DE69415838T2 - Ein Substrathalter - Google Patents
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Description
- Die Erfindung betrifft einen flachen Substrathalter mit einer Hauptoberfläche zum Halten von zu behandelnden Substraten, wobei die Hauptoberfläche zur Ausstattung mit einer Oberflächenaussparung maschinell bearbeitet wurde.
- Ein solcher Substrathalter ist aus der WO 88/07 487 bekannt.
- Der bekannte Substrathalter in der Form eines sogenannten Empfängers zum Halten eines einzelnen Substrates für die Rotation um eine sich senkrecht zum Zentrum des Substrats erstreckende Achse, welcher für den Gebrauch in einer Kammer für die Gasphasenabscheidung nach einem chemischen Verfahren vorgesehen ist, des Typs, welcher für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet wird, wurde maschinell bearbeitet mit Blick auf die Entfernung des behandelten Substrates von der Hauptoberfläche nach der Behandlung und hat die unerwünschte Eigenschaft, daß er sich verzieht, nachdem eine Beschichtung auf allen Seiten aufgebracht wurde.
- Gegenstand der Erfindung ist es, einen flachen Substrathalter bereitzustellen, welcher auch flach bleibt, nachdem die Beschichtung auf allen Seiten aufgetragen wurde.
- Die Erfindung ist in Anspruch 1 bestimmt.
- Die Hauptoberfläche kann für einen anderen Grund als den obig erwähnten maschinell bearbeitet sein, z. B. um eine optimale Temperaturverteilung des Substrathalters in der Kammer für die Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren zu gewährleisten.
- Die Erfindung wird hieran anschließend mit Bezug auf die Zeichnungen detaillierter beschrieben, in welchen:
- Fig. 1 eine Draufsicht einer Ausführungsform des vorgeschlagenen Substrathalters ist;
- Fig. 2 eine Unteransicht des Substrathalters aus Fig. 1 ist;
- Fig. 3 eine Ansicht im großen Maßstab eines möglichen Rillenprofils des vorgeschlagenen Substrathalters ist.
- Wie in Fig. 1 dargestellt, unterscheidet sich der vorgeschlagene Substrathalter nicht notwendig von einem bekannten Substrathalter bei Betrachtung in der Draufsicht. In Fig. 1 ist der Substrathalter, in diesem Fall in der Form eines rotierbaren, runden, flachen Einzelsubstrathalters oder Einzelscheibenempfängers, bezeichnet durch das Bezugszeichen 1, und seine Hauptoberfläche ist bezeichnet durch das Bezugszeichen 2. Der Substrathalter 1 kann aus einem Material basierend auf Graphit, Kohlenstoff, Keramiken, Metall oder einer Metall-Legierung bestehen und ist auf allen Seiten mit einer Beschichtung ausgestattet aus beispielsweise Siliciumcarbid, pyrolytischem Graphit, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid oder Siliciumnitrid, wobei die Beschichtung durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren auf chemischem Wege aufgetragen sein kann. Die Hauptoberfläche 2 ist mit einem aufrechten Rand 3 ausgestattet, innerhalb welchem eine Scheibe (nicht dargestellt) angepaßt sein kann. Aus technischer Sicht jedoch ist es möglich, den Rand 3 auszulassen. Die Hauptoberfläche 2 des Substrathalters 1 wurde maschinell bearbeitet innerhalb des Randes 3 in diesem Fall und ein kleiner Teil dieser maschinell bearbeiteten Oberfläche ist schematisch dargestellt und wird durch das Bezugszeichen 4 bestimmt.
- Fig. 2 zeigt den Substrathalter in der unteren Ansicht. Referenzzeichen 10 bezeichnet die Oberfläche des Substrathalters 1 gegenüber der Hauptoberfläche 2 (Fig. 1), während Referenzzeichen 11 ein zentrales Grundloch bezeichnet und Referenzzeichen 12 bezeichnet eine im wesentlichen kreisförmige Rille mit geschlossenen Enden, welche die Funktion hat, den Substrathalter in einer Kammer zur Gasphasenabscheidung auf chemischem Wege zu halten und anzutreiben. Bis zu diesem Punkt kann die Bodenansicht von Fig. 2 auch die eines bekanntes Empfängers sein.
- Es wird festgehalten, daß der erfindungsgemäße Substrathalter 1 nicht notwendigerweise kreisförmig oder rotierbar ist, noch muß er zum Tragen eines einzelnen Substrates ausgelegt sein, obwohl diese Merkmale das wiederspiegeln, was zur Zeit üblich ist.
- Beispielsweise ist ein flacher Substrathalter mit einer rechteckigen Form und geeignet zum Halten verschiedener Substrate, welcher nicht rotierbar ist, vorweggenommen. Weiterhin ist vorweggenommen, daß der erfindungsgemäße Substrathalter in anderen Verfahren neben dem chemischen Dampfabscheidungsverfahren verwendet werden kann, z. B. bei einem anderen Dampfabscheidungsverfahren, wie dem physikalischen Dampfabscheidungsverfahren.
- Der Substrathalter 1, wie in Fig. 1 dargestellt, ist mit einem maschinell hergestelltem Profil 4 auf seiner Hauptoberfläche 2 versehen, z. B. weil ein Substrat auf der Hauptoberfläche 2 des Substrathalters 1 haften würde, z. B. infolge des epidaxischen Wachstums von dotiertem Silicium, wenn ein solches Profil 4 nicht bereit gestellt wäre, was ernsthaft die automatische Entfernung des Substrats, einer Halbleiterscheibe (wafer), stören würde.
- Der vorgeschlagene Substrathalter 1 ist allgemein ein flacher Substrathalter 1, ausgestattet mit einer Beschichtung auf allen Seiten und mit einer Hauptoberfläche 2 zum Halten von zu behandelnden Substraten, wobei die Hauptoberfläche maschinell bearbeitet wurde (4) mit Blick auf die Entfernung der behandelten Substrate von der Hauptoberfläche 2 im Anschluß an die Behandlung.
- Erfindungsgemäß und wie in Fig. 2 unter 13 angezeigt, wurde die Oberfläche 10 (Fig. 2) gegenüber der Hauptoberfläche 2 (Fig. 1) des Substrathalters 1 in solcher Weise maschinell bearbeitet, daß die mechanische Beanspruchung an den beiden Oberflächen 2, 10 sich im wesentlichen kompensieren, was darin resultiert, daß sich der Substrathalter 1 nach der Auftragung der Beschichtung nicht signifikant verzieht.
- Wie derzeit angenommen wird, werden die vorgenannten mechanischen Beanspruchungen ausgelöst durch Unterschiede im Koeffizient der thermischen Expansion und in der Dicke der Beschichtung auf maschinell bearbeiteten Oberflächen, ebenso wie durch interne Beanspruchung in der Beschichtung, möglicherweise resultierend aus Störungen im Kristallgitter.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung, aber nicht in den Zeichnungen dargestellt, kann die Oberfläche 10 (Fig. 2) gegen der Hauptoberfläche 2 (Fig. 1) des Substrathalters 1 in solch einer Weise behandelt werden, daß die mechanischen Beanspruchungen 2, 10 sich gegenseitig im wesentlichen kompensieren, so daß kein wesentlicher Verzug eintritt, wobei die genannte Behandlung zum Beispiel darin bestehen kann, daß verschiedene Dicken für die Beschichtungen auf den gegenüberliegenden Oberflächen 10 und der Hauptoberfläche 2 verwendet werden.
- Im Falle der Durchführung einer maschinellen Behandlung wird die gegenüberliegende Oberfläche 10 (Fig. 2) vorzugsweise über im wesentlichen die gleiche Fläche als die Hauptoberfläche (Fig. 1) maschinell bearbeitet. Es ist weiterhin bevorzugt, die gegenüberliegende Oberfläche 10 (Fig. 2) in der gleichen Weise wie die Hauptoberfläche 2 (Fig. 1) maschinell zu bearbeiten. Die besagte maschinelle Bearbeitung kann dabei darin bestehen, ein Muster von Rillen 4 (Fig. 1) und 13 (Fig. 2) bereitzustellen, wie es detaillierter in Fig. 3 dargestellt ist. Selbstverständlich sind auch andere Profile möglich und ein Fachmann wird wissen, in welcher Weise solche Profile in dem Substrathalter vorgesehen werden können, zum Beispiel durch Verwendung eines materialentfernenden Verfahrens oder eines EDM- Verfahrens, nach welcher der Substrathalter auf allen Seiten beschichtet wird, zum Beispiel mit einer feuerfesten Schicht.
- In dem Fall, daß eine Behandlung durchgeführt wird, wobei die Behandlung eine physikalische oder chemische Beschichtung sein kann, wird die Behandlung dergestalt sein, daß die Dicke der resultierenden Beschichtung auf der gegenüberliegenden Seite (Fig. 2), in dem Fall, daß kein maschinell erstelltes Profil 13 vorliegt, geringer sein wird als die maximale Dicke der Beschichtung auf der Hauptoberfläche, da die geformte Dicke auf der gegenüberliegenden Oberfläche 10 (Fig. 2) eine gleichmäßige Dicke haben wird, weil kein Rillenmuster 13 vorliegt auf dieser Oberfläche, während die auf dem maschinell erstellten Muster 4 vorliegende Beschichtung (Fig. 1) derart sein wird, daß die Dicke der Beschichtung auf den Spitzen 20 des Profils 4 größer sein wird als auf den Schrägen 21 und in den Tälern 22, wobei erneut auf Fig. 3 Bezug genommen wird, so daß die besagte letztere Dicke effektiv dünner ist.
- Die Dicke der Beschichtung kann von 1 bis 1000 um variieren. Mit einem Prototyp in der Form eines Graphit- Substrathalters 1 mit einem Durchmesser von ±200 mm und einer Dicke von 9 mm innerhalb der Kanten 3 und ausgestattet mit einer Beschichtung von etwa 100 micron von CVD-Siliciumcarbid auf allen Seiten, schien die Hauptoberfläche 2 gemäß Fig. 1 und 2 an dieser Stelle eine Konkavität von 0,8 mm aufzuweisen, wenn die maschinelle Bearbeitung auf einer Seite (4) durchgeführt wurde, während die besagte Konkavität reduziert zu sein schien auf 0,05 mm, wenn die maschinelle Bearbeitung auf beiden Seiten (4, 13) gemäß Fig. 1-3 durchgeführt wurde.
- Ähnliche Resultate wurden erzielt, wenn anstelle der voranstehenden Beschreibung die Dicke der Beschichtung auf der nun nicht maschinell bearbeiteten gegenüberliegenden Seite 10 (Fig. 2) reduziert wurde. Methoden zur Aufbringung einer Beschichtung von reduzierter Dicke auf der Oberfläche 10 gegenüber der Hauptoberfläche 2 sind dem Durchschnittsfachmann bekannt.
- Zusammenfassend stellt die Erfindung zwei Verfahren bereit, die auf dem gleichen Prinzip beruhen, welche, wenn einzeln oder in Kombination miteinander eingesetzt, in einem flachen, dünnen Substrathalter resultieren. Das eine Verfahren besteht darin, die Unterseite des Substrathalters einer ähnlichen maschinellen Bearbeitung wie die Oberseite des Substrathalters zu unterziehen und das zweite Verfahren besteht darin, verschiedene Dicken für die Beschichtungen auf den besagten beiden Seiten zu verwenden. Beide Verfahren stellen mechanischen Beanspruchungen bereit, welche sich gegenseitig kompensieren, wodurch garantiert wird, daß der Substrathalter flach bleibt.
Claims (8)
1. Flacher Substrathalter (1) mit einer Hauptoberfläche
(2) zum Halten von zu behandelnden Substraten, wobei
die Hauptoberfläche zur Ausstattung mit einer
Oberflächenaussparung (4) in der Hauptoberfläche
maschinell bearbeitet wurde, dadurch gekennzeichnet,
daß der Substrathalter auf allen Oberflächen eine
Beschichtung umfaßt und die der Hauptoberfläche
gegenüberliegende Oberfläche (10) des Substrathalters
zur Ausstattung mit einer solchen
Oberflächenaussparung (13) in der gegenüberliegenden
Oberfläche maschinell bearbeitet wurde und/oder sich
auf der gegenüberliegenden Oberfläche eine
Beschichtung solcher Dicke befindet, die geringer ist
als die maximale Beschichtungsdicke auf der
Hauptoberfläche, so daß sich die durch die
Beschichtung auf beiden Oberflächen verursachten
mechanischen Beanspruchungen im wesentlichen
gegenseitig kompensieren.
2. Substrathalter gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die gegenüberliegende Oberfläche
(10) zur Ausstattung mit einer Oberflächenaussparung
(13) im wesentlichen über die gleiche Fläche
maschinell bearbeitet wurde wie die Hauptoberfläche
(2).
3. Substrathalter gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die gegenüberliegende Oberfläche
(10) zur Ausstattung mit einer Oberflächenaussparung
(13) dem gleichen Bearbeitungsverfahren unterworfen
wurde wie die Hauptoberfläche (2).
4. Substrathalter gemäß mindestens einem der
voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Oberflächenaussparungen (4, 13)
Rillenkombinationen sind.
5. Substrathalter gemäß mindestens einem der
voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
das Bearbeitungsverfahren ein Materialentfernungs-
oder eine Funkenerosionsprozeß (EDM) ist.
6. Substrathalter gemäß mindestens einem der
voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Substrathalter Graphit, Kohle, Keramik, Metall
oder eine Metallegierung enthält.
7. Substrathalter gemäß mindestens einem der
voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Beschichtung Siliciumcarbid, pyrolytisches
Graphit, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid oder
Siliciumnitrid umfaßt.
8. Substrathalter gemäß mindestens einem der
voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke der Beschichtung von 1 bis 1000 um liegt.
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Families Citing this family (44)
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US5531835A (en) * | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
US6086680A (en) * | 1995-08-22 | 2000-07-11 | Asm America, Inc. | Low-mass susceptor |
US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
AU6962196A (en) | 1995-09-01 | 1997-03-27 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
US6001183A (en) * | 1996-06-10 | 1999-12-14 | Emcore Corporation | Wafer carriers for epitaxial growth processes |
US5814561A (en) * | 1997-02-14 | 1998-09-29 | Jackson; Paul D. | Substrate carrier having a streamlined shape and method for thin film formation |
JP2001522142A (ja) | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 改良された低質量ウェハ支持システム |
USD422866S (en) * | 1999-01-07 | 2000-04-18 | Tooltek Engineering Corporation | Substrate fixturing device |
US6340090B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-01-22 | Tooltek Engineering Corporation | Substrate fixturing device |
US6410172B1 (en) | 1999-11-23 | 2002-06-25 | Advanced Ceramics Corporation | Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition |
US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
US7033445B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-04-25 | Asm America, Inc. | Gridded susceptor |
US7070660B2 (en) * | 2002-05-03 | 2006-07-04 | Asm America, Inc. | Wafer holder with stiffening rib |
US20050170314A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-08-04 | Richard Golden | Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design |
US6709267B1 (en) | 2002-12-27 | 2004-03-23 | Asm America, Inc. | Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss |
CN100517612C (zh) * | 2003-04-02 | 2009-07-22 | 株式会社上睦可 | 半导体晶片用热处理夹具 |
ATE514801T1 (de) * | 2003-08-01 | 2011-07-15 | Sgl Carbon Se | Halter zum tragen von wafern während der halbleiterherstellung |
WO2006078666A2 (en) | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Asm America, Inc. | Reaction system for growing a thin film |
US20060194059A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Honeywell International Inc. | Annular furnace spacers and method of using same |
US8603248B2 (en) * | 2006-02-10 | 2013-12-10 | Veeco Instruments Inc. | System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset |
US8092606B2 (en) * | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
TWI397113B (zh) * | 2008-08-29 | 2013-05-21 | Veeco Instr Inc | 具有可變熱阻之晶圓載體 |
US8801857B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Self-centering susceptor ring assembly |
WO2011065776A2 (ko) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | 주성엔지니어링(주) | 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법 |
US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
KR20130137475A (ko) * | 2012-06-07 | 2013-12-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리방법 및 그에 사용되는 서포트 기판 |
US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
USD766849S1 (en) * | 2013-05-15 | 2016-09-20 | Ebara Corporation | Substrate retaining ring |
WO2015112969A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Veeco Instruments. Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
KR20170102020A (ko) * | 2015-01-23 | 2017-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 내의 퇴적 계곡들을 제거하기 위한 신규한 서셉터 설계 |
CN106024681B (zh) * | 2016-07-27 | 2018-12-28 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 叠层膜、包含其的石墨舟及其制备方法、及石墨舟清洗方法 |
US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
EP3707559B1 (de) * | 2017-11-08 | 2023-04-19 | ASML Netherlands B.V. | Substrathalter und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
CN110819968B (zh) * | 2018-08-08 | 2022-06-28 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 一种用于pecvd反应腔的复合载板 |
USD920936S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
CN111446185A (zh) | 2019-01-17 | 2020-07-24 | Asm Ip 控股有限公司 | 通风基座 |
USD914620S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-03-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
US11404302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate susceptor using edge purging |
US11764101B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
EP3835281A1 (de) | 2019-12-13 | 2021-06-16 | Siltronic AG | Verfahren zur herstellung eines plattenförmigen formkörpers mit einer siliziumkarbid-matrix |
USD1031676S1 (en) | 2020-12-04 | 2024-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Combined susceptor, support, and lift system |
CN113278952B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-12-06 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 石墨基板 |
CN114874395A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-08-09 | 南京艾布纳密封技术股份有限公司 | 一种耐高温有机浸渗密封材料及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4397901A (en) * | 1979-07-31 | 1983-08-09 | Warren James W | Composite article and method of making same |
US4499354A (en) * | 1982-10-06 | 1985-02-12 | General Instrument Corp. | Susceptor for radiant absorption heater system |
US4424096A (en) * | 1982-12-23 | 1984-01-03 | Western Electric Co., Inc. | R-F Electrode type workholder and methods of supporting workpieces during R-F powered reactive treatment |
US4486473A (en) * | 1983-09-21 | 1984-12-04 | Ga Technologies Inc. | Method and apparatus for coating fragile articles in a fluidized bed of particles using chemical vapor deposition |
JPS6169116A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ−の連続cvdコ−テイング用サセプター |
US4780174A (en) * | 1986-12-05 | 1988-10-25 | Lan Shan Ming | Dislocation-free epitaxial growth in radio-frequency heating reactor |
US4821674A (en) * | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
US4907534A (en) * | 1988-12-09 | 1990-03-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Gas distributor for OMVPE Growth |
JPH02174116A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
DE3915039A1 (de) * | 1989-05-08 | 1990-11-15 | Balzers Hochvakuum | Hubtisch |
US5059770A (en) * | 1989-09-19 | 1991-10-22 | Watkins-Johnson Company | Multi-zone planar heater assembly and method of operation |
US5199483A (en) * | 1991-05-15 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling wafers |
-
1993
- 1993-03-04 NL NL9300389A patent/NL9300389A/nl not_active Application Discontinuation
-
1994
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