CN107026110B - 基板交接位置的示教方法和基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板交接位置的示教方法和基板处理系统。在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际效率良好地示教铅垂方向上的交接位置。使输送臂从基准位置向铅垂方向上方移动预定距离(工序A2)。使输送臂沿着水平方向移动(工序A3)。使输送臂向铅垂方向下方移动预定距离(工序A4)。对被输送臂保持着的晶圆相对于该输送臂的水平方向上的位置进行检测(工序A7)。反复进行工序(A1～A7)这一系列工序，且每进行该一系列工序就使工序(A1)中的基准位置向铅垂上方移动预定距离。将在工序(A7)中检测出的水平方向上的位置偏离了预定位置的情况下的、输送臂的铅垂方向上的位置示教为晶圆的交接位置。

Description

基板交接位置的示教方法和基板处理系统
技术领域
本发明涉及对在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际的铅垂方向上的交接位置进行示教的基板交接位置的示教方法以及执行该示教方法的基板处理系统。
背景技术
在例如半导体器件、液晶面板等的制造工艺中，可在独立的处理装置内对半导体基板、液晶用基板(以下将半导体基板、液晶用基板简称为“晶圆”) 进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理等各种处理。在使晶圆在处理装置之间输入输出之际，通常可使用具有用于保持晶圆的输送臂的输送装置。
这样的输送装置设于例如处理装置内，需要相对于由多个支承销构成的晶圆的交接部将晶圆向准确的位置输送。特别是需要使输送臂的晶圆的输送位置与支承销的顶端部抵接于输送臂上的晶圆时的高度位置、即支承销的支承位置准确地对准。若输送臂的输送位置与支承销的支承位置不如此准确地一致，则例如晶圆有可能与输送臂、支承销干涉，或还有可能无法将晶圆向输送臂、支承销交接。
然而，存在如下情况：在输送装置的调试时，现实中由于构成输送臂的构件的加工误差、安装各构件之际的安装误差以及组装输送装置之际的组装误差等各种误差，输送臂无法访问准确的输送位置，从准确的输送位置产生了偏离。另外，对于支承销，也同样地存在产生了偏离的情况。
因此，以往，在实际输送晶圆之前，进行了晶圆的铅垂方向上的交接位置的示教(输送示教)作业。作为该示教作业，提出了各种方法。
在例如专利文献1提出了准备示教用的治具而将晶圆的交接位置向输送臂示教的方法。治具是与晶圆相同程度的大小的圆板，在该圆板上设有照相机和光传感器。在该情况下，利用输送臂保持作为治具的圆板的周边部而将作为治具的圆板向载置台的上方输送，使输送臂在水平面内相对移动，一边利用照相机进行监视一边使圆板的中心与已知的中心靶一致，使输送臂沿着上下方向相对移动并利用光传感器检测支承销的顶端。然后，通过运算求出使输送臂相对于圆板相对地移动而从支承销顶端的检测位置至少超过与输送臂的厚度相应的量的位置作为晶圆交接位置而向输送臂示教。
另外，在例如专利文献2中，也提出了使用示教用的治具的方法，该治具具有两个光传感器。在该情况下，在臂上放置治具，使该臂访问晶圆的交接部(支承销)，将支承销和治具设为预定的接近状态。此时，光传感器与支承销感应。然后，使臂沿着±θ、±X、+Z方向移动，将各光传感器通断的位置存储为位置信息，基于所获得的各θ轴、X轴、Z轴上的位置信息设定臂应该访问的准确的输送位置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003－218186号公报
专利文献2：日本特开平11－163086号公报
发明内容
发明要解决的问题
在此，在一般的装置搭载有用于把握晶圆的水平方向上的位置的传感器，但利用该传感器难以进行晶圆的铅垂方向上的交接位置的示教。因此，如专利文献1、2所记载的方法那样，以往需要示教专用的治具。然而，在如此使用了示教专用的治具的情况下，示教变得复杂，也花费成本。因而，对于进行晶圆的交接位置的示教，存在改善的余地。
本发明是鉴于这点而做成的，其目的在于在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际效率良好地示教铅垂方向上的交接位置。
用于解决问题的方案
为了达成所述的目的，本发明的基板交接位置的示教方法是对在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际的铅垂方向上的交接位置进行示教的方法，其特征在于，该示教方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使所述臂或所述销从基准位置向铅垂方向的一方向移动预定距离；第2 工序，在第2工序中，使所述臂沿着水平方向移动；第3工序，在第3工序中，使沿着所述一方向移动后的所述臂或所述销向铅垂方向的另一方向移动所述预定距离；第4工序，在该第4工序中，对保持于所述臂的所述基板相对于该臂的水平方向上的位置进行检测，反复进行所述第1工序～所述第4工序这一系列工序，且每进行所述一系列工序就使所述第1工序中的所述基准位置向所述一方向移动所述预定距离，将在所述第4工序中检测出的所述水平方向上的位置偏离了预定位置的情况下的、所述臂或所述销的铅垂方向上的位置示教为所述交接位置。
根据本发明，通过反复进行第1工序～第4工序来把握基板相对于臂的水平方向上的位置，从而能够把握臂或销与基板抵接的铅垂方向上的位置并将其示教为基板的交接位置。
在此，在进行第4工序时，能够使用任意的方法进行基板相对于臂的水平方向上的位置的把握。在例如具有处理装置和输送装置的基板处理系统中，一般设有用于把握基板的位置的各种传感器。能够使用例如这些现有的传感器来进行第4工序。
因而，在本发明中，不如以往那样需要示教专用的治具，就能够以简易的方法对基板的交接位置进行示教。另外，也可与不需要这样的治具相应地使示教所需的成本低廉化。
而且，在本发明中，能够自动进行示教，因此，能够抑制在以手工作业进行的情况下的可产生的示教误差，准确地进行示教。另外，也能够削减以手工作业进行示教的情况下的工时。
也可以是，在所述第1工序中，在所述基板支承于所述销的状态下，使所述臂向所述一方向移动，在所述第3工序之后且所述第4工序之前，使所述臂向与所述第2工序中的移动方向相反的方向移动，之后，使所述臂向所述一方向移动，或使所述销向所述另一方向移动而利用该臂保持所述基板。
也可以是，在所述第1工序中，在所述基板保持于所述臂的状态下，使所述臂向所述一方向移动。
也可以是，在所述第1工序中，在所述基板保持于所述臂的状态下，使所述销向所述一方向移动。
也可以是，在所述第1工序中，所述基板支承于所述销的状态下，使所述销向所述一方向移动，在所述第3工序之后且所述第4工序之前，使所述臂向与所述第2工序中的移动方向相反的方向移动，之后，使所述销向所述一方向移动，或使所述臂向所述另一方向移动而利用所述臂保持所述基板。
也可以是，所述第1工序～所述第4工序至少在真空气氛或加热气氛下进行。
根据另一观点的本发明的基板处理系统，其包括：处理装置，其用于对基板进行处理；输送装置，其用于在其与该处理装置之间输送基板，该基板处理系统的特征在于，该基板处理系统具有：销，其设于所述处理装置，用于支承所述基板，沿着铅垂方向移动自由；臂，其设于所述输送装置，用于保持所述基板，沿着水平方向移动自由、或、沿着铅垂方向和水平方向移动自由；位置检测机构，其用于对所述基板相对于所述臂的水平方向上的位置进行检测；控制部，其用于对在所述销与所述臂之间交接所述基板之际的铅垂方向上的交接位置进行示教，所述控制部对所述销、所述臂以及所述位置检测机构进行控制，以执行如下工序：第1工序，在该第1工序中，使所述臂或所述销从基准位置向铅垂方向的一方向移动预定距离；第2工序，在第2工序中，使所述臂沿着水平方向移动；第3工序，在该第3工序中，使沿着所述一方向移动后的所述臂或所述销向铅垂方向的另一方向移动所述预定距离；第4工序，在该第4工序中，对保持于所述臂的所述基板相对于该臂的水平方向上的位置进行检测，反复进行所述第1工序～所述第4工序这一系列工序，且每进行所述一系列工序就使所述第1工序中的所述基准位置向所述一方向移动所述预定距离，将在所述第4工序中检测出的所述水平方向上的位置偏离了预定位置的情况下的、所述臂或所述销的铅垂方向上的位置示教为所述交接位置。
发明的效果
根据本发明，在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际不使用以往那样的示教专用的治具就能够效率良好地且恰当地示教铅垂方向上的基板的交接位置。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的结构的概略的俯视图。
图2是表示载置台和支承销的概略的立体图。
图3是表示晶圆输送装置的结构的概略的立体图。
图4是表示输送臂与支承销之间的晶圆的交接位置的说明图。
图5是说明第1实施方式的示教中的动作的说明图，图5的(a)～图5的 (g)是表示第1次的输送臂和支承销的状态的侧视图，图5的(h)是示意性地表示图5的(a)～图5的(g)的各工序中的输送臂的运动的图。
图6是说明第1实施方式的示教中的动作的说明图，图6的(a)～图6的 (g)是表示第n次的输送臂和支承销的状态的侧视图。
图7是说明第2实施方式的示教中的动作的说明图，图7的(a)～图7的 (e)是表示输送臂和支承销的状态的侧视图，图7的(f)是示意性地表示图 7的(a)～图7的(e)的各工序中的输送臂的运动的图。
图8是说明第3实施方式的示教中的动作的说明图，图8的(a)～图8的 (e)是表示输送臂和支承销的状态的侧视图，图8的(f)是示意性地表示图 8的(a)～图8的(e)的各工序中的输送臂的运动(实线箭头)和支承销23 的运动(虚线箭头)的图。
图9是说明第4实施方式的示教中的动作的说明图，图9的(a)～图9的 (g)是表示输送臂和支承销的状态的侧视图，图9的(h)是示意性地表示图9的(a)～图9的(g)的各工序中的输送臂的运动(实线箭头)和支承销的运动(虚线箭头)的图。
图10是表示另一实施方式的基板处理系统的结构的概略的俯视图。
附图标记说明
1、基板处理系统；20、处理装置；22、载置台；23、支承销；31、晶圆输送装置；32、输送臂；38、马达；41、传感器；50、控制部；60、线传感器；W、晶圆。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上具有相同的功能构成的构成要素标注相同的附图标记，省略重复说明。
＜1.基板处理系统＞
首先，对本实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是表示基板处理系统的结构的概略的俯视图。在本实施方式的基板处理系统1中，对作为基板的晶圆W进行预定的处理。
基板处理系统1具有以盒C单位相对于基板处理系统1进行晶圆W的输入输出的盒站2和对晶圆W进行处理的处理站3。盒站2和处理站3成为借助加载互锁室4连接成一体的结构。
盒站2具有盒载置部10和与盒载置部10相邻地设置的输送室11。在盒载置部10中能够沿着X方向(图1中的左右方向)排列并载置多个、例如3个可收容多个晶圆W的盒C。在输送室11中设有晶圆输送装置12。晶圆输送装置 12能够沿着上下方向、左右方向自由移动以及绕铅垂轴线(图中θ方向)自由移动，能够在盒载置部10的盒C与加载互锁室4之间输送晶圆W。在输送室 11的X方向负方向侧的端部设有对晶圆W的凹口等进行识别来进行晶圆的定位的对准装置13。
处理站3具有对晶圆W进行处理的多个处理装置20和多边形状(在图示的例子是八边形状)的真空输送室30。各处理装置20以包围该真空输送室30 的周围的方式配置。另外，加载互锁室4与真空输送室30连接。
处理装置20具有可将内部密闭的处理腔室21。在处理腔室21的内部设有用于载置晶圆W的载置台22和用于向载置台22交接该晶圆W的支承销23，以对晶圆W进行预定的处理。如图2所示，支承销23贯通载置台22地设置，且与载置台22呈同心圆状等间隔地设置于例如3个部位。3根支承销23支承于在载置台22的下方设置的支承构件24。在支承构件24安装有升降机构(未图示)，由此，3根支承销23构成为沿着铅垂方向自由移动。此外，可由处理装置20进行的处理并没有特别限定，能够任意设定。
如图1所示，在真空输送室30内设有用于输送晶圆W的晶圆输送装置31。晶圆输送装置31具有用于保持晶圆W的输送臂32、回转和伸缩自由的多关节式的臂机构33，能够在加载互锁室4、真空输送室30以及处理装置20之间输送晶圆W。此外，图1中图示了臂机构33在真空输送室30的中央仅设置有1个的情况，但也可以设置有多个臂机构33。
如图3所示，臂机构33具有直线形状的第1臂34和与该第1臂34连接的直线形状的第2臂35。第1臂34的基端部与中央毂36连接，第1臂34构成为能够以中央毂36的中心为中心轴线旋转。在第1臂34的顶端部与第2臂35的基端部之间设有关节部37，第2臂35构成为能够以关节部37为中心轴线旋转。并且，在第2臂35的顶端部设有输送臂32。中央毂36与马达38连接，臂机构33利用该马达38沿着水平方向伸缩，输送臂32构成为沿着水平方向移动自由。另外，臂机构33利用该马达38沿着铅垂方向移动，输送臂32构成为沿着铅垂方向移动自由。此外，在马达38设置有编码器(未图示)，能够利用该编码器把握输送臂32的水平方向的移动量、即输送臂32的水平方向上的位置和铅垂方向上的位置。
如图1所示，在处理装置20与真空输送室30之间的边界且在将晶圆W向处理装置20输送(输入输出)之际的输入输出口40，按照每个处理装置20分别在该输入输出口40的两侧设置有用于对晶圆W的通过进行感知的传感器 41。传感器41具有发光部和受光部，这些发光部和受光部隔着输送臂32 (晶圆W)沿着铅垂方向相对地配置。并且，利用传感器41对保持于输送臂 32的晶圆W进行检测。此外，传感器41的结构并不限定于本实施方式，可采用任意的结构。例如传感器41也可以是发光部和受光部一体地构成的传感器，配置于输入输出口40的上部。此外，在本实施方式中，传感器41和马达 38的编码器构成本发明中的位置检测机构。
在以上的基板处理系统1中设有控制部50。控制部50是例如计算机，具有程序储存部(未图示)。在程序储存部储存有对基板处理系统1中的晶圆W 的处理进行控制的程序。另外，在程序储存部也储存有对上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作进行控制的程序。此外，所述程序也可以是记录于例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘 (MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H的程序且是从该存储介质H安装于控制部50的程序。
＜2.示教的第1实施方式＞
接着，对在如以上那样构成的基板处理系统1中进行的、晶圆W的交接位置的示教进行说明。如图4所示，该晶圆W的交接位置Zp是输送臂32的输送位置(上表面)与支承销23的支承位置(顶端部)一致的位置。此外，示教所用的晶圆W既可以是产品用的晶圆，也可以是仿真晶圆(裸晶圆)。
首先，对晶圆W的交接位置的示教的第1实施方式进行说明。在第1实施方式中，在示教之际，在利用支承销23支承着晶圆W的状态下，使输送臂32 沿着铅垂方向移动。此外，在进行示教之前，在被支承销23支承着的晶圆W 的下表面与载置台22的上表面之间确保有输送臂32可沿着铅垂方向移动的充分的空间。另外，也可以在进行示教之前利用例如手工作业进行位置精度较粗略的粗示教。这些事先准备在后述的第2实施方式～第4实施方式中也是通用的。
图5是说明第1实施方式的示教中的动作的说明图，图5的(a)～图5的 (g)是表示输送臂32和支承销23的状态的侧视图，图5的(h)是示意性地表示图5的(a)～图5的(g)的各工序中的输送臂32的运动的图。
首先，如图5的(a)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动，配置于载置台22的上方(图5的(h)的工序A1)。此时，输送臂32的上表面的高度位置是基准位置Z1。另外，输送臂32的水平方向上的位置是利用该输送臂32 保持晶圆W的适当位置。
之后，如图5的(b)所示那样使输送臂32向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm(图5的(h)的工序A2)。此时，输送臂32的上表面未与被支承销23支承着的晶圆W的下表面抵接。此外，该预定距离并不限定于0.1mm，也可以是例如0.2mm～0.3mm。
之后，如图5的(c)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动预定距离、例如1mm(图5的(h)的工序A3)。此时，既可以使输送臂32向真空输送室 30侧(X方向负方向)移动，也可以向其相反侧(X方向正方向)移动，但在本实施方式中向X方向负方向移动。
之后，如图5的(d)所示那样使输送臂32向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm(图5的(h)的工序A4)。即、输送臂32以其上表面的高度位置成为基准位置Z1的方式返回。
之后，如图5的(e)所示那样使输送臂32向水平方向的X方向正方向移动预定距离、例如1mm(图5的(h)的工序A5)。这样一来，输送臂32返回工序A1中的原来的输入位置。
之后，如图5的(f)所示，使输送臂32向铅垂上方移动，从支承销23向输送臂32交接晶圆W(图5的(h)的工序A6)。此外，在工序A6中，也可以使支承销23向铅垂下方移动，从支承销23向输送臂32交接晶圆W。
之后，如图5的(g)所示，使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动，使该输送臂32在传感器41的发光部41a与受光部41b之间通过。并且，在晶圆 W通过了传感器41之际，从发光部41a朝向受光部41b发出的光被晶圆W遮挡，利用传感器41检测晶圆W。此时，通过也根据马达38的编码器值把握输送臂32的水平方向上的位置，来检测晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置(图5的(h)的工序A7)。如图5的(b)所示，输送臂32的上表面未与被支承销23支承着的晶圆W的下表面抵接，因此，在该工序A7中，晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置没有偏离，成为适当位置。
反复进行这些工序A1～A7。并且，每进行工序A1～A7就使工序A1中的输送臂32的上表面的基准位置向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm。具体而言，例如第2次的工序A1中的基准位置Z2是距基准位置Z1的距离为 0.1mm的上方(Z2＝Z1+0.1)，第3次的基准位置Z3是距基准位置Z2的距离为0.1mm的上方(Z3＝Z2+0.1)。
图6是表示第n次的工序A1～A7的图。此外，在本实施方式中，在该第n 次中，晶圆W的交接位置Zp被检测。
在工序A1中，如图6的(a)所示那样输送臂32的上表面的高度位置是基准位置Zn。
之后，在工序A2中，如图6的(b)所示那样使输送臂32向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm。此时，输送臂32的上表面与被支承销23支承着的晶圆W的下表面抵接。
之后，在工序A3中，如图6的(c)所示那样使输送臂32向水平方向的X 方向负方向移动预定距离、例如1mm。此时，随着输送臂32的移动，晶圆W 也沿着水平方向移动。
之后，在工序A4中，如图6的(d)所示那样使输送臂32向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm。
之后，在工序A5中，如图6的(e)所示那样使输送臂32向水平方向的X 方向正方向移动预定距离、例如1mm。
之后，在工序A6中，如图6的(f)所示，使输送臂32向铅垂上方移动，从支承销23向输送臂32交接晶圆W。
之后，在工序A7中，如图6的(g)所示，使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动，使该输送臂32在传感器41的发光部41a与受光部41b之间通过。并且，利用传感器41对晶圆W的检测和根据马达38的编码器值把握的输送臂32的水平方向上的位置来检测晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置。在此，如图6的(c)所示那样晶圆W进行了移动，因此，在该工序A7 中所检测的晶圆W的水平方向上的位置偏离适当位置。因而，在该第n次中晶圆W的交接位置Zp被检测、即晶圆W的交接位置Zp被检测为距基准位置Zn 的距离为0.1mm的上方(Zp＝Zn+0.1)。
并且，向输送臂32示教晶圆W的交接位置，一系列的示教作业结束。
根据本实施方式，通过反复进行工序A1～A7来对晶圆W相对于输送臂 32的水平方向上的位置进行检测，能够将晶圆W的交接位置向输送臂32示教。并且，在工序A7中检测晶圆W的水平方向上的位置之际，可使用以往设于基板处理系统1的传感器41和马达38的编码器，不需要另外的示教专用的治具。因而，能够以简易的方法进行晶圆W的交接位置的示教，也能够与不需要上述治具相应地使示教所需的成本低廉化。
而且，在本实施方式中，能够自动地进行示教，因此，能够抑制在以手工作业进行的情况下可产生的示教误差，准确地进行示教。另外，也能够削减以手工作业进行了示教的情况下的工时。此外，在反复进行工序A1～A7 的过程中，工序A4中的移动距离并不拘泥于工序A2中的预定距离。工序A4 中的移动距离可设定在输送臂32不与载置台22接触的范围内(例如大于预定距离)。
＜3.示教的第2实施方式＞
接着，对晶圆W的交接位置的示教的第2实施方式进行说明。在第2实施方式中，在示教之际，在利用输送臂32保持着晶圆W的状态下，使该输送臂 32沿着铅垂方向移动。图7是说明第2实施方式的示教中的动作的说明图，图 7的(a)～图7的(e)是表示输送臂32和支承销23的状态的侧视图，图7的 (f)是示意性地表示图7的(a)～图7的(e)的各工序中的输送臂32的运动的图。
首先，如图7的(a)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动，配置于载置台22的上方(图7的(f)的工序B1)。此时，输送臂32的上表面的高度位置是基准位置Z1。另外，输送臂32的水平方向上的位置是利用该输送臂32 保持晶圆W的适当位置。
之后，如图7的(b)所示那样使输送臂32向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm(图7的(f)的工序B2)。此时，支承销23的顶端部未与被输送臂32保持着的晶圆W的下表面抵接。此外，该预定距离并不限定于0.1mm，也可以是例如0.2mm～0.3mm。
之后，如图7的(c)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动预定距离、例如1mm(图7的(f)的工序B3)。此时，也可以使输送臂32向真空输送室 30侧(X方向负方向)移动，也可以向其相反侧(X方向正方向)移动，但在本实施方式中，向X方向负方向移动。
之后，如图7的(d)所示那样使输送臂32向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm(图7的(f)的工序B4)。即、输送臂32以其上表面的高度位置成为基准位置Z1的方式返回。
之后，如图7的(e)所示，使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动，使该输送臂32在传感器41的发光部41a与受光部41b之间通过。并且，利用传感器41对晶圆W的检测和根据马达38的编码器值把握的输送臂32的水平方向上的位置来检测晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置(图7的(f) 的工序B5)。如图7的(b)所示，支承销23的顶端部未与被输送臂32保持着的晶圆W的下表面抵接，因此，在该工序B5中，晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置不偏离，成为适当位置。
反复进行这些工序B1～B5。并且，每进行工序B1～B5就使工序B1中的输送臂32的上表面的基准位置向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm。
并且，在第n次的工序B1～B5中，工序B1中的输送臂32的上表面的高度位置成为基准位置Zn。另外，在工序B3中使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动之际，随着输送臂32的移动，晶圆W也沿着水平方向移动。并且，在工序B5中被检测的、晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置偏离适当位置。因而，在该第n次中晶圆W的交接位置Zp被检测，即晶圆W的交接位置Zp被检测为距基准位置Zn的距离为0.1mm的下方(Zp＝Zn－0.1)。
并且，向输送臂32示教晶圆W的交接位置，一系列的示教作业结束。
在本实施方式中，也能够享受与第1实施方式同样的效果。即、能够以简易的方法进行晶圆W的交接位置的示教，能够使示教所需要的成本低廉化，能够进一步恰当地进行该示教。此外，在反复进行工序B1～B5的过程中，工序B4中的移动距离并不拘泥于工序B2中的预定距离。工序B4中的移动距离可设定在不妨碍保持着晶圆W的输送臂32的移动的范围内(例如大于预定距离)。
＜4.示教的第3实施方式＞
接着，对晶圆W的交接位置的示教的第3实施方式进行说明。在第3实施方式中，在示教之际，在利用输送臂32保持着晶圆W的状态下，使支承销23 沿着铅垂方向移动。图8是说明第3实施方式的示教中的动作的说明图，图8 的(a)～图8的(e)是表示输送臂32和支承销23的状态的侧视图，图8的(f) 是示意性地表示图8的(a)～图8的(e)的各工序中的输送臂32的运动(实线箭头)和支承销23的运动(虚线箭头)的图。
首先，如图8的(a)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动，配置于载置台22的上方(图8的(f)的工序C1)。此时，支承销23的顶端部的高度位置是基准位置Z1。另外，输送臂32的水平方向上的位置是利用该输送臂32 保持晶圆W的适当位置。
之后，如图8的(b)所示那样使支承销23向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm(图8的(f)的工序C2)。此时，支承销23的顶端部未与被输送臂32保持着的晶圆W的下表面抵接。此外，该预定距离并不限定于0.1mm，也可以是例如0.2mm～0.3mm。
之后，如图8的(c)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动预定距离、例如1mm(图8的(f)的工序C3)。此时，既可以使输送臂32向真空输送室 30侧(X方向负方向)移动，也可以向其相反侧(X方向正方向)移动，但在本实施方式中，向X方向负方向移动。
之后，如图8的(d)所示那样使支承销23向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm(图8的(f)的工序C4)。即、支承销23以其顶端部的高度位置成为基准位置Z1的方式返回。
之后，如图8的(e)所示，使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动，使该输送臂32在传感器41的发光部41a和受光部41b之间通过。并且，利用传感器41对晶圆W的检测和根据马达38的编码器值把握的输送臂32的水平方向上的位置来检测晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置(图8的(f) 的工序C5)。如图8的(b)所示那样，支承销23的顶端部未与被输送臂32保持着的晶圆W的下表面抵接，因此，在该工序C5中，晶圆W相对于输送臂32 的水平方向上的位置不偏离，成为适当位置。
反复进行这些工序C1～C5。并且，每进行工序C1～C5就使工序C1中的支承销23的顶端部的基准位置向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm。
并且，在第n次的工序C1～C5中，工序C1中的支承销23的顶端部的高度位置成为基准位置Zn。另外，在工序C3中使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动之际，随着输送臂32的移动，晶圆W也沿着水平方向移动。并且，在工序C5中所检测的、晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置偏离适当位置。因而，在该第n次中晶圆W的交接位置Zp被检测、即晶圆W的交接位置Zp被检测为距基准位置Zn的距离为0.1mm的上方(Zp＝Zn+0.1)。
并且，向输送臂32示教晶圆W的交接位置，一系列的示教作业结束。
在本实施方式中也能够享受与第1实施方式和第2实施方式同样的效果。即、能够以简易的方法进行晶圆W的交接位置的示教，能够使示教所需的成本低廉化，能够进一步恰当地进行该示教。
而且，在本实施方式中，使支承销23沿着铅垂方向移动，本实施方式对如下情况特别有用：例如输入输出口40的铅垂方向的距离窄，无法使输送臂 32沿着铅垂方向充分地移动。
但是，在本实施方式中，使输送臂32和支承销23这两者移动，相对于此，在第1实施方式和第2实施方式中，仅使输送臂32移动。根据该观点，也能够认为第1实施方式和第2实施方式是有用的。
此外，在反复进行工序C1～C5的过程中，工序C4中的移动距离并不拘泥于工序C2中的预定距离。工序C4中的移动距离可设定在不妨碍保持着晶圆W的输送臂32的移动的范围内(例如大于预定距离)。
＜5.示教的第4实施方式＞
接着，对晶圆W的交接位置的示教的第4实施方式进行说明。在第4实施方式中，在示教之际，在利用支承销23支承着晶圆W的状态下，使该支承销 23沿着铅垂方向移动。图9是说明第4实施方式的示教中的动作的说明图，图 9的(a)～图9的(g)是表示输送臂32和支承销23的状态的侧视图，图9的 (h)是示意性地表示图9的(a)～图9的(g)的各工序中的输送臂32和支承销23的运动的图。
首先，如图9的(a)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动，配置于载置台22的上方(图9的(h)的工序D1)。此时，支承销23的顶端部的高度位置是基准位置Z1。另外，输送臂32的水平方向上的位置是利用该输送臂32 保持晶圆W的适当位置。
之后，如图9的(b)所示那样使支承销23向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm(图9的(h)的工序D2)。此时，支承销23的顶端部未与被输送臂32保持着的晶圆W的下表面抵接。此外，该预定距离并不限定于0.1mm，也可以是例如0.2mm～0.3mm。
之后，如图9的(c)所示那样使输送臂32沿着水平方向移动预定距离、例如1mm(图9的(h)的工序D3)。此时，既可以使输送臂32向真空输送室 30侧(X方向负方向)移动，也可以向其相反侧(X方向正方向)移动，但在本实施方式中向X方向负方向移动。
之后，如图9的(d)所示那样使支承销23向铅垂方向上方移动预定距离、例如0.1mm(图9的(h)的工序D4)。即、支承销23以其顶端部的高度位置成为基准位置Z1的方式返回。
之后，如图9的(e)所示那样使输送臂32向水平方向的X方向正方向移动预定距离、例如1mm(图9的(h)的工序D5)。这样一来，输送臂32返回工序D1中的原来的输入位置。
之后，如图9的(f)所示，使支承销23向铅垂下方移动，从支承销23向输送臂32交接晶圆W(图9的(h)的工序D6)。此外，也可以是，在工序D6 中，使输送臂32向铅垂上方移动，从支承销23向输送臂32交接晶圆W。
之后，如图9的(g)所示，使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动，使该输送臂32在传感器41的发光部41a与受光部41b之间通过。并且，利用传感器41对晶圆W的检测和根据马达38的编码器值把握的输送臂32的水平方向上的位置来检测晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置(图9的(h) 的工序D7)。如图9的(b)所示，支承销23的顶端部未与被输送臂32保持着的晶圆W的下表面抵接，因此，在该工序D7中，晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置不偏离，成为适当位置。
反复进行这些工序D1～D7。并且，每进行工序D1～D7就使工序D1中的支承销23的顶端部的基准位置向铅垂方向下方移动预定距离、例如0.1mm。
并且，在第n次的工序D1～D7中，工序D1中的支承销23的顶端部的高度位置成为基准位置Zn。另外，在工序D3中在使输送臂32向水平方向的X方向负方向移动之际，随着输送臂32的移动，晶圆W也沿着水平方向移动。并且，在工序D7中被检测的、晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置偏离适当位置。因而，在该第n次中，晶圆W的交接位置Zp被检测、即晶圆W的交接位置Zp被检测为距基准位置Zn的距离为0.1mm的下方(Zp＝Zn－0.1)。
并且，向输送臂32示教晶圆W的交接位置，一系列的示教作业结束。
在本实施方式中也能够享受与第1实施方式～第3实施方式同样的效果。即、能够以简易的方法进行晶圆W的交接位置的示教，能够使示教所需的成本低廉化，能够进一步恰当地进行该示教。此外，在反复进行工序D1～D7 的过程中，工序D4中的移动距离并不拘泥于工序D2中的预定距离。工序D4 中的移动距离可设定在不妨碍输送臂32的移动的范围内(例如大于预定距离)。
＜6.其他实施方式＞
以上，参照附图对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于该例。可理解为：只要是本领域技术人员，能够在权利要求书所记载的思想的范畴内想到各种变更例或修正例是显而易见的，这些变更例或修正例也当然属于本发明的保护范围。
在上述实施方式中，在工序A7、B5、C5、D7中，在对晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置进行检测之际所用的传感器并不限定于本实施方式的传感器41，能够任意地设定。
也可以例如像图10所示那样使用3个线传感器60。线传感器60从输入输出口40设置到真空输送室30的内部。该3个线传感器60分别位于三角形的顶点的位置，通过对从各线传感器60发出的光以何种程度被晶圆W遮挡进行把握，来对被输送臂32保持着的晶圆W进行检测。此时，也根据马达38的编码器值把握输送臂32的水平方向上的位置，从而来检测晶圆W相对于输送臂32 的水平方向上的位置。
另外，也可以利用例如对准装置13对晶圆W相对于输送臂32的水平方向上的位置进行检测。但是，在该情况下，需要将晶圆W向对准装置13输送，因此，使用了上述的传感器41、线传感器60的做法能够效率良好地进行晶圆 W的交接位置的示教。
而且，也可以设置照相机来替代例如传感器41、线传感器60，利用该照相机对晶圆W的位置进行检测。
在任一情况下，都在工序A7、B5、C5、D7中对晶圆W相对于输送臂32 的水平方向上的位置进行检测，从而能够进行晶圆W的交接位置的示教。
另外，在上述实施方式中，晶圆W的交接位置的示教可以在大气气氛下进行，但优选在与在利用处理装置20进行实际的处理之际的气氛相同的气氛下进行。
在例如处理装置20的处理在真空气氛下进行的情况下，可在相同的真空气氛下进行示教。通过如此地在相同的真空气氛下进行，能够进一步进行准确的示教。另外，在以往的示教用的治具设置有光传感器，但为了在真空气氛下使用这样的光传感器，需要相应的减压对策，花费成本。
另外，在例如处理装置20的处理在加热气氛下、例如400℃～700℃的加热气氛下进行的情况下，可在相同的加热气氛下进行示教。在处理气氛被加热着的情况下，处理装置20内的构件热膨胀，产生应变。在该情况下，也通过在相同的加热气氛下进行，从而能够进一步进行准确的示教。另外，在以往的示教用的治具设置有光传感器，但本来就无法在加热气氛下使用这样的光传感器。
在本发明中，不需要以往的示教专用的治具，因此，能够在这样的真空气氛、加热气氛、或者这两种气氛下进行晶圆W的交接位置的示教。
另外，上述实施方式的基板处理系统1的结构并不限定于此，晶圆输送装置31具有输送臂32，且处理装置20具有支承销23即可。即使例如输送臂32 具有与上述实施方式不同的结构，也能够适用本发明。另外，本发明能够适用于进行任意的处理的处理装置20。
另外，本发明也能够适用于基板是晶圆以外的液晶用基板、有机EL元件等其他基板的情况。
产业上的可利用性
本发明能够适用于在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际对铅垂方向上的交接位置进行示教的示教。

Claims (7)

1.一种基板交接位置的示教方法，其是对在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际的铅垂方向上的交接位置进行示教的方法，其特征在于，
该示教方法具有如下工序：
第1工序，在该第1工序中，使所述臂沿着水平方向的一方向移动；
第2工序，在该第2工序中，使所述臂或所述销从基准位置向铅垂方向的一方向移动预定距离；
第3工序，在该第3工序中，使所述臂沿着水平方向移动；
第4工序，在该第4工序中，使向所述铅垂方向的一方向移动后的所述臂或所述销向铅垂方向的另一方向移动所述预定距离以上；
第5工序，在该第5工序中，使所述臂沿着水平方向的另一方向移动，以对被所述臂保持着的所述基板相对于该臂的水平方向上的位置进行检测，
反复进行所述第1工序～所述第5工序这一系列工序，且每进行所述一系列工序就使所述第2工序中的所述基准位置向所述铅垂方向的一方向移动所述预定距离，将在所述第5工序中检测出的所述水平方向上的位置偏离了预定位置的情况下的、所述臂或所述销的铅垂方向上的位置示教为所述交接位置。
2.根据权利要求1所述的基板交接位置的示教方法，其特征在于，
在所述第2工序中，在所述基板支承于所述销的状态下，使所述臂向所述铅垂方向的一方向移动，
在所述第4工序之后且在所述第5工序之前，使所述臂向与所述第3工序中的移动方向相反的方向移动，之后，使所述臂向所述铅垂方向的一方向移动、或使所述销向所述铅垂方向的另一方向移动来利用所述臂保持所述基板。
3.根据权利要求1所述的基板交接位置的示教方法，其特征在于，
在所述第2工序中，在所述基板保持于所述臂的状态下，使所述臂向所述铅垂方向的一方向移动。
4.根据权利要求1所述的基板交接位置的示教方法，其特征在于，
在所述第2工序中，在所述基板保持于所述臂的状态下，使所述销向所述铅垂方向的一方向移动。
5.根据权利要求1所述的基板交接位置的示教方法，其特征在于，
在所述第2工序中，在所述基板支承于所述销的状态下，使所述销向所述铅垂方向的一方向移动，
在所述第4工序之后且所述第5工序之前，使所述臂向与所述第3工序中的移动方向相反的方向移动，之后，使所述销向所述铅垂方向的一方向移动、或使所述臂向所述铅垂方向的另一方向移动而利用所述臂保持所述基板。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板交接位置的示教方法，其特征在于，
所述第1工序～所述第5工序至少在真空气氛或加热气氛下进行。
7.一种基板处理系统，其包括：处理装置，其用于对基板进行处理；和输送装置，其用于在其与该处理装置之间输送基板，该基板处理系统的特征在于，
该基板处理系统具有：
销，其设于所述处理装置，用于支承所述基板，沿着铅垂方向移动自由；
臂，其设于所述输送装置，用于保持所述基板，沿着水平方向移动自由、或、沿着铅垂方向和水平方向移动自由；
位置检测机构，其用于对所述基板相对于所述臂的水平方向上的位置进行检测；
控制部，其用于对在所述销与所述臂之间交接所述基板之际的铅垂方向上的交接位置进行示教，
所述控制部对所述销、所述臂以及所述位置检测机构进行控制，以执行如下工序：第1工序，在该第1工序中，使所述臂沿着水平方向的一方向移动；第2工序，在该第2工序中，使所述臂或所述销从基准位置向铅垂方向的一方向移动预定距离；第3工序，在该第3工序中，使所述臂沿着水平方向移动；第4工序，在该第4工序中，使向所述铅垂方向的一方向移动后的所述臂或所述销向铅垂方向的另一方向移动所述预定距离以上；第5工序，在该第5工序中，使所述臂沿着水平方向的另一方向移动，以对被所述臂保持着的所述基板相对于该臂的水平方向上的位置进行检测，
反复进行所述第1工序～所述第5工序这一系列工序，且每进行所述一系列工序就使所述第2工序中的所述基准位置向所述铅垂方向的一方向移动所述预定距离，将在所述第5工序中检测出的所述水平方向上的位置偏离了预定位置的情况下的、所述臂或所述销的铅垂方向上的位置示教为所述交接位置。
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