KR101806668B1 - 진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치 - Google Patents

진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 또는 디스플레이 제작시 사용되는 진공 체임버 내부의 압력 조건 즉 진공 상태인지 대기압 상태인지 여부에 따라 진공 체임버 내부에 위치하는 피대전체의 정전하를 제거하기 위하여 진공 상태에서는 피대전체에 진공적외선을 조사하고 대기압하에서는 피대전체에 연엑스선을 조사할 수 있는 정전기 제거장치에 관한 것이다.
본 발명에서 제안하는 기술적 사상을 구현하기 위한 "진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치"는 진공 체임버 내부에 배치되어 피대전체의 상부에 상이한 파장대의 광을 조사하는 제 1 광조사부 및 제 2 광조사부와, 상기 진공 체임버 내부 일측에 배치되어 상기 진공 체임버의 진공도를 감지하는 센서와, 상기 센서에서 감지한 진공도를 수신하여 상기 진공도에 따라 상기 제 1 광조사부 및 상기 제 2 광조사부 중 어느 하나를 선택적으로 동작시키는 위하여 상기 진공 체임버 외부에 배치되는 제어부를 구비한다.
본 발명에 따른 정전기 제거장치를 사용하는 경우 진공 체임버 내부의 진공도에 따라서 연엑스선을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키거나 진공자외선을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시킬 수 있다는 이점이 있다.

Description

진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치{Ionzer for neutralizing static electricity of an object by radiating either soft X-ray or vacuum ultra violet ray according to the pressure in a vaccum chamber}
본 발명은 진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 또는 디스플레이 제작시 사용되는 진공 체임버 내부의 압력 조건 즉 진공 상태인지 대기압 상태인지 여부에 따라 진공 체임버 내부에 위치하는 피대전체의 정전하를 제거하기 위하여 진공 상태에서는 피대전체에 진공적외선을 조사하고 대기압하에서는 피대전체에 연엑스선을 조사할 수 있는 정전기 제거장치에 관한 것이다.
알려진 바와 같이, 일반 대기압하에서 정전기를 제거하는 방식으로는 코로나 방전에 의해 이온을 발생시키는 방식과 연 X선(Soft X-ray, 예컨대 1.5Å)의 전리 작용을 이용하여 주위 공기 및 가스분자를 이온화해서 제전대상 물체의 정전기를 중화·완화 시키는 방법이 있다.
한편, LCD 및 반도체 제조공정 중에는 감압 진공상태 및 불활성가스(N2 , Ar 등)를 취급하는 특수한 환경에서도 정전기를 제거하여야 하는 경우가 있다.
이때, 코로나 방전을 사용한 정전기 제거장치는 금속 미립자의 발산으로 인한 오염문제와 (+)이온과 (-)이온 불균형으로 재조정해야 하는 등의 문제점이 발생하고, 연 X선을 이용한 정전기 제거장치는 대기압의 공기 중에서는 제전성능이 우수하지만 진공상태 및 불활성가스(N2 , Ar 등)를 취급하는 특수한 환경에서는 정전기를 제거할 수가 없다는 문제점을 안고 있다.
진공상태 내지 불활성가스 분위기에 놓여 있는 대전체의 정전기를 제거하기 위해 일본 하마마쯔 회사 등은 2000Å 부근의 파장대를 갖는 진공자외선(Vacuum Ultra Violet ray)을 이용한 정전기 제거장치를 제안한 바 있다.
알려진 바와 같이, 초대용량 집적회로(LSI) 또는 액정화면(LCD)과 같은 반도체, 전자소자 제품은 아무리 제조 환경이 정밀하게 친환경적으로 설치되었다 해도 정전기의 영향을 무시할 수 없는데, 이러한 제품의 제조 공정 중 많은 부분이 진공 상태에서 이루어진다.
그런데, 위에서 살펴 본 바와 같이, 코로나 방전 내지 연엑스선 조사 방식의 경우 진공 상태에서 사용하기 곤란한 문제점이 있다.
따라서, 반도체 제조 등에 등에 있어 진공 체임버 내부 공정시에는 진공 상태에서도 정전기 제전 효과를 얻을 수 있는 진공자외선을 조사하는 정전기 제거 장치를 사용하고 있다.
그런데, 진공 체임버 내부에서 소정의 공정을 진행한 후 다음 단계로 피대전체(웨이퍼, 디스플레이 등)를 이송하기 위하여 진공 체임버의 진공을 제거하고 대기압으로 전환하거나, 대기압 상태를 유지하고 있는 진공 체임버 내부로 피대전체를 이송시킨 경우와 같이 진공 체임버가 일시적으로 대기압 상태를 유지하는 경우에는 진공자외선을 조사 방식을 사용할 수 없다는 문제점이 있다.
즉, 진공 체임버의 진공을 제거하거나 대기압 상태를 유지하는 진행 체임버 내부로 피대전체가 이송된 경우에는 피대전체의 잔류 정전기를 제거할 수 없다는 문제점이 있었고 이로 인하여 제조업체에서는 안정적인 생산 수율이 확보하지 못하는 고충을 안고 있었다.
따라서, 이러한 문제점을 해소할 필요성이 제기되고 있다.
1. 일본 특허 등록 JP2816037, 발명의 명칭 : "대전 물체의 중화 장치" 2. 한국특허출원 제1020130047924호, 발명의 명칭 : "X선관 튜브 구조"
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로 진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 능동적으로 피대전체의 정전기를 제거할 수 있는 정전기 제거장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여 본 발명에서는 진공 체임버가 대기압 상태인 경우 연엑스선을 조사하고 진공 체임버가 소정의 진공도를 유지하는 경우에는 진공자외선을 조사하여 피대전체의 정전기를 제거할 수 있는 정전기 제거 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서 제안하는 기술적 사상을 구현하기 위한 "진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치"는 진공 체임버 내부에 배치되어 피대전체의 상부에 상이한 파장대의 광을 조사하는 제 1 광조사부 및 제 2 광조사부와, 상기 진공 체임버 내부 일측에 배치되어 상기 진공 체임버의 진공도를 감지하는 센서와, 상기 센서에서 감지한 진공도를 수신하여 상기 진공도에 따라 상기 제 1 광조사부 및 상기 제 2 광조사부 중 어느 하나를 선택적으로 동작시키는 위하여 상기 진공 체임버 외부에 배치되는 제어부를 구비한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 광조사부는 연엑스선을 조사하며, 상기 제 2 광조사부는 진공자외선을 조사한다.
본 발명에 있어서, 상기 진공 체임버가 대기압 상태인 경우 상기 제어부는 상기 제 1 광조사부를 턴온시키고 상기 제 2 광조사부는 턴오프시키며, 상기 진공 체임버가 진공 상태인 경우 상기 제어부는 상기 제 1 광조사부를 턴오프시키고 상기 제 2 광조사부는 턴온시킨다.
본 발명에 따른 정전기 제거장치를 사용하는 경우 진공 체임버 내부의 진공도에 따라서 연엑스선을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키거나 진공자외선을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시킬 수 있다는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에서 제안하는 정전기 제거장치의 동작과 기능을 설명하는 개념도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에서 제안하는 "진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치"에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에서 제안하는 정전기 제거장치의 동작과 기능을 설명하는 개념도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다용도 정전기 제거장치는 진공 체임버(100) 내부에 설치되어 진공 체임버(100) 내부가 대기압 상태인지 진공 상태인지 여부에 따라 상이한 파장대의 광을 조사하는 제 1 광조사부(11) 및 제 2 광조사부(12)를 구비한다.
본 발명의 기술적 사상을 실시함에 있어서, 제 1 광조사부(11)는 연엑스선을 조사하며, 제 2 광조사부(12)는 진공자외선을 조사하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 광조사부(11)와 제 2 광조사부(12)는 진공 체임버(100) 내부에 설치된 안착 지지부(40) 상부에 안착되어 있는 피대전체(예컨대, 반도체 웨이퍼, 디스플레이 등)에 연엑스선 또는 진공자외선을 조사하여 피대전체상의 정전하를 제거하기 위한 것으로 이들 제 1 광조사부(11) 및 제 2 광조사부(12)는 진공 체임버 내부의 진공 여부에 따라 선택적으로 작동된다.
다음, 본 발명의 진공 체임버(100) 내부 일측에는 진공 체임버(100) 내부의 진공도를 감지하는 센서(13)가 더 구비된다.
센서는 진공 체임버(100) 내부의 진공도를 감지하기 위한 것으로 공지된 다양한 종류의 압력 진공 센서를 모두 포함할 수 있다.
다음, 본 발명에서는 센서(130)에서 감지한 진공도를 수신하여 진공 체임버(100) 내부의 진공도에 따라 제 1 광조사부(11) 및 제 2 광조사부(12) 중 어느 하나를 선택적으로 동작시키는 위하여 진공 체임버(100) 외부에 배치되는 제어부(20)를 더 구비한다.
본 발명의 제어부(20)는 제 1 광조사부(11)와 제 2 광조사부(12)의 구동 전압을 공급한다.
본 발명에서 제안하는 정전기 제거장치의 동작은 다음과 같다.
[진공 체임버(100)가 대기압 상태인 경우]
진공 체임버(100)가 대기압 상태인 경우 센서(13)는 진공 체임버(100) 내부의 대기압 상태를 감지하고 이 정보를 제어부(20)로 전송하며, 제어부(20)는 연엑스선을 조사할 수 있는 제 1 광조사부(1)를 턴온시켜 피대전체(30)의 정전기를 중화시키는 동작을 수행한다.
참고로, 진공 체임버(100)가 대기압 상태인 경우, 제어부(20)는 제 2 광조사부(12)는 턴오프시킨다.
[진공 체임버(100)가 진공 상태인 경우]
진공 체임버(100)가 진공 상태인 경우 센서(13)는 진공 체임버(100) 내부의 진공 상태를 감지하고 이 정보를 제어부(20)로 전송하며, 제어부(20)는 진공자외선을 조사할 수 있는 제 2 광조사부(1)를 턴온시켜 피대전체(30)의 정전기를 중화시키는 동작을 수행한다.
참고로, 진공 체임버(100)가 진공 상태인 경우, 제어부(20)는 제 1 광조사부(12)는 턴오프시킨다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서 제안하는 진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치를 사용하는 경우 진공 체임버 내부의 압력 변화에 대응하여 그에 적합한 정전기 제거용 광을 조사할 수 있으므로 안정적인 제조 공정을 구축할 수 있다는 이점이 있다.
100: 진공 체임버
11: 제 1 광조사부
12: 제 2 광조사부
13: 센서
20: 제어부
30: 피대전체
40: 안착 지지부

Claims (3)

  1. 진공 체임버 내부에 배치되어 피대전체의 상부에 상이한 파장대의 광을 조사하는 제 1 광조사부 및 제 2 광조사부와,
    상기 진공 체임버 내부 일측에 배치되어 상기 진공 체임버의 진공도를 감지하는 센서와,
    상기 센서에서 감지한 진공도를 수신하여 상기 진공도에 따라 상기 제 1 광조사부 및 상기 제 2 광조사부 중 어느 하나를 선택적으로 동작시키는 위하여 상기 진공 체임버 외부에 배치되는 제어부를 구비하며,
    상기 제 1 광조사부는 연엑스선을 조사하며, 상기 제 2 광조사부는 진공자외선을 조사하며,
    상기 진공 체임버가 대기압 상태인 경우 상기 제어부는 상기 제 1 광조사부를 턴온시키고 상기 제 2 광조사부는 턴오프시키며,
    상기 진공 체임버가 진공 상태인 경우 상기 제어부는 상기 제 1 광조사부를 턴오프시키고 상기 제 2 광조사부는 턴온시키는 것을 특징으로 하는 진공 체임버 내부의 압력 변화에 따라 연엑스선 또는 진공자외선 중의 어느 하나의 광을 조사하여 피대전체의 정전기를 중화시키는 정전기 제거 장치.
  2. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014033148A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Ulvac Japan Ltd 光照射装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353096A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Nikon Corp 基板搬送方法、露光装置及び露光方法
JP2014033148A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Ulvac Japan Ltd 光照射装置

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