JP3004828B2 - 回転処理装置、基板処理システム、位置決め方法及び基板処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回転処理装置、基板処
理システム、位置決め方法及び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造工程では、被処理基
板、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板にフォト
リソグラフィー技術を用いて所定の回路パターンを転写
し、微細加工を行っており、このような工程には例えば
半導体ウエハ上にレジスト液を塗布するレジスト塗布装
置や露光されたレジスト膜を現像する現像装置などの回
転処理装置が用いられる。例えばレジスト塗布装置は、
半導体ウエハを保持して回転可能に構成された基板保持
手段としてスピンチャックを有しており、この基板保持
手段の周囲を囲むようにして塗布用空間を形成するよう
にし、いわゆるカップ等が設けられている。また、基板
保持手段の側部には、レジスト液を供給するためのレジ
スト液供給ノズルが配置されており、これをアーム部に
よってウエハ中心の真上に移動してレジスト液を吐出さ
せつつウエハを回転させることによりレジスト液を均一
に塗布するようになっている。

【０００３】ところで、ウエハをスピンチャックに載置
して保持する場合には、ウエハ中心と回転中心が位置ズ
レしていると、レジスト液に対して付与される遠心力が
不均一となり、その結果、レジスト液の広がりに不均衡
が生じて膜厚が均一に形成されなくなったりする。ま
た、ウエハ上の液切りや、回転中の振動発生により他の
処理にも悪影響を及ぼす。そのために、従来において
は、半導体ウエハをスピンチャックに吸着保持させた状
態でウエハを手動で低速度で回転させ、これを目視しな
がらウエハの位置合わせを行い、最終的には±０．５ｍ
ｍ以内の位置ズレに納めるようにしていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハを多
数枚処理するに従って、一般的には当初位置ズレが僅か
であっても装置機構の経時変化等により次第に位置ズレ
量が大きくなり、従って、適当枚数のウエハを処理する
毎に前述のように目視による位置ズレの調整操作を行わ
なければならず、非常に煩わしく且つスループットも低
下するという改善点を有していた。更には、従来の回転
処理装置にあっては、半導体ウエハに形成されている切
り欠き、すなわちオリフラ部が様々な方向を向いた状態
でウエハが搬出されるので、後工程において再度、オリ
フラ部の位置を確認しなければならず、作業効率上好ま
しくなかった。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本
発明の目的は、被処理基板の位置合わせを自動的に行う
ことができる回転処理装置、基板処理システム、位置決
め方法及び基板処理方法を提供することにある。

【０００５】本発明は、上記問題点を解決するために、
切り欠きを有する被処理基板に所定の処理を施すべく、
外部に設けたアーム部により搬送移動された前記被処理
基板を回転可能に載置保持する回転保持手段を有する回
転処理装置において、前記被処理基板の半径方向へ移動
可能になされて前記被処理基板の切り欠き方向と被処理
基板の端部を検知する基板センサ手段と、前記基板セン
サ手段の出力に基づいて前記被処理基板の回転の偏心量
を求めて、求められた値により前記アーム部を制御して
前記被処理基板を前記回転保持手段の適正な位置に載置
させる制御部とを備えるようにしたものである。

【０００６】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、被処理
基板はアーム部により回転保持手段上に載置されて保持
される。この状態で制御部は基板センサ手段を基板周縁
部の上方に位置させて、基板を１回転させることにより
切り欠きの位置を検出する。次に、基板センサ手段の移
動方向と切り欠きが重ならないような位置に基板を回転
させておき、基板センサ手段を基板に接近させてその存
在位置を検知する。次に、基板を１８０°回転させて上
述したと同様に基板の存在位置を検知し、この結果と、
上記した結果とを併せてその方向の偏心量を求める。更
に、基板を９０°回転させた後、前記操作と同様に操作
することによりその方向の偏心量を求める。この求めら
れた偏心量に基づいてアーム部をＸ、Ｙ方向に操作して
位置ズレをなくす。

【０００７】

【実施例】以下に、本発明に係る回転処理装置、基板処
理システム、位置決め方法及び基板処理方法の一実施例
を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る回
転処理装置の一実施例を示す構成図、図２は本発明の回
転処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す
図、図３は図１に示す回転処理装置の要部を示す断面
図、図４は図３に示す回転処理装置の要部の平面図であ
る。本実施例においては回転処理装置としてレジスト塗
布装置を例にとって説明する。まず、この本発明に係る
レジスト塗布装置２が配置される基板処理システム４に
ついて説明すると、この基板処理システム４は、その一
側に被処理基板として例えば８インチの半導体ウエハＷ
を収容する複数のカセット（図示なし）を載置可能に構
成したキャリアステーション６を有している。このウエ
ハＷには切り欠きとして円弧の一部を切り欠いた直線状
のオリフラ部が形成されている。このシステムの中央部
には、ウエハを搬送するためにその長さ方向に移動可能
になされた搬送機構であるアーム部としてのメインアー
ム８が２基設けられており、この移送路の両側に各種処
理装置が配置されている。

【０００８】具体的には、この処理装置としては、キャ
リアステーション６側の側方には、半導体ウエハＷにレ
ジスト液を塗布する本発明に係るレジスト塗布装置２が
２台並設されると共にメインアーム８の搬送路を挟んで
この反対側には洗浄装置１０が２基並設されている。こ
の洗浄装置１０の一側には、ウエハＷにフォトレジスト
を塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン装
置１２やクーリング装置１４が適宜積み重ねて配置され
ている。更に、この機器の側方には、接続用ユニット１
６を介して熱的処理装置としてホットプレートオーブン
のような加熱装置１８が横方向に配置されると共に高さ
方向にも積み重ねられている。そして、メインアーム８
の搬送路を挟んでこの反対側にはウエハに塗布されたレ
ジスト膜を現像するために回転処理装置としての現像装
置１９が２台並設されている。尚、図示されてないが、
これら現像装置１９の側部には、レジスト膜に所定の微
細パターンを露光するための露光装置等が設けられる。

【０００９】このように構成された基板処理システム４
に組み込まれる本発明のレジスト塗布装置２は、半導体
ウエハＷを真空チャックにより回転可能に吸着保持する
回転保持手段、例えばスピンチャック２０と、基板の半
径方向（中心方向）へ移動可能になされた基板センサ手
段、例えば光反射型の光センサ２２と、半導体ウエハＷ
の位置ズレを検出し修正する例えばマイクロコンピュー
タ等よりなる制御部２４とにより主に構成されている。
具体的には、ウエハＷをその上に載置して吸着保持する
スピンチャック２０は駆動モータ２６により回転可能に
なされると共に図示しない昇降手段により上下動可能に
なされている。このスピンチャック２０の外周部には、
レジスト液塗布時に飛散するレジスト液やサイドリンス
時に飛散するリンス液を受け取る有底筒体状のカップ２
８が設けられている。尚、前記スピンチャック２０の形
状は、側面が中心軸方向に窪んだ曲面形状或いはナイフ
エッジ状に形成され、回転時にスピンチャック２０の周
辺部に乱気流が発生するのを防止する。こうすることに
より、吸着保持されたウエハＷの裏面のスピンチャック
２０外周部付近にパーティクルが付着するのを防止でき
る。更に、スピンチャック２０の軸部に、上昇気流を発
生するプロペラ状の回転翼等を設けてもよい。

【００１０】このカップ２８の底部は、廃液を一側に集
めるために傾斜されており、この傾斜端部には廃液を排
出するための排液配管３０が接続されると共に他端部に
はカップ２８内の雰囲気を排出するための排気配管３２
が接続されており、その雰囲気は図示しないミストトラ
ップを経て排出される。上記カップ２８の側部には、レ
ジスト液を溶解する溶媒を収容したソルベントバスを有
するノズル待機部３４が設置されており、このノズル待
機部３４には半導体ウエハＷ上にレジスト液のような処
理液を供給するための処理液供給ノズル、すなわちレジ
スト供給ノズル３６が収容されて載置されている。そし
て、このレジスト供給ノズル３６には、レジスト供給管
３８が接続されており、図示しないレジスト貯留源より
必要に応じて、ノズルに向けてレジスト液を供給するよ
うに構成されている。

【００１１】本実施例においては、ノズル待機部３４は
直列に４個設けられており、４種類のレジスト供給ノズ
ル３６を載置し得る。上記ノズル３６を把持してこれを
ウエハＷ上に移動させるためにノズルスキャンアーム４
０が設けられており、この先端部にはノズルを把持する
把持部４２が設けられると共にその基端部は、搬送レー
ル４４に係合されており、アーム駆動モータ４６により
アーム４０自体をウエハＷとノズル待機部３４との間で
往復動可能にしている。

【００１２】そして、上記ノズルスキャンアーム４０の
先端部には、図中下方向、すなわちウエハ方向に臨ませ
て前記光センサ２２が設けられており、この光センサ２
２には発光素子と受光素子が内蔵されてウエハの存否を
検出し得るようになっている。センサ手段としてはこの
光センサに代えて、静電容量センサ或いは超音波センサ
等を用いるようにしてもよい。光センサ２２は、スピン
チャック２０の回転中心の真上を通過し得るようにアー
ム４０に取り付けられている。この光センサ２２の出力
は、ケーブル等を介してマイクロコンピュータ等よりな
る制御部２４へ入力されており、制御部２４はこの入力
信号に基づいてウエハＷの切り欠き、すなわちオリフラ
部４８の位置を検出すると共に回転の偏心量を求めて、
この求めた値に基づいてウエハＷを適正な位置に載置す
るように前記スピンチャック２０とメインアーム８の駆
動を制御するように構成されている。

【００１３】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、被処理基板としての半導
体ウエハＷはカセット（図示なし）から１枚だけ取り出
されてキャリアステーション６からメインアーム８に受
け渡され、これを洗浄装置１０内に搬送する。この洗浄
装置１０内にてブラッシング洗浄され引き続いて例えば
スピン乾燥される。乾燥されたウエハＷは搬送されてア
ドヒージョン装置１２にて疎水化処理が施され、クーリ
ング装置１４にて冷却された後、本発明のレジスト塗布
装置２にてフォトレジスト液が塗布される。そして、こ
のレジスト膜が加熱装置１８にて加熱されてベーキング
処理が施された後、図示しない露光装置にて所定のパタ
ーンが露光される。そして、露光後のウエハを現像装置
１９内へ収容し、ここで現像液により現像した後にリン
ス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。そ
して、このウエハはキャリアステーション６のカセット
（図示なし）に収納された後搬出されて、次の処理工程
に向けて移送されることになる。尚、上記ウエハの流れ
は単なる一例を示したに過ぎない。ここで、上記レジス
ト塗布装置２内におけるウエハの位置合わせ及びコーテ
ィング操作について詳述すると、まず、アーム部である
メインアーム８により保持された半導体ウエハＷがレジ
スト塗布装置２内に導入されると、ウエハの下方よりス
ピンチャック２０が上昇し、これを吸着保持する。

【００１４】次に、レジスト供給ノズル３６を把持した
状態でまたは把持しない状態でノズルスキャンアーム４
０をウエハＷに向けて移動させ、この先端部に設けた光
センサ２２がウエハＷの周縁部の上方に位置するところ
でこれを停止する。この時の光センサ２２とウエハＷと
の垂直方向における位置関係は図５に示されている。こ
の状態で制御部２４はスピンチャック２０の駆動モータ
２６に対して指令を出すことによりこのスピンチャック
２０を回転させてウエハＷを１回転させ、この時の光セ
ンサ２２からの出力値を制御部２４が内蔵するＲＡＭ等
に記憶する。この時の出力波の一例は図６に示され、光
センサ２２の下方をオリフラ部４８が通過する時には光
センサ２２はウエハＷからの反射光が無いためウエハＷ
の不存在を検出して出力は０Ｖとなり、それ以外の部分
では光がウエハ周縁部にて反射することからウエハＷの
存在を検出して出力は＋Ｖとなる。この結果は、ウエハ
Ｗの回転角度と共にデータとして記憶され、そして、図
６に示す波形において、０Ｖの部分の中心位置Ｃ１がオ
リフラ部４８の中心位置として決定される。尚、必要な
場合には、ウエハＷを１回転以上させて完全な凹部状の
波形を出力させる。

【００１５】このようにオリフラ部４８の中心位置が決
定されたならば次に、位置ズレ量すなわち偏心量を測定
する。この方法は、図７に示すようにウエハＷに対して
全部で４方向からその半径方向に光センサ２２を接近さ
せてウエハＷの存否を検出するものであり、この場合、
オリフラ部４８の影響を受けないようにする。そのため
に、まず、光センサ２２の移動方向Ｍ１に対してオリフ
ラ部２２が交わらないようにするためにその移動方向Ｍ
１とオリフラ部４８の中心とがスピンチャック２０の回
転中心に対して形成する角度θが例えば約４５°になる
ようにウエハＷを回転させて停止する。

【００１６】次に、アーム駆動モータ４６を駆動してノ
ズルスキャンアーム４０を移動することにより図７に示
すように光センサ２２をウエハＷの外方の基準位置例え
ばスピンチャック２０の回転中心から所定の距離にある
位置よりサーチしながら移動方向Ｍ１に示すようにスピ
ンチャックの回転中心に向けて移動させて、ウエハの存
否を検出する。この時の光センサ２２の出力は図８
（Ａ）に示すようになり、出力が立ち上がったところが
ウエハ端部に対応することになる。

【００１７】次に、光センサ２２を一旦ウエハ上から退
避させて基準位置に戻し、更に、ウエハＷを１８０°正
確に回転させる。そして、前記したと同様に光センサ２
２をサーチさせながら移動方向Ｍ２に示すようにこれを
ウエハ中心に向けて移動させる。尚、実際には光センサ
２２の移動方向は同じであるが、説明の都合上、図７に
おいてはウエハＷを基準として光センサの移動方向を表
している。このようにして得られた光センサ２２の出力
は図８（Ｂ）に示すようになり、図８（Ａ）と同様に出
力が立ち上がったところがウエハ端部に対応することに
なる。従って、図８（Ａ）と図８（Ｂ）の立ち上がり部
の差Ｓの１／２が移動方向Ｍ１、Ｍ２例えばＸ方向にお
ける偏心量となり、この値は制御部２４にて記憶され
る。

【００１８】次に、上記移動方向Ｍ１、Ｍ２に直交する
方向に対する偏心量を求める。まず、上記したウエハ位
置からこれを更に９０°いずれかの方向に回転して停止
し、前述と同様にセンサ２２をサーチさせながら移動方
向Ｍ３に示すようにこれをウエハ中心に向けて移動さ
せ、この時の光センサ２２の出力波形を記憶する。次
に、ウエハＷを１８０°正確に回転させて、停止させ
る。そして、前述と同様に光センサ２２をサーチさせな
がら移動方向Ｍ４に示すようにこれをウエハ中心に向け
て移動させ、この時の光センサ２２の出力波形を記憶す
る。前述と同様に、移動方向Ｍ３、Ｍ４における出力波
形の立ち上がり部の差の１／２がこの移動方向Ｍ３、Ｍ
４例えばＹ方向における偏心量となる。

【００１９】このようにしてＸ、Ｙ方向におけるウエハ
の偏心量が求められたならば、制御部２４はアーム部８
を駆動してウエハＷをスピンチャック２０から持ち上
げ、この状態で上記した操作により求めたＸ、Ｙ方向の
偏心量だけそれぞれの方向に移動させ（図４参照）、位
置ズレ補正を行う。そして、その状態でウエハＷを再度
スピンチャック２０に載置してこれを吸引保持する。こ
のようにしてウエハＷの中心とスピンチャック２０の回
転中心は略完全に一致することになり、偏心量はほぼゼ
ロとなる。この時のＸ、Ｙ方向の偏心量は制御部２４側
にて記憶されており、この偏心量を加味したアーム操作
が次に処理すべきウエハに対して行われる。また、上述
した位置ズレ調整操作は、定期的或いは不定期的、例え
ばロット初めの１枚目、所定の枚数のウエハが処理され
る毎に自動的に行われることになる。

【００２０】このようにウエハの位置調整が行われて偏
心量がゼロになされたならば、通常にレジスト液のコー
ティング操作に移行する。すなわち、ノズルスキャンア
ーム４０がレジスト供給ノズル３６を把持した状態でこ
れをウエハ中心の真上に位置させ、レジスト液を吐出す
ると同時にウエハを高速回転させることによりウエハ上
に均一な膜厚のレジスト膜を形成することになる。この
際、偏心による振動の発生も防止できる。そして、ウエ
ハＷの搬出時には、先に求めたオリフラ部の位置データ
に基づいて回転停止を行いオリフラ部の位置を一定の方
向例えば、オリフラ部がメインアーム部８の先端側にく
るような方向に揃えてメインアーム側に受け渡すことに
なる。このように、本実施例によればスピンチャックに
載置されるウエハの位置ズレ調整を自動的に行うことが
できるので、従来装置のように操作員が目視によるズレ
調整を行う必要がなく、煩わしさがなくなるばかりかス
ループットも向上させることが可能となる。

【００２１】尚、上記実施例にあっては、レジスト供給
ノズル３６を把持するノズルスキャンアーム４０の先端
に光センサ２２を設けるようにしたが、これに限定され
ず、別途、光センサスキャン専用のアームを設けるよう
にしてもよい。また、上記実施例にあっては、回転処理
装置としてレジスト塗布装置を例にとって説明したが、
これに限定されず、他の装置、例えば現像装置にも適用
し得るのは勿論である。この場合には、光センサを現像
液ノズルスキャン用アームに設けるように構成する。

【００２２】尚、前記実施例では、ウエハＷの存否の検
出及び偏心量の検出は、一点で存否を検出するタイプの
光反射型光センサを使用して行う例について説明した
が、微小な光センサを多数直線状に配置したラインセン
サと称される光センサを使用してもよい。この場合に
は、例えば、ラインセンサの中央部分を検出しようとす
るウエハＷの端部付近に概略位置させて静止させる。そ
して、ウエハＷを回転させ、ラインセンサのウエハ検出
領域（或いは未検出領域）の位置により、オリフラ部、
偏心量を検出する。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のように優れた作用効果を発揮することができる。回転
処理装置において被処理基板の位置ズレ調整を自動的に
行うことができるので、操作員が手動で行った場合と比
較して煩わしさがなくなり、スループットも向上させる
ことができる。被処理基板の切り欠きの位置を認識する
ことができることから、基板を装置外へ受け渡す場合に
は切り欠きの位置を一定方向に揃えて受け渡すことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る回転処理装置の一実施例を示す構
成図である。

【図２】本発明の回転処理装置が配置された基板処理シ
ステムの構成を示す構成図である。

【図３】図１に示す回転処理装置の要部を示す断面図で
ある。

【図４】図３に示す回転処理装置の要部の平面図であ
る。

【図５】被処理基板の切り欠き位置を求めるときの動作
を説明するための動作説明図である。

【図６】図５に示す動作を行うときの基板センサ手段の
出力波形を示す図である。

【図７】被処理基板の偏差量を求めるときの動作を説明
するための動作説明図である。

【図８】図７に示す動作を行うときの基板センサ手段の
出力波形を示す図である。

【符号の説明】

２ レジスト塗布装置 ８ メインアーム（アーム部） ２０ スピンチャック（回転保持手段） ２２ 光センサ（基板センサ部） ２４ 制御部 ３４ ノズル待機部 ３６ レジスト供給ノズル（処理液供給ノズル） ４０ ノズルスキャンアーム ４８ オリフラ部（切り欠き） Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） Ｍ１〜Ｍ４ 移動方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−44310（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−184913（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−30417（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−13340（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251326（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129271（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−13037（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 切り欠きを有する被処理基板に所定の処
   理を施すべく、外部に設けたアーム部により搬送移動さ
   れた前記被処理基板を回転可能に載置保持する回転保持
   手段を有する回転処理装置において、前記被処理基板の
   半径方向へ移動可能になされて前記被処理基板の切り欠
   き方向と被処理基板の端部を検知する基板センサ手段
   と、前記基板センサ手段の出力に基づいて前記被処理基
   板の回転の偏心量を求めて、求められた値により前記ア
   ーム部を制御して前記被処理基板を前記回転保持手段の
   適正な位置に載置させる制御部とを備えたことを特徴と
   する回転処理装置。
2. 【請求項２】 前記制御部は、前記被処理基板を前記適
   正な位置に載置した後に、前記回転保持手段を制御して
   前記被処理基板を回転停止させることにより前記切り欠
   きの方向を適正な方向に向けるようにしたことを特徴と
   する請求項１記載の回転処理装置。
3. 【請求項３】 前記基板センサ手段は、前記被処理基板
   に処理液を供給する処理液供給ノズルを把持してスキャ
   ンさせるノズルスキャンアームに設けられることを特徴
   とする請求項１または２記載の回転処理装置。
4. 【請求項４】 前記回転処理装置は、被処理基板の表面
   にレジストを塗布するレジスト塗布装置であることを特
   徴とする請求項１乃至３記載の回転処理装置。
5. 【請求項５】 前記回転処理装置は、被処理基板の表面
   に塗布されているレジストを現像する現像装置であるこ
   とを特徴とする請求項１乃至３記載の回転処理装置。
6. 【請求項６】 切り欠きを有する被処理基板を回転しつ
   つこれに対して処理液を供給して所定の処理を行なう複
   数の回転処理装置と、被処理基板に対して熱的な処理を
   行なう複数の熱的処理装置と、前記回転処理装置と熱的
   処理装置との間に、前記被処理基板を搬送して各処理装
   置との間で受け渡しを行なう搬送機構とを少なくとも有
   する基板処理システムにおいて、前記搬送機構は、前記
   被処理基板の周縁部を保持して搬送移動させるアーム部
   を有しており、前記回転処理装置は、前記被処理基板の
   半径方向へ移動可能になされて前記被処理基板の切り欠
   き方向と被処理基板の端部を検知する基板センサ手段
   と、前記基板センサ手段の出力に基づいて前記被処理基
   板の回転の偏心量を求めて、求められた値により前記ア
   ーム部を制御して前記被処理基板を前記回転保持手段の
   適正な位置に載置させる制御部とを備えたことを特徴と
   する基板処理システム。
7. 【請求項７】 前記制御部は、前記被処理基板を前記適
   正な位置に載置した後に、前記回転保持手段を制御して
   前記被処理基板を回転停止させることにより前記切り欠
   きの方向を適正な方向に向けるようにしたことを特徴と
   する請求項６記載の基板処理システム。
8. 【請求項８】 前記基板センサ手段は、前記被処理基板
   に処理液を供給する処理液供給ノズルを把持してスキャ
   ンさせるノズルスキャンアームに設けられることを特徴
   とする請求項６または７記載の基板処理システム。
9. 【請求項９】 切り欠きを有する被処理基板に対して所
   定の処理を施すためにこれを保持しつつ回転させる回転
   保持手段上に保持された被処理基板の位置決めを行なう
   位置決め方法において、前記回転保持手段の中心方向へ
   移動可能になされた基板センサ手段により前記被処理基
   板の周縁部を検出するステップと、周縁部を検出した位
   置で前記基板センサ手段を停止させた状態で前記回転保
   持手段を少なくとも１回転させることによって前記被処
   理基板の切り欠き方向を特定するステップと、前記回転
   保持手段の中心と前記センサ部を含む線分上と、前記回
   転保持手段の中心を通って前記線分と直交する線分上と
   に前記切り欠きが存在しない位置において、前記基板セ
   ンサ部を前記被処理基板に対してその半径方向外方より
   接近させることによって前記被処理基板の端部を検出す
   るステップと、前記回転保持手段を１８０度回転させた
   後に前記基板センサ部を前記被処理基板に対してその半
   径方向外方より接近させることによって前記被処理基板
   の端部を検出するステップと、前記回転保持手段を９０
   度回転させた後に前記基板センサ部を前記被処理基板に
   対してその半径方向外方より接近させることによって前
   記被処理基板の端部を検出するステップと、前記回転保
   持手段を１８０度回転させた後に前記基板センサ部を前
   記被処理基板に対してその半径方向外方より接近させる
   ことによって前記被処理基板の端部を検出するステップ
   と、前記基板センサ部の各検出結果に基づいて前記被処
   理基板の偏心量を求めるステップとを有することを特徴
   とする位置決め方法。
10. 【請求項１０】 切り欠きを有する被処理基板に所定の
    処理液を供給する基板処理方法において、 前記被処理基板をアーム部により回転自在な載置台上に
    保持する第１の工程と、前記被処理基板の切り欠きを所
    定の方向に合わせる第２の工程と、 前記載置台に保持された前記被処理基板の中心位置を検
    出する第３の工程と、 前記第３の工程で検出された中心位置と前記載置台の回
    転中心位置とのずれ量を検出する第４の工程と、 前記被処理基板を前記アーム部により保持して、前記第
    ４の工程で検出されたずれ量を補正するように前記アー
    ム部を移動させると共に、前記アーム部の位置を記憶す
    る第５の工程と、 前記第５の工程で記憶した前記アーム部の位置から再度
    前記被処理基板を前記アーム部により前記載置台上に載
    置し、前記被処理基板の中心位置と前記載置台の回転中
    心位置とが略一致した状態で前記被処理基板を前記載置
    台上に保持する第６の工程と、 被処理基板に所定の処理液を供給し、所定の処理を施す
    第７の工程とを具備することを特徴とする基板処理方
    法。
11. 【請求項１１】 前記第７の工程の後に、所定の処理が
    施された前記被処理基板の切り欠きを所定の方向に合わ
    せ、前記アーム部により搬出する第８の工程を具備する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。