TWI602644B - 在研磨期間使用攝影機的反射量測 - Google Patents

在研磨期間使用攝影機的反射量測 Download PDF

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    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Description

在研磨期間使用攝影機的反射量測
本發明一般涉及在化學機械研磨時，光學監控基板。
積體電路通常藉由在矽晶圓上相繼沈積導體、半導體、或絕緣層而形成於基板上。一個製造步驟涉及沈積一填料層於一非平面表面上及平坦化該填料層。對特定應用而言，該填料層被平坦化直到一圖案層的頂表面被暴露。一導電填料層，例如，可以被沈積於一圖案絕緣層之上以填滿該絕緣層中的溝槽或孔洞。在平坦化之後，剩餘在該絕緣層凸起的圖案間之金屬層的部分形成在基板上薄膜電路間提供導電通路的通孔(Vias)、插座(Plugs)、及接線(Lines)。對其他應用而言，例如氧化物研磨，該填料層被平坦化直到一預定厚度被留在該非平面表面上。此外，基板表面的平坦化通常是需要光刻。
化學機械研磨(CMP)是一個可接受的平坦化方法。此平坦化方法通常需要基板被安裝於載體或研磨頭上。該基板被暴露的表面通常被抵著旋轉研磨墊放置。承載頭提供了 在該基板上可控制的負載以將其推抵該研磨墊。研磨的研磨漿通常被供應給研磨墊的表面。
在漿分配上的變化，研磨墊狀況、研磨墊與基板間的相對速度、及在該基板上的負載，可造成材料去除率的不同。這些變化，以及被研磨的層之初始厚度的變化，造成達到研磨終點所需要之時間的變化。因此，僅根據研磨時間決定研磨終點會導致基板的過度研磨或研磨不及。各種原位監控(in-situ monitoring)技術，例如光學或渦(電)流監控，可被用以偵測研磨終點。
化學機械研磨(CMP)的一個問題是導電的殘留物。例如，在製造導電通孔、插座及接線時，該導電填料層應被研磨直到其完全地被自該下方圖案層的頂表面移除。否則，剩餘的任意導電的殘留物可造成短路或其他缺陷。避免殘留物的一個技術是過度研磨該基板，如，持續研磨超過所偵測的研磨終點。
一般而言，在一個態樣中，一基板研磨系統包括一平臺以支撐一研磨表面、一承載頭配置以在研磨時，抵著該研磨表面把持一基板、一光源配置以導引一光束至該基板的一表面上、一偵測器包括偵測元件的一陣列、及一控制器。該偵測器被配置以偵測該光束自該表面之一區域的反射，且被配置以產生具有其像素代表該基板上具有長度小於0.1mm的區域之圖像。該控制器被配置以接收該圖像且基於該圖像偵測金屬層自基板上的下層清除。
實施可包含一或更多個下列特徵。該偵測器可為一線掃描(linescan)攝影機。該偵測器可被配置使得該圖像具有其像素代表該基板上具有寬度小於0.1mm的區域。該區域可為介於2mm及30mm長。該偵測器可包括至少1024個偵測元件。該偵測器可被配置以操作於至少5kHz的一框率。一鏡可反射該光束。該鏡可被配置於在該基板與該偵測器間的光路徑中的一點。該光源可被配置使得該光束以自垂直於該基板的表面之一軸以非0角度α被導引向該基板。該角度α是介於20°及30°之間。
實施可選擇性地包括一或更多個以下優點。該化學機械處理的控制可被改進。研磨終點可被更精確偵測，且在基板不同區域的研磨率之控制可被實施。金屬清除可被以改良的晶圓內和晶粒內均勻(within-wafer and within-die uniformity)而實施。
一或更多實施例的細節於隨附圖示及以下詳細描述中闡述。其他態樣、特徵及優點自詳細描述及圖示、與隨附申請專利範圍中將為顯而易見的。
10‧‧‧基板
12‧‧‧下層
100‧‧‧化學機械研磨設備
110‧‧‧研磨墊
112‧‧‧外部研磨層
114‧‧‧背托層
118‧‧‧窗
120‧‧‧盤狀平臺
121‧‧‧馬達
122‧‧‧模組
124‧‧‧傳動軸
125‧‧‧軸
130‧‧‧埠
132‧‧‧研磨液
140‧‧‧承載頭
142‧‧‧固定環
144‧‧‧膜
146a‧‧‧腔室
146b‧‧‧腔室
146c‧‧‧腔室
148‧‧‧窗
150‧‧‧支撐結構
152‧‧‧傳動軸
154‧‧‧承載頭旋轉馬達
155‧‧‧軸
160‧‧‧光監控系統
162‧‧‧光源
164‧‧‧光偵測器
166‧‧‧電路
168‧‧‧鏡
170‧‧‧光束
174‧‧‧視界
176‧‧‧路徑
178‧‧‧偵測元件
180‧‧‧聚焦光學
190‧‧‧控制器
第1圖為包括光監控系統的化學機械研磨(CMP)設備之示意性側剖視圖。
第2圖為研磨設備的示意性頂視圖。
第3圖為偵測器的示意圖。
第4圖為於基板的視界之路徑的示意圖。
第5圖為由測試系統所得圖像的範例。
第6圖為統計圖的範例。
各圖式中類似的參照符號指示類似的元件。
在某些半導體晶片製造程序中，覆蓋的填料層，例如一導電材料如金屬，這類的銅或鎢被研磨直到下層的不同材料被暴露，該不同材料例如一介電質如氧化矽、氮化矽或高介電(high-K)介電質。可意圖確保沒有殘留物殘留在圖案化的下層上。一些研磨系統包括光監控系統，該光監控系統照射一點並量測由該點反射的光的反射性或光譜。然而，殘留物可發生於小於該點大小的區域，且若該點的大小降低，則基板的較大部分不被監控。可解決此問題但可被用於其他原因的技術，是以攝影機監控基板。
參照至第1圖，基板10被由化學機械研磨設備100研磨。類似的研磨設備的描述可見於美國專利號5,738,574及美國專利號8,292,693中，該等全文以參照方式併入本文。
研磨裝置100包括可旋轉盤狀平臺120，其中研磨墊110位於該平臺上。該平臺是可操作以繞軸125旋轉。例如，馬達121可轉動傳動軸124以旋轉平臺120。對大部分的研磨程序，平臺傳動馬達121以每分鐘三十到二百轉，例如，約60到100rpm，來旋轉平臺120，儘管較慢或較快的轉速亦可被使用。
研磨墊110可為具有一外部研磨層112及一較軟背托層114的雙層研磨墊。
研磨設備100可包括一埠130以分配研磨液132， 例如漿，至研磨墊110上到該墊。研磨設備亦可包括研磨墊調節器以研磨研磨墊110來維持研磨墊110在一致的研磨狀態。
研磨設備100包括至少一個承載頭140。承載頭140是可操作以抵著研磨墊110把持基板10。承載頭140可具有獨立控制與各個基板相關的研磨參數，例如壓力。特定而言，承載頭140可包括固定環142以固定基板10於可彎曲的膜144下方。承載頭140亦包括複數個由該膜決定之獨立可控制加壓腔室，如，三個腔室146a至146c，其可應用獨立可控制壓力於在可彎曲膜144上所相關聯的區域且以此方式於基板10上。儘管只有三個腔室繪示於第1圖中以易於說明，可以有一個或兩個腔室、或四個或更多個腔室，例如，五個腔室。
承載頭140被自支撐結構150懸掛，該支撐結構例如，旋轉料架或軌道，且該承載頭被傳動軸152連接至承載頭旋轉馬達154使得承載頭得以繞軸155旋轉。選擇性地承載頭140可橫向振盪，例如，於旋轉料架150上的滑塊上；由該旋轉料架自身的旋轉振盪，或由沿著軌道的運動。在操作中，平臺係繞其中心軸125旋轉，且承載頭係繞其中心軸155旋轉並橫向轉移於研磨墊的頂表面。儘管僅示出一個承載頭140，更多承載頭可被提供來同時以相同的研磨墊研磨多個基板。
研磨設備亦包括原位光監控系統(in-situ optical monitoring system)160。光監控系統160圖像化掃過基板10的視界174(見第2圖)。該視界是較基板窄，但可以是較基 板上的晶粒寬(該晶粒可以是在被製造的處理中)。攝影機圖像化該視界以產生具有其像素代表該基板上至多0.1mm寬的區域之圖像。
為了實行監控基板10，透過研磨墊110的光接近可藉由包括一光圈(亦即貫穿該墊的孔)或一實體窗118而被提供。該實體窗118可被固定至研磨墊110，例如，作為將光圈填入該研磨墊中的插座，例如，被模製成或附著地固定至研磨墊，儘管在某些實施中，該實體窗可被支撐於平臺120上並突出到研磨墊的光圈中。
光監控系統160可包括光源162、光偵測器164、及用於在控制器190與光源162和光偵測器164間傳送及接收訊號的電路166。在操作中，光源產生光束170，且該光束170自該基板的反射係往該偵測器164。
光源162及偵測器164可被固定至平臺120並與平臺120旋轉。例如，光源162及偵測器164可被安裝於模組122中，該模組122是可拆卸安裝於平臺120中。光源162照射基板10上的一區域，該區域至少覆蓋基板10上的偵測器164的視界174。
當平臺120旋轉時，由光束170照射的視界174(見第2圖)以路徑176(見第2圖)掃過基板10。這隨平臺120每轉動一圈而產生一次視界掃過基板。然而，其他配置也可能產生掃過基板的視界。例如，偵測器及/或光源可被配置於平臺外，且該光束可透過自及/或往光元件的旋轉的光耦合而被傳輸，該等光元件，例如鏡或光纖，與該平臺旋轉並導引 自及/或往該基板的光束。
在某些實施中，光監控系統包括一鏡168，且光束於光路徑中的一點，在自該基板10反射之前或者之後的兩者之一而被自該鏡反射。鏡的一優點是其可允許一或更多個元件，例如偵測器164，成為水平的方向，因而減低需固定至平臺120的該等元件的總高度，且允許光監控系統160被用於垂直空間受限的研磨設備。
在某些實施中，光束擴張器(未圖示)可被配置於該光束的路徑中以沿著一軸擴張該光束來產生於基板上之細長的照射點。在某些實施中，該光束被沿著一軸擴張，該軸是與由平臺120的旋轉所造成的被照射點的運動的瞬間方向所垂直。若該被照射點是細長的，窗118可以是類似地細長的。
在某些實施中，光束以一角度偏離法向軸照射基板到基板10的表面。例如，光束可被自垂直於基板10的表面之軸以一角度導引向窗118，例如自軸25及81以一角度。該角度可被選擇以提供在覆蓋層與下層間改良的對比，例如，在一銅層與下阻障層或介電層間改良的對比。例如，該角度可以是介於0°與80°，例如，介於20°與30°。一角度介於20°與30°可提供將銅從一下方介電質良好的識別。
光源162可以是可操作以發射寬頻光或單色光。來自該光源的光可以是在紫外線(UV)到接近紅外線(NIR)的範圍中，即，在200nm至2.0μm的範圍中。例如，波長可以是在800到830nm的範圍內，例如，810nm，其約略已 到紅外線。在800到830nm的範圍內之波長可提供將銅從一下方介電質良好的識別。該光源應提供非相干光(incoherent light)；一單色雷射源可能太相干並導致圖像的干涉條紋。合適的單色光源是單色LED組件。在某些實施中，該光源產生白光，例如，具有波長200到800奈米的光。一適合的白光源是一氙氣燈或一氙氣水銀燈。
參照至第2圖，被照射點以路徑176掃過基板10。例如，如前所述，平臺120的旋轉(由箭頭R所示)沿著路徑176帶動窗148與被照射點。光源與光束擴張器(若存在)被配置使得被照射點174較基板10窄，但可較基板10上的晶粒寬。在某些實施中，被照射點是介於5與25mm長。被照射點可以是約5到10mm寬。
參照至第3圖，偵測器164是對來自光源162的光敏感的攝影機。該攝影機包括偵測元件178的一陣列。例如，攝影機可包括CCD陣列。在某些實施中，該陣列是單一列的偵測元件。例如，攝影機可以是線掃描攝影機。例如，一列的偵測元件可包括1024個或更多個元件。
攝影機164被配置了適當的聚焦光學180以投射基板的視界於偵測元件178的陣列上。該視界可以是2mm至30mm長。攝影機164，包括相關聯的光學180，可被配置使得個別像素對應到一區域，該區域具有長等於或小於約0.1mm。例如，假設該視界是約10mm長且該偵測器164包括1024個元件，那麼由該線掃描攝影機產生的圖像可具有長度約0.1mm的像素。為了決定圖像的長解析度，該視界(FOV) 的長可以被除以該視界被圖形化於其上之像素的數量，來得到長解析度。例如，2mm視界除以1024個像素得到約2μm長解析度。30mm除以1024個像素得到每像素30μm。
相機164亦可被配置使得像素寬可與像素長比擬。例如，線掃描攝影機的一好處是其非常高框率。該框率可以是至少5kHz。該框率可以被設為足夠高的頻率使像素寬與像素長可比擬，例如，等於或少於約0.1mm。為了決定圖像的寬解析度，在平臺的單一轉中視界所穿越的路徑的長可以被乘以平臺旋轉率並除以攝影機框率。例如，對於中心自旋轉軸125約8吋的窗且平臺旋轉率90rpm的情況下，約13kHz的框率可提供像素寬約0.1mm。
藉由使用具有較大數量的偵測元件的偵測器、圖形化較窄視界及/或使用較高框率，該圖像可進一步有更高解析度。例如，框率可以是30至50kHz，以為了增加圖像的寬解析度。
在偵測器164偵測到的光的強度取決於，例如，基板表面的組成、基板表面的光滑度、及/或自基板的一或更多層的不同介面所反射的光之間的干涉程度。
如前所述，光源162及光偵測器164可以被連接至一計算裝置，例如，控制器190，該計算裝置可操作以控制他們的運作並接收他們的訊號。該計算裝置可包括位於靠近該研磨設備的微處理器。例如，該計算裝置可以是可程式電腦。
參照至第4圖，視界174將做多次掃視176於基板10。假設一覆蓋填料層被研磨直到不同材料的下層被暴露， 例如，研磨銅至暴露下方介電質，靠近研磨終點基板的某些區域其下層12被完全暴露，且某些區域殘留有被填料層的殘留物14所覆蓋。假設波長與入射角被適當地選擇，將有顯著的反射差異於填料層的殘留物和下層的暴露區域之間。一般而言，有銅殘留物的區域會比銅被清除且下方介電層被暴露的區域具有更高的反射性。
第5圖繪示由線掃描攝影機產生的圖案晶圓的圖像。該圖像是由一測試系統獲得。該圖像的水平軸對應於陣列中不同的偵測元件，且該圖像的垂直軸對應於時間。圖像中垂直的條紋是由於墊窗的失真。這些失真可藉由過濾而被移除，例如，背景正規化(background normalization)。如該圖像所示，該圖像的解析度係足夠以偵測基板上各別晶粒中高或低密度的區域。
使用合適的圖像分析，所感興趣的材料，例如，銅，可被識別並量化。例如，整體區域仍然被所感興趣的材料覆蓋的小部分可被決定。作為另一例，所感興趣材料出現於基板圖案中或晶粒中的何處的細節可被決定。作為另一例，像素值的統計圖可被產生。統計圖的演進可被分析。統計圖的一例示於第6圖；該統計圖展示像素強度的分佈。更複雜種類的圖像分析，例如圖案辨識或強度建模，可被實施。
獲得的圖像及對應的圖像分析可被用於終點偵測、剖面控制及原位或批次操作兩者之一的閉路控制。
在某些實施例中，資料可被用於終點偵測。終點是指研磨已充分地自基板表面清除了非所欲的材料的階段。這 可透過其特徵在於自感興趣的區域的反射強度改變，由於材料被移除可比下方材料較多或較少反射。
一般而言，資料可被用以控制化學機械研磨設備的一個或更多個操作參數。操作參數包括，例如，平臺旋轉速度、基板旋轉速度、基板的研磨路徑、整個板材的基板速度、施加於基板的壓力、漿的組成、漿的流動速率、及在基板表面的溫度。操作參數可被及時控制，且可被自動地調整而不需要進一步人為干預。
如用於本說明書，基板一詞可包括，例如，一產品基板(例如，包括多個記憶體或處理器晶粒)、一測試基板、一裸露基板、及一閘基板。基板可以是在積體電路製造的各種階段，例如，基板可以是裸露晶圓，或其可包括一個或更多個沈積及/或圖案層。基板一詞可包括圓盤及矩形薄板。
於本說明書描述之本發明的實施例及所有的功能操作可被實施於數位電子電路中、或於電腦軟體、韌體、或硬體中，包括於本說明書揭示的結構手段和其結構之等同物、或他們的組合。本發明的實施例可被實施為一或更多個電腦程式產品，亦即，一或更多個電腦程式明白地實施於一非暫態機器可讀取儲存媒體中，以由資料處理設備執行、或以控制其操作，該資料處理設備例如，可程式處理器、電腦、或多處理器或電腦。
本發明的特定實施例已被描述。其他實施例係為隨附申請專利範圍的範疇中。
10‧‧‧基板
100‧‧‧化學機械研磨設備
110‧‧‧研磨墊
112‧‧‧外部研磨層
114‧‧‧背托層
118‧‧‧窗
120‧‧‧盤狀平臺
121‧‧‧馬達
122‧‧‧模組
124‧‧‧傳動軸
125‧‧‧軸
130‧‧‧埠
132‧‧‧研磨液
140‧‧‧承載頭
142‧‧‧固定環
144‧‧‧膜
146a‧‧‧腔室
146b‧‧‧腔室
146c‧‧‧腔室
150‧‧‧支撐結構
152‧‧‧傳動軸
154‧‧‧承載頭旋轉馬達
155‧‧‧軸
160‧‧‧光監控系統
162‧‧‧光源
164‧‧‧光偵測器
166‧‧‧電路
168‧‧‧鏡
170‧‧‧光束
180‧‧‧聚焦光學
190‧‧‧控制器

Claims (18)

  1. 一種基板研磨系統，包括：一平臺以支撐一研磨表面；一承載頭，該承載頭被配置以在研磨時，抵著該研磨表面把持一基板；一光源，該光源被配置以導引一光束至該基板的一表面上；一偵測器，該偵測器包括偵測元件的一陣列，其中該偵測器被配置以偵測該光束自該基板的該表面之一區域的反射，不同的偵測元件接收來自該區域的不同部份的光，且其中該偵測器被配置以產生該基板的該區域之一圖像，該圖像具有代表該基板上不同區的像素；及一控制器，該控制器被配置以接收該圖像，產生該圖像之該等像素的強度值之數量的一統計圖，並基於該統計圖中的一變化偵測一金屬層自該基板上的一下層之清除。
  2. 如請求項1所述之研磨系統，其中該偵測器包括一線掃描攝影機。
  3. 如請求項2所述之研磨系統，其中該偵測器被配置使得該圖像具有像素，該等像素代表該基板上的區，該等區具有小於0.1mm的一寬度。
  4. 如請求項1所述之研磨系統，其中該區域是介於5及25 mm長。
  5. 如請求項1所述之研磨系統，其中該偵測器包括至少1024個偵測元件。
  6. 如請求項5所述之研磨系統，其中該偵測器被配置以操作於至少5kHz的框率。
  7. 如請求項1所述之研磨系統，進一步包括：一鏡以反射該光束。
  8. 如請求項7所述之研磨系統，其中該鏡被放置於在該基板與該偵測器間之一光路徑中的一點。
  9. 如請求項1所述之研磨系統，其中該光源被配置，使得該光束以自對於垂直於該基板的該表面之一軸的一非零角度α被導引向該基板。
  10. 如請求項9所述之研磨系統，其中該角度α是介於20°及30°。
  11. 如請求項1所述之研磨系統，其中該偵測器被配置，使得該等像素代表該基板上的不同區，該等不同區具有小於0.1mm的一長度。
  12. 一種監控研磨的方法，包括以下步驟：研磨一基板的一表面；在研磨時，利用包括了偵測元件之一陣列的一偵測器，光學地監控一光束自該表面的一區域的反射，不同的偵測元件接收來自該區域的不同部份的光，以產生該基板的該區域之一圖像，該圖像具有代表該基板上之區的複數個像素；產生該圖像的該等複數個像素的強度值之數量的一統計圖；及偵測該統計圖中的一變化並基於該變化決定一研磨終點。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該等複數個像素代表該基板上的區，該等區具有小於0.1mm的一長度。
  14. 如請求項12所述之方法，其中光學地監控之步驟包括以下步驟：利用一線掃描攝影機來監控。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該線掃描攝影機的一框率是使得該等像素代表該基板上的區，該等區具有小於0.1mm的一寬度。
  16. 如請求項12所述之方法，進一步包括以下步驟：將該光束以自對於垂直於該基板的該表面之一軸的一非零角度α導 引向該基板。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該角度α是介於20°及30°之間。
  18. 一種電腦程式產品，該電腦程式產品有形地實施於一非暫態電腦可讀取媒體中，該電腦程式產品包括使一處理器進行以下步驟的指令：在研磨一基板時，接收該基板的一區域的一圖像，該圖像具有複數個像素，該等複數個像素代表該基板上的區；產生該圖像之該等複數個像素的強度值之數量的一統計圖；及偵測該統計圖中的一變化並基於該變化決定一研磨終點。
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TW103102507A TWI602644B (zh) 2013-01-23 2014-01-23 在研磨期間使用攝影機的反射量測

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US (1) US9095952B2 (zh)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11571786B2 (en) 2018-03-13 2023-02-07 Applied Materials, Inc. Consumable part monitoring in chemical mechanical polisher

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014149330A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Dynamic residue clearing control with in-situ profile control (ispc)
US9997420B2 (en) * 2013-12-27 2018-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method and/or system for chemical mechanical planarization (CMP)
US9518934B2 (en) * 2014-11-04 2016-12-13 Kla-Tencor Corp. Wafer defect discovery
US11557048B2 (en) 2015-11-16 2023-01-17 Applied Materials, Inc. Thickness measurement of substrate using color metrology
US10565701B2 (en) 2015-11-16 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Color imaging for CMP monitoring
TWI743176B (zh) 2016-08-26 2021-10-21 美商應用材料股份有限公司 獲得代表在基板上的層的厚度的測量的方法，及量測系統和電腦程式產品
US10562147B2 (en) * 2016-08-31 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Polishing system with annular platen or polishing pad for substrate monitoring
CN106553107A (zh) * 2017-01-05 2017-04-05 南通沃特光电科技有限公司 一种抛光铣床及其抛光方法
DE102017110950B4 (de) 2017-05-19 2022-12-22 Karl Heesemann Maschinenfabrik Gmbh & Co. Kg Schleifmaschine zum Schleifen einer Oberfläche eines Objektes
JP6902452B2 (ja) 2017-10-19 2021-07-14 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR102643278B1 (ko) 2018-03-07 2024-03-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 연마 유체 첨가제 농도 측정 장치 및 그에 관련된 방법들
US11577356B2 (en) * 2018-09-24 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Machine vision as input to a CMP process control algorithm
CN111684577A (zh) 2018-10-22 2020-09-18 应用材料公司 使用亮度直方图的残留物检测
JP7041638B2 (ja) * 2019-01-10 2022-03-24 株式会社荏原製作所 研磨装置
US11100628B2 (en) 2019-02-07 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Thickness measurement of substrate using color metrology
JP7299040B2 (ja) * 2019-03-12 2023-06-27 株式会社ディスコ 監視システム
WO2022005916A1 (en) 2020-06-29 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Film thickness estimation from machine learning based processing of substrate images

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6361646B1 (en) * 1998-06-08 2002-03-26 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US6142855A (en) 1997-10-31 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus and polishing method
US6106662A (en) * 1998-06-08 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
US6690473B1 (en) * 1999-02-01 2004-02-10 Sensys Instruments Corporation Integrated surface metrology
JP3327289B2 (ja) 2000-03-29 2002-09-24 株式会社ニコン 工程終了点測定装置及び測定方法及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法及び信号処理プログラムを記録した記録媒体
US6466642B1 (en) * 2000-06-02 2002-10-15 Speedfam-Ipec Corporation Methods and apparatus for the in-situ measurement of CMP process endpoint
US7008295B2 (en) 2003-02-04 2006-03-07 Applied Materials Inc. Substrate monitoring during chemical mechanical polishing
WO2004090502A2 (en) 2003-04-01 2004-10-21 Filmetrics, Inc. Whole-substrate spectral imaging system for cmp
US7308368B2 (en) 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
US20070077671A1 (en) 2005-10-03 2007-04-05 Applied Materials In-situ substrate imaging
US20080176149A1 (en) * 2006-10-30 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US8039397B2 (en) 2008-11-26 2011-10-18 Applied Materials, Inc. Using optical metrology for within wafer feed forward process control
WO2011094706A2 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Applied Materials, Inc. Feedback control of polishing using optical detection of clearance
TWI521625B (zh) 2010-07-30 2016-02-11 應用材料股份有限公司 使用光譜監測來偵測層級清除

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6361646B1 (en) * 1998-06-08 2002-03-26 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11571786B2 (en) 2018-03-13 2023-02-07 Applied Materials, Inc. Consumable part monitoring in chemical mechanical polisher
TWI806985B (zh) * 2018-03-13 2023-07-01 美商應用材料股份有限公司 研磨設備
US11931860B2 (en) 2018-03-13 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Consumable part monitoring in chemical mechanical polisher

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Publication number Publication date
US20140206259A1 (en) 2014-07-24
WO2014116707A1 (en) 2014-07-31
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TW201431645A (zh) 2014-08-16

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