JP4719230B2 - ウェーハチャックおよびウェーハチャックを形成する方法 - Google Patents
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Description
本発明は、リソグラフィ装置で用いられるウェーハチャックに関する。さらに、本発明は、リソグラフィ装置で用いられるウェーハチャックの形成方法、およびこの方法により形成されるウェーハチャックに関する。
図1は、チャック110を配置可能である例示的な実施形態を示す。装置100は、スキャニングリソグラフィツールとして存在可能である従来の投射光学システムである。レチクルステージ101の後には、第1レンズグループ120、折り畳みミラー130、第2レンズグループ140、ビームスプリッタ150、波長板160、凹面鏡170、第3レンズグループ180、およびウェーハステージ191が続く。例えば、レチクルステージ101にレチクル112を保持したり、あるいはウェーハステージ191にウェーハ114を保持するために、典型的にチャック110が用いられる。ウェーハステージ191にウェーハ114を保持するためにチャック110を用いる場合、チャックはウェーハチャックと称される。位置決めの要求により正当化される場合には、任意に、熱膨張測定用のエンコーダまたは干渉計を追加してチャック110に設けてもよい。
リソグラフィ装置で使用されるウェーハチャックに関する実施形態は、低熱膨張ガラスセラミック、シリコン−炭化ケイ素層(silicon silicon carbide layer)、および少なくとも約5メガパスカルの強度を有するケイ酸塩(シリケート)を含む接着層を備え、接着層がシリコン炭化ケイ素層を基板に貼り付ける。
図2Aは、本発明の実施形態によるウェーハチャック200を示す。シリコン炭化ケイ素層220が図示されている。低熱膨張ガラスセラミック基板230が図示されている。低熱膨張ガラスセラミック基板230は、流体を流すことができる開流路240を含む。流路240の上部は露出しており、層220によって封止することができる。流路240は、基板230との間で流体を出し入れ可能とする開口部250を有する。
別の実施形態は、リソグラフィ装置で用いられるウェーハチャックを形成する方法に関する。図5は、一実施形態にしたがってウェーハチャックを形成するための工程例を示すフローチャート500である。フローチャート500はステップ502から始まる。ステップ502において、低熱膨張ガラスセラミック基板およびシリコン炭化ケイ素層のうち一方または両方の一部が接着液でコーティングされる。コーティングのための方法は、当業者にとって周知である。特定の方法は、低熱膨張ガラスセラミック基板とシリコン炭化ケイ素層のうち一方または両方をスピンコーティングまたはブレードコーティングすることを含むが、これらに限定されない。接着層の強度が少なくとも約5メガパスカルである限り、接着液は任意の厚さでコーティングされてよい。一実施例では、接着層は約5〜500ナノメートルの範囲の厚さでコーティングされる。図5に戻り、ステップ504がステップ502に続く。ステップ504において、低熱膨張ガラスセラミック基板とシリコン炭化ケイ素層とが接触され、低熱膨張ガラスセラミック基板とシリコン炭化ケイ素層とが結合される。
本発明の典型的な実施形態について説明した。本発明は、これら実施例に限定されない。これらの実施例は、説明のために本明細書に示されたものであり、限定ではない。本明細書に記載のものの等価物、拡張、変形、逸脱等を含む変形例は、本明細書に含まれる教示に基づいて、関連技術の当業者にとっては明らかであろう。この種の変形例は本発明の範囲および趣旨の範囲内にある。したがって、本発明の幅および範囲は、添付の請求項およびそれらの等価物のみに従って定められなければならない。
Claims (11)
- 流体流路を備える低熱膨張ガラスセラミック基板と、
ウェーハが載置されるシリコン炭化ケイ素層と、
少なくとも約5メガパスカルの強度を有するケイ酸塩を含む接着層と、を備え、
前記接着層は、前記シリコン炭化ケイ素層を前記低熱膨張ガラスセラミック基板に貼り付けるとともに、前記シリコン炭化ケイ素層および前記低熱膨張ガラスセラミック基板を使用して前記流体流路を封止するように構成され、前記シリコン炭化ケイ素層は前記流体流路と少なくとも部分的に接触しており、
前記低熱膨張ガラスセラミック基板の反対側にあるシリコン炭化ケイ素層の表面が、約2〜5ナノメートルの平滑度に研磨されており、
前記低熱膨張ガラスセラミック基板に隣接する側の前記シリコン炭化ケイ素層の表面が、二酸化ケイ素からなる表層と酸化アルミニウムからなる表層とでコーティングされた後に、前記接着層が塗布されることを特徴とする、リソグラフィ装置で用いられるウェーハチャック。 - 前記接着層は、少なくとも約2.5メガパスカルの流体圧力下で前記流体流路を封止するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のウェーハチャック。
- 前記低熱膨張ガラスセラミック基板は酸化ケイ素および酸化アルミニウムから構成されていることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のウェーハチャック。
- 前記低熱膨張ガラスセラミック基板はβ水晶およびβユークリプタイトから構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のウェーハチャック。
- 前記表層が約20〜100ナノメートル厚であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のウェーハチャック。
- 前記表層が約50ナノメートル厚であることを特徴とする請求項5に記載のウェーハチャック。
- 前記接着層がシリコン原子と酸素原子間の結合をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のウェーハチャック。
- 前記接着層がアルミン酸塩をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載のウェーハチャック。
- ウェーハが載置されるシリコン炭化ケイ素層の表面を二酸化ケイ素でコーティングし、
前記二酸化ケイ素の表面を酸化アルミニウムでコーティングし、
流体流路を備える低熱膨張ガラスセラミック基板およびコーティングされた前記シリコン炭化ケイ素層のうち一方または両方の一部を接着液でコーティングし、
前記低熱膨張ガラスセラミック基板と前記シリコン炭化ケイ素層とを接触させて、前記低熱膨張ガラスセラミック基板と前記シリコン炭化ケイ素層とを結合させることを含み、
前記接着液は、前記シリコン炭化ケイ素層および前記低熱膨張ガラスセラミック基板を使用して前記流体流路を封止するように構成され、前記シリコン炭化ケイ素層は前記流体流路と少なくとも部分的に接触しており、
前記低熱膨張ガラスセラミック基板の反対側にあるシリコン炭化ケイ素層の表面が、約2〜5ナノメートルの平滑度に研磨されることを特徴とする、リソグラフィ装置で用いられるウェーハチャックの形成方法。 - 前記接着液がケイ酸塩を含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記接着液が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化ベリリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウムおよび水酸化バリウムからなるグループから選択される水酸化物水溶液であることを特徴とする請求項9または10に記載の方法。
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