 조사 방식을 채용하는 것이 바람직하다. 몰드(4)와 기판(2) 사이의 공간은 매우 좁은 공간이기 때문에, 공간의 주위에 이오나이저를 배치함으로써 몰드(4)에 직접 X 선 빔 또는 α 선 빔을 조사하는 것은 어렵다. 몰드(4)에 직접 X 선 빔 또는 α 선 빔을 조사하는 방식 이외에, X 선 빔 또는 α 선 빔을 기체에 조사해서 기체를 이온화시키고 이온화된 기체를 몰드(4) 아래의 공간에 공급하는 방식이 있다. 그러나, 이온화된 기체가 배관 또는 노즐로부터 몰드(4)와 기판(2) 사이의 공간까지의 경로를 통과하는 동안에 이온화된 기체의 이온 농도가 저하되기 때문에, 몰드(4) 아래의 공간에 충분한 이온 농도가 유지될 수 없는 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우에는 몰드(4)로부터 전하를 효율적으로 제거할 수 없을 수 있다.
그러므로, 본 실시형태에서는, 몰드(4)로부터 전하를 효율적으로 제거하기 위해서, 임프린트 장치(1)는 기판(2)의 주변을 둘러싸도록 기판 스테이지(3)에 배치된 보조판(9)과, 몰드(4)로부터 전하를 제거하기 위한 기체(11)를 공급하는 공급 유닛(60)을 더 포함한다. 그러나, 보조판(9)은 기판(2)의 주변을 둘러싸도록 배치될 필요는 없고, 기판 스테이지 상의 기판(2)을 보유지지하는 부분의 주변에 배치되는 주변 부재라는 것에 유의한다. 또한, 보조판(9)은, 보조판(9)의 표면의 높이와 기판(2)의 표면의 높이가 대략 동일하도록(그 차이가 1 mm 이하가 되도록) 배치된다. 공급 유닛(60)은 기체 공급원(12), 제1 공급 유닛(10a), 및 제2 공급 유닛(10b)을 포함한다. 도 2a 내지 도 2c에 도시하는 바와 같이, 제1 공급 유닛(10a) 및 제2 공급 유닛(10b)은 기체(11)를 기체 공급원(12)으로부터 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)에 인접하는 제2 공간(SP2)에 공급한다. 여기서, 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)은, 예를 들어 몰드(4)와 기판(2)이 서로 대면하고 있는 경우에는 몰드(4)와 기판(2) 사이에 규정되는 공간이며, 몰드(4)와 보조판(9)이 서로 대면하고 있는 경우에는 몰드(4)와 보조판(9) 사이에 규정되는 공간이다. 제1 공급 유닛(10a)과 디스펜서(7)는 몰드 보유지지 유닛(6)을 사이에 개재시켜 배치된다. 제1 공급 유닛(10a), 디스펜서(7), 및 몰드 보유지지 유닛(6)은 일직선 상에 배치될 필요는 없다는 것에 유의한다. 적어도 미리결정된 방향(본 실시형태에서는 X 축 방향)의 위치에 관해서 제1 공급 유닛(10a), 몰드 보유지지 유닛(6), 및 디스펜서(7)가 이 순서로 배치되어 있는 한, Y 축 방향의 위치에 있어서의 배치는 서로 다소 어긋나 있어도 된다. 또한, 제2 공급 유닛(10b)은 디스펜서(7)와 몰드 보유지지 유닛(6) 사이에 배치되며, 제1 공급 유닛(10a) 및 제2 공급 유닛(10b)은 몰드 보유지지 유닛(6)을 사이에 개재하여 배치된다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 실시형태에 따른 몰드(4)의 전하 제거 원리에 대해서 설명한다. 도 2a에 도시하는 바와 같이, 기판(2)의 제1 영역(샷 영역) 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리하면, 몰드(4)(패턴부(5))가 대전된다(분리 대전). 도 2a는 몰드(4)가 플러스 측으로 대전된 경우를 나타내고 있지만, 몰드(4)는 기판(2) 및 임프린트재(8)의 재료 및 형상, 몰드(4)가 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 분리되는 조건 등에 따라 마이너스 측으로 대전될 수 있다.
도 2b에 도시하는 바와 같이, 기판(2)의 제1 영역에 경화된 임프린트재(8)의 패턴이 형성된 후에, 기판 스테이지(3)는 기판(2)의 제2 영역(샷 영역)에 임프린트재(8)를 공급하기 위해서 디스펜서(7) 아래로 이동될 필요가 있다. 본 실시형태에서는, 제1 공급 유닛(10a)은 기판 스테이지(3)를 디스펜서(7) 아래로 이동시키는 동작이 개시되기 전에 기체(11)를 공급하기 시작할 것이다. 결과적으로, 제1 공급 유닛(10a)으로부터 제2 공간(SP2)으로 공급된 기체(11)는, 기판 스테이지(3)의 이동에 기인해서 기판(2) 및 기판 스테이지(3)의 표면에 발생하는 쿠에트 흐름(Couette flow)에 의해 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)으로 당겨진다.
도 2c에 도시하는 바와 같이, 기판 스테이지(3)가 이동되어 몰드(4)(패턴부(5))와 보조판(9)을 서로 대면시키는 경우, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간이 제1 공간(SP1) 안으로 당겨진 기체(11)로 충전되기 때문에, 기체(11)를 통해서 몰드(4)로부터 전하가 제거된다.
전하 제거를 위한 기체(11)는 전자에 대한 평균 자유 경로가 공기보다 긴 기체를 포함할 필요가 있다. 더 구체적으로는, 기체(11)는 단원자 분자로 구성되는 희가스일 수 있다. 희가스 중 가장 긴 평균 자유 경로를 갖는 헬륨이 특히 바람직하다. 전계 중에 존재하는 전자는 전계에 의해 양극 측으로 운반되고, 운반되는 과정에서 기체 분자와 충돌한다. 이 경우, 기체의 이온화 에너지보다 높은 에너지를 갖도록 충분히 가속된 전자가 기체 분자와 충돌하면, 이온화가 발생하고 전자-양이온 쌍이 생성된다. 생성된 전자 또한 전계에 의해 가속되어 기체 분자를 이온화한다. 이와 같이 이온화의 순차적인 발생에 의해 대량의 전자-양이온 쌍이 생성되는 형상을 전자 사태라 칭한다. 전자에 대한 평균 자유 경로가 긴 기체에서, 가속되는 과정의 전자는 기체 분자와 충돌하지 않고 고 에너지 상태로 가속된다. 따라서, 전자에 대한 평균 자유 경로가 긴 기체는 낮은 전계에서도 공기보다 더 용이하게 전자 사태를 유발한다. 이에 의해 대량의 전압이 축적되기 전에 몰드(4)로부터 전하를 제거하는 것이 가능하다.
또한, 몰드(4)와 대면하는 보조판(9)은 몰드(4) 측의 표면에 도전성을 갖는다. 보조판(9)은 본 실시형태에서는 금속으로 구성된다. 결과적으로, 기체에서 이온화된 이온은 이온이 전계에 의해 가속되어 보조판(9)(의 몰드(4) 측의 표면)에 충돌할 때에 2차 전자를 방출하고, 2차 전자는 또한 전자 사태에 기여할 것이기 때문에, 몰드(4)로부터의 전하의 제거 효율이 향상될 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하여, 임프린트 장치(1)에서 행해지는 임프린트 처리, 특히 몰드(4)로부터의 전하의 제거에 대해서 상세하게 설명한다. 임프린트 처리는 제어 유닛(50)이 임프린트 장치(1)의 유닛을 통괄적으로 제어함으로써 행해진다. 여기서는 기판(2)의 샷 영역으로서의 제1 영역 및 제2 영역에 대해 임프린트재(8)의 패턴이 순차적으로 형성되는 경우를 예시한다.
단계 S302에서는, 기판(2)을 보유지지하는 기판 스테이지(3)가 이동되어 기판(2)의 제1 영역을 디스펜서(7) 아래에 위치결정하고, 디스펜서(7)는 기판(2)의 제1 영역에 임프린트재(8)를 공급한다. 이때, 공급 유닛(60)(제1 공급 유닛(10a) 및 제2 공급 유닛(10b))에 의한 기체(11)의 공급이 정지된다.
단계 S304에서는, 기판 스테이지(3)를 몰드(4) 아래로 이동시키는 동작이 개시되기 전에, 공급 유닛(60), 더 구체적으로는 제2 공급 유닛(10b)이 기체(11)를 공급하기 시작한다. 본 실시형태에서는 기체(11)의 사용량을 억제하기 위해서 제2 공급 유닛(10b)으로부터만 기체(11)를 공급하지만, 기체(11)의 사용량을 억제할 필요가 없으면, 제2 공급 유닛(10b) 이외에 제1 공급 유닛(10a)로부터도 기체(11)를 공급할 수 있다.
단계 S306에서는, 기판 스테이지(3)가 이동되어 기판(2)의 제1 영역을 몰드(4) 아래에 위치결정한다. 이때, 제2 공급 유닛(10b)은 기체(11)의 공급을 계속한다. 결과적으로, 제2 공급 유닛(10b)으로부터 제2 공간(SP2)에 공급된 기체(11)는 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)으로 당겨지고, 몰드(4)와 기판(2)(기판(2)의 제1 영역의 임프린트재(8)) 사이의 공간은 기체(11)로 충전될 수 있다.
단계 S308에서는, 몰드(4)와 기판(2)의 제1 영역의 임프린트재(8)가 서로 접촉된다. 몰드(4)와 임프린트재(8)를 서로 접촉시켜서 임프린트재(8)를 몰드(4)의 패턴부(5)에 충전하는 경우에, 제2 공급 유닛(10b)은 기체(11)의 공급을 계속하여, 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)에서 기체(11)의 농도는 99% 이상이 될 것이다. 이에 의해, 몰드(4)의 패턴부(5)에의 임프린트재(8)의 충전을 촉진할 수 있다.
단계 S310에서는, 몰드(4)와 임프린트재(8)가 서로 접촉하는 상태에서 기판(2)의 제1 영역의 임프린트재(8)를 경화시키기 전에 제2 공급 유닛(10b)은 기체(11)의 공급을 정지한다. 여기에서는, 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)에서 기체(11)의 농도가 99% 미만, 더 상세하게는 90% 이하가 되도록 설정된다. 즉, 단계 S308의 공정에서 보다 몰드(4) 주위의 산소의 비율이 증가하도록 농도가 설정된다. 몰드(4)와 기판 상의 임프린트재(8)가 서로 접촉될 때, 일부 경우에는 임프린트재(8)의 일부가 몰드(4)의 패턴부(5)로부터 부분적으로 흘러넘쳐서 패턴부(5)의 측면(에지)에 부착할 수 있다. 이렇게 패턴부(5)의 측면에 부착된 임프린트재(8)가 경화되면, 경화된 임프린트재(8)가 박리되어 파티클이 된다. 따라서, 패턴부(5)의 측면에 부착된 임프린트재(8)를 경화시키지 않는 것이 바람직한데, 즉 측면에 부착된 임프린트재를 미경화 상태로 유지시키는 것이 바람직하다. 그러므로, 본 실시형태에서는, 몰드(4) 아래 제1 공간(SP1)에서의 기체(11)의 농도를 증가시켜 자외선(21)에 의한 임프린트재(8)의 경화 반응을 산소를 이용하여 억제한다. 패턴부(5)의 측면에는 단지 매우 소량의 미경화 임프린트재(8)가 부착되기 때문에, 임프린트재는 제2 영역에 공급된 임프린트재(8)가 경화될 때까지는 증발한다는 것에 유의한다. 따라서, 제2 영역에서의 패턴 형성에 대한 영향은 없다.
단계 S312에서는, 몰드(4)와 기판(2)의 제1 영역 상의 임프린트재(8)를 서로 접촉시킨 상태에서, 조사 유닛(20)으로부터 임프린트재(8)에 자외선(21)을 조사해서 임프린트재(8)를 경화시킨다. 이때, 공급 유닛(60)(제2 공급 유닛(10b))에 의한 기체(11)의 공급은 정지된 상태로 유지된다.
단계 S314에서는, 기판(2)의 제1 영역의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리하기 전에, 공급 유닛(60), 더 구체적으로는 제1 공급 유닛(10a)이 기체(11)의 공급을 개시한다. 본 실시형태에서는 기체(11)의 사용량을 억제하기 위해서 제1 공급 유닛(10a)만으로부터 기체(11)를 공급하지만, 기체(11)의 사용량을 억제할 필요가 없는 경우, 제1 공급 유닛(10a) 이외에 제2 공급 유닛(10b)으로부터도 기체(11)를 공급해도 된다.
단계 S316에서는, 몰드(4)는 기판(2)의 제1 영역의 경화된 임프린트재(8)로부터 분리된다. 결과적으로, 기판(2)의 제1 영역에 임프린트재(8)의 패턴이 형성된다. 한편, 기판(2)의 제1 영역의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리하는 것에 의해 몰드(4)(패턴부(5))가 대전된다. 이때, 제1 공급 유닛(10a)에 의한 기체(11)의 공급은 계속된다.
단계 S317에서는, 기판(2)의 모든 샷 영역에 임프린트재(8)의 패턴이 형성되었는지의 여부가 판정된다. 기판(2)의 모든 샷 영역에 임프린트재(8)의 패턴이 형성된 경우, 제1 공급 유닛(10a)에 의한 기체(11)의 공급이 정지되고 동작이 종료된다. 기판(2)의 모든 샷 영역에 임프린트재(8)의 패턴이 형성되지 않은 경우, 처리는 단계 S318로 이행한다.
단계 S318에서는, 기판(2)의 제1 영역과 다른 영역인 제2 영역에 임프린트재(8)를 공급하기 위해서, 기판 스테이지(3)를 디스펜서(7) 아래로 이동시키는 동작이 개시된다. 이때, 제1 공급 유닛(10a)은 기체(11)의 공급을 계속한다. 즉, 기판 스테이지(3)가 디스펜서(7) 아래로 이동하는 동안 제1 공급 유닛(10a)은 기체(11)의 공급을 계속한다. 기판 스테이지(3)를 디스펜서(7) 아래의 위치로 이동시키는 동작을 개시하기 전에 제1 공급 유닛(10a)은 기체(11)의 공급을 개시하기 때문에, 제1 공급 유닛(10a)으로부터 제2 공간(SP2)에 공급된 기체(11)가 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)으로 당겨진다. 따라서, 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)이 기체(11)로 충전되고, 기판 스테이지(3)의 이동에 의해 보조판(9)과 몰드(4)가 서로 대면했을 때에 유발되는 전자 사태에 의해 전자-양이온 쌍이 생성된다. 따라서, 전자-양이온 쌍이 몰드(4)에 가까워짐에 따라 몰드(4)로부터 전하가 제거된다. 이와 같이, 몰드(4) 아래의 제1 공간(SP1)에 공급된 기체(11)를 통해서 몰드(4)로부터 전하를 제거한다. 또한, 몰드(4)로부터의 전하의 제거 시에 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간에서 기체(11)의 농도가 99% 이상이 되도록, 제1 공급 유닛(10a)에 의한 기체(11)의 공급이 제어된다. 본 실시형태는 기판 스테이지(3)를 디스펜서(7) 아래로 이동시키는 상태에서 몰드(4)로부터의 전하의 제거가 완료되는 것을 상정한다는 것에 유의한다. 그러나, 몰드(4)로부터의 전하의 제거가 완료되지 않은 경우, 보조판(9)과 몰드(4)가 서로 대면하는 상태에서 기판 스테이지(3)를 정지시킬 수 있거나, 또는 보조판(9)과 몰드(4)가 서로 대면하는 상태에서 기판 스테이지(3)의 속도를 늦출 수 있다.
단계 S320에서는, 기판(2)의 제2 영역은 디스펜서 아래에 위치결된다. 이때, 제1 공급 유닛(10a)은 기체(11)의 공급을 정지한다. 즉, 기판 스테이지(3)가 디스펜서(7) 아래의 위치에 도달하면 제1 공급 유닛(10a)은 기체(11)의 공급을 정지한다. 후속하여 처리는 단계 S302로 진행되고, 기판(2)의 제2 영역에 임프린트재(8)가 공급되며, 기판(2)의 제2 영역에 임프린트재(8)의 패턴을 형성하기 위한 처리가 계속된다.
이와 같이, 기판(2)의 제1 영역의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)가 분리된 후, 기판(2)의 제2 영역에 임프린트재(8)를 공급하기 위해 기판 스테이지(3)를 디스펜서(7) 아래로 이동시키는 동작을 개시하기 전에 제1 공급 유닛(10a)이 기체(11)의 공급을 개시한다. 기판 스테이지(3)를 디스펜서(7) 아래로 이동시킴으로써 제2 공간(SP2)에 공급된 기체(11)를 제1 공간(SP1)에 공급하고, 보조판(9)을 몰드(4)에 대면하도록 설정함으로써 기체(11)를 통해서 몰드(4)로부터 전하를 제거한다. 그러므로, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(1)에서는 몰드(4)로부터 전하가 효율적으로 제거될 수 있기 때문에, 몰드(4) 상에의 이물의 부착을 억제할 수 있고, 기판 상에 형성되는 패턴에 대한 결함의 발생 및 몰드(4)에 대한 손상을 저감할 수 있다.
본 실시형태에서는, 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리할 때에 제1 공급 유닛(10a)으로부터 기체(11)가 공급된다는 것에 유의한다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 몰드(4)가 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 분리되기 전에는 제1 공급 유닛(10a)은 기체(11)의 공급을 개시하지 않고, 몰드(4)가 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 분리된 후에 제1 공급 유닛(10a)이 기체(11)의 공급을 개시하도록 설정될 수 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 보조판(9)은 전기적으로 접지될 수 있다. 이는 몰드(4)(패턴부(5))와 보조판(9) 사이의 전자 사태에 의해 몰드(4)로부터 전하가 제거될 때 몰드(4)의 전위가 보조판(9)의 전위와 동일해지는 것을 허용할 것이다. 따라서, 몰드(4)의 전위는 임프린트 장치(1)의 내부의 다른 부재의 전위와 동일해질 것이기 때문에, 몰드(4)의 주변에서 강한 전계가 발생하지 않을 것이고, 정전기력에 의한 이물 부착을 억제할 수 있다.
또한, 임프린트 장치(1)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 보조판(9)에 전위를 부여하는 부여 유닛(70)을 더 포함할 수 있다. 보조판(9)을 몰드(4)에 대면시킬 때, 부여 유닛(70)은, 보조판(9)에, 기판 상의 경화된 임프린트재(8)로부터 몰드(4)를 분리함으로써 몰드(4)에서 발생하는 전위의 극성과 반대 극성을 갖는 전위를 부여할 수 있다. 이는, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 전위차를 증가시킬 것이고, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 전계를 증가시킬 것이며, 전자 사태가 더 용이하게 발생하도록 할 것이다. 따라서, 분리 대전에 의한 몰드(4)의 대전량이 작은 경우에도, 전자 사태에 의해 몰드(4)로부터 전하가 제거될 수 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 몰드(4)가 플러스 측으로 대전되는 경우에는, 부여 유닛(70)은 마이너스 전위를 보조판(9)에 제공할 수 있다. 한편, 몰드(4)가 마이너스 측으로 대전되는 경우에는, 부여 유닛(70)은 플러스 전위를 보조판(9)에 제공할 수 있다. 부여 유닛(70)은 양쪽의 극성의 전위를 보조판(9)에 제공할 수 있는 전원을 포함한다.
또한, 몰드(4)와 보조판(9) 사이에서 발생하는 전자 사태는, 기체(11)의 종류뿐만 아니라 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 거리를 조정함으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 전계의 강도는 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 거리를 조정함으로써 조정될 수 있다. 따라서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 보조판(9)을 몰드(4)에 대면시킬 때에, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 거리(d)를 조정한다. 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 거리(d)를 변경하는 거리 조정 유닛으로서 몰드 보유지지 유닛(6) 또는 기판 스테이지(3)를 사용할 수 있다.
몰드(4)와 보조판(9) 사이에서 발생하는 전자 사태는 또한 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간의 압력을 조정함으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 전자의 평균 자유 경로는 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간의 압력을 조정함으로써 조정될 수 있다. 따라서, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간의 압력을 변경하는 압력 변경 유닛이 배치되고, 압력 변경 유닛은 보조판(9)을 몰드(4)에 대면시킬 때에 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간의 압력을 조정할 것이다. 압력 변경 유닛은, 몰드(4)와 보조판(9) 사이의 공간의 압력을 조정할 수 있거나, 이러한 공간을 포함하는 근방의 압력을 국소적으로 변경할 수 있거나, 또는 임프린트 장치(1)의 전체 공간의 압력을 변경할 수 있다.
또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 임프린트 장치(1)는 보조판(9)에 광(31)을 조사하는 에너지 조사 유닛(30)을 더 포함할 수 있다. 보조판(9)을 몰드(4)에 대면시킬 때에, 에너지 조사 유닛(30)은 보조판(9)에 보조판(9)의 일 함수 이상의 에너지를 갖는 광(31)을 조사한다. 예를 들어, 보조판(9)이 알루미늄으로 구성되는 경우 보조판(9)의 일 함수는 대략 4eV이기 때문에, 보조판에 300 nm 이하의 파장을 갖는 광(31)이 조사되면, 광전 효과에 의해 보조판(9)(의 몰드(4) 측의 표면)으로부터 광전자가 방출될 것이다. 금속의 일 함수는 일반적으로 약 2eV 내지 5eV이기 때문에, 자외선 영역에 속하는 광(31)을 보조판(9)에 조사함으로써 광전 효과에 의해 보조판(9)으로부터 광전자가 방출된다. 광전자는 전자 사태에 기여하기 때문에, 몰드(4)로부터의 전하의 제거 효율이 더 향상될 수 있다.
임프린트 장치(1)에서 사용되는 전하 제거용의 기체(11)는 일반적으로 확산성이 높다. 따라서, 상술한 바와 같이, 몰드(4)와 기판 상의 임프린트재(8)를 서로 접촉시킬 때, 몰드(4)와 기판(2) 사이의 공간을 기체(11)로 충전함으로써, 몰드(4)의 패턴부(5)에 대한 임프린트재(8)의 충전성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 몰드(4)와 기판 상의 임프린트재(8)를 서로 접촉시키는 공정 동안에 기체(11)가 공급되는 것이 바람직하다. 그러나, 기체(11)로서 사용되는 희가스는 고가이기 때문에, 몰드(4)의 패턴부(5)에의 임프린트재(8)의 충전이 완료되었을 때 임프린트재(8)가 경화되는 과정 동안에 기체(11)의 공급을 정지할 수 있다.
임프린트 장치(1)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM 등의 휘발성 또는 불휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA 등의 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은 상술한 물품의 구성 부재의 적어도 일부로서 직접 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후에, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품의 더 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 8a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(2)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재의 표면에 임프린트재(8)를 부여한다. 여기서는 임프린트재(8)가 복수의 액적으로서 기판 상에 부여된 상태가 도시되어 있다.
도 8b에 도시하는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4)의 볼록-오목 패턴을 갖는 측을 기판 상의 임프린트재(8)를 향해서 대면시킨다. 도 8c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(8)가 부여된 기판(2)을 몰드(4)에 접촉시키고, 압력을 가한다. 몰드(4)와 피가공재 사이의 간극에 임프린트재(8)가 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지를 몰드(4)를 통해 조사하면 임프린트재(8)가 경화된다.
도 8d에 도시된 바와 같이, 임프린트재(8)가 경화된 후에, 기판(2)으로부터 몰드(4)가 분리된다. 그리고, 임프린트재(8)의 경화물의 패턴이 기판에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드(4)의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드(4)의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 임프린트재(8)에 몰드(4)의 오목-볼록 패턴이 전사되게 된다.
도 8e에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 에칭 저항 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 경화물의 패턴이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 피가공재의 표면의 부분이 제거되어 홈을 형성한다. 도 8f에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴이 제거되면, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴을 제거한다. 그러나, 경화물의 패턴을 가공 또는 제거하는 대신에, 이것을 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태로 한정되지 않으며, 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범위를 공공에 알리기 위해서, 이하의 청구범위가 이루어진다.
본 출원은 그 전문이 본원에 참조로 통합되는 2016년 11월 18일자로 출원된 일본 특허 출원 제2016-225375호의 이익을 주장한다.

Claims (19)

  1. 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치에 있어서,
    상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성된 스테이지;
    상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되며, 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재;
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 기체를 공급하도록 구성된 기체 공급 유닛;
    상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성된 디스펜서; 및
    상기 스테이지의 이동 및 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 기체 공급 유닛 및 상기 디스펜서는 상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛을 사이에 개재하도록 배치되며,
    상기 제어 유닛은, 상기 몰드 및 상기 경화된 임프린트재가 분리된 후 상기 스테이지의 상기 디스펜서 아래로의 이동을 개시하기 전에, 상기 기체 공급 유닛이 상기 기체의 공급을 개시하도록 제어하고,
    상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면된 상태에서, 상기 기체가 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이에 공급됨으로써, 상기 몰드로부터 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 전하가 상기 몰드로부터 제거될 때 상기 주변 부재와 상기 몰드 사이의 공간에서 상기 기체의 농도가 99% 이상이 되도록 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 제어하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 스테이지가 상기 디스펜서 아래로 이동하는 동안 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 계속하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 디스펜서와 상기 보유지지 유닛 사이에 배치되고 상기 몰드 아래의 제1 공간에 인접한 제2 공간으로 기체를 공급하도록 구성된 제2 기체 공급 유닛을 더 포함하며,
    상기 기체 공급 유닛 및 상기 제2 기체 공급 유닛은 상기 보유지지 유닛을 사이에 개재하도록 배치되며,
    상기 제어 유닛은, 상기 스테이지가 상기 디스펜서 아래에 도달한 후에 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 정지하고, 상기 임프린트재가 상기 기판 상에 공급된 후에 상기 몰드 아래로의 상기 스테이지의 이동이 개시되기 전에 상기 제2 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 개시하며, 상기 스테이지를 상기 몰드 아래로 이동시킴으로써 상기 제2 공간에 공급된 상기 기체를 상기 제1 공간에 공급하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상에 공급된 상기 임프린트재를 서로 접촉시킴으로써 상기 몰드의 패턴이 상기 임프린트재로 충전되는 동안 상기 제2 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 계속하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상에 공급된 상기 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재가 경화되기 전에 상기 제2 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 몰드와 상기 제2 공간의 상기 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재가 경화될 때 상기 제1 공간에서 상기 기체의 농도가 99% 미만이 되도록 상기 제2 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 제어하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 주변 부재는 접지되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 주변 부재에 전위를 제공하도록 구성된 부여 유닛을 더 포함하며,
    상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면하게 될 때에, 상기 제어 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 상기 경화된 임프린트재를 분리하는 것에 의해 상기 몰드에서 발생하는 전위의 극성과 반대 극성의 전위를 상기 부여 유닛이 상기 주변 부재에 제공하게 하는 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 몰드와 상기 주변 부재 사이의 거리를 변경하도록 구성된 거리 변경 유닛을 더 포함하며,
    상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면하게 될 때에, 상기 제어 유닛은, 상기 거리 변경 유닛이 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이의 거리를 조정하게 하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 몰드와 상기 주변 부재 사이의 공간의 압력을 변경하도록 구성된 압력 변경 유닛을 더 포함하며,
    상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면하게 될 때에, 상기 제어 유닛은, 상기 압력 변경 유닛이 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이의 상기 공간의 압력을 변경하게 하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 주변 부재에 광을 조사하도록 구성된 조사 유닛을 더 포함하며,
    상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면하게 될 때에, 상기 제어 유닛은, 상기 조사 유닛이 상기 주변 부재에 상기 주변 부재의 일 함수 이상의 에너지를 갖는 광을 조사하게 하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 기체는, 전자에 대한 평균 자유 경로가 공기보다 긴 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 기체는 헬륨을 포함하는 임프린트 장치.
  15. 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 사용하는 임프린트 방법에 있어서,
    상기 임프린트 장치는, 상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성된 스테이지, 상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되고 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재, 상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 기체를 공급하도록 구성된 기체 공급 유닛, 상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성된 디스펜서, 및 상기 스테이지의 이동 및 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 기체 공급 유닛 및 상기 디스펜서는 상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛을 사이에 개재하도록 배치되고,
    상기 임프린트 방법은, 상기 몰드 및 상기 경화된 임프린트재가 분리된 후 상기 스테이지의 상기 디스펜서 아래로의 이동을 개시하기 전에, 상기 기체 공급 유닛이 상기 기체의 공급을 개시하도록 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면된 상태에서, 상기 기체가 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이에 공급됨으로써, 상기 몰드로부터 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  16. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계;
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계; 및
    상기 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하고,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성된 스테이지,
    상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되며, 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재,
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 기체를 공급하도록 구성된 기체 공급 유닛,
    상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성된 디스펜서, 및
    상기 스테이지의 이동 및 상기 기체 공급 유닛에 의한 상기 기체의 공급을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 기체 공급 유닛 및 상기 디스펜서는 상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛을 사이에 개재하도록 배치되고,
    상기 제어 유닛은, 상기 몰드 및 상기 경화된 임프린트재가 분리된 후 상기 스테이지의 상기 디스펜서 아래로의 이동을 개시하기 전에, 상기 기체 공급 유닛이 상기 기체의 공급을 개시하도록 제어하고,
    상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면된 상태에서, 상기 기체가 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이에 공급됨으로써, 상기 몰드로부터 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
  17. 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치에 있어서,
    상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성된 스테이지;
    상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되며, 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재;
    상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성된 디스펜서; 및
    상기 스테이지의 이동을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 스테이지를 상기 디스펜서로 이동시키면서 상기 주변 부재를 상기 몰드에 대면하도록 제어하고,
    상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면된 상태에서, 기체가 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이에 공급됨으로써, 상기 몰드로부터 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  18. 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 사용하는 임프린트 방법에 있어서,
    상기 임프린트 장치는, 상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성된 스테이지, 상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되며, 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재, 상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성된 디스펜서, 및 상기 스테이지의 이동을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하며,
    상기 임프린트 방법은, 상기 제어 유닛에 의해, 상기 스테이지를 상기 디스펜서로 이동시키면서 상기 주변 부재를 상기 몰드에 대면하도록 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면된 상태에서, 기체가 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이에 공급됨으로써, 상기 몰드로부터 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  19. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계;
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계; 및
    상기 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하고,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판을 보유지지하여 이동시키도록 구성된 스테이지,
    상기 스테이지 상의 상기 기판이 보유지지되는 부분의 주변에 배치되며, 상기 몰드 측의 도전성 표면을 포함하는 주변 부재,
    상기 임프린트재를 상기 기판에 공급하도록 구성된 디스펜서, 및
    상기 스테이지의 이동을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 스테이지를 상기 디스펜서로 이동시키면서 상기 주변 부재를 상기 몰드에 대면하도록 제어하고,
    상기 스테이지의 이동 동안 상기 주변 부재가 상기 몰드에 대면된 상태에서, 기체가 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이에 공급됨으로써, 상기 몰드로부터 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
KR1020197016503A 2016-11-18 2017-10-05 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 KR102179737B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-225375 2016-11-18
JP2016225375A JP6735656B2 (ja) 2016-11-18 2016-11-18 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
PCT/JP2017/036246 WO2018092454A1 (ja) 2016-11-18 2017-10-05 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190073573A KR20190073573A (ko) 2019-06-26
KR102179737B1 true KR102179737B1 (ko) 2020-11-17

Family

ID=62146147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197016503A KR102179737B1 (ko) 2016-11-18 2017-10-05 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11333971B2 (ko)
JP (1) JP6735656B2 (ko)
KR (1) KR102179737B1 (ko)
TW (1) TWI661925B (ko)
WO (1) WO2018092454A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI837607B (zh) 2022-03-10 2024-04-01 永嘉光電股份有限公司 大規模壓印之方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149872B2 (ja) * 2019-02-14 2022-10-07 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
US11181819B2 (en) * 2019-05-31 2021-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Frame curing method for extrusion control

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008260273A (ja) 2007-03-16 2008-10-30 Canon Inc インプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置
JP2014183069A (ja) 2013-03-18 2014-09-29 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2015115413A (ja) 2013-12-10 2015-06-22 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP2016031952A (ja) 2014-07-25 2016-03-07 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2133154A5 (ko) 1971-04-09 1972-11-24 Cii
JP2007098779A (ja) 2005-10-05 2007-04-19 Nikon Corp 樹脂の剥離方法及びパターン転写装置
JP5235506B2 (ja) 2008-06-02 2013-07-10 キヤノン株式会社 パターン転写装置及びデバイス製造方法
JP5868215B2 (ja) * 2012-02-27 2016-02-24 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP6661397B2 (ja) * 2015-04-22 2020-03-11 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6603678B2 (ja) * 2016-02-26 2019-11-06 キヤノン株式会社 インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法
JP6643145B2 (ja) * 2016-02-29 2020-02-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6732475B2 (ja) * 2016-02-29 2020-07-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法、保持装置および露光装置
JP6704769B2 (ja) * 2016-03-29 2020-06-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
US10754244B2 (en) * 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008260273A (ja) 2007-03-16 2008-10-30 Canon Inc インプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置
JP2014183069A (ja) 2013-03-18 2014-09-29 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2015115413A (ja) 2013-12-10 2015-06-22 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP2016031952A (ja) 2014-07-25 2016-03-07 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI837607B (zh) 2022-03-10 2024-04-01 永嘉光電股份有限公司 大規模壓印之方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6735656B2 (ja) 2020-08-05
US11333971B2 (en) 2022-05-17
TW201819153A (zh) 2018-06-01
JP2018082127A (ja) 2018-05-24
TWI661925B (zh) 2019-06-11
US20190265589A1 (en) 2019-08-29
KR20190073573A (ko) 2019-06-26
WO2018092454A1 (ja) 2018-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10067420B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
TWI649183B (zh) 壓印裝置，壓印方法，及製造物品的方法
KR102179737B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법
JP7261000B2 (ja) 容器、処理装置、異物除去方法、および物品の製造方法
TWI723058B (zh) 光刻設備、釋放光刻模板圖案化表面上之靜電荷的方法、製造裝置的方法及製造壓印光刻複製模板的方法
WO2016170729A1 (en) Imprint apparatus, method of imprinting, and method of manufacturing article
US10777443B2 (en) Imprint apparatus, imprinting method, and method for manufacturing article
JP2017139452A (ja) インプリント装置および物品の製造方法
JP6603678B2 (ja) インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法
WO2017145924A1 (ja) インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法
JP2020013890A (ja) インプリント装置およびその制御方法、ならびに物品製造方法
KR102294037B1 (ko) 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법
JP6732475B2 (ja) インプリント装置、物品の製造方法、保持装置および露光装置
KR102461027B1 (ko) 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 장치, 및 물품 제조 방법
JP2019091741A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2019067916A (ja) リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2019041004A (ja) インプリント装置および物品の製造方法
US10303049B2 (en) Reducing electric charge in imprint lithography
KR102388618B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
WO2017134989A1 (ja) インプリント装置および物品の製造方法
JP2018190802A (ja) インプリント装置および物品の製造方法
JP2019117845A (ja) リソグラフィ装置及び物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant