JPH04360512A - ウエハチャックの製造方法 - Google Patents
ウエハチャックの製造方法Info
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- JPH04360512A JPH04360512A JP3162423A JP16242391A JPH04360512A JP H04360512 A JPH04360512 A JP H04360512A JP 3162423 A JP3162423 A JP 3162423A JP 16242391 A JP16242391 A JP 16242391A JP H04360512 A JPH04360512 A JP H04360512A
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- Japan
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- wafer
- chuck
- manufacturing
- wafer chuck
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Links
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体回路素子製造用
の露光装置において、ウエハを保持し平面矯正をするこ
とができるウエハチャックの製造方法に関するものであ
る。
の露光装置において、ウエハを保持し平面矯正をするこ
とができるウエハチャックの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子製造用に用いられてい
るウエハ支持のチャックの材質は、アルミ系の金属にア
ルマイト（商品名）メッキしたものであった。それ以外
には、ステンレスやアルマイト系セラミクスが用いられ
ていた。
るウエハ支持のチャックの材質は、アルミ系の金属にア
ルマイト（商品名）メッキしたものであった。それ以外
には、ステンレスやアルマイト系セラミクスが用いられ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例のアルミにアルマイトメッキしたものでは、母材
が半導体素子の主な材料となるシリコンよりも軟らかい
ために、キズや打痕が付き、耐久性に問題があった。ス
テンレスを材料にしたチャックもアルミと同様の欠点が
あった。そこで最近では、耐久性を向上させるために、
硬い材料であるセラミクスが用いられるようになってき
た。しかしながら、セラミクスは製造工程において、均
一な粒子（数μｍ程度の大きさ）を焼き固めて作るため
に、表面が不均質な構造となっていた。
従来例のアルミにアルマイトメッキしたものでは、母材
が半導体素子の主な材料となるシリコンよりも軟らかい
ために、キズや打痕が付き、耐久性に問題があった。ス
テンレスを材料にしたチャックもアルミと同様の欠点が
あった。そこで最近では、耐久性を向上させるために、
硬い材料であるセラミクスが用いられるようになってき
た。しかしながら、セラミクスは製造工程において、均
一な粒子（数μｍ程度の大きさ）を焼き固めて作るため
に、表面が不均質な構造となっていた。
【０００４】また、セラミクスは、表面硬度が高いため
に、通常の研削やラップで仕上げた場合、表面が凹凸形
状になる。この凹凸形状部にウエハ裏面の感光部材等の
異物が入り、この異物によってウエハの平面矯正ができ
ず高精度の位置合せができなくなるという欠点があった
。
に、通常の研削やラップで仕上げた場合、表面が凹凸形
状になる。この凹凸形状部にウエハ裏面の感光部材等の
異物が入り、この異物によってウエハの平面矯正ができ
ず高精度の位置合せができなくなるという欠点があった
。
【０００５】また、前記凹凸形状部の内部にはさらに細
かい粒界による凹凸が生じ、一旦入った異物が容易に除
去できないという欠点があった。
かい粒界による凹凸が生じ、一旦入った異物が容易に除
去できないという欠点があった。
【０００６】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、耐久性を向上させるとともに異物付着
を防止し安定した高精度のウエハの平面矯正が可能なウ
エハチャックの提供を目的としている。
たものであって、耐久性を向上させるとともに異物付着
を防止し安定した高精度のウエハの平面矯正が可能なウ
エハチャックの提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明によれば、母材には硬度が大きく耐
久性があるセラミクスを用い、その表面をウエハより硬
度が大きくかつ、母材以上の硬度があり、セラミクスの
ような不均質構造ではない材質でコートした。コーティ
ング方法は、母材からコーティングした面が剥離しない
ようにＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法等で行
なう。コーティング材には、ＴｉＣ、ＴａＣ、Ａｌ２Ｏ
３やＳｉＣなどを用いる。このコーティングにより母材
を保護するとともに異物付着を防止する。
成するため、本発明によれば、母材には硬度が大きく耐
久性があるセラミクスを用い、その表面をウエハより硬
度が大きくかつ、母材以上の硬度があり、セラミクスの
ような不均質構造ではない材質でコートした。コーティ
ング方法は、母材からコーティングした面が剥離しない
ようにＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法等で行
なう。コーティング材には、ＴｉＣ、ＴａＣ、Ａｌ２Ｏ
３やＳｉＣなどを用いる。このコーティングにより母材
を保護するとともに異物付着を防止する。
【０００８】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１および図２に示
す。図１はウエハを保持および平面矯正するためのチャ
ックの外観を示し、図２はその断面を示す。
す。図１はウエハを保持および平面矯正するためのチャ
ックの外観を示し、図２はその断面を示す。
【０００９】１はウエハと接するチャック表面であり、
この表面１上にウエハ（図示しない）が置かれる。ウエ
ハの保持は、負圧溝２によって行なわれる。負圧の供給
は穴４によってチャック裏面６から行なわれる。また、
ウエハの平面矯正は溝２を介して真空吸着することによ
りチャック表面１によって行なわれる。
この表面１上にウエハ（図示しない）が置かれる。ウエ
ハの保持は、負圧溝２によって行なわれる。負圧の供給
は穴４によってチャック裏面６から行なわれる。また、
ウエハの平面矯正は溝２を介して真空吸着することによ
りチャック表面１によって行なわれる。
【００１０】チャック表面１はコーティング材３で覆わ
れる。
れる。
【００１１】本発明の特徴はこのウエハ保持面側のコー
ティング材３とその製造方法である。コーティング材３
の材質は、ウエハより硬いＴｉＣであり、ＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法に
より形成する。コーティング層の厚さは１０〜６０μｍ
、好ましくは２０〜４０μｍである。これはコーティン
グ層形成後、チャック表面１の平面度を得るための研削
およびラップ量を含めた厚さである。研削およびラップ
後のコーティング厚は５〜３０μｍでありこのチャック
表面はウエハ表面粗さと同程度に仕上げられ、そのとき
に母材との熱膨張率差による破壊を避けるために、でき
るだけ薄いことが望ましい。負圧溝２の加工は、チャッ
クの研削およびラップ後に行なう。
ティング材３とその製造方法である。コーティング材３
の材質は、ウエハより硬いＴｉＣであり、ＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法に
より形成する。コーティング層の厚さは１０〜６０μｍ
、好ましくは２０〜４０μｍである。これはコーティン
グ層形成後、チャック表面１の平面度を得るための研削
およびラップ量を含めた厚さである。研削およびラップ
後のコーティング厚は５〜３０μｍでありこのチャック
表面はウエハ表面粗さと同程度に仕上げられ、そのとき
に母材との熱膨張率差による破壊を避けるために、でき
るだけ薄いことが望ましい。負圧溝２の加工は、チャッ
クの研削およびラップ後に行なう。
【００１２】チャックの母材５の材質は、主に不均質構
造であるＡｌ２Ｏ３系のセラミクスである。母材５はそ
の硬度がウエハと同等かまたはそれ以上であり、コーテ
ィング材との熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下のものが望
ましい。Ａｌ２Ｏ３系のセラミクスが用いられた母材の
ウエハ保持面側はコーティング材のラップ量を減らすた
めに１μｍ以下の平面に仕上げる。
造であるＡｌ２Ｏ３系のセラミクスである。母材５はそ
の硬度がウエハと同等かまたはそれ以上であり、コーテ
ィング材との熱膨張率の差が１０ｐｐｍ以下のものが望
ましい。Ａｌ２Ｏ３系のセラミクスが用いられた母材の
ウエハ保持面側はコーティング材のラップ量を減らすた
めに１μｍ以下の平面に仕上げる。
【００１３】以上本実施例で説明したように、チャック
表面１上にＣＶＤ法により１０〜６０μｍのコーティン
グ層を積層した後、ブラスト研削により適切な平面度を
得る。次の工程で負圧溝２を５μｍ程度同様にして研削
する。最後に負圧供給穴４を通常の機械加工により形成
する。負圧溝２を形成する際、コーティング材３の表面
にポリマー材によりオーバーコートし保護する。このポ
リマー材は通常の手ラップにより容易に除去することが
できるので極めて平面度の高いかつ硬度の高い、図２の
断面図に示すような、ウエハチャックを形成することが
できる。
表面１上にＣＶＤ法により１０〜６０μｍのコーティン
グ層を積層した後、ブラスト研削により適切な平面度を
得る。次の工程で負圧溝２を５μｍ程度同様にして研削
する。最後に負圧供給穴４を通常の機械加工により形成
する。負圧溝２を形成する際、コーティング材３の表面
にポリマー材によりオーバーコートし保護する。このポ
リマー材は通常の手ラップにより容易に除去することが
できるので極めて平面度の高いかつ硬度の高い、図２の
断面図に示すような、ウエハチャックを形成することが
できる。
【００１４】本発明の別の実施例の断面を図３に示す。
この実施例では、コーティング材７はウエハに接する面
だけでなくチャック表面全面を覆う。このコーティング
材７はチャックの負圧溝２を加工後にコーティングし、
その後研削、ラップする。図３の構造は、図２の構造に
比べて、ウエハの面積が１ｍｍ２以下になったとき、ま
たは幅が０．５ｍｍ以下になるときに、母材からコーテ
ィング層が剥がれにくい特徴をもつ。
だけでなくチャック表面全面を覆う。このコーティング
材７はチャックの負圧溝２を加工後にコーティングし、
その後研削、ラップする。図３の構造は、図２の構造に
比べて、ウエハの面積が１ｍｍ２以下になったとき、ま
たは幅が０．５ｍｍ以下になるときに、母材からコーテ
ィング層が剥がれにくい特徴をもつ。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、ウエハチャックの
母材にセラミクスを用いて耐久性を向上させ、その表面
にウエハより硬度があり、不均質構造でなく、かつ母材
との熱膨張率差が小さいＴｉＣをＣＶＤ法でコーティン
グすることによってチャック上への異物の付着が低下す
る。これによって耐久性があり、異物付着のない安定し
たウエハの平面矯正ができる。
母材にセラミクスを用いて耐久性を向上させ、その表面
にウエハより硬度があり、不均質構造でなく、かつ母材
との熱膨張率差が小さいＴｉＣをＣＶＤ法でコーティン
グすることによってチャック上への異物の付着が低下す
る。これによって耐久性があり、異物付着のない安定し
たウエハの平面矯正ができる。
【図１】 本発明に係るウエハチャックの外観図であ
る。
る。
【図２】 図１のウエハチャックの要部断面図である
。
。
【図３】 本発明の別の実施例の要部断面図である。
１；チャック表面、２；負圧溝、３；コーティング材、
４；負圧供給穴、５；チャック母材、６；チャック裏面
、７；コーティング材。
４；負圧供給穴、５；チャック母材、６；チャック裏面
、７；コーティング材。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子製造用のウエハを吸着保持
するためのウエハチャックの製造方法において、チャッ
ク母材のウエハ保持面側に該母材より硬度の大きいコー
ティング材を形成する工程と、該コーティング材をパタ
ーニングする工程を含むことを特徴とするウエハチャッ
クの製造方法。 - 【請求項２】 前記母材の全外周面を該母材より硬度
の大きいコーティング材で覆ったことを特徴とする請求
項１のウエハチャックの製造方法。 - 【請求項３】 前記母材はセラミクスからなることを
特徴とする請求項１または２のウエハチャックの製造方
法。 - 【請求項４】 前記コーティング材はＴｉＣからなる
ことを特徴とする請求項３のウエハチャックの製造方法
。 - 【請求項５】 前記コーティング材形成工程後にポリ
マーからなるオーバーコート層の形成工程を含むことを
特徴とする請求項１のウエハチャックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162423A JPH04360512A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | ウエハチャックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162423A JPH04360512A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | ウエハチャックの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360512A true JPH04360512A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15754324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3162423A Pending JPH04360512A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | ウエハチャックの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04360512A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028957A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant |
| WO2000072364A1 (fr) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Appareil de durcissement de resist |
| JP2017187604A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | カバー部材、搬送装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3162423A patent/JPH04360512A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028957A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant |
| WO2000072364A1 (fr) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Appareil de durcissement de resist |
| JP2000331910A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Ushio Inc | レジスト硬化装置 |
| US6605814B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-08-12 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Apparatus for curing resist |
| JP2017187604A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | カバー部材、搬送装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
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