KR100708318B1 - 기판처리 장치 및 기판처리 방법 - Google Patents

기판처리 장치 및 기판처리 방법 Download PDF

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Abstract

노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 기판 재치부에서 노광 장치로 반송할 때에는, 인터페이스용 반송 기구의 위쪽의 핸드가 이용된다. 또한, 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 노광 장치로부터 기판재치부로 반송할 때에는, 인터페이스용 반송 기구의 아래쪽의 핸드가 이용된다. 즉, 노광 처리후의 액체가 부착된 기판의 반송에는 아래쪽 핸드를 이용되고, 노광 처리전의 액체가 부착되지 않고 있는 기판의 반송에는 위쪽 핸드를 이용된다.
노광 장치, 기판 재치부, 핸드

Description

기판처리 장치 및 기판처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
도1은 제1 실시형태에 관한 기판처리 장치의 평면도이고,
도2는 도1의 기판처리 장치를 +X방향으로부터 본 측면도이고,
도3은 도1의 기판처리 장치를 -X방향으로부터 본 측면도이고,
도4는 도1의 인터페이스용 반송 기구의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이고,
도5는 제2 실시형태에 관한 기판처리 장치를 나타내는 평면도이고,
도6은 도5의 인터페이스용 반송 기구의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판처리 장치 및 기판처리 방법에 관한 것이다.
반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종기 판에 여러가지 처리를 하기 위해서, 기판처리 장치가 이용되고 있다.
이러한 기판처리 장치에서는, 일반적으로 한장의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행하여진다(예컨대, 일본국 특허공개공보 제2003-324139호 참조). 일본국 특허공개공보 제2003-324139호에 기재된 기판처리 장치는, 인덱서 블럭, 반사 방지막용 처리 블럭, 레지스트 막용 처리 블럭, 현상 처리 블럭 및 인터페이스 블럭에 의해 구성된다. 인터페이스 블럭에 인접하도록, 기판처리 장치와는 별체의 외부장치인 노광 장치가 배치된다.
상기 기판처리 장치에서, 인덱서 블럭으로부터 반입되는 기판은, 반사 방지막용 처리 블럭 및 레지스트 막용 처리 블럭에 의해 반사 방지막의 형성 및 레지스트 막의 도포 처리가 행하여진 후, 인터페이스 블럭을 통해서 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판상의 레지스트 막에 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 인터페이스 블럭을 통해서 현상 처리블럭으로 반송된다. 현상 처리 블럭에서 기판상의 레지스트 막에 현상 처리가 행하여지는 것에 의해 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블럭으로 반송된다.
여기에서, 인터페이스 블럭으로부터 노광 장치로의 기판의 반송 및 노광 장치로부터 인터페이스 블럭으로의 기판의 반송은, 인터페이스 블럭에 마련되어진 인터페이스용 반송 기구의 1개의 유지 암(arm)에 의해 행하여진다.
최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화 에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제로 되어 있다. 종래의 일반적인 노광 장치에서는, 렉칠의 패턴을 투영 렌즈를 통해서 기판위로 축소 투영 함으로써 노광 처리가 행하여지고 있다. 그러 나, 이러한 종래의 노광 장치에서는, 노광 패턴의 선폭은 노광 장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.
거기에서, 노광 패턴의 새로운 미세화를 가능하게 하는 투영 노광 방법으로서, 액침법이 제안되었다(예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치에서는, 투영 광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워져 있어, 기판표면에 있어서의 노광 광을 단파장화 할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 패턴의 새로운 미세화가 가능해진다.
상기 투영 노광 장치에서는, 기판과 액체가 접촉한 상태에서 노광 처리가 행하여지므로, 노광 처리후의 기판은 액체가 부착된 상태에서 투영 노광 장치로부터 반출된다.
그 때문에, 상기 일본국 특허공개공보 제2003-324139호의 기판처리 장치에 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치를 외부장치로서 설치할 경우, 투영 노광 장치로부터 반출되는 기판에 부착되어 있는 액체가 유지 암에 부착된다. 유지 암은 노광 처리전의 기판의 투영 노광 장치에의 반입도 행한다. 이것에 의해, 유지 암에 액체가 부착되면, 유지 암에 부착된 액체가 노광 처리전의 기판의 이면에도 부착된다.
그것에 의하여, 기판의 투영 노광 장치에의 반입시에 기판의 이면의 액체에 대기중의 먼지 등이 부착되고, 기판의 이면이 오염되어진다. 그 결과, 기판의 이면오염에 기인하여, 노광 처리의 해상성능이 열화하는 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 기판의 이면오염을 충분히 방지할 수 있는 기판처리 장치 및 기판처리 방법을 제공하는 것이다.
(1)
본 발명의 일국면을 따르는 기판처리 장치는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치로서, 기판에 처리를 행하는 처리부와, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수(授受)를 행하기 위한 수수부를 구비하고, 수수부는 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 구비하고, 반송 장치는, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 유지하는 제1 유지부와, 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 유지하는 제2 유지부를 구비한 것이다.
그 기판처리 장치에서는, 처리부에 의해 기판에 처리가 행하여지고, 반송 장치에 의해 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판이 반송된다. 반송 장치에 의한 기판의 반송시에는, 노광 처리에 의한 액체가 부착되지 않고 있는 기판이 제1 유지부에 의해 유지되고, 노광 처리에 의한 액체가 부착된 기판이 제2 유지부에 의해 유지된다.
이것에 의해, 제1 유지부에 액체가 부착되는 일이 없으므로, 노광 처리전의 기판의 이면에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 액체에의 먼지 등의 부착에 의한 기판의 이면오염을 충분히 방지할 수 있다. 그 결과, 노광 장치에서 기판의 이면오염에 기인하는 노광 처리의 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
(2)
수수부는, 기판에 소정의 처리를 행하는 처리 유닛과, 기판이 일시적으로 재치되는 재치부를 더 포함하고, 반송 장치는, 처리부, 처리 유닛 및 재치부의 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송 유닛과, 노광 장치 및 재치부의 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송 유닛을 포함하고, 제2 반송 유닛은, 제1 및 제2 유지부를 구비해도 좋다.
이 경우, 처리부에 의해 기판에 처리가 행하여진 후, 기판은 수수부의 제1 반송 유닛에 의해 수수부의 처리 유닛으로 반송된다. 또한, 처리 유닛에 의해 기판에 소정의 처리가 행하여진 후, 기판은 제1 반송 유닛에 의해 수수부의 재치부로 반송된다. 그 후, 기판은 수수부의 제2 반송 유닛에 의해 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판의 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 제2 반송 유닛에 의해 재치부로 반송된다.
제2 반송 유닛은, 기판의 재치부에서 노광 장치로의 반송시에, 제1 유지부에 의해 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 유지한다. 또한, 제2 반송 유닛은, 기판의 노광 장치로부터 재치부에의 반송시에, 제2 유지부에 의해 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 유지한다.
이것에 의해, 제1 유지부에 액체가 부착되는 일이 없으므로, 노광 처리전의 기판의 이면에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판의 이면오염을 방지할 수 있다. 그 결과, 노광 장치에서 기판의 이면오염에 기인하는 노광 처리의 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발 생을 방지할 수 있다.
(3)
제1 반송 유닛은, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 유지하는 제3 유지부와, 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 유지하는 제4 유지부를 갖추어도 좋다.
이 경우, 제1 반송 유닛은, 제3 유지부에 의해 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 유지한다. 또한, 제1 반송 유닛은, 제4 유지부에 의해 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 유지한다.
이것에 의해, 제3 유지부에 액체가 부착되는 일이 없으므로, 노광 처리전의 기판의 이면에 액체가 부착되는 것을 보다 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 액체에의 먼지 등의 부착에 의한 기판의 이면오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그 결과, 노광 장치에서 기판의 이면오염에 기인하는 노광 처리의 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
(4)
재치부는, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 재치하는 제1 재치 유닛과, 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 재치하는 제2 재치 유닛을 포함해도 좋다.
이 경우, 재치부에서는, 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판이 제1 재치 유닛에 재치 되어, 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판이 제2 재치 유닛에 재치 된다.
이것에 의해, 제1 재치 유닛에 액체가 부착되는 일이 없으므로, 노광 처리전의 기판의 이면에 액체가 부착되는 것을 보다 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 액체에의 먼지 등의 부착에 의한 기판의 이면오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그 결과, 노광 장치에서 기판의 이면오염에 기인하는 노광 처리의 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
(5)
처리 유닛은, 기판의 주변부를 노광하는 에지 노광부를 포함해도 좋다. 이 경우, 에지 노광부에서 기판의 주변부에 노광 처리가 행하여진다.
(6)
처리 유닛은, 기판에 소정의 열처리를 행하는 열처리 유닛을 포함해도 좋다.
이 경우, 기판에 열처리 유닛에 의해 소정의 열처리가 행하여진다.
(7)
처리 유닛은, 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 감광성 막 형성 유닛을 포함해도 좋다. 이 경우, 노광 처리전의 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 감광성 막 형성 유닛에 의해 형성 할 수 있다.
(8)
처리 유닛은, 감광성 막 형성 유닛에 의한 감광성 막의 형성전에 기판에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 유닛을 더 포함해도 좋다. 이 경우, 기판위로 반사 방지막이 형성되므로, 노광 처리시에 발생하는 정재파(定在波) 및 하레이션을 저감시킬 수 있다.
(9)
처리 유닛은, 기판의 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛을 포함해도 좋다. 이 경우, 현상 처리 유닛에 의해 기판의 현상 처리가 행하여진다.
(10)
제1 및 제2 유지부는, 상하 방향으로 적층되어서 설치되고, 제2 유지부는 제1 유지부에서도 아래쪽으로 설치되어도 좋다. 이 경우, 제2 유지부가 제1 유지부의 아래쪽으로 설치되어 있으므로, 제2 유지부 및 그것이 유지하는 기판으로부터 액체가 낙하했다고 한더라도, 제1 유지부 및 그것이 유지하는 기판에 액체가 부착되는 일이 없다.
이것에 의해, 노광 처리전의 기판에 액체가 부착되는 것이 방지되므로, 액체에의 먼지 등의 부착에 의한 기판의 오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 장치에서 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
(11)
제1 및 제2 유지부는, 거의 수평방향으로 늘어서도록 설치되어도 좋다. 이 경우, 제2 유지부와 제1 유지부가 거의 수평방향으로 늘어서므로, 제2 유지부 및 그것이 유지하는 기판으로부터 액체가 낙하했다고 하더라도, 제1 유지부 및 그것이 유지하는 기판에 액체가 부착되는 일이 없다.
이것에 의해, 노광 처리전의 기판에 액체가 부착되는 것이 방지되므로, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판의 오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그것에 의 하여, 노광 장치에서 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 유지부가 거의 수평방향으로 나열되므로, 반송 장치는 제1 및 제2 유지부에 의한 기판의 반송 동작을 동시에 하는 것이 가능해진다. 그 결과, 기판의 처리 시간을 단축하고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(12)
본 발명의 다른 국면을 따르는 기판처리 방법은, 노광 장치에 인접하도록 배치되어, 처리부 및 반송 장치를 구비한 기판처리 장치에서 기판을 처리하는 방법으로, 처리부에 의해 기판에 처리를 행하는 공정과, 처리부에 의해 처리된 기판을 반송 장치에 마련되어진 제1 유지부에 의해 유지하면서, 노광 장치로 반송하는 공정과, 노광 장치에 의해 노광 처리된 기판을 반송 장치에 마련되어진 제2 유지부에 의해 유지하면서, 처리부로 반송하는 공정을 구비한 것이다.
그 기판처리 방법에 있어서는, 처리부에 의해 기판에 처리가 행하여지고, 처리부에 의해 처리된 기판이 제1 유지부에 의해 유지되어, 노광 장치로 반송된다. 그 후, 노광 장치에 의해 노광 처리된 기판이 제2 유지부에 의해 유지되어, 처리부로 반송된다.
이것에 의해, 제1 유지부에 액체가 부착되는 일이 없으므로, 노광 처리전의 기판의 이면에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판의 이면오염을 충분히 방지할 수 있다. 그 결과, 노광 장치에서 기판의 이면오염에 기인하는 노광 처리의 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불 량의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 노광 처리전의 기판의 이면오염을 충분히 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판처리 장치에 대해서 도면을 이용해서 설명한다. 이하의 설명에서, 기판은 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(제1 실시형태)
제1 실시형태에 관한 기판처리 장치에 대해서 설명한다. 도1은 제1 실시형태에 관한 기판처리 장치의 평면도이다.
도1 이후의 각도에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직방향에 상당한다. 또, 각 방향에 있어서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대인 방향을 -방향이라고 한다. 또한, Z방향을 중심으로하는 회전 방향을 θ방향이라고 하고 있다.
도1에 도시한 바와 같이, 기판처리 장치(500)는, 인덱서 블럭(9), 반사 방지막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 현상 처리 블럭(12) 및 인터페이스 블럭(13)을 포함한다. 인터페이스 블럭(13)에 인접하도록 노광 장치(14)가 배치된다. 노광 장치(14)에 있어서는, 액침법에 의해 기판W의 노광 처리가 행하여진 다. 이것에 의해, 본 실시형태에 있어서, 노광 장치(14)에 의한 노광 처리후의 기판에는 액체가 부착되어 있다.
이하, 인덱서 블럭(9), 반사 방지막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 현상 처리 블럭(12) 및 인터페이스 블럭(13)의 각각을 처리 블럭이라고 한다.
인덱서 블럭(9)은, 각처리 블럭의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어 재치대(60) 및 인덱서 로보트IR를 포함한다. 인덱서 로보트IR에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드IRH가 설치된다.
반사 방지막용 처리 블럭(10)은, 반사 방지막용 열처리부(100), (101), 반사 방지막용 도포 처리부(70) 및 제1 센터 로보트CR1를 포함한다. 반사 방지막용 도포 처리부(70)는, 제1 센터 로보트CR1를 끼워서 반사 방지막용 열처리부(100), (101)에 대향해서 설치된다. 제1 센터 로보트CR1에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH1, CRH2가 상하로 설치된다.
인덱서 블럭(9)과 반사 방지막용 처리 블럭(10)과의 사이에는, 대기차단용의 격벽(15)이 설치된다. 이 격벽(15)에는, 인덱서 블럭(9)과 반사 방지막용 처리 블럭(10)과의 사이에서 기판W의 수수하기 위한 기판재치부PASS1, PASS2가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부PASS1는, 기판W을 인덱서 블럭(9)으로부터 반사 방지막용 처리 블럭(10)으로 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부PASS2는, 기판W을 반사 방지막용 처리 블럭(10)으로부터 인덱서 블럭(9)으로 반송할 때에 이용된다.
또한, 기판재치부PASS1, PASS2에는, 기판W의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그것에 의하여, 기판재치부PASS1, PASS2에 있어서 기판W이 재치 되어 있을 것인가 아닌가의 판정을 하는 것이 가능해진다. 또한, 기판재치부PASS1, PASS2에는, 고정 설치된 복수개의 지지핀이 설치되어 있다. 또, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은, 후술하는 기판재치부PASS3∼PASS10에도 동일하게 설치된다.
레지스트 막용 처리 블럭(11)은, 레지스트 막용 열처리부(110), (111), 레지스트 막용 도포 처리부(80) 및 제2 센터 로보트CR2를 포함한다. 레지스트 막용 도포 처리부(80)는, 제2 센터 로보트CR2를 끼워서 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에 대향해서 설치된다. 제2 센터 로보트CR2에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH3, CRH4가 상하로 설치된다.
반사 방지막용 처리 블럭(10)과 레지스트 막용 처리 블럭(11)과의 사이에는, 대기차단용 격벽(16)이 설치된다. 이 격벽(16)에는, 반사 방지막용 처리 블럭(10)과 레지스트 막용 처리 블럭(11)과의 사이에서 기판W의 수수하기 위한 기판재치부PASS3, PASS4가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부PASS3는, 기판W을 반사 방지막용 처리 블럭(10)으로부터 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로 반송할 때에 이용되고, 아래쪽 기판재치부PASS4는, 기판W을 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로부터 반사 방지막용 처리 블럭(10)으로 반송할 때에 이용된다.
현상 처리 블럭(12)은, 현상용 열처리부(120), (121), 현상 처리부(90) 및 제3 센터 로보트CR3을 포함한다. 현상용 열처리부(121)는 인터페이스 블럭(13)에 인접하고, 후술하는 바와 같이, 기판재치부PASS7, PASS8를 구비한다. 현상 처리부(90)는, 제3 센터 로보트CR3을 끼워서 현상용 열처리부(120), (121)에 대향해서 설치된다. 제3 센터 로보트CR3에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH5, CRH6가 상하로 마련되어지는 레지스트 막용 처리 블럭(11)과 현상 처리 블럭(12)과의 사이에는, 대기차단용 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 레지스트 막용 처리 블럭(11)과 현상 처리 블럭(12)과의 사이에서 기판W을 수수하기 위한 기판재치부PASS5, PASS6가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부PASS5는, 기판W을 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로부터 현상 처리 블럭(12)으로 반송할 때에 이용되고, 아래쪽 기판재치부PASS6는, 기판W을 현상 처리 블럭(12)로부터 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로 반송할 때에 이용된다.
인터페이스 블럭(13)은, 제4 센터 로보트CR4, 버퍼SBF, 인터페이스용 반송 기구IFR 및 에지 노광부EEW를 포함한다.
또한, 에지 노광부EEW의 아래쪽에는, 후술하는 반환 버퍼부RBF1, RBF2 및 기판재치부PASS9, PASS10가 설치되어 있다. 제4 센터 로보트CR4에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH7, CRH8가 상하로 설치된다.
인터페이스용 반송 기구IFR는, 기판W을 수수하기 위한 핸드H5 및 핸드H6를 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 핸드H5 및 핸드H6는 상하 방향에 적층되어 있다. 특히, 핸드H5는 핸드H6의 위쪽에 위치한다(후술하는 도2 및 도4 참조).
인터페이스용 반송 기구IFR는, 기판재치부PASS9과 노광 장치(14)와의 사이, 노광 장치(14)와 기판재치부PASS10의 사이에서 기판W의 수수한다. 인터페이스용 반 송 기구IFR의 상세에 관해서는 후술한다.
본 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)에 있어서는, Y방향에 따라 인덱서 블럭(9), 반사 방지막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 현상 처리 블럭(12) 및 인터페이스 블럭(13)이 순차로 병설되어 있다.
도2은, 도1의 기판처리 장치(500)을 +X방향으로부터 본 측면도이다.
반사 방지막용 처리 블럭(10)의 반사 방지막용 도포 처리부(70)(도1참조)에는, 3개의 도포 유닛BARC가 상하로 적층배치되어 있다. 각 도포 유닛BARC은, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(71) 및 스핀 지퍼(71) 위로 유지된 기판W에 반사 방지막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(72)을 구비한다.
레지스트 막용 처리 블럭(11)의 레지스트 막용 도포 처리부(80)(도1참조)에는, 3개의 도포 유닛RES이 상하로 적층배치되어 있다. 각도포 유닛RES는, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(81) 및 스핀 지퍼(81) 위로 유지된 기판W에 레지스트 막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(82)을 구비한다.
현상 처리 블럭(12)의 현상 처리부(90)에는, 5개의 현상 처리 유닛DEV이 상하로 적층배치되어 있다. 각현상 처리 유닛DEV는, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(91) 및 스핀 지퍼(91) 위로 유지된 기판W에 현상액을 공급하는 공급 노즐(92)을 구비한다.
인터페이스 블럭(13)에는, 2개의 에지 노광부EEW, 반환 버퍼부RBF1, 기판재치부PASS9, PASS10 및 반환 버퍼부RBF2가 상하로 적층배치되는 동시에, 제4 센터 로보트CR4(도1참조) 및 인터페이스용 반송 기구IFR가 배치된다. 각 에지 노광부EEW 은, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(98) 및 스핀 지퍼(98) 위로 유지된 기판W의 주변을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다
도3은, 도1의 기판처리 장치(500)를 -X방향으로부터 본 측면도이다.
반사 방지막용 처리 블럭(10)의 반사 방지막용 열처리부100에는, 2개의 수수부 첨부 열처리 유닛PHP(이하, 단지 열처리 유닛이라 한다)과 3개의 핫플레이트HP가 상하로 적층배치되고, 반사 방지막용 열처리부(101)에는, 2개의 밀착 강화제 도포 처리부AHL 및 4개의 쿨링 플레이트CP가 상하로 적층배치된다. 또한, 반사 방지막용 열처리부(100), (101)에는, 최상부에 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP, 밀착 강화제 도포 처리부AHL 및 쿨링 플레이트CP의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러LC가 각각 배치된다.
레지스트 막용 처리 블럭(11)의 레지스트 막용 열처리부(110)에는, 6개의 열처리 유닛PHP이 상하로 적층배치되어, 레지스트 막용 열처리부(111)에는, 4개의 쿨링 플레이트CP가 상하로 적층배치된다. 또한, 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에는, 최상부에 열처리 유닛PHP 및 쿨링 플레이트CP의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러LC가 각각 배치된다.
현상 처리 블럭(12)의 현상용 열처리부(120)에는, 4개의 핫플레이트HP 및 4개의 쿨링 플레이트CP가 상하로 적층배치되고, 현상용 열처리부(121)에는 5개의 열처리 유닛PHP, 기판재치부PASS7, PASS8 및 쿨링 플레이트CP가 상하로 적층배치되어 있다. 또한, 현상용 열처리부(120), (121)에는, 최상부에 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP 및 쿨링 플레이트CP의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러LC가 각각 배치된다.
본 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)의 동작에 대해서 설명한다.
인덱서 블럭(9)의 캐리어 재치대(60) 위에는, 복수장의 기판W을 다단으로 수납하는 캐리어C가 반입된다. 인덱서 로보트IR는, 기판W의 수수를 행하기 위한 핸드IRH를 이용해서 캐리어C내에 수납된 미처리 기판W을 집어낸다. 그 후, 인덱서 로보트IR는 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하고, 미처리 기판W을 기판재치부PASS1에 재치한다.
본 실시형태에 있어서는, 캐리어C으로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical InterFace) 포드(pod)나 수납 기판W을 외기에 쬐는 OC(opencassette) 등을 이용해도 좋다. 더욱이, 인덱서 로보트IR, 제1∼제4 센터 로보트CR1∼CR4 및 인터페이스용 반송 기구IFR에는, 각각 기판W에 대하여 직선적으로 슬라이드 시켜서 핸드의 진퇴 동작을 하는 직동형(直動型) 반송(搬送)로보트를 이용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 관절을 움직이는 것에 의해 직선적으로 핸드의 진퇴 동작을 행하는 다관절형 반송 로보트를 이용해도 좋다.
기판재치부PASS1에 재치된 미처리 기판W은, 반사 방지막용 처리 블럭(10)의 제1 센터 로보트CR1의 핸드CRH1에 의해 접수된다. 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH1에 의해 기판W을 반사 방지막용 열처리부(100), (101)로 반입한다. 그 후, 제1 센터 로보트CR1는 핸드CHR2에 의해 반사 방지막용 열처리부(100), (101)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내고, 반사 방지막용 도포 처리부(70)로 반입한다. 이 반사 방지막용 도포 처리부(70)에서는, 노광시에 발생하는 정재파나 할레이션을 감소시 키기 위해서, 도포 유닛BARC에 의해 포토레지스트막의 하부에 반사 방지막이 도포 형성된다.
그 후, 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH1에 의해 반사 방지막용 도포 처리부(70)로부터 도포 처리가 끝난 기판W을 집어내고, 반사 방지막용 열처리부(100), (101)로 반입한다.
다음에, 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH2에 의해 반사 방지막용 열처리부(100), (101)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내고, 기판재치부PASS3에 재치한다.
기판재치부PASS3에 재치된 기판W은, 레지스트 막용 처리 블럭(11)의 제2 센터 로보트CR2의 핸드CRH3에 의해 접수된다. 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH3에 의해 기판W을 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로 반입한다. 그 후, 제2 센터 로보트CR2는 핸드CHR4에 의해 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내고, 레지스트 막용 도포 처리부(80)로 반입한다. 이 레지스트 막용 도포 처리부(80)에서는, 도포 유닛RES에 의해 반사 방지막이 도포 형성된 기판W 위로 포토레지스트막이 도포 형성된다.
그 후, 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH3에 의해 레지스트 막용 도포 처리부(80)로부터 도포 처리가 끝난 기판W을 집어내고, 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로 반입한다.
계속해서, 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH4에 의해 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내고, 기판재치부PASS5에 재치한 다.
기판재치부PASS5에 재치된 기판W은, 현상 처리 블럭(12)의 제3 센터 로보트CR3의 핸드CRH5에 의해 접수된다. 제3 센터 로보트CR3는, 핸드CRH5에 의해 기판W을 기판재치부PASS7에 재치한다. 기판재치부PASS7에 재치된 기판W은, 인터페이스 블럭(13)의 제4 센터 로보트CR4의 위쪽의 핸드CRH7에 의해 접수된다. 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH7에 의해 기판W을 에지 노광부EEW로 반입한다. 이 에지 노광부EEW에서는, 기판W의 주변부에 노광 처리가 베풀어진다.
그리고, 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH7에 의해 에지 노광부EEW로부터 에지 노광 처리가 끝난 기판W을 집어낸다. 그 후, 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CHR7에 의해 기판W을 기판재치부PASS9에 재치한다.
기판재치부PASS9에 재치된 기판W은, 인터페이스용 반송 기구IFR에 의해 노광 장치(14)로 반입된다. 기판W의 노광 장치(14)에의 반송시에 있어서, 기판W은 인터페이스용 반송 기구IFR의 위쪽의 핸드H5에 의해 유지된다.
노광 장치(14)에 있어서 기판W에 노광 처리가 실시된 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 노광 장치(14)로부터 기판W을 받고, 받은 기판W을 기판재치부PASS10에 재치한다. 기판W의 기판재치부PASS10에의 반송시에 있어서 기판W은 인터페이스용 반송 기구IFR의 아래쪽의 핸드H6에 의해 유지된다. 인터페이스용 반송 기구IFR의 상세에 관해서는 후술한다.
기판재치부PASS10에 재치된 기판W은, 인터페이스 블럭(13)의 제4 센터 로보트CR4의 아래쪽 핸드CRH8에 의해 접수된다. 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH8에 의 해 기판W을 현상 처리 블럭(12)의 현상용 열처리부(121)로 반입한다. 현상용 열처리부(121)에 있어서는, 기판W에 대하여 열처리가 행하여진다. 그 후, 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH8에 의해 현상용 열처리부(121)로부터 기판W을 집어내고, 기판재치부PASS8에 재치한다.
기판재치부PASS8에 재치된 기판W은, 현상 처리 블럭(12)의 제3 센터 로보트CR3의 핸드CRH6에 의해 접수된다. 제3 센터 로보트CR3는, 핸드CRH6에 의해 기판W을 현상 처리부(90)로 반입한다.
현상 처리부(90)에 있어서는, 노광된 기판W에 대하여 현상 처리가 행해진다.
그 후, 제3 센터 로보트CR3는, 핸드CRH5에 의해 현상 처리부(90)로부터 현상 처리가 끝난 기판W을 집어내고, 현상용 열처리부(120)로 반입한다.
다음에, 제3 센터 로보트CR3는, 핸드CRH6에 의해 현상용 열처리부(120)로부터 열처리후의 기판W을 집어내고, 레지스트 막용 처리 블럭(11)에 마련되어진 기판재치부PASS6에 재치한다.
또, 고장 등에 의해 현상 처리부(90)에 있어서 일시적으로 기판W의 현상 처리를 행할 수 없을 때는, 현상용 열처리부(121)에서 기판W에 열처리를 실시한 후, 인터페이스 블럭(13)의 반환 버퍼부RBF1에 기판W을 일시적으로 수납 보관 할 수 있다.
기판재치부PASS6에 재치된 기판W은, 레지스트 막용 처리 블럭(11)의 제2 센터 로보트CR2의 핸드CRH4에 의해 기판재치부PASS4에 재치된다. 기판재치부PASS4에 재치된 기판W은 반사 방지막용 처리 블럭(10)의 제1 센터 로보트CR1의 핸드CRH2에 의해 기판재치부PASS2에 재치된다.
기판재치부PASS2에 재치된 기판W은, 인덱서 블럭(9)의 인덱서 로보트IR에 의해 캐리어C내에 수납된다. 이것에 의해, 기판처리 장치(500)에서의 기판W의 각 처리가 종료한다.
인터페이스용 반송 기구IFR에 대해서 설명한다. 도4는 도1의 인터페이스용 반송 기구IFR의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.
도1의 인터페이스용 반송 기구IFR의 구성에 대해서 설명한다. 도4에 도시한 바와 같이, 인터페이스용 반송 기구IFR의 가동대(21)은 나축(螺軸)(22)에 설치된다. 나축(22)은, X방향에 연장되도록 지지대(23)에 의해 회전가능하도록 지지된다. 나축(22)의 일단부에는 모터M1가 설치되고, 이 모터M1에 의해 나축(22)이 회전하고, 가동대(21)가 ±X방향으로 수평이동한다.
또한, 가동대(21)에는 핸드 지지대(24)가 ±θ방향으로 회전가능하고 또한 ±Z방향에 승강가능하게 탑재된다. 핸드 지지대(24)는, 회전축(25)을 통해서 가동대(21) 내의 모터M2에 연결되어 있고, 이 모터M2에 의해 핸드 지지대(24)가 회전한다. 핸드 지지대(24)에는, 기판W을 수평자세로 유지하는 2개의 핸드H5, H6가 진퇴가능하게 상하로 설치된다.
다음에, 도1의 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작에 대해서 설명한다. 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작은, 도1의 메인 컨트롤러(30)에 의해 제어된다.
처음에, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 도4의 위치A에서 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 +Z방향으로 상승시키고, 위쪽의 핸드H5를 기판재치부PASS9에 진 입시킨다. 기판재치부PASS9에서 핸드H5가 노광 장치(14)에 의한 노광 처리전의 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H5를 기판재치부PASS9로부터 후퇴시켜, 핸드 지지대(24)을 -Z방향으로 하강시킨다.
거기에서, 인터페이스용 반송 기구IFR는 -X방향으로 이동하고, 도4의 위치B에 있어서 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 기판을 유지하는 핸드H5를 노광 장치(14)의 기판반입부(14a)(도1참조)에 진입시킨다. 기판W을 기판반입부(14a)로 반입한 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H5를 기판반입부(14a)로부터 후퇴시킨다. 이것에 의해, 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로의 기판W의 반송 동작이 종료한다.
계속해서, 인터페이스용 반송 기구IFR는 +X방향으로 이동하고, 도4의 위치C에서 아래쪽의 핸드H6를 노광 장치(14)의 기판반출부(14b)(도1 참조)로 진입시킨다. 기판반출부(14b)에서 핸드H6가 노광 장치(14)에 의한 노광 처리후의 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H6를 기판반출부(14b)로부터 후퇴시킨다.
그 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 +X방향으로 이동하고, 위치A에서 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 +Z방향에 상승시키고, 기판재치부PASS10에 기판W을 유지하는 핸드H6를 진입시킨다. 그것에 의해 기판W을 기판재치부PASS10에 재치한다. 이것에 의해, 노광 장치(14)로부터 기판재치부PASSlO로의 기판W의 반송 동작이 종료한다.
또, 기판W을 노광 장치(14)로부터 기판재치부PASS10로 반송할 때에, 기판재 치부PASSlO가 기판W의 받아들일 수 없을 경우에는, 기판W은 반환 버퍼부RBF2에 일시적으로 수납 보관된다.
또한, 기판W을 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로 반송할 때에, 노광 장치(14)가 기판W의 수수를 행할 수 없는 경우에는, 기판W은 버퍼SBF에 수납 보관된다.
상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 노광 장치(14)에 의한 노광 처리전의 기판W을 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로 반송할 때는, 인터페이스용 반송 기구IFR의 위쪽의 핸드H5가 이용된다.
또한, 노광 장치(14)에 의한 노광 처리후의 기판W을 노광 장치(14)로부터 기판재치부PASS10로 반송할 때는, 인터페이스용 반송 기구IFR의 아래쪽의 핸드H6가 이용된다.
즉, 노광 처리에 의한 액체가 부착된 기판W의 반송시에는, 핸드H6에 의해 기판W이 유지된다. 또한, 노광 처리에 의한 액체가 부착되지 않고 있는 기판W의 반송시에는, 핸드H5에 의해 기판W이 유지된다. 그 때문에, 핸드H5에 기판W의 액체가 부착되는 일이 없다.
이것에 의해, 노광 처리전의 기판W의 이면에 액체가 부착되는 것이 방지되므로, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판W의 이면오염을 충분히 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 장치(14)에서 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
더욱이, 본 실시형태에서는, 기판W의 기판재치부PASS7로부터 에지 노광부EEW 로의 반송시 및 에지 노광부EEW로부터 기판재치부PASS9로의 반송시에, 기판W이 제4 센터 로보트CR4의 위쪽 핸드CRH7에 의해 유지된다. 또한, 기판W의 기판재치부PASS10로부터 현상용 열처리부(121)로의 반송시에, 기판W이 제4 센터 로보트CR4의 아래쪽의 핸드CRH8에 의해 유지된다.
그 위, 노광 장치(14)에 의한 노광 처리전의 기판W이 기판재치부PASS9에 재치되고, 노광 장치(14)에 의한 노광 처리후의 기판W이 기판재치부PASSlO에 재치되어 있다.
이들보다, 노광 처리전의 기판W의 이면에 액체가 부착되는 것이 더욱더 방지되므로, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판W의 이면오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 장치(14)에서 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 보다 더 방지할 수 있다.
본 실시형태에서는, 핸드H6는 핸드H5의 아래쪽으로 설치되어 있으므로, 핸드H6 및 그것이 유지하는 기판W으부터 액체가 낙하했다고 하더라도 핸드H5 및 그것이 유지하는 기판W에 액체가 부착되는 일은 없다.
이것에 의해, 노광 처리전의 기판W에 액체가 부착되는 것이 방지되므로, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판W의 오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 장치(14)에 있어서 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 1대의 인터페이스용 반송 기구IFR에 의해, 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)에의 반송, 노광 장치(14)로부터 기판재치부 PASSlO에의 반송을 행하고 있지만, 복수의 인터페이스용 반송 기구IFR를 이용해서 기판W의 반송을 행하여도 좋다. 이 경우, 복수의 인터페이스용 반송 기구IFR에는, 노광 장치(14)에 의한 노광 처리전의 기판W을 유지하는 핸드와 노광 장치(14)에 의한 노광 처리후의 기판W을 유지하는 핸드가 설치된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 기판W을 수수하기 위한 핸드의 구조에 대해서 설명하지 않고 있지만, 핸드는 기판W의 주변부를 국부적으로 지지하는 구조여도 좋고, 기판W의 이면을 흡착 유지하는 구조여도 좋다.
(제2 실시형태)
제2 실시형태에 관한 기판처리 장치에 대해서 설명한다. 도5은, 제2 실시형태에 관한 기판처리 장치를 나타내는 평면도이다.
제2 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)은, 이하의 점에서 제1 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)와 다르다.
도5에 도시한 바와 같이, 노광 장치(14)의 기판반입부(14a) 및 기판반출부(14b)의 배치는, 도1의 노광 장치(14)의 기판반입부(14a) 및 기판반출부(14b)의 배치와 다르다. 도5에서는, 기판반입부(14a)의 -X방향측에 기판반출부(14b)가 배치되어 있다.
인터페이스 블럭(13)의 인터페이스용 반송 기구IFR는 X방향으로 연장되는 구조를 갖고, X 방향에 늘어서는 2개의 핸드H7 및 핸드H8를 구비한다
도5의 인터페이스용 반송 기구IFR에 대해서 설명한다. 도6은, 도5의 인터페 이스용 반송 기구IFR의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다
도5의 인터페이스용 반송 기구IFR의 구성에 대해서 설명한다. 도6에 도시한 바와 같이, 도6의 인터페이스용 반송 기구IFR에서는, X방향으로 연장된 구조를 갖는 고정대21K 위로 X방향에서 늘어서도록 핸드 지지대(24a), (24b)가 탑재된다. 핸드 지지대(24a), (24b)는, 각각 ±θ방향을 회전가능하고 또한 ±Z방향으로 승강가능하게 탑재되어 있다.
핸드 지지대(24a), (24b)은, 각각 회전축(25a), (25b)을 통해서 고정대21K 내의 모터M3, M4에 연결되어 있고, 이 모터M3, M4에 의해 핸드 지지대(24a), (24b)가 회전한다.
핸드 지지대(24a)에는, 기판W을 수평자세로 유지하는 핸드H7가 진퇴가능하게 설치된다. 핸드 지지대(24b)에는, 기판W을 수평자세로 유지하는 핸드H8가 진퇴가능하게 설치된다.
다음에, 도5의 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작에 대해서 설명한다. 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작은, 도5의 메인 컨트롤러(30)에 의해 제어된다.
인터페이스용 반송 기구IFR는, 핸드 지지대(24a)를 회전시키는 동시에 +Z방향에 상승시키고, 핸드H7을 기판재치부PASS9로 진입시킨다. 기판재치부PASS9에서 핸드H7가 노광 장치(14)에 의한 노광 처리전의 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H7을 기판재치부PASS9로부터 후퇴시켜, 핸드 지지대(24)을 -Z방향으로 하강시킨다.
거기에서, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 핸드 지지대(24a)를 회전시키는 동 시에 기판을 유지하는 핸드H7를 노광 장치(14)의 기판반입부(14a)(도5 참조)로 진입시킨다. 기판W을 기판반입부(14a)로 반입한 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H7를 기판반입부(14a)로부터 후퇴시킨다. 이것에 의해, 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로의 기판W의 반송 동작이 종료한다
상기 동작의 종료후 또는 상기 동작과 병행되어, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 핸드H8를 노광 장치(14)의 기판반출부(14b)(도5 참조)로 진입시킨다. 기판반출부(14b)에서 핸드H8가 노광 장치(14)에 의한 노광 처리후의 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H8를 기판반출부(14b)로부터 후퇴시킨다.
거기에서, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 핸드 지지대(24)b를 회전시키는 동시에 +Z방향으로 상승시키고, 기판재치부PASSlO에 기판W을 유지하는 핸드H8를 진입시킨다. 그것에 의하여, 기판W을 기판재치부PASS10에 재치한다. 그 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H8를 기판재치부PASS10로부터 후퇴시킨다. 이것에 의해, 노광 장치(14)로부터 기판재치부PASSlO로의 기판W의 반송 동작이 종료한다.
본 실시형태에 있어서는, 핸드H7와 핸드H8가 거의 수평방향으로 나열되므로, 핸드H8 및 그것이 유지하는 기판W으로부터 액체가 낙하했다고 하더라도, 핸드H7 및 그것이 유지하는 기판W에 액체가 부착되는 일은 없다.
이것에 의해, 노광 처리전의 기판W에 액체가 부착되는 것이 방지되므로, 액체에 먼지 등의 부착에 의한 기판W의 오염을 보다 충분히 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 장치(14)에서 해상성능의 열화 등에 의한 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 핸드H7 및 핸드H8가 거의 수평방향으로 나열되므로, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H7 및 핸드H8에 의한 기판W의 반송 동작을 동시에 하는 것이 가능해진다. 그 결과, 기판W의 처리 시간을 단축하고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 도6의 고정대21K 대신에, 제1 실시형태에서 설명한 가동대(21)가 이용되어도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는 핸드 지지대(24a), (24b)가 함께 공통의 고정대21K에 탑재되어 있지만, 고정대21K을 2개 설치하여, 각각의 고정대21K에 지지대(24a), (24b)를 개별적으로 탑재해도 좋다.
이상, 제1 및 제2 실시형태에 있어서는, 반사 방지막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11) 및 현상 처리 블럭(12)이 처리부에 상당하고, 인터페이스 블럭(13)이 수수부에 상당하고, 제4 센터 로보트CR4 및 인터페이스용 반송 기구IFR가 반송 장치에 상당한다.
또한, 핸드H5, H7가 제1 유지부에 상당하고, 핸드H6, H8가 제2 유지부에 상당하고, 에지 노광부EEW, 도포 유닛BARC, RES, 현상 처리 유닛DEV, 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP, 밀착 강화제 도포 처리부AHL 및 쿨링 플레이트CP가 처리 유닛에 상당하고, 기판재치부PASS9, PASSlO가 재치부에 상당하고, 제4 센터 로보트CR4가 제1 반송 유닛에 상당하고, 인터페이스용 반송 기구IFR가 제2 반송 유닛에 상당한다.
또한, 핸드CRH7가 제3 유지부에 상당하고, 핸드CRH8가 제4 유지부에 상당하고, 기판재치부PASS9가 제1 재치 유닛에 상당하고, 기판재치부PASS10가 제2 재치 유닛에 상당한다.
또한, 반사 방지막용 열처리부(100), (101), 레지스트 막용 열처리부(110), (111), 현상용 열처리부(120), (121)의 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP 및 쿨링 플레이트CP가 열처리 유닛에 상당하고, 반사 방지막용 도포 처리부(70)의 도포 유닛BARC이 반사 방지막 형성 유닛에 상당한다.
또한, 레지스트 막용 도포 처리부(80)의 도포 유닛RES이 감광성 막 형성 유닛에 상당하고, 현상 처리부(90)의 현상 처리 유닛DEV이 현상 유닛에 상당한다.
본 발명은, 기판의 이면오염을 충분히 방지할 수 있는 기판처리 장치 및 기판처리 방법을 제공한다.

Claims (12)

  1. 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치로서,
    기판에 처리를 행하는 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광 장치와의 사이에서 기판을 수수(授受)하기 위한 수수부를 구비하고,
    상기 수수부는, 상기 처리부와 상기 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 구비하고,
    상기 반송 장치는, 상기 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 유지하는 제1 유지부와, 상기 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 유지하는 제2 유지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 수수부는, 기판에 소정의 처리를 행하는 처리 유닛과, 기판이 일시적으로 재치 되는 재치부를 더 포함하고,
    상기 반송 장치는, 상기 처리부, 상기 처리 유닛 및 상기 재치부 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송 유닛과,
    상기 노광 장치 및 상기 재치부 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송 유닛을 포함하고,
    상기 제2 반송 유닛은, 상기 제1 및 제2 유지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 반송 유닛은, 상기 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 유지하는 제3 유지부와, 상기 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 유지하는 제4 유지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 재치부는, 상기 노광 장치에 의한 노광 처리전의 기판을 재치하는 제1 재치 유닛과, 상기 노광 장치에 의한 노광 처리후의 기판을 재치하는 제2 재치 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 기판의 주변부를 노광하는 에지 노광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 기판에 소정의 열처리를 행하는 열처리 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 감광성 막 형성 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 감광성 막 형성 유닛에 의한 상기 감광성 막의 형성전에 기판에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 기판의 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 유지부는, 상하 방향으로 적층 되어서 설치되고,
    상기 제2 유지부는 상기 제1 유지부보다 아래쪽에 설치되어지는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 유지부는, 거의 수평방향으로 나열하도록 설치되는 것을 특 징으로 하는 기판처리 장치.
  12. 노광 장치에 인접하도록 배치되고, 처리부 및 반송 장치를 구비한 기판처리 장치에서 기판을 처리하는 방법으로서,
    상기 처리부에 의해 기판에 처리를 행하는 공정과,
    상기 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 반송 장치에 설치된 제1 유지부에 의해 유지하면서, 상기 노광 장치로 반송하는 공정과,
    상기 노광 장치에 의해 노광 처리된 기판을 상기 반송 장치에 설치된 제2 유지부에 의해 유지하면서, 상기 처리부로 반송하는 공정을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.
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