JP2003057419A

JP2003057419A - 光学反射ミラー、光学反射ミラーの製造方法、位置決め装置、半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2003057419A
Application number: JP2001250201A
Authority: JP
Inventors: Hiroyoshi Kubo; 博義久保
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-08-21
Filing date: 2001-08-21
Publication date: 2003-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】ＳｉＣ−Ｓｉセラミック等を含む炭化珪素系セ
ラミックからなる基材上に形成された光学反射ミラーに
おいて、十分な反射率を実現し、環境の変化に左右され
ない高い性能を実現する。【解決手段】炭化珪素系セラミック基材１１の少なくと
もミラー面となる面に、化学気相成長（ＣＶＤ）法によ
りＳｉＣ膜１２を形成し、ＳｉＣ膜１２上にＡｌ膜１３
を積層してＨｅ−Ｎｅレーザ用光学反射ミラーを作製す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等の製造方法および素子等を製造する例えば、
投影露光装置や各種精密加工装置または各種精密測定装
置において、半導体ウェハ、マスク及びレチクル等の基
板を、高精度で高速移動し、位置決めできるステージに
関する。また、このような位置決め装置を用いた露光装
置を使って半導体デバイスなどを製造する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハ、マスク及びレチクル等の
基板を、高精度で高速移動し、位置を決定する装置は、
例えば特開平８−２２９７５９号公報に記載されるよう
に、ＸＹステージを具備している。

【０００３】この様なステージにおいては、例えば特開
平６−３００９０８号公報に記載されるように、天板の
材質はアルミナセラミックであり、ＸＹ方向の光学反射
ミラーは、緻密な窒化珪素焼結体の表面にＡｌ膜を蒸着
させて作製されていた。この様な光学反射ミラーを用い
れば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の６３３ｎｍ付近における反
射率として９０％程度を実現するが可能であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一方、近年、高速およ
び高精度と環境変化に安定した位置決め装置が要求され
ており、これを満足するために、ステージの天板とし
て、高速化による力の増大に耐えるようヤング率が高
く、環境変化に強くなるよう熱伝導率が高く、熱膨張係
数の高い炭化珪素系セラミックが用いられつつある。

【０００５】しかしながら、炭化珪素系セラミックから
なる基材上に、従来と同様にしてＡｌ膜を蒸着し光学反
射ミラーを作製した場合、以下の様な不具合が生じるこ
とがあった。

【０００６】第１に、窒化珪素の基材にＡｌ膜を蒸着し
て作製された従来の光学反射ミラーの場合、容易に９０
％程度の反射率が達成できたにも関わらず、炭化珪素系
セラミックの基材にＡｌ膜を蒸着して光学反射ミラーを
作製した場合、反射率が６５％以上８５％未満となり反
射率が不足する場合があった。表面粗さで比較すると、
窒化珪素を基材とした従来の光学反射ミラーの表面粗さ
Ｒａが１ｎｍ以下であるのに対し、炭化珪素を基材とし
た光学反射ミラーの表面粗さＲａは、数ｎｍに達する場
合もあった。

【０００７】第２に、炭化珪素系セラミックとしてＳｉ
ＣにＳｉが含浸されているＳｉＣ−Ｓｉセラミックを使
用する場合、Ａｌ膜の蒸着に先立ちＳｉＣ−Ｓｉセラミ
ックにラップ加工を施すと、ＳｉＣとＳｉとの硬度に差
があるために、Ｓｉが先に加工されてしまい、ＳｉＣが
ラウンド状に残る場合があった。この様な場合、図６の
写真に示す様に、表面の平坦性は低く、表面粗さＲａは
１０ｎｍ弱に達する場合もあり、仮にＡｌ膜を蒸着した
としても、得られる光学反射ミラーの性能が不十分とな
る場合があった。

【０００８】一方、ステージの天板が炭化珪素系セラミ
ックからなる場合、窒化珪素系セラミックの基材にＡｌ
膜を蒸着して作製された従来の光学反射ミラーを用いる
と、炭化珪素系セラミックと窒化珪素系セラミックとで
は材質が異なるため、熱伝導率および熱膨張係数が異な
り、環境変化によって天板や光学反射ミラーに変形が生
じることがあった。このため、ウエハやマスクの位置を
正しく計測できないことがあった。

【０００９】以上の様な状況に鑑み、本発明において
は、ＳｉＣ−Ｓｉセラミック等を含む炭化珪素系セラミ
ックからなる基材上に形成された光学反射ミラーにおい
て、十分な反射率を実現し、環境の変化に左右されない
高い性能を実現することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によれば、炭化珪素系セラミック基材の少なく
ともミラー面となる面に形成されたＳｉＣ膜と、該Ｓｉ
Ｃ膜上に形成されたＡｌ膜とが少なくとも積層されてな
ることを特徴とする光学反射ミラーが提供される。

【００１１】本発明の光学反射ミラーにおいては、炭化
珪素系セラミック基材とＡｌ膜との間にＳｉＣ膜が形成
されている。このため、得られる光学反射ミラーの十分
な反射率を実現できる。具体的には、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
光の波長６３３ｎｍに対して８５％以上の反射率を実現
でき、Ｈｅ−Ｎｅレーザ用の光学反射ミラーとして好適
である。

【００１２】また、炭化珪素系セラミック基材としてＳ
ｉＣにＳｉが含浸されたＳｉＣ−Ｓｉセラミックを用い
た場合においても、十分な反射率を実現できる。

【００１３】更に、炭化珪素系セラミック基材とＳｉＣ
膜とでは、構成元素が同じであるため、これらの熱伝導
率および熱膨張係数は近く、得られる光学反射ミラーの
性能は熱的に安定となる。また、環境変化に対しても安
定である。

【００１４】加えて、ステージの天板が炭化珪素系セラ
ミックからなる場合、光学反射ミラーの基材も炭化珪素
系セラミックであるため、これらの熱伝導率および熱膨
張係数は近く、得られる光学反射ミラーの性能は熱的に
安定となる。また、環境変化に対しても安定である。

【００１５】よって、半導体装置を移動し位置を決定す
る際に、炭化珪素系セラミック基材上に形成されたＳｉ
Ｃ膜と、該ＳｉＣ膜上に形成されたＡｌ膜とが少なくと
も積層されてなる光学反射ミラーを好適に使用できる。

【００１６】より具体的には、本発明の位置決め装置を
用いれば、Ｓｉウェハ、マスク及びレチクル等の半導体
装置を高速および高精度に移動させ位置を決定すること
ができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。

【００１８】図１には、光学反射ミラーの断面構造例を
示した。基材１１はＳｉＣ−Ｓｉセラミック等からな
り、天板と同じ炭化珪素系の材質からなる。ＳｉＣ−Ｓ
ｉセラミックにおいては、ＳｉＣ（１５）にＳｉ（１
４）が含浸されており、形状自在性に富む。そして、ミ
ラーとなる表面には、ＣＶＤ法等によりＳｉＣ膜１２が
形成されており、その上に、Ａｌ膜１３が蒸着されてい
る。

【００１９】更に、Ａｌ膜１３上に、図２に示す様に表
面膜１６を形成して、表層を多層構造１７とすることも
できる。この場合、更に高い反射率を実現できる。

【００２０】具体的には、Ａｌ膜１３上に、低屈折率膜
が１層以上と、高屈折率膜が１層以上とが、成膜方向に
交互に積層されてなる表面膜１６が形成されていること
が好ましい。

【００２１】なお、低屈折率膜は、例えばＳｉＯ₂又は
ＭｇＦ₂から形成することが好ましく、高屈折率膜は、
例えばＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂又はＺｎＳから形成することが
好ましい。

【００２２】また、低屈折率膜および高屈折率膜の膜厚
は、光学反射ミラーに照射される光の波長の０．２〜
０．３倍であることが好ましく、例えば波長の１／４と
する。

【００２３】以上の様な構造を有する光学反射ミラー
は、例えば以下の様にして作製できる。

【００２４】先ず、基材は、中空天板と同じ材質である
炭化珪素系である。このような材料としては、形状自在
性に富むＳｉＣ−Ｓｉセラミックが好ましく、一体で中
空構造を焼結できる。ＳｉＣ−ＳｉセラミックはＳｉＣ
にＳｉを含浸して作製し、得られたＳｉＣ−Ｓｉセラミ
ックを加工して炭化珪素系セラミック基材を作製する。
なお、基材はＳｉＣ−Ｓｉセラミックに限定されるので
はなく、例えば常圧焼結のＳｉＣを基材とすることもで
きる。

【００２５】この様な基材のミラーとなる表面をラップ
加工により、平面度１μｍ以下、表面粗さＲａ１０ｎｍ
以下に仕上げる。この際、図６に示した様に、Ｓｉ面
は、ＳｉＣ粒のラップ表面より下がっている。

【００２６】次に、ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜を被覆す
る。ＣＶＤ法による形成されたＳｉＣ膜は不純物を含ま
ず緻密であるため、高性能の光学反射ミラーを作製する
ことができる。

【００２７】また、基材がＳｉＣ−Ｓｉセラミックであ
り、表面の平坦性が低い場合も、ＣＶＤ法によるＳｉＣ
膜を成長させることにより、十分低い表面粗さを実現で
きる。

【００２８】ＣＶＤ法で作るＳｉＣ膜は、四塩化ケイ素
（ＳｉＣｌ₄）やシランガス（ＳｉＨ₄）と、プロパン
（Ｃ₃Ｈ₈）やメタン（ＣＨ₄）とを、水素ガスやアルゴ
ンガスと混合して１２００〜１４００℃の処理温度で反
応させて成長させる。

【００２９】更に、より高性能の光学反射ミラーを作製
するためには、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ膜にラ
ップ加工を施し、表面の平坦性を更に高くすることが好
ましい。この際、ラップ加工の切削代として５μｍ程度
以上の膜厚が必要とされる。しかしながら、２μｍ程度
以上のＳｉＣ膜を形成した場合、基材が変形し、得られ
る光学反射ミラーの性能が低下する場合があることを本
発明者は見出した。そこで、基材の変形の影響を低減す
る製造方法を鋭意検討した結果、ＳｉＣ膜を十分厚く形
成し、これをラップ加工により基材の変形を相殺できる
程度に十分な切削を行うことによって、高性能の光学反
射ミラーを作製できることを見出した。

【００３０】具体的には、ＣＶＤ法により３０〜８０μ
ｍの厚膜のＳｉＣ膜を形成し、これをラップ加工して、
１５〜５０μｍの膜厚まで切削することが好ましい。こ
の様にして作製されるＳｉＣ膜の平面度は０．１μｍ以
下であることが好ましく、表面粗さＲａは１ｎｍ以下で
あることが好ましい。

【００３１】以上の様にして作製されたＳｉＣ膜上に、
蒸着またはスパッタによりＡｌ膜を形成する。Ａｌ膜の
膜厚は１００〜３００ｎｍが好ましい。

【００３２】更に、必要に応じて、Ａｌ膜上に、低屈折
率膜が１層以上と、高屈折率膜が１層以上とが、成膜方
向に交互に積層されてなる表面膜を、蒸着またはスパッ
タにより形成する。

【００３３】以上の様にしてＨｅ−Ｎｅレーザ用の光学
反射ミラーを作製することにより、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光
の波長６３３ｎｍに対して８５％以上の反射率を実現で
き、９０％以上の反射率も実現できる。

【００３４】本発明の光学反射ミラーを適用したステー
ジの例を、図３に断面図および図４に平面図として示し
た。

【００３５】図３において、中空天板の上面には、感光
基板であるウェハを搭載するためにウェハーチャックが
あり、図示されないバキュームエアーやメカクランプに
よって、天板に固定されている。ウェハも、図示されな
いバキュームエアーや静電気力によってチャックにクラ
ンプされている。

【００３６】中空天板上には、ウエハの相対位置を計測
するために、本発明の光学反射ミラーが配置されてい
る。なお、図３において光学反射ミラーは１つしか示さ
れていないが、実際には図４に示すように６自由度を計
測できるよう複数（図上では２つ）存在する。

【００３７】また、チャックの上側にあたる部分にはウ
エハ上にレチクル／マスクのパターンを投影するための
投影光学系が存在し、この投影光学系を介してレチクル
パターンの投影露光が実行される。これによって露光装
置を構成する。この露光装置の投影光学系やその付属部
分については、周知のものを用いればよい。

【００３８】光学反射ミラーと中空天板とは、例えば特
開平５−１９１５７号公報に記載される様に、光学反射
ミラーの反射面と固定部との境界部分に溝部を設け、そ
の固定部を固定部材で固定支持されている。

【００３９】なお、光学反射ミラー及びチャックも、中
空天板と同じ材料で構成されている。この場合、各部品
の熱膨張率および熱伝導率が等しいため、露光熱やアク
チュエータの熱により、天板の温度が変化しても、中空
天板と光学反射ミラー間や中空天板とチャック間で、熱
膨張率差による変形が生じない。

【００４０】また、基材の主な特性を決めているＳｉＣ
と表面ＣＶＤされるＳｉＣは同じ物質であるため、熱的
に安定した構成となっている。また、環境変化に対して
も安定である。

【００４１】更に、光学反射ミラーやチャックも中空構
造とすることにより、軽量および高剛性を実現できる。
光学反射ミラー及びチャックを軽量化することにより、
中空天板を含めた可動体全体の固有振動数を向上でき
る。

【００４２】図４に示す中空天板の下面には、図３の断
面図に示すように６自由度に露光基板を所定の位置に移
動するために電磁力を使ったアクチュエータと天板の重
力方向を支持する機構を具備している。電磁力を使った
アクチュエータには、２つのタイプがある。ＸＹ方向の
加速力を受け持つ電磁継ぎ手と、６自由度を制御するた
めのローレンツ力アクチエータである微動ＬＭとであ
る。

【００４３】これが、図５に示す長ストローク移動可能
な位置決め装置の上に載っている。なお、図３のＸステ
ージが、図５のＸステージに相当する。

【００４４】長ストローク移動可能な位置決め装置のＹ
ステージは静圧空気軸受けに空気を給気することにより
定盤から浮上され、その両側に配置された２つの駆動ア
クチュエータにより片側に設けられている固定ガイドに
沿ってＹ方向に移動される。また、Ｘステージは静圧空
気軸受けに給気することによりＹステージと同様に定盤
から浮上され、Ｙステージの側面を水平方向の案内とし
て駆動アクチュエータによりＸ方向に移動される。この
とき、Ｘステージ及びＹステージは複数の与圧用磁石ユ
ニットによって常に一定の姿勢となるように調整されて
いる。この長ストローク部分のステージには、レーザ干
渉計が具備されている。

【００４５】本発明の光学反射ミラーをＸステージに２
個配置し、ＸステージとＹステージの位置を計測する。
ＸＹ方向の最終位置決めは、先に説明した中空天板上面
の光学反射ミラーによって計測された位置と前記長スト
ローク用の光学反射ミラーによって計測された位置関係
によってなされる。

【００４６】長ストローク移動可能な位置決め装置とウ
エハを支持している中空天板との前述した相対位置関係
を維持するために、長ストロークアクチュエータが発生
した加速力を、中空天板を含む微動可動部に伝達するの
が電磁継ぎ手である。電磁継ぎ手は１ユニットでは、吸
引力方向の力しか発生しないので、Ｘ方向に２つ対向し
て配置される。なお、Ｙ方向用にも２つ対向して配置さ
れる。Ｘステージ上の中央部に電磁継ぎ手の固定側が配
置し、中空天板側に電磁継ぎ手の可動側が配置される。
発熱や実装の面から、電磁継ぎ手のコイルは、固定側に
ある。固定側も可動側も電磁鋼板によって構成されてい
る。固定側の積層鋼板は、コイルを入れることができる
ように、Ｅ型やＵ型の形状をしている。電磁継ぎ手の固
定側と可動側には、適当なギャップが存在する。対向す
る面は、円筒状になっている。

【００４７】中空天板の下面には、前述したように、も
う一つのアクチュエータである６自由度に制御させるた
めにローレンツ力アクチエータである微動ＬＭを配置し
ている。ＸＹ方向に微動ＬＭは、電磁継ぎ手の外側に配
置し、Ｘ軸上に２つのＹ方向の微動ＬＭと、Ｙ軸上に２
つのＸ方向の微動ＬＭがある。ヨーイング方向の制御
は、Ｙ方向微動ＬＭかＸ方向微動ＬＭのどちらかのリニ
アモータによって行われる。

【００４８】なお、Ｚ方向とピッチング・ローリング方
向を制御するために、３つのＺ方向微動ＬＭを天板下面
の周辺に配置している。ＸＹ方向微動ＬＭと同様に、Ｚ
方向微動ＬＭも、発熱および実装の面から、可動側に磁
石およびヨークを配置し、発熱するコイルを固定側にし
ている。

【００４９】更に、中空天板の下面には、自重補償を具
備している。自重補償は、微動可動部の重量と自重補償
機構が発生する力がほぼ等しくなるようになっている。

【００５０】加えて、電磁継ぎ手の固定側から、ウェハ
交換時に、一時的にウェハを保持するための受け渡し棒
を３本具備している。ウェハ交換時に天板が下がり、受
け渡し棒が飛び出し受け渡しが可能となる。

【００５１】以上の説明では、被移動物であるウエハを
支持しているチャックを中空天板が支え、その中空天板
上に棒状の光学反射ミラーを具備している例を示した
が、構成はこれに制約されることなく、図９及び図１０
に示すように中空天板の側面がミラーであったり、チャ
ック側面がミラーになっている場合であっても、本発明
が示すように、ＳｉＣ−Ｓｉセラミックの中空天板の表
面にるＳｉＣ膜を被覆する。その表面に、Ａｌ膜を蒸着
させることによって、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の波長６３３
ｎｍに対しての高い反射率を実現できる。

【００５２】更に、ＳｉＣを基材としたチャックを立方
体にし、側面をミラーする場合も同様にして、高い反射
率を実現できる。

【００５３】よって、被移動物を移動させ位置を決める
ための装置において、炭化珪素系セラミック基材上に成
膜されたＳｉＣ膜と、該ＳｉＣ膜上に形成されたＡｌ膜
とが少なくとも積層されてなる光学反射ミラー膜を、該
被移動物の保持手段の上面および側面の少なくとも１面
に形成することにより、十分な反射率を実現し、環境の
変化に左右されない高い性能を実現できる。

【００５４】また、被移動物を移動させ位置を決めるた
めの装置において、炭化珪素系セラミック基材の上面お
よび側面の少なくとも１面に形成されたＳｉＣ膜と、該
ＳｉＣ膜上に形成されたＡｌ膜とが少なくとも積層され
てなる光学反射ミラーを、該被移動物の保持手段に一体
に支持することにより、十分な反射率を実現し、環境の
変化に左右されない高い性能を実現できる。

【００５５】次に上記説明したステージを有する露光装
置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明す
る。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフ
ローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経
て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）
する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行
い、これらの工場毎に遠隔保守システムによって保守が
なされる。

【００５６】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したステージを用いた露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。本発明
によって、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上
させることができる。

【００５７】

【発明の効果】Ｓｉウェハやマスクを移動させるための
位置決めステージにおいて、位置計測するための光学ミ
ラーの基材を天板と同じ材質である炭化珪素系であっ
て、ミラーとなる表面に、ＳｉＣ膜を形成し、その表面
に、Ａｌ膜を蒸着させることによって、表面粗さＲａが
１ｎｍ以下で、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の波長６３３ｎｍに
対して反射率８５％以上を確保できる高反射率で安定し
た光学反射ミラーを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学反射ミラーの構造例を説明するた
めの模式的断面図である。

【図２】本発明の光学反射ミラーの他の構造例を説明す
るための模式的断面図である。

【図３】本発明の光学反射ミラーが配置される位置決め
装置の構造を説明するための模式的断面図である。

【図４】本発明の光学反射ミラーが配置される位置決め
装置の構造を説明するための模式的平面図である。

【図５】本発明の光学反射ミラーが配置される位置決め
装置の構造を説明するための模式的斜視図である。

【図６】ラップ加工直後のＳｉＣ−Ｓｉセラミックの表
面状態を示す図である。

【図７】デバイスの製造工程を説明するための図であ
る。

【図８】ウエハプロセスを説明するための図である。

【図９】位置決め装置の構造を説明するための模式的斜
視図である。

【図１０】位置決め装置の構造を説明するための模式的
斜視図である。

【符号の説明】

１１基材１２ＳｉＣ膜１３Ａｌ膜１４Ｓｉ１５ＳｉＣ１６表面膜１７多層構造

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭化珪素系セラミック基材の少なくとも
ミラー面となる面に形成されたＳｉＣ膜と、該ＳｉＣ膜
上に形成されたＡｌ膜とが少なくとも積層されてなるこ
とを特徴とする光学反射ミラー。
【請求項２】前記ＳｉＣ膜は３０〜８０μｍの膜厚に
形成された後、ラップ加工により１５〜５０μｍの膜厚
とされたものであることを特徴とする請求項１記載の光
学反射ミラー。
【請求項３】前記ＳｉＣ膜の平面度は０．１μｍ以下
であり、表面粗さＲａは１ｎｍ以下であることを特徴と
する請求項１又は２記載の光学反射ミラー。
【請求項４】前記炭化珪素系セラミック基材は、Ｓｉ
ＣにＳｉが含浸されたＳｉＣ−Ｓｉセラミックであるこ
とを特徴とする請求項１乃至３何れかに記載の光学反射
ミラー。
【請求項５】前記Ａｌ膜上には、低屈折率膜が１層以
上と、高屈折率膜が１層以上とが、成膜方向に交互に積
層されていることを特徴とする請求項１乃至４何れかに
記載の光学反射ミラー。
【請求項６】前記低屈折率膜はＳｉＯ₂又はＭｇＦ₂か
らなり、前記高屈折率膜はＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂又はＺｎＳ
からなり、前記低屈折率膜および前記高屈折率膜の膜厚
は前記光学反射ミラーに照射される光の波長の０．２〜
０．３倍であることを特徴とする請求項５記載の光学反
射ミラー。
【請求項７】Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の波長６３３ｎｍに
対する反射率が８５％以上であることを特徴とする請求
項１乃至６何れかに記載のＨｅ−Ｎｅレーザ用光学反射
ミラー。
【請求項８】炭化珪素系セラミック基材の少なくとも
ミラー面となる面に化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳ
ｉＣ膜を形成し、該ＳｉＣ膜上に少なくともＡｌ膜を蒸
着またはスパッタにより形成することを特徴とする光学
反射ミラーの製造方法。
【請求項９】前記ＳｉＣ膜は化学気相成長（ＣＶＤ）
法により３０〜８０μｍの膜厚に形成された後、ラップ
加工により１５〜５０μｍの膜厚とされることを特徴と
する請求項８記載の光学反射ミラーの製造方法。
【請求項１０】ＳｉＣにＳｉを含浸してＳｉＣ−Ｓｉ
セラミックを作製し、該ＳｉＣ−Ｓｉセラミックを加工
して前記炭化珪素系セラミック基材を作製することを特
徴とする請求項８又は９記載の光学反射ミラーの製造方
法。
【請求項１１】前記Ａｌ膜上に、低屈折率膜を１層以
上と、高屈折率膜を１層以上とを、蒸着またはスパッタ
により成膜方向に交互に積層することを特徴とする請求
項８乃至１０何れかに記載の光学反射ミラーの製造方
法。
【請求項１２】被移動物を移動させ位置を決めるため
の装置において、炭化珪素系セラミック基材上に成膜さ
れたＳｉＣ膜と、該ＳｉＣ膜上に形成されたＡｌ膜とが
少なくとも積層されてなる光学反射ミラー膜が、該被移
動物の保持手段の上面および側面の少なくとも１面に形
成されていることを特徴とする位置決め装置。
【請求項１３】被移動物を移動させ位置を決めるため
の装置において、炭化珪素系セラミック基材の上面およ
び側面の少なくとも１面に形成されたＳｉＣ膜と、該Ｓ
ｉＣ膜上に形成されたＡｌ膜とが少なくとも積層されて
なる光学反射ミラーが、該被移動物の保持手段に一体に
支持されていることを特徴とする位置決め装置。
【請求項１４】半導体装置を移動し位置を決定する際
に、炭化珪素系セラミック基材上に形成されたＳｉＣ膜
と、該ＳｉＣ膜上に形成されたＡｌ膜とが少なくとも積
層されてなる光学反射ミラーを使用することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項１５】前記半導体装置はＳｉウェハ、マスク
又はレチクルであることを特徴とする請求項１４記載の
半導体装置の製造方法。