JPH0790590A - 基板キャリア - Google Patents

基板キャリア

Info

Publication number
JPH0790590A
JPH0790590A JP3393194A JP3393194A JPH0790590A JP H0790590 A JPH0790590 A JP H0790590A JP 3393194 A JP3393194 A JP 3393194A JP 3393194 A JP3393194 A JP 3393194A JP H0790590 A JPH0790590 A JP H0790590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate carrier
coating
machined
substrate
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3393194A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3547470B2 (ja
Inventor
Maarten H Haafkens
マールテン・ヘンドリック・ハーフケンス
Marinus O Sielcken
マリヌス・オット・シールケン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZAIKAABU BV
Xycarb BV
Original Assignee
ZAIKAABU BV
Xycarb BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZAIKAABU BV, Xycarb BV filed Critical ZAIKAABU BV
Publication of JPH0790590A publication Critical patent/JPH0790590A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3547470B2 publication Critical patent/JP3547470B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】コーティングの後も平坦な基板キャリアを得る
こと。 【構成】裏側の表面にも主表面と同様に機械的応力が互
いにほぼ相殺し合うような機械加工を施すこと、及び両
表面に違った厚さの、例えば裏側表面のコーティングの
厚さは主表面のコーティングの最大の厚さよりも薄い、
コーティングをすること、の2つの方法を1つ或いは組
合せて使用することにより目的の基板キャリアを得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、処理される基板を支持
するための機械加工された主表面と全側面上のコーティ
ングとを具備している平坦な基板キャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】このような基板キャリアは米国特許第
4,821,674号明細書から公知であると考えられ得る。
【0003】基板の中央に垂直に延在する軸の周りの回
転のために単一の基板を支持するためのいわゆるサセプ
タの形状をしていて、集積回路を製造するのに使用され
る型のCDV(化学的蒸気沈積)チャンバ内で使用する
ことが意図される公知の基板キャリアは、処理に続いて
主表面から処理された基板を取出すために機械加工され
ており、コーティングが施されてしまった後には望まし
くない撓曲特性を有する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コー
ティングが施された後も平坦であり続けるであろう平坦
な基板キャリアを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】その目的を達成するため
に、本発明は、基板キャリアの主表面の反対側の表面
が、2つの表面に於ける機械的応力が互いにほぼ相殺し
合っているような機械加工或いは処理が為されることを
特徴とする、冒頭部で述べられたような基板キャリアを
提供することである。
【0006】主表面は上記で述べられたものとは別の理
由のために、例えばCDVチャンバ内の基板キャリアの
最適な温度分布を確実にするために、機械加工され得
る。
【0007】提案された処理は色々な厚さで前記2つの
表面上に夫々コーティングを施すことを有し得る。
【0008】
【実施例】図1に示されるように、提案された基板キャ
リアは、平面図で見た時に公知の基板キャリアと必ずし
も異なってはいない。図1に於て、この場合回転可能な
環状で平坦な単一基板用キャリア即ち単一のウエーハ用
サセプタの形状の基板キャリアが参照番号1で指示さ
れ、その主表面は参照番号2で示される。基板キャリア
1はグラファイト、カーボン、セラミックス、金属、或
いは合金をベースにした材料を具備し得るものであり、
全側面上にCVD処理によって施され得る、例えばシリ
コン・カーバイド、熱分解グラファイト、窒化アルミニ
ウム、酸化アルミニウム、或いは窒化シリコンのコーテ
ィングを施される。主表面2は環状の直立縁部3を具備
し、その中にウエーハ(図示されていない)が収容され
得る。しかし技術的観点から前記縁部3を省くことも可
能である。この場合、基板キャリア1の主表面2は、縁
部3内で機械加工されており、また前記機械加工された
表面の小さい一部分が概略的に図示され、参照番号4で
指示される。
【0009】図2は、基板キャリア1の底面図を示す。
参照番号10は基板キャリア1の主表面2の反対側の表面
を指示し(図1参照)、参照番号11は中心の盲穴を指示
し、参照番号12はCVDチャンバ内で基板キャリアを支
持し駆動するために働く閉鎖端部を持つほぼ環状のスロ
ットを指示する。この点までは、図2の底面図も公知の
サスセプタの底面図と同じであり得る。
【0010】本発明による基板キャリア1は必ずしも環
状または回転可能でなくても良い、或いは単一の基板を
保持するために準備されなければならないものでもない
ことを、これらの特徴が現在一般的であるものを反映し
ているが、付記する。例えば、長方形の形状を有し、回
転可能ではない幾つかの基板を支持するのに適している
平坦な基板キャリアが予期される。更に本発明の基板キ
ャリアは、CDV処理以外の他の処理、例えばPVD処
理のような別の蒸気沈積処理で利用され得るということ
が予期される。
【0011】図1に戻って、基板キャリア1はその主表
面2に機械加工された輪郭4を具備する。その理由は、
そのような輪郭4が具備されないと、例えばドープ処理
されたシリコンのエピタキシャル成長に従って、例えば
基板が基板キャリア1の主表面2にくっつくであろうか
らである。このことは基板の自動取出しを深刻に妨害す
るであろう。
【0012】提案された基板キャリア1は、一般に全側
面上にコーティングが施され、処理される基板を支持す
るための主表面2を有する平坦な基板キャリア1であ
り、その主表面は処理に続いて主表面2から処理された
基板を取出すために機械加工されている(参照番号4参
照)。
【0013】本発明によると、図2で参照番号13で指示
されているように、基板キャリア1の主表面2(図1参
照)の反対側の表面10(図2参照)は、2つの表面2、
10に於ける機械的応力が互いにほぼ相殺し合って、その
結果コーティングが施された後に、基板キャリア1の著
しい反りが生じない方法で機械加工されている。
【0014】ここで想定されるように、前述の機械的応
力は熱膨張率及び機械加工された表面上のコーティング
の厚さの違いによってまた同じくコーティング時の、恐
らくディスロケーションに因る、内側応力によって決定
される。
【0015】本発明によると、図面には示されていない
が、基板キャリア1の主表面(図1)と反対側の表面10
(図2参照)は、2つの表面2、10に於ける機械的応力
が互いにほぼ相殺し合って、その結果反りは殆ど生じな
くなるように処理されることができ、それによって前記
処理は、例えば反対側の表面10及び主表面2との上のコ
ーティングに対して別の厚さを取り得ることであり得
る。
【0016】機械加工が行われる場合に、反対側の表面
10(図2参照)は、主表面(図1参照)とほぼ同じ領域
に機械加工されることが好ましい。更に、主表面2(図
1参照)と同じ方法で反対側の表面10(図2参照)に機
械加工されることが好ましい。前記機械加工は、図3に
更に詳細が示されるように、溝4(図1参照)及び13
(図2参照)のパターンを提供することを具備し得る。
勿論、別の輪郭も可能であり、当業者は、どのような方
法で、例えば材料除去作業即ちEDM作業によって、そ
の後に基板キャリアは例えば耐火層で全側面を被覆され
るであろうような輪郭が基板キャリアに具備されことが
できるかを知っているであろう。
【0017】処理が行われる場合、その処理は物理的或
いは化学的コーティングであり得るが、機械加工の輪郭
13が全く存在しない場合の反対側の表面(図2参照)に
生成されたコーティングの厚さは、主表面の最大のコー
ティングの厚さよりも薄いであろうような処理であり得
る。その理由は、溝のパターン13が反対側の表面10(図
2参照)に全く存在しないので、そこに形成されたコー
ティングは均一の厚さを持つであろうが、一方機械加工
のパターン4(図1参照)上に存するコーティングは、
輪郭4の突出部20上のコーティングの厚さが傾斜部21上
及び谷間部22よりも厚くなり、図3を再び参照すると前
記谷間部の厚さは効果的により薄くなっているからであ
る。
【0018】コーティングの厚さは1乃至1,000μ
mにあり得る。±200mmの直径と縁部3内に9mm
の厚さを持ち、全側面上にCDVシリコン・カーバイド
の約100ミクロンのコーティングを施されたグラファ
イトの基板キャリア1の形状の試作品では、図1及び2
の主表面2は、機械加工が一方の側面(4)上で行われ
た時、その位置で0.8mmの凹状を示したが、一方図
1乃至3の通り機械加工が両側面(4、13)上で行われ
れた時、前記凹状は0.05mmまで減少していること
がわかった。
【0019】同じような結果が、これの代りにまだ機械
加工されていない反対側の側面10(図2参照)上のコー
ティングの厚さを薄くした時に得られた。主表面2と反
対側の表面10に薄い厚さのコーティングを施す方法は、
当業者に公知である。
【0020】要約すると、本発明は、個々に或いは互い
に組合せて使用される時に、平坦で、薄い基板キャリア
になる同じ原理に基いた2つの方法を提供する。1つの
方法は、基板キャリアの裏側面に基板キャリアの上表側
面と同じ機械加工を施すことを具備し、2つ目の方法は
前記2つの側面上のコーティングに別々の厚さを使用す
ることを具備する。両方の方法は互いに相殺し合う機械
的応力を与えて、基板キャリアは平坦なままであること
を確実にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】提案された基板キャリアの実施例の平面図。
【図2】図1の基板キャリアの底面図。
【図3】提案された基板キャリアの適切な溝の輪郭の拡
大図。
【符号の説明】
1…基板キャリア、2…主表面、3…円形直立縁部、4
…機械加工された輪郭(溝型パターン)、10…2の反対
側の表面、11…盲孔、12…円形スロット、13…輪郭(溝
型パターン)、20…突出部、21…傾斜部、22…谷間部。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板キャリアの主表面に反対側の表面
    が、2つの表面に於ける機械的応力が互いにほぼ相殺し
    合うような機械加工或いは処理を施されていることを特
    徴とする処理される基板を支持するための機械加工され
    た主表面と全側面上のコーティングとを具備する平坦な
    基板キャリア。
  2. 【請求項2】 前記反対側の表面が主表面とほぼ同じ領
    域の上を機械加工されることを特徴とする請求項1記載
    の基板キャリア。
  3. 【請求項3】 前記反対側の表面が主表面と同じ機械加
    工を施されていることを特徴とする請求項1或いは2の
    何れか1項記載の基板キャリア。
  4. 【請求項4】 前記反対側の表面のコーティングの厚さ
    が主表面のコーティングの最大厚さよりも薄いことを特
    徴とする請求項1記載の基板キャリア。
  5. 【請求項5】 前記基板キャリアがグラファイト、カー
    ボン、セラミックス、金属、或いは合金を具備すること
    を特徴とする請求項1乃至4の何れか1項記載の基板キ
    ャリア。
  6. 【請求項6】 前記コーティングがシリコン・カーバイ
    ド、熱分解グラファイト、アルミニウム窒化物、アルミ
    ニウム酸化物、或いはシリコン窒化物を具備することを
    特徴とする請求項1乃至5の何れか1項記載の基板キャ
    リア。
  7. 【請求項7】 前記コーティングの厚さが1乃至1,0
    00μmにあることを特徴とする請求項1乃至6の何れ
    か1項記載の基板キャリア。
JP03393194A 1993-03-04 1994-03-03 基板キャリア Expired - Lifetime JP3547470B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9300389A NL9300389A (nl) 1993-03-04 1993-03-04 Substraatdrager.
NL9300389 1993-03-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0790590A true JPH0790590A (ja) 1995-04-04
JP3547470B2 JP3547470B2 (ja) 2004-07-28

Family

ID=19862131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03393194A Expired - Lifetime JP3547470B2 (ja) 1993-03-04 1994-03-03 基板キャリア

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5403401A (ja)
EP (1) EP0614212B1 (ja)
JP (1) JP3547470B2 (ja)
DE (1) DE69415838T2 (ja)
NL (1) NL9300389A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200063225A (ko) * 2017-11-08 2020-06-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더 및 디바이스를 제조하는 제조 방법

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5531835A (en) * 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
WO1997009737A1 (en) 1995-09-01 1997-03-13 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US5814561A (en) * 1997-02-14 1998-09-29 Jackson; Paul D. Substrate carrier having a streamlined shape and method for thin film formation
WO1999023691A2 (en) 1997-11-03 1999-05-14 Asm America, Inc. Improved low mass wafer support system
USD422866S (en) * 1999-01-07 2000-04-18 Tooltek Engineering Corporation Substrate fixturing device
US6340090B1 (en) 1999-01-07 2002-01-22 Tooltek Engineering Corporation Substrate fixturing device
US6410172B1 (en) 1999-11-23 2002-06-25 Advanced Ceramics Corporation Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US7033445B2 (en) * 2001-12-27 2006-04-25 Asm America, Inc. Gridded susceptor
US7070660B2 (en) * 2002-05-03 2006-07-04 Asm America, Inc. Wafer holder with stiffening rib
US20050170314A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-04 Richard Golden Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design
US6709267B1 (en) 2002-12-27 2004-03-23 Asm America, Inc. Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss
WO2004090967A1 (ja) * 2003-04-02 2004-10-21 Sumco Corporation 半導体ウェーハ用熱処理治具
KR101116510B1 (ko) * 2003-08-01 2012-02-28 에스지엘 카본 에스이 반도체 제조시 웨이퍼를 지지하는 홀더
WO2006078666A2 (en) 2005-01-18 2006-07-27 Asm America, Inc. Reaction system for growing a thin film
US20060194059A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Honeywell International Inc. Annular furnace spacers and method of using same
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
KR101294129B1 (ko) * 2008-08-29 2013-08-07 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 가변 열 저항을 가진 웨이퍼 캐리어
US8801857B2 (en) 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
TWI563589B (en) * 2009-11-27 2016-12-21 Jusung Eng Co Ltd Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
KR20130137475A (ko) * 2012-06-07 2013-12-17 삼성전자주식회사 기판 처리방법 및 그에 사용되는 서포트 기판
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
USD766849S1 (en) * 2013-05-15 2016-09-20 Ebara Corporation Substrate retaining ring
EP3100298B1 (en) 2014-01-27 2020-07-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
KR20170102020A (ko) * 2015-01-23 2017-09-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 내의 퇴적 계곡들을 제거하기 위한 신규한 서셉터 설계
CN106024681B (zh) * 2016-07-27 2018-12-28 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 叠层膜、包含其的石墨舟及其制备方法、及石墨舟清洗方法
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
CN110819968B (zh) * 2018-08-08 2022-06-28 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 一种用于pecvd反应腔的复合载板
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
EP3835281A1 (de) 2019-12-13 2021-06-16 Siltronic AG Verfahren zur herstellung eines plattenförmigen formkörpers mit einer siliziumkarbid-matrix
CN113278952B (zh) * 2021-03-26 2022-12-06 华灿光电(苏州)有限公司 石墨基板
CN114874395A (zh) * 2022-04-19 2022-08-09 南京艾布纳密封技术股份有限公司 一种耐高温有机浸渗密封材料及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4397901A (en) * 1979-07-31 1983-08-09 Warren James W Composite article and method of making same
US4499354A (en) * 1982-10-06 1985-02-12 General Instrument Corp. Susceptor for radiant absorption heater system
US4424096A (en) * 1982-12-23 1984-01-03 Western Electric Co., Inc. R-F Electrode type workholder and methods of supporting workpieces during R-F powered reactive treatment
US4486473A (en) * 1983-09-21 1984-12-04 Ga Technologies Inc. Method and apparatus for coating fragile articles in a fluidized bed of particles using chemical vapor deposition
JPS6169116A (ja) * 1984-09-13 1986-04-09 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウエハ−の連続cvdコ−テイング用サセプター
US4780174A (en) * 1986-12-05 1988-10-25 Lan Shan Ming Dislocation-free epitaxial growth in radio-frequency heating reactor
US4821674A (en) * 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4907534A (en) * 1988-12-09 1990-03-13 Siemens Aktiengesellschaft Gas distributor for OMVPE Growth
JPH02174116A (ja) * 1988-12-26 1990-07-05 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
DE3915039A1 (de) * 1989-05-08 1990-11-15 Balzers Hochvakuum Hubtisch
US5059770A (en) * 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US5199483A (en) * 1991-05-15 1993-04-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200063225A (ko) * 2017-11-08 2020-06-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더 및 디바이스를 제조하는 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5403401A (en) 1995-04-04
EP0614212B1 (en) 1999-01-13
DE69415838D1 (de) 1999-02-25
DE69415838T2 (de) 1999-05-20
JP3547470B2 (ja) 2004-07-28
EP0614212A1 (en) 1994-09-07
NL9300389A (nl) 1994-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0790590A (ja) 基板キャリア
US5514439A (en) Wafer support fixtures for rapid thermal processing
US11769683B2 (en) Chamber component with protective ceramic coating containing yttrium, aluminum and oxygen
US5837058A (en) High temperature susceptor
US8231940B2 (en) Wafer processing method with carrier hub removal
US6530994B1 (en) Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US5841624A (en) Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US20040055709A1 (en) Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
US5916370A (en) Semiconductor processing chamber having diamond coated components
US20110114022A1 (en) Wafer carrier with hub
KR100193546B1 (ko) 초경질막 피복부재 및 그 제조방법
WO2000077830A3 (en) A method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US5863396A (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
WO2004027839A2 (en) Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
JPH0483328A (ja) ウエハチャック
US5423475A (en) Diamond coatings for aluminum alloys
WO2018207942A1 (ja) サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板
JP4007598B2 (ja) サセプタおよびその製造方法
JPH02212394A (ja) サセプタ
US6623605B2 (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
WO2021081027A1 (en) Wafer carrier for semiconductor processing
JP2002093711A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03260062A (ja) セラミック被覆部材の製造方法
TW200818371A (en) A method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacturing of semi-conductor components as well as such a device
US6346481B1 (en) Method of reducing pitting of a coated heater

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040316

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040414

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term