JP3483633B2 - 処理装置及び搬送方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体に処理を施す、処理装置及び搬送方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、フォト
リソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォ
トレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が
施される。

【０００３】このような処理を行う装置の一例として、
実開昭６２−１２０３４１号が開示されている。この技
術の、半導体ウエハを搬送する技術として、半導体ウエ
ハをベルトにより搬送したり、また、真空吸着による搬
送としては、特開昭６３−２２９２９０号等の搬送方法
が広く知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常使
用されるような粘性の低いレジスト液に代え、ポリイミ
ドのような高粘度の処理液を使用して塗布処理を行った
場合、レジスト塗布装置でサイドリンス処理を行っても
ウエハ周縁のポリイミドは除去されにくく残りやすい。
この処理液の残滓が搬送機構のウエハとの接触部に付着
すると、ウエハが搬送機構から離れなくくなり、ウエハ
の搬送が円滑に成し得なくなる。また、ウエハの周縁に
付着残存するポリイミドが剥がれてパーティクルとして
ウエハに付着してしまうなどの問題も生じる。

【０００５】また、通常使用されるような粘性の低いレ
ジスト液においても、サイドリンス処理が行えない処理
工程を要求されることもあり、この場合も塗布したまま
の状態で処理装置内部でウエハ搬送を行うと、レジスト
液により搬送機構等を汚染することになり、乾燥したレ
ジストが剥がれてパーティクルとしてウエハに付着して
しまうなどの問題も生じる。

【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、搬送機構である被処理体を保持するア
ームに、被処理体の周方向数箇所を支持するための支持
手段、例えば複数の支持片、例えば爪を設けると共に、
各爪の外側上面に、被処理体の周縁近傍の下面に、当接
してこれを支持する少なくとも一つ以上の突起状吸着部
を設けることにより、処理工程ごとに支持手段か又は保
持手段としての真空吸着手段かのいずれかを選択するこ
とができるようにし、しかもアームの動作範囲を制御変
更することにより、アームを交換することなく対応でき
るようにすることにある。

【０００７】そして、ポリイミドのような高粘度の処理
液を使用して処理を行う場合でも、またサイドリンス処
理が行えない処理工程を要求される場合においても、被
処理体のその周縁が、アームに対して非接触の状態で保
持される事が必要とされる処理の場合においては、処理
液の残滓によって被処理体がアームから離れにくくなる
ような不都合は生じず、各処理機構への被処理体の受け
渡しを円滑に行って、効率よく一連の処理ができ、また
乾燥した処理液が剥がれてパーティクルとしてウエハに
付着してしまうなどの問題も生じる事のない処理装置及
び搬送装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，被処
理体に処理を施す複数の処理機構と，これらの処理機構
に被処理体を搬送するための搬送機構とを有する処理装
置において，上記搬送機構は，被処理体の周縁部を複数
箇所で支持する支持手段と，被処理体の周縁近傍の下面
に当接して，被処理体を保持する少なくとも一つの吸着
部を有する保持手段とを備えたアームを具備し，上記支
持手段に支持された上記被処理体の中心位置は，上記保
持手段に吸着保持された上記被処理体の中心位置と異な
ることを特徴とする。

【０００９】請求項２の発明は，被処理体に処理を施す
複数の処理機構と，これらの処理機構に被処理体を搬送
するための搬送機構と，この搬送機構に設けられたアー
ムとを有する処理装置であって，上記アームは，被処理
体の周縁部を，複数の支持片で複数箇所を支持する支持
手段と，被処理体の周縁近傍の下面に当接して，これを
保持する少なくとも一つの吸着部を有する保持手段とを
備え，被処理体の状態に応じて，被処理体を支持あるい
は保持する手段のいずれかを選択して，搬送するための
制御手段を設けたことを特徴とする。

【００１０】請求項３の発明は，被処理体に処理を施す
複数の処理機構と，これらの処理機構に被処理体を搬送
するための搬送機構と，この搬送機構に設けられたアー
ムとを有する処理装置であって，上記アームは，被処理
体の周縁部を，複数の支持片で複数箇所を支持する支持
手段と，被処理体の周縁近傍の下面に当接して，これを
保持する少なくとも一つの吸着部を有する保持手段とを
備え，さらに上記搬送機構は，上記被処理体の表面に形
成された膜の厚さを測定する膜厚センサを備え，この膜
厚センサによる測定結果に応じて，上記被処理体を支持
或いは保持する手段のいずれかを選択して，搬送するた
めの制御手段を設けたことを特徴とする。 請求項８の発
明は，被処理体を搬送するための搬送機構に移動自在に
設けられ、被処理体を複数の支持片で支持する支持手段
及び少なくとも一つの吸着部を有する保持手段を設けた
アームにより搬送するに際し、被処理体の状態に応じて
上記支持手段か、上記吸着による保持手段か、いずれか
を選択して、搬送することを特徴とする。搬送方法。 請
求項９の発明は，被処理体を搬送するための搬送機構に
移動自在に設けられ，被処理体を複数の支持片で支持す
る支持手段及び少なくとも一つの吸着部を有する保持手
段を設けたアームにより搬送するに際し，上記被処理体
の表面に形成された膜の厚さを測定し，この測定結果に
応じて上記支持手段か又は上記吸着による保持手段かの
いずれかを選択して，搬送することを特徴とする。

【００１１】

【作用】本発明によれば、被処理体を搬送するアームに
被処理体の周縁部数箇所を支持するための支持手段と、
被処理体の周縁近傍の下面に当接してこれを保持する少
なくとも一つの吸着部を有する保持手段とを設けること
により、支持手段か又は保持手段かのいずれかを選択し
て、アームを交換することなく被処理体の状態に対応で
きる。

【００１２】

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。このような処理を行う場合、図４に示す
処理システムが使用されている。この処理システムは、
被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハとい
う）Ｗを搬入・搬出するローダ部４０と、このローダ部
４０から搬送されたウエハＷをブラシ洗浄するブラシ洗
浄装置４２と、ウエハＷを高圧ジェット水で洗浄するジ
ェット水洗浄装置４４と、ウエハＷの表面を疎水化処理
するアドヒージョン処理装置４６と、ウエハＷを所定温
度に冷却する冷却処理装置４８と、ウエハＷの表面にレ
ジストを塗布及びサイドリンス処理により周縁部のレジ
ストを溶解除去するレジスト塗布装置５０と、レジスト
塗布の後でウエハＷを加熱してプリベーク又はポストベ
ークを行う加熱処理装置５２及び露光されたウエハＷの
現像処理を行うための現像装置５４などを集合化して作
業効率の向上を図っている。

【００１３】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向にウエハ搬送路５６が設けられ、こ
のウエハ搬送路５６に沿って上記各処理装置４０〜５４
がウエハ搬送路５６に正面を向けて配置され、各装置４
０〜５４との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送
機構５８がウエハ搬送路５６に沿って移動自在に設けら
れている。このウエハ搬送機構５８は、真空吸着あるい
は周辺部の下面支持などによってウエハＷを保持するた
めのアーム５９を備えている。このアーム５９は上下方
向に例えば３本配設されており、移動機構によりそれぞ
れ独立に各装置４０〜５４のウエハ載置位置まで移動で
きるようになっている。

【００１４】このようなアーム５９を３本使用すること
で、各装置４０〜５４に対するウエハＷの搬入・搬出を
並行して行うことができ、処理能率の向上が図れる。そ
して、例えば、ローダ部４０の図示省略のウエハカセッ
ト内に収納されている処理前ウエハＷを１枚取り出して
搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン処理、冷却、レジ
スト塗布、プリベーク、図示省略の露光装置による露
光、現像、ポストベークを行い、処理後のウエハＷをロ
ーダ部４０の図示省略のウエハカセット内に搬送して収
納する。

【００１５】以下にこの発明の処理装置の最も特徴的な
構成要素である被処理体の搬送機構について説明する。
図１はこの発明の搬送機構のアーム部を示す斜視図、図
２は搬送機構の概略正面図が示されている。各アーム５
９は、図３に示すように、ウエハ支持枠６０が一部切欠
環状、例えば先端部切欠環状に形成されており、その支
持枠６０の内側部の被搬送ウエハを安定に支持するため
少なくとも３か所に、ウエハＷの周縁部に係合してこれ
を複数箇所載置状に支持する複数の支持片例えば爪６１
が設けられている。これら各爪６１には、図５に拡大し
て示すように、その内側部の傾斜面６１ａが設けられ、
この傾斜面６１ａに沿ってウエハＷを滑り落とし込ませ
ることで、搬送中のウエハＷのずれを防止し、また位置
決めしている。

【００１６】これら３本のアーム５９は、図示省略の移
動機構により、それぞれ独立に移動可能で、水平方向
（Ｘ，Ｙ方向）、垂直方向（Ｚ方向）及び回転方向（θ
方向）に移動させることができるようになっている。こ
のようなアームの移動機構としては、例えば、ステッピ
ングモータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の
回転機構、あるいはベルト駆動されるスライド機構を用
いる。

【００１７】これら３本のアーム５９は、図１，図３及
び図５に示すように、ウエハ支持枠６０の上面に、その
両端部に少なくとも一つ例えば２箇所に、支持枠６０の
上面より突出した突起状のウエハ吸着部６４が形成され
ている。これら吸着部６４には、周方向に沿う長穴状の
吸着口６５がそれぞれ形成されており、これらの吸着口
６５は、アーム内部に形成された空気通路６６によって
アーム基端部５９ａの吸気口６７に連通している。

【００１８】搬送機構５７は、搬送路５６上の搬送レー
ル７１に沿って移動自在に設けられた走行ブロック７２
と、走行ブロック７２に支軸７３，７４，７５を介して
それぞれ上下に位置をずらして設けられた３本のアーム
５９を備えている。

【００１９】吸気口６７は、支軸７３，７４，７５の内
部に形成された空気通路６８を介して図示省略の真空吸
引装置に接続されており、この真空吸引装置を駆動する
ことにより、２つの吸着口６５から同時に吸気が行われ
るようになっている。これらの吸着口６５が形成された
ウエハ吸着部６４，６４間の距離は、ウエハＷの直径よ
りも若干、例えば２〜１０ｍｍ程度小さく設定されてお
り、突起状のウエハ吸着部６４が、ウエハＷの周縁近傍
の下面に当接してこれを吸着保持できるようになってい
る。

【００２０】すなわち、これらのアーム５９は、その２
箇所に設けたウエハ吸着部６４によってウエハＷの周縁
近傍の下面２箇所を吸着して２点支持し、ウエハＷを保
持できるようになっている。

【００２１】次に、上記のように構成された搬送機構の
動作について説明する。まず、通常使用されるような粘
性の低いレジスト液のレジスト塗布現像処理を行う場
合、３本のアーム５９を用いて爪６１によりウエハＷの
周縁部を支持して、各装置４０〜５４に対するウエハＷ
の搬入・搬出を並行して行う。これにより、能率良く処
理を行うことができる。この場合、アーム５９の各装置
４０〜５４内に向かって前進する移動範囲としては、各
爪６１に支持されたウエハＷの中心すなわち各爪６１間
の中心位置が、各装置４０〜５４の受渡し中心位置とな
るように移動される。

【００２２】次に、ポリイミドのような高粘度の処理液
の塗布処理を行う場合、又はサイドリンス処理が行えな
いレジスト液の塗布処理を行う場合も、大部分の搬送行
程は３本のアーム５９を用いて爪６１によりウエハＷの
周縁部を支持して行うが、特に、アーム５９の爪６１に
対する処理液の残滓８１の付着が問題となる搬送工程、
例えば塗布装置５０でポリイミド液を塗布、又はレジス
ト液塗布後サイドリンス処理をされていないウエハＷを
加熱処理装置５２の支持ピン８３へ受け渡す搬送行程は
アーム５９の先端部２箇所に設けたウエハ吸着部６４に
よってウエハＷの周縁近傍の下面すなわち塗布液が付着
していない部分２箇所を吸着して２点支持し、ウエハＷ
を保持することによって保持搬送を行う。その際、搬送
機構５７は、まず走行ブロック７２を塗布装置５０の前
に移動させ、アーム５９を駆動して塗布装置５０内に挿
入する。この場合、アーム５９の塗布装置５０加熱処理
装置５２内に向かって前進する移動範囲としては、図３
の各ウエハ吸着部６４に吸着保持された状態のウエハＷ
の中心位置が、塗布装置５０、加熱処理装置５２内の受
渡し中心位置となるように移動される。このように、ア
ーム５９に設けられた被処理基板、例えばウエハＷを吸
着し保持する保持手段と前述の爪６１で支持する支持手
段とは、被処理基板、例えばウエハＷの状態、例えばウ
エハＷに形成される膜の種類・ウエハＷの周縁部まで膜
が形成されているか否か・ウエハＷに形成される膜の膜
厚・処理工程等によって選択可能に構成されている。

【００２３】塗布装置５０内では、例えば、レジスト液
が膜状にスピンコーティングされたウエハＷが昇降自在
に設けられた図示省略のウエハＷ回転用のスピンチャッ
クによってウエハＷが持ち上げられて受け渡し状態で待
機しており、アーム５９が塗布装置５０内の定位置まで
挿入された後、図示省略のスピンチャックが下降あるい
はアーム５９が上昇してアーム５９のウエハ支持枠６０
にウエハＷが受け渡される。これによってアーム５９の
２つの吸着部６４がウエハＷの周縁近傍の下面２箇所に
当接してウエハＷを吸着保持する。

【００２４】次いで、搬送機構５７は、アーム５９を塗
布装置５０内から走行ブロック７２上の定位置に移動さ
せ、中継機構５６Ａを経由してウエハＷを他方のウエハ
搬送機構５８に渡し、走行ブロック２を加熱処理装置５
２の前に移動させた後、アーム５９を加熱処理装置５２
内に挿入し、真空吸引装置の駆動を停止する。

【００２５】加熱処理装置５２内では、アーム５９が受
け渡しのための定位置に挿入されると、図６に示す３本
の支持ピン８３が上昇し、アーム５９から支持ピン８３
へウエハＷが受け渡される。

【００２６】この場合、ウエハＷの周縁部Ｗａにポリイ
ミド液、又はレジスト液の残滓８１が付着していたとし
ても、ウエハＷの周縁部Ｗａがアーム５９に対して非接
触の状態になっているので、ウエハＷがアーム５９に付
いて離れにくくなるようなことはなく、ウエハＷの受け
渡しを円滑に行うことができる。したがって、受け渡し
の際にウエハＷがずれたり落下したりする虞れはない。

【００２７】このような構成において、吸着部６４の使
用と爪６１の使用の切り換え用の制御手段としては、ウ
エハＷの表面、又はウエハＷの周縁部Ｗａに形成されて
いる膜の厚さを測定する光干渉型等の膜厚センサと、そ
の測定結果に基づいて膜種を判定するマイコン等の制御
装置を搬送機構５７に設けることにより自動化すること
ができる。

【００２８】例えば測定の結果、ウエハＷの表面の膜厚
が１０μｍ程度と厚い場合には、ポリイミドと判定し、
ウエハ支持手段としてウエハ吸着部６４を自動的に選択
して使用する。また、膜厚が１〜２μｍの場合には通常
のフォトレジストと判定し、ウエハ支持手段として爪６
１を自動的に選択して使用する。そしてまた、ウエハＷ
の周縁部Ｗａの膜厚が０．２〜１μｍ程度と厚い場合に
は、サイドリンス処理を行うことができない又は不十分
な工程と判断し、ウエハ吸着部６４を自動的に選択して
使用する。また、膜厚が０．２μｍ以下の場合にはサイ
ドリンス処理を行う通常の処理工程と判断し、爪６１を
自動的に選択して使用する。この膜種判定は、使用する
搬送部材の使い分けを自動的に行う場合に非常に有効で
ある。なお、上記支持手段の選択と同時にアーム５９の
動作の範囲をも自動的に制御してもよい。

【００２９】次に、前述の図１のアーム部の他の実施例
の概略斜視図を図７に示す。図７に示すアーム部の構成
は、下２段のアーム５９は、前述の説明のようにウエハ
Ｗを真空吸着による保持を行なうための基板吸着部６４
とウエハＷを支持する手段としての爪６１とをそれぞれ
設けており、最上段のアーム５９は、ウエハＷを支持す
る手段としての爪６１のみ具備している。このようなア
ーム部の構成では、複数のアーム５９を具備しているた
め、ウエハＷを同時に搬送可能とすることやウエハＷの
搬送に係るスループットの向上は言うまでもないが最上
段のアーム５９のみウエハＷを支持する手段としての爪
６１だけを具備しているのは、例えばこのアーム５９で
図４のローダ部４０からウエハＷを受取ってレジスト塗
布装置５０にてウエハＷに塗布膜としてのレジスト膜が
形成されるまでの搬送に用い、下２段のアーム５９でレ
ジスト膜が形成された後のウエハＷを搬送するよう構成
している。つまり、ウエハＷの状態による搬送の形態を
変化する必要のない搬送までは最上段のアーム５９を使
用し、ウエハＷの状態による搬送の形態を変化する必要
を有する搬送は、下２段のアーム５９を使用するもので
ある。これにより、全てのアーム５９に対して真空吸着
による保持を行なうための基板吸着部６４とウエハＷを
支持する手段としての爪６１とをそれぞれ設ける必要が
ないためアーム部のコストを低減することができる。ま
た、用途に応じてそれぞれのアーム５９の組合せを行な
うことができ、汎用性の向上を図ることができる。

【００３０】また、このようなアーム部は、他に、ウエ
ハＷを支持する手段としての爪６１のみを具備するアー
ム５９を最上段に限定することなく最下部であるとか中
間部に配置しても良く、さらにウエハＷを支持する手段
としての爪６１のみを具備するアーム５９ではなくウエ
ハＷを真空吸着して保持する保持手段のみを具備するア
ームとの組合せでアーム部を構成してもよい。

【００３１】次に、図３のアームの他の実施例を図８〜
１０にて説明する。前述の図３のアーム５９には、ウエ
ハ支持枠６０の上面には、その両端部に少なくとも一つ
例えば２箇所に、支持枠６０の上面より突出した突起状
の基板吸着部６４が形成されていたが、図８のアーム５
９の基板吸着部６４は、アーム５９の根元部に一カ所周
方向に沿う長穴状の吸着口６５を設けており、この吸着
口６５は、アーム５９内部に形成された空気通路６６に
よってアーム基端部５９ａの吸着口６７に連通して構成
されている。さらに、吸着口６５は、図９に示すように
支持枠６０の上面よりＹ１の高さ分突出して構成されて
いる。このＹ１の距離としては好ましくは、０．１ｍｍ
〜０．５ｍｍ程度の範囲の所定の高さに維持されてい
る。また、図８及び図１０に示すようにアーム５９の中
間部近傍には、吸着口６５により保持されたウエハＷを
支持するとともに、ウエハＷをアーム５９の支持枠６０
と接触させないための凸部１００が例えばアーム５９の
両端部に少なくとも一つ例えば２箇所に設けられてお
り、その凸部１００は、図１０に示すように前述の吸着
口６５の突出高Ｙ１と同様の高さのＹ２の突出高を有し
て構成されている。この場合、凸部１００は、発塵の少
ない部材で形成するのが好ましい。このように構成した
ことにより、真空吸着による保持手段でウエハＷを搬送
するので、図４に示すような各装置４０〜５４との受渡
し位置の自由度を増すことができる。

【００３２】次に、被処理体の状態の一例を図１１及び
図１２に示すとともに、被処理体の状態の検出の一例を
図１３にて説明する。図１１及び図１２は、前述のアー
ム５９に設けられた被処理体、例えばウエハＷを吸着し
保持する保持手段と前述の爪６１で支持する支持手段と
を選定する際の、被処理基板、例えばウエハＷの状態の
一例である。図１１は、図４に示すレジスト塗布装置５
０でウエハＷの表面の全面に渡って塗布膜としてのレジ
スト膜１０１を形成した際の状態を示し、図１２は、塗
布膜としてのレジスト膜１０１を形成した後、図示しな
い洗浄ノズル等から洗浄液或いはリンス液をウエハＷ方
向に供給し、ウエハＷの周縁部に付着するレジスト膜１
０１ａを除去したものである。

【００３３】このような、ウエハＷの周縁部に付着する
塗布膜の除去は、必ずしも全てのウエハＷに対して行な
われるとは限らない。例えばレジスト液に対して粘度の
高いポリミド樹脂を塗布した場合、ウエハＷの周縁部に
付着するポリミド樹脂に洗浄液或いはリンス液をウエハ
Ｗに供給しても完全に除去することが不可能なため、ポ
リミド樹脂の塗布の際は、ウエハＷの周縁部洗浄を行な
わない場合がある。

【００３４】また、ウエハＷの周縁部に塗布膜が残存し
ているか否かの判断が予め定められていない場合又は確
認が必要な場合として、例えば図１３に示すように光セ
ンサー１０２の発光部１０３から所定の波長で光を発光
させる。そして、この光センサー１０２をウエハＷの径
方向に移動しつつウエハＷ又はレジスト膜からの反射光
を光センサー１０２の受光部１０４で検出して、ウエハ
Ｗの周縁部から所定の幅Ｘ、例えば５ｍｍ以下に残存す
るレジスト膜１０１が存在するか否かの判断を行なう。
この判断の結果に基づき、残存するレジスト膜１０１が
存在する場合、図１又は図８に示すアーム５９の基板吸
着部６４でウエハＷを保持する。また、残存するレジス
ト膜１０１が存在しない場合は、爪６１で支持する。ま
た、予めウエハＷを保持或いは支持する手段が基板吸着
部６４又は爪６１のどちらか予め定められている場合で
あって、ウエハＷの周縁部にレジスト膜１０１が存在す
るか否かの検出を行なう必要がない場合は、予めアーム
５９を駆動する制御機構に基板吸着部６４を使用するか
又は爪６１を使用するかの登録を行なう必要がある。

【００３５】以上の実施例では被処理体が半導体ウエハ
の場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体
ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板、セ
ラミックス基板、コンパクトディスク、プリント基板、
塗料を塗布する基板、光フィルター基板等について同様
に処理液を被覆するものについても適用できるものであ
る。

【００３６】また、上記実施例では処理装置をレジスト
塗布現像装置に適用した場合について説明したが、これ
以外にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処
理を行う装置、塗料の塗装装置等にも適用できることは
勿論である。更に、支持手段の選択および動作範囲の制
御は、例えば処理ロットとして予め判っている場合に
は、膜厚測定を行わずに、処理プロセス中の一動作とし
て設定しておくように構成してもよい。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、被処理体を搬送するア
ームに被処理体の周縁部数箇所を支持するための支持手
段と、被処理体の周縁近傍の下面に当接してこれを支持
する少なくとも一つの吸着部を有する保持手段とを設け
ることにより、処理工程ごとに支持手段か又は保持手段
かのいずれかを選択することができる。しかも、アーム
の動作範囲を制御変更することにより、アームを交換す
ることなく各種の被処理体に対応できる。

【００３８】そして、被処理体のその周縁部がアームに
対して非接触の状態で搬送される事が必要とされる処理
の場合においては、保持手段を用いて被処理体を搬送
し、また被処理体のその周縁部を、アームに対して接触
して搬送しても構わない場合においては、支持手段を用
いて確実に、センタリング精度を高く、被処理体を搬送
することができ、被処理体とアームの接触等によるパー
ティクルの発生を抑制することができるので、被処理体
の歩留りを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の搬送機構のアーム部を示す斜視図で
ある。

【図２】この発明の搬送機構の概略正面図である。

【図３】図１、図２の要部を示すアームの平面図であ
る。

【図４】レジスト塗布現像処理装置を示す斜視図であ
る。

【図５】図３のアーム先端ウエハ吸着部及び爪を示す断
面図である。

【図６】図４の処理装置における被処理体の受け渡し動
作を説明するための図である。

【図７】図１のアームの他の実施例を示す斜視図であ
る。

【図８】図３のアームの他の実施例を示す平面図であ
る。

【図９】図８のアームの要部を示す断面図である。

【図１０】図８のアームの要部を示す断面図である。

【図１１】本発明の一実施例に係る被処理体の状態を説
明する断面図である。

【図１２】本発明の一実施例に係る被処理体の状態を説
明する断面図である。

【図１３】本発明の一実施例に係る被処理体の状態の検
出を説明する断面図である。

【符号の説明】

Ｗ ウエハ ４０ ローダ部 ４２ ブラシ洗浄装置 ４４ ジェット水洗浄装置 ４６ アドヒージョン処理装置 ４８ 冷却装置 ５０ レジスト塗布装置 ５２ 加熱処理装置 ５４ 現像装置 ５８ 搬送機構 ５９ アーム ６０ ウエハ支持枠 ６１ 爪 ６４ ウエハ吸着部 ６５ 吸着口

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−97541（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−101321（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−38729（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/06 - 49/07 H01L 21/027 H01L 21/64 - 21/66 B25J 15/06

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に処理を施す複数の処理機構
   と，これらの処理機構に被処理体を搬送するための搬送
   機構とを有する処理装置において， 上記搬送機構は，被処理体の周縁部を複数箇所で支持す
   る支持手段と，被処理体の周縁近傍の下面に当接して，
   被処理体を保持する少なくとも一つの吸着部を有する保
   持手段とを備えたアームを具備し， 上記支持手段に支持された上記被処理体の中心位置は，
   上記保持手段に吸着保持された上記被処理体の中心位置
   と異なることを特徴とする，処理装置。
2. 【請求項２】 被処理体に処理を施す複数の処理機構
   と，これらの処理機構に被処理体を搬送するための搬送
   機構と，この搬送機構に設けられたアームとを有する処
   理装置であって， 上記アームは，被処理体の周縁部を，複数の支持片で複
   数箇所を支持する支持手段と，被処理体の周縁近傍の下
   面に当接して，これを保持する少なくとも一つの吸着部
   を有する保持手段とを備え，被処理体の状態に応じて，
   被処理体を支持あるいは保持する手段のいずれかを選択
   して，搬送するための制御手段を設けたことを特徴とす
   る処理装置。
3. 【請求項３】 被処理体に処理を施す複数の処理機構
   と，これらの処理機構に被処理体を搬送するための搬送
   機構と，この搬送機構に設けられたアームとを有する処
   理装置であって， 上記アームは，被処理体の周縁部を，複数の支持片で複
   数箇所を支持する支持手段と，被処理体の周縁近傍の下
   面に当接して，これを保持する少なくとも一つの吸着部
   を有する保持手段とを備え， さらに上記搬送機構は，上記被処理体の表面に形成され
   た膜の厚さを測定する膜厚センサを備え， この膜厚センサによる測定結果に応じて，上記被処理体
   を支持或いは保持する手段のいずれかを選択して，搬送
   するための制御手段を設けたことを特徴とする処理装
   置。
4. 【請求項４】 被処理体の状態に応じて，被処理体を支
   持或いは保持する手段のいずれかを選択して，アームの
   動作範囲を自動的に制御するための制御手段を設けたこ
   とを特徴とする，請求項２に記載の処理装置。
5. 【請求項５】 上記膜厚センサによる測定結果に応じ
   て，被処理体を支持或いは保持する手段のいずれかを選
   択して，アームの動作範囲を自動的に制御するための制
   御手段を設けたことを特徴とする，請求項３に記載の処
   理装置。
6. 【請求項６】 上記アームは支持枠を有し，上記吸着部
   は，当該支持枠の上面より突出した突起状に形成されて
   いることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５に
   記載の処理装置。
7. 【請求項７】 上記アームは支持枠を有し，上記吸着部
   には，当該支持枠の周方向に沿う長穴状の吸着口が形成
   されていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，
   ５又は６記載の処理装置。
8. 【請求項８】 被処理体を搬送するための搬送機構に移
   動自在に設けられ、被処理体を複数の支持片で支持する
   支持手段及び少なくとも一つの吸着部を有する保持手段
   を設けたアームにより搬送するに際し、被処理体の状態
   に応じて上記支持手段か、上記吸着による保持手段か、
   いずれかを選択して、搬送することを特徴とする搬送方
   法。
9. 【請求項９】 被処理体を搬送するための搬送機構に移
   動自在に設けられ，被処理体を複数の支持片で支持する
   支持手段及び少なくとも一つの吸着部を有する保持手段
   を設けたアームにより搬送するに際し， 上記被処理体の表面に形成された膜の厚さを測定し，こ
   の測定結果に応じて上記支持手段か又は上記吸着による
   保持手段かのいずれかを選択して，搬送することを特徴
   とする搬送方法。
10. 【請求項１０】 被処理体の状態に応じて，上記支持手
    段か上記保持手段かのいずれかを選択して，アームの動
    作範囲を自動的に制御し，搬送するようにしたことを特
    徴とする，請求項８に記載の搬送方法。
11. 【請求項１１】 上記測定結果に応じて，上記支持手段
    か上記保持手段かのいずれかを選択して，アームの動作
    範囲を自動的に制御し，搬送するようにしたことを特徴
    とする，請求項９に記載の搬送方法。