CN107639528B - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够根据研磨加工过程中的晶片的截面形状而将晶片研磨成目标的截面形状的研磨装置。研磨装置(10)具备上定盘(21)、下定盘(22)、太阳齿轮(23)、内啮合齿轮(24)以及游星轮板(30)，游星轮板(30)通过太阳齿轮(23)及内啮合齿轮(24)而进行自转及公转，从而对配置在游星轮板(30)的工件保持孔(30A)内的晶片W的双面进行研磨，研磨装置(10)还具备：形状测量装置(100),其对研磨加工过程中的晶片W的截面形状进行测量；控制装置(300)，其根据该形状测量装置(100)所测量出的截面形状而对研磨加工进行控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种例如对硅晶片等工件的表面进行研磨的研磨装置。
背景技术
以往，已知有一种使保持有晶片的游星轮板自转及公转从而对晶片的双面进行研磨的双面研磨装置(参见专利文献1)。
该双面研磨装置具备能够测量研磨加工过程中的晶片的厚度的厚度测量仪、具有测量用的贯穿孔的上定盘、下定盘、太阳齿轮、内啮合齿轮、以及游星轮板等，在上定盘和下定盘之间夹入游星轮板，并且使该游星轮板与太阳齿轮及内啮合齿轮啮合，并通过使该太阳齿轮及内啮合齿轮旋转从而使游星轮板进行自转及公转，进而通过使上定盘及下定盘旋转而对被保持在游星轮板上的晶片的双面进行研磨。
此外，该双面研磨装置具有在仅使游星轮板自转的同时对研磨晶片的双面进行研磨的研磨工序，并且具有在该研磨工序中对晶片的预定的位置的厚度进行测量的测量工序和根据该测量工序的测量结果而对研磨终止时间进行判断的判断工序。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-47656号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，在这种研磨装置中，由于只是在研磨工序中测量晶片的预定的位置的厚度而对研磨终止时间进行判断，因此存在无法根据研磨加工过程中的晶片的截面形状而将晶片研磨成为目标的截面形状的问题。
在研磨加工中，不仅需要将晶片研磨成所期望的厚度，而且还需要研磨成作为目标的所期望的截面形状。虽然晶片的截面形状由SFQR、GBIR等指标来评价，但通过获得具有满足这些指标的条件的所期望的截面形状的晶片，从而能够提高在后续的半导体器件制造工序中所制造的半导体器件的成品率。
然而，只是通过测量晶片的厚度无法对晶片的截面形状是否被加工成所期望的截面形状进行判断。因此，为了获得具有所期望的截面形状的晶片，需要如下的研磨装置，即，在研磨加工过程中对晶片的截面形状进行测量，并且根据所测量出的晶片的截面形状而以使其成为所期望的截面形状的方式来设定加工条件，从而能够对晶片进行研磨加工的研磨装置。
另外，晶片的截面形状根据如下的加工条件和加工状态而发生变化：即，上定盘、下定盘、太阳齿轮以及内啮合齿轮的旋转速度、加工负载、研磨浆料的供给量、温度等的能够任意地设定的加工条件；以及上定盘及下定盘等的加工面的状态(由于温度变化、磨损而发生的形状变化)、研磨浆料的实际温度、晶片的自转状态等的随着研磨进度而随时变动的加工状态。因此，即使在相同的加工条件下对晶片进行了研磨加工，加工状态也未必相同。换句话说，由于即使在相同的加工条件下对晶片进行了研磨加工，加工状态也会发生变化，因此无法恒常不变地获得具有所期望的截面形状的晶片。因此，需要在研磨加工过程中对晶片的截面形状进行测量，并在未形成所期望的截面形状时改变加工条件。
因此，为了获得具有所期望的截面形状的晶片，需要如下的研磨装置，即，在研磨加工过程中对晶片的截面形状进行测量，并且根据所测量出的晶片的截面形状而以使其成为所期望的截面形状的方式来设定加工条件，从而能够对晶片进行研磨加工的研磨装置。
本发明的目的在于，提供一种在研磨加工过程中对晶片的截面形状进行测量，并且根据所测量出的晶片的截面形状而将晶片研磨加工成目标的截面形状的研磨装置。
用于解决问题的方法
本发明涉及一种研磨装置，其通过具有可旋转的定盘的研磨机而对工件进行研磨，所述研磨装置的特征在于，具备：形状测量装置，其对研磨加工过程中的所述工件的截面形状进行测量；控制装置，其根据该测量装置所测量出的工件的截面形状而对研磨加工进行控制，以使该截面形状成为目标截面形状。
发明的效果
根据该发明，从而能够在研磨加工过程中对晶片的截面形状进行测量，并且根据所测量出的晶片的截面形状而将工件研磨加工成作为目标的截面形状。因此，能够在掌握工件的截面形状是否被加工成作为目标的截面形状的同时，进行研磨加工，从而能够在未形成作为目标的截面形状时在研磨加工过程中改变加工条件。由此，能够恒常不变地获得具有作为目标的截面形状的工件。
附图说明
图1为示出了本发明所涉及的研磨装置的实施例的结构的说明图。
图2为示出了图1所示的太阳齿轮和内啮合齿轮和游星轮板的位置关系的说明图。
图3为表示与对所测量的晶片的截面形状与目标的晶片的截面形状进行了比较的结果相对应的最佳方案的表格的说明图。
图4为表示各个方案的加工条件的表格的说明图。
图5为示出了晶片的截面形状以及基于截面形状的判断形状和P-V值的说明图。
图6为表示第一实施例的工作的流程图。
图7为表示图6的主要加工步骤处理的流程图。
图8为表示第二实施例的工作的流程图。
具体实施方式
以下，基于附图而对作为本发明所涉及的研磨装置的实施方式的实施例进行说明。
第一实施例
图1所示的研磨装置10具备：研磨机20，其对作为工件之一的晶片(硅晶片)W的双面进行研磨；形状测量装置100，其对研磨加工过程中的晶片W的径向的截面形状进行测量；控制装置300，其根据该形状测量装置100所测量的晶片W的径向的截面形状而对后述的驱动装置M1～M5等进行控制，以使该截面形状成为作为目标的截面形状。200是存储部，所述存储部存储有用于表示根据晶片W的径向的截面形状而将所述截面形状来达到目标截面形状的适当的加工条件的方案(recipe)。
研磨机
研磨机20具有：上定盘21及下定盘22；太阳齿轮23，其以旋转自如的方式而被配置在上定盘21及下定盘22的中心部；内啮合齿轮24，其被配置在上定盘21及下定盘22的外周侧；游星轮板30，其被配置在上定盘21和下定盘22之间并设置有工件保持孔30A(参照图2)。另外，在上定盘21的下表面上设置有研磨部件25，而在下定盘22的上表面上设置有研磨部件26。
如图2所示，游星轮板30与太阳齿轮23及内啮合齿轮24啮合，并通过所述太阳齿轮23及内啮合齿轮24的旋转而进行自转及公转。通过该游星轮板30的自转及公转，从而被配置在游星轮板30的工件保持孔30A内的晶片W的双面被研磨部件25、26研磨。
如图1所示，上定盘21经由支承螺柱40及安装部件41而被固定在杆42上。杆42通过驱动装置M1而上下移动，并且通过杆42的上下移动而与上定盘21成为一体从而进行上下移动。
另一方面，驱动轴43的上部43A贯穿于太阳齿轮23的中心部的孔23A中，并且在该上部43A处固定有太阳齿轮23，从而太阳齿轮23与驱动轴43成为一体而旋转。驱动轴43通过驱动装置M4而进行旋转，太阳齿轮23通过驱动装置M4而以与驱动轴43成为一体的方式进行旋转。
通过驱动装置M2而旋转的驱动轴44贯穿于驱动轴43的孔内，该驱动轴44的上端部44A从驱动轴43的上端突出。在该上端部44A处固定有驱动件45，驱动件45以与驱动轴44成为一体的方式进行旋转。设置在上定盘21上的挂钩46与驱动件45的外周面卡合，从而通过驱动件45的旋转而使上定盘21一体地进行旋转。另外，挂钩46能够相对于驱动件45的外周面而在上下方向上移动，由此，上定盘21能够相对于驱动件45而上下移动。
即，上定盘21通过杆42的上下移动而上下移动，并通过驱动轴44的旋转而进行旋转。即，上定盘21通过驱动装置M2而以与驱动轴44成为一体的方式进行旋转。
在下定盘22的中心部的下部处形成有驱动轴49，并且驱动轴43以旋转自如的方式而被配置在该驱动轴49之中。驱动轴49通过驱动装置M3而旋转，下定盘22通过驱动装置M3而以与驱动轴49成为一体的方式进行旋转。
在内啮合齿轮24上形成有驱动轴47，并且驱动轴49以旋转自如的方式而被配置在该所述驱动轴47之中。驱动轴47通过驱动装置M5而旋转，内啮合齿轮24通过驱动装置M5而以与驱动轴47成为一体的方式进行旋转。
在上定盘21上，在从上定盘21的中心起在径向上隔开预定间隔的位置处形成有测量孔50。测量孔50贯穿上定盘21及研磨部件25而形成，并安装有使作为测量光的红外线激光透过的窗部件51。另外，在上定盘21上设置有供给研磨浆料的供给孔(未图示)。
形状测量装置
如图1所示，形状测量装置100具有：光学头101，其经由安装在上定盘21的测量孔50中的窗部件51而朝向晶片W照射作为测量光的红外线激光，并且接收晶片W所反射的反射光；激光振荡器102，其用于从光学头101照射红外线激光；运算装置110，其求出晶片W的径向的截面形状。另外，光学头101被设置在上定盘21上，并且与上定盘21一起进行旋转。
运算装置
运算装置110具有：厚度运算部111，其根据光学头101对反射光的接收而求出晶片W的测量厚度；位置运算部112，其根据太阳齿轮23及内啮合齿轮24的旋转位置而对被求出的晶片W的测量厚度的面内位置进行求取；截面形状运算部113，其根据厚度运算部111所求出的晶片W的测量厚度和位置运算部112所求出的面内位置而求取晶片W的径向的截面形状。
厚度运算部
厚度运算部111为例如利用光反射干涉法而进行测量的部件，其通过根据光学头101对反射光的接收而求出高速地进行波长扫描的波长可调激光在晶片W的表面上的反射强度，并根据所述反射强度来重构反射的波长色散(在晶片W的表面和背面所反射的光的干涉状态)而进行频率分析，从而求出晶片W的厚度。
位置运算部
位置运算部112根据太阳齿轮23及内啮合齿轮24的旋转位置而求出游星轮板30的位置和旋转数。也就是说，求出游星轮板30的公转位置和自转位置，并根据所述公转位置和自转位置而求出晶片W的面内位置。由此而求得测量出由厚度运算部111所求得的晶片W的测量厚度的面内位置。
截面形状运算部
截面形状运算部113根据厚度运算部111所求得的晶片W的测量厚度和位置运算部112所求得的晶片W的面内位置而求出晶片W的径向的截面形状。
晶片W的径向的截面形状能够以任意的方法而求得。在此，例如，如图5所示，在晶片W的直径为300mm的情况下，求出0～150mm的区间(晶片W的半径的量)的形状，并使该区间的形状以150mm的点为中心而镜像反转，从而求出晶片W的径向的截面形状。另外，也能够在不进行镜像反转的条件下求出0～300mm的区间(晶片W的直径的量)的形状，并将其作为晶片W的径向的截面形状。接着，根据所求得的晶片W的径向的截面形状而求出晶片W的判断形状和P-V值。晶片W的“判断形状”是指，根据晶片W的径向的截面形状的趋势而被分类的类别。将所求得的晶片W的径向的截面形状中的晶片W的半径的量的截面形状分割为任意的区间，并根据所分割的区间的截面形状的趋势而从如图5所示那样的凹凸、以及倒V字形、W字形、M字形、U字形等组合的类别中选出相符的类别，并将该类别当作晶片W的“判断形状”。如图5所示，P-V值是指，晶片W的最大测量厚度P与最小测量厚度V之差。另外，也可以通过控制装置300而求出P-V值。
控制装置
控制装置300对所求得的晶片W的径向的截面形状与作为目标的晶片W的截面形状进行比较。也就是说，对所求得的晶片W的判断形状及P-V值与作为目标的晶片W的判断形状及P-V值进行比较，并将与所述比较结果相对应的方案从存储在存储部200中的图3所示的表格1中读取，进而，将与所读取的方案相适应的加工条件从图4所示的表格2中读取，从而根据所读取的加工条件而实施各驱动装置M1～M5的驱动的控制等研磨加工的控制。此外，控制装置300也可以对运算装置110进行控制。
存储部
如图3所示，存储部200存储有表示与对所求得的晶片W的径向的截面形状和作为目标的截面形状进行比较而得到的结果相对应的最佳方案的表格1。
另外，如图4所示，在存储部200中存储有表示各个方案的加工条件的表格2。
加工条件为，上定盘21及下定盘22的旋转速度、太阳齿轮23及内齿轮24的旋转速度、上定盘21的加工负载及单位压力、负载斜度、上定盘21及下定盘22的加速时间、上定盘21及下定盘22的减速时间、游星轮板30的自转和公转的旋转速度等。
最佳的加工条件为，将所求得的晶片W的径向的截面形状能够有效地研磨加工成目标的截面形状的加工条件，并且该加工条件通过试验而预先求出。另外，在加工条件中也可加入研磨浆料的种类、供给量以及温度等。通过在研磨加工过程中改变这些加工条件，从而能够对研磨加工进行控制。
动作
接下来，基于图6～8所示的流程图而对以上述方式构成的研磨装置10的动作进行说明。
在步骤S1中，选择基本加工条件。基本加工条件是指，用于进行从晶片W的研磨加工开始起至基于后述的测量结果而实施反馈处理为止的期间的研磨加工的成为基础的加工条件。首先，根据预先设定的成为基础的基本加工条件而开始实施晶片W的研磨加工。
在步骤S2中，将晶片W填装至游星轮板30的工件保持孔30A中(参照图2)。而且，使处于避让位置的上定盘21下降，从而将晶片W夹入于下定盘22和上定盘21之间。
在步骤S3中，开始实施基于基本加工条件的双面研磨加工。
在步骤S4中，实施初始加工步骤动作。也就是说，通过由控制装置300实施的驱动装置M2、M3的控制而使上定盘21和下定盘22低速旋转，并且通过驱动装置M1的控制而使上定盘21以低负载的方式向下方按压。由此，上定盘21以低负载对晶片W进行按压。此外，通过由控制装置300实施的驱动装置M4、M5的控制而使太阳齿轮23和内啮合齿轮24低速旋转，从而游星轮板30以低速的方式进行自转和公转。
通过上定盘21及下定盘22的低速旋转和上定盘21的低负荷来研磨晶片W的双面。另外，通过游星轮板30的低速自转和公转而对晶片W的双面进行研磨。
此外，在进行研磨的期间，从设置在上定盘21上的供给孔(未图示)以预定的时间而供给研磨浆料。
当步骤S4的处理工作进行了预定时间时，向步骤S5转移。
在步骤S5中，使正在低速旋转的上定盘21及下定盘22的旋转速度逐渐提升至中速旋转。此外，上定盘21以中负载而进一步向下方被按压。由此，上定盘21以中负载而对晶片W进行按压。另外，使正在低速旋转的太阳齿轮23和内啮合齿轮24的旋转速度逐渐提升至中速旋转，从而游星轮板30以中速进行自转和公转。而且，通过上定盘21及下定盘22的中速旋转和上定盘21的中负载而对晶片W的双面进行研磨。另外，通过游星轮板30的中速自转和公转而对晶片W的双面进行研磨。而且，与步骤S4同样，当步骤S5的处理工作进行了预定时间时，向步骤S20转移。
步骤S20是实施主加工步骤处理的步骤，如图7所示，该主加工步骤处理通过步骤S21至步骤S26的处理动作、即反馈处理而被实施。以下，对步骤S21～步骤S26的处理工作进行说明。
在步骤S21中，使正在中速旋转的上定盘21和下定盘22的旋转速度逐渐提升至高速旋转。此外，上定盘21以高负载而向下方被施压。由此，上定盘21以高负载对晶片W进行按压。此外，使正在中速旋转的太阳齿轮23和内齿轮24的旋转速度逐渐提升至高速旋转，从而游星轮板30以高速进行自转和公转。而且，通过上定盘21和下定盘22的高速旋转和上定盘21的高负载而对晶片W的双面进行研磨。此外，通过游星轮板30的高速自转和公转而对晶片W的双面进行研磨。
另一方面，通过激光振荡器102来从光学头101向下方照射红外线激光，并经由测量孔50的窗口部件51照射晶片W，并且在所述晶片W的表面与背面上反射的反射光经由测量孔50的窗口部件51而射入光学头101内。
在步骤S22中，每当光学头101接收反射光时，厚度运算部111根据所接收的晶片W的表面和背面的反射光的干涉光而求出晶片W的测量厚度。另一方面，运算装置110的位置运算部112分别求出该测量厚度被求出的所述晶片W的面内位置。
运算装置110的截面形状运算部113根据厚度运算部111所求得的晶片W的各自的测量厚度和这些测量厚度被求出的晶片W的各自的面内位置而求出晶片W的径向的截面形状。即，晶片W的径向的截面形状根据晶片W的各自的面内位置的测量厚度而求出。此外，根据所求得的晶片W的径向的截面形状而求出P-V值。进而，根据所求得的晶片W的测量厚度而求出晶片W的厚度。在此，“晶片W的测量厚度”是指，所测量的每一个厚度，数据数以多数的形式而被用于截面形状的描绘中。此外，“晶片W的厚度”是指，基于所测量的晶片W的测量厚度所求得的当前时刻的晶片W测量厚度的代表值(移动平均值等)，数据数以单数的形式而被用于与目标厚度的比较中。
即，在步骤S22中，在晶片W的双面研磨加工过程中以实时的方式求出晶片W的径向的截面形状、图5所示的P-V值、晶片W的厚度等。
在步骤S221中，对所求得的晶片W的径向的截面形状和预先规定的成为基准的判断形状进行比较，从而确定所求得的晶片W的径向的截面形状符合哪一个判断形状。即，将所求得的晶片W的半径的量的截面形状分割为任意的区间、例如，分割为晶片W的外周部、内周部、外周部与内周部之间的中间周部等，并根据这些分割后的区间内的截面形状的趋势而从如图5所示那样的凹凸、以及倒V形、W形、M形状、U形等的组合的类型中将相符的类型确定为晶片W的判断形状。
在步骤S23中，对在步骤S22及步骤S221中所求得的晶片W的径向的截面形状是否达到了目标截面形状进行判断。即，对在步骤S22及步骤S221中所求得的晶片W的判断形状是否达到了目标判断形状并且P-V值是否达到了目标P-V值进行判断，如果为“否”，则向步骤S24转移。
在步骤S24中，对在步骤S22中所求得的晶片W的厚度是否为目标厚度的下限以下进行判断，由于在为目标厚度的下限以下时，晶片W可能会破损，因此在步骤S24中判断为“是”向步骤S6转移，即向使研磨加工结束的处理工序转移。
在晶片W的厚度并非为目标厚度的下限以下的情况下，在步骤S24中判断为“否”而向步骤S25转移。
在步骤S25中，控制装置300对在步骤S22及步骤S221中所求得的晶片W的径向的截面形状与作为目标的晶片W的截面形状进行比较，并从存储在存储部200的表格1(参照图3)中读取基于该比较而得到的结果的方案，并且从表格2(参照图4)中读取该已读取的方案所示的加工条件，并根据该已读取的加工条件而对各驱动装置M～M5的驱动等进行控制。而且，返回至步骤S22。
在步骤S22中，再次，如上述那样求出晶片W的径向的截面形状，即求出晶片W的判断形状、P-V值等。由于直至所求得的晶片W的径向的截面形状达到目标截面形状为止反复进行步骤S22至步骤S25的处理工作，并且在晶片W的双面被研磨的同时，也根据晶片W的径向的截面形状而改变加工条件(方案)，因此能够将晶片W的径向的截面形状可靠地研磨成目标截面形状。
当晶片W的径向的截面形状达到了目标截面形状时，在步骤S23中判断为“是”并向步骤S26转移。
在步骤S26中，对晶片W的厚度是否为目标厚度的上限以下进行判断，如果为“否”则返回至步骤S21，并且直至晶片W的厚度成为目标厚度的上限以下为止而反复实施步骤S21至步骤S26的处理工作。当晶片W的厚度成为目标厚度的上限以下时，判断为“是”并向步骤S6转移。
在步骤S6中，实施减速加工步骤工作。即，通过由控制装置300实施的驱动装置M1～M5的控制而使正在高速旋转的上定盘21及下定盘22、太阳齿轮23、内齿轮24减速至中速旋转，并且，使由上定盘21施加的向下方的负载减少至中负载。当步骤S6的处理工作进行了预定时间时，向步骤S7转移。
在步骤S7中，实施纯水清洗的步骤工作。即，从设置在上定盘21上的供给孔供给纯水，并且使上定盘21及下定盘22、太阳齿轮23、内齿轮24减速至低速旋转。另外，由上定盘21施加的向下方的负载减小至低负载。而且，晶片W的双面被纯水洗涤。当步骤S7的处理工作进行了预定时间时，向步骤S8转移并结束加工运行。
在步骤S9中，使上定盘21上升并回收已研磨的晶片W，在步骤S10中，通过外部测量装置而对晶片W的截面形状进行测量。
如上文所述，由于在研磨加工过程中对晶片W的截面形状进行测量，并以使该截面形状成为目标的截面形状的方式而改变加工条件(方案)，因此能够有效地将晶片W研磨加工成目标的截面形状。另外，如上文所述，由于能够在步骤S24中进行与目标厚度的比较，因此能够可靠地防止研磨过度而产生的不良品。
另外，由于对晶片W的截面形状进行测量，并根据截面形状而改变加工条件，因此能够防止晶片W只有一部分过于变薄或者过于变厚的情况。进而，能够在研磨加工过程中掌握晶片W的截面形状是否被加工成目标截面形状的同时，进行研磨加工，并且由于能够在并未形成目标截面形状时在研磨加工过程中改变加工条件，因此能够恒常不变地获得具有目标的截面形状的晶片W。
第二实施例
图8表示第二实施例的流程图。在该第二实施例中，设置有在步骤S5之后实施主加工步骤处理1的步骤S20'和实施主加工步骤处理2的步骤S30。
虽然步骤S20'的主加工步骤处理1为实施图7所示的步骤S21至步骤S26的处理的步骤，但是将步骤S23的“到达目标截面形状”变更为“到达第一目标截面形状”。该第一目标截面形状表示到达目标截面形状的前阶段的截面形状。由于其他内容与第一实施例相同，因此省略其说明。
由于步骤S30的主加工步骤处理2实施与图7所示的步骤S21至步骤S26相同的处理工作，因此省略其说明。
根据该第二实施例，由于通过设置了步骤S20'、S30而能够以分为多个阶段的方式来研磨加工成目标的截面形状，因此能够将晶片W的截面形状更加可靠地研磨成目标的截面形状。也就是说，能够更加可靠地防止过度研磨晶片W而产生的不良品，并且能够可靠地防止晶片W只有一部分过于变薄或者过于变厚的情况。进而，能够在研磨加工过程中掌握晶片W的截面形状是否加工成目标的截面形状的同时，进行研磨加工，并且由于能够在并未形成目标的截面形状时在研磨加工过程中改变加工条件，因此能够恒常不变地获得具有目标的截面形状的晶片W。
虽然在上述实施例中在上定盘21上设置测量孔50，但是也可以在下定盘22上设置测量孔，以从下方向晶片W的下表面照射红外线激光而对晶片W的截面形状进行测量。
此外，虽然对使用一个游星轮板30来研磨一个晶片W的情况进行了说明，但是也能够应用于将多个游星轮板30配置在上定盘21与下定盘22之间而同时研磨多个晶片W的情况、或者在一个游星轮板上设置多个晶片W的情况。
另外，虽然在上述实施例中，光学头101被设置在上定盘21上，但是也可以采用如下方式，即，将光学头设置于从上定盘21的中心起向径向离开了预定距离的位置处的上方，从而通过上定盘21的旋转而在每次测量孔50旋转至光学头的正下方时从光学头照射的红外线激光经由窗部件51而照射晶片W，由此对晶片W的截面形状进行测量。虽然测量孔50只需为至少一个即可，但是也可以沿着上述的离开了预定距离的位置处的圆周方向而以等间隔的方式形成多个。在形成多个测量孔50的情况下，在各个测量孔50中安装有窗部件51。
虽然上述实施例均对研磨晶片W的双面的研磨装置进行了说明，但是也能够应用于只研磨晶片W的单面的研磨装置。
此外，虽然在上述实施例中在步骤S20、S20'、S30时实施步骤S21至步骤S26的处理工作，但是并不限于此，在实施其他的加工步骤时也可以进行与步骤S21至步骤S26相同的处理工作。另外，虽然在上述实施例中对研磨硅晶片的情况进行了说明，但是并不限于此，只需为玻璃、陶瓷、水晶等的薄板状的工件即可。
本发明并不限于上述实施例，只要不脱离专利的申请范围内的各权利要求所涉及的发明的主旨，则允许进行设计的变更或追加等。
符号说明
10 研磨装置；
20 研磨机；
21 上定盘(定盘)；
22 下定盘(定盘)；
50 测量孔；
100 形状测量装置；
101 光学头；
111 厚度运算部；
112 位置运算部；
113 截面形状运算部；
200 存储部；
300 控制装置；
W 晶片(工件)。
Claims (3)
1.一种研磨装置，利用具有能够旋转的定盘的研磨机来研磨工件，所述研磨装置的特征在于，具备：
形状测量装置，其对研磨加工过程中的所述工件的截面形状进行测量；
控制装置，其根据该测量装置所测量出的工件的截面形状而对研磨加工进行控制，以使该截面形状成为目标截面形状，
所述控制装置在所述形状测量装置所测量出的工件的截面形状未达到所述目标截面形状的情况下，根据所述工件的截面形状来改变表示用于达到所述目标截面形状的适当的加工条件的方案，并且基于改变后的方案的加工条件而对研磨加工进行反复控制，在所述形状测量装置所测量出的工件的截面形状达到了所述目标截面形状的情况下且在所述工件的厚度并非为目标厚度的上限以下时，不改变所述方案而对研磨加工进行反复控制，在所述形状测量装置所测量出的工件的截面形状达到了所述目标截面形状的情况下且在所述工件的厚度为目标厚度的上限以下时，不改变所述方案而对研磨加工的下一个加工动作进行控制。
2.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于：
具备存储部，所述存储部存储有所述方案；
所述控制装置在基于改变后的方案的加工条件来控制研磨加工时，根据所述形状测量装置所测量出的工件的截面形状而从所述存储部读取方案，并且根据该读取出的方案的加工条件而对研磨加工进行控制。
3.如权利要求1或者2所述的研磨装置，其特征在于：
所述形状测量装置具有：
光学头，其经由设置在所述定盘上的测量孔而朝向所述工件照射测量光并且接收该工件所反射的反射光；
厚度运算装置，其根据光学头所接受的反射光来求出所述工件的测量厚度；
位置运算装置，其对被求出的所述工件的测量厚度的面内位置进行求取；
截面形状运算装置，其根据所述厚度运算装置所求得的所述工件的测量厚度和所述位置运算装置所求得的面内位置而求出所述工件的截面形状。
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