JP2748181B2 - ウエハチャック - Google Patents
ウエハチャックInfo
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- JP2748181B2 JP2748181B2 JP19635890A JP19635890A JP2748181B2 JP 2748181 B2 JP2748181 B2 JP 2748181B2 JP 19635890 A JP19635890 A JP 19635890A JP 19635890 A JP19635890 A JP 19635890A JP 2748181 B2 JP2748181 B2 JP 2748181B2
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- Japan
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- wafer
- chuck
- coating
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- ceramics
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体回路素子製造用の露光装置等におい
て、ウエハを保持し平面矯正するチャックの表面構造及
びその母材に関するものである。
て、ウエハを保持し平面矯正するチャックの表面構造及
びその母材に関するものである。
［従来の技術］ 従来、半導体素子製造用に用いられているウエハ支持
のチャックの材質は、アルミ系の金属にアルマイト（商
品名）メッキしたものであった。それ以外には、ステン
レスやアルマイト系セラミクスが用いられてきた。
のチャックの材質は、アルミ系の金属にアルマイト（商
品名）メッキしたものであった。それ以外には、ステン
レスやアルマイト系セラミクスが用いられてきた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の従来例のアルミにアルマイトメ
ッキしたものでは、母材が半導体素子の主な材料となる
シリコンよりも軟らかいために、キズや打痕が付き、耐
久性に問題があった。ステンレスを材料にしたチャック
もアルミと同様の欠点があった。そこで最近では、耐久
性向上させるために、硬い材料であるセラミクスが用い
られる様になってきた。しかしながら、セラミクスは製
造工程において、均一な粒子（数μｍ程度大きさ）を焼
き固めて作るために、多孔質構造となる。そして、研削
やラップで仕上げた表面は凹形状になる。この凹形状の
中にウエハ裏面の感光材等の異物が入り込みやすく、異
物によってウエハの平面矯正ができない欠点がある。ま
た、凹形状の内部は、凹凸になっており、一度入った異
物が容易に取れないという欠点があった。
ッキしたものでは、母材が半導体素子の主な材料となる
シリコンよりも軟らかいために、キズや打痕が付き、耐
久性に問題があった。ステンレスを材料にしたチャック
もアルミと同様の欠点があった。そこで最近では、耐久
性向上させるために、硬い材料であるセラミクスが用い
られる様になってきた。しかしながら、セラミクスは製
造工程において、均一な粒子（数μｍ程度大きさ）を焼
き固めて作るために、多孔質構造となる。そして、研削
やラップで仕上げた表面は凹形状になる。この凹形状の
中にウエハ裏面の感光材等の異物が入り込みやすく、異
物によってウエハの平面矯正ができない欠点がある。ま
た、凹形状の内部は、凹凸になっており、一度入った異
物が容易に取れないという欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、耐久性を向上させるとともに異物付着防止し安定
したウエハの平面矯正が可能なウエハチャックの提供を
目的とする。
って、耐久性を向上させるとともに異物付着防止し安定
したウエハの平面矯正が可能なウエハチャックの提供を
目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用］ 前記目的を達成するため、本発明によれば、母材に、
硬度が大きく耐久性があるセラミクスを用い、その表面
をウエハにより硬度が大きくかつ、母材以上の硬度があ
り、セラミクスの様な多孔質構造でない材質でコートす
るとともに、表面仕上げ後のコート厚を５〜30μｍと
し、且つ該表面仕上げ後のウエハ搭載面の表面粗さは搭
載されるウエハの表面粗さと同等かそれ以下とした。コ
ート方法は、母材からコートした面が剥離しない様にCV
D法で行なう。コート材にはTiCやTaCなどを用いる。こ
のコートにより母材を保護するとともに異物付着を防止
する。
硬度が大きく耐久性があるセラミクスを用い、その表面
をウエハにより硬度が大きくかつ、母材以上の硬度があ
り、セラミクスの様な多孔質構造でない材質でコートす
るとともに、表面仕上げ後のコート厚を５〜30μｍと
し、且つ該表面仕上げ後のウエハ搭載面の表面粗さは搭
載されるウエハの表面粗さと同等かそれ以下とした。コ
ート方法は、母材からコートした面が剥離しない様にCV
D法で行なう。コート材にはTiCやTaCなどを用いる。こ
のコートにより母材を保護するとともに異物付着を防止
する。
［実施例］ 本発明の第１の実施例を第１図及び第２図に示す。第
１図はウエハを保持及び平面矯正するためのチャックの
外観を示し、第２図はその断面を示す。
１図はウエハを保持及び平面矯正するためのチャックの
外観を示し、第２図はその断面を示す。
１はウエハと接するチャック表面であり、この表面１
上にウエハ（図示しない）が置かれる。ウエハの保持
は、負圧溝２によって行なわれる。負圧の供給は穴４に
よってチャック裏面６から行なわれる。また、ウエハの
平面矯正は溝２を介して真空吸着することによりチャッ
ク表面１によって行われる。
上にウエハ（図示しない）が置かれる。ウエハの保持
は、負圧溝２によって行なわれる。負圧の供給は穴４に
よってチャック裏面６から行なわれる。また、ウエハの
平面矯正は溝２を介して真空吸着することによりチャッ
ク表面１によって行われる。
チャック表面１はコート３で覆われる。
本発明の特長はこのコート３であり、ウエハの保持面
側に配置される。コート３の材質は、ウエハより硬いTi
CまたはTaCなどであり、CVD（Chemical Vapor Depositi
on）法により形成する。コート層の厚さは10μｍ〜60μ
ｍであり、これはコート形成後、チャック表面１の平面
度を得るための研削及びラップ量を含めた厚さである。
研削及びラップ後のコート厚は５μｍ〜30μｍでありこ
のチャック表面はウエハ表面あらさと同等に仕上げら
れ、その時に母材との熱膨張率差による破壊を避けるた
めに、できるだけ薄いことが望ましい。負圧溝２の加工
は、チャックの研削及びラップ後に行なう。
側に配置される。コート３の材質は、ウエハより硬いTi
CまたはTaCなどであり、CVD（Chemical Vapor Depositi
on）法により形成する。コート層の厚さは10μｍ〜60μ
ｍであり、これはコート形成後、チャック表面１の平面
度を得るための研削及びラップ量を含めた厚さである。
研削及びラップ後のコート厚は５μｍ〜30μｍでありこ
のチャック表面はウエハ表面あらさと同等に仕上げら
れ、その時に母材との熱膨張率差による破壊を避けるた
めに、できるだけ薄いことが望ましい。負圧溝２の加工
は、チャックの研削及びラップ後に行なう。
チャックの母材５の材質は、主に、多孔質構造である
Al2O3系のセラミクスである。母材５はその硬度がウエ
ハと同等か、それ以上であり、コートとの熱膨張率の差
が10ppm以下のものが望ましい。Al2O3系のセラミクス以
外に、ZrO2,SiC,Si3N4系でも良い。母材のウエハ保持面
側はコート３のラップ量を減らすために、１μｍ以下の
平面に仕上げる。
Al2O3系のセラミクスである。母材５はその硬度がウエ
ハと同等か、それ以上であり、コートとの熱膨張率の差
が10ppm以下のものが望ましい。Al2O3系のセラミクス以
外に、ZrO2,SiC,Si3N4系でも良い。母材のウエハ保持面
側はコート３のラップ量を減らすために、１μｍ以下の
平面に仕上げる。
本発明の別の実施例の断面を第３図に示す。この実施
例では、コート７はウエハに接する面だけでなくチャッ
ク表面全面を覆う。このコート７はチャックの溝２を加
工後に形成しコート後、研削、ラップする。第３図の構
造は、第２図の構造に比べて、ウエハと接する面積が1m
m2以下になった時、または巾が0.5mm以下になる時に、
母材から、コート層が剥れにくい特長を持つ。
例では、コート７はウエハに接する面だけでなくチャッ
ク表面全面を覆う。このコート７はチャックの溝２を加
工後に形成しコート後、研削、ラップする。第３図の構
造は、第２図の構造に比べて、ウエハと接する面積が1m
m2以下になった時、または巾が0.5mm以下になる時に、
母材から、コート層が剥れにくい特長を持つ。
［発明の効果］ 以上に説明したように、ウエハチャックの母材にセラ
ミクスを用いて、耐久性を向上させ、その表面に、ウエ
ハより硬度が大きく、多孔質構造でなく、かつ母材との
熱膨張率差が小さいTiCやTaCをCVD法でコートするとと
もに、表面仕上げ後のコート厚を５〜30μｍとし、且つ
該表面仕上げ後のウエハ搭載面の表面粗さは搭載される
ウエハの表面粗さと同等かそれ以下とすることによって
チャック上への異物付着が低下する。これによって耐久
性があり、異物付着のない安定したウエハの平面矯正が
できる。
ミクスを用いて、耐久性を向上させ、その表面に、ウエ
ハより硬度が大きく、多孔質構造でなく、かつ母材との
熱膨張率差が小さいTiCやTaCをCVD法でコートするとと
もに、表面仕上げ後のコート厚を５〜30μｍとし、且つ
該表面仕上げ後のウエハ搭載面の表面粗さは搭載される
ウエハの表面粗さと同等かそれ以下とすることによって
チャック上への異物付着が低下する。これによって耐久
性があり、異物付着のない安定したウエハの平面矯正が
できる。
第１図は、本発明に係るウエハチャックの外観図、 第２図は、第１図のウエハチャックの部分断面図、 第３図は、本発明の別の実施例の断面図である。 1:チャック表面、2:負圧溝、3:コート、 4:負圧供給穴、5:チャック母材、 6:裏面、7:コート。
Claims (5)
- 【請求項１】ウエハ搭載面側にウエハ吸着用の負圧溝を
有し、母材をセラミクスで構成し、前記ウエハ搭載面を
ウエハよりも硬度が大きい多孔質以外の材料でコーティ
ングするとともに、表面仕上げ後のコート厚を５〜30μ
ｍとし、且つ該表面仕上げ後のウエハ搭載面の表面粗さ
は搭載されるウエハの表面粗さと同等かそれ以下である
ことを特徴とするウエハチャック。 - 【請求項２】前記ウエハ搭載面の表面のみ前記コーティ
ングを施したことを特徴とする請求項１記載のウエハチ
ャック。 - 【請求項３】前記負圧溝の内面を含めチャック外周面の
全面に前記コーティングを施したことを特徴とする請求
項１記載のウエハチャック。 - 【請求項４】前記コーティング材料はTiC,TaC,Al2O3ま
たはSiCからなり、前記母材はAl2O3系、ZrO2系、SiC系
またはSi3N4のセラミクスからなることを特徴とする請
求項１記載のウエハチャック。 - 【請求項５】前記母材上にCVD法により10〜60μｍのコ
ーティングを施した後、前記表面仕上げを行ったことを
特徴とする請求項４記載のウエハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19635890A JP2748181B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ウエハチャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19635890A JP2748181B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ウエハチャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483328A JPH0483328A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2748181B2 true JP2748181B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16356516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19635890A Expired - Lifetime JP2748181B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ウエハチャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748181B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633390B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Focus measurement in projection exposure apparatus |
| US6862080B2 (en) | 2000-03-10 | 2005-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding device, semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method |
| CN100385640C (zh) * | 2003-05-09 | 2008-04-30 | 应用材料公司 | 阳极化衬底支撑件 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0818272A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-14 | Applied Materials, Inc. | Holding a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system |
| US6379221B1 (en) | 1996-12-31 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
| AU1261699A (en) * | 1997-11-28 | 1999-06-16 | Nikon Corporation | Substrate retaining apparatus and exposure apparatus using the same |
| KR100375984B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치 |
| US8372205B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
| JP6224330B2 (ja) * | 2013-03-23 | 2017-11-01 | 京セラ株式会社 | 吸着部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置 |
| CN104096662B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-06-23 | 青岛海之源智能技术有限公司 | 吸附式硅片涂布旋转台 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2748127B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1998-05-06 | キヤノン株式会社 | ウエハ保持方法 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19635890A patent/JP2748181B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6862080B2 (en) | 2000-03-10 | 2005-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding device, semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method |
| US6982784B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding device, semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method |
| US7102735B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding device, semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method |
| US6633390B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Focus measurement in projection exposure apparatus |
| CN100385640C (zh) * | 2003-05-09 | 2008-04-30 | 应用材料公司 | 阳极化衬底支撑件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0483328A (ja) | 1992-03-17 |
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