CN113725136A - 晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器。其中，该方法包括：获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息；据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，以使晶圆和承载组件对准。本发明解决了相关技术中晶圆位置发生偏移，导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。

Description

晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器。
背景技术
在晶圆的Cu互连工艺中，利用静电吸附将晶圆拉平固定在E-chuck(静电吸附卡盘)表面，为满足朝小尺寸的填空需求，在籽晶层沉积过程中引入高温回流工艺，高温回流工艺中需要多次对晶圆进行吸附以及释放吸附，由于当释放吸附时，E-chuck的静电并未完全消除，引起对晶圆的不完全释放，晶圆的不完全释放和晶圆自身的翘曲差异，会导致晶圆与E-chuck之间发生位置偏移，偏移会影响晶圆上Cu沉积的台阶覆盖率和均匀性，偏移严重时可能导致晶圆破片，进而导致Cu互连工艺稳定性差。
针对上述相关技术中晶圆位置发生偏移，导致Cu互连工艺稳定性差的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器，以至少解决相关技术中晶圆位置发生偏移，导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。
根据本发明实施例的一个方面，提供了一种晶圆的对准方法，包括：获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息；据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，以使晶圆和承载组件对准。
进一步地，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：获取晶圆的第一标识位置和承载组件的第二标识位置；根据第一标识位置与第二标识位置之间的偏移方向和偏移距离，得到位置偏移信息。
进一步地，支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，支撑组件位于晶圆和承载组件之间且与承载组件连接，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：获取第一支撑部距晶圆的指定位置的第一距离，以及第二支撑部距指定位置的第二距离；根据第一距离和第二距离，确定位置偏移信息。
进一步地，指定位置包括晶圆上与第一支撑部对应的第一边缘位置和与第二支撑部对应的第二边缘位置，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：获取第一支撑部距第一边缘位置的第一距离，以及第二支撑部距第二边缘位置的第二距离；根据第一距离和第二距离，确定晶圆与承载组件的偏移方向和偏移距离；确定偏移方向和偏移距离为位置偏移信息。
进一步地，根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，包括：根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动方向和运动距离；确定支撑组件的运动方向和运动距离为运动控制参数。
进一步地，支撑组件包括多个支撑部，根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动方向和运动距离，包括：根据位置偏移信息，从多个支撑部中确定目标支撑部，以及目标支撑部的运动方向和运动距离，其中，目标支撑部用于根据运动控制参数运动移动。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种晶圆的对准系统，包括：承载组件，用于承载晶圆；支撑组件，用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；控制组件，与支撑组件通信连接，控制组件用于执行上述任一种的对准方法。
进一步地，对准系统还包括：光电检测装置，用于检测位置偏移信息。
进一步地，支撑组件位于晶圆和承载组件之间且与承载组件连接，支撑组件具有第一状态和第二状态，在第一状态时，支撑组件收容在承载组件中，在第二状态时，支撑组件突出于承载组件且用于支撑晶圆，支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，光电检测装置，还用于检测第一支撑部距晶圆的指定位置的第一距离，以及第二支撑部距指定位置的第二距离，第一距离和第二距离用于确定位置偏移信息。
进一步地，承载组件中设置有与支撑组件匹配的运动空间。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，计算机程序被设置为运行时执行上述任意一种的方法。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种处理器，处理器用于运行程序，其中，程序运行时执行上述任意一种的方法。
在本发明实施例中，通过获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，实现了在晶圆和卡盘发生偏移的情况，对晶圆位置进行移动微调，以将晶圆和卡盘的中心位置对准，改善了晶圆上Cu沉积的台阶覆盖率和均匀性，提高了回流工艺的稳定性，进而解决了相关技术中晶圆位置发生偏移，导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1a是根据现有技术的晶圆的铜互连工艺的示意图；
图1b是根据现有技术的晶圆的铜互连工艺的示意图；
图1c是根据现有技术的晶圆与静电吸附卡盘之间发生位置偏移的示意图；
图2是根据本发明实施例的一种晶圆的对准方法的流程图；
图3是根据本发明实施例的一种可选的晶圆的对准系统的示意图；
图4是根据本发明实施例的一种可选的晶圆的对准系统的示意图；
图5是根据本发明实施例的一种可选的晶圆的对准系统的示意图；
图6是根据本发明实施例的一种晶圆的对准装置的示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
相关技术中，在晶圆的Cu互连工艺中，利用静电吸附将晶圆拉平固定在E-chuck(静电吸附卡盘)表面，图1a是根据现有技术的晶圆的铜互连工艺的示意图，如图1a所示，晶圆11被拉平固定在静电吸附卡盘12上，静电吸附卡盘12上设置有气孔13，用于输出气体为晶圆11降温。为满足朝小尺寸的填空需求，在籽晶层沉积过程中引入高温回流(reflow)工艺，高温回流工艺中需要多次对晶圆进行吸附(即chuck)以及释放吸附(即De-chuck)，图1b是根据现有技术的晶圆的铜互连工艺的示意图，如图1b所示，静电吸附卡盘12设置有可伸缩的针脚14，当晶圆11吸附于静电吸附卡盘12上时，针脚14缩回静电吸附卡盘12内部，当晶圆11被释放吸附时，针脚14弹出将晶圆11从静电吸附卡盘12上分离，由于当释放吸附时，E-chuck的静电并未完全消除，引起对晶圆的不完全释放，晶圆的不完全释放和晶圆自身的翘曲差异，会导致晶圆与E-chuck之间发生位置偏移，图1c是根据现有技术的晶圆与E-chuck之间发生位置偏移的示意图，如图1c所示，晶圆11被弹起后，晶圆11的位置与静电吸附卡盘12发生偏移，会影响晶圆上Cu沉积的台阶覆盖率和均匀性，在多次吸附和释放吸附的过程中，偏移量叠加，偏移严重时可能导致晶圆破片，进而导致Cu互连工艺稳定性差。
针对上述问题，本发明实施例提供了一种晶圆的对准方法的实施例，图2是根据本发明实施例的晶圆的对准方法的流程图，如图2所示，该方法包括如下步骤：
步骤S201，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息。
上述承载组件可以为承载晶圆的卡盘，上述位置偏移信息用于表示晶圆与卡盘之间的位置偏移，上述位置偏移信息可以包括晶圆相对于卡盘的偏移方向、偏移距离、偏移角度等。
在一种可选的实施例中，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：获取晶圆的第一标识位置和承载组件的第二标识位置；根据第一标识位置与第二标识位置之间的偏移方向和偏移距离，得到位置偏移信息。
上述第一标识位置和第二标识位置可以分别为晶圆和卡盘上相对应的位置，作为参考位置来判断晶圆和卡盘是否发生偏移，以及具体的位置偏移信息。在晶圆和卡盘未发生偏移的情况下，第一标识位置和第二标识位置可以重合，或者具有预设的距离，当晶圆和卡盘发生偏移时，原本重合的第一标识位置和第二标识位置因发生偏移而不再重合，或者预设的距离值发生变化，通过检测第一标识位置和第二标识位置，可以得到晶圆与卡盘之间的位置偏移信息。
例如，上述第一标识位置可以为晶圆的中心位置，第二标识位置可以为卡盘的中心位置，在晶圆和卡盘未发生偏移的情况下，晶圆的中心位置和卡盘的中心位置重合，晶圆和卡盘发生偏移后，晶圆的中心位置和卡盘的中心位置发生偏移，通过检测晶圆的中心位置相对于卡盘的中心位置的偏移方向，以及偏移距离，确定出位置偏移信息。
又例如，上述第一标识位置可以为晶圆的圆盘的任意边界点，上述第二标识位置可以为卡盘的圆盘的任意边界点，在晶圆和卡盘未发生偏移的情况下，晶圆的尺寸小于卡盘，晶圆的边界点与卡盘上对应的边界点的距离值是固定的，晶圆和卡盘发生偏移后，上述距离值将发生变化，通过测量上述距离值，可以得到晶圆与卡盘之间的位置偏移信息。
步骤S202，据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离。
上述支撑组件为在承载组件释放对晶圆的吸附时用于支撑晶圆的组件，例如，支撑组件可以为在卡盘中可伸缩的针脚，晶圆吸附于卡盘上时，针脚缩回卡盘内部，卡盘释放对晶圆的吸附时，针脚可伸出将晶圆顶起，以使晶圆与卡盘分离。
上述预设条件可以根据晶圆处理的工艺确定，比如，预设条件可以根据回流工艺中吸附和释放吸附的工艺要求确定，以使得预设条件与释放吸附的工艺要求一致，在预设条件下，卡盘释放对晶圆的吸附。
运动控制参数用于控制支撑组件运动，以调整晶圆与承载组件之间的相对位置，运动控制参数可以包括支撑组件的运动方法、运动距离、运动角度、运动速度等。具体的，根据检测到的位置偏移信息，可以确定出晶圆与承载组件的位置偏移的方向和距离，进而可以确定出支撑组件的运动控制参数，比如，位置偏移信息中包括晶圆相对于卡盘向左偏移了距离M，则可以确定运动控制参数为向右运动距离M，以补偿晶圆与卡盘之间的偏移量。
步骤S203，基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，以使晶圆和承载组件对准。
在确定了运动控制参数后，可以控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，而承载组件不动，实现对晶圆和承载组件之间相对位置的调整。具体的，支撑组件可以与控制组件通信连接，控制组件可以控制支撑组件沿预设的方向进行移动。
例如，控制组件可以为与支撑组件连接的移动平台，移动平台可以在电机的驱动下沿水平方向移动，进而带动晶圆移动。
在一种可选的实施例中，图3是根据本发明实施例的一种可选的晶圆的对准系统的示意图，如图3所示，承载组件为卡盘12，支撑组件为针脚14，针脚14可以在卡盘释放吸附晶圆11时，从卡盘12伸出以使晶圆11从卡盘12上分离，静电吸附卡盘12上设置有气孔13，用于输出气体为晶圆11降温。卡盘12中设置有与针脚14匹配的运动空间30，针脚14设置于移动平台上，移动平台可以受电机驱动，沿卡盘的平行方向(比如图3中的X方向)或者垂直方向(即图3中的Z方向)运动，需要说明的是，卡盘的平行方向包括与Z方向垂直的多个方向，由于图3为晶圆的对准系统的侧视图，仅示出了X方向。当卡盘12释放对晶圆11的吸附时，移动平台控制针脚14沿Z方向运动，使针脚14从卡盘12中伸出，移动平台还可以根据晶圆中心位置与卡盘中心位置的偏移量，控制针脚14沿与Z方向垂直的X方向运动，针脚14可以在运动空间30内移动，以带动晶圆沿X方向移动，进而调整了晶圆11与卡盘12之间的相对位置，实现晶圆11和卡盘12的中心位置的对准。
本实施例中，通过获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，实现了在晶圆和卡盘发生偏移的情况，对晶圆位置进行移动微调，以将晶圆和卡盘的中心位置对准，改善了晶圆上Cu沉积的台阶覆盖率和均匀性，提高了回流工艺的稳定性，进而解决了相关技术中晶圆位置发生偏移，导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。
作为一种可选的实施例，支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，支撑组件位于晶圆和承载组件之间且与承载组件连接，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：获取第一支撑部距晶圆的指定位置的第一距离，以及第二支撑部距指定位置的第二距离；根据第一距离和第二距离，确定位置偏移信息。
晶圆的指定位置可以为晶圆上的任意位置，比如，晶圆的中心位置，或者晶圆的边界位置。在发生上述位置偏移前，上述第一距离与第二距离的值为固定值，并且在晶圆的工艺过程中应保持恒定，在晶圆与卡盘发生了位置偏移的情况下，上述第一距离和第二距离的数值均发生变化，根据第一距离和第二距离的变化量，确定出位置偏移信息。具体的，上述晶圆的指定位置可以为同一个位置，也可以为不同的位置。
在发生位置偏移前，第一距离和第二距离可以相等，也可以不等。上述第一距离和第二距离用于区分不同的支撑部与指定位置的距离，在支撑组件包含大于2个支撑部的情况下，存在与多个支撑部对应数量的距离，用于确定具体的位置偏移信息。
例如，晶圆的指定位置可以为晶圆的中心位置，支撑组件包括2个针脚作为支撑部，2个针脚与上述中心位置的距离分别为第一距离和第二距离，在晶圆位置发生偏移后，第一距离和第二距离与未偏移的距离值发生变化(比如，第一距离增大，第二距离减小)，根据第一距离和第二距离的变化情况，确定出位置偏移信息。
在一种可选的实施例中，上述指定位置包括晶圆上与第一支撑部对应的第一边缘位置和与第二支撑部对应的第二边缘位置，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：获取第一支撑部距第一边缘位置的第一距离，以及第二支撑部距第二边缘位置的第二距离；根据第一距离和第二距离，确定晶圆与承载组件的偏移方向和偏移距离；确定偏移方向和偏移距离为位置偏移信息。
第一边缘位置和第二边缘位置为晶圆上的不同的位置，例如，图4是根据本发明实施例的一种可选的晶圆的对准系统的示意图，如图4所示，支撑组件包括第一支撑部141和第二支撑部142，第一边缘位置可以为距第一支撑部141最近的边缘位置，第二边缘位置可以为距第二支撑部142最近的边缘位置，晶圆未发生偏移时，第一距离d1和第二距离d2的值是固定的，比如，第一距离d1和第二距离d2相等，当晶圆发生偏移时，第一距离d1和第二距离d2不再相等，比如，晶圆11向右偏移时，第二距离d2的值大于第一距离d1,通过计算得到第一距离d1和第二距离d2的差值，确定出偏移距离。
在一种可选的实施例中，上述第一距离和第二距离可以通过设置于承载组件下方的光电检测器检测得到，光电检测器可以为激光定位器，例如，如图4所示，分别在卡盘12的下方设置两个激光定位器，分别为第一激光定位器41和第二激光定位器42，第一激光定位器41用于检测第一距离d1，第二激光定位器42用于检测第二距离d2。
在一种可选的实施例中，图5是根据本发明实施例的一种可选的晶圆的对准系统的示意图，如图5所示为晶圆的俯视图，承载组件为卡盘12，支撑组件包括第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53，第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53分别为均匀设置于卡盘12上的针脚，第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53在图5中可构成等边三角形的三个顶点，即第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53两两之间的距离相等，第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53与各自对应的晶圆边缘(与每个支撑部距离最近的边缘)的距离分别为距离A，距离B和距离C，在晶圆未发生偏移的情况下，距离A，距离B和距离C均相等。在卡盘12下方设置于三个支撑部一一对应的激光定位器，检测距离A，距离B和距离C，当距离A，距离B和距离C中任意两个或者三个的值不再相等时，可以确定晶圆与卡盘的位置发生了偏移。通过检测晶圆位置是否发生偏移，可以作为Cu互连工艺的评价参考指标，比如，是否需要进行二次Cu沉积等，进而可以改善Cu互连工艺的工艺质量。
作为一种可选的实施例，根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，包括：根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动方向和运动距离；确定支撑组件的运动方向和运动距离为运动控制参数。
运动控制参数可以包括支撑组件的运动方向和运动距离，根据位置偏移信息中晶圆的偏移方向和偏移距离，确定出可以补偿位置偏移的运动方向和运动距离。
例如，如图4所示，晶圆11向右偏移时，第二距离d2的值大于第一距离d1,通过计算得到第一距离d1和第二距离d2的差值，确定d2-d1的值为偏移距离，偏移方向为右方，可以确定出支撑组件的第一支撑部141和第二支撑部142的运动方向为向左，运动距离为d2-d1，通过向左运动d2-d1的距离，带动晶圆11向左运动，实现对偏移量的补偿，进而可以实现晶圆的中心位置与卡盘的中心位置的对准。
又例如，如图5所示，承载组件为卡盘12，支撑组件包括第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53，晶圆对应的水平面为XY平面，晶圆可能朝XY平面内的任意方向偏移(即卡盘12的中心位置的360度所指向的方向范围)，通过检测第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53与对应的边缘位置的距离A，距离B和距离C，根据预设算法对距离A，距离B和距离C进行计算，可以得到晶圆的中心位置相对于卡盘中心位置的偏移方向和偏移距离，基于预设的补偿运动算法和位置偏移信息，可以确定出第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53的运动方向和运动距离，以实现晶圆的中心位置与卡盘的中心位置的对准。
在一种可选的实施例中，支撑组件包括多个支撑部，根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动方向和运动距离，包括：根据位置偏移信息，从多个支撑部中确定目标支撑部，以及目标支撑部的运动方向和运动距离，其中，目标支撑部用于根据运动控制参数运动移动。
目标支撑部为根据运动控制参数需要移动的支撑部，当晶圆发生位置偏移时，根据具体的位置偏移信息，从多个支撑部中确定出一个或者多个目标支撑部进行移动调整，实现晶圆与卡盘的位置对准。
例如，如图5所示，支撑组件包括第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53，根据预设算法对距离A，距离B和距离C进行计算得到位置偏移信息后，对应不同的位置偏移信息，可以确定出不同的运动策略，比如，仅移动第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53中的任意一个，也可以仅移动第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53中的任意两个，也可以同时移动三个支撑部。
需要说明的是，目标支撑部包括多个时，不同的目标支撑部的运动方向和运动距离可以不同。例如，图5为图3的对准系统的俯视图，图3展示了XZ平面，图5展示了XY平面，Z方向与XY平面垂直，如图5所示，第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53的运动方向可以不同，比如，第一支撑部51可以沿图3所示的Z轴方向运动，以调节三个支撑部处于同一水平面内，进而改善对晶圆的支撑效果，第二支撑部52和第三支撑部53可以在XY平面内的指定方向移动，以补偿晶圆与卡盘中心位置的偏移。
本申请的另一种典型的实施方式中，还提供了一种晶圆的对准系统，包括：承载组件，用于承载晶圆；支撑组件，用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；控制组件，与支撑组件通信连接，控制组件用于执行上述任一项的对准方法。
上述承载组件可以为承载晶圆的卡盘，上述位置偏移信息用于表示晶圆与卡盘之间的位置偏移，上述位置偏移信息可以包括晶圆相对于卡盘的偏移方向、偏移距离、偏移角度等。
上述支撑组件为在承载组件释放对晶圆的吸附时用于支撑晶圆的组件，例如，支撑组件可以为在卡盘中可伸缩的针脚，晶圆吸附于卡盘上时，针脚缩回卡盘内部，卡盘释放对晶圆的吸附时，针脚可伸出将晶圆顶起，以使晶圆与卡盘分离。
上述控制组件可以控制支撑组件沿预设的方向进行移动，以调整晶圆与承载组件之间的相对位置。例如，控制组件可以为与支撑组件连接的移动平台，移动平台可以在电机的驱动下沿水平方向移动，进而带动晶圆移动。具体的，控制组件可以根据检测到的位置偏移信息，确定出晶圆与承载组件的位置偏移的方向和距离，进而可以确定出控制支撑组件运动的运动控制参数，比如，位置偏移信息中包括晶圆相对于卡盘向左偏移了距离M，则可以确定运动控制参数为向右运动距离M，以补偿晶圆与卡盘之间的偏移量。
在一种可选的实施例中，承载组件中设置有与支撑组件匹配的运动空间。
上述运动空间设置于承载组件中，运动空间可作为支撑组件移动的空间，运动空间的大小可满足支撑组件移动的要求。例如，如图3所示，承载组件为卡盘12，支撑组件为针脚14，卡盘12中设置有与针脚14匹配的运动空间30，针脚14可以在运动空间30内沿X方向和Z方向运动。又例如，如图5所示，承载组件为卡盘12，卡盘12上设置了与第一支撑部51，第二支撑部52和第三支撑部53匹配的圆孔作为运动空间，运动空间的直径大于支撑部的尺寸，三个支撑部可以在各自对应的运动空间内沿XY平面中任意方向移动。
作为一种可选的实施例，上述对准系统还包括：光电检测装置，用于检测位置偏移信息。
光电检测器可以为激光定位器，激光定位器可以设置于承载组件下方或者对准系统中的其他位置，以检测晶圆与承载组件的位置偏差。例如，激光定位器可以通过检测晶圆的第一标识位置和承载组件的第二标识位置的偏移，确定出偏移方向和偏移距离，得到位置偏移信息。
此外，光电检测器还可以用于检测支撑组件中多个支撑部是否处于同一水平面，以为晶圆提供均匀的支撑，避免晶圆发生倾斜或者受力不均。通过检测支撑组件中多个支撑部是否处于同一水平面，可以确定出晶圆的处理设备是否存在故障，或者支撑组件是否需要调整或者维修，进而可以改善晶圆处理工艺的工艺质量。
作为一种可选的实施例，支撑组件位于晶圆和承载组件之间且与承载组件连接，支撑组件具有第一状态和第二状态，在第一状态时，支撑组件收容在承载组件中，在第二状态时，支撑组件突出于承载组件且用于支撑晶圆，支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，光电检测装置，还用于检测第一支撑部距晶圆的指定位置的第一距离，以及第二支撑部距指定位置的第二距离，第一距离和第二距离用于确定位置偏移信息。
上述第一状态为Cu互连工艺中承载组件对晶圆的吸附状态，在第一状态时支撑组件缩回至承载组件中；第二状态为承载组件释放对晶圆的吸附，支撑组件伸出承载组件以使晶圆与承载组件分离的状态。例如，支撑组件为可伸缩的针脚，如图1a所示，在第一状态下，晶圆11被拉平固定在静电吸附卡盘12上，针脚14缩回至卡盘12中，在第二状态下，晶圆11被释放吸附，针脚14弹出将晶圆11从静电吸附卡盘12上分离。
晶圆的指定位置可以为晶圆上的任意位置，比如，晶圆的中心位置，或者晶圆的边界位置。在发生上述位置偏移前，上述第一距离与第二距离的值为固定值，并且在晶圆的工艺过程中应保持恒定，在晶圆与卡盘发生了位置偏移的情况下，上述第一距离和第二距离的数值均发生变化，根据第一距离和第二距离的变化量，确定出位置偏移信息。具体的，上述晶圆的指定位置可以为同一个位置，也可以为不同的位置。
光电检测装置的数量可以与支撑组件中支撑部的数量一致，每个光电检测装置用于检测对应的支撑部至上述晶圆指定位置的距离。例如，如图4所示，分别在卡盘12的下方设置两个激光定位器，分别为第一激光定位器41和第二激光定位器42，第一激光定位器41用于检测第一距离d1，第二激光定位器42用于检测第二距离d2。
本实施例中，通过在晶圆的对准系统中设置承载组件、支撑组件和控制组件，实现了在晶圆和卡盘发生偏移的情况，对晶圆位置进行移动微调，以将晶圆和卡盘的中心位置对准，改善了晶圆上Cu沉积的台阶覆盖率和均匀性，提高了回流工艺的稳定性，进而解决了相关技术中晶圆位置发生偏移，导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。
本申请的另一种典型的实施方式中，还提供了一种晶圆的对准装置，需要说明的是，本申请实施例的晶圆的键合装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于晶圆的对准方法。以下对本申请实施例提供的晶圆的对准装置进行介绍。图6是根据本发明实施例的晶圆的对准装置的示意图，如图6所示，该装置包括：
获取单元61，用于获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息；确定单元62，用于据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；移动单元63，用于基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，以使晶圆和承载组件对准。
作为一种可选的实施例，上述获取单元还用于获取晶圆的第一标识位置和承载组件的第二标识位置；根据第一标识位置与第二标识位置之间的偏移方向和偏移距离，得到位置偏移信息。
作为一种可选的实施例，支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，支撑组件位于晶圆和承载组件之间且与承载组件连接，上述获取单元还用于获取第一支撑部距晶圆的指定位置的第一距离，以及第二支撑部距指定位置的第二距离；根据第一距离和第二距离，确定位置偏移信息。
作为一种可选的实施例，指定位置包括晶圆上与第一支撑部对应的第一边缘位置和与第二支撑部对应的第二边缘位置，上述获取单元还用于获取第一支撑部距第一边缘位置的第一距离，以及第二支撑部距第二边缘位置的第二距离；根据第一距离和第二距离，确定晶圆与承载组件的偏移方向和偏移距离；确定偏移方向和偏移距离为位置偏移信息。
作为一种可选的实施例，上述确定单元还用于根据位置偏移信息，确定支撑组件的运动方向和运动距离；确定支撑组件的运动方向和运动距离为运动控制参数。
作为一种可选的实施例，支撑组件包括多个支撑部，上述确定单元还用于：根据位置偏移信息，从多个支撑部中确定目标支撑部，以及目标支撑部的运动方向和运动距离，其中，目标支撑部用于根据运动控制参数运动移动。
需要说明的是，本实施例的可选或优选实施方式可以参见晶圆的对准方法实施例中的相关描述，此处不再赘述。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，计算机程序被设置为运行时执行上述任一项中的晶圆的对准方法。
可选地，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息；据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，以使晶圆和承载组件对准。
本发明还提供了一种处理器，处理器用于运行程序，其中，程序运行时执行上述任意一种的方法。
在本实施例中，上述处理器可以被设置为通过计算机程序执行以下步骤：获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息；据位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离；基于运动控制参数控制支撑组件移动，支撑组件带动晶圆移动，以使晶圆和承载组件对准。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种晶圆的对准方法，其特征在于，包括：
获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息；
根据所述位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，其中，所述支撑组件用于在预设条件下将所述晶圆与所述承载组件分离；
基于所述运动控制参数控制所述支撑组件移动，所述支撑组件带动所述晶圆移动，以使所述晶圆和所述承载组件对准。
2.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：
获取所述晶圆的第一标识位置和所述承载组件的第二标识位置；
根据所述第一标识位置与所述第二标识位置之间的偏移方向和偏移距离，得到所述位置偏移信息。
3.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，所述支撑组件位于所述晶圆和所述承载组件之间且与所述承载组件连接，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：
获取所述第一支撑部距所述晶圆的指定位置的第一距离，以及所述第二支撑部距所述指定位置的第二距离；
根据所述第一距离和所述第二距离，确定所述位置偏移信息。
4.根据权利要求3所述的对准方法，其特征在于，所述指定位置包括所述晶圆上与所述第一支撑部对应的第一边缘位置和与所述第二支撑部对应的第二边缘位置，获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息，包括：
获取所述第一支撑部距所述第一边缘位置的所述第一距离，以及所述第二支撑部距所述第二边缘位置的所述第二距离；
根据所述第一距离和所述第二距离，确定所述晶圆与所述承载组件的偏移方向和偏移距离；
确定所述偏移方向和所述偏移距离为所述位置偏移信息。
5.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，根据所述位置偏移信息，确定支撑组件的运动控制参数，包括：
根据所述位置偏移信息，确定所述支撑组件的运动方向和运动距离；
确定所述支撑组件的运动方向和运动距离为所述运动控制参数。
6.根据权利要求5所述的对准方法，其特征在于，所述支撑组件包括多个支撑部，根据所述位置偏移信息，确定所述支撑组件的运动方向和运动距离，包括：
根据所述位置偏移信息，从所述多个支撑部中确定目标支撑部，以及所述目标支撑部的运动方向和运动距离，其中，所述目标支撑部用于根据所述运动控制参数运动移动。
7.一种晶圆的对准系统，其特征在于，包括：
承载组件，用于承载晶圆；
支撑组件，用于在预设条件下将所述晶圆与所述承载组件分离；
控制组件，与所述支撑组件通信连接，所述控制组件用于执行如权利要求1至6中任一项所述的对准方法。
8.根据权利要求7所述的对准系统，其特征在于，所述对准系统还包括：
光电检测装置，用于检测所述位置偏移信息。
9.根据权利要求8所述的对准系统，其特征在于，所述支撑组件位于所述晶圆和所述承载组件之间且与所述承载组件连接，所述支撑组件具有第一状态和第二状态，
在所述第一状态时，所述支撑组件收容在所述承载组件中，在所述第二状态时，所述支撑组件突出于所述承载组件且用于支撑所述晶圆，所述支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部，
所述光电检测装置，还用于检测所述第一支撑部距所述晶圆的指定位置的第一距离，以及所述第二支撑部距所述指定位置的第二距离，所述第一距离和所述第二距离用于确定所述位置偏移信息。
10.根据权利要求7所述的对准系统，其特征在于，
所述承载组件中设置有与所述支撑组件匹配的运动空间。
11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的方法。
12.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的方法。
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