JPH0536818A - ウエハチヤツク - Google Patents
ウエハチヤツクInfo
- Publication number
- JPH0536818A JPH0536818A JP3210444A JP21044491A JPH0536818A JP H0536818 A JPH0536818 A JP H0536818A JP 3210444 A JP3210444 A JP 3210444A JP 21044491 A JP21044491 A JP 21044491A JP H0536818 A JPH0536818 A JP H0536818A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- sic
- prevented
- ceramics
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐久性を高め、表面剥離によるウエハ汚染を
防止し、異物付着によるウエハの平面矯正の劣化を防止
するとともにコストの低減を図ったウエハチャックを提
供する。 【構成】 第１の物体の投影像を感光剤を塗布した第２
の平行状物体に投影レンズを通して露光するための投影
露光装置において、第２の平板状物体を支持する支持台
の材料として、ＳｉＣ（６−ａ〜６─ｃ）にＳｉ（７−
ａ、７−ｂ）を含浸させたセラミクスを用いる。
防止し、異物付着によるウエハの平面矯正の劣化を防止
するとともにコストの低減を図ったウエハチャックを提
供する。 【構成】 第１の物体の投影像を感光剤を塗布した第２
の平行状物体に投影レンズを通して露光するための投影
露光装置において、第２の平板状物体を支持する支持台
の材料として、ＳｉＣ（６−ａ〜６─ｃ）にＳｉ（７−
ａ、７−ｂ）を含浸させたセラミクスを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体回路素子製造用
の装置（例えばレチクルのパターン等の第１の物体の投
影像を感光剤を塗布したウエハ等第２の物体に投影レン
ズを通して露光する投影露光装置）において、ウエハを
保持及び平面矯正するチャックの母材の材質に関するも
のである。
の装置（例えばレチクルのパターン等の第１の物体の投
影像を感光剤を塗布したウエハ等第２の物体に投影レン
ズを通して露光する投影露光装置）において、ウエハを
保持及び平面矯正するチャックの母材の材質に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子製造用に用いられるウ
エハ支持のチャックの材質は、アルミ系の金属にアルマ
イト（商品名）メッキしたものである。それ以外にはス
テンレス、アルミナ系セラミクスあるいは特願平２−１
９６３５８号に記載されているようにセラミクスにＴｉ
Ｃ等をコートしたものが用いられている。
エハ支持のチャックの材質は、アルミ系の金属にアルマ
イト（商品名）メッキしたものである。それ以外にはス
テンレス、アルミナ系セラミクスあるいは特願平２−１
９６３５８号に記載されているようにセラミクスにＴｉ
Ｃ等をコートしたものが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のアルミにアルマイト（商品名）メッキしたもので
は、母材が半導体素子の主な材料となるＳｉよりも軟ら
かいために、キズや打痕が付き耐久性に問題があった。
ステンレスを材料としたチャックもアルミの場合と同様
の欠点があった。そこで最近では耐久性を向上させるた
めに、硬い材料であるセラミクスが用いられる。しかし
ながらセラミクスは、製造工程において均一な粒子（数
μm 程度の大きさ）を焼き固めて作るために多孔質構造
となっている。そして、研削やラップで仕上げた表面に
は凹部が形成される。この凹部の中にウエハ裏面の感光
剤等の異物が入り込みやすく異物によってウエハの平面
矯正ができないという欠点がある。また、凹部の内部は
凸凹になっており、一度入った異物が取れ難い欠点があ
った。
来例のアルミにアルマイト（商品名）メッキしたもので
は、母材が半導体素子の主な材料となるＳｉよりも軟ら
かいために、キズや打痕が付き耐久性に問題があった。
ステンレスを材料としたチャックもアルミの場合と同様
の欠点があった。そこで最近では耐久性を向上させるた
めに、硬い材料であるセラミクスが用いられる。しかし
ながらセラミクスは、製造工程において均一な粒子（数
μm 程度の大きさ）を焼き固めて作るために多孔質構造
となっている。そして、研削やラップで仕上げた表面に
は凹部が形成される。この凹部の中にウエハ裏面の感光
剤等の異物が入り込みやすく異物によってウエハの平面
矯正ができないという欠点がある。また、凹部の内部は
凸凹になっており、一度入った異物が取れ難い欠点があ
った。
【０００４】さらに、前記のアルミにアルマイトメッキ
したものやステンレスを材料としたものではシリコンよ
りも軟らかいために、ウエハにアルマイトメッキやステ
ンレスが付着し、その異物によって半導体回路素子を汚
染し正常な回路を製造できないという欠点があった。ま
た特願平２−１９６３５８号に記載されているセラミク
スにＴｉＣをコートしたものでは凸凹がなく異物付着が
付き難い構造になっているが、多孔質構造のセラミクス
にコートするため、コートが剥がれる可能性がある。コ
ートが剥がれてウエハに付着すれば、これによって前記
のステンレスの材質と同様に半導体回路素子を汚染し、
正常な回路を製造できない。またチャック製造コスト
は、コートをするために高くなる。
したものやステンレスを材料としたものではシリコンよ
りも軟らかいために、ウエハにアルマイトメッキやステ
ンレスが付着し、その異物によって半導体回路素子を汚
染し正常な回路を製造できないという欠点があった。ま
た特願平２−１９６３５８号に記載されているセラミク
スにＴｉＣをコートしたものでは凸凹がなく異物付着が
付き難い構造になっているが、多孔質構造のセラミクス
にコートするため、コートが剥がれる可能性がある。コ
ートが剥がれてウエハに付着すれば、これによって前記
のステンレスの材質と同様に半導体回路素子を汚染し、
正常な回路を製造できない。またチャック製造コスト
は、コートをするために高くなる。
【０００５】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、耐久性を高め、表面剥離によるウエハ
汚染を防止し、異物付着によるウエハの平面矯正の劣化
を防止するとともにコストの低減を図ったウエハチャッ
クの提供を目的とする。
たものであって、耐久性を高め、表面剥離によるウエハ
汚染を防止し、異物付着によるウエハの平面矯正の劣化
を防止するとともにコストの低減を図ったウエハチャッ
クの提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明によれば、チャックの材料としてＳ
ｉにＳｉＣを含浸させたセラミクスを用いることによ
り、耐久性が向上し、異物付着によりウエハ平面矯正を
劣化させることもなく、そして、チャックから万一剥が
れてウエハに付着しても、半導体回路素子を汚染するこ
とがない。また、チャック表面をコートする必要がない
ため、製造コストが安価となる。
成するため、本発明によれば、チャックの材料としてＳ
ｉにＳｉＣを含浸させたセラミクスを用いることによ
り、耐久性が向上し、異物付着によりウエハ平面矯正を
劣化させることもなく、そして、チャックから万一剥が
れてウエハに付着しても、半導体回路素子を汚染するこ
とがない。また、チャック表面をコートする必要がない
ため、製造コストが安価となる。
【０００７】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１に示す。図１は
ウエハを保持及び平面矯正するためのチャックの外観及
びそのチャックの表面部の断面を拡大した説明図であ
る。１はウエハと接するチャック表面であり、チャック
表面１の上にウエハが搭載される。ウエハの保持は負圧
溝２によって行われる。負圧の供給は穴４によってチャ
ック裏面３から行われる。また、ウエハの平面矯正はチ
ャック表面１と負圧溝２の負圧の合成によってなされ
る。
ウエハを保持及び平面矯正するためのチャックの外観及
びそのチャックの表面部の断面を拡大した説明図であ
る。１はウエハと接するチャック表面であり、チャック
表面１の上にウエハが搭載される。ウエハの保持は負圧
溝２によって行われる。負圧の供給は穴４によってチャ
ック裏面３から行われる。また、ウエハの平面矯正はチ
ャック表面１と負圧溝２の負圧の合成によってなされ
る。
【０００８】５は１と同じくチャックの表面を示す。６
と７はチャック表面部のＳｉＣ（炭化シリコン）とＳｉ
（シリコン）を示す。６−ａ，６−ｂ，６−ｃがＳｉＣ
であり、７−ａ，７−ｂがＳｉである。６−ａと６−ｂ
の間を充填するように７−ａがあり、６−ｂと６−ｃの
間を充填するように７−ｂがある。
と７はチャック表面部のＳｉＣ（炭化シリコン）とＳｉ
（シリコン）を示す。６−ａ，６−ｂ，６−ｃがＳｉＣ
であり、７−ａ，７−ｂがＳｉである。６−ａと６−ｂ
の間を充填するように７−ａがあり、６−ｂと６−ｃの
間を充填するように７−ｂがある。
【０００９】従来は図４に示すようなアルミナ系セラミ
クスの場合に、図１のＳｉＣ６の部分に相等する１６で
示す部分がアルミナであって、Ｓｉ７の部分に相当する
１７で示す部分が空洞である多孔質構造であるために、
その表面が凸凹であり凹部に感光材等の異物が入り込
み、ウエハの平面矯正を悪化させていた。しかしながら
本発明においては図１に示すようにその空洞１７に相当
する所をＳｉ７で充填しているため表面が凸凹にならな
い。従って異物が入り込まないためウエハの平面矯正を
維持することができる。またその表面の粗さを０、０５
μm以下に仕上げられている。
クスの場合に、図１のＳｉＣ６の部分に相等する１６で
示す部分がアルミナであって、Ｓｉ７の部分に相当する
１７で示す部分が空洞である多孔質構造であるために、
その表面が凸凹であり凹部に感光材等の異物が入り込
み、ウエハの平面矯正を悪化させていた。しかしながら
本発明においては図１に示すようにその空洞１７に相当
する所をＳｉ７で充填しているため表面が凸凹にならな
い。従って異物が入り込まないためウエハの平面矯正を
維持することができる。またその表面の粗さを０、０５
μm以下に仕上げられている。
【００１０】また従来の特願平２−１９６３５８号に記
載されているセラミクスにＴｉＣ等をコートしたチャッ
クでは、前記した表面凸凹に関しては解決されている
が、図２、図３に示す様に、ウエハよりも硬い材料であ
っても、ミクロで見れば剥がれることがある。図２は本
発明のチャックで剥がれが発生し、剥がれたものがウエ
ハに付着したところを示したものである。８はウエハを
示し、９はチャックから剥がれた部分を示す。そしてチ
ャックから剥がれて、ウエハ８に付着した部分を１０に
示す。図３も図２と同様にセラミクスにＴｉＣコートし
たチャックで剥がれが発生した所を示したものである。
１１はウエハを示す。１２はコートしたＴｉＣを示し、
１３は母材のアルミナを示す。１４はチャックからＴｉ
Ｃ１２が剥がれた部分を示し剥がれてウエハ１１に付着
した部分を１５に示す。
載されているセラミクスにＴｉＣ等をコートしたチャッ
クでは、前記した表面凸凹に関しては解決されている
が、図２、図３に示す様に、ウエハよりも硬い材料であ
っても、ミクロで見れば剥がれることがある。図２は本
発明のチャックで剥がれが発生し、剥がれたものがウエ
ハに付着したところを示したものである。８はウエハを
示し、９はチャックから剥がれた部分を示す。そしてチ
ャックから剥がれて、ウエハ８に付着した部分を１０に
示す。図３も図２と同様にセラミクスにＴｉＣコートし
たチャックで剥がれが発生した所を示したものである。
１１はウエハを示す。１２はコートしたＴｉＣを示し、
１３は母材のアルミナを示す。１４はチャックからＴｉ
Ｃ１２が剥がれた部分を示し剥がれてウエハ１１に付着
した部分を１５に示す。
【００１１】この様に剥がれが発生した場合、従来のセ
ラミクスにＴｉＣコートしたものではＴｉＣ１５がウエ
ハに付着する。このウエハが半導体素子製造の次の工程
で加熱されるとＴｉＣのＴｉの部分がウエハ内に拡散し
ウエハを汚染する。これが正常な回路素子製造の妨げと
なり、不良品を多く発生させる原因となる。そこで本発
明では使用材料にウエハ材料と同じＳｉ系を用いること
によって、図２に示すようにＳｉＣ１０がウエハに付着
しても次工程でＳｉが拡散するだけでありウエハを汚染
することはない。
ラミクスにＴｉＣコートしたものではＴｉＣ１５がウエ
ハに付着する。このウエハが半導体素子製造の次の工程
で加熱されるとＴｉＣのＴｉの部分がウエハ内に拡散し
ウエハを汚染する。これが正常な回路素子製造の妨げと
なり、不良品を多く発生させる原因となる。そこで本発
明では使用材料にウエハ材料と同じＳｉ系を用いること
によって、図２に示すようにＳｉＣ１０がウエハに付着
しても次工程でＳｉが拡散するだけでありウエハを汚染
することはない。
【００１２】また汚染だけを考慮するとＳｉのみで制作
されたチャックが考えられるが、ウエハ材料と同一硬度
となり、摩耗等によりチャック全体の平面度の維持がで
きない。本発明では、チャックの主材料にＳｉＣを用い
ているため、ウエハよりも硬度があり全体平面度の耐久
性に優れている。他の実施例として、チャックの主材料
にＳｉＮを用いて、Ｓｉを含浸させても、ＳｉＣにＳｉ
を含浸させた時と同様の効果をもつ。
されたチャックが考えられるが、ウエハ材料と同一硬度
となり、摩耗等によりチャック全体の平面度の維持がで
きない。本発明では、チャックの主材料にＳｉＣを用い
ているため、ウエハよりも硬度があり全体平面度の耐久
性に優れている。他の実施例として、チャックの主材料
にＳｉＮを用いて、Ｓｉを含浸させても、ＳｉＣにＳｉ
を含浸させた時と同様の効果をもつ。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、チャックの材料に
ＳｉＣにＳｉを含浸させたものを用いることによって、
表面が多孔質構造でないために異物付着を低減させ安定
したウエハの平面矯正が得られる。また表面をコートす
ることがないため、コスト的に有利である。また、チャ
ック材料にＳｉＣ、Ｓｉを用いて、ウエハ材料のＳｉと
同一系にしているためチャックから剥がれてウエハに付
着してもウエハを汚染しない。これによって不良半導体
素子を作ることがなくなる。さらにチャックの主材料に
ＳｉＣを用いているため、ウエハよりも硬度があり耐久
性に優れている。
ＳｉＣにＳｉを含浸させたものを用いることによって、
表面が多孔質構造でないために異物付着を低減させ安定
したウエハの平面矯正が得られる。また表面をコートす
ることがないため、コスト的に有利である。また、チャ
ック材料にＳｉＣ、Ｓｉを用いて、ウエハ材料のＳｉと
同一系にしているためチャックから剥がれてウエハに付
着してもウエハを汚染しない。これによって不良半導体
素子を作ることがなくなる。さらにチャックの主材料に
ＳｉＣを用いているため、ウエハよりも硬度があり耐久
性に優れている。
【図１】 本発明の実施例に係わるチャック外観及びチ
ャック表面部の断面を拡大して示した構造説明図であ
る。
ャック表面部の断面を拡大して示した構造説明図であ
る。
【図２】 本発明のチャックにおいて、剥がれが発生し
た時の状態説明図である。
た時の状態説明図である。
【図３】 従来のチャックにおいて、剥がれが発生した
時の状態説明図である。
時の状態説明図である。
【図４】 従来のチャックにおける表面部の拡大断面図
である。
である。
１；チャック表面、２；負圧構、３；チャック裏面、
４；負圧供給穴、５；チャック表面、６−ａ〜６−Ｃ：
ＳｉＣの粉粒、７−ａ〜７−ｂ；含浸したＳｉ、８；ウ
エハ、９；チャックからＳｉＣが剥がれた部分、１０；
ウエハに付着したＳｉＣ、１１；ウエハ、１２；ＴｉＣ
コート膜、１３；アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の粉粒、１４；
チャックからアルミナが剥がれた部分、１５；ウエハに
付着したアルミナ、１６；アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の粉
粒、１７；空洞、１８；チャック表面。
４；負圧供給穴、５；チャック表面、６−ａ〜６−Ｃ：
ＳｉＣの粉粒、７−ａ〜７−ｂ；含浸したＳｉ、８；ウ
エハ、９；チャックからＳｉＣが剥がれた部分、１０；
ウエハに付着したＳｉＣ、１１；ウエハ、１２；ＴｉＣ
コート膜、１３；アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の粉粒、１４；
チャックからアルミナが剥がれた部分、１５；ウエハに
付着したアルミナ、１６；アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の粉
粒、１７；空洞、１８；チャック表面。
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の物体の投影像を感光剤を塗布した
第２の平行状物体に投影レンズを通して露光するための
投影露光装置において、第２の平板状物体を支持する支
持台の材料として、ＳｉＣにＳｉを含浸させたセラミク
スを用いることを特徴とするウエハチャック。 - 【請求項２】 前記平行状物体は半導体集積回路を形成
するためのウエハであり、それを支持する支持台は、ウ
エハ保持とその平面矯正をするための円板状チャックで
あることを特徴とする請求項１のウエハチャック。 - 【請求項３】 前記チャックの材質はその表面が多孔質
構造にならない材料で構成し、かつ半導体素子の母材と
同種系の材料で構成し、さらにウエハよりも硬い材質で
あることを特徴とする請求項１のウエハチャック。 - 【請求項４】 前記チャックには溝加工がなされ、この
溝部に負圧をかけることによって、ウエハを吸着保持す
るとともにチャック表面にウエハを密着させて平面矯正
ができることを特徴とする請求項１のウエハチャック。 - 【請求項５】 前記のＳｉＣにＳｉを含浸させたセラミ
クスのかわりに、ＳｉＣにＳｉＣを含浸させたセラミク
スを用いることを特徴とするウエハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210444A JPH0536818A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | ウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210444A JPH0536818A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | ウエハチヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536818A true JPH0536818A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16589435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3210444A Pending JPH0536818A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | ウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536818A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066692A (ja) * | 2006-03-13 | 2008-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 載置装置 |
| JP2008199006A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-28 | Asml Holding Nv | ウェーハチャックおよびウェーハチャックを形成する方法 |
-
1991
- 1991-07-29 JP JP3210444A patent/JPH0536818A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066692A (ja) * | 2006-03-13 | 2008-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 載置装置 |
| US8082977B2 (en) * | 2006-03-13 | 2011-12-27 | Tokyo Electron Limited | Ceramic mounting for wafer apparatus with thermal expansion feature |
| JP2008199006A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-28 | Asml Holding Nv | ウェーハチャックおよびウェーハチャックを形成する方法 |
| JP4719230B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2011-07-06 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | ウェーハチャックおよびウェーハチャックを形成する方法 |
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