JPH0483328A - ウエハチャック - Google Patents
ウエハチャックInfo
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- JPH0483328A JPH0483328A JP2196358A JP19635890A JPH0483328A JP H0483328 A JPH0483328 A JP H0483328A JP 2196358 A JP2196358 A JP 2196358A JP 19635890 A JP19635890 A JP 19635890A JP H0483328 A JPH0483328 A JP H0483328A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体回路素子製造用の露光装置等において
、ウェハを保持し平面矯正するチャックの表面構造及び
その母材に関するものである。
、ウェハを保持し平面矯正するチャックの表面構造及び
その母材に関するものである。
［従来の技術］
従来、半導体素子製造用に用いられているウェハ支持の
チャックの材質は、アルミ系の金属にアルマイト（商品
名）メツキしたものであった。それ以外には、ステンレ
スやアルマイト系セラミクスが用いられていた。
チャックの材質は、アルミ系の金属にアルマイト（商品
名）メツキしたものであった。それ以外には、ステンレ
スやアルマイト系セラミクスが用いられていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記の従来例のアルミにアルマイトメツ
キしたものでは、母材が半導体素子の主な材料となるシ
リコンよりも軟らかいために、キズや打痕が付き、耐久
性に問題があった。ステンレスを材料にしたチャックも
アルミと同様の欠点があった。そこで最近では、耐久性
向上させるために、硬い材料であるセラミクスが用いら
れる様になフてきた。しかしながら、セラミクスは製造
工程において、均一な粒子（数μｍ程度大きさ）を焼き
固めて作るために、多孔質構造となる。そして、研削や
ラップで仕上げた表面は凹形状になる。この凹形状の中
にウェハ裏面の感光材等の異物が入り込みやすく、異物
によフてウェハの平面矯正ができない欠点がある。また
、凹形状の内部は、凸凹になっており、−度入った異物
が容易に取れないという欠点があった。
キしたものでは、母材が半導体素子の主な材料となるシ
リコンよりも軟らかいために、キズや打痕が付き、耐久
性に問題があった。ステンレスを材料にしたチャックも
アルミと同様の欠点があった。そこで最近では、耐久性
向上させるために、硬い材料であるセラミクスが用いら
れる様になフてきた。しかしながら、セラミクスは製造
工程において、均一な粒子（数μｍ程度大きさ）を焼き
固めて作るために、多孔質構造となる。そして、研削や
ラップで仕上げた表面は凹形状になる。この凹形状の中
にウェハ裏面の感光材等の異物が入り込みやすく、異物
によフてウェハの平面矯正ができない欠点がある。また
、凹形状の内部は、凸凹になっており、−度入った異物
が容易に取れないという欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、耐久性を向上させるとともに異物付着を防止し安定
したウェハの平面矯正が可能なウェハチャックの提供を
目的とする。
て、耐久性を向上させるとともに異物付着を防止し安定
したウェハの平面矯正が可能なウェハチャックの提供を
目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用］前記目的を達成
するため、本発明によれば、母材に、硬度が大きく耐久
性かあるセラミクスを用い、その表面をウェハより硬度
が大きくかつ、母材以上の硬度かあり、セラミクスの様
な多孔質構造でない材質でご一トした。コート方法は、
母材からコートした面が剥離しない様にＣＶＤ法で行な
う。コート材にはＴｉＣやＴａＣなどを用いる。このコ
ートにより母材を保護するとともに異物付着を防止する
。
するため、本発明によれば、母材に、硬度が大きく耐久
性かあるセラミクスを用い、その表面をウェハより硬度
が大きくかつ、母材以上の硬度かあり、セラミクスの様
な多孔質構造でない材質でご一トした。コート方法は、
母材からコートした面が剥離しない様にＣＶＤ法で行な
う。コート材にはＴｉＣやＴａＣなどを用いる。このコ
ートにより母材を保護するとともに異物付着を防止する
。
［実施例］
本発明の第１の実施例を第１図および第２図に示す。第
１図はウェハを保持及び平面矯正するためのチャックの
外観を示し、第２図はその断面を示す。
１図はウェハを保持及び平面矯正するためのチャックの
外観を示し、第２図はその断面を示す。
１はウェハと接するチャック表面てあり、この表面１上
にウェハ（図示しない）か置かれる。ウニへの保持は、
負圧溝２によって行なわれる。負圧の供給は穴４によっ
てチャック裏面６から行なわれる。また、ウェハの平面
矯正は溝２を介して真空吸着することによりチャック表
面１によって行われる。
にウェハ（図示しない）か置かれる。ウニへの保持は、
負圧溝２によって行なわれる。負圧の供給は穴４によっ
てチャック裏面６から行なわれる。また、ウェハの平面
矯正は溝２を介して真空吸着することによりチャック表
面１によって行われる。
チャック表面１はコート３で覆われる。
本発明の特長はこのコート３であり、ウェハの保持面側
に配置される。コート３の材質は、ウェハより硬いＴｉ
ＣまたはＴａＣなどてあり、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成
する。コート層の厚さは１０μｍ〜６０μｍであり、こ
れはコート形成後、チャック表面１の平面度を得るため
の研削及びラップ量を含めた厚さである。研削及びラッ
プ後のコート層は５μｍ〜３０μｍでありこのチャック
表面はウェハ表面あらさと同等に仕上げられ、その時に
母材との熱膨張率、差による破壊を避けるために、でき
るだけ薄いことが望ましい。負圧溝２の加工は、チャッ
クの研削及びラップ後に行なう。
に配置される。コート３の材質は、ウェハより硬いＴｉ
ＣまたはＴａＣなどてあり、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成
する。コート層の厚さは１０μｍ〜６０μｍであり、こ
れはコート形成後、チャック表面１の平面度を得るため
の研削及びラップ量を含めた厚さである。研削及びラッ
プ後のコート層は５μｍ〜３０μｍでありこのチャック
表面はウェハ表面あらさと同等に仕上げられ、その時に
母材との熱膨張率、差による破壊を避けるために、でき
るだけ薄いことが望ましい。負圧溝２の加工は、チャッ
クの研削及びラップ後に行なう。
チャックの母材５の材質は、主に、多孔質構造であるＡ
ＩＬ２０３系のセラミクスである。母材５はその硬度が
ウェハと同等か、それ以上であり、コートとの熱膨張率
の差が１０ｐｐｍ以下のものが望ましい。ＡＪ１２０３
系のセラミクス以外に、Ｚ ｒ ０２．Ｓ Ｉ Ｃ，Ｓ
ｉ ３Ｎ４系でも良い。母材のウェハ保持面側はコー
ト３のラップ量を減らすために、１μｍ以下の平面に仕
上げる。
ＩＬ２０３系のセラミクスである。母材５はその硬度が
ウェハと同等か、それ以上であり、コートとの熱膨張率
の差が１０ｐｐｍ以下のものが望ましい。ＡＪ１２０３
系のセラミクス以外に、Ｚ ｒ ０２．Ｓ Ｉ Ｃ，Ｓ
ｉ ３Ｎ４系でも良い。母材のウェハ保持面側はコー
ト３のラップ量を減らすために、１μｍ以下の平面に仕
上げる。
本発明の別の実施例の断面を第３図に示す。この実施例
では、コート７はウェハに接する面だけでなくチャック
表面全面を覆う。このコート７はチャックの溝２を加工
後に形成しコート後、研削、ラップする。第３図の構造
は、第２図の構造に比べて、ウェハと接する面積が１
ｍｍ２以下になった時、または巾が０．５ｍｍ以下にな
る時に、母材から、コート層が剥れにくい特長を持つ。
では、コート７はウェハに接する面だけでなくチャック
表面全面を覆う。このコート７はチャックの溝２を加工
後に形成しコート後、研削、ラップする。第３図の構造
は、第２図の構造に比べて、ウェハと接する面積が１
ｍｍ２以下になった時、または巾が０．５ｍｍ以下にな
る時に、母材から、コート層が剥れにくい特長を持つ。
［発明の効果］
以上に説明したように、ウェハチャックの母材にセラミ
クスを用いて、耐久性を向上させ、その表面に、ウェハ
より硬度がり、多孔質構造でなく、かつ母材との熱膨張
率差か小さいＴｉＣやＴａＣをＣＶＤ法でコートするこ
とによってチャック上への異物付着か低下する。これに
よって耐久性があり、異物付着のない安定したウニへの
平面矯正ができる。
クスを用いて、耐久性を向上させ、その表面に、ウェハ
より硬度がり、多孔質構造でなく、かつ母材との熱膨張
率差か小さいＴｉＣやＴａＣをＣＶＤ法でコートするこ
とによってチャック上への異物付着か低下する。これに
よって耐久性があり、異物付着のない安定したウニへの
平面矯正ができる。
第１図は、本発明に係るウェハチャックの外観図、
第２図は、
第１図のウェハチャックの部分断面
図、
第３図け、
本発明の別の実施例の断面図であ
る。
１：チャック表面、２：負圧溝、３：コート、４：負圧
供給穴、５：チャック母材、 ６：裏面、７：コート。
供給穴、５：チャック母材、 ６：裏面、７：コート。
Claims (6)
- （１）ウェハ搭載面側にウェハ吸着用の負圧溝を有し、
母材をセラミクスで構成し、前記ウェハ搭載面をウェハ
より硬度が大きい多孔質以外の材料でコーティングした
ことを特徴とするウェハチャック。 - （２）前記ウェハ搭載面の表面にのみ前記コーティング
を施したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ウェハチャック。 - （３）前記負圧溝の内面を含めチャック外周面の全面に
前記コーティングを施したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のウェハチャック。 - （４）前記コーティング材料はＴｉＣ、ＴａＣ、Ａｌ＿
２Ｏ＿３またはＳｉＣからなり、前記母材はＡｌ＿２Ｏ
＿３系、ＺｒＯ＿２系、ＳｉＣ系またはＳｉ＿３Ｎ＿４
系のセラミクスからなり、表面仕上げ後のコート厚を５
〜３０μｍとしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のウェハチャック。 - （５）前記母材上にＣＶＤ法により１０〜６０μｍのコ
ーティングを施した後前記表面仕上げを行ったことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載のウェハチャック。 - （６）前記の表面仕上げは搭載されるウェハの表面あら
さと同等か、それ以下であることを特徴とするウェハチ
ャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19635890A JP2748181B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ウエハチャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19635890A JP2748181B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ウエハチャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483328A true JPH0483328A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2748181B2 JP2748181B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16356516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19635890A Expired - Lifetime JP2748181B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ウエハチャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748181B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0818272A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-14 | Applied Materials, Inc. | Holding a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system |
| WO1999028957A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant |
| US6379221B1 (en) | 1996-12-31 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
| KR100375984B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치 |
| US7732010B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method for supporting a glass substrate to improve uniform deposition thickness |
| US8372205B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
| JP2014187213A (ja) * | 2013-03-23 | 2014-10-02 | Kyocera Corp | 吸着部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに吸着部材の製造方法 |
| CN104096662A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-10-15 | 济南晶博电子有限公司 | 吸附式硅片涂布旋转台 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4700819B2 (ja) | 2000-03-10 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法 |
| JP3927774B2 (ja) | 2000-03-21 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 計測方法及びそれを用いた投影露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0267745A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Inc | ウエハ保持方法 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19635890A patent/JP2748181B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0267745A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Inc | ウエハ保持方法 |
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| CN104096662A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-10-15 | 济南晶博电子有限公司 | 吸附式硅片涂布旋转台 |
| CN104096662B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-06-23 | 青岛海之源智能技术有限公司 | 吸附式硅片涂布旋转台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748181B2 (ja) | 1998-05-06 |
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