JP4288694B2 - 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4288694B2
JP4288694B2 JP2002327988A JP2002327988A JP4288694B2 JP 4288694 B2 JP4288694 B2 JP 4288694B2 JP 2002327988 A JP2002327988 A JP 2002327988A JP 2002327988 A JP2002327988 A JP 2002327988A JP 4288694 B2 JP4288694 B2 JP 4288694B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
holding device
main body
substrate holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002327988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003249542A (ja
Inventor
近藤  誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2002327988A priority Critical patent/JP4288694B2/ja
Priority to US10/293,321 priority patent/US6875987B2/en
Priority to KR1020020072800A priority patent/KR20030052973A/ko
Priority to TW91134047A priority patent/TW575937B/zh
Priority to CN02151494A priority patent/CN1427309A/zh
Publication of JP2003249542A publication Critical patent/JP2003249542A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4288694B2 publication Critical patent/JP4288694B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法に係り、さらに詳しくは、平板状の基板を保持する基板保持装置、該基板保持装置を被露光基板の保持装置として備える露光装置、及び該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)に形成されたパターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、「ウエハ」と総称する)上に転写する露光装置が用いられている。近年では、半導体素子の高集積化に伴い、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)等の逐次移動型の投影露光装置が主流となっている。
【0003】
このような投影露光装置においては、2次元面内を移動可能なウエハステージが設けられており、このウエハステージ上に固定されたウエハホルダにより、ウエハが真空吸着或いは静電吸着等により保持されている。
【0004】
しかるに、ウエハやレチクルなどは基板保持装置で保持され、この基板保持装置がステージ等の可動体に搭載されるので、基板保持装置や可動体などを含む全体の質量が、可動体の移動時の位置制御性(位置決め制御性を含む)に大きく影響を与える。このため、レチクルが搭載される可動体の表面側、裏面側、あるいは内部に穴(ポケット)を設けて軽量化を図ることが提案されている(例えば特許文献1参照)。
【0005】
また、近時における露光波長の短波長化及び高N.A.化はともに投影光学系の焦点深度の狭小化を招いており、異物の挟み込みが生じた場合、それに起因してウエハ表面に凹凸が生じ、これが焦点ずれ、ひいては転写精度の劣化の要因となる可能性が極めて高い。
【0006】
かかる異物の挟み込み問題を極力回避すべく、最近では多数のピン状の支持部材(以下、「ピン」という)によりウエハを支持するピンチャック式のウエハホルダが比較的多く用いられるようになってきた。かかるピンチャック式のウエハホルダによれば、前述の異物挟み込みの発生をほぼ確実に抑制することが可能である(例えば特許文献2参照)。
【0007】
図18(A)に、上記特許文献2などに開示されるのと同様の従来のウエハホルダの一例が平面図にて示されている。この図18(A)のウエハホルダ25’は、円板状のベース部材26’と、該ベース部材26’の上面(紙面手前側の面)に等間隔で配置された多数のピン部32’と、多数のピン部32’を取り囲む環状の凸部(以下、「リム部」と総称する)28’とを備えている。そして、多数のピン部32’及びリム部28’によって下方からウエハを支持するとともに、真空吸着等によってウエハを吸着保持するようになっていた。
【0008】
上述した従来のピンチャック式のウエハホルダでは、例えば真空吸着等によってウエハをピン部で支持したとき、ピン部以外の不支持位置でのウエハの変形量が所定の許容範囲内に収まるようにピン部の配置、間隔等が決定されていた。
【0009】
【特許文献1】
特許第3000361号明細書
【特許文献2】
特開平1−129438号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、レチクルはその両端のみがレチクルホルダにて保持されるので、レチクルホルダが設けられる可動体を軽量化する上記特許文献1に開示される技術を、そのままウエハホルダに適用することは困難である。ウエハホルダでは、ウエハを保持固定するため主として真空吸着方式が採用されている。このため、従来のウエハホルダでは、穴を空ける場合には、必然的にその穴は、表面側に設けざるを得ない。裏面側、あるいは内部に穴を設けたのでは、ウエハを真空吸着することが困難となり、あるいは真空吸着に影響を与えない程度の穴を内部に設けたのでは、軽量化の効果は僅かになる。すなわち、ウエハホルダに穴を空ける場合には、その穴を真空吸着用の穴と兼用することが、軽量化のためには必然的に要請される。
【0011】
また、ウエハをその平坦度を維持して吸着保持するためには、ウエハホルダの表面は、平坦度が極めて高いことが要請される。このため、ウエハホルダの製造工程では、最終段階として、その表面を研磨する工程が含まれている。
【0012】
しかるに、どのように精度良く表面を平坦に研磨加工しても、その吸着穴の形状大きさが、真空吸着を考慮していない形状では、ウエハを真空吸着した際にウエハが撓む、あるいは、ウエハ表面にウエハホルダの表面の凹凸形状がそのまま反映されて、ウエハの面精度が確保できない、さらには、剛性が低下するなどの不都合が発生する。また、軽量化を目的として形成される穴による剛性不均一が加工むらや段差むらの要因となり、更には断面リング状の穴若しくは剛性低下の少ない穴しか形成できず、軽量化の効果は少ない。
【0013】
また、ピンチャック式のウエハホルダにおいては、ウエハ(基板)の平面度を確保するため、ウエハホルダのウエハとの接触部分は、出来るだけ同一平面上にあることが望ましく、そのためウエハホルダの製造段階では、ピン部とリム部の上面を研磨装置を用いて精密研磨加工している。
【0014】
図18(A)に示されるウエハホルダ25’、あるいは上記特許文献2などに開示されるウエハホルダでは、ピン部とウエハとの間の異物の挟み込みを極力避けるために上述した変形量が許容範囲内となる限りで、最小限の接触率となるように、ピン部の接触率が設定されていた。一方、リム部は、その加工技術の限界により、ある一定幅以上になる。従って、上述した許容変形量に基づいて決定されたピン部の接触率が小さいとき、全体接触率に占めるリム部の接触面積の割合が大きくなる。
【0015】
また、上記従来技術に係るピン部の接触率の決定方法を採用した場合、製造段階における研磨加工の際に、ピン部は、研磨装置の研磨部(加工部)に対する単位面積当たりの接触圧力が、リム部に比べて大きくなる。また、ピン部は、研磨時に用いられる砥粒の回り込みが十分であるのに対し、リム部は、砥粒の回り込みが不十分となる傾向がある。このため、ピン部の加工速度は、リム部の加工速度に比べて速くなる。この加工速度の差により、ピン部とリム部との間には、ウエハWを吸着保持した図18(A)のウエハホルダ25’の縦断面を端面図にて示す図18(B)に示されるように、リム部28’とピン部32’との間に加工段差Δaが生じていた。かかる理由により、ウエハWの外縁部近傍の自由端部には図18(B)に示されるような傾斜角度θの変形が生じ、これが露光時のデフォーカスの要因となってしまっていた。特に、最近では、ウエハの外縁部近傍からもチップを得ようとする傾向があることから、上記のようなウエハ外縁部の変形は、最終製品であるデバイスの歩留まり低下の要因となりかねない。
【0016】
この一方、露光装置は、半導体素子などのマイクロデバイスの量産に用いられるものであることから、露光精度の向上と同等、あるいはそれ以上にスループット(処理能力)の向上が要請され、そのためのキーポイントの一つがウエハステージの性能向上、特に高速化、高加速度化、位置決め精度を含む位置制御性の向上であることは疑いない。
【0017】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、基板をその平坦度を高く維持した状態で支持することができるとともに、その軽量化を実現することができる基板保持装置を提供することにある。
【0018】
本発明の第2の目的は、スループットの向上が可能な露光装置を提供することにある。
【0019】
本発明の第3の目的は、高集積度のデバイスの生産性を向上させることができるデバイス製造方法を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
一般に、ピンチャック式の基板保持装置は、ピンの配置に応じた凹凸がウエハなどの基板表面の凹凸形状にそのまま反映されやすいという不利な点はあるものの、ピンの配置の工夫等により、基板表面の凹凸を効果的に抑制することは可能と思われる。また、ピンチャック式の基板保持装置は、ピン自体の高さ寸法は、基板保持装置全体の高さ寸法と比べて十分に小さくて足りる。従って、ピンが配置された基板保持装置の保持装置本体は、その剛性が維持できれば、その軽量化が十分に可能である。本発明は、発明者がかかる点に着目して鋭意研究を重ねた結果、なされたものであり、以下のような構成を採用する。
【0021】
請求項1に記載の発明は、平板状の基板を保持する基板保持装置であって、その一方の面の所定面積の領域内に、それぞれの先端部分がほぼ同一面上に位置するように配置された前記基板を支持する複数の突起状の第1支持部を有する保持装置本体を備え、前記保持装置本体の前記一方の面側の表層部を除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面側の表層部との間の部分に、前記複数の第1支持部の配置に対応した配置で複数の空所が形成されていることを特徴とする基板保持装置である。
【0022】
本明細書において、「一方の面側の表層部を除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面側の表層部との間の部分」とは、一方の面側の表層部と他方の面側の表層部との間の部分、及び一方の面側の表層部を除く残りの全ての部分のいずれをも含む。また、「空所」とは、中空部及び他方の面側が開口した所定深さの穴(開口)のいずれをも含む概念である。さらに、「複数の第1支持部の配置に対応した配置」とは、複数の第1支持部の配置と複数の空所の配置との間に何らかの対応関係があれば足りるという意味である。本発明では、この対応関係は、基板を平坦度良く支持できるような第1支持部の配置を採用すると共に、それを基として複数の空所の配置が定められたものであれば良い。
【0023】
請求項1に記載の基板保持装置によれば、保持装置本体には、その一方の面にそれぞれの先端部分がほぼ同一面上に位置するように設定された複数の突起状の第1支持部が突設され、前記一方の面側の表層部を除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面側の表層部との間の部分に、複数の第1支持部の配置に対応した配置で複数の空所が形成されている。このため、複数の突起状の第1支持部の先端により基板をほぼ平坦な状態で支持することができる。また、一方の面側の表層部と他方の面側の表層部との間の部分、及び一方の面側の表層部を除く残りの全ての部分のいずれかに、複数の空所が形成されているので、それらの空所の分だけ軽量化が可能である。また、複数の空所は、前述した複数の第1支持部の配置に対応した配置で保持装置本体に形成されているので、複数の空所の存在が複数の第1支持部の基板支持機能を大きく損なうこともない。従って、基板を平坦度を高く維持した状態で支持することができるとともに、その軽量化を実現することができる。
【0024】
この場合において、請求項2に記載の基板保持装置の如く、前記第1支持部は、前記保持装置本体の前記一方の面に前記各空所に個別に対応して少なくとも1つずつ配置されていることとすることができる。
【0025】
この場合において、請求項3に記載の基板保持装置の如く、前記複数の空所は、前記保持装置本体に一定間隔で2次元的に配置され、前記各空所に対応して少なくとも1つずつ配置される前記第1支持部は全体として等間隔で配置されていることとすることとしても良いし、請求項4に記載の基板保持装置の如く、前記複数の第1支持部は前記保持装置本体の前記一方の面上に部分的に間隔が異なるように配置されるとともに、前記複数の空所は前記保持装置本体の前記部分(一方の面側の表層部と他方の面側の表層部との間の部分、又は一方の面側の表層部を除く残りの全ての部分)に間隔と大きさとの少なくとも一方を異ならせて配置されていることとしても良い。後者の場合には、複数の第1支持部を例えば中心から周辺に向かうに従ってその間隔を密にする、あるいはその反対にするなど種々の配置が採用可能である。
【0026】
請求項1〜4に記載の各基板保持装置において、保持装置本体を1つの部材によって構成することもできるが、これに限らず、例えば、請求項5に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、前記複数の第1支持部が形成される第1部材と、前記他方の面側の第2部材とを含んで一体に構成され、前記第1及び第2部材の少なくとも一方に前記複数の空所が形成されることとすることができる。
【0027】
この場合において、例えば請求項6に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、少なくとも前記第1部材と同一材料による融着で一体に構成されることとしても良いし、例えば請求項7に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は少なくとも前記第1部材と異なる材料による融着で一体に構成されることとしても良い。更には、請求項8に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は接着剤にて一体にて構成されることとしても良い。異なる材料による融着で一体に構成される場合の、「異なる材料」としては、一例として金属、特にアルミニウムを用いることができる。
【0028】
上記請求項1〜に記載の各基板保持装置において、請求項9に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、前記一方の面側の第1部材と、前記他方の面側の第2部材と、これら両部材に狭持される、前記複数の空所が形成されたコア部材とから成るサンドイッチ構造体であることとすることができる。
【0029】
この場合において、請求項10に記載の基板保持装置の如く、前記コア部材は、ハニカムコアであることとすることができる。
【0030】
上記請求項1,2,4に記載の各基板保持装置において、請求項11に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、前記一方の面の前記所定面積の領域の外側に配置され、前記領域の外側を取り囲み、前記複数の第1支持部とともに前記基板をその平坦度をほぼ維持した状態で支持する第2支持部を、更に有することとすることができる。
【0031】
この場合において、請求項12に記載の基板保持装置の如く、前記複数の第1支持部のうち、少なくとも前記第2支持部近傍に位置する第1支持部は、他の部分に位置する第1支持部に比べて密な間隔で配置されていることとすることができる。
【0032】
この場合において、複数の第1支持部は、例えば隣接する第1支持部間の間隔が、第2支持部の近傍と前記領域の中央部近傍とその間の部分とで段階的に変化するように配置されていることとすることもできるが、これに限らず、前記複数の第1支持部は、隣接する第1支持部間の間隔が前記第2支持部から離れるほど広くなるような配置とされていることとすることもできる。
【0033】
この場合において、請求項13に記載の保持装置の如く、前記複数の第1支持部は、前記基板の中心位置に対応する前記保持装置本体上の基準点を中心とした複数の同心円上に配置されていることとすることができる。
【0034】
上記請求項3,5〜10に記載の各基板保持装置において、請求項14に記載の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、前記一方の面の前記所定面積の領域の外側に配置され、前記領域の外側を取り囲み、前記複数の第1支持部とともに前記基板をその平坦度をほぼ維持した状態で支持する第2支持部を、更に有することとすることができる。
【0035】
上記請求項11〜14に記載の各基板保持装置において、請求項15に記載の基板保持装置の如く、前記複数の第1支持部それぞれの先端部分及び前記第2支持部の先端部に対して前記基板を吸着する吸着機構を更に備えることとすることができる。
【0036】
この場合において、請求項16に記載の基板保持装置の如く、前記第2支持部は、前記複数の第1支持部が配置された領域を完全に取り囲む環状の内周面を有する場合、前記吸着機構は、前記基板が前記保持装置本体に支持された状態で、前記基板と前記保持装置本体とによって前記第2支持部の内周面の内側に形成される空間を真空状態とする真空吸着機構であることとすることができる。
【0037】
この場合において、請求項17に記載の基板保持装置の如く、前記第2支持部は、同心円状に配置された環状凸部と該環状凸部の外周側の環状凹部とを有し、前記真空吸着機構は、前記環状凹部をも真空状態とすることとすることができる。
【0038】
この場合において、請求項18に記載の基板保持装置の如く、前記環状凸部は、同心円状に二重以上設けられ、前記真空吸着機構は、隣接する環状凸部相互間の空間をも真空状態とすることとすることができる。
【0039】
上記請求項11〜18に記載の各基板保持装置において、請求項19に記載の基板保持装置の如く、前記第2支持部と前記基板との接触面積は、前記複数の第1支持部及び前記第2支持部と前記基板との総接触面積の20%以下に設定されていることとすることができる。
【0040】
この場合において、請求項20に記載の基板保持装置の如く、前記基板の前記第1及び第2支持部によって支持される側の面の全面積に占める、前記複数の第1支持部及び前記第2支持部と前記基板との接触面積の割合が、3%以下に設定されていることとすることができる。
【0041】
請求項21に記載の発明は、エネルギビームにより基板を露光して所定のパターンを形成する露光装置であって、前記基板を保持する請求項1〜20のいずれか一項に記載の基板保持装置と;前記基板保持装置が搭載され、2次元面内で少なくとも一方向に移動可能な基板ステージと;を備える露光装置である。
【0042】
これによれば、請求項1〜20のいずれか一項に記載の基板保持装置により基板がその平坦度を高く維持した状態で支持(又は保持)される。そして、この基板保持装置が、基板ステージ上に搭載されているので、基板保持装置が軽量化されている分、基板保持装置及び基板ステージを含む基板側可動部の全体が軽量化されている。このため、基板側可動部の位置制御性(位置決め性能を含む)が向上し、例えば露光時における基板の位置決め整定時間の短縮により、露光処理工程におけるスループットの向上が可能となる。
【0043】
この場合において、請求項22に記載の露光装置の如く、前記パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと;前記マスクから射出された前記エネルギビームを前記基板上に投射する投影光学系と;前記基板保持装置により保持された前記基板表面の前記投影光学系の光軸方向に関する位置及び前記光軸方向に直交する面に対する傾斜量を検出する焦点位置検出系と;前記焦点位置検出系の検出結果に基づいて、前記基板保持装置を前記光軸方向及び前記光軸方向に直交する面に対する傾斜方向の少なくとも一方に駆動する駆動装置と;を更に備えることとすることができる。
【0044】
この場合において、請求項23に記載の露光装置の如く、前記マスクステージと前記基板ステージとを同期して、前記一方向に駆動する同期駆動装置を更に備えることとすることができる。
【0045】
請求項24に記載の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項21〜23のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法である。
【0046】
【発明の実施の形態】
《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態について、図1〜図6に基づいて説明する。
【0047】
図1には、第1の実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)である。この露光装置100は、照明系10、マスクとしてのレチクルRを保持するレチクルステージRST、投影光学系PL、基板としてのウエハWが搭載されるステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。
【0048】
前記照明系10は、例えば特開平6−349701号公報及びこれに対応する米国特許第5,534,970号公報などに開示されるように、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、リレーレンズ、可変NDフィルタ、レチクルブラインド等(いずれも不図示)を含んで構成されている。この照明系10では、回路パターン等が描かれたレチクルR上のレチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域をエネルギビームとしての照明光ILによりほぼ均一な照度で照明する。
【0049】
ここで、照明光ILとしては、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの遠紫外光、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、あるいはF2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光などが用いられる。照明光ILとして、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)を用いることも可能である。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)あるいは回折光学素子などを用いることができる。
【0050】
前記レチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系10の光軸(後述する投影光学系PLの光軸AXに一致)に垂直なXY平面内で微少駆動可能であるとともに、所定の走査方向(ここではY軸方向とする)に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【0051】
レチクルステージRSTのステージ移動面内の位置は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)16によって、移動鏡15を介して、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、レチクルステージRST上にはY軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とX軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルY干渉計とレチクルX干渉計とが設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡15、レチクル干渉計16として示されている。なお、例えば、レチクルステージRSTの端面を鏡面加工して反射面(移動鏡15の反射面に相当)を形成しても良い。また、レチクルステージRSTの走査方向(本実施形態ではY軸方向)の位置検出に用いられるX軸方向に伸びた反射面の代わりに、少なくとも1つのレトロリフレクタを用いても良い。ここで、レチクルY干渉計とレチクルX干渉計の一方、例えばレチクルY干渉計は、測長軸を2軸有する2軸干渉計であり、このレチクルY干渉計の計測値に基づきレチクルステージRSTのY位置に加え、Z軸回りの回転方向(θz方向)の回転も計測できるようになっている。
【0052】
レチクル干渉計16からのレチクルステージRSTの位置情報はステージ制御装置19及びこれを介して主制御装置20に供給される。ステージ制御装置19では、主制御装置20からの指示に応じ、レチクルステージRSTの位置情報に基づいて不図示のレチクルステージ駆動部を介してレチクルステージRSTを駆動制御する。
【0053】
前記投影光学系PLは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置され、その光軸AXの方向がZ軸方向とされている。投影光学系PLとしては、例えば両側テレセントリックで所定の縮小倍率(例えば1/5、又は1/4)を有する屈折光学系が使用されている。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルRの照明領域が照明されると、このレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域内のレチクルRの回路パターンの縮小像(部分倒立像)が表面にレジスト(感光剤)が塗布されたウエハW上に形成される。
【0054】
前記ステージ装置50は、基板ステージとしてのウエハステージWST、該ウエハステージWST上に設けられた保持装置本体としてのホルダ本体70、これらウエハステージWST及びホルダ本体70を駆動するウエハステージ駆動部24等を備えている。前記ウエハステージWSTは、投影光学系PLの図1における下方で、不図示のベース上に配置され、ウエハステージ駆動部24を構成する不図示のリニアモータ等によってXY方向へ駆動されるXYステージ31と、該XYステージ31上に載置され、ウエハステージ駆動部24を構成する不図示のZ・チルト駆動機構によって、Z軸方向、及びXY面に対する傾斜方向(X軸回りの回転方向(θx方向)及びY軸回りの回転方向(θy方向))へ微小駆動されるZ・チルトステージ30とを備えている。このZ・チルトステージ30上にウエハWを保持する前記ホルダ本体70が搭載されている。
【0055】
前記ホルダ本体70は、低熱膨張率の材料、例えばセラミックス(一例としてはショット社のゼロデュア(商品名))等によって構成されている。このホルダ本体70は、図2の平面図に示されるように、その外観が所定肉厚の円形板状の本体部26、該本体部26の上面(図2における紙面手前側の面)の外周部近傍の所定幅の環状領域を除く中央部の所定面積の領域に所定の間隔で設けられた複数の第1支持部としての突起状のピン部32,32,……、これら複数のピン部32が配置された前記領域を取り囲む状態で外周縁近傍に設けられた第2支持部としての環状の凸部(以下、「リム部」と称する)28等を備えている。
【0056】
ホルダ本体70の本体部26は、ホルダ本体70の分解斜視図である図3に示されるように、実際には、三層構造のハニカムサンドイッチ構造体が用いられている。すなわち、本体部26は、厚さt1(t1は、例えば2〜5mm程度)のセラミックス板から成る第1部材61と、厚さt1のセラミックス板から成る第2部材62との間に、セラミックス製のハニカム構造体から成るコア部材(ハニカムコア)63をコアとして挟み込み、これら3者を相互に接合、たとえば溶着した三層構造となっている。この場合、ハニカムコア63の厚さ寸法は、約12〜15mm程度となっている。
【0057】
ハニカムコア63は、空所としての中空部63aが多いので、全体的に非常に軽量である。この反面、ハニカムサンドイッチ構造体は、航空機の尾翼等に採用されていることからもわかるように、圧縮剛性が非常に高い構造体として知られている。
【0058】
従って、ホルダ本体70は、剛性を十分に確保しつつ、その大幅な軽量化が可能となっている。
【0059】
前記第1部材61は、全体として円盤状のセラミックス材料の表面をエッチングすることによって、円形板状のベース部64と、このベース部64上面に凸設されたリム部28及び複数のピン部32が一体的に形成されている。
【0060】
前記リム部28は、その外径がウエハWの外径よりも僅かに小さく、例えば1〜2mm程度小さく設定され、その上面は、ウエハWが載置された際に、ウエハWの裏面との間に隙間が生じないよう、水平且つ平坦に加工されている。リム部28のベース部64上面からの高さ寸法は、0.01〜0.3mm程度とされている。
【0061】
前記ピン部32は、それぞれの先端部分がリム部28とほぼ同一面上に位置するようにされた突起状の形状を有している。これらピン部32は、ホルダ本体70の平面図である図4に示されるように、Y軸方向に対して±30°を成す2軸方向に沿って一定間隔L(Lは例えば3mm)で配置されている。すなわち、ピン部32は、近接する3本が、正三角形の頂点にそれぞれ位置する配置となっている。この場合のピン部の配置間隔Lは真空吸着した際のウエハWの変形量が許容範囲に収まるように設定されている。
【0062】
このようにして構成される第1部材61では、その製造段階において、前述の如く、ベース部64、ピン部32及びリム部28を一体成形した後に、最終的にウエハWとの接触面となる、複数のピン部32の上端面及びリム部28の上面に、研磨装置、砥粒等を用いて、研磨加工が施されている。この結果、それらの複数のピン部28の上端面とリム部28の上面とはほぼ同一平面上に位置している。
【0063】
前記ハニカムコア63は、本実施形態では、図4及びその円A内の拡大図である図5に示されるように、各ピン部32が、それぞれの中心に位置するような平面視(上方から見て)同一面積の正六角形の空所としての中空部63a、すなわち上下方向の貫通孔63aが形成されている。隣接する貫通孔63a同士は、所定厚さd(dは例えば1mm)の仕切り壁としてのリム63bにより仕切られている。従って、各貫通孔63aの対角線(中心を通る)の長さは、例えば2.3mmとされている。このような、ハニカムコア63は、例えば粘土(セラミックスの材料)を押し出し型を用いて押し出し成形した後に、焼成する。そして、焼成の結果物の両端面が、平坦になるように、研磨装置等を用いて、研磨加工を行うことにより製造することができる。あるいは、全体として所定厚さの円盤状のセラミックス材料に前述のエッチングを施すことによってハニカムコア状物体を形成し、そのハニカムコア状物体の両端面が、平坦になるように、研磨装置等を用いて、研磨加工を行うことにより製造する。
【0064】
図2に戻り、本体部26の中央部近傍には、ほぼ正三角形の各頂点の位置に上下方向(紙面直交方向)の3つの貫通孔(図2では不図示)が、ピン部32と機械的に干渉しない状態で形成されている。これらの貫通孔それぞれには、円柱形状を有する上下動ピン(センタアップ)34a,34b,34cがそれぞれ挿入され、これら3つのセンタアップ34a〜34cは、図1のウエハステージ駆動部24を構成する不図示の上下動機構を介して、上下方向(Z軸方向)に同時に同一量だけ、昇降自在となっている。後述するウエハロード、ウエハアンロード時には、センタアップ34a〜34cが上下動機構により駆動されることで、3本のセンタアップ34a〜34cによってウエハWを下方から支持したり、ウエハWを支持した状態で上下動させたりすることができるようになっている。
【0065】
なお、本実施形態ではウエハのロード及びアンロード時に3本の上下動ピンを用いるものとしたが、ウエハのロード及びアンロードは上下動ピンを用いなくても可能である。例えばリム部28の直径と同程度だけX軸方向に離れ、かつY軸方向に延びる一対の溝部をZ・チルトステージ30の表面に形成するとともに、ホルダ本体70を形成するリム部28の前記一対の溝部に対向する位置に合計3箇所(一方の溝部に対向する位置に1箇所、他方の溝部に対向する位置に2箇所)の爪部挿入用の切り欠きをそれぞれ形成する。そして、ホルダ本体(ウエハホルダ)とロード又はアンロード用の搬送アームとをY軸方向に相対移動することにより、前記搬送アームの下端部に前記リム部28の直径と同程度だけX軸方向に離れて設けられた3つの爪部を前記一対の溝部に挿入あるいは溝部から離脱する動作と、ホルダ本体と搬送アームとをZ軸方向に相対移動することにより、3つの爪部のそれぞれを対応する切り欠きを介して溝部内に挿入あるいは溝部及びホルダ本体から離脱する動作とを行うことにより、ウエハのロード及びアンロードを行うようにしても良い。
【0066】
また、本体部26の上面には、図2に示されるように、複数の給排気口36が、本体部26上面の中心部近傍から放射方向(ほぼ120°の中心角の間隔を有する3つの半径の方向)に沿って、所定間隔で形成されている。これら給排気口36も、ピン部32と機械的に干渉しない位置に形成されている。給排気口36は、本体部26内部に形成された給排気路38A,38B,38Cを介して、本体部26の外周面に接続された後述する給排気機構80を構成する給排気枝管40a、40b、40cと連通状態とされている。
【0067】
前記給排気路38A〜38Cについて、図2のA−A線断面図である図6に示される給排気路38Aを代表的に採り上げて簡単に説明する。この給排気路38Aは、本体部26(より正確には、ハニカムコア63)の外周面から本体部26の中心部近傍にかけて半径方向(X軸方向)に沿って形成された幹路88Aと、該幹路88Aから半径方向に所定間隔を隔てて、それぞれ+Z方向に分岐された複数(ここでは6つ)の分岐路86A1〜86A6とから成る通路である。この場合、分岐路86A1〜86A6の上端の開口端それぞれが、前述した給排気口36となっている。なお、残りの2つの給排気路38B,38Cも給排気路38Aと同様の構成となっている。
【0068】
上記の如く構成されたホルダ本体70には、図2に示されるように、ホルダ本体70上に載置され、複数のピン部32及びリム部28によって下方から支持されたウエハWを、複数のピン部32及びリム部28それぞれの上端面(上端部)に対して吸着保持する吸着機構としての真空吸着機構を含む給排気機構80が接続されている。
【0069】
前記給排気機構80は、第1真空ポンプ46A、真空室46Ba及び第2真空ポンプ46Bb、並びに給気装置46Cと、これらの第1真空ポンプ46A、真空室46Ba及び第2真空ポンプ46Bb、並びに給気装置46Cを前記給排気路38A〜38Cにそれぞれ接続する給排気管40とを備えている。
【0070】
前記給排気管40は、給排気本管40dと、該給排気本管40dの一端から3つに枝分かれした前述の給排気枝管40a,40b,40cと、給排気本管40dの他端から3つに枝分かれした第1排気枝管40e、第2排気枝管40f、給気枝管40gとから構成されている。
【0071】
前記第1排気枝管40eの給排気本管40dとは反対側の端部には、電磁弁(電磁バルブ)V1を介して第1真空ポンプ46Aが接続されており、前記第2排気枝管40fの給排気本管40dとは反対側の端部には電磁弁V2を介して真空室46Baの一側が接続されている。この真空室46Baの他側には、第2真空ポンプ46Bbが接続されている。また、前記給気枝管40gの給排気本管40dとは反対側の端部には、電磁弁V3を介して給気装置46Cが接続されている。
【0072】
また、図示は省略されているが、給排気本管40dの一部には、給排気管40内部の気圧を計測するための気圧計が接続されている。この気圧計による計測値は図1の主制御装置20に供給され、主制御装置20は、気圧計による計測値とウエハのロード、アンロードの制御情報とに基づいて、各電磁弁V1〜V3の開閉と、真空ポンプ46A,46Bb及び給気装置46Cの動作とを制御するようになっている。なお、これらの動作については、後に更に詳述する。
【0073】
図1に戻り、XYステージ31は、走査方向(Y軸方向)の移動のみならず、ウエハW上の複数のショット領域を、投影光学系PLに関して前記照明領域と共役な露光領域に位置させることができるように、走査方向に直交する非走査方向(X軸方向)にも移動可能に構成されており、ウエハW上の各ショット領域を走査(スキャン)露光する動作と、次ショット領域の露光のための加速開始位置まで移動する動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作を行う。
【0074】
ウエハステージWSTのXY平面内での位置(Z軸回りの回転(θz回転)を含む)は、Z・チルトステージ30の上面に設けられた移動鏡17を介して、ウエハレーザ干渉計システム18によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。ここで、実際には、Z・チルトステージ30上には、例えば図2に示されるように、非走査方向(X軸方向)に直交する反射面を有するX移動鏡17Xと走査方向(Y軸方向)に直交する反射面を有するY移動鏡17Yとが設けられ、これに対応してウエハレーザ干渉計システム18もX移動鏡17Xに垂直に干渉計ビームを照射するX干渉計と、Y移動鏡17Yに垂直に干渉計ビームを照射するY干渉計とが設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡17、ウエハレーザ干渉計システム18として示されている。なお、ウエハレーザ干渉計システム18のX干渉計及びY干渉計は、ともに測長軸を複数有する多軸干渉計であり、これらの干渉計によって、ウエハステージWST(より正確には、Z・チルトステージ30)のX、Y位置の他、回転(ヨーイング(Z軸回りの回転であるθz回転)、ピッチング(X軸回りの回転であるθx回転)、ローリング(Y軸回りの回転であるθy回転))も計測可能となっている。なお、例えば、Z・チルトステージ30端面を鏡面加工して反射面(移動鏡17X、17Yの反射面に相当)を形成しても良い。また、多軸干渉計は45°傾いてZ・チルトステージ30に設置される反射面を介して、投影光学系PLが載置される架台(不図示)に設置される反射面にレーザビームを照射し、投影光学系PLの光軸方向(Z軸方向)に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。
【0075】
ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)はステージ制御装置19、及びこれを介して主制御装置20に供給される。ステージ制御装置19では、主制御装置20の指示に応じ、ウエハステージWSTの上記位置情報(又は速度情報)に基づき、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを制御する。
【0076】
本実施形態の露光装置100では、図1に示されるように、主制御装置20によってオンオフが制御される光源を有し、投影光学系PLの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を、光軸AXに対して斜め方向より照射する照射系60aと、それらの結像光束のウエハW表面での反射光束を受光する受光系60bとから成る斜入射方式の多点焦点位置検出系から成る焦点位置検出系が設けられている。なお、本実施形態の焦点位置検出系(60a、60b)と同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例えば特開平6−283403号公報及びこれに対応する米国特許第5,448,332号等に開示されている。
【0077】
主制御装置20の指示の下、ステージ制御装置19では、後述する走査露光時等に、受光系60bからの焦点ずれ信号(デフォーカス信号)、例えばSカーブ信号に基づいて焦点ずれが零となるように、ウエハステージ駆動部24を介してZ・チルトステージ30及びホルダ本体70のZ軸方向への移動、及び2次元的な傾斜(すなわち、θx,θy方向の回転)を制御する、すなわち焦点位置検出系(60a、60b)を用いてZ・チルトステージ30及びホルダ本体70の移動を制御することにより、照明光ILの照射領域(照明領域と結像関係となる前述の露光領域)内で投影光学系PLの結像面とウエハWの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス(自動焦点合わせ)及びオートレベリングを実行する。すなわち、本実施形態では、主制御装置20、ステージ制御装置19及びウエハステージ駆動部24によって、焦点位置検出系(60a、60b)の検出結果に基づいて、ホルダ本体70を光軸AX方向及び光軸に直交する面に対する傾斜方向に駆動する駆動装置が構成されている。
【0078】
次に、本実施形態の露光装置におけるホルダ本体70に対するウエハWのロード時及びアンロード時における動作について説明する。
【0079】
ウエハWのロードに際しては、図2の電磁弁V1〜V3は全て閉じられており、給排気機構80による給気動作及び排気動作はオフされている。
【0080】
不図示のウエハローダにより、ウエハWがホルダ本体70上方に搬送されると、主制御装置20の指示の下、ステージ制御装置19が不図示の上下動機構を介してセンタアップ34a〜34cを上昇する。ここでセンタアップ34a〜34cの上昇量が所定量に達すると、ウエハローダ(ロード用の搬送アーム)上のウエハWがセンタアップ34a〜34cに受け渡され、ウエハローダがホルダ本体70上方から待避する。その後、ステージ制御装置19がセンタアップ34a〜34cを下降することにより、ホルダ本体70上にウエハWが載置される。
【0081】
上記のようにしてホルダ本体70上にウエハWが載置されると、主制御装置20は、図2の高速排気用の真空室46Baに通じる電磁弁V2を開いて、ベース部64、リム部28、及びウエハWで囲まれた空間内の気体を高速に吸引(排気)する。この際、本実施形態では、スループットの向上を図るため、真空室46Baを使用することによって吸引圧力を、例えば−800hPa程度と高く(高度の真空状態に)設定している。
【0082】
このようにして、ウエハWを高速に吸着保持することでウエハロードが終了する。その後、主制御装置20は、図2の電磁弁V2を閉じ、通常時に使用する第1真空ポンプ46Aに通じる電磁弁V1を開く。これ以降は第1真空ポンプ46Aの吸引力によりウエハWが吸着保持されることとなる。
【0083】
ここで、ウエハWをホルダ本体70上で吸着保持してから、ウエハWを取り出すまでの間は、ウエハステージWSTの移動等によりウエハWが横ずれしてアライメント精度等に悪影響を与えない程度の吸引圧力(吸着力)があれば良く、本実施形態では、真空吸着によるウエハWの変形を最小限に抑えるように、通常使用する第1真空ポンプ46Aによる吸引圧力を、例えば−266.5hPa〜−333.2hPa程度と低く(低度の真空状態に)設定している。また、ウエハWをホルダ本体70上に載置する場合とそれ以外の動作を行う場合とで吸引圧力を異ならせることで、ウエハロードに要する時間を短縮できる。
【0084】
一方、ウエハWをアンロードするに際しては、主制御装置20は、まず、図2の電磁弁V1を閉じ、吸着動作をオフする。次いで、主制御装置20は、センタアップ34a〜34cを所定量上昇するとともに、給気弁V3を開き、ウエハWの底面に向けて気体を吹き付ける。これにより、上述の真空状態が直ちに解除される。
【0085】
センタアップ34a〜34cが所定量上昇すると、ピン部32、リム部28にて支持されているウエハWがセンタアップ34a〜34cに受け渡されるので、不図示のウエハローダ(アンロード用の搬送アーム)がウエハWの下側に入り込むとともに、センタアップ34a〜34cが下降することで、センタアップ34a〜34cからウエハローダにウエハWが受け渡される。そして、ウエハローダがホルダ本体70上から退避することにより、ウエハアンロードが終了する。
【0086】
このように、ウエハWをホルダ本体70からアンロードする際にウエハの底面に気体を吹き付けることにより、ウエハのアンロード時間が短縮されることになる。
【0087】
なお、照明光ILとして真空紫外光等を使用する場合には、照明光の光路上の気体をヘリウム等の照明光に対して透過性の高い気体で置換するが、このような場合には、ウエハの底面に吹き付ける気体も、照明光に対して透過性の高い気体(例えば、照明光路に供給される気体と同じ気体)とすることが望ましい。また、ウエハの底面に吹き付ける気体の量は、ウエハが浮き上がらないように微小量とすることが望ましい。
【0088】
なお、これまでの説明から明らかなように、ホルダ本体70と給排気機構80とにより基板保持装置が構成されている。また、第1真空ポンプ46A、電磁弁V1、給排気管40及び給排気路38A〜38Cによって、吸着機構としての真空吸着機構が構成されている。
【0089】
本実施形態の露光装置100によると、通常のスキャニング・ステッパと同様に、レチクルアライメント、不図示のアライメント系のベースライン計測、並びにEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)等のウエハアライメント等の所定の準備作業の後、以下のようにしてステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。なお、上記のレチクルアライメント、ベースライン計測等の準備作業については、例えば特開平7−176468号公報及びこれに対応する米国特許第5,646,413号に詳細に開示されており、また、これに続くEGAについては、特開昭61−44429号公報及びこれに対応する米国特許第4,780,617号等に詳細に開示されている。
【0090】
すなわち、ステージ制御装置19では、主制御装置20の指示の下、ウエハアライメントの結果に基づいて、ホルダ本体70に保持されたウエハW上の、被露光領域としての第1ショット領域(ファーストショット)の露光のための加速開始位置にウエハWが位置するように、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを移動する。そして、ステージ制御装置19では、不図示のレチクルステージ駆動部及びウエハステージ駆動部24を介してレチクルステージRSTとウエハステージWSTとのY軸方向の相対走査(同期移動)を開始して、ウエハW上のファーストショットの走査露光を行い、ファーストショットにレチクルRの回路パターンを投影光学系PLを介して縮小転写する。
【0091】
ここで、上記の走査露光中には、照明光ILが照射される前記露光領域内で、ウエハW(各ショット領域)の表面が投影光学系PLの結像面に実質的に一致した状態で露光が行われる必要があるため、前述した焦点位置検出系(60a、60b)の出力に基づくオートフォーカス、オートレベリングが主制御装置20により実行されている。
【0092】
このようにして、ファーストショットの走査露光が終了すると、主制御装置20からの指示に応じ、ステージ制御装置19により、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTがX軸方向にステップ移動され、セカンドショット(第2番目のショット領域)の露光のための加速開始位置にウエハが移動される。そして、主制御装置20の管理の下、セカンドショットに対して上記と同様の走査露光が行われる。
【0093】
このようにして、ウエハW上のショット領域の走査露光とショット領域間のステッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハW上の全ての露光対象ショット領域にレチクルRの回路パターンが順次転写される。
【0094】
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、不図示のレチクルステージ駆動部、ウエハステージ駆動部24及びこれらを制御するステージ制御装置19によって、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとを同期して、走査方向に駆動する同期駆動装置が構成されている。
【0095】
以上詳細に説明したように、本実施形態によると、ホルダ本体70を構成する本体部26上面には、それぞれの先端部分がほぼ同一面上に位置するように設定された複数のピン部32が突設され、これらのピン部32が配置された領域の外側に、該領域の外側を取り囲む、ピン部32の先端面とその上端面がほぼ同一高さに設定されたリム部28が設けられている。このため、複数のピン部32とリム部28とによって、ウエハWがその平坦度をほぼ維持した状態で支持される。そして、前述の真空吸着機構によって、複数のピン部32それぞれの先端部分及びリム部28の先端部で支持されたウエハWが真空吸着される。
【0096】
また、本体部26は、その上面(一方の面)側の表層部を構成する第1部材61と下面(他方の面)側の表層部を構成する第2部材62とでハニカムコア63を狭持したハニカムサンドイッチ構造体によって構成されている。この場合、ハニカムコア63には複数の貫通孔63aが形成されているので、その分だけ軽量化が可能である。
【0097】
また、複数の貫通孔63aは、複数のピン部32に1対1で対応する配置でハニカムコア63に形成されているので、複数の貫通孔63aの存在が複数のピン部32のウエハWの支持機能を大きく損なうこともない。従って、ホルダ本体70及び真空吸着機構を含む基板保持装置(70、80)では、ウエハWを平坦度を高く維持した状態で吸着保持することができるとともに、その軽量化を実現することができる。
【0098】
また、本実施形態に係る露光装置100によると、前述の基板保持装置が、ウエハステージWST上に搭載されているので、基板保持装置が軽量化されている分、基板保持装置及びウエハステージを含むウエハ側可動部の全体が軽量化されている。このため、ウエハステージWST(ウエハW、基板保持装置を含む)の位置制御性が向上する。さらに、例えば、前述のショット間ステッピング時、ウエハアライメント時のウエハステージWST(ウエハW)の位置決め整定時間の短縮が可能となる。また、走査露光時のレチクルステージRSTとウエハステージWSTとの加速終了時の同期整定時間の短縮も可能である。従って、露光処理工程におけるスループットの向上が可能となる。
【0099】
さらに、本実施形態に係る露光装置100によると、ウエハWは、ある程度の平坦度を保って、すなわち極端な凹凸のない状態でホルダ本体70上に保持される。そして、この保持されたウエハWのZ軸方向に関する位置、及びXY平面に対する傾斜量が、焦点位置検出系(60a,60b)により検出され、該検出結果に基づいて、主制御装置20によりステージ制御装置19及びウエハステージ駆動部24を介してホルダ本体70がZ軸方向及びXY面に対する傾斜方向に駆動される。すなわち、ウエハWのフォーカス・レベリング制御が行われる。これにより、ウエハ上に緩やかな傾斜が存在しても、ホルダ本体70を介してウエハ全体の傾斜及びZ軸方向の位置を調整することにより、投影光学系PLの像面にウエハ(ショット領域)の表面をほぼ合致させた状態で、レチクルパターンをウエハ上に転写することが可能となる。従って、デフォーカスに起因するパターンの転写精度の劣化が殆どない、高精度な露光が可能となる。
【0100】
なお、上記実施形態で説明したピン部32の配置、コア部の構成などは、一例であって、本発明がこれに限定されるものではない。図7には、第1変形例に係るホルダ本体の一部が示されている。この図7は、前述の図5に対応する部分を示す。この図7に示される変形例に係るホルダ本体70Aは、各ピン部32をハニカムコア63のリム部63bに対応して、かつ全体として等間隔で配置したものである。その他の部分の構成は、前述した第1の実施形態と同一である。従って、この第1変形例によっても前述の第1の実施形態と同等の効果を得ることができる。
【0101】
また、図8には、第2変形例に係るホルダ本体の一部が示されている。この図8は、前述の図5に対応する部分を示す。この図8に示される変形例に係るホルダ本体70Bは、前述のホルダ本体70の本体部26を構成するハニカムコア63に代えて、円形開口63a’が、ピン部32の配置に1:1で対応して等間隔で形成されたコア部材が用いられたサンドイッチ構造のホルダ本体である。その他の部分の構成は、前述した第1の実施形態と同一である。従って、この第2変形例によっても前述の第1の実施形態と同等の効果を得ることができる。
【0102】
また、図9には、第3変形例に係るホルダ本体の一部が示されている。この図9は、前述の図5に対応する部分を示す。この図9に示される変形例に係るホルダ本体70Cは、各ピン部32をコア部材のリム部63b’に対応して、かつ全体として等間隔で配置したものである。その他の部分の構成は、前述した第1の実施形態と同一である。従って、この第3変形例によっても前述の第1の実施形態と同等の効果を得ることができる。
【0103】
前述の第1変形例〜第3変形例に係るホルダ本体を、前述のホルダ本体70に代えて、前述のウエハステージWST上に搭載することにより、前述した実施形態と同等の効果を得ることができる。
【0104】
なお、上記実施形態及び各変形例では、コア部材に一定間隔で同一面積の六角形、又は円形の貫通孔が形成されているものとしたが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば、コア部材には、必ずしも貫通孔を空ける必要はなく、一方の面のみが開口した穴を中空部(空所)として設けても良い。また、各空所の面積(大きさ)も、全て等しくなくても良い。例えば、ピン部32とリム部28との接触率を最適化する場合には、ピン部32の配置は、本体部の中心近傍の間隔を粗く、リム部近傍を細かくした方が良いことが、本発明者の実験により確認されている(これについては後述する)。従って、このピン部32の配置の最適化に合わせて、コア部に設ける空所も、本体部の中心近傍では大きく(大面積に)し、リム部近傍では小さく(小面積に)しても良い。また、空所の大きさ(面積)を空所が設けられる本体部での位置に応じて変更する代わりに、あるいはそれと組み合わせて空所と空所の間隔をその位置に応じて変更することとしても良い。要は、ピン部の配置と何らかの対応関係があるような配置となるように、コア部の空所を形成すれば良い。コア部は、押し出し成形と、焼成とによって製造されるので、このようなことは容易に実現できる。
【0105】
《第2の実施形態》
次に、本発明の第2の実施形態について図10〜図12(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用いるとともに、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【0106】
この第2の実施形態に係る露光装置は、前述した第1の実施形態に係る露光装置と比べ、ホルダ本体の構成が異なるのみであり、その他の部分の構成等は、前述した第1の実施形態と同様になっている。従って、以下において、これらの相違点を中心として説明する。
【0107】
図10には、本第2の実施形態に係るホルダ本体170が平面図にて示されている。このホルダ本体170は、前述のホルダ本体70と、基本的には同様にして製造され、同様に構成されているが、以下の点において相違している。
【0108】
すなわち、本体部26にリム部28とともに設けられた複数のピン部32は、本体部26上の基準点、ここでは中心点を中心とする多重の同心円に沿って配置されているが、隣接する同心円同士の間隔は、リム部28の近傍ほど狭く、リム部28から離れ中心点に近づくほど次第に広くなるように設定されている。すなわち、複数のピン部32は、隣接するピン部32同士の間隔が、リム部28から離れるほど広くなるような配置とされている。
【0109】
このため、リム部28の近傍に位置するピン部32は、その局部的な接触率(より具体的には、所定面積の単位領域内に占めるピン部32とウエハW裏面との接触面の面積の割合)がリム部28の局部的な接触率(より具体的には、上記の単位領域内に占めるリム部28とウエハW裏面との接触面の面積の割合)に極力近づくように密な配置とされている。また、ホルダ本体170全体では、リム部28の上面とウエハWの裏面との接触面の総面積が、ウエハWの裏面とリム部28及びピン部32との接触面全体の面積の20%以下となるように、ピン部32の本数、先端面(上端面)の面積や、リム部28の上端面の形状などが設定されている。
【0110】
また、本第2の実施形態では、図示は省略されているが、コア部に設ける空所が、本体部26の中心近傍では大きく、リム部28近傍では小さくなるように形成されている。
【0111】
次に、本第2の実施形態のホルダ本体170において、ピン部32の配置を上述したような構成とした理由について図11(A)〜図12(A)に基づいて説明する。
【0112】
まず、リム部28近傍に位置するピン部32の間隔を狭くし、リム部近傍に位置するピン部の局部的な接触率をリム部の局部的な接触率に近づけた理由について、図11(A)、図11(B)に基づいて説明する。図11(A)は、ホルダ本体170の外縁部近傍を拡大して示す平面図であり、図11(B)は、ウエハWを吸着保持した図11(A)のホルダ本体170の縦断面を模式的に示す図である。
【0113】
上述したように、ホルダ本体170の製造段階においては、ピン部32の上端部とリム部28の上面とにより規定される面の平坦度を確保するため、本体部26を構成する第1部材61のベース部64上にピン部32及びリム部28を形成した後、それらの上端部及び上面を研磨加工することとしている。この際、本実施形態では、リム部28の局部的な接触率とピン部の局部的な接触率を近づけているため、研磨加工時のリム部28に対する研磨部(加工部)の接触圧とリム部近傍に位置するピン部に対する研磨部(加工部)の接触圧との差を小さくすることができる。このため、図11(B)に示されるピン部32とリム部28の加工段差Δbは、図18(B)に示される従来のウエハホルダ25’のピン部32’とリム部28’の加工段差Δaよりも小さくすることができる。
【0114】
ここで、リム部28は、ウエハWと本体部26(ベース部64)との間の真空を維持する為のシール部材としての役割を果たしていることから、リム部28より外側に位置するウエハ部分は大気圧下に位置している。このため、ウエハWの外縁部(c部)は自由端となっている。この場合、ウエハWの外縁部(c部)の高さは、加工段差Δbと、真空吸着により生じるウエハWの変形量の2つの物理量により決まる角度θ1に依存している。すなわち、図11(B)に示されるように、ピン部32とリム部28との加工段差Δbが小さく設定された本第2の実施形態のホルダ本体170においては、このホルダ本体170上で保持されるウエハWの外縁部(c部)の高さを低くすることが可能となっている。従って、リム部28近傍に位置するピン部32の間隔を狭くし、リム部28近傍に位置するピン部の局部的な接触率をリム部の局部的な接触率に近づけることにより、ウエハWの外縁部近傍のショット領域に対する露光時のデフォーカス要因を排除、あるいは軽減することが可能となる。
【0115】
次に、本実施形態において、隣接するピン部32同士の間隔を、本体部26の中心点近傍ほど広くし、リム部28近傍ほど狭く設定した理由について図12(A)に基づいて説明する。
【0116】
図12(A)は、図10に示されるショット領域SAと同一のウエハWの裏面の領域を、ショット領域SA’の位置まで+X方向に移動させたと仮定した際の、そのウエハWの裏面の領域とホルダ本体170(ピン部32及びリム部28)との接触率の変化を模式的に示す線図である。この図12(A)において、一点鎖線で示される曲線C1は従来(図18(A)参照)のようにピン部32を等間隔で配置した場合(以下、適宜「一定ピン配置」という)のホルダ本体の接触率の変化を示しており、実線で示される曲線C2は、本第2の実施形態の如くピン部32を本体部26の上面の中心からリム部28の近傍にかけて密に配置した場合(以下、適宜「連続ピン配置」という)の接触率の変化を示している。この場合、曲線C1で表される一定ピン配置のホルダ本体とウエハ全体との総接触率、及び曲線C2で表される連続ピン配置のホルダ本体とウエハ全体との接触率はほぼ等しいものとされている。なお、ウエハWとしては、SEMI規格の8インチウエハ(直径=約200mm)を用いており、図12(A)の横軸は、ショット領域SA(図10参照)の中心SCの位置を示している。
【0117】
この図12(A)において、ショット領域がリム部28上に位置する状態(図10のショット領域SA’参照)、すなわち、ショット領域の中心がホルダ中心から約85mm離れた位置にある場合(図10のショット領域SA’の中心SC’参照)に着目すると、曲線C1で示される一定ピン配置においては接触率が急激に上昇している。しかるに、本第2の実施形態のように連続ピン配置を採用すると、曲線C2で示されるように、ショット領域の中心がウエハWの中心から離れるにつれ、接触率が徐々に上昇している。このため、ウエハ中心から約85mm離れた位置(図10のショット領域SA’参照)での接触率の上昇をわずかなものに抑えることができる。このウエハ中心から約85mm離れた位置における接触率の上昇量は、一定ピン配置(曲線C1)に比べはるかに小さくなっている。
【0118】
すなわち、ホルダの表面形状は、研磨加工の性質上、接触率の変化にほぼ対応して変化するため,本第2の実施形態のような連続ピン配置を採用することにより、リム部28とピン部32との間には極端な加工段差は生じない。
【0119】
このため、連続ピン配置のホルダ本体170(曲線C2)では、ウエハW全体のホルダ本体170との接触率を、一定ピン配置のホルダ本体(曲線C1)の接触率とほぼ等しく設定した上で、リム部28とピン部32との間の加工段差を低減することが可能となっている。従って、連続ピン配置のホルダ本体170に載置されるウエハは、ウエハとホルダ本体170との間に異物が挟み込まれる可能性を増加させることなく、加工段差に起因するウエハ周縁部の変形を抑制することが可能となっている。
【0120】
この場合、上記のような連続ピン配置を採用することで、ホルダ本体170(及びこれに保持されるウエハW)の表面形状は、従来に比べ緩やかな変化を有することになるが、ショット領域SAはウエハWに比べて十分に小さく、且つ露光の際に、前述したように焦点位置検出系(60a,60b)の計測値に基づいて、Z・チルトステージ30をZ軸方向及びXY面に対する傾斜方向に駆動することにより、ウエハ表面の高さ及び傾きを補正することが可能であることから、ホルダ本体及びウエハ表面の変化が、露光時のデフォーカス要因となることは殆どない。
【0121】
なお、この場合のホルダ本体中心付近のピン部の配置間隔(接触率)は真空吸着した際のウエハの変形量が許容範囲に収まるように設定されている。
【0122】
なお、図12(A)に二点鎖線で示される曲線C3は、リム部28を取り去り、リム部28の位置まで連続ピン配置とする仮想的なホルダ本体の接触率を示すものであるが、リム部28近傍に位置するピン部32の接触率を、リム部28の接触率に完全に合わせることにより、曲線C3のように、加工段差を完全に排除することは理論上可能である。
【0123】
次に、ホルダ本体170におけるリム部28の幅(以下、「リム幅」という)の具体的な設計方法について説明する。
【0124】
ここで、全体接触率(ピン部32及びリム部28とウエハWとの接触面の総面積がウエハW裏面全体の面積に対して占める割合)をρ、ピン部接触率(ピン部32とウエハWとの接触面の総面積がウエハW裏面全体の面積に対して占める割合)ρp、ウエハの半径をR〔mm〕、リム部の幅をb〔mm〕とし、ピン部接触率と全体接触率の誤差を20%以内に設定、すなわちリム部とウエハWとの接触面積を、リム部及びピン部とウエハとの接触面積の20%以内に設定しようとすると、次式(1)のように表すことができる。
【0125】
(ρ−ρp)/ρ≦0.2 ……(1)
ここで、20%以内とは、本発明者が、複数のピン部とウエハとが接触する面積、リム部とウエハとが接触する面積、及び複数のピン部及びリム部とウエハとの接触面積(総接触面積)に着目し、これらの面積と加工段差との関係について、シミュレーション及び実験等を種々行った結果、十分に実用的であるとの結果が得られた範囲である。
【0126】
一方、ウエハWとホルダ本体170を構成する本体部26との間のシール部材としての役割を果たしているリム部28はウエハWの外周と同じ径には設定できない。このため、仮にリム部28がウエハ外周部の1mm内側を保持するものとし、ピン部接触面積をAとすると、通常b≪Rの関係があるから、全体接触率ρは次式(2)のように表される。
【0127】
ρ={A+π(R−1)2−π(R−1−b)2}/πR2
≒{A+2π(R−1)・b}/πR2 ……(2)
また、ピン部接触率ρpは、次式(3)にて表わされる。
【0128】
ρp=A/πR2 ……(3)
従って、上式(1)は、上式(2)、(3)より、次式(4)にて表される。
(ρ-ρp)/ρ≒[{A+2π(R-1)b}/πR2−(A/πR2)]/ρ≦0.2…(4)
この式(4)を整理して変形すると、次式(4)’のようになる。
【0129】
{2π(R-1)・b}/πR2≦0.2ρ ……(4)’
すなわち、式(4)’より、リム部の幅bは、次式(5)で表される範囲内にすることが望ましいことがわかる。
【0130】
b≦(0.1ρR2)/(R−1) ……(5)
ここで、例えばSEMI規格の8インチウエハ(直径=約200mm)を用いる場合、全体接触率を3%以下に設定したいとすると、上式(5)より、リム部の幅bは、次式(6)の範囲とすれば良い。
b≦(0.1×0.03×1002)/(100−1)≒0.30(mm) …(6)
【0131】
また、同様の条件で例えばSEMI規格の12インチウエハ(直径=約300mm)を用いる場合には、リム部の幅bは、次式(7)の範囲とすれば良い。
b≦(0.1×0.03×1502)/(150−1)≒0.45(mm) …(7)
【0132】
このようなリム部の設計方法を採用し、ホルダ本体とウエハの全体接触率を3%以下に抑え、且つリム部の接触面積を全体接触面積の20%以内とすることにより、加工段差及びウエハとの間の異物の挟み込みが抑制された良好なホルダ本体を得ることができる。
【0133】
以上説明した本第2の実施形態の露光装置によると、前述した第1の実施形態の露光装置100と同等の効果が得られる他、次のような効果も得ることができる。
【0134】
すなわち、ホルダ本体170が有する複数のピン部32と、リム部28とによって、ウエハWがその平坦度をほぼ維持した状態で支持される。この場合、複数のピン部32は、隣接するピン部32間の間隔がリム部28から離れるほど広くなるような配置とされているので、図12(A)を用いて先に説明したように、リム部とウエハとの局部的な接触率に、リム部近傍のピン部とウエハとの局部的な接触率を近づけることができる。従って、本第2の実施形態によると、ホルダ本体170の製造段階において、ホルダ本体170のウエハ接触面側の平坦度を出すために研磨装置等を用いて研磨加工する場合に、リム部及びリム部近傍のピン部の各部にかかる研磨部(加工部)からの接触圧の差を小さくすることができ、これにより研磨加工の際に生じる両者間の加工段差を極力小さくすることが可能となる。すなわち、ホルダ本体のウエハとの接触面に生じる加工段差を極力小さくすることができ、この結果、ウエハの外縁部近傍の自由端部に生じる変形(傾斜角度)を小さくすることが可能となる。
【0135】
また、本第2の実施形態によると、リム部とウエハとの接触面積が、複数のピン部32及びリム部28とウエハとの総接触面積の20%以下となるように設定されている。この点においても、前述したように、製造段階における研磨加工における各ピン部32とリム部28との間の加工段差を極力小さくすることができる。
【0136】
なお、上記第2の実施形態では、ピン部32がリム部28から離れるにつれてその間隔が徐々に大きくなるような配置とされている場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、複数のピン部32は、例えば隣接するピン部32間の間隔が、リム部28の近傍とホルダ本体170の中央部近傍とその間の部分とで段階的に変化するように配置されていることとすることもできる。かかる場合であっても、リム部28近傍に位置するピン部32が、他の部分に位置するピン部32に比べて密な間隔で配置される。このため、リム部28とウエハとの局部的な接触率に、リム部近傍のピン部とウエハとの局部的な接触率を近づけることができる。従って、上記第2の実施形態と同様に、研磨加工の際に生じる両者間の加工段差を極力小さくすることが可能となり、結果的に、ウエハの外縁部近傍の自由端部に生じる変形(傾斜角度)を小さくすることが可能となる。
【0137】
また、ピン部とリム部が上述した設計条件(リム部と基板との接触面積が、全体の接触面積の20%以内)を満たし、異物の挟み込みが許容される範囲(例えば、ウエハとホルダ本体全体との接触率が3%以下)であれば、ピン部を前述の第1の実施形態と同様に一定ピン配置とすることとしても良い。すなわち、前述した第1の実施形態の露光装置100においても、ホルダ本体70が、上記の設計条件を満たし、ウエハとホルダ本体全体との接触率が例えば3%以下となるようにすることが望ましい。
【0138】
このようにすれば、図12(B)に示される曲線C4のようにピン部及びリム部を設定することにより、従来の一定ピン配置(曲線C1)と比べ、リム部での加工段差が低減されるので、このようなホルダ本体により保持されるウエハも外縁部での変形を抑制することができる。従って、ウエハWの外周部近傍におけるデフォーカス要因を排除、或いは軽減することができる。
【0139】
また、上記第2の実施形態では、複数のピン部32は、ウエハWの中心位置に対応するホルダ本体170上の基準点(中心点)を中心とした多重の同心円に沿って配置された場合について説明したが、これに限らず、その配置は、比較的自由である。すなわち、リム部28近傍に位置するピン部32が、他の部分に位置するピン部32に比べて密な間隔で配置され、他の部分がウエハの変形を許容できる程度に抑えることができる間隔配置であれば足りる。
【0140】
《第3の実施形態》
次に、本発明の第3の実施形態について図13(A),図13(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1、第2の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用いるとともに、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【0141】
この第3の実施形態に係る露光装置は、前述した第1の実施形態に係る露光装置と比べ、ホルダ本体の構成が異なるのみであり、その他の部分の構成等は、前述した第1の実施形態と同様になっている。従って、以下において、これらの相違点を中心として説明する。
【0142】
図13(A)は、本第3の実施形態に係るホルダ本体170Aを示す平面図である。
【0143】
この図13(A)から分かるように、本第3の実施形態では、ホルダ本体170Aを構成する本体部26上の外縁部に、2重のリム部28a、28bが形成されている。これらリム部28a,28bは、同一幅を有し、半径差が1〜3mm程度の同心円状に配置されている。また、リム部28a,28b相互の空間51(図13(B)参照)内の気体は、本体部26上面のリム部28a,28b間に形成された不図示の給排気口を介して、上記第1の実施形態の給排気機構80と同様の給排気機構により吸引される。ホルダ本体170Aのその他の構成は第2の実施形態のホルダ本体170と同様となっている。
【0144】
以下、ホルダ本体170A上に2つのリム部28a,28bを設けた理由について図13(A)の縦断面図である図13(B)に基づいて説明する。
【0145】
前述の第2の実施形態において説明したように、ウエハWの外縁部(c部)の高さは、加工段差、及び真空吸着により生じるウエハWの変形量の2つの物理量により決定する角度に依存している。
【0146】
ここで、上述したようにリム部28a,28b間の距離を1〜3mm程度とすることにより、その面積をほぼ等しいとみなすことができるので、各リム部28a,28bの加工速度はほぼ等しくなり、リム部28a,28bには加工段差がほとんど発生しない。従って、図13(B)に示されるウエハの自由端(c部)の傾斜角度θ2は真空吸着によるウエハWの変形量にのみ起因することになる。
【0147】
このため、一重のリム部を採用した場合(図13(B)に点線にて示されるウエハW’)の自由端の角度θ1に比べ角度θ2を小さくすることが可能となっている。
【0148】
すなわち、このようなホルダ本体170AによりウエハWを保持することにより、ウエハWの外縁部の変形(反り返り)を極力抑制することが可能となっている。このとき、リム部が二重に設けられているため、リム部の接触面積がピン部に比べ大きくなることが予想される。このため、ピン部と二重のリム部の接触率が前述した第2の実施形態と同様の条件を満たすように設計することが望ましい。
【0149】
以上説明した本第3の実施形態によると、前述した第2の実施形態と同等の効果を得ることができる他、ウエハの自由端の変形を一層抑制することができる。
【0150】
なお、上記第3の実施形態では、リム部を二重に設けた場合について説明したが、三重、四重…というようにリム部を多数設けるようにしても良い。この場合、リム部での接触率を低減すべく、外側のリム部から内側のリム部にかけてリム幅を徐々に狭くすることとしても良い。
【0151】
なお、上記各実施形態では、リム部28、ピン部32及びベース部64が、一体成形された場合について説明したが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。すなわち、ベース部、ピン部(第1の支持部材)、リム部(第2の支持部材)の全てを、あるいは任意の1つを別の部材により構成しても良い。この場合、ピン部及びリム部のうちベース部と別部材で構成される少なくとも一方を、接着剤等を用いてベース部64上面に固定することとしても良い。
【0152】
また、上記各実施形態は、基板としてウエハ(円形基板)を用いる場合について説明したが、基板は、四角形やその他の多角形であっても良い。かかる場合には、その基板の形状に合わせてリム部の形状を設定することにより、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。また、ベース部の形状(上記各実施形態では円板状)についても、特に限定されるものではない。
【0153】
また、一般的にリム部は、真空を維持する必要から、ウエハに連続的に接触をするため、局部的な接触率が高く(すなわち加工速度が遅く)ピン部よりも突出する傾向にあるが、リム部の接触面積を小さく設定することが可能な場合には、逆にリム部に凹段差が生じてしまうことがある。従って、上記各実施形態でリム部の接触率を全体の接触率の20%以内というような上限を設定したのと同様、リム部の接触率に下限を設定することが望ましい。
【0154】
なお、上記各実施形態では、リム部の上面のほぼ全面がウエハWの裏面に直接接触する場合について説明したが、これに限らず、リム部の上端面に更に背の低い突起部を複数設けた第2支持部を採用しても良い。かかる場合には、ウエハとの接触面が突起部となるため、リム部上面とウエハとの間に突起部の高さ分の隙間が生じ、真空吸引力はわずかに落ちることになるが、接触面が突起部であることから、図12(A)に示される曲線C3と同様の接触率を実現することができ、この点の効果は上述したように非常に大きい。なお、リム部の上端面に複数の突起部を設けるとき、その複数の突起部によって規定される平面を、多数のピン32によって規定される平面とほぼ同一の高さとしても良いし、あるいはリム部の上端面に設けられる複数の突起部によって規定される平面を、多数のピン32によって規定される平面よりも僅かに低くしても良い。
【0155】
また、上記各実施形態では、リム部の上端面を、多数のピン32によって規定される平面とほぼ同一の高さとするものとしたが、リム部の上端面を、多数のピン32によって規定される平面よりも僅かに低くしても良い。
【0156】
なお、上記各実施形態では、第2支持部としては、上端部がその周辺部よりも高く形成されたリム部(凸部)を指すものとしたが、第2支持部の概念としてはこれに限定されるものではなく、例えば、図14(A)に示される第4変形例に係るホルダ本体270のように、本体部126上面の中央部を外縁部よりも低く掘り下げた状態とし、該掘り下げた凹部の内部底面127を基準面として、該基準面よりも高い位置にある部分128の内周面近傍の環状の部分を第2支持部とすることもできる。この場合、部分128とウエハWとの接触面の幅(すなわち、ウエハWの外縁部から内周面までの距離)が上式(6)、(7)を満たすように、内周面の直径を設定することが望ましい。
【0157】
また、図14(B)に示される第5変形例に係るホルダ本体370のように、凹部の内部底面127に、更に環状の凸部228を設けるとともに、ウエハWを保持する際には、部分128と環状の凸部228との間に形成された環状凹部134内の気体を前述した第2の実施形態と同様の給排気機構により吸引することとしても良い。
【0158】
また、上記各実施形態では、図2に示されているように、本体部26の中心近傍から放射方向に沿って配列される複数の給排気口36をほぼ120°間隔で設けるものとしたが、本発明がこれに限定されるものではない。図15(A)には、上記各実施形態に適用可能な第6変形例に係るホルダ本体が示されている。なお、図15(A)に示されるホルダ本体は、本体部26に形成される複数の給排気口36が井桁状に配列され、かつ1本の上下動ピン(センタアップ)34dが採用されたものである。その他の部分の構成は、上記各実施形態と同一である。従って、この第4変形例によっても上記各実施形態と同等の効果を得ることができるとともに、真空吸着時に生じるウエハの部分的な変形、すなわちレチクルのパターンが転写されるウエハ上のショット領域の配列誤差を大幅に低減でき、ひいては露光精度(転写精度)を向上させることが可能となる。
【0159】
ここで、図15(B)を参照して、図15(A)に示される本体部26に形成される給排気口36の配置について説明する。図15(A)では、複数の給排気口36を井桁状に配列するものとしているが、実際には、ほぼ紙面内上下方向に延びる一対のラインに沿って所定間隔で配列された複数の給排気口36の列から成る第1の組と、ほぼ紙面内左右方向に延びる一対のラインに沿って所定間隔で配列された複数の給排気口36の列から成る第2の組とがあり、第1の組及び第2の組のいずれかに対応する一対のラインが非平行となっている。具体的には、図15(B)に示されるように、第1の組に対応する紙面内上下方向に延びる一対のラインLY1、LY2が非平行であるものとし、本体部26の中心を原点とする直交座標系XYを仮定し、ラインLY1、LY2の傾きに対応するパラーメータを台形度Δと呼び、Δ=(a/ΔY)/ΔX〔ppm/m〕と規定するものとすると、例えば台形度Δが1以下となるようにラインLY1、LY2が設定される。例えば、SEMI規格の12インチウエハ(直径=300mm)では、ΔX=ΔY=100mmとして台形度Δを1に設定するためには、a=10nmとすれば良い。これにより、真空吸着時のウエハの変形を大幅に低減して露光精度を向上させることができる。
【0160】
なお、前述の図2に示されている複数の給排気口36が放射状に配列されるホルダ本体70では、本体部26の中心付近に形成される一部の給排気口36のみを用いることで、図15(A)に示される複数の給排気口36が井桁状に配列されるホルダ本体と同様の効果を得ることができる。
【0161】
また、上記各実施形態では、ウエハをホルダ本体上に吸着する吸着機構が真空吸着機構である場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、吸着機構として、静電チャック等を採用しても良い。かかる場合には、第2支持部は、シール部材としての機能が不要となるので、環状あるいは無端形状である必要はなく、一部が欠けた全体形状が環状の凸部などにより構成することができる。あるいは、ピン部の先端に静電チャックの機能を持たせれば、第2支持部そのものを設けなくても良い。
【0162】
なお、上記各実施形態において、ホルダ本体の表面を加工してピン部やリム部を形成した後、例えばホルダ本体と同一又は異なる材料でその表面をコーティングした上で最終仕上げを行うようにしても良い。
【0163】
また、これまでの説明では、ホルダ本体の本体部をサンドイッチ構造体で構成する場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、ホルダ本体(あるいは基板保持装置の本体)を一体成形品により形成しても良い。この場合、ピン部などが形成される一方の面側の外観形状は、前述の実施形態と同様になるが、他方の面側には、所定深さの穴(空所)をピン部の配置と何らかの対応関係をもって所定間隔で形成することもできる。この場合、前述の第1部材と同様の手法で、本体部が製造される。このようにしても、ウエハの平坦度を維持した状態で、ホルダ本体の軽量化を図ることができ、ひいては、ウエハステージの位置制御性を向上させることができる。
【0164】
なお、上記各実施形態ではホルダ本体が3層構造である場合について説明したが、これに限らず、ホルダ本体は複数のピン部が形成される第1部材と第1部材のピン部が形成されるのとは反対の面側の第2部材とから構成される2層構造であっても良い。この場合、空所は第1部材及び第2部材の少なくとも一方(すなわち、いずれか一方又は両方)に形成することができる。また、空所は、上記正六角形、円形の開口に限らず、様々な形状の開口を形成することができる。
【0165】
また、上記各実施形態では本発明の基板保持装置が、ウエハホルダに採用された場合について説明したが、本発明の基板保持装置はこれに限られるものではなく、例えば反射型レチクルではその裏面側をレチクルホルダにて保持するので、このようなレチクルホルダに対して本発明を適用することとしても良い。
【0166】
また、これまでの説明では、ホルダ本体として3層構造や2層構造等の多層構造を採用するものとしたが、各層を構成する材料は同一でなくても良く、互いに異なる材料を用いることができる。例えば、3層構造では第1部材を構成する材料と、ハニカムコア及び第2部材を構成する材料とを異ならせても良い。更にホルダ本体を第1部材と同一材料による融着にて一体に構成しても良いし、第1部材と異なる材料(例えばアルミニウムなどの金属等)による融着にて一体に構成しても良い。また、接着剤を用いて一体に構成しても良い。
【0167】
また、上記各実施形態では3本の上下動ピン(センタアップ)を用いるものとしたが、例えば特開2000−100895号公報及び対応する米国特許第6,184,972号に開示されている1本の上下動ピンを採用しても良い。
【0168】
なお、上記各実施形態では、光源としてKrFエキシマレーザ光源(出力波長248nm)などの紫外光源、F2レーザ、ArFエキシマレーザ等の真空紫外域のパルスレーザ光源などを用いるものとしたが、これに限らず、Ar2レーザ光源(出力波長126nm)などの他の真空紫外光源、あるいは水銀ランプなどの紫外光源などを用いても良い。また、例えば、真空紫外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限らず、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(Er)(又はエルビウムとイッテルビウム(Yb)の両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。さらに、EUV光、X線、あるいは電子線及びイオンビームなどの荷電粒子線を露光ビームとして用いても良い。
【0169】
なお、上記各実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置、ミラープロジェクション・アライナー、あるいはプロキシミティ方式の露光装置などにも本発明は好適に適用できる。
【0170】
なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0171】
また、上記各実施形態では、本発明が半導体製造用の露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子、有機EL、マイクロマシン、DNAチップなどを製造するための露光装置などにも本発明は広く適用できる。
【0172】
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。
【0173】
《デバイス製造方法》
次に上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【0174】
図16には、デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートが示されている。図16に示されるように、まず、ステップ201(設計ステップ)において、デバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ202(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ203(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【0175】
次に、ステップ204(ウエハ処理ステップ)において、ステップ201〜ステップ203で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ205(デバイス組立てステップ)において、ステップ204で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。このステップ205には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。
【0176】
最後に、ステップ206(検査ステップ)において、ステップ205で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【0177】
図17には、半導体デバイスにおける、上記ステップ204の詳細なフロー例が示されている。図17において、ステップ211(酸化ステップ)においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ212(CVDステップ)においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ213(電極形成ステップ)においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ214(イオン打ち込みステップ)においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【0178】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ215(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ216(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ218(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ219(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【0179】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0180】
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップ216)において上記実施形態の露光装置が用いられるので、高スループットでかつ精度良くレチクルのパターンをウエハ上に転写することができる。この結果、高集積度のデバイスの生産性(歩留まりを含む)を向上させることが可能になる。
【0181】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る基板保持装置によれば、基板をその平坦度を高く維持した状態で支持することができるとともに、その軽量化を実現することができるという効果がある。
【0182】
本発明に係る露光装置によれば、スループットの向上を図ることができるという効果がある。
【0183】
本発明に係るデバイス製造方法によれば、高集積度のデバイスの生産性を向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】図1のホルダ本体及び給排気機構を示す平面図である。
【図3】図2のホルダ本体を示す分解斜視図である。
【図4】図2のホルダ本体を示す平面図である。
【図5】図4の円A内部分を拡大して示す図である。
【図6】ホルダ本体の本体部を示す断面図である。
【図7】第1変形例のホルダ本体の一部を示す図である。
【図8】第2変形例のホルダ本体の一部を示す図である。
【図9】第3変形例のホルダ本体の一部を示す図である。
【図10】本発明の第2の実施形態に係るホルダ本体を示す平面図である。
【図11】図11(A)は、図10のホルダ本体のリム部近傍(外縁部近傍)を拡大して示す平面図、図11(B)は、図10のホルダ本体のリム部近傍を断面し模式的に示す図である。
【図12】図12(A)、図12(B)は、ホルダ本体のピン配置の効果を説明するための図である。
【図13】図13(A)は、本発明の第3の実施形態に係るホルダ本体を示す平面図、図13(B)は、図13(A)のホルダ本体の外縁部近傍を示す縦断面図である。
【図14】図14(A)、図14(B)は、第4、第5変形例に係るホルダ本体をそれぞれ説明するための図である。
【図15】図15(A)は、第6変形例に係るホルダ本体を示す平面図、図15(B)は、図15(A)に示されるホルダ本体の本体部に形成される給排気口の配置を詳細に説明するための図である。
【図16】本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図17】図16のステップ204の詳細を示すフローチャートである。
【図18】図18(A)は、従来のウエハホルダを示す平面図、図18(B)は、図18(A)のウエハホルダに対してウエハを載置した状態における縦断面を示す端面図である。
【符号の説明】
19…ステージ制御装置(駆動装置の一部、同期駆動装置の一部)、20…主制御装置(駆動装置の一部)、24…ウエハステージ駆動部(駆動装置の一部、同期駆動装置の一部)、26…本体部、28…リム部(第2支持部)、32…ピン部(第1支持部)、38A〜38C…給排気路(吸着機構の一部)40…給排気管(吸着機構の一部)、46A…第1真空ポンプ(吸着機構の一部)、60a,60b…焦点位置検出系、70…ホルダ本体(基板保持装置の一部)、80…給排気機構(基板保持装置の一部)、100…露光装置、PL…投影光学系、R…レチクル(マスク)、V1…電磁弁(吸着機構の一部)、W…ウエハ(基板)。

Claims (24)

  1. 平板状の基板を保持する基板保持装置であって、
    その一方の面の所定面積の領域内に、それぞれの先端部分がほぼ同一面上に位置するように配置された前記基板を支持する複数の突起状の第1支持部を有する保持装置本体を備え,
    前記保持装置本体の前記一方の面側の表層部を除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面側の表層部との間の部分に、前記複数の第1支持部の配置に対応した配置で複数の空所が形成されていることを特徴とする基板保持装置。
  2. 前記第1支持部は、前記保持装置本体の前記一方の面に前記各空所に個別に対応して少なくとも1つずつ配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  3. 前記複数の空所は、前記保持装置本体に一定間隔で2次元的に配置され、前記各空所に対応して少なくとも1つずつ配置される前記第1支持部は全体として等間隔で配置されていることを特徴とする請求項2に記載の基板保持装置。
  4. 前記複数の第1支持部は前記保持装置本体の前記一方の面上に部分的に間隔が異なるように配置されるとともに、前記複数の空所は前記保持装置本体の前記部分に間隔と大きさとの少なくとも一方を異ならせて配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板保持装置。
  5. 前記保持装置本体は、前記複数の第1支持部が形成される第1部材と、前記他方の面側の第2部材とを含んで一体に構成され、前記第1及び第2部材の少なくとも一方に前記複数の空所が形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  6. 前記保持装置本体は、少なくとも前記第1部材と同一材料による融着で一体に構成されることを特徴とする請求項5に記載の基板保持装置。
  7. 前記保持装置本体は、少なくとも前記第1部材と異なる材料による融着で一体に構成されることを特徴とする請求項5に記載の基板保持装置。
  8. 前記保持装置本体は接着剤にて一体に構成されることを特徴とする請求項5に記載の基板保持装置。
  9. 前記保持装置本体は、前記一方の面側の第1部材と、前記他方の面側の第2部材と、これら両部材に挟持される、前記複数の空所が形成されたコア部材とから成るサンドイッチ構造体であることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  10. 前記コア部材は、ハニカムコアであることを特徴とする請求項9に記載の基板保持装置。
  11. 前記保持装置本体は、前記一方の面の前記所定面積の領域の外側に配置され、前記領域の外側を取り囲み、前記複数の第1支持部とともに前記基板をその平坦度をほぼ維持した状態で支持する第2支持部を、更に有することを特徴とする請求項1,2,4のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  12. 前記複数の第1支持部のうち、少なくとも前記第2支持部近傍に位置する第1支持部は、他の部分に位置する第1支持部に比べて密な間隔で配置されていることを特徴とする請求項11に記載の基板保持装置。
  13. 前記複数の第1支持部は、前記基板の中心位置に対応する前記保持装置本体上の基準点を中心とした複数の同心円上に配置されていることを特徴とする請求項12に記載の基板保持装置。
  14. 前記保持装置本体は、前記一方の面の前記所定面積の領域の外側に配置され、前記領域の外側を取り囲み、前記複数の第1支持部とともに前記基板をその平坦度をほぼ維持した状態で支持する第2支持部を、更に有することを特徴とする請求項3,5〜10のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  15. 前記複数の第1支持部それぞれの先端部分及び前記第2支持部の先端部に対して前記基板を吸着する吸着機構を更に備えることを特徴とする請求項11〜14のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  16. 前記第2支持部は、前記複数の第1支持部が配置された領域を完全に取り囲む環状の内周面を有し、
    前記吸着機構は、前記基板が前記保持装置本体に支持された状態で、前記基板と前記保持装置本体とによって前記第2支持部の内周面の内側に形成される空間を真空状態とする真空吸着機構であることを特徴とする請求項15に記載の基板保持装置。
  17. 前記第2支持部は、同心円状に配置された環状凸部と該環状凸部の外周側の環状凹部とを有し、
    前記真空吸着機構は、前記環状凹部をも真空状態とすることを特徴とする請求項16に記載の基板保持装置。
  18. 前記環状凸部は、同心円状に二重以上設けられ、前記真空吸着機構は、隣接する環状凸部相互間の空間をも真空状態とすることを特徴とする請求項17に記載の基板保持装置。
  19. 前記第2支持部と前記基板との接触面積は、前記複数の第1支持部及び前記第2支持部と前記基板との総接触面積の20%以下に設定されていることを特徴とする請求項11〜18のいずれか一項に記載の基盤保持装置。
  20. 前記基板の前記第1及び第2支持部によって支持される側の面の全面積に占める、前記複数の第1支持部及び前記第2支持部と前記基板との接触面積の割合が、3%以下に設定されていることを特徴とする請求項19に記載の基板保持装置。
  21. エネルギビームにより基板を露光して所定のパターンを形成する露光装置であって、
    前記基板を保持する請求項1〜20のいずれか一項に記載の基板保持装置と;
    前記基板保持装置が搭載され、2次元面内で少なくとも一方向に移動可能な基板ステージと;を備える露光装置。
  22. 前記パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと;
    前記マスクから射出された前記エネルギビームを前記基板上に投射する投影光学系と;
    前記基板保持装置により保持された前記基板表面の前記投影光学系の光軸方向に関する位置及び前記光軸方向に直交する面に対する傾斜量を検出する焦点位置検出系と;
    前記焦点位置検出系の検出結果に基づいて、前記基板保持装置を前記光軸方向及び前記光軸方向に直交する面に対する傾斜方向の少なくとも一方に駆動する駆動装置と;を更に備えることを特徴とする請求項21に記載の露光装置。
  23. 前記マスクステージと前記基板ステージとを同期して、前記一方向に駆動する同期駆動装置を更に備えることを特徴とする請求項22に記載の露光装置。
  24. リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
    前記リソグラフィ工程では、請求項21〜23のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。
JP2002327988A 2001-12-20 2002-11-12 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 Expired - Lifetime JP4288694B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002327988A JP4288694B2 (ja) 2001-12-20 2002-11-12 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
US10/293,321 US6875987B2 (en) 2001-12-20 2002-11-14 Substrate holding unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR1020020072800A KR20030052973A (ko) 2001-12-20 2002-11-21 기판지지장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
TW91134047A TW575937B (en) 2001-12-20 2002-11-22 Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device
CN02151494A CN1427309A (zh) 2001-12-20 2002-11-22 基板保持装置、曝光装置以及器件制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001387170 2001-12-20
JP2001-387170 2001-12-20
JP2002327988A JP4288694B2 (ja) 2001-12-20 2002-11-12 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003249542A JP2003249542A (ja) 2003-09-05
JP4288694B2 true JP4288694B2 (ja) 2009-07-01

Family

ID=26625164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002327988A Expired - Lifetime JP4288694B2 (ja) 2001-12-20 2002-11-12 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6875987B2 (ja)
JP (1) JP4288694B2 (ja)
KR (1) KR20030052973A (ja)
CN (1) CN1427309A (ja)
TW (1) TW575937B (ja)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228456A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Canon Inc 露光装置
EP1491953A1 (en) * 2003-06-23 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1491962B1 (en) * 2003-06-23 2008-02-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1530088B1 (en) * 2003-11-05 2007-08-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7301623B1 (en) * 2003-12-16 2007-11-27 Nanometrics Incorporated Transferring, buffering and measuring a substrate in a metrology system
JP2005203537A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Taiheiyo Cement Corp 軽量高剛性セラミック部材
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8749762B2 (en) * 2004-05-11 2014-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7012264B2 (en) * 2004-06-04 2006-03-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4826146B2 (ja) * 2004-06-09 2011-11-30 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
US8705008B2 (en) * 2004-06-09 2014-04-22 Nikon Corporation Substrate holding unit, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellant plate
JP4382586B2 (ja) * 2004-06-17 2009-12-16 国立大学法人東北大学 露光装置
JP2006040949A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd レーザー結晶化装置及びレーザー結晶化方法
JP2006036557A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Taiheiyo Cement Corp 軽量高剛性構造部材
US7532310B2 (en) * 2004-10-22 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck
JP2006137650A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Taiheiyo Cement Corp 軽量高剛性セラミック部材
JP4822711B2 (ja) * 2005-01-17 2011-11-24 太平洋セメント株式会社 軽量高剛性セラミックス系部材およびその製造方法
US20080308727A1 (en) * 2005-02-03 2008-12-18 Sela Semiconductor Engineering Laboratories Ltd. Sample Preparation for Micro-Analysis
JP4844186B2 (ja) * 2005-03-18 2011-12-28 株式会社ニコン プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2006276084A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Orc Mfg Co Ltd 露光テーブルおよび露光装置
JP2006305697A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Taiyo:Kk ワークの製造方法およびワークの製造装置
KR101216467B1 (ko) 2005-05-30 2012-12-31 엘지전자 주식회사 기판 척의 평탄도 유지수단을 구비하는 노광장치
US7372549B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4586162B2 (ja) * 2005-08-05 2010-11-24 トーカロ株式会社 基板処理装置用回転部材
US7692163B2 (en) * 2006-01-31 2010-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam apparatus, defect correcting method, etching method, deposition method, and charge preventing method
EP1816668A2 (en) * 2006-02-01 2007-08-08 FEI Company Particle-optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure
US7659964B2 (en) * 2006-03-28 2010-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Level adjustment systems and adjustable pin chuck thereof
WO2007114331A1 (ja) * 2006-04-04 2007-10-11 Miraial Co., Ltd. 薄板収納容器
DE102006030589A1 (de) * 2006-07-03 2008-01-17 Siemens Ag Positioniereinheit für optische und/oder elektrische Prüfsysteme
JP2008098368A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Ushio Inc ステージ装置
KR100824305B1 (ko) * 2006-12-22 2008-04-22 세메스 주식회사 지지 핀, 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
US7678458B2 (en) * 2007-01-24 2010-03-16 Asml Holding N.V. Bonding silicon silicon carbide to glass ceramics
US20080225261A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Noriyuki Hirayanagi Exposure apparatus and device manufacturing method
US8194232B2 (en) * 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
JP5126662B2 (ja) * 2007-10-31 2013-01-23 Toto株式会社 静電チャック
CN100535762C (zh) * 2007-11-28 2009-09-02 上海微电子装备有限公司 硅片固定部件
JP2009212344A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
JP2009212345A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
EP2286447A2 (en) * 2008-05-21 2011-02-23 KLA-Tencor Corporation Substrate matrix to decouple tool and process effects
JP2010087343A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Toray Eng Co Ltd 基板処理装置及び基板載置方法
TWI465708B (zh) * 2008-12-29 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 聚焦式離子束系統之物件加工方法及應用於該方法之載具
WO2010080997A1 (en) * 2009-01-11 2010-07-15 Applied Materials, Inc. Electrostatic end effector apparatus, systems and methods for transporting susbtrates
JP5581713B2 (ja) * 2009-02-12 2014-09-03 株式会社Sumco ウェーハ表面測定装置
JP5743437B2 (ja) 2009-07-09 2015-07-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、搬送方法及びデバイスの製造方法
WO2011065386A1 (ja) * 2009-11-25 2011-06-03 日本精工株式会社 露光ユニット及び基板の露光方法
JP5810517B2 (ja) 2010-12-02 2015-11-11 富士電機株式会社 吸着装置および吸着方法
CN102179881A (zh) * 2011-04-01 2011-09-14 石金精密科技(深圳)有限公司 平面薄板吸附固定系统
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9195150B2 (en) * 2012-02-06 2015-11-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a support for holding an object, and a support for use therein
CN104854692B (zh) * 2012-11-27 2017-09-08 株式会社创意科技 静电夹盘、玻璃基板处理方法及其玻璃基板
JP6130703B2 (ja) * 2013-04-01 2017-05-17 キヤノン株式会社 ホルダ、ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
US9865494B2 (en) * 2013-05-23 2018-01-09 Nikon Corporation Substrate holding method, substrate holding apparatus, exposure apparatus and exposure method
KR102247936B1 (ko) * 2013-10-30 2021-05-04 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5538613B1 (ja) * 2013-11-13 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
CN105642595A (zh) * 2014-05-08 2016-06-08 蒋春花 锭子清洗机用锭子装夹转动机构及锭子清洗机的清洗方法
CN105598070A (zh) * 2014-05-08 2016-05-25 蒋春花 一种锭子清洗机用锭子装夹转动机构
JP6520160B2 (ja) * 2015-02-02 2019-05-29 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN104898379B (zh) * 2015-06-10 2017-11-21 兰州大学 一种激光直写机特殊样品套刻的样品台
CN105182692B (zh) * 2015-08-18 2017-09-01 武汉华星光电技术有限公司 基板曝光平台及曝光机
US11201078B2 (en) * 2017-02-14 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Substrate position calibration for substrate supports in substrate processing systems
US11448955B2 (en) * 2018-09-27 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mask for lithography process and method for manufacturing the same
US20200333702A1 (en) * 2019-04-19 2020-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Forming apparatus, forming method, and article manufacturing method
CN111863696A (zh) * 2020-08-05 2020-10-30 西安奕斯伟硅片技术有限公司 真空吸盘、真空吸附装置及其工作方法
CN112947003A (zh) * 2021-03-25 2021-06-11 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种用于基片的烘烤设备
CN113156552A (zh) * 2021-04-22 2021-07-23 西北农林科技大学 一种大视场双焦点复眼透镜的制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6463136A (en) * 1987-09-03 1989-03-09 Dainippon Ink & Chemicals Sandwiching panel and manufacture thereof
US5153494A (en) * 1990-04-06 1992-10-06 International Business Machines Corp. Ultrafast electro-dynamic x, y and theta positioning stage
JPH0851143A (ja) * 1992-07-20 1996-02-20 Nikon Corp 基板保持装置
JPH0718438A (ja) * 1993-06-17 1995-01-20 Anelva Corp 静電チャック装置
JPH07153825A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Toto Ltd 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法
JP2757121B2 (ja) 1994-07-15 1998-05-25 日本航空電子工業株式会社 ソケットコネクタ
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
JP2001185607A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Canon Inc 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法
JP2001189374A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nikon Corp 基板処理装置及び荷電粒子線露光装置
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
KR20010095087A (ko) * 2000-03-30 2001-11-03 시마무라 테루오 노광장치, 노광방법 및 디바이스의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6875987B2 (en) 2005-04-05
JP2003249542A (ja) 2003-09-05
TW200303063A (en) 2003-08-16
US20030127605A1 (en) 2003-07-10
KR20030052973A (ko) 2003-06-27
TW575937B (en) 2004-02-11
CN1427309A (zh) 2003-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4288694B2 (ja) 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP6855010B6 (ja) 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP6981458B2 (ja) 搬送システム、露光装置、搬送方法、露光方法及びデバイス製造方法
TWI644178B (zh) 基板保持方法及裝置、曝光方法及裝置、及元件製造方法
JP4333033B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2007273693A (ja) 基板保持部材及び基板保持方法、基板保持装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2001244177A (ja) ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置
JP2014003259A (ja) ロード方法、基板保持装置及び露光装置
JP4348734B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JPH11224854A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI529839B (zh) Conveyors and exposure devices
JP2015018927A (ja) 基板保持方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP2004221323A (ja) 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005044882A (ja) 搬送装置及び露光装置
JP2005277117A (ja) 基板保持装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP6485687B2 (ja) 保持装置、物体支持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007214336A (ja) 保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法
JP2002343853A (ja) 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2014127655A (ja) 吸引装置及び方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP6086292B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置
JP2014138078A (ja) 搬送システム及び搬送方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2014127654A (ja) 吸引装置及び方法、並びに露光装置
JP2014154647A (ja) 測定装置及び露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080922

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090309

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090322

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4288694

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150410

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150410

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150410

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250