KR20170091526A - 기판 주고받음 위치의 교시 방법 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

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히로미츠 사카우에
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때에, 연직 방향의 주고받음 위치를 효율적으로 교시한다. 반송 아암(32)을 연직 방향 상방으로 기준 위치(Z1)로부터 소정 거리 이동시킨다(도 5의 (b), 공정(A2)). 반송 아암(32)을 수평 방향으로 이동시킨다(도 5의 (c), 공정(A3)). 반송 아암(32)을 연직 방향 하방으로 소정 거리 이동시킨다(도 5의 (d), 공정(A4)). 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)의, 상기 반송 아암(32)에 대한 수평 방향의 위치를 검출한다(도 5의 (g), 공정(A7)). 공정(A1 내지 A7)의 일련 공정을 반복하여 실행하며, 또한 이 일련 공정을 실행할 때마다, 공정(A1)에 있어서의 기준 위치를 연직 상방으로 소정 거리 이동시킨다. 공정(A7)에서 검출된 수평 방향의 위치가 소정 위치로부터 어긋난 경우의, 반송 아암(32)의 연직 방향의 위치를 웨이퍼(W)의 주고받음 위치로 교시한다.

Description

기판 주고받음 위치의 교시 방법 및 기판 처리 시스템{SUBSTRATE TRANSFER TEACHING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때의 연직 방향의 주고받음 위치를 교시하는 방법, 및 상기 교시 방법을 실행하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
예를 들면 반도체 디바이스나 액정 패널 등의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 기판이나 액정용 기판(이하, 반도체 기판이나 액정용 기판을 간단히 "웨이퍼"라 함)에 대한 성막 처리, 에칭 처리, 산화 처리 등의 각종 처리가 개별 처리 장치 내에서 실행된다. 웨이퍼를 처리 장치와의 사이에서 반입·반출시킬 때에는, 통상 웨이퍼를 보지하는 반송 아암을 구비한 반송 장치가 이용된다.
이러한 반송 장치는, 예를 들면 처리 장치 내에 마련되며, 복수의 지지 핀으로 구성되는 웨이퍼의 주고받음부에 대하여, 웨이퍼를 정확한 위치에 반송하는 것이 필요하다. 특히, 지지 핀의 선단부가 반송 아암 상의 웨이퍼에 접촉할 때의 높이 위치, 즉 지지 핀의 지지 위치에 대하여, 반송 아암의 웨이퍼의 반송 위치를 정확하게 맞출 필요가 있다. 이와 같이 반송 아암의 반송 위치와 지지 핀의 지지 위치가 정확하게 일치하고 있지 않으면, 예를 들면 웨이퍼가 반송 아암이나 지지 핀과 간섭하거나, 또한 웨이퍼를 반송 아암이나 지지 핀에 주고받음할 수 없을 우려가 있다.
그렇지만, 반송 장치의 가동 시에는, 현실에서는 반송 아암을 구성하는 부재의 가공 오차, 각 부재를 장착할 때의 장착 오차, 및 반송 장치를 조립할 때의 조립 오차 등의 여러 가지의 오차가 원인이 되어, 반송 아암은 정확한 반송 위치에 액세스하지 않아, 정확한 반송 위치로부터 어긋남을 일으키고 있는 경우가 있다. 또한, 지지 핀에 관해서도 이와 같이 어긋남을 일으키고 있는 경우가 있다.
그래서, 종래에, 실제로 웨이퍼를 반송하는 것에 앞서서, 웨이퍼의 연직 방향의 주고받음 위치의 티칭(반송 교시) 작업을 하고 있다. 이러한 티칭 작업으로서는, 여러 가지의 방법이 제안되어 있다.
예를 들면 특허문헌 1에는, 티칭용의 지그를 준비하여, 웨이퍼의 주고받음 위치를 반송 아암에 교시하는 것이 제안되어 있다. 지그는 웨이퍼와 동일한 정도의 크기의 원판이며, 상기 원판에는 카메라와 광 센서가 마련되어 있다. 이러한 경우, 지그인 원판의 주변부를 반송 아암으로 보지하고 탑재대의 상방으로 반송하고, 수평면 내에서 상대 이동시키고, 카메라로 감시하면서 원판의 중심을 기지(旣知)의 중심 타겟에 일치시키고, 상하 방향으로 상대 이동시켜 지지 핀의 선단을 광 센서에서 검출한다. 그리고, 지지 핀 선단의 검출 위치로부터 적어도 반송 아암의 두께분을 초과하는 분만큼, 상대적으로 반송 아암을 원판에 대하여 이동시킨 위치를 연산에 의해 구하고, 웨이퍼 주고받음 위치로서 반송 아암에 교시한다.
또한, 예를 들면 특허문헌 2에도, 티칭용의 지그를 이용하는 것이 제안되어 있으며, 상기 지그는 2개의 광 센서를 갖고 있다. 이러한 경우, 아암에 지그를 세트하고, 그 아암을 웨이퍼의 주고받음부(지지 핀)에 액세스시켜, 지지 핀과 지그를 소정의 근접 상태로 한다. 이 때, 광 센서는 지지 핀에 감응한다. 그리고, 아암을 ±θ, ±X, ＋Z 방향으로 이동시켜, 각 광 센서가 ON·OFF되는 위치를 위치 정보로서 기억하고, 얻어진 각 θ축, X축, Z축에 대해서의 위치 정보에 근거하여 아암이 액세스해야 할 정확한 반송 위치를 설정한다.
일본 특허 공개 제 2003-218186 호 공보 일본 특허 공개 제 평11-163086 호 공보
여기서, 일반적인 장치에는 웨이퍼의 수평 방향의 위치를 파악하는 센서가 탑재되어 있지만, 이러한 센서에서는 웨이퍼의 연직 방향의 주고받음 위치의 티칭을 실행하는 것은 곤란하다. 그래서, 특허 문헌 1, 2에 기재된 방법과 같이, 종래에서는, 티칭 전용의 지그를 필요로 하고 있다. 그렇지만, 이와 같이 티칭 전용의 지그를 이용한 경우, 티칭이 복잡하게 되어, 비용도 든다. 따라서, 웨이퍼의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 때의 개선의 여지가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때에, 연직 방향의 주고받음 위치를 효율적으로 교시하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때의 연직 방향의 주고받음 위치를 교시하는 방법으로서, 상기 아암 또는 상기 핀을, 연직 방향의 일방향으로 기준 위치로부터 소정 거리 이동시키는 제 1 공정과, 상기 아암을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 공정과, 상기 일방향으로 이동시킨 상기 아암 또는 상기 핀을, 연직 방향의 타방향으로 상기 소정 거리 이상 이동시키는 제 3 공정과, 상기 아암에 보지된 상기 기판의, 상기 아암에 대한 수평 방향의 위치를 검출하는 제 4 공정을 포함하고, 상기 제 1 공정 내지 상기 제 4 공정의 일련 공정을 반복하여 실행하며, 또한 상기 일련 공정을 실행할 때마다, 상기 제 1 공정에서의 상기 기준 위치를 상기 일방향으로 상기 소정 거리 이동시켜, 상기 제 4 공정에서 검출된 상기 수평 방향의 위치가 소정 위치로부터 어긋난 경우의, 상기 아암 또는 상기 핀의 연직 방향의 위치를 상기 주고받음 위치로 교시하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의하면, 제 1 공정 내지 제 4 공정을 반복하여 실행하여, 아암에 대한 기판의 수평 방향의 위치를 파악함으로써, 아암 또는 핀이 기판에 접촉하는 연직 방향의 위치를 파악하고, 기판의 주고받음 위치로서 교시할 수 있다.
여기서, 제 4 공정을 실행할 때, 아암에 대한 기판의 수평 방향의 위치의 파악은 임의의 방법을 이용하여 실행할 수 있다. 예를 들면, 처리 장치와 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템에서는, 일반적으로, 기판의 위치를 파악하기 위한 여러 가지의 센서가 마련되어 있다. 제 4 공정은, 예를 들면 이들 기존의 센서를 이용하여 실행할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 종래와 같이 티칭 전용의 지그를 필요로 하지 않고, 간이한 방법으로 기판의 주고받음 위치를 교시할 수 있다. 또한, 이러한 지그를 필요로 하지 않은 만큼, 티칭에 필요한 비용을 저렴화하는 것도 가능해진다.
또한, 본 발명에서는 자동으로 티칭을 실행할 수 있기 때문에, 수작업으로 실행한 경우에 생길 수 있는 티칭 오차를 억제하여, 정확하게 티칭을 실행할 수 있다. 또한, 수작업으로 티칭을 실행한 경우의 공정수를 삭감하는 것도 가능해진다.
상기 제 1 공정에서, 상기 핀에 상기 기판이 지지된 상태에서, 상기 아암을 상기 일방향으로 이동시키고, 상기 제 3 공정의 후이며 상기 제 4 공정의 전에 있어서, 상기 아암을 상기 제 2 공정에서의 이동 방향과 반대 방향으로 이동시킨 후, 상기 아암을 상기 일방향으로 이동시키거나 또는 상기 핀을 상기 타방향으로 이동시켜 상기 아암으로 상기 기판을 보지하여도 좋다.
상기 제 1 공정에서, 상기 아암에 상기 기판이 보지된 상태에서, 상기 아암을 상기 일방향으로 이동시켜도 좋다.
상기 제 1 공정에서, 상기 아암에 상기 기판이 보지된 상태에서, 상기 핀을 상기 일방향으로 이동시켜도 좋다.
상기 제 1 공정에서, 상기 핀에 상기 기판이 지지된 상태에서, 상기 핀을 상기 일방향으로 이동시키고, 상기 제 3 공정의 후이며 상기 제 4 공정의 전에 있어서, 상기 아암을 상기 제 2 공정에서의 이동 방향과 반대 방향으로 이동시킨 후, 상기 핀을 상기 일방향으로 이동시키거나, 또는 상기 아암을 상기 타방향으로 이동시키고, 상기 아암으로 상기 기판을 보지하여도 좋다.
상기 제 1 공정 내지 상기 제 4 공정은 적어도 진공 분위기 또는 가열 분위기에서 실행하여도 좋다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 기판 처리 시스템으로서, 기판을 처리하는 처리 장치와, 상기 처리 장치에 대해서 기판을 반송하는 반송 장치로서, 상기 기판을 보지하고, 수평 방향으로 이동 가능한, 또는 연직 방향 및 수평 방향으로 이동 가능한 아암을 갖는, 반송 장치와, 상기 처리 장치에 마련되며, 상기 기판을 지지하고, 연직 방향으로 이동 가능한 핀과, 상기 아암에 대한 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하는 위치 검출 기구와, 상기 핀과 상기 아암의 사이에서 상기 기판을 주고받음할 때의 연직 방향의 주고받음 위치를 교시하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 아암 또는 상기 핀을 연직 방향의 일방향으로 기준 위치로부터 소정 거리 이동시키는 제 1 공정과, 상기 아암을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 공정과, 상기 일방향으로 이동시킨 상기 아암 또는 상기 핀을 연직 방향의 타방향으로 상기 소정 거리 이동시키는 제 3 공정과, 상기 아암에 보지된 상기 기판의, 상기 아암에 대한 수평 방향의 위치를 검출하는 제 4 공정을 실행하도록, 상기 핀, 상기 아암 및 상기 위치 검출 기구를 제어하고, 상기 제 1 공정 내지 상기 제 4 공정의 일련 공정을 반복하여 실행하고, 또한 상기 일련 공정을 실행할 때마다, 상기 제 1 공정에서의 상기 기준 위치를 상기 일방향으로 상기 소정 거리 이동시켜, 상기 제 4 공정에서 검출된 상기 수평 방향의 위치가 소정 위치로부터 어긋난 경우의, 상기 아암 또는 상기 핀의 연직 방향의 위치를 상기 주고받음 위치로 교시하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의하면, 반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때에, 종래와 같은 티칭 전용의 지그를 이용하지 않고, 연직 방향의 기판의 주고받음 위치를 효율적으로 또한 적절히 교시할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 탑재대와 지지 핀의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 3은 웨이퍼 반송 장치의 구성의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 4는 반송 아암과 지지 핀의 사이에서 웨이퍼의 주고받음 위치를 도시하는 설명도이다.
도 5는 제 1 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서, (a) 내지 (g)는 1회째의 반송 아암과 지지 핀 상태를 도시한 측면도이며, (h)는 (a) 내지 (g)의 각 공정에서의 반송 아암의 움직임을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 6은 제 1 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서, (a) 내지 (g)는 n회째의 반송 아암과 지지 핀 상태를 도시한 측면도이다.
도 7은 제 2 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서, (a) 내지 (e)는 반송 아암과 지지 핀 상태를 도시하는 측면도이며, (f)는 (a) 내지 (e)의 각 공정에서의 반송 아암의 움직임을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 8은 제 3 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서 (a) 내지 (e)는 반송 아암과 지지 핀 상태를 도시한 측면도이며, (f)는 (a) 내지 (e)의 각 공정에서의 반송 아암의 움직임(실선 화살표)과 지지 핀의 움직임(점선 화살표)을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 9는 제 4 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서 (a) 내지 (g)는 반송 아암과 지지 핀 상태를 도시한 측면도이며, (h)는 (a) 내지 (g)의 각 공정에서의 반송 아암의 움직임(실선 화살표)과 지지 핀의 움직임(점선 화살표)을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 10은 다른 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 도면부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<1. 기판 처리 시스템>
우선, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대해 설명한다. 도 1은 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 본 실시형태의 기판 처리 시스템(1)에서는, 기판으로서의 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실행한다.
기판 처리 시스템(1)은, 기판 처리 시스템(1)에 대한 웨이퍼(W)의 반입·반출을 카세트(C) 단위로 실행하는 카세트 스테이션(2)과, 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 스테이션(3)을 갖고 있다. 카세트 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 로드록실(4)을 거쳐서 일체로 접속된 구성으로 되어 있다.
카세트 스테이션(2)은 카세트 탑재부(10)와, 카세트 탑재부(10)에 인접하여 마련된 반송실(11)을 구비하고 있다. 카세트 탑재부(10)에는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)를 X 방향(도 1 중의 좌우 방향)으로 복수, 예를 들면 3개 나열하여 탑재할 수 있다. 반송실(11)에는, 웨이퍼 반송 장치(12)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(12)는 상하 방향, 좌우 방향 및 연직 축 주위(도면 중 θ 방향)로 이동 가능하며, 카세트 탑재부(10)의 카세트(C)와, 로드록실(4)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 반송실(11)의 X 방향 부 방향측의 단부에는, 웨이퍼(W)의 노치 등을 인식하고 웨이퍼의 위치 결정을 실행하는 얼라인먼트 장치(13)가 마련되어 있다.
처리 스테이션(3)은 웨이퍼(W)를 처리하는 복수의 처리 장치(20)와, 다각 형상(도시의 예에서는 팔각형상)의 진공 반송실(30)을 구비하고 있다. 각 처리 장치(20)는, 이 진공 반송실(30)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 로드록실(4)은 진공 반송실(30)과 접속되어 있다.
처리 장치(20)는 내부를 밀폐 가능한 처리 챔버(21)를 갖고 있다. 처리 챔버(21)의 내부에는, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실행하기 위해, 상기 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(22)와, 탑재대(22)에 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 지지 핀(23)이 마련되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(23)은 탑재대(22)를 관통하여 마련되며, 또한 탑재대(22)의 동심원 형상으로 등간격으로, 예를 들면 3개소에 마련되어 있다. 3개의 지지 핀(23)은 탑재대(22)의 하방에 마련된 지지 부재(24)에 지지되어 있다. 지지 부재(24)에는 승강 기구(도시하지 않음)가 장착되고, 이에 의해 3개의 지지 핀(23)은 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 처리 장치(20)에서 실행되는 처리는 특별히 한정되는 것이 아니며, 임의로 설정할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 진공 반송실(30) 내에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 장치(31)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(31)는 웨이퍼(W)를 보지하는 반송 아암(32)과, 선회 및 신축 가능한 다관절식의 아암 기구(33)를 구비하고, 웨이퍼(W)를 로드록실(4), 진공 반송실(30) 및 처리 장치(20)와의 사이에서 반송할 수 있다. 또한, 도 1에는 아암 기구(33)가 진공 반송실(30)의 중앙에 1개만 마련되는 경우를 도시했지만, 복수의 아암 기구(33)가 마련되어도 좋다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 아암 기구(33)는 직선 형상의 제 1 아암(34)과, 상기 제 1 아암(34)과 접속되는 직선 형상의 제 2 아암(35)을 갖고 있다. 제 1 아암(34)의 기단부는 중앙 허브(36)에 접속되며, 제 1 아암(34)은 중앙 허브(36)의 중심을 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있다. 제 1 아암(34)의 선단부와 제 2 아암(35)의 기단부의 사이에는 관절부(37)가 마련되며, 제 2 아암(35)은 관절부(37)를 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 제 2 아암(35)의 선단부에는, 반송 아암(32)이 마련되어 있다. 중앙 허브(36)에는 모터(38)가 접속되며, 이 모터(38)에 의해서 아암 기구(33)는 수평 방향으로 신축하며, 반송 아암(32)은 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이 모터(38)에 의해 아암 기구(33)는 연직 방향으로 이동하며, 반송 아암(32)은 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 모터(38)에는 인코더(도시하지 않음)가 마련되며, 상기 인코더에 의해 반송 아암(32)의 이동량, 즉 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치 및 연직 방향의 위치를 파악할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 처리 장치(20)와 진공 반송실(30)의 경계이며, 웨이퍼(W)를 처리 장치(20)로 반송(반입·반출)시킬 때의 반입·반출구(40)에는, 각각의 처리 장치(20)마다 상기 반입·반출구(40)의 양측에 웨이퍼(W)의 통과를 감지하는 센서(41, 41)가 마련되어 있다. 센서(41)는 발광부와 수광부를 구비하고, 이들 발광부와 수광부는 반송 아암(32)(웨이퍼(W))을 사이에 두고, 연직 방향으로 대향하여 배치되어 있다. 그리고, 센서(41)에서는, 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)를 검지한다. 또한, 센서(41)의 구성은 본 실시형태에 한정되지 않으며, 임의의 구성을 취할 수 있다. 예를 들면 센서(41)는 발광부와 수광부가 일체로 구성된 센서로서, 반입·반출구(40)의 상부에 배치되어 있어도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 센서(41)와 모터(38)의 인코더가 본 발명에 있어서의 위치 검출 기구를 구성하고 있다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 제어부(50)가 마련되어 있다. 제어부(50)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 격납부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 격납부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 격납되어 있다. 또한, 프로그램 격납부에는, 상술의 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하는 프로그램도 격납되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크, 플랙시블 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(50)에 인스톨된 것이어도 좋다.
<2. 티칭의 제 1 실시형태>
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭에 대하여 설명한다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 이 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)는 반송 아암(32)의 반송 위치(상면)와 지지 핀(23)의 지지 위치(선단부)가 일치하는 위치이다. 또한, 티칭에 이용되는 웨이퍼(W)는 제품용의 웨이퍼라도 좋고, 더미 웨이퍼(베어 웨이퍼)라도 좋다.
우선, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭의 제 1 실시형태에 대하여 설명한다. 제 1 실시형태에서는 티칭할 때에, 웨이퍼(W)를 지지 핀(23)으로 지지한 상태에서, 반송 아암(32)을 연직 방향으로 이동시킨다. 또한, 티칭을 실행하는데 앞서, 지지 핀(23)에 지지된 웨이퍼(W)의 하면과 탑재대(22)의 상면에는, 반송 아암(32)이 연직 방향으로 이동할 만큼의 충분한 공간이 확보되어 있다. 또한, 티칭을 실행하는데 앞서, 예를 들면 수작업에 의해 위치 정밀도가 낮은 러프 티칭을 실행하여도 좋다. 이들의 사전 준비는 후술하는 제 2 실시형태 내지 제 4 실시형태에서도 공통이다.
도 5는 제 1 실시형태의 티칭에서의 동작을 설명하는 설명도로서, (a) 내지 (g)는 반송 아암(32)과 지지 핀(23)의 상태를 도시한 측면도이며, (h)는 (a) 내지 (g)의 각 공정에서의 반송 아암(32)의 움직임을 모식적으로 도시한 도면이다.
우선, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 이동시키고, 탑재대(22)의 상방에 배치한다(도 5의 (h)의 공정(A1)). 이 때, 반송 아암(32)의 상면의 높이 위치는 기준 위치(Z1)이다. 또한, 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치는 상기 반송 아암(32)으로 웨이퍼(W)를 보지하는 적정 위치이다.
그 후, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 방향 상방에 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 5의 (h)의 공정(A2)). 이 때, 반송 아암(32)의 상면은 지지 핀(23)에 지지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않는다. 또한, 이 소정 거리는 0.1㎜에 한정되지 않으며, 예를 들면 0.2㎜ 내지 0.3㎜라도 좋다.
그 후, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다(도 5의 (h)의 공정(A3)). 이 때, 반송 아암(32)을 진공 반송실(30)측(X 방향 부 방향)으로 이동시켜도 좋고, 그 반대측(X 방향 정 방향)으로 이동시켜도 좋지만, 본 실시형태에서는 X 방향 부 방향으로 이동시킨다.
그 후, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 5의 (h)의 공정(A4)). 즉, 반송 아암(32)은 그 상면의 높이 위치가 기준 위치(Z1)가 되도록 되돌려진다.
그 후, 도 5의 (e)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 정 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다(도 5의 (h)의 공정(A5)). 이렇게 하여 반송 아암(32)은 공정(A1)에서의 원래의 반입 위치로 되돌려진다.
그 후, 도 5의 (f)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 상방으로 이동시켜, 지지 핀(23)으로부터 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)를 주고받는다(도 5의 (h)의 공정(A6)). 또한, 공정 (A6)에서는, 지지 핀(23)을 연직 하방으로 이동시켜, 지지 핀(23)으로부터 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)를 주고받아도 좋다.
그 후, 도 5의 (g)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시켜, 상기 반송 아암(32)을 센서(41)의 발광부(41a)와 수광부(41b)의 사이로 통과시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)가 센서(41)를 통과했을 때에, 발광부(41a)로부터 수광부(41b)를 향하여 발광된 광이 웨이퍼(W)에 의해 차단되고, 센서(41)에 의해 웨이퍼(W)가 검지된다. 이 때, 모터(38)의 인코더값으로부터 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치도 파악하는 것에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출된다(도 5의 (h)의 공정(A7)). 이 공정(A7)에서는, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 반송 아암(32)의 상면이 지지 핀(23)에 지지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않기 때문에, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 어긋나지 않고, 적정 위치가 된다.
이들 공정(A1 내지 A7)을 반복하여 실행한다. 그리고, 공정(A1 내지 A7)을 실행할 때마다, 공정(A1)에서의 반송 아암(32)의 상면의 기준 위치를 연직 방향 상방에 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다. 구체적으로는, 예를 들면 2회째의 공정(A1)에서의 기준 위치(Z2)는 기준 위치(Z1)로부터 0.1㎜ 상방이며(Z2=Z1＋0.1), 3회째의 기준 위치(Z3)는 기준 위치(Z2)로부터 0.1㎜ 상방이다(Z3=Z2＋0.1).
도 6은 n회째의 공정(A1 내지 A7)을 도시하는 도면이다. 또한, 본 실시형태에서는, 이 n회째에서 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 검지된다.
공정(A1)에서는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)의 상면의 높이 위치는 기준 위치(Zn)이다.
그 후, 공정(A2)에서, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 방향 상방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다. 이 때, 반송 아암(32)의 상면은 지지 핀(23)에 지지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉한다.
그 후, 공정(A3)에서, 도 6의 (c)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다. 이 때, 반송 아암(32)의 이동에 따라서, 웨이퍼(W)도 수평 방향으로 이동한다.
그 후, 공정(A4)에서, 도 6의 (d)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다.
그 후, 공정(A5)에서, 도 6의 (e)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 정 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다.
그 후, 공정(A6)에서, 도 6의 (f)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 상방으로 이동시켜, 지지 핀(23)으로부터 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)를 주고받는다.
그 후, 공정(A7)에서, 도 6의 (g)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시켜, 상기 반송 아암(32)을 센서(41)의 발광부(41a)와 수광부(41b)의 사이로 통과시킨다. 그리고, 센서(41)에 의한 웨이퍼(W)의 검지와, 모터(38)의 인코더값으로부터 파악되는 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출된다. 여기서, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)가 이동했기 때문에, 이 공정(A7)에서 검출되는 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 적정 위치로부터 어긋난다. 따라서, 이 n회째에서 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 검지되고, 즉 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 기준 위치(Zn)로부터 0.1㎜ 상방이라고 검지된다(Zp=Zn＋0.1).
그리고, 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)의 주고받음 위치가 교시되고, 일련의 티칭 작업이 종료된다.
본 실시형태에 의하면, 공정(A1 내지 A7)을 반복하여 실행하며, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치를 반송 아암(32)에 교시할 수 있다. 그리고, 공정(A7)에서 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출할 때에는, 종래보다 기판 처리 시스템(1)에 마련된 센서(41)와, 모터(38)의 인코더가 이용되며, 별도의 티칭 전용의 지그를 필요로 하지 않는다. 따라서, 간이한 방법으로 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있어서, 상기 지그를 필요로 하지 않는 만큼, 티칭에 필요한 비용을 저렴화하는 것도 가능해진다.
또한, 본 실시형태에서는 자동으로 티칭을 실행할 수 있기 때문에, 수작업으로 실행한 경우에 생길 수 있는 티칭 오차를 억제하여, 정확하게 티칭을 실행할 수 있다. 또한, 수작업으로 티칭을 실행한 경우의 공정수를 삭감하는 것도 가능해진다. 또한, 공정(A1 내지 A7)의 반복 중에서, 공정(A4)에서의 이동 거리는 공정(A2)에서의 소정 거리에는 구애 받지 않는다. 공정(A4)에서의 이동 거리는 탑재대(22)에 반송 아암(32)이 접촉하지 않는 범위에서(예를 들면, 소정 거리보다 많게) 설정 가능하다.
<3. 티칭의 제 2 실시형태>
다음에, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭의 제 2 실시형태에 대하여 설명한다. 제 2 실시형태에서는 티칭할 때에, 웨이퍼(W)를 반송 아암(32)으로 보지한 상태에서, 상기 반송 아암(32)을 연직 방향으로 이동시킨다. 도 7은 제 2 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서, (a) 내지 (e)는 반송 아암(32)과 지지 핀(23)의 상태를 도시한 측면도이며, (f)는 (a) 내지 (e)의 각 공정에서의 반송 아암(32)의 움직임을 모식적으로 도시한 도면이다.
우선, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 이동시켜, 탑재대(22)의 상방에 배치한다(도 7의 (f)의 공정(B1)). 이 때, 반송 아암(32)의 상면의 높이 위치는 기준 위치(Z1)이다. 또한, 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치는 상기 반송 아암(32)으로 웨이퍼(W)를 보지하는 적정 위치이다.
그 후, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 7의 (f)의 공정(B2)). 이 때, 지지 핀(23)의 선단부는 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않는다. 또한, 이 소정 거리는 0.1㎜에 한정되지 않으며, 예를 들면 0.2㎜ 내지 0.3㎜라도 좋다.
그 후, 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다(도 7의 (f)의 공정(B3)). 이 때, 반송 아암(32)을 진공 반송실(30)측(X 방향 부 방향)으로 이동시켜도 좋고, 그 반대측(X 방향 정 방향)으로 이동시켜도 좋지만, 본 실시형태에서는 X 방향 부 방향으로 이동시킨다.
그 후, 도 7의 (d)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 연직 방향 상방에 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 7의 (f)의 공정(B4)). 즉, 반송 아암(32)은, 그 상면의 높이 위치가 기준 위치(Z1)가 되도록 되돌려진다.
그 후, 도 7의 (e)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시켜, 상기 반송 아암(32)을 센서(41)의 발광부(41a)와 수광부(41b)의 사이로 통과시킨다. 그리고, 센서(41)에 의한 웨이퍼(W)의 검지와, 모터(38)의 인코더값으로부터 파악되는 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출된다(도 7의 (f)의 공정(B5). 이 공정(B5)에서는, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 지지 핀(23)의 선단부가 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않기 때문에, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 어긋나지 않고, 적정 위치가 된다.
이들 공정(B1 내지 B5)을 반복하여 실행한다. 그리고, 공정(B1 내지 B5)을 실행할 때마다, 공정(B1)에서의 반송 아암(32)의 상면의 기준 위치를 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다.
그리고, n회째의 공정(B1 내지 B5)에서는, 공정(B1)에서 반송 아암(32)의 상면의 높이 위치는 기준 위치(Zn)가 된다. 또한, 공정(B3)에서 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시킬 때, 반송 아암(32)의 이동에 따라서, 웨이퍼(W)도 수평 방향으로 이동한다. 그리고, 공정(B5)에서 검출되는, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 적정 위치로부터 어긋난다. 따라서, 이 n회째에서 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 검지되고, 즉 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 기준 위치(Zn)로부터 0.1㎜ 하방이라고 검지된다(Zp=Zn-0.1).
그리고, 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)의 주고받음 위치가 교시되고, 일련의 티칭 작업이 종료된다.
본 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 효과를 누릴 수 있다. 즉, 간이한 방법으로 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있어서, 티칭에 필요한 비용을 저렴화할 수 있어서, 더욱 상기 티칭을 적절히 실행할 수 있다. 또한, 공정(B1 내지 B5)의 반복 중에서, 공정(B4)에서의 이동 거리는 공정(B2)에서의 소정 거리에는 구애 받지 않는다. 공정(B4)에서의 이동 거리는, 웨이퍼(W)를 보지한 반송 아암(32)의 이동에 지장이 생기지 않는 범위에서(예를 들면, 소정 거리보다 많게) 설정 가능하다.
<4. 티칭의 제 3 실시형태>
다음에, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭의 제 3 실시형태에 대하여 설명한다. 제 3 실시형태에서는 티칭할 때, 웨이퍼(W)를 반송 아암(32)으로 보지한 상태에서, 지지 핀(23)을 연직 방향으로 이동시킨다. 도 8은 제 3 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도로서 (a) 내지 (e)는 반송 아암(32)과 지지 핀(23)의 상태를 도시한 측면도이며, (f)는 (a) 내지 (e)의 각 공정에서의 반송 아암(32)의 움직임(실선 화살표)과 지지 핀(23)의 움직임(점선 화살표)을 모식적으로 도시한 도면이다.
우선, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 이동시키고, 탑재대(22)의 상방에 배치한다(도 8의 (f)의 공정(C1)). 이 때, 지지 핀(23)의 선단부의 높이 위치는 기준 위치(Z1)이다. 또한, 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치는 상기 반송 아암(32)으로 웨이퍼(W)를 보지하는 적정 위치이다.
그 후, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(23)을 연직 방향 상방에 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 8의 (f)의 공정(C2)). 이 때, 지지 핀(23)의 선단부는 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않는다. 또한, 이 소정 거리는 0.1㎜에 한정되지 않으며, 예를 들면 0.2㎜ 내지 0.3㎜라도 좋다.
그 후, 도 8의 (c)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다(도 8의 (f)의 공정(C3)). 이 때, 반송 아암(32)을 진공 반송실(30)측(X 방향 부 방향)으로 이동시켜도 좋고, 그 반대측(X 방향 정 방향)으로 이동시켜도 좋지만, 본 실시형태에서는 X 방향 부 방향으로 이동시킨다.
그 후, 도 8의 (d)에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(23)을 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 8의 (f)의 공정(C4)). 즉, 지지 핀(23)은, 그 선단부의 높이 위치가 기준 위치(Z1)가 되도록 되돌려진다.
그 후, 도 8의 (e)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시켜, 상기 반송 아암(32)을 센서(41)의 발광부(41a)와 수광부(41b)의 사이로 통과시킨다. 그리고, 센서(41)에 의한 웨이퍼(W)의 검지와, 모터(38)의 인코더값으로부터 파악되는 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출된다(도 8의 (f)의 공정(C5)). 이 공정(C5)에서는, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 지지 핀(23)의 선단부가 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않기 때문에, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 어긋나지 않고, 적정 위치가 된다.
이들 공정(C1 내지 C5)을 반복하여 실행한다. 그리고, 공정(C1 내지 C5)을 실행할 때마다, 공정(C1)에서의 지지 핀(23)의 선단부의 기준 위치를 연직 방향 상방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다.
그리고, n회째의 공정(C1 내지 C5)에서는, 공정(C1)에서 지지 핀(23)의 선단부의 높이 위치는 기준 위치(Zn)가 된다. 또한, 공정(C3)에서 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시킬 때, 반송 아암(32)의 이동에 따라서, 웨이퍼(W)도 수평 방향으로 이동한다. 그리고, 공정(C5)에서 검출되는, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 적정 위치로부터 어긋난다. 따라서, 이 n회째에서 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 검지되고, 즉 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 기준 위치(Zn)로부터 0.1㎜ 상방이라고 검지된다(Zp=Zn＋0.1).
그리고, 반송 아암(32) 및/또는 지지 핀(23)에 웨이퍼(W)의 주고받음 위치가 교시되고, 일련의 티칭 작업이 종료된다.
본 실시형태에서도, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 마찬가지의 효과를 누릴 수 있다. 즉, 간이한 방법으로 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있어서, 티칭에 필요한 비용을 저렴화할 수 있으며, 또한 상기 티칭을 적절히 실행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 지지 핀(23)을 연직 방향으로 이동시키고 있으며, 본 실시형태는, 예를 들면 반입·반출구(40)의 연직 방향의 거리가 좁아, 반송 아암(32)을 연직 방향으로 충분히 이동시킬 수 없는 경우에 특히 유용하다.
단, 본 실시형태에서는, 반송 아암(32)과 지지 핀(23)의 양쪽을 이동시키고 있으며, 이에 대하여 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서는, 반송 아암(32)만을 이동시키고 있다. 이러한 관점에서는, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태가 유용하다고 생각할 수도 있다.
또한, 공정(C1 내지 C5)의 반복 중에서, 공정(C4)에서의 이동 거리는 공정(C2)에서의 소정 거리에는 구애 받지 않는다. 공정(C4)에서의 이동 거리는 웨이퍼(W)를 보지한 반송 아암(32)의 이동에 지장이 생기지 않는 범위에서(예를 들면, 소정 거리보다 많게) 설정 가능하다.
<5. 티칭의 제 4 실시형태>
다음에, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭의 제 4 실시형태에 대하여 설명한다. 제 4 실시형태에서는 티칭할 때에, 웨이퍼(W)를 지지 핀(23)으로 지지한 상태에서, 상기 지지 핀(23)을 연직 방향으로 이동시킨다. 도 9는 제 4 실시형태의 티칭에 있어서의 동작을 설명하는 설명도이며, (a) 내지 (g)는 반송 아암(32)과 지지 핀(23)의 상태를 도시한 측면도이며, (h)는 (a) 내지 (g)의 각 공정에서의 반송 아암(32)과 지지 핀(23)의 움직임을 모식적으로 도시한 도면이다.
우선, 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 이동시키고, 탑재대(22)의 상방에 배치한다(도 9의 (h)의 공정(D1)). 이 때, 지지 핀(23)의 선단부의 높이 위치는 기준 위치(Z1)이다. 또한, 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치는 상기 반송 아암(32)으로 웨이퍼(W)를 보지하는 적정 위치이다.
그 후, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(23)을 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 9의 (h)의 공정(D2)). 이 때, 반송 아암(32)의 상면은 지지 핀(23)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않는다. 또한, 이 소정 거리는 0.1㎜에 한정되지 않으며, 예를 들면 0.2㎜ 내지 0.3㎜ 라도 좋다.
그 후, 도 9의 (c)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다(도 9의 (h)의 공정(D3)). 이 때, 반송 아암(32)을 진공 반송실(30)측(X 방향 부 방향)으로 이동시켜도 좋고, 그 반대측(X 방향 정 방향)으로 이동시켜도 좋지만, 본 실시형태에서는 X 방향 부 방향으로 이동시킨다.
그 후, 도 9의 (d)에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(23)을 연직 방향 상방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다(도 9의 (h)의 공정(D4)). 즉, 지지 핀(23)은, 그 선단부의 높이 위치가 기준 위치(Z1)가 되도록 되돌려진다.
그 후, 도 9의 (e)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 정 방향으로 소정 거리, 예를 들면 1㎜ 이동시킨다(도 9의 (h)의 공정(D5)). 이렇게 하여 반송 아암(32)은 공정(D1)에서의 원래의 반입 위치로 되돌려진다.
그 후, 도 9의 (f)에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(23)을 연직 하방으로 이동시켜, 지지 핀(23)으로부터 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)를 주고받는다(도 9의 (h)의 공정(D6)). 또한, 공정(D6)에서는, 반송 아암(32)을 연직 상방으로 이동시키고, 지지 핀(23)으로부터 반송 아암(32)에 웨이퍼(W)를 주고받아도 좋다.
그 후, 도 9의 (g)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시켜, 상기 반송 아암(32)을 센서(41)의 발광부(41a)와 수광부(41b)의 사이로 통과시킨다. 그리고, 센서(41)에 의한 웨이퍼(W)의 검지와, 모터(38)의 인코더값으로부터 파악되는 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출된다(도 9의 (h)의 공정(D7)). 이 공정(D7)에서는, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 반송 아암(32)의 상면은 지지 핀(23)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉하지 않기 때문에, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 어긋나지 않고, 적정 위치가 된다.
이들 공정(D1 내지 D7)을 반복하여 실행한다. 그리고, 공정(D1 내지 D7)을 실행할 때마다, 공정(D1)에서의 지지 핀(23)의 선단부의 기준 위치를 연직 방향 하방으로 소정 거리, 예를 들면 0.1㎜ 이동시킨다.
그리고, n회째의 공정(D1 내지 D7)에서는, 공정(D1)에서 지지 핀(23)의 선단부의 높이 위치는 기준 위치(Zn)가 된다. 또한, 공정(D3)에서 반송 아암(32)을 수평 방향의 X 방향 부 방향으로 이동시킬 때, 반송 아암(32)의 이동에 따라서, 웨이퍼(W)도 수평 방향으로 이동한다. 그리고, 공정(D7)에서 검출되는, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는 적정 위치로부터 어긋난다. 따라서, 이 n회째로 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 검지되며, 즉 웨이퍼(W)의 주고받음 위치(Zp)가 기준 위치(Zn)로부터 0.1㎜ 하방이라고 검지된다(Zp=Zn-0.1).
그리고, 반송 아암(32) 및/또는 지지 핀(23)에 웨이퍼(W)의 주고받음 위치가 교시되고, 일련의 티칭 작업이 종료된다.
본 실시형태에서도, 제 1 실시형태 내지 제 3 실시형태와 마찬가지의 효과를 누릴 수 있다. 즉, 간이한 방법으로 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있어서, 티칭에 필요한 비용을 저렴화할 수 있으며, 또한 상기 티칭을 적절히 실행할 수 있다. 또한, 공정(D1 내지 D7)의 반복 중에서, 공정(D4)에서의 이동 거리는 공정(D2)에서의 소정 거리에는 구애 받지 않는다. 공정(D4)에서의 이동 거리는 반송 아암(32)의 이동에 지장이 생기지 않는 범위에서(예를 들면 소정 거리보다 많게) 설정 가능하다.
<6. 다른 실시형태>
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 매우 적합한 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 생각이 미칠 수 있는 것은 명확하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
상기 실시형태에서는, 공정(A7, B5, C5, D7)에서, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출할 때에 이용하는 센서는 본 실시형태의 센서(41)에 한정되지 않으며, 임의로 설정할 수 있다.
예를 들면, 도 10에 도시하는 바와 같이, 3개의 라인 센서(60)를 이용하여도 좋다. 라인 센서(60)는 반입·반출구(40)로부터 진공 반송실(30)의 내부에 걸쳐서 마련되어 있다. 이러한 3개의 라인 센서(60)는 삼각형의 정점의 위치에 각각 위치하며, 각 라인 센서(60)로부터 발광된 광이 어느 정도 웨이퍼(W)에 차단되었는지를 파악하는 것에 의해, 반송 아암(32)에 보지된 웨이퍼(W)를 검지한다. 이 때, 모터(38)의 인코더값으로부터 반송 아암(32)의 수평 방향의 위치도 파악하는 것에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출된다.
또한, 예를 들면, 얼라인먼트 장치(13)에 의해, 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출하여도 좋다. 단, 이러한 경우, 웨이퍼(W)를 얼라인먼트 장치(13)에 반송할 필요가 있기 때문에, 상술한 센서(41)나 라인 센서(60)를 이용하는 편이 효율적으로 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있다.
또한, 예를 들면, 센서(41)나 라인 센서(60) 대신에 카메라를 마련하고, 상기 카메라에 의해 웨이퍼(W)의 위치를 검지하여도 좋다.
어느 경우에서도, 공정(A7, B5, C5, D7)에서 반송 아암(32)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서, 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭은 대기 분위기 하에서 실행하여도 좋지만, 처리 장치(20)에서 실제의 처리가 실행될 때의 분위기와 동일한 분위기에서 실행하는 것이 바람직하다.
예를 들면 처리 장치(20)에서의 처리가 진공 분위기하에서 실행되는 경우, 동일한 진공 분위기하에서 티칭이 실행된다. 이와 같이 동일한 진공 분위기에서 실행하는 것에 의해, 더욱 정확한 티칭을 실행할 수 있다. 또한, 종래의 티칭용의 지그에는 광 센서가 마련되지만, 이러한 광 센서를 진공 분위기에서 이용하기 위해서는, 상응하는 감압 대책이 필요하게 되어, 비용이 든다.
또한, 예를 들면, 처리 장치(20)에서의 처리가 가열 분위기하, 예를 들면 400℃ 내지 700℃의 가열 분위기하에서 실행되는 경우, 동일한 가열 분위기하에서 티칭이 실행된다. 처리 분위기가 가열되어 있는 경우, 처리 장치(20) 내의 부재가 열팽창하여, 폐해가 생긴다. 이러한 경우에서도, 동일한 가열 분위기에서 실행하는 것에 의해, 더욱 정확한 티칭을 실행할 수 있다. 또한, 종래의 티칭용의 지그에는 광 센서가 마련되지만, 원래 이러한 광 센서를 가열 분위기에서 이용할 수 없다.
본 발명에서는, 종래의 티칭 전용의 지그를 필요로 하지 않으므로, 이러한 진공 분위기나 가열 분위기, 또는 그 양쪽의 분위기에서 웨이퍼(W)의 주고받음 위치의 티칭을 실행할 수 있는 것이다.
또한, 상기 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템(1)의 구성은 이에 한정되지 않으며, 웨이퍼 반송 장치(31)가 반송 아암(32)을 구비하고, 또한 처리 장치(20)가 지지 핀(23)을 구비하고 있으면 좋다. 예를 들면 반송 아암(32)이 상기 실시형태와 다른 구성을 갖고 있어도, 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 임의의 처리를 실행하는 처리 장치(20)에 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 액정용 기판, 유기 EL 소자 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명은 반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때에, 연직 방향의 주고받음 위치를 교시하는 티칭에 적용할 수 있다.
1: 기판 처리 시스템 20: 처리 장치
22: 탑재대 23: 지지 핀
31: 웨이퍼 반송 장치 32: 반송 아암
38: 모터 41: 센서
50: 제어부 60: 라인 센서
W: 웨이퍼

Claims (7)

  1. 반송 장치의 아암과 처리 장치의 핀의 사이에서 기판을 주고받음할 때의 연직 방향의 주고받음 위치를 교시하는 방법에 있어서,
    상기 아암 또는 상기 핀을 연직 방향의 일방향으로 기준 위치로부터 소정 거리 이동시키는 제 1 공정과,
    상기 아암을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 공정과,
    상기 일방향으로 이동시킨 상기 아암 또는 상기 핀을 연직 방향의 타방향으로 상기 소정 거리 이상 이동시키는 제 3 공정과,
    상기 아암에 보지된 상기 기판의, 상기 아암에 대한 수평 방향의 위치를 검출하는 제 4 공정을 포함하고,
    상기 제 1 공정 내지 상기 제 4 공정의 일련 공정을 반복하여 실행하며, 또한 상기 일련 공정을 실행할 때마다, 상기 제 1 공정에서의 상기 기준 위치를 상기 일방향으로 상기 소정 거리 이동시켜, 상기 제 4 공정으로 검출된 상기 수평 방향의 위치가 소정 위치로부터 어긋난 경우의, 상기 아암 또는 상기 핀의 연직 방향의 위치를 상기 주고받음 위치로 교시하는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 위치의 교시 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 상기 핀에 상기 기판이 지지된 상태에서, 상기 아암을 상기 일방향으로 이동시키고,
    상기 제 3 공정의 후이며 상기 제 4 공정의 전에서, 상기 아암을 상기 제 2 공정에서의 이동 방향과 반대 방향으로 이동시킨 후, 상기 아암을 상기 일방향으로 이동시키거나, 또는 상기 핀을 상기 타방향으로 이동시키고, 상기 아암으로 상기 기판을 보지하는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 위치의 교시 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 상기 아암에 상기 기판이 보지된 상태에서, 상기 아암을 상기 일방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 위치의 교시 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 상기 아암에 상기 기판이 보지된 상태에서, 상기 핀을 상기 일방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 위치의 교시 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 상기 핀에 상기 기판이 지지된 상태에서, 상기 핀을 상기 일방향으로 이동시키고,
    상기 제 3 공정의 후이며 상기 제 4 공정의 전에서, 상기 아암을 상기 제 2 공정에서의 이동 방향과 반대 방향으로 이동시킨 후, 상기 핀을 상기 일방향으로 이동시키거나, 또는 상기 아암을 상기 타방향으로 이동시키고, 상기 아암으로 상기 기판을 보지하는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 위치의 교시 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 내지 상기 제 4 공정은 적어도 진공 분위기 또는 가열 분위기에서 실행되는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 위치의 교시 방법.
  7. 기판 처리 시스템에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 장치와,
    상기 처리 장치에 대해서 기판을 반송하는 반송 장치로서, 상기 기판을 보지하고, 수평 방향으로 이동 가능한, 또는 연직 방향 및 수평 방향으로 이동 가능한 아암을 갖는, 반송 장치와,
    상기 처리 장치에 마련되며, 상기 기판을 지지하고, 연직 방향으로 이동 가능한 핀과,
    상기 아암에 대한 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하는 위치 검출 기구와,
    상기 핀과 상기 아암의 사이에서 상기 기판을 주고받음할 때의 연직 방향의 주고받음 위치를 교시하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 아암 또는 상기 핀을 연직 방향의 일방향으로 기준 위치로부터 소정 거리 이동시키는 제 1 공정과, 상기 아암을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 공정과, 상기 일방향으로 이동시킨 상기 아암 또는 상기 핀을 연직 방향의 타방향으로 상기 소정 거리 이동시키는 제 3 공정과, 상기 아암에 보지된 상기 기판의, 상기 아암에 대한 수평 방향의 위치를 검출하는 제 4 공정을 실행하도록, 상기 핀, 상기 아암 및 상기 위치 검출 기구를 제어하고,
    상기 제 1 공정 내지 상기 제 4 공정의 일련 공정을 반복하여 실행하며, 또한 상기 일련 공정을 실행할 때마다, 상기 제 1 공정에서의 상기 기준 위치를 상기 일방향으로 상기 소정 거리 이동시켜, 상기 제 4 공정에서 검출된 상기 수평 방향의 위치가 소정 위치로부터 어긋난 경우의, 상기 아암 또는 상기 핀의 연직 방향의 위치를 상기 주고받음 위치로 교시하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 시스템.
KR1020170013594A 2016-02-01 2017-01-31 기판 주고받음 위치의 교시 방법 및 기판 처리 시스템 KR101915878B1 (ko)

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