JP4475904B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置を収納する熱処理ユニット収納棚を備えた基板処理装置に関するものである。

従来、半導体処理装置を含めた基板処理装置には、基板に熱処理を施すための熱処理ユニット（ベークユニット）が搭載されている。この熱処理ユニットには、ホットプレートと呼ばれる所定温度まで昇温を行う加熱ユニットと、クールプレートと呼ばれる所定温度まで降温を行う冷却ユニットとがある。

通常、加熱処理後の基板に対しては、所定の温度まで冷却する冷却処理が施される。また、レジスト液の塗布後および現像後の基板に対しては、所定の温度まで加熱する加熱処理が施される。これらの冷却処理および加熱処理では、一定の加熱時間および冷却時間が必要であり、それらの処理時間が基板を形成する上でのプロセスにおいて非常に重要とされる。

レジスト塗布処理部および現像処理部等の処理能力の兼ね合いにより基板処理装置に搭載される熱処理ユニットの搭載数が決定される。したがって、熱処理ユニットの搭載数は、レジスト塗布処理部および現像処理部等の処理能力に応じて異なってくるが、通常、１台の基板処理装置に複数台の熱処理ユニットが搭載される。

例えば、特許文献１には、被処理体の加熱・冷却処理時間の短縮を図り、かつ被処理体の面内温度分布の均一化及び製品歩留まりの向上が図れる熱処理装置について開示されている。

この熱処理装置において、基板を搬送するメインアームの移送路の一側には、加熱ユニットと冷却ユニットとを積み重ねて設けた熱処理部が配置され、他側には現像装置（現像ユニット）が２台並列状態に配置されている。この場合、１台の冷却ユニットの上に３台の加熱ユニットが配置されて熱処理部が形成されている。また、アドヒージョン処理装置の側部には、１台の冷却ユニット上に３台の加熱ユニットを積み重ねた熱処理部が２列に配置されている。

それにより、加熱処理された被処理体は、サブアームによって直ちに冷却ユニットに搬送される。熱処理が施された被処理体を迅速に冷却部に搬送することができ、被処理体の熱影響を少なくすることができると共に、スループットの向上を図ることができる。
特許第３２４０３８３号公報

しかしながら、複数台の熱処理ユニットが基板処理装置に搭載される場合には、他の熱処理ユニット相互間での熱影響による外乱を抑制しなければならない。搭載スペースまたはレイアウト上での制約から複数の熱処理ユニットを分散して搭載することが困難であるため集中して搭載される。しかし、多数の熱処理ユニットが集中して搭載された場合、熱処理ユニット相互間で熱の移動が生じるため、熱処理ユニット相互間での熱影響を十分に抑制することが困難となり、高性能な温度調整を行うことができない。

本発明の目的は、複数の熱処理ユニットを収納することができるとともに、熱処理ユニット相互間での熱影響を十分に抑制することができる熱処理ユニット収納棚を備えた基板処理装置を提供することである。

本発明に係る基板処理装置は、複数の収納スペースを有する熱処理ユニット収納棚と、熱処理ユニット収納棚の複数の収納スペースに収納される複数の熱処理ユニットとを備え、熱処理ユニット収納棚は、互いに間隔をおいて水平に配置された複数の仕切り部材と、複数の仕切り部材間に複数の収納スペースを形成するように複数の仕切り部材を支持する支持部材と、収納スペースの少なくとも一側面側に側壁とを備え、側壁は、複数の収納スペースに対応する複数の開口部を有し、収納スペースの他の少なくとも一側面側が開放状態とされ、側壁で隔てられた収納スペースとは反対側の領域に設けられ、複数の熱処理ユニットに対して基板を開口部を介してそれぞれ搬入出する主搬送手段をさらに備え、複数の熱処理ユニットは、主搬送手段によって搬入出された基板が載置される受け渡し部と、基板を加熱処理する加熱部と、開放状態の一側面を通して収納スペースの内部と外部との間で移動することにより受け渡し部と加熱部との間で基板を搬送するローカル搬送手段とをそれぞれ備えたものである。

本発明に係る基板処理装置の熱処理ユニット収納棚においては、互いに間隔をおいて水平に配置された複数の仕切り部材と、それらの仕切り部材を支持する支持部材とにより複数の収納スペースが形成される。また、収納スペースの少なくとも一側面側には側壁が設けられ、他の少なくとも一側面側は開放状態とされている。

この場合、熱処理ユニット収納棚の複数の収納スペースに複数の熱処理ユニットを収納することができるとともに、各収納スペース内における熱処理ユニットからの熱影響を開放状態の一側面側から逃がすことができる。それにより、熱処理ユニット相互間での熱影響を十分に抑制することができる。

また、主搬送手段により側壁の開口部を介して熱処理ユニット収納棚の各収納スペース内に収納された複数の熱処理ユニットに基板を搬入および搬出することができる。複数の熱処理ユニットと主搬送手段とが側壁で隔てられているので、搬送領域に熱処理ユニットの雰囲気が漏出することを防止することができる。また、熱処理ユニット収納棚に収納された熱処理ユニットにローカル搬送手段が設けられており、ローカル搬送手段が各収納スペースの内部と外部との間で移動することによりローカル搬送手段により受け渡し部と加熱部との間で基板を搬送することができる。
また、熱処理ユニット収納棚の開放状態の側面側から熱処理ユニットのメンテナンス作業を容易に行うことができる。

基板処理装置は、複数の開口部に開閉自在にそれぞれ設けられた複数のシャッタをさらに備えてもよい。この場合、収納スペースに収納された熱処理ユニットに外部から基板を搬入および搬出する場合にシャッタを開き、他の場合にはシャッタを閉じる。それにより、熱処理ユニットの処理中に各収納スペース内の雰囲気が基板の搬送側に流出することを防止できる。

主搬送手段の搬送領域およびローカル搬送手段の搬送領域にそれぞれダウンフローが供給されてもよい。

この場合、主搬送手段の搬送領域に供給されるダウンフローが、側壁により熱処理ユニット収納棚の各収納スペース内に流入しない。また、熱処理ユニットの一側面が開放状態であるため、ローカル搬送手段の搬送領域に供給されるダウンフローが、熱処理ユニットの周囲の熱を奪い外部に排出する。それにより、熱処理ユニットの各収納スペース内の雰囲気の蓄熱を防止することができる。したがって、複数の熱処理ユニットを多段に収納した場合でも、熱処理ユニット相互間での熱影響を抑えることが可能である。
主搬送手段の搬送領域に供給されるダウンフローの流量がローカル搬送手段の搬送領域に供給されるダウンフローの流量よりも大きく設定されてもよい。複数の収納スペース内の圧力は主搬送手段の搬送領域の圧力よりも高くてもよい。

本発明によれば、複数の熱処理ユニットを収納することができるとともに、熱処理ユニット相互間での熱影響を十分に抑制することができる。

以下、本発明の一実施の形態に係る熱処理ユニット収納棚（以下、ベークボックスと呼ぶ。）を備えた基板処理装置について図面を用いて説明する。また、以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１以降の各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３を含む。インターフェースブロック１３に隣接するようにステッパ部１４が配置される。

インデクサブロック９は、複数のキャリア載置台６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨを有する。反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１を有する。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２を有する。

現像処理用ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３を有する。

インターフェースブロック１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ４を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ８とステッパ部１４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の順に並設されている。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。

基板処理装置５００には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が設けられている。

また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置台ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。

また、現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２１には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられ、インターフェースブロック１３のエッジ露光部ＥＥＷには、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５は、未処理の基板Ｗを受け渡す場合に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６は、処理済みの基板Ｗを受け渡す場合に用いられる。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について簡潔に説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。

また、本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部７０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットＢＡＲＣにより塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部７０から基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１において所定の処理が施された後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部８０では、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットＲＥＳにより塗布形成される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部８０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１において所定の処理が施された後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理用ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいて所定の処理が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを取り出し、エッジ露光部ＥＥＷの下部に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗをステッパ部１４に搬入する。ステッパ部１４において、所定の処理が基板Ｗに施される。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ステッパ部１４より基板Ｗを受け取り、エッジ露光部ＥＥＷの下部に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部９０に搬入する。現像処理部９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部９０から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０に搬入する。現像用熱処理部１２０において所定の処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。

次に、図２は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

インデクサブロック９のキャリア載置台６０上に基板Ｗを収納したキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、±θ方向に回転または±Ｙ方向に進退してキャリアＣ内の基板Ｗを受け取る。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像熱処理部１２１には、基板載置部ＰＡＳＳ７、５個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

インターフェースブロック１３には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、バッファ部ＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース搬送機構ＩＦＲ（図示せず）が配置される。

図３は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用塗布処理部７０には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理部９０には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。

図４は、レジスト膜用熱処理部１１０を示す外観斜視図であり、図５は、図４のレジスト膜用熱処理部１１０の模式的断面図である。

図４および図５に示すレジスト膜用熱処理部１１０は、ベークボックス４００および６個の熱処理ユニットＰＨＰから構成されている。

ベークボックス４００は、３本の支柱Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３および複数のボックス仕切り板４１０を備える。支柱Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は垂直に設けられ、支柱Ｐ１〜Ｐ３により複数のボックス仕切り板４１０が所定の間隔で水平に支持される。それにより、複数のボックス仕切り板４１０の間に複数の収納スペースが形成される。

ベークボックス４００の＋Ｘ方向の側面（図１の第２のセンターロボットＣＲ２側の側面）には、側壁４２０が設けられる。また、ベークボックス４００の＋Ｙ方向の側面には側壁４２１が設けられており、ベークボックス４００の−Ｙ方向の側面にも、側壁（図４において図示せず）が設けられる。ベークボックス４００の−Ｘ方向の側面には、側壁は設けられず、開放状態となっている。

なお、本実施の形態においては、＋Ｘ方向および±Ｙ方向に側壁が設けられることとしたが、これに限定されず、少なくとも＋Ｘ方向に側壁が形成されていればよい。例えば、±Ｙ方向に側壁は設けられず、開放状態となっていてもよい。

図５に示すように、側壁４２０には、複数の収納スペースに対応して複数の開口部４３０が形成されている。この開口部４３０を介して熱処理ユニットＰＨＰと第２のセンターロボットＣＲ２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。

また、各開口部４３０には、シャッタＳＨが駆動機構（図示せず）により開閉自在に設けられている。このシャッタＳＨは、開口部４３０を介して基板Ｗの受け渡しが行われる際に開かれ、受け渡しが行われない場合には閉じられている。

複数の熱処理ユニットＰＨＰは、ベークボックス４００のボックス仕切り板４１０により上下に形成された複数の収納スペースにそれぞれ収納されている。また、各熱処理ユニットＰＨＰは、受け渡し部２０１，加熱部２０２およびローカル搬送機構３００を含む。ローカル搬送機構３００は、受け渡し部２０１と加熱部２０２との間で基板Ｗを搬送する。

また、ベークボックス４００の＋Ｘ側には、ダウンフローＦＬ１１〜ＦＬ１６が形成されている。また、ベークボックス４００の−Ｘ側には、ダウンフローＦＬｌ〜ＦＬ６が形成されている。

したがって、ベークボックス４００内の収納スペースは、側壁４２０およびシャッタＳＨによりダウンフローＦ１１〜Ｆ１６から遮蔽されている。そのため、ダウンフローＦ１１〜Ｆ１６がベークボックス４００の収納スペース内に流入しない。

また、ダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６の流量がダウンフローＦＬ１１〜ＦＬ１６により大きく設定されている。それにより、ベークボックス４００の各収納スペース内の圧力がセンターロボットＣＲ２側の圧力よりも高くなっている。そのため、シャッタＳＨが開放された場合でも、ダウンフローＦＬ１１〜ＦＬ１６がベークボックス４００に流入することが防止される。

これらの結果、第２のセンターロボットＣＲ２側の雰囲気がベースボックス４００内に流入することを防止することができる。

また、ダウンフローＦＬ１１〜ＦＬ１６がベークボックス４００の各収納スペース内に流入することが防止されるため、ベークボックス４００内の各熱処理ユニットＰＨＰの熱雰囲気が第２のセンターロボットＣＲ２側に漏出しない。その結果、第２のセンターロボットＣＲ２により搬送される基板Ｗに各熱処理ユニットＰＨＰからの熱影響が与えられることを防止することができる。

一方、ダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６は、ベークボックス４００の支柱Ｐ１，Ｐ２の間の空間よりベークボックス４００の各収納スペース内に流入する。ダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６は、ベースボックス４００の各収納スペースの熱処理ユニットＰＨＰによる熱を奪い、ベークボックス４００の各収納スペースから外部に流出する。

それにより、ベースボックス４００の各収納スペース内に熱雰囲気が畜熱することを防止することができる。その結果、熱処理ユニットＰＨＰ相互間での熱影響を抑制することができる。

さらに、ベークボックス４００の各収納スペース内で生じ得るパーティクルは、開放面から各収納スペースに流入するダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６により収納スペース外部に引出され、上方からのダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６と同時に排気放出される。その結果、基板Ｗへパーティクルの影響を最少限に抑えることができる。

さらに、ダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６が形成されたエリア側のベークボックス４００の側面が開放されているので、熱処理ユニットＰＨＰのローカル搬送機構３００のメンテナンス作業を行うことが容易となる。

なお、本実施の形態においては、ローカル搬送機構３００を有する熱処理ユニットＰＨＰをベークボックス４００の収納スペースに収納する場合について説明したが、これに限定されず、ローカル搬送機構３００を有さないホットプレートＨＰを熱処理ユニットＰＨＰの代わりに設けてもよい。

また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、レジスト膜用熱処理部１１１または現像用熱処理部１２０に用いるベークボックスの構成もレジスト膜用熱処理部１１０に用いるベークボックス４００の構成と同様である。

さらに、現像用熱処理部１２１に用いるベークボックスにおいては、第４のセンターロボットＣＲ４がアクセス可能なように、＋Ｘ方向および−Ｙ方向に側壁が設けられ、＋Ｙ方向には開口部を有する側壁が設けられている。また、−Ｘ方向には側壁が設けられず開放状態となっている。この現像用熱処理部１２１の基板載置部ＰＡＳＳ７に相当するベークボックスの部分には、第３のセンターロボットＣＲ３および第４のセンターロボットＣＲ４がアクセス可能なように＋Ｘ方向および＋Ｙ方向の側壁に各々開口部が設けられている。

以上のことにより、本実施の形態に係るベークボックス４００によれば、複数の熱処理ユニットＰＨＰを多段に収納することができる、また、ベークボックス４００によれば、熱処理ユニットＰＨＰを収納する収納スペースの熱雰囲気を支柱Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３間の開放面から逃がすことにより、各収納スペース内の雰囲気の蓄熱を防止することができる。それにより、複数の熱処理ユニットＰＨＰを多段に収納した場合でも、熱処理ユニットＰＨＰ相互間での熱影響を抑えることが可能である。

本発明の実施の形態においては、熱処理ユニットＰＨＰが熱処理ユニットに相当し、ベークボックス４００が熱処理ユニット収納棚に相当し、シャッタＳＨがシャッタに相当し、ボックス仕切り板４１０が仕切り部材に相当し、支柱Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が支持部材に相当し、側壁４２０が側壁に相当し、開口部４３０が開口部に相当し、第２のセンターロボットＣＲ２が主搬送手段に相当し、受け渡し部２０１が受け渡し部に相当し、加熱部２０２が加熱部に相当し、ローカル搬送機構３００がローカル搬送手段に相当し、ダウンフローＦＬ１１〜ＦＬ１６が搬送領域のダウンフローに相当し、ダウンフローＦＬ１〜ＦＬ６がローカル搬送手段のダウンフローに相当する。

本発明に係る基板処理装置のベークボックスは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを多段に収納する場合等に利用することができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 レジスト膜用熱処理部を示す外観斜視図である。 図４のレジスト膜用熱処理部の模式的断面図である。

符号の説明

２０１ 受け渡し部
２０２ 加熱部
３００ ローカル搬送機構
４００ ベークボックス
４１０ ボックス仕切り板
４２０，４２１ 側壁
４３０ 開口部
ＣＲ２ 第２のセンターロボット
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 支柱
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＳＨ シャッタ
ＨＰ ホットプレート
ＣＰ クールプレート
ＡＨＬ 密着強化剤塗布処理部
ＦＬ１，２，３，４，５，６，１１，１２，１３，１４，１５，１６ ダウンフロー

Claims (5)

1. 複数の収納スペースを有する熱処理ユニット収納棚と、
   前記熱処理ユニット収納棚の前記複数の収納スペースに収納される複数の熱処理ユニットとを備え、
   前記熱処理ユニット収納棚は、
   互いに間隔をおいて水平に配置された複数の仕切り部材と、
   前記複数の仕切り部材間に複数の収納スペースを形成するように前記複数の仕切り部材を支持する支持部材と、
   前記収納スペースの少なくとも一側面側に側壁とを備え、
   前記側壁は、前記複数の収納スペースに対応する複数の開口部を有し、
   前記収納スペースの他の少なくとも一側面側が開放状態とされ、
   前記側壁で隔てられた前記収納スペースとは反対側の領域に設けられ、前記複数の熱処理ユニットに対して基板を前記開口部を介してそれぞれ搬入出する主搬送手段をさらに備え、
   前記複数の熱処理ユニットは、
   前記主搬送手段によって搬入出された基板が載置される受け渡し部と、
   基板を加熱処理する加熱部と、
   前記開放状態の一側面を通して前記収納スペースの内部と外部との間で移動することにより前記受け渡し部と前記加熱部との間で基板を搬送するローカル搬送手段とをそれぞれ備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記複数の開口部に開閉自在にそれぞれ設けられた複数のシャッタをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記主搬送手段の搬送領域および前記ローカル搬送手段の搬送領域にそれぞれダウンフローが供給されることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記主搬送手段の搬送領域に供給されるダウンフローの流量が前記ローカル搬送手段の搬送領域に供給されるダウンフローの流量よりも大きく設定されることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記複数の収納スペース内の圧力は前記主搬送手段の搬送領域の圧力よりも高いことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。

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