TW201511884A - 晶圓的雙面硏磨方法及雙面硏磨系統 - Google Patents

Abstract

本發明是一種晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨系統，該雙面研磨方法使用複數個雙面研磨裝置來雙面研磨晶圓，該雙面研磨裝置以貼附有研磨布之上轉盤和下轉盤來夾入載具所保持的晶圓，並使載具進行自轉及公轉，且供給研磨劑，一邊以使用了波長可變紅外線雷射的光反射干涉法來測定晶圓的厚度，一邊同時地研磨晶圓的雙面，該雙面研磨方法的特徵在於：一邊將複數個雙面研磨裝置各自所使用的波長可變紅外線雷射，以自一個雷射光源切換至作為照射目標的雙面研磨裝置的方式來進行照射，一邊測定晶圓的厚度，且將該晶圓雙面研磨至目標厚度為止。藉此，在一邊使用波長可變紅外線雷射來測定晶圓的厚度，一邊進行的雙面研磨中，特別是在不會降低電阻率小的晶圓的厚度測定的精度的情況下，仍可達成設備成本的降低。

Description

晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨系統

本發明關於一邊測定晶圓的厚度一邊同時地研磨晶圓的雙面的雙面研磨方法。

伴隨半導體電線寬的微小化，對於其基板也就是半導體晶圓所要求的平坦度變得越來越嚴格。其中，在研磨大直徑晶圓時，取代以往的單面研磨而採用加工精度優良的雙面研磨方式。

此處的雙面研磨裝置，是如第8圖所示的行星齒輪式的雙面研磨裝置和如第9圖所示的搖動式的雙面研磨裝置。行星齒輪式的雙面研磨裝置具有上轉盤(上平板)和下轉盤(下平板)，上轉盤可上下移動來將上轉盤向下轉盤推壓，藉此能夠對被夾在上轉盤和下轉盤間的晶圓施加荷重。又，如第8圖所示，雙面研磨裝置101，具有被設置在下轉盤內側之太陽齒輪107、及被設置在下轉盤外側之內齒輪108。

又，在上轉盤和下轉盤間有用以保持晶圓之載具105，載具105的外周部能夠與太陽齒輪和內齒輪嚙合以進行旋轉。此載具對應於太陽齒輪和內齒輪的旋轉數在上轉盤和下轉盤間做自轉且繞著太陽齒輪做公轉。被研磨物也就是晶 圓被插入且保持在此載具所設置的保持孔106內，藉此，以不會在研磨中自雙面研磨裝置飛出的方式而被研磨。

另一方面，如第9圖所示，搖動式的雙面研磨裝置111，將載具105配置於作旋轉的上轉盤和下轉盤之間，該載具105用以保持晶圓，且使載具105不進行自轉而是進行圓周運動來研磨晶圓。

相較於搖動式的雙面研磨裝置，行星齒輪式的雙面研磨裝置，能夠將載具的自轉數及公轉數設為較高，其結果為能夠促進研磨中的晶圓的自轉運動，相較於搖動式研磨機能夠研磨出平坦度更高的晶圓。因此，近年的雙面研磨裝置是以行星齒輪式的雙面研磨機作為主流。

此處，可知於行星齒輪式的雙面研磨裝置中，研磨後的晶圓的平坦度，是依照研磨結束時的晶圓厚度亦即晶圓的完工厚度(精加工後的厚度)與載具厚度的關係而改變。例如，相對於載具的厚度，如果完工厚度越厚，則由於研磨荷重所造成的晶圓朝向研磨布沉入的影響，晶圓外周部的壓力相較於中央部會變高。其結果，會促進晶圓外周部的研磨而使得外周部變得比中心部更薄，而容易發生所謂的外周塌邊且使得整體形狀變成凸形狀。

相反的，相對於載具的厚度，如果完工厚度越薄，則因為載具緩和了晶圓朝向研磨布沉入的影響也就是所謂的保持器效果(retainer effect)，外周部的壓力相較於中央部會變小。其結果，使得晶圓外周部變得比中心部更厚，而容易發生所謂的外周翹起且使得整體形狀變成凹形狀。

因此，為了研磨出平坦度高的晶圓，相對於載具(carrier)的厚度，必須將晶圓精加工成最適當的厚度。

以往，為了將晶圓精加工成最適當的厚度，必須在研磨前後，根據晶圓厚度與研磨花費時間來計算出研磨速度，並將研磨速度作為相對於研磨條件的預想研磨速度，加以累積。基於此累積的預想研磨速度，來預想現在要開始實施的研磨的研磨速度，且利用將必要的研磨量除以此預想的研磨速度所得到的研磨時間來進行研磨。因此，如果有例如由於研磨布的經常變化所造成的研磨速度的變動等，則目標的晶圓厚度與實際的晶圓厚度會產生偏差，而作出平坦度不良的晶圓。

又，因為必須預先累積在各樣的研磨條件下的預想研磨速度，所以十分耗費成本，且在沒有現在要開始實施的研磨的研磨條件下的預想研磨速度的情況，就只能夠大概預想研磨速度，其結果，使得目標的晶圓厚度與實際的晶圓厚度的偏差變大，而容易得到平坦度不良的晶圓。

因此，如第7圖所示，使用一種具備厚度測定手段102之雙面研磨裝置101，該厚度測定手段102在研磨中於原處(in-situ)測定晶圓W的厚度，藉此就不會受到例如由於研磨布的經常變化所造成的研磨速度的變動的影響，而能夠將晶圓精加工成想要的厚度。其結果，能夠一直研磨出高平坦度的晶圓(參照專利文獻1)。

[先前技術文獻]

(專利文獻)

專利文獻1：日本特開2010-34462號公報

但是，如果要將第7圖所示的使用了波長可變紅外線雷射之厚度測定手段102設置在全部的雙面研磨裝置上，則有投資負擔非常大的問題。特別是厚度測定手段102的雷射光源103的價格很高，所以也考慮到利用分光器來將來自雷射光源103的雷射光分割成複數條光束，以供複數個雙面研磨裝置同時使用的方法，但是此場合，隨著被送至各個雙面研磨裝置的各個雷射光的光量降低，特別是關於厚度厚的晶圓或不純物濃度比較高的也就是電阻率小的晶圓，就不能得到充分強度的反射信號，而有不能夠正確地進行厚度測定的問題

本發明是鑒於前述問題而作成，目的在於提供一種晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨系統，在一邊使用波長可變紅外線雷射來測定晶圓的厚度一邊進行研磨的雙面研磨中，特別是電阻率小的晶圓的厚度測定的精度不會降低，並可達成設備成本的減低。

為了達成上述目的，依照本發明，提供一種晶圓的雙面研磨方法，其使用複數個雙面研磨裝置來雙面研磨晶圓，該雙面研磨裝置以貼附有研磨布之上轉盤和下轉盤來夾入載具所保持的前述晶圓，並使前述載具進行自轉及公轉，且供給研磨劑，一邊以使用了波長可變紅外線雷射的光反射干涉法 來測定前述晶圓的厚度，一邊同時地研磨前述晶圓的雙面，該晶圓的雙面研磨方法的特徵在於：一邊將前述複數個雙面研磨裝置各自所使用的前述波長可變紅外線雷射，以自一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置的方式來進行照射，一邊測定前述晶圓的厚度，且將該晶圓雙面研磨至目標厚度為止。

又，依照本發明，提供一種晶圓的雙面研磨系統，其使用複數個雙面研磨裝置來雙面研磨晶圓，該雙面研磨裝置以貼附有研磨布之上轉盤和下轉盤來夾入載具所保持的晶圓，並使前述載具進行自轉及公轉，且供給研磨劑，一邊以使用了波長可變紅外線雷射的光反射干涉法來測定前述晶圓的厚度，一邊同時地研磨前述晶圓的雙面，該雙面研磨系統的特徵在於：具有一個雷射光源和雷射路徑切換器，該雷射路徑切換器將雷射光自該一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置，一邊藉由前述雷射路徑切換器，將前述複數個雙面研磨裝置各自所使用的前述波長可變紅外線雷射，以自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置的方式來進行照射，一邊測定前述晶圓的厚度，且將該晶圓雙面研磨至目標厚度為止。

依照這種雙面研磨方法及雙面研磨系統，使複數個雙面研磨裝置共有高價的雷射光源，藉此能夠大幅地降低設備成本，並且能夠以不會降低精度的方式測定晶圓的厚度且將晶圓雙面研磨至目標厚度為止。

此時，較佳是將前述波長可變紅外線雷射的波長設 為1000nm~1700nm。

這樣，波長可變紅外線雷射對於晶圓能夠光學透過，所以能夠解析晶圓表面的反射光譜，藉此能夠高精度地測定研磨中的晶圓的厚度。

又，較佳是自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，以每隔固定時間，較佳是每隔1秒以上且60秒以下，由前述複數個雙面研磨裝置當中依序選擇切換目標(要進行照射的雙面研磨裝置)。

這樣，利用一個雷射光源能夠切換至更多的雙面研磨裝置，而能夠降低設備成本。

又，較佳是自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，在前述複數個雙面研磨裝置各自中，以測定前述晶圓的厚度的次數成為每分鐘2次以上的方式來進行切換。

這樣，能夠確實地以不會降低精度的方式來測定晶圓的厚度。

在本發明中，於使用複數個雙面研磨裝置來進行晶圓的雙面研磨中，一邊將複數個雙面研磨裝置各自所使用的波長可變紅外線雷射，以自一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置的方式來進行照射，一邊測定晶圓的厚度，且將該晶圓雙面研磨至目標厚度為止，所以使複數個雙面研磨裝置共有高價的雷射光源，藉此能夠大幅地降低設備成本，並且能夠以不會降低精度的方式來測定晶圓的厚度而 將晶圓雙面研磨至目標厚度為止。

1‧‧‧雙面研磨裝置

1’‧‧‧雙面研磨裝置

2‧‧‧上轉盤

3‧‧‧下轉盤

4‧‧‧研磨布

5‧‧‧載具

6‧‧‧保持孔

7‧‧‧太陽齒輪

20‧‧‧厚度測定手段

21‧‧‧雷射光源

22‧‧‧光學單元

22’‧‧‧光學單元

23‧‧‧雷射路徑切換器

24‧‧‧厚度測定用電腦

101‧‧‧雙面研磨裝置

105‧‧‧載具

8‧‧‧內齒輪

9‧‧‧貫通孔

10‧‧‧噴嘴

11‧‧‧孔

12‧‧‧控制單元

106‧‧‧保持孔

107‧‧‧太陽齒輪

108‧‧‧內齒輪

111‧‧‧雙面研磨裝置

W‧‧‧晶圓

第1圖是本發明的晶圓的雙面研磨方法的一例的流程圖。

第2圖是具有本發明的晶圓的雙面研磨方法所使用的複數個雙面研磨裝置和厚度測定手段之雙面研磨系統的概略圖。

第3圖是第2圖所示的雙面研磨裝置的放大圖。

第4圖是表示根據實施例中的晶圓的研磨中的晶圓厚度的測定結果，利用最小平方法所求得的近似線的圖。

第5圖是表示根據比較例中的晶圓的研磨中的晶圓厚度的測定結果，利用最小平方法所求得的近似線的圖。

第6圖是表示在實施例及比較例中的研磨後的晶圓厚度的相對頻率和累積相對頻率的圖。

第7圖是以往的雙面研磨方法所使用的雙面研磨裝置和雷射光源的概略圖。

第8圖是表示一般的行星齒輪式的雙面研磨裝置的概略圖。

第9圖是表示一般的搖動式的雙面研磨裝置的概略圖。

以下，針對本發明來說明實施形態，但是本發明不受限於此實施形態。

首先，針對本發明的晶圓的雙面研磨方法所使用的具備複數個雙面研磨裝置及厚度測定手段之雙面研磨系統來進行 說明。在本發明中，如第2圖所示，在雙面研磨晶圓時，複數個雙面研磨裝置1、1’共有(共用)厚度測定手段20的雷射光源21。

如第3圖所示，雙面研磨裝置1具有圓筒形的上轉盤2及下轉盤3，研磨布4以各個的研磨面呈對向的方式貼附在上轉盤2和下轉盤3上。此處，研磨布4是將胺酯樹脂含浸於不織布中而成、或是胺酯發泡體等。太陽齒輪7安裝在下轉盤的內側，內齒輪8安裝在下轉盤的外側。上轉盤2、下轉盤3和太陽齒輪7、內齒輪8，具有相同的旋轉中心軸，且繞著該軸彼此獨立地進行旋轉運動。

載具5上設置有用以保持晶圓W之保持孔6，複數個載具5被夾在上轉盤2和下轉盤3之間。在一個載具5上設置複數個保持孔6，以在每個批次能夠研磨複數個晶圓W。又，載具5，分別與太陽齒輪7及內齒輪8嚙合，且對應於太陽齒輪7及內齒輪8的旋轉數，在上轉盤和下轉盤間做自轉及繞著太陽齒輪7做公轉。

又，為了利用厚度測定手段20來測定研磨中的晶圓厚度，在上轉盤2側設置有複數個孔11。厚度測定手段20，具有雷射光源21；光學單元22、22’，其將波長可變紅外線雷射照射至晶圓W；光偵測器(未圖示)，其檢測自晶圓W反射的反射光；及，厚度測定用電腦24，其根據檢測出來的反射光來計算晶圓厚度並控制厚度測定。

自一個雷射光源21發射的波長可變紅外線雷射，能夠通過孔11而被照射至被夾在上轉盤和下轉盤間的內面的晶 圓W，且分析自晶圓W反射的光來得到晶圓W的厚度。再者，具備雷射路徑切換器23，能夠在複數個雙面研磨裝置1、1’中使用同一個雷射光源21依序進行研磨中的晶圓的厚度的測定。

以下，使用第1圖~第3圖來更具體說明本發明的晶圓的雙面研磨方法。

如上述，研磨後的晶圓平坦度會隨著載具與晶圓厚度的差異而改變，所以基於實際的研磨所得到的晶圓厚度及平坦度的資訊，預先將最適當的目標厚度(完工厚度)設定在厚度測定手段20中(第1圖的(A))。

接著，一邊測定晶圓的厚度，一邊使用複數個雙面研磨裝置來開始研磨(第1圖的(B))。具體來說，如第3圖所示，首先，將晶圓W插入且保持在各個雙面研磨裝置1、1’的載具5的保持孔6中。之後，使上轉盤2下降，以將晶圓W及載具5夾入(間夾)且施加研磨荷重。一邊經由在上轉盤2所設置的貫通孔9，將自噴嘴10供給的研磨劑流入上轉盤和下轉盤間，一邊使上轉盤2和下轉盤3彼此往反方向進行旋轉，藉此來開始晶圓W的雙面研磨。

此處，研磨荷重、轉盤旋轉數、載具自轉和公轉數，是利用各個雙面研磨裝置1、1’所設置的控制單元12來進行控制。

在晶圓W的研磨中，一邊將複數個雙面研磨裝置1、1’各自所使用的波長可變紅外線雷射，以自一個雷射光源21切換至作為照射目標的雙面研磨裝置1、1’的方式來進行照射， 一邊測定晶圓W的厚度。

波長可變紅外線雷射的照射目標的切換，例如能夠藉由如第2圖所示的厚度測定手段20的雷射路徑切換器23來進行。

此處，所謂的切換波長可變紅外線雷射的照射目標亦即切換雙面研磨裝置，不是使用例如分光器來將波長可變紅外線雷射分割成複數條光束，而是指自複數個雙面研磨裝置1、1’當中任意選擇一台雙面研磨裝置作為照射目標，且將波長可變紅外線雷射僅照射至該選擇的雙面研磨裝置。然後，在選擇的雙面研磨裝置進行晶圓厚度測定以後，藉由雷射路徑切換器23進行切換，以將雷射的照射目標變成其他的雙面研磨裝置來進行晶圓厚度測定。

此時，在被選擇作為波長可變紅外線雷射的照射目標的雙面研磨裝置中，如第1圖所示，將厚度測定控制設為有效，如上述，使用自厚度測定手段20的雷射光源21所發射的波長可變紅外線雷射來測定晶圓W的厚度(第1圖的(C))。又，對於被選擇作為波長可變紅外線雷射的照射目標的雙面研磨裝置以外之雙面研磨裝置，將厚度測定控制設為無效，且以預先設定的時間繼續研磨(第1圖的(D))。

在此晶圓W的厚度測定結果到達預先設定的目標厚度的時點，自厚度測定手段20經由控制單元12朝向雙面研磨裝置1傳送研磨停止信號以使研磨結束(第1圖的(E))。

若是本發明的這種雙面研磨方法，不會招致雷射光的光量降低，而能夠將波長可變紅外線雷射照射至任意一台雙面 研磨裝置，且即使是在研磨電阻率小的晶圓的情況，在複數個雙面研磨裝置中也能夠精度良好地測定晶圓的厚度，而能夠得到目標厚度的晶圓。又，使複數個雙面研磨裝置共有在厚度測定手段中特別高價的雷射光源，藉此能夠大幅地降低設備成本。

此處，以波長可變紅外線雷射對於晶圓能夠光學透過的方式，較佳為將波長設定成1000nm~1700nm。這樣，能夠解析在晶圓表面的反射光譜(在晶圓表面和背面反射的光的干涉的狀態)，藉此能夠高精度地測定在研磨中的晶圓的厚度。

又，自一個雷射光源對於作為照射目標的雙面研磨裝置進行切換時，以每隔固定時間，由複數個雙面研磨裝置當中依序選擇切換目標，藉此，研磨中的晶圓的厚度測定的精度不會降低，且利用一個雷射光源便能夠切換至更多的雙面研磨裝置，能夠降低設備成本。此處，若是將進行切換時的固定時間設為1秒以上且60秒以下，則由於能夠更確實地進行晶圓厚度的正確測定，因而較佳，但是也能夠對應於轉盤旋轉數或載具自轉和公轉數等的研磨條件來適當決定。

在切換波長可變紅外線雷射的照射目標時的切換目標的選擇或切換間隔等排程，能夠在如第2圖所示的厚度測定手段20的厚度測定用電腦24中預先設定以進行控制。

此時，較佳是在複數個雙面研磨裝置各自中，將測定晶圓的厚度的次數設為以每分鐘兩次以上的方式進行切換。這樣，能夠確實地以不會降低精度的方式來測定晶圓的厚度。

例如，將自研磨開始至研磨結束的區間預先分割成 複數個研磨步驟，如第1圖所示，在各個雙面研磨裝置中，能夠設定成會在每個研磨步驟判斷是否為波長可變紅外線雷射的照射目標，亦即是否要計測厚度(第1圖的(F))。又，此時，能夠在每個研磨步驟中設定目標厚度，在該研磨步驟中一邊進行厚度測定，一邊將進行研磨的時間設定成會使研磨中的晶圓厚度到達每個該研磨步驟的目標厚度(第1圖的(H))。

研磨中的晶圓W的厚度是否到達預先設定的目標厚度的判斷，除了將利用厚度測定手段20所測定的厚度與目標厚度進行比較的方法以外，例如，能夠將厚度測定所得到的複數個測定值作為縱軸，將研磨時間作為橫軸，算出藉由最小平方法所得到的近似線且藉由計算求得測定值的偏差的中心附近的厚度，以算出此近似線上的現在的研磨時間的對應厚度來作為推定厚度(第1圖的(G))。在算出此近似線的方法中，能夠使厚度測定的精度更加提高。

進而，為了提高厚度測定的精度，較佳為利用最小平方法來求得近似線時的厚度測定資料數最少是20點以上，且近似線與測定值的差分的誤差(標準偏差)是0.5μm以內。

在本發明中，複數個雙面研磨裝置共有雷射光源，相較於不共有雷射光源的以往方法，雖然厚度測定次數減少，但是基於這樣實測的厚度，且藉由所算出的推定厚度來判定研磨結束(研磨完成)，藉此能夠更確實地進行高精度的厚度測定。

在第2圖所示的例子中，在兩台雙面研磨裝置間切 換來自一個雷射光源的雷射照射，但是不受限於此，也可以在三台雙面研磨裝置間進行切換。又，各個雙面研磨裝置，能夠各自使用一台厚度測定用電腦24，也可以利用一台厚度測定用電腦24來實施各個雙面研磨裝置的厚度測定的控制。

以下，表示本發明的實施例及比較例以更具體說明本發明，但是本發明不受限於這些例子。

(實施例)

使用如第2圖所示的雙面研磨系統，其具備兩台雙面研磨裝置和一個雷射光源，並遵照本發明的晶圓的雙面研磨方法，對於直徑300mm、完工目標厚度775μm的矽晶圓進行雙面研磨，並評價此時的研磨後的晶圓的厚度。

此處，作為厚度測定手段的雷射路徑切換器23，使用AC Photonics公司製造的「1×2 Mechanical Fiberoptic Switch(商品名稱)」。又，每隔5秒依序切換作為照射目標的雙面研磨裝置。

晶圓厚度是否到達目標厚度的判斷，是將藉由厚度測定所得到的複數個測定值作為縱軸，將研磨時間作為橫軸，根據測定值藉由最小平方法以求得近似線，且在此近似線上的對應於現在的研磨時間的厚度到達目標厚度的時點結束研磨。

(比較例)

除了使用第7圖所示的具有厚度測定手段之一台雙面研磨裝置以外，以與實施例同樣的條件來進行雙面研磨矽晶圓，並同樣地進行評價。

將實施例的研磨中的厚度推移的結果表示在第4圖，同樣地，將比較例的結果表示在第5圖。如果比較第4圖與第5圖，則可知在實施例中為了在2台的雙面研磨裝置間切換來自一個雷射光源的雷射照射目標，所以相較於比較例，實施例的厚度測定點數更少。

在第6圖中，表示研磨後的晶圓厚度的相對頻率和累積相對頻率的結果。如第6圖所示，即使相較於比較例，實施例的測定次數較少，還是能夠以與比較例同等的分布來得到目標厚度775μm的晶圓，而確認能夠兼顧成本減低與研磨精度。

另外，本發明不受限於上述實施形態。上述實施形態是例示，凡是與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想實質上具有相同構成，並發揮同樣作用效果者，無論何者都包含在本發明的技術領域中。

Claims (14)

1. 一種晶圓的雙面研磨方法，其使用複數個雙面研磨裝置來雙面研磨晶圓，該雙面研磨裝置以貼附有研磨布之上轉盤和下轉盤來夾入載具所保持的前述晶圓，並使前述載具進行自轉及公轉，且供給研磨劑，一邊以使用了波長可變紅外線雷射的光反射干涉法來測定前述晶圓的厚度，一邊同時地研磨前述晶圓的雙面，該晶圓的雙面研磨方法的特徵在於：一邊將前述複數個雙面研磨裝置各自所使用的前述波長可變紅外線雷射，以自一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置的方式來進行照射，一邊測定前述晶圓的厚度，且將該晶圓雙面研磨至目標厚度為止。
2. 如請求項1所述的晶圓的雙面研磨方法，其中，將前述波長可變紅外線雷射的波長設為1000nm~1700nm。
3. 如請求項1所述的晶圓的雙面研磨方法，其中，自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，以每隔固定時間，由前述複數個雙面研磨裝置當中依序選擇切換目標。
4. 如請求項2所述的晶圓的雙面研磨方法，其中，自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，以每隔固定時間，由前述複數個雙面研磨裝置當中依序選擇切換目標。
5. 如請求項3所述的晶圓的雙面研磨方法，其中，將前述固定時間設為1秒以上且60秒以下。
6. 如請求項4所述的晶圓的雙面研磨方法，其中，將前述固定時間設為1秒以上且60秒以下。
7. 如請求項1~6的任一項所述的晶圓的雙面研磨方法，其中，自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，在前述複數個雙面研磨裝置各自中，以測定前述晶圓的厚度的次數成為每分鐘2次以上的方式來進行切換。
8. 一種晶圓的雙面研磨系統，其使用複數個雙面研磨裝置來雙面研磨晶圓，該雙面研磨裝置以貼附有研磨布之上轉盤和下轉盤來夾入載具所保持的前述晶圓，並使前述載具進行自轉及公轉，且供給研磨劑，一邊以使用了波長可變紅外線雷射的光反射干涉法來測定前述晶圓的厚度，一邊同時地研磨前述研磨晶圓的雙面，該晶圓的雙面研磨系統的特徵在於：具有一個雷射光源和雷射路徑切換器，該雷射路徑切換器將雷射光自該一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置，一邊藉由前述雷射路徑切換器，將前述複數個雙面研磨裝置各自所使用的前述波長可變紅外線雷射，以自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置的方式來 進行照射，一邊測定前述晶圓的厚度，且將該晶圓雙面研磨至目標厚度為止。
9. 如請求項8所述的晶圓的雙面研磨系統，其中，前述波長可變紅外線雷射的波長是1000nm~1700nm。
10. 如請求項8所述的晶圓的雙面研磨系統，其中，自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，以每隔固定時間，由前述複數個雙面研磨裝置當中依序選擇切換目標。
11. 如請求項9所述的晶圓的雙面研磨系統，其中，自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面研磨裝置時，以每隔固定時間，由前述複數個雙面研磨裝置當中依序選擇切換目標。
12. 如請求項10所述的晶圓的雙面研磨系統，其中，前述固定時間是1秒以上且60秒以下。
13. 如請求項11所述的晶圓的雙面研磨系統，其中，前述固定時間是1秒以上且60秒以下。
14. 如請求項8~13的任一項所述的晶圓的雙面研磨系統，其中，自前述一個雷射光源切換至作為照射目標的前述雙面 研磨裝置時，在前述複數個雙面研磨裝置各自中，以測定前述晶圓的厚度的次數成為每分鐘2次以上的方式來進行切換。