JP6622117B2 - 平面研磨装置及びキャリア - Google Patents
平面研磨装置及びキャリア Download PDFInfo
- Publication number
- JP6622117B2 JP6622117B2 JP2016044113A JP2016044113A JP6622117B2 JP 6622117 B2 JP6622117 B2 JP 6622117B2 JP 2016044113 A JP2016044113 A JP 2016044113A JP 2016044113 A JP2016044113 A JP 2016044113A JP 6622117 B2 JP6622117 B2 JP 6622117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- thickness
- workpiece
- surface plate
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 89
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 71
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- -1 stainless steel Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
そして、ワーク40の研磨時には、前記昇降用アクチュエータ7により昇降ロッド7aを伸長させて上定盤2を図1の研磨位置まで下降させると、該上定盤2に設けられたフック9が前記第1の駆動軸2aの上端の前記ドライバ10に係合し、それによって該上定盤2が、前記ドライバ10を介して、前記第1の駆動軸2aで駆動、回転される。
ワークの非研磨時には、前記昇降用アクチュエータ7により昇降ロッド7aを収縮させて、前記上定盤2を研磨位置から離れた待避位置に上昇させると、前記フック9がドライバ10との係合から解除される。
前記キャリア30は、研磨前のワーク40の厚みよりも薄く作られていて、該研磨前のワーク40をワーク保持孔32に保持したとき、該ワーク40がキャリア30の表面よりも上方に突出する(図1及び図3参照)。
また、前記キャリア30は、図4−図7に示すように、スラリー導入孔33を有し、ワーク40の研磨時に、不図示のスラリー供給部から供給される研磨スラリーが、このスラリー導入孔33を通してワーク40の表裏面に行き渡るようになっている。
なお、図2の例では、4つのキャリア30を円周方向に等間隔で並べているが、下定盤3上に配置されるキャリア30の数は任意である。
なお、前記第1プローブ21で受光された反射光に基づく測定データは、前記第1光ファイバー22を通じて光のまま前記演算制御部29に送っても良いが、前記第1プローブ21で電気信号に変換し、該第1プローブ21と前記演算制御部29とをロータリジョイント23を介して結ぶ不図示の電気ケーブルを通じて前記演算制御部29に送っても良く、あるいは無線で送っても構わない。
また、前記透過板28は、合成樹脂やガラスなどの光透過性(透光性)を有する材料、好ましくは透明の材料により板状に形成されたもので、前記スリーブ27の下端の開口を閉塞するように取り付けられている。
また、前記透過板28は、合成樹脂やガラスなどの光透過性(透光性)を有する材料、好ましくは透明の材料により板状に形成されたもので、前記スリーブ27の下端の開口を閉塞するように取り付けられている。
そこで、本発明においては、図1−図4に示すように、前記キャリア30に、レーザー光で厚みを測定するための1つの厚み測定部Yが形成されている。この厚み測定部Yは、前記ワーク保持孔32及びスラリー導入孔33とは別の位置に形成された測定孔34と、該測定孔34に埋め込まれた透光部材35とで形成されている。
金属製のキャリア30にこのような測定孔34及び透光部材35からなる厚み測定部Yを形成したことにより、前記第2プローブ50で該透光部材35にレーザー光を照射することで、該透光部材35の表面及び裏面からの反射光を得ることが可能になり、その結果、該キャリア30の厚みを測定することができるものである。
また、前記第2プローブ50による測定データは、前記第2光ファイバー51を通じて光のまま前記演算制御部29に送っても良いが、前記第2プローブ50で電気信号に変換し、該第2プローブ50と前記演算制御部29とを結ぶ不図示の電気ケーブルを通じて該演算制御部29に送っても良く、あるいは無線で送っても構わない。
図5に示すキャリア30が図4に示すキャリア30と相違する点は、3つの厚み測定部Yが、キャリア30の周方向に等間隔(120度間隔)で形成されている点である。このように、複数の厚み測定部Yを設けることにより、測定データの取得数が増大する。
図6に示すキャリア30には、3つのワーク保持孔32がキャリア30の周方向に等間隔(120度間隔)をおいて形成されると共に、3つのスラリー導入孔33が、隣接する前記ワーク保持孔32間に1つずつ形成され、該キャリア30の中心部に単一の厚み測定部Yが設けられている。キャリア30の中心部は、該キャリア30が自転及び公転する際の移動量が最も少ない位置であるため、ここに厚み測定部Yを設けることにより、研磨加工中において透光部材35が上定盤2と下定盤3とによって研磨されにくいという利点がある。
2 上定盤
3 下定盤
30 キャリア
31 本体部
32 ワーク保持孔
34 測定孔
35 透光部材
40 ワーク
50 第2プローブ
X 厚み測定装置
Y 厚み測定部
Claims (6)
- 回転自在に配設された上定盤及び下定盤と、ワークを保持するためのキャリアとを有し、該キャリアに保持された前記ワークを前記上定盤と下定盤とで挟持して該ワークの両面を研磨する平面研磨装置であって、
前記平面研磨装置は、前記ワーク及びキャリアの厚みを測定するための厚み測定装置を有し、
前記厚み測定装置は、レーザー光を前記ワーク及びキャリアに向けて照射し、該ワーク及びキャリアの表面からの反射光と裏面からの反射光とから該ワーク及びキャリアの厚みを測定するように構成され、
前記キャリアは、前記ワークを保持するためのワーク保持孔を有する本体部と、該キャリアの厚みを測定するための厚み測定部とを有し、
該厚み測定部は、前記ワーク保持孔とは別の位置に形成された測定孔と、該測定孔に嵌め込まれた透光部材とを有し、該透光部材は前記本体部より光透過性に優れ、また、該透光部材の厚みは前記本体部の厚みと等しく、且つ、該透光部材の表裏面は前記本体部の表裏面と面一をなしている、
ことを特徴とする平面研磨装置。 - 前記測定孔の口径は、前記ワーク保持孔の口径よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の平面研磨装置。 - 前記透光部材の研磨レートは、前記本体部の研磨レートと同等又はそれ以下である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の平面研磨装置。 - 平面研磨装置の上定盤と下定盤の間に配置され、該上定盤と下定盤とで研磨されるワークを保持するためのキャリアであって、
前記キャリアは、前記ワークを保持するためのワーク保持孔を有する本体部と、レーザー光で該キャリアの厚みを測定するための厚み測定部とを有し、
該厚み測定部は、前記ワーク保持孔とは別の位置に形成された測定孔と、該測定孔に嵌め込まれた透光部材とを有していて、該透光部材は前記本体部より光透過性に優れ、また、該透光部材の厚みは前記本体部の厚みと等しく、且つ、該透光部材の表裏面は前記本体部の表裏面と面一をなしている、
ことを特徴とするキャリア。 - 前記測定孔の口径は、前記ワーク保持孔の口径よりも小さい、
ことを特徴とする請求項4に記載のキャリア。 - 前記透光部材の研磨レートは、前記本体部の研磨レートと同等又はそれ以下である、
ことを特徴とする請求項4又は5に記載のキャリア。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016044113A JP6622117B2 (ja) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | 平面研磨装置及びキャリア |
KR1020170023261A KR102496905B1 (ko) | 2016-03-08 | 2017-02-22 | 평면 연마 장치 및 캐리어 |
CN201710129352.0A CN107160288B (zh) | 2016-03-08 | 2017-03-06 | 平面研磨装置及游星轮 |
TW106107403A TWI709457B (zh) | 2016-03-08 | 2017-03-07 | 平面研磨裝置及載具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016044113A JP6622117B2 (ja) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | 平面研磨装置及びキャリア |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017159382A JP2017159382A (ja) | 2017-09-14 |
JP2017159382A5 JP2017159382A5 (ja) | 2019-02-14 |
JP6622117B2 true JP6622117B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=59848707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016044113A Active JP6622117B2 (ja) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | 平面研磨装置及びキャリア |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6622117B2 (ja) |
KR (1) | KR102496905B1 (ja) |
CN (1) | CN107160288B (ja) |
TW (1) | TWI709457B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6760638B2 (ja) * | 2016-04-14 | 2020-09-23 | スピードファム株式会社 | 平面研磨装置 |
CN107486786A (zh) * | 2017-10-01 | 2017-12-19 | 德清凯晶光电科技有限公司 | 防塌边游星轮 |
JP7035748B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2022-03-15 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
JP7046358B2 (ja) * | 2018-04-17 | 2022-04-04 | スピードファム株式会社 | 研磨装置 |
JP7364217B2 (ja) * | 2019-11-05 | 2023-10-18 | スピードファム株式会社 | 研磨装置 |
JP2021102245A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | スピードファム株式会社 | ワークホール検出装置及びワークホール検出方法 |
JP7435113B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-02-21 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
JP7425411B2 (ja) * | 2020-10-12 | 2024-01-31 | 株式会社Sumco | キャリア測定装置、キャリア測定方法、及びキャリア管理方法 |
CN117506703B (zh) * | 2023-12-01 | 2024-05-10 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 测量装置及抛光系统 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61213611A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | Nec Corp | 結晶の研磨方法 |
JPH05309559A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-22 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨方法及び装置 |
JPH0740233A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Speedfam Co Ltd | ワークの厚さ測定装置 |
JP3326443B2 (ja) * | 1993-08-10 | 2002-09-24 | 株式会社ニコン | ウエハ研磨方法及びその装置 |
EP0738561B1 (en) * | 1995-03-28 | 2002-01-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection and monitoring for chemical mechanical polishing operations |
JP2888339B1 (ja) * | 1998-03-27 | 1999-05-10 | 直江津電子工業株式会社 | 被加工物保持プレート |
JP2008227393A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの両面研磨装置 |
SG192518A1 (en) * | 2008-07-31 | 2013-08-30 | Shinetsu Handotai Kk | Wafer polishing method |
JP2010045279A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の両面研磨方法 |
CN201419354Y (zh) * | 2009-04-29 | 2010-03-10 | 上海合晶硅材料有限公司 | 一种用于加工薄型硅单晶片的行星片 |
JP2012205258A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Seiko Instruments Inc | 研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
JP5630414B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2014-11-26 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの加工方法 |
JP5896884B2 (ja) * | 2012-11-13 | 2016-03-30 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
JP6003800B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2016-10-05 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システム |
JP6146213B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-06-14 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法 |
KR20150053049A (ko) * | 2013-11-07 | 2015-05-15 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 양면 연마 방법 |
JP6255991B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-01-10 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
-
2016
- 2016-03-08 JP JP2016044113A patent/JP6622117B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-22 KR KR1020170023261A patent/KR102496905B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-06 CN CN201710129352.0A patent/CN107160288B/zh active Active
- 2017-03-07 TW TW106107403A patent/TWI709457B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107160288A (zh) | 2017-09-15 |
KR20170104925A (ko) | 2017-09-18 |
CN107160288B (zh) | 2020-06-26 |
TW201731633A (zh) | 2017-09-16 |
KR102496905B1 (ko) | 2023-02-07 |
JP2017159382A (ja) | 2017-09-14 |
TWI709457B (zh) | 2020-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6622117B2 (ja) | 平面研磨装置及びキャリア | |
JP6760638B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
JP6146213B2 (ja) | ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法 | |
CN107639528B (zh) | 研磨装置 | |
JP6650341B2 (ja) | 断面形状測定方法 | |
KR101527961B1 (ko) | 광파이버 연마장치 | |
WO2016021094A1 (ja) | ワークの研磨方法およびワークの研磨装置 | |
TW201511884A (zh) | 晶圓的雙面硏磨方法及雙面硏磨系統 | |
TW394719B (en) | Workpiece surface processing apparatus | |
JP4324933B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
WO2018043054A1 (ja) | ドレッサー | |
JP4799313B2 (ja) | 両面研磨装置および両面研磨装置におけるワークとキャリアとの重なり検知方法 | |
JP2009004616A (ja) | 半導体ウェーハ研磨装置および研磨方法 | |
JP2009233810A (ja) | コンベックス研磨装置 | |
JP2007098543A (ja) | ワークキャリア及び両面研磨装置 | |
JP2006237098A (ja) | 半導体ウェーハの両面研磨装置及び両面研磨方法 | |
CN117300886B (zh) | 双面研磨装置 | |
JP6097896B1 (ja) | 複合基板及び圧電基板の厚み傾向推定方法 | |
JP2015058501A (ja) | ワークの研磨装置及びワークの製造方法 | |
JP2004255483A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP5984253B2 (ja) | 研磨機用定盤の表面加工方法および研磨機用定盤 | |
KR20220100398A (ko) | 정반 연마 장치 및 이를 이용한 정반 연마 방법 | |
JP2013107151A (ja) | 両面研磨方法、及び両面研磨装置 | |
JP2009239730A (ja) | コンベックス研磨装置に用いるワークの取付治具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6622117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |