TWI637449B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI637449B
TWI637449B TW103135003A TW103135003A TWI637449B TW I637449 B TWI637449 B TW I637449B TW 103135003 A TW103135003 A TW 103135003A TW 103135003 A TW103135003 A TW 103135003A TW I637449 B TWI637449 B TW I637449B
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Abstract

本發明提供一種可使晶圓等基板中心精確對準基板載台之軸心，且可不致使基板撓曲地處理基板之基板處理裝置。
基板處理裝置具備：第一基板載台10，其係具有保持基板W下面中之第一區域的第一基板保持面10a；第二基板載台20，其係具有保持基板W下面中之第二區域的第二基板保持面20a；載台昇降機構51，其係使第一基板保持面10a在比第二基板保持面20a高之上昇位置與比第二基板保持面20a低的下降位置之間移動；及對準器36、41、60，其係測定基板W之偏心量，並將基板W之中心對準第二基板載台20的軸心。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種可適用於研磨晶圓等基板周緣部之研磨裝置及研磨方法等的基板處理裝置及基板處理方法。
用於研磨晶圓等基板周緣部之裝置，係使用具備研磨台及磨石等研磨具之研磨裝置。第十四圖係顯示該型研磨裝置之示意圖。如第十四圖所示，研磨裝置具備：基板載台110，其係藉由真空吸引保持晶圓W之中心部，並使晶圓W旋轉；及研磨頭105，其係將研磨具100按壓於晶圓W之周緣部。使晶圓W與基板載台110一起旋轉，在該狀態下，藉由研磨頭105將研磨具100按壓於晶圓W之周緣部來研磨晶圓W的周緣部。研磨具100係使用研磨台或磨石。
如第十五圖所示，藉由研磨具100研磨之晶圓W的部位寬(以下，將其稱為研磨寬)，係依研磨具100對晶圓W之相對位置來決定。通常，研磨寬係從晶圓W最外周端起數毫米。為了以一定研磨寬研磨晶圓W之周緣部，需要將晶圓W之中心對準基板載台110的軸心。因此，將晶圓W搭載於基板載台110之前，係藉由第十六圖所示之定心手部115握持晶圓W，來進行晶圓W之定心。定心手部115從藉由搬送機器人(無圖示)搬來之晶圓W的兩側接近而接觸於其邊緣部，並握持晶圓W。預先固定定心手部115與基板 載台110之相對位置時，藉由定心手部115握持之晶圓W的中心即可位於基板載台110之軸心上。
但是，此種過去之定心機構實施晶圓定心之精度有限，結果導致研磨寬不穩定。又，因定心手部115磨損，晶圓定心精度也會降低。在者，將研磨具100按壓於晶圓W之周緣部時，造成整個晶圓W撓曲，而在晶圓W周緣部產生瑕疵。為了防止晶圓W發生此種撓曲，也考慮藉由基板載台110之外另設的支撐載台(無圖示)來支撐晶圓W下面之外周部。但是，基板載台110之基板支撐面與支撐載台的基板支撐面不在同一平面內情況下，會造成晶圓W撓曲。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本專利4772679號公報
因此，本發明之目的為提供一種可使晶圓等基板中心精確對準基板載台之軸心，且可不致使基板撓曲地進行基板周緣部之研磨等的處理基板之基板處理裝置及基板處理方法。
為了達成上述目的，本發明一種態樣之基板處理裝置，係處理基板，其特徵為具備：第一基板載台，其係具有保持前述基板下面中之第一區域的第一基板保持面；第二基板載台，其係具有保持前述基板下面中之第二區域的第二基板保持面；第二載台旋轉機構，其係使前述第二基 板載台以其軸心為中心而旋轉；載台昇降機構，其係使前述第一基板保持面在比前述第二基板保持面高之上昇位置與比前述第二基板保持面低的下降位置之間移動；及對準器，其係測定前述基板中心距離前述第二基板載台軸心之偏心量，並將前述基板中心對準前述第二基板載台之軸心。
本發明其他態樣之基板處理方法，係處理基板，其特徵為：以第一基板載台之第一基板保持面保持前述基板下面中的第一區域，測定前述基板中心距離第二基板載台軸心之偏心量，將前述基板中心對準前述第二基板載台之軸心，使前述第一基板載台下降至前述基板下面中之第二區域接觸於前述第二基板載台的第二基板保持面，以前述第二基板保持面保持前述第二區域，使前述第一基板載台進一步下降，而使前述第一基板保持面從前述基板離開，藉由使前述第二基板載台以其軸心為中心旋轉，而使前述基板旋轉，來處理前述旋轉中之基板。
採用本發明時，係測定基板中心距離第二基板載台軸心之偏心量。因此，可以該偏心量成為0之方式將基板中心對準第二基板載台的軸心。又，第二基板載台保持基板下面之第二區域(特別是外周部)後，第一基板載台可從基板離開。因此，可在僅第二基板載台保持基板下面之第二區域的狀態下，不使基板撓曲而可處理基板。
1‧‧‧研磨具
5‧‧‧研磨頭
10‧‧‧第一基板載台
10a‧‧‧第一基板保持面
15‧‧‧第一真空管線
20‧‧‧第二基板載台
20a‧‧‧第二基板保持面
22‧‧‧空間
25‧‧‧第二真空管線
30‧‧‧支撐軸
31‧‧‧連結方塊
32‧‧‧軸承
35‧‧‧轉矩傳達機構
36‧‧‧第一旋轉機構
38‧‧‧旋轉編碼器
40‧‧‧直動軸承
41‧‧‧水平移動機構
42‧‧‧工作台
43‧‧‧支撐臂
44‧‧‧旋轉接頭
45‧‧‧致動器
46‧‧‧直動導桿
47‧‧‧偏差馬達
48‧‧‧偏心凸輪
49‧‧‧凹部
51‧‧‧載台昇降機構
55‧‧‧轉矩傳達機構
56‧‧‧第二旋轉機構
58‧‧‧旋轉接頭
60‧‧‧偏心檢測部
61‧‧‧投光部
62‧‧‧受光部
65‧‧‧處理部
69‧‧‧橫移動機構
90‧‧‧手部
100‧‧‧研磨具
105‧‧‧研磨頭
110‧‧‧基板載台
115‧‧‧定心手部
C1、C2‧‧‧軸心
F‧‧‧最大偏心點
M1、M2‧‧‧馬達
OS‧‧‧偏差軸
RD‧‧‧基準光量
W‧‧‧晶圓
第一圖係顯示研磨裝置之示意圖。
第二圖係顯示晶圓旋轉一周時取得之光量的曲線圖。
第三圖係顯示晶圓旋轉一周時取得之光量的曲線圖。
第四圖係用於說明研磨裝置之動作程序的示意圖。
第五圖係用於說明研磨裝置之動作程序的示意圖。
第六圖係用於說明研磨裝置之動作程序的示意圖。
第七圖係說明用於修正晶圓偏心之步驟的俯視圖。
第八圖係說明用於修正晶圓偏心之步驟的俯視圖。
第九圖係說明用於修正晶圓偏心之步驟的俯視圖。
第十圖係用於說明研磨裝置之動作程序的示意圖。
第十一圖係用於說明研磨裝置之動作程序的示意圖。
第十二圖係用於說明研磨裝置之動作程序的示意圖。
第十三圖係顯示晶圓旋轉一周時取得之光量的曲線圖。
第十四圖係顯示過去研磨裝置之示意圖。
第十五圖係晶圓之研磨寬的說明圖。
第十六圖係顯示具備定心手部之過去研磨裝置的示意圖。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。以下說明之本發明的基板處理裝置及基板處理方法的實施形態，係研磨基板之周緣部的研磨裝置及研磨方法。
第一圖係顯示研磨裝置之示意圖。如第一圖所示，研磨裝置具有保持基板之一例的晶圓W之第一基板載台10及第二基板載台20。第一基板載台10係用於進行晶圓W之定心的定心載台，第二基板載台20係用於研磨晶圓W之處理載台。晶圓W定心中，晶圓W僅藉由第一基板載台10保持，晶圓W研磨中，晶圓W僅藉由第二基板載台20保持。
第二基板載台20在其內部具有空間22，第一基板載台10收容於第二基板載台20之空間22中。第一基板載台10具有保持晶圓W下面中之第一區域的第一基板保持面10a。第二基板載台20具有保持晶圓W下面中之第二區域的第二基板保持面20a。第一區域與第二區域係在晶圓W下面中之不同位置的區域。本實施形態係第一基板保持面10a具有圓形之形狀，並構成保持晶圓W下面之中心側部位。第二基板保持面20a具有環狀之形狀，並構成保持晶圓W下面之外周部。上述中心側部位位於上述外周部之內側。本實施形態中之中心側部位係包含晶圓W之中心點的圓形部位，不過，只要是位於上述外周部之內側，亦可係不含晶圓W之中心點的環狀部位。第二基板保持面20a係以包圍第一基板保持面10a之方式配置。環狀之第二基板保持面20a的寬度例如係5mm~50mm。
第一基板載台10經由軸承32而連結於配置在其下方之支撐軸30。軸承32固定於支撐軸30之上端，而旋轉自如地支撐第一基板載台10。第一基板載台10經由滑輪及皮帶等構成之轉矩傳達機構35而連接於馬達M1，第一基板載台10可以其軸心為中心而旋轉。馬達M1固定於連結方塊31。馬達M1及轉矩傳達機構35構成使第一基板載台10以其軸心C1為中心而旋轉的第一旋轉機構(第一載台旋轉機構)36。馬達M1上連接有旋轉編碼器38，可藉由旋轉編碼器38測定第一基板載台10之旋轉角度。
在第一基板載台10及支撐軸30之內部設有在其軸方向延伸的第一真空管線15。該第一真空管線15經由固定於支撐軸30下端之旋轉接頭44而連結於真空源(無圖示)。第一真空管線15之上端開口部在第一基板保持面10a中。因此，在第一真空管線15中形成真空時，晶圓W之中心側部 位藉由真空吸引而保持於第一基板保持面10a。
第一基板載台10經由支撐軸30而連結於載台昇降機構51。載台昇降機構51配置於第二基板載台20之下方，進一步連接於支撐軸30。載台昇降機構51可使支撐軸30及第一基板載台10一體地上昇及下降。
第一基板載台10連結於使第一基板載台10沿著水平延伸之指定的偏差軸OS而移動之水平移動機構41。第一基板載台10藉由直動軸承40旋轉自如地支撐，該直動軸承40固定於連結方塊31。直動軸承40係構成容許第一基板載台10上下運動，並且旋轉自如地支撐第一基板載台10。直動軸承40例如使用滾珠花鍵軸承。
水平移動機構41具備：上述之連結方塊31；使第一基板載台10水平方向移動之致動器45；及將第一基板載台10之水平移動限制成沿著上述偏差軸OS之水平移動的直動導桿46。該偏差軸OS係延伸於直動導桿46之長邊方向的假設移動軸。第一圖中以箭頭顯示偏差軸OS。
直動導桿46固定於工作台42。該工作台42固定於與研磨裝置之框架等靜止部件連接的支撐臂43。連結方塊31藉由直動導桿46移動自如地支撐於水平方向。致動器45具備：固定於工作台42之偏差馬達47；安裝於該偏差馬達47之驅動軸的偏心凸輪48；及形成於連結方塊31，並收容偏心凸輪48之凹部49。偏差馬達47使偏心凸輪48旋轉時，偏心凸輪48接觸於凹部49，並且使連結方塊31沿著偏差軸OS而水平移動。
致動器45工作時，第一基板載台10在其移動方向被直動導桿46引導之狀態下沿著偏差軸OS水平移動。第二基板載台20之位置固定。因此，水平移動機構41使第一基板載台10對第二基板載台20相對地水平移 動，載台昇降機構51使第一基板載台10對第二基板載台20相對地移動於鉛直方向。
第一基板載台10、第一旋轉機構36及水平移動機構41收容於第二基板載台20之空間22中。因此，可縮小由第一基板載台10及第二基板載台20等構成之基板保持部。又，第二基板載台20可保護第一基板載台10避免附著晶圓W研磨中供給至晶圓W表面的研磨液(純水、藥劑等)。
第二基板載台20藉由無圖示之軸承可旋轉地支撐。第二基板載台20經由滑輪及皮帶等構成之轉矩傳達機構55而連接於馬達M2，第二基板載台20可以其軸心C2為中心而旋轉。馬達M2及轉矩傳達機構55構成使第二基板載台20以其軸心C2為中心而旋轉之第二旋轉機構(第二載台旋轉機構)56。
第二基板載台20之上面構成環狀之第二基板保持面20a。在第二基板載台20中設有複數個第二真空管線25。該第二真空管線25經由旋轉接頭58而連結於真空源(無圖示)。第二真空管線25之上端開口部在第二基板保持面20a中。因此，在第二真空管線25中形成真空時，晶圓W下面之外周部藉由真空吸引而保持於第二基板保持面20a。第二基板保持面20a具有與晶圓W之直徑相同，或比晶圓W之直徑小的外徑。
在第二基板載台20之第二基板保持面20a的上方配置有將研磨具1按壓於晶圓W周緣部之研磨頭5。研磨頭5構成可在鉛直方向及晶圓W之半徑方向移動。研磨頭5藉由將研磨具1向下按壓於旋轉的晶圓W周緣部，來研磨晶圓W之周緣部。研磨具1係使用研磨台或磨石。
在第二基板載台20之上方配置有偏心檢測部60，其係測定保 持於第一基板載台10之晶圓W中心距離第二基板載台20之軸心C2的偏心量。該偏心檢測部60係光學式偏心感測器，且具備：發出光之投光部61；接收光之受光部62；從受光部62所測定之光量決定晶圓W的偏心量之處理部65。偏心檢測部60連接於橫移動機構69，偏心檢測部60可在接近及離開晶圓W之周緣部的方向移動。
晶圓W之偏心量係在第一基板載台10之軸心C1與第二基板載台20之軸心C2一致狀態下測定。具體而言，晶圓W之偏心量測定如下。偏心檢測部60靠近晶圓W周緣部至晶圓W之周緣部位於投光部61與受光部62之間。在該狀態下，使晶圓W以第一基板載台10之軸心C1(及第二基板載台20之軸心C2)為中心旋轉，而且投光部61朝向受光部62發光。光之一部分藉由晶圓W遮蔽，光之其他部分到達受光部62。
藉由受光部62測定之光量取決於晶圓W與第一基板載台10的相對位置而改變。晶圓W之中心在第一基板載台10之軸心C1上時，晶圓W旋轉一周時取得之光量如第二圖所示地保持在指定的基準光量RD。另外，晶圓W之中心從第一基板載台10之軸心C1偏離時，晶圓W旋轉一周時取得的光量，如第三圖所示地隨晶圓W之旋轉角度而變化。
晶圓W之偏心量與藉由受光部62測定之光量成反比。換言之，光量最小時晶圓W之角度係晶圓W的偏心量為最大之角度。上述之基準光量RD係在其中心在第一基板載台10之軸心C1上的狀態下，測定具有基準直徑(例如直徑300.00mm)之基準晶圓(基準基板)的光量。該基準光量RD預先儲存於處理部65。再者，顯示光量與晶圓W距離第一基板載台10之軸心C1的偏心量之關係的資料(表、關係式等)預先儲存於處理部65。對 應於基準光量RD之偏心量係0。處理部65依據資料從光量之測定值決定晶圓W的偏心量。
偏心檢測部60之處理部65連接於旋轉編碼器38，顯示第一基板載台10之旋轉角度(亦即晶圓W之旋轉角度)的信號從旋轉編碼器38傳送至處理部65。處理部65決定光量為最小之晶圓W角度的最大偏心角度。離第一基板載台10之軸心C1最遠之晶圓W上的最大偏心點藉由最大偏心角度而特定。晶圓W之偏心量係在第一基板載台10之軸心C1與第二基板載台20之軸心C2一致狀態下測定。因此，處理部65可決定離第二基板載台20之軸心C2最遠的晶圓W上之最大偏心點。再者，處理部65可從光量決定晶圓W與第二基板載台20之軸心C2的偏心量。
其次，參照第四圖至第十二圖，說明用於研磨晶圓W之研磨裝置的動作程序。第四圖至第十二圖係省略第一基板載台10、第二基板載台20及偏心檢測部60以外的構成元件。首先，第一基板載台10藉由水平移動機構41(參照第一圖)水平移動至其軸心C1與第二基板載台20之軸心C2在一直線上排列。再者，如第四圖所示，第一基板載台10藉由載台昇降機構51上昇至上昇位置。該上昇位置係在第一基板載台10之第一基板保持面10a比第二基板載台20之第二基板保持面20a高的位置。
在該狀態下，藉由搬送機構之手部90搬送晶圓W，如第五圖所示，將晶圓W設於第一基板載台10之圓形的第一基板保持面10a上。在第一真空管線15中形成真空，藉此，晶圓W下面之中心側部位藉由真空吸引而保持於第一基板保持面10a。其後，如第六圖所示，搬送機構之手部90從研磨裝置離開，第一基板載台10以其軸心C1為中心而旋轉。偏心檢測部60 接近旋轉之晶圓W，如上述地測定晶圓W之偏心量，再者，決定離第一基板載台10之軸心C1最遠的晶圓W上之最大偏心點。
第七圖至第九圖係從上方觀看第一基板載台10上之晶圓W的圖。第七圖所示之例，係設於第一基板載台10上之晶圓W其中心從基板載台10、20之軸心C1、C2偏離。離基板載台10、20之軸心C1、C2最遠的晶圓W上之最大偏心點(想像點)F，從晶圓W上方觀看時，不在水平移動機構41之偏差軸(想像軸)OS上。因此，如第八圖所示，使第一基板載台10旋轉，從晶圓W上觀看時，使最大偏心點F位於偏差軸OS上。亦即，使第一基板載台10旋轉至連結最大偏心點F與第一基板載台10之軸心C1的線(想像線)與偏差軸OS平行。此時第一基板載台10之旋轉角度相當於特定最大偏心點F之位置的角度與特定偏差軸OS之位置的角度之差。
再者，如第九圖所示，在最大偏心點F在偏差軸OS上之狀態下，保持於第一基板載台10之晶圓W的中心，藉由水平移動機構41(參照第一圖)使第一基板載台10沿著偏差軸OS移動至位於第二基板載台20之軸心C2上。此時第一基板載台10之移動距離相當於晶圓W之偏心量。如此，晶圓W之中心對準第二基板載台20之軸心。本實施形態將晶圓W之中心對準第二基板載台20之軸心的對準器係由偏心檢測部60、第一旋轉機構36及水平移動機構41構成。
其次，如第十圖所示，使第一基板載台10下降至晶圓W下面之外周部接觸於第二基板載台20的第二基板保持面20a。在該狀態下，在第二真空管線25中形成真空，藉此，晶圓W下面之外周部藉由真空吸引而保持於第二基板載台20。其後，將第一真空管線15開放於大氣中。如第十一 圖所示，第一基板載台10進一步下降至指定的下降位置，其第一基板保持面10a從晶圓W離開。結果晶圓W僅藉由第二基板載台20保持。
第一基板載台10僅保持晶圓W下面之中心側部位，第二基板載台20僅保持晶圓W下面的外周部。晶圓W同時保持於第一基板載台10與第二基板載台20兩者時，晶圓W會發生撓曲。此因，由於機械性定位精度的問題，因此第一基板載台10之第一基板保持面10a與第二基板載台20之第二基板保持面20a存在於同一水平面內非常困難。採用本實施形態時，於晶圓W研磨中，係藉由第二基板載台20僅保持晶圓W下面之外周部，第一基板載台10從晶圓W離開。因此，可防止晶圓W的撓曲。
如第十二圖所示，使第二基板載台20以其軸心C2為中心旋轉。由於晶圓W之中心在第二基板載台20的軸心C2上，因此晶圓W在其中心周圍旋轉。在該狀態下，從無圖示之研磨液供給噴嘴在晶圓W上供給研磨液(例如純水或漿液)，而且研磨頭5按壓於旋轉研磨具1之晶圓W的周緣部來研磨該周緣部。在晶圓W研磨中，由於藉由第二基板載台20保持晶圓W下面之外周部，因此可從研磨具1下方支撐研磨具1的負荷。因此，可防止研磨中之晶圓W撓曲。
被研磨之晶圓W按照相反的動作程序從研磨裝置取出。環狀之第二基板保持面20a與吸著晶圓整個下面之基板載台比較，亦具有將研磨後之晶圓W從第二基板保持面20a離開時，晶圓W不易破裂之優點。
藉由研磨具1研磨之晶圓W的部位寬(以下，將此稱為研磨寬)，依研磨具1對晶圓W之相對位置而定。依晶圓大小，其直徑有的比指定之基準直徑(例如300.00mm)稍大或是較小。各晶圓之直徑不同時，研 磨具1對晶圓之相對位置依晶圓而不同，結果導致各晶圓之研磨寬不同。為了防止此種研磨寬之變動，在研磨晶圓之前應測定其晶圓的直徑。
第一圖所示之偏心檢測部60構成可測定晶圓的直徑。具有比指定之基準直徑(例如300.00mm)稍大的直徑(例如300.10mm)之晶圓旋轉一周時取得的光量平均D1，如第十三圖所示，整體光量稍微降低，因此比基準光量RD小。具有比基準直徑稍小之直徑(例如，299.90mm)的晶圓旋轉一周時取得之光量的平均D2，整體光量稍微增加，因此比基準光量RD大。
基準光量RD與測定之光量平均的差異，對應於基準直徑與第一基板載台10上之晶圓W實際直徑的差異。因此，處理部65依據基準光量RD與測定之平均光量的差異，可決定第一基板載台10上之晶圓W的實際直徑。
如上述，由於偏心檢測部60可測定晶圓W之直徑，因此可依據直徑之測定值正確調整研磨寬。換言之，由於可正確取得晶圓W最外周之邊緣部的位置，因此可依據晶圓W最外周之邊緣部的位置調整研磨具1對晶圓W之相對位置。結果，研磨具1可以希望之研磨寬來研磨晶圓W的周緣部。
上述研磨裝置係本發明之基板處理裝置的一個實施形態，不過本發明之基板處理裝置及基板處理方法亦可適用於保持基板同時處理基板的其他裝置及方法，例如CVD用之裝置及方法、濺鍍用之裝置及方法等。
上述實施形態係以本發明所屬技術領域中具有通常知識者可實施本發明為目的而記載者。熟悉該技術之業者當然可形成上述實施形 態之各種變形例，且本發明之技術性思想亦可適用於其他實施形態。因此，本發明不限定於記載之實施形態，而係按照藉由申請專利範圍所定義之技術性思想作最廣範圍的解釋者。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，係處理基板，其特徵為具備：第一基板載台，其係具有保持前述基板下面中之第一區域的第一基板保持面；第二基板載台，其係具有保持前述基板下面中之第二區域的第二基板保持面；第二載台旋轉機構，其係使前述第二基板載台以其軸心為中心而旋轉；載台昇降機構，其係使前述第一基板保持面在比前述第二基板保持面高之上昇位置與比前述第二基板保持面低的下降位置之間移動；及對準器，其係測定前述基板中心距離前述第二基板載台軸心之偏心量，並將前述基板中心對準前述第二基板載台之軸心；前述對準器具備第一載台旋轉機構，該第一載台旋轉機構係使前述第一基板載台以其軸心為中心而旋轉。
  2. 一種基板處理裝置，係處理基板，其特徵為具備：第一基板載台，其係具有保持前述基板下面中之第一區域的第一基板保持面；第二基板載台，其係具有保持前述基板下面中之第二區域的第二基板保持面；第二載台旋轉機構，其係使前述第二基板載台以其軸心為中心而旋轉；載台昇降機構，其係使前述第一基板保持面在比前述第二基板保持面高之上昇位置與比前述第二基板保持面低的下降位置之間移動；及對準器，其係測定前述基板中心距離前述第二基板載台軸心之偏心量，並將前述基板中心對準前述第二基板載台之軸心；其中前述第二區域係前述基板下面之外周部，前述第一區域係位於前述外周部內側之前述基板下面的中心側部位。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述第二基板保持面藉由真空吸引而保持前述第二區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述對準器具備：偏心檢測部，其係測定前述偏心量，且決定離前述第一基板載台之軸心最遠的前述基板上之最大偏心點；前述第一載台旋轉機構，其係構成以使前述第一基板載台旋轉至連結前述最大偏心點與前述第一基板載台之軸心的線與水平延伸之指定偏差軸平行；前述對準器進一步具備水平移動機構，該水平移動機構，其係使前述第一基板載台沿著前述偏差軸移動至保持於前述第一基板載台之前述基板的中心位於前述第二基板載台之軸心上。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中前述第一基板載台、前述第一載台旋轉機構及前述水平移動機構收容於前述第二基板載台中。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中前述偏心檢測部係構成測定保持於前述第一基板載台上之前述基板的直徑。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之基板處理裝置，其中進一步具備研磨頭，其係在保持於前述第二基板載台之前述基板的周緣部按壓研磨具來研磨該周緣部。
  8. 一種基板處理方法，係處理基板，其特徵為：以第一基板載台之第一基板保持面保持前述基板下面中的第一區域，測定前述基板中心距離第二基板載台軸心之偏心量，將前述基板中心對準前述第二基板載台之軸心，使前述第一基板載台下降至前述基板下面中之第二區域接觸於前述第二基板載台的第二基板保持面，以前述第二基板保持面保持前述第二區域，使前述第一基板載台進一步下降，而使前述第一基板保持面從前述基板離開，藉由使前述第二基板載台以其軸心為中心旋轉，而使前述基板旋轉，處理前述旋轉中之基板。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中前述第二區域係前述基板下面之外周部，前述第一區域係位於前述外周部內側之前述基板下面的中心側部位。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中前述第二基板保持面藉由真空吸引保持前述第二區域。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中將前述基板中心對準前述第二基板載台之軸心的工序如下：決定離前述第一基板載台之軸心最遠的前述基板上之最大偏心點，使前述第一基板載台旋轉至連結前述最大偏心點與前述第一基板載台之軸心的線與水平延伸之指定偏差軸平行，使前述第一基板載台沿著前述偏差軸移動至保持於前述第一基板載台之前述基板中心位於前述第二基板載台的軸心上。
  12. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中測定保持於前述第一基板載台上之前述基板的直徑。
  13. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中處理前述旋轉中之基板的工序，係將研磨具按壓於前述旋轉中之基板的周緣部，來研磨該周緣部之工序。
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