JP2008098368A - ステージ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】露光精度を向上し、重量が軽く、製造コストも安い、ワークステージを平面内で移動可能にしたステージ装置を提供すること。
【解決手段】ハニカムコア7と、ハニカムコア7の下面に取り付けられ、凸極が形成された磁性体からなるプラテン8と、ハニカムコア7の上面に取り付けられ、ワーク12を吸着保持しプラテン8とは異なる材質からなる吸着板6とからなるワークステージ5と、ワークステージ5をエア浮上により支持する支持部材3,4と、ワークステージ5を平面内で移動させる移動磁界を発生する磁極を有する推力発生手段2とからなり、ワークステージ5をエア浮上させて平面内で移動可能にしたことを特徴とするステージ装置である。
【選択図】図1

Description

本発明は、平面内をXYθ方向にワークステージを移動可能にするステージ装置に係わり、例えば、露光装置や検査装置などに使用され、ワークを保持するワークステージ面において直交するXY方向およびワークステージ面に対して直交する軸の周りのθ回転方向にワークステージを移動可能にするステージ装置に関する。
近年、露光装置は、露光処理が行われるワークである液晶パネルやプリント基板が年々大型化し、それに伴い露光時にそれらのワークを載置し保持するワークステージも大型化しているため、大型化している。
露光装置においては、ワークの所定の位置にマスクに形成されたパターンを形成するために、マスクとワークとの位置合わせを行わなければならない。そのためには、ワークの位置をマスクの位置に合わせるために、ワークが載置されるワークステージを平面内においてXYθ方向に移動しなければならない。また、露光装置に限らず、ワークを加工したり検査する装置においても、ワークを載置したワークステージを移動させて、ワークを所望の位置に合わせることがよく行われる。
ワークが大型化し重量が増えても、小さな力で移動可能なステージ装置として、例えば、特許文献1には、サーフェスモータステージ装置またはソーヤモータステージ装置と呼ばれる装置が開示されている。
図9は、ソーヤモータステージ装置を露光装置に適用した露光装置の構成を示す図である。
同図に示すように、光照射部101は、露光光を含む光を放射するランプ102と、ランプ102からの光を反射するミラー103を有する。マスクステージ104は、パターンが形成されたマスク105を保持する。投影レンズ106は、マスク105のパターンをワークステージ107上に載置されている露光処理が行われる基板であるワーク108上に投影する。ワークステージ107は、移動体109の上に取り付けられており、移動体109は、エア吹き出しの作用により、プラテン110に対し10〜20μmの間隔で浮上している。定盤113上に載置されたプラテン110の表面は、碁盤目状に強磁性体からなる凸極111が設けられ、精度良く平面に加工されている。
移動体109は、プラテン110の平面において直交するXY座標軸の各軸方向に移動磁界を発生する磁極112を有する。磁極112にXY座標軸の各軸方向に移動磁界を発生させることにより、プラテン110に形成されている凸極111との相互作用により、移動体109は、プラテン110の平面に平行で直交する2方向であるXY方向およびプラテン110平面に対して直交する軸の周りのθ回転方向に回転移動する。移動体109を移動させることにより、ワークステージ107上に保持されたワーク108を移動して所望の位置で露光することができる。
特開平9−23689号公報
しかし、上記の露光装置を、液晶パネルやプリント基板の露光装置に適用する場合、先にも述べたように、液晶パネルやプリント基板は大型化しており、これらのワーク108は移動体109よりも大きく、ワーク108を載置するワークステージ107も、移動体109よりも大きくなる。そのため、移動体109の上にオーバハングするようにワーク108を載置するワークステージ107が設けられることになり、その結果、ワークステージ107の端に傾きや揺れが生じ、その上に載置されて露光処理されるワーク108の露光精度が悪くなる。
また、ワーク108が載置されるワークステージ107に取り付けられる移動体109は、プラテン110上をその表面に沿って移動する。従って、位置移動精度(高さ方向を含む)は、プラテン110の平面精度に依存する。そのため、プラテン110は高い平面精度を要求されるので、プラテン110は、表面が精度良く加工された定盤113上に設けられる。しかし、ワーク108の大型化に伴って、移動体109の移動距離が長くなるので、その分プラテン110も大きくなり、それを載せる定盤113も大きく重くなる。例えば、現在の大型の液晶パネルやプリント基板を載置するステージとして使用しようとすると、重量が1トン〜10トンにもなる。またこの大きくなった定盤113の表面を高い平面精度で加工しなければならず、ステージ装置の製造コストが高くなる。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、露光精度が向上し、重量が軽く、製造コストも安い、ワークステージを平面内で移動可能にしたステージ装置を提供することにある。
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。
第1の手段は、ハニカムコアと、該ハニカムコアの下面に取り付けられ、凸極が形成された磁性体からなるプラテンと、前記ハニカムコアの上面に取り付けられてワークを吸着保持し前記プラテンとは異なる材質からなる吸着板とからなるワークステージと、前記ワークステージをエア浮上により支持する支持部材と、前記ワークステージを平面内で移動させる移動磁界を発生する磁極を有する推力発生手段とからなり、前記ワークステージをエア浮上させて平面内で移動可能にしたことを特徴とするステージ装置である。
第2の手段は、第1の手段において、前記ハニカムコアは、ハニカム構造を有するコア材と、該コア材の下面に設けられ、透磁率が大きく残留磁気が少ない材質からなる第1の表面板と、前記コア材の上面に設けられ、前記第1の表面板より軽く加工が容易な材質からなる第2の表面板と、からなることを特徴とするステージ装置である。
第3の手段は、第1の手段または第2の手段において、前記第1の表面板は鉄、純鉄、またはケイ素鋼板からなり、前記第2の表面板はアルミニウムからなることを特徴とするステージ装置である。
本発明によれば、プラテンが移動するワークステージ側に取り付けられるため、従来装置に設けられていた定盤が不要となり、装置重量が軽くなるとともに、定盤の加工が不要となるので加工コストの低廉化を図ることができる。
また、ワークを載置するワークステージの部材としてハニカムコアを使うことにより、ワークステージの重量を軽くすることができる。
また、ハニカムコアの表面板の材質を、プラテンや吸着板の材質に合わせることにより、プラテンの透磁率が大きく残留磁気が小さいという特性を失うことなく、軽量で加工が容易なワークステージを実現することができる。
また、その結果として、ハニカムコアの両面の材質が異なっていても、両表面板の熱膨張率の差をコア材で吸収することができるので、ワークステージ全体に歪みが生じることを防止することができる。
本発明の実施形態を図1ないし図8を用いて説明する。
図1は、本発明に係るステージ装置を適用した露光装置の構成を示す断面図、図2は図1に示したステージ装置の平面図である。なお、図1は図2のA−A断面図であり、また、図1においては、図9に示した光照射部、マスクおよびマスクステージは省略されている。
これらの図において、1はステージ装置が搭載されるベースプレート、2はベースプレート1上に設けられる推力発生手段、3はベースプレート1に固定される基準支持部材、4はベースプレート1に固定される補助支持部材、5は吸着板6、ハニカムコア7、およびプラテン8からなるワークステージ、6は表面に露光を行うワーク12を吸着保持する吸着板、7はワークステージ5を薄く軽くしても剛性を保つために設けられたハニカムコア、8はワークステージ5の裏側に設けられ、純鉄などからなる磁性体からなり、複数に分割して隙間16を空けて取り付けられたプラテン、9はハニカムコア7の一部を構成し、コア材10の下面に設けられ、透磁率が大きく残留磁気が少ない材質からなる第1の表面板、10はハニカムコア7の一部を構成し、ハニカム構造を有するコア材、11はハニカムコアの一部を構成し、コア材10の上面に設けられ、第1の表面板9より軽く加工が容易な材質からなる第2の表面板、12は液晶パネルやプリント基板などのワーク、13は投影レンズである。
なお、ベースプレート1は、従来の定盤のようなものである必要はなく、表面精度や平面度も良いものでなくてよい。平面板や枠板(フレーム材)のようなものでよい。
これらの図に示すように、推力発生手段2は、従来のワークステージの移動体と同様の構成を有しており、ワークステージ5を移動させるための、プラテン8の平面において直交するX方向およびY方向の移動磁界、並びにプラテン8の平面に対して直交する座標軸の周りのθ回転軸方向の移動磁界を発生する磁極を有している。
また、推力発生手段2は、図2に示すように、移動磁界の方向がX軸に沿う方向に1個配置されたX方向推力発生手段21と、移動磁界の方向がY軸に沿う方向に2個配置されたY方向推力発生手段22を有する。Y方向推力発生手段22の磁界を移動させず、X方向推力発生手段21の磁界を移動させると、ワークステージ5はX方向に移動する。また、X方向推力発生手段21の磁界を移動させず、Y方向推力発生手段22の磁界を移動させると、ワークステージ5はY方向に移動する。X方向推力発生手段21の磁界を移動させず、2つのY方向推力発生手段22の磁界を、互いに反対方向に移動させると、ワークステージ5はθ回転軸方向に回転移動する。
また、基準支持部材3は、ワークステージ5を支持するために3個設けられ、ワークステージ5が、その移動範囲内においてどこに移動しても、常にワークステージ5の下にあり、ワークステージ5を支持できる位置に配置される。即ち、基準支持部材3は、3角形の頂点を形成する位置に配置され、その3角形に外接する円の領域に、1回の光照射で露光される露光領域が含まれるように配置する。このように構成することにより、露光を行っている領域が常に3個の基準支持部材3が囲む領域内にあることになる。その結果、露光を行っている領域が、傾いたり揺れたりすることがなく、安定した状態で露光処理を行うことができる。
また、図2に示すように、補助支持部材4は、ワークステージ5を支持するために1個以上、ワークステージ5が占める領域よりも広い範囲に設けられ、ワークステージ5が移動する領域全体に渡って分散して配置される。これによりワークステージ5が、その移動範囲内においてどこに移動しても、常にワークステージ5は基準支持部材3の他に、補助支持部材4により支持される。その結果、ワークステージ5に偏荷重がかかっても、ワークステージ5は傾いたり揺れたりすることがなく、安定した状態で露光処理を行うことができる。
なお、推力発生手段2、基準支持部材3、および補助支持部材4のワークステージ5に対向する面からは、エアが噴出し、ワークステージ5はエア圧力により浮上される。
図3は、ワークステージ5の具体的構成を示す図である。
同図に示すように、ワークステージ5は、ハニカムコア7と、ハニカムコア7の上面に設けられる吸着板6と、ハニカムコア7の下面に設けられるプラテン8とから構成される。ハニカムコア7は、例えば、65mm程度の厚さを有するハニカム構造を有するコア材10が、例えば、各々0.5〜1mm程度の厚さを有する2枚の表面板(第1の表面板9および第2の表面板11)により挟み込まれて構成されている。コア材10の材質は、例えば、薄いアルミ板であり、軽量であるが2枚の表面板9,11が接近する方向や、撓みに対して強い剛性を有している。コア材10と2枚の表面板(第1の表面板9および第2の表面板11)は接着剤により接着しプレスし硬化して取り付けられる。
鉄、純鉄、ケイ素鋼板などからなる第1の表面板9上には、複数に分割され互いに隙間16を空けたプラテン8が取り付けられる。第1の表面板9とプラテン8は、例えば、常温硬化型の接着剤により接着される。また、アルミニウムなどからなる第2の表面板11上には、ワーク12を載置し吸着保持する吸着板6が取り付けられる。第2の表面板11と吸着板6も、例えば、常温硬化型の接着剤により接着される。
なお、上記第1の表面板9に用いられる鉄は、例えば、不純物が2%、比透磁率が5000、残留磁化が80A/mであり、純鉄は、例えば、不純物が0.05%、比透磁率が200000、残留磁化が4A/mであり、ケイ素鋼板は、例えば、不純物が60%、比透磁率が3000、残留磁化が45A/mである。
吸着板6には、表面にワーク12を吸着保持するための真空吸着溝14が形成されており、図示されていないが、内部には真空吸着溝14に真空を供給する真空供給路が形成されている。
吸着板6と第2の表面板11は、表面を高い精度で平面加工しなければならないが、図3に示すように、従来装置に設けられていた定盤に比べて、薄くて軽量であり、また、加工する面積も、ステージの移動範囲ではなく、ワークサイズと同等の大きさでよく、加工コストも安い。
吸着板6の材質は、ワークステージ5全体を軽量化するためと、その表面や内部に加工が必要であるため、第1の表面板9やプラテン8に比べて軽量であり、かつ機械加工が容易なアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とした合金が使用される。第2の表面板11も、軽量化を図るためと吸着板6の材質と熱膨張率を合わせるために、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を使用する。吸着板6と第2の表面板11との材質が異なると、両者間で熱膨張に差を生じ、吸着板6が第2の表面板11から剥がれたり、歪みが生じたりする。
通常、コア材を2枚の表面板で挟んでハニカムコアを形成する場合、2枚の表面板は同じ材質のものが使用されるが、本発明においては、ハニカムコア7を挟んで両側に取り付けるプラテン8と吸着板6とでは材質が異なるので、上下の表面板9,11の材質をそれぞれに取り付けるものの材質に合わせて変える。即ち、プラテン8を取り付ける第1の表面板9はプラテン8と材質を合わせて鉄、純鉄、ケイ素鋼板などとするが、第2の表面板11は、吸着板6の材質に合わせてアルミ製とする。また、アルミ製とすることにより加工も容易となる。コア材10を挟んだ2枚の表面板9,11の材質が異なると、熱膨張率に違いが生じるが、熱膨張率の違いはコア材10により吸収する。コア材10は、2枚の表面板9,11を接近させる方向(縦方向)に対しては非常に強固であるが、表面板9,11が伸縮する方向(横方向)には多少自由度を有する。従って、2枚の表面板に生じた熱膨張の差はコア材10により吸収される。
プラテン8は、表面に図3に示すような碁盤目状またはストライプ状に強磁性体の凸極15が形成され、凸極15と凸極15との間隙16は樹脂で埋められ、その後、平面に研削加工されている。プラテン8の材質は、推力発生手段2の磁石が接近すると凸極15に強い磁力が発生する一方、磁石が離れると凸極15からすぐ磁気が無くなるという特性を有することが望ましいので、透磁率が大きくかつ残留磁気の少ない特性を有する材質の金属、一般的には鉄や純鉄が使用される。従って、プラテン8を取り付けるハニカムコア7の第1の表面板9の材質も、プラテン8の透磁率が大きくかつ残留磁気の少ない特性を損なうことなく、また、熱膨張率が等しくなるように、鉄、純鉄、またはケイ素鋼板などを用いる。プラテン8と第1の表面板9の材質が異なると、両者間で熱膨張に差を生じ、第1の表面板9からプラテン8が剥がれたり、歪みを生じたりする。第1の表面板9に取り付けるプラテン8は、1枚板でもよいが、本発明のように、複数に分割し、互いに隙間16を設けることにより、プラテン8の熱膨張がある程度はこの隙間16で吸収され、プラテン8の熱膨張が、ワークステージ5全体に与える影響を小さくすることができる。
図4は、図1に示した推力発生手段2の具体的構成を示す斜視図である。
同図に示すように、推力発生手段2はベースプレート1に対して高さ(上下)方向に自由度を有するように取り付けられる板ばね23と、板ばね23上に取り付けられ、一軸方向に移動磁界を発生する磁極24を有する推力発生手段本体26とから構成されている。また、磁極24の表面にはエア噴出孔25が設けられ、ワークステージ5を浮上させるためのエアが供給されている。図2において説明したように、推力発生手段2は、X方向に推力を発生させるX方向推力発生手段21が1個、Y方向に推力を発生させるY方向推力発生手段22が2個の、合計3個設けられる。
図5は、図1に示した基準支持部材3の具体的構成を示す断面図である。
同図に示すように、基準支持部材3は、エア噴出孔31を有するエアパッド32と、ベースプレート1に固定されエアパッド32を支持する台座33と、エアパッド32を台座33に対して支持する球面軸受34とから構成されている。エアパッド32は、多孔質またはオリフィスが設けられた表面からエアが噴出するエア噴出孔31を備え、球面軸受34により自由に首振り可能に構成されている。基準支持部材3は、図2に示すように、ベースプレート1上に3個設けられ、予めベースプレート1に対して高さを設定しておくことにより、ワークステージ5の平面位置を決める。
図6は、図1に示した補助支持部材4の具体的構成を示す断面図である。
同図に示すように、補助支持部材4は、エア噴出孔41を有するエアパッド42と、エアパッド42を支持する中間台43と、中間台43からエアシリンダ45内に伸びるシャフト44と、ベースプレート1に固定され中間台43を支持するエアシリンダ45と、エアパッド42を中間台43に対して支持する球面軸受46とから構成されている。補助支持部材45によって供給されるエアの圧力を変化させることにより、シャフト44が任意の推力で上下し、エアパッド42を任意の高さに調整することができる。
図7は、図4に示した推力発生手段2の推力発生手段本体26の具体的構成を示す断面図である。
同図に示すように、推力発生手段本体26には、永久磁石28が取り付けられており、これにより、磁極24a〜24dにはN極またはS極の磁極が発生する。磁極24a〜24dには、コイル27a、27bが巻かれており、コイル27a、27bに電流が流れると、各磁極24a〜24dは電磁石となる。永久磁石28の作る磁界の方向と磁極24a〜24dの電磁石が作る磁界の方向とが同じであれば、磁力は強め合う。反対に永久磁石28の作る磁界の方向と磁極24a〜24dの電磁石の作る方向とが反対であれば、磁力は打ち消される。
なお、推力発生手段本体26は、ベースプレート1に対して高さ(上下)方向に自由度を有するように取り付けられた板ばね23上に取り付けられているが、このような構成に限定されず、図5に示した基準支持部材3のように、推力発生手段本体26を、ベースプレート1上に固定された台座33から球面軸受34を介して支持し、エアパッド32に代えて設けるようにしてもよい。
また、エア噴出孔25は、図4に示した推力発生手段本体26の中央位置に設けるものに代えて、図7に示すように推力発生手段本体26の両端付近に設けるようにしてもよい。
次に、ワークステージ5の移動原理について説明する。
図8は、ワークステージ5に設けられるプラテン8とフォーサ29との関係を示す断面図である。
同図において、29は推力発生手段2の推力発生手段本体26内に設けられ磁力発生機構を構成するフォーサ、50はプラテン8の凸極15を構成する強磁性体、51はプラテン8の強磁性体50間に形成される非磁性体である。なお、その他の構成は図7に示した同符号の構成に対応するので説明を省略する。
まず、図8(a)において、フォーサ29の磁極24a、24b側のコイル27aに、磁極24aの磁力を強める方向に電流を流す。一方、磁極24c、24d側のコイル27bには電流を流さない。その結果、磁極24aは磁力が強められるので、プラテン8の凸極15aと強く引き合い、磁極24aと凸極15aとが対向位置になる。磁極24bはプラテン8の凸極15bと凸極15cとの間の非磁性体に対向するので磁力は発生しない。磁極24cと磁極24dは各々斜め方向にある凸極15dと凸極15fと引き合う。
次に、図8(b)において、フォーサ29の磁極24a、24b側のコイル27aの電流を止め、磁極24c、24d側のコイル27bに、今度は磁極24dの磁力を強めるように電流を流す。その結果、磁極24dと凸極15fとは強く引き合う。磁極24cはプラテン8の凸極15dと凸極15eとの間の非磁性体に対向するので、凸極15dと引き合わなくなる。従って、磁極24dが凸極15fと対向するように、プラテン8は推力発生手段2に対して、同図左方向に移動する。磁極24aと磁極24bは各々斜め方向の凸極15aと凸極15cと引き合う。
次に、図8(c)において、フォーサ29の磁極24c、24d側のコイル27bの電流を止め、磁極24a、24b側のコイル27aに、今度は磁極24bの磁力を強めるように電流を流す。その結果、磁極24bと凸極15cとは強く引き合う。磁極24aはプラテン8の凸極15aと凸極15bとの間の非磁性体に対向するので、凸極15aと引き合わなくなる。従って、磁極24bが凸極15cと対向するように、プラテン8は推力発生手段2に対して、同図左方向に移動する。磁極24cと磁極24dは各々斜め方向の凸極15eと凸極15fと引き合う。
次に、図8(d)において、フォーサ29の磁極24a、24b側のコイル27aの電流を止め、磁極24c、24d側のコイル27bに、今度は磁極24cの磁力を強めるように電流を流す。その結果、磁極24cと凸極15eとは強く引き合う。磁極24dはプラテン8の凸極15fと凸極15gとの間の非磁性体に対向するので、凸極15fと引き合わなくなる。従って、磁極24cが凸極15eと対向するように、プラテン8は推力発生手段2に対して、同図左方向に移動する。磁極24aと磁極24bは各々斜め方向の凸極15bと凸極15cと引き合う。
なお、図8(d)の位置に移動後、コイル27bに電流を流し続けることにより、プラテン8、即ち、ワークステージ5を図8(d)の位置に保持することができる。
本発明に係るステージ装置を適用した露光装置の構成を示す断面図である。 図1に示したステージ装置の平面図である。 ワークステージ5の具体的構成を示す図である。 図1に示した推力発生手段2の具体的構成を示す斜視図である。 図1に示した基準支持部材3の具体的構成を示す断面図である。 図1に示した補助支持部材4の具体的構成を示す断面図である。 図4に示した推力発生手段2の推力発生手段本体26の具体的構成を示す断面図である。 ワークステージ5に設けられるプラテン8とフォーサ29との関係を示す断面図である。 ソーヤモータステージ装置を露光装置に適用した露光装置の構成を示す図である。
符号の説明
1 ベースプレート
2 推力発生手段
21 X方向推力発生手段
22 Y方向推力発生手段
23 板ばね
24 磁極
24a〜24d 磁極
25 エア噴出孔
26 推力発生手段本体
27a、27b コイル
28 永久磁石
29 フォーサ
50 強磁性体
51 非磁性体
3 基準支持部材
31 エア噴出孔
32 エアパッド
33 台座
34 球面軸受
4 補助支持部材
41 エア噴出孔
42 エアパッド
43 中間台
44 シャフト
45 エアシリンダ
46 球面軸受
5 ワークステージ
6 吸着板
7 ハニカムコア
8 プラテン
9 第1の表面板
10 コア材
11 第2の表面板
12 ワーク
13 投影レンズ
14 真空吸着溝
15 凸極
15a〜15g 凸極
16 間隙




Claims (3)

  1. ハニカムコアと、該ハニカムコアの下面に取り付けられ、凸極が形成された磁性体からなるプラテンと、前記ハニカムコアの上面に取り付けられてワークを吸着保持し前記プラテンとは異なる材質からなる吸着板とからなるワークステージと、
    前記ワークステージをエア浮上により支持する支持部材と、
    前記ワークステージを平面内で移動させる移動磁界を発生する磁極を有する推力発生手段とからなり、
    前記ワークステージをエア浮上させて平面内で移動可能にしたことを特徴とするステージ装置。
  2. 前記ハニカムコアは、ハニカム構造を有するコア材と、該コア材の下面に設けられ、透磁率が大きく残留磁気が少ない材質からなる第1の表面板と、前記コア材の上面に設けられ、前記第1の表面板より軽く加工が容易な材質からなる第2の表面板と、
    からなることを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
  3. 前記第1の表面板は鉄、純鉄、またはケイ素鋼板からなり、前記第2の表面板はアルミニウムからなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のステージ装置。

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102435129A (zh) * 2011-09-08 2012-05-02 华中科技大学 用于测量二维运动部件位置的共面检测装置
JP2019003084A (ja) * 2017-06-16 2019-01-10 ウシオ電機株式会社 平面ステージ装置
JP2023079156A (ja) * 2021-11-26 2023-06-07 青島理工大学 マルチエネルギー場ナノ潤滑剤マイクロスケール骨研削加工測定システム

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303532B (zh) * 2008-06-10 2010-06-09 上海微电子装备有限公司 可切换工位的六自由度精密定位台
JP5365365B2 (ja) * 2009-06-23 2013-12-11 豊和工業株式会社 内層基板用露光装置及び基板とマスクの剥離方法
CN101916049B (zh) * 2010-08-02 2012-04-25 友达光电股份有限公司 工作台
CN102270908B (zh) * 2011-07-22 2013-04-17 华中科技大学 一种双轴解耦结构的平面电机
CN104600433A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 深圳光启创新技术有限公司 超材料面板及其制造方法、以及天线罩
CN104749897B (zh) * 2013-12-27 2017-06-27 上海微电子装备有限公司 一种光刻机运动台支撑平台
CN110873149B (zh) * 2019-11-26 2021-01-15 清华大学 超高真空分析检测装置的减振系统
CN111055136B (zh) * 2020-01-13 2021-10-08 西安交通大学 一种工作台结构
CN112904682B (zh) * 2021-01-22 2023-08-01 西华大学 一种测量倾角和旋转角的光刻对准标记及对准方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0341212A (ja) * 1989-07-10 1991-02-21 Showa Aircraft Ind Co Ltd 軸受装置
JPH10242193A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Toshiba Corp ワイヤボンディング方法及びその装置
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
WO2000036734A1 (fr) * 1998-12-16 2000-06-22 Nikon Corporation Dispositif moteur plat, son procede d'assemblage et d'entrainement, dispositif a etage et procede d'entrainement associe, systeme et procede d'exposition, et dispositif et procede de production associes
JP2003249542A (ja) * 2001-12-20 2003-09-05 Nikon Corp 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2006165523A (ja) * 2004-11-02 2006-06-22 Nikon Corp 測定システム、初期化、振動補償、低伝播性、及び軽量精密ステージを有するステージ装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0341212A (ja) * 1989-07-10 1991-02-21 Showa Aircraft Ind Co Ltd 軸受装置
JPH10242193A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Toshiba Corp ワイヤボンディング方法及びその装置
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
WO2000036734A1 (fr) * 1998-12-16 2000-06-22 Nikon Corporation Dispositif moteur plat, son procede d'assemblage et d'entrainement, dispositif a etage et procede d'entrainement associe, systeme et procede d'exposition, et dispositif et procede de production associes
JP2003249542A (ja) * 2001-12-20 2003-09-05 Nikon Corp 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2006165523A (ja) * 2004-11-02 2006-06-22 Nikon Corp 測定システム、初期化、振動補償、低伝播性、及び軽量精密ステージを有するステージ装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102435129A (zh) * 2011-09-08 2012-05-02 华中科技大学 用于测量二维运动部件位置的共面检测装置
JP2019003084A (ja) * 2017-06-16 2019-01-10 ウシオ電機株式会社 平面ステージ装置
JP2023079156A (ja) * 2021-11-26 2023-06-07 青島理工大学 マルチエネルギー場ナノ潤滑剤マイクロスケール骨研削加工測定システム
JP7349185B2 (ja) 2021-11-26 2023-09-22 青島理工大学 マルチエネルギー場ナノ潤滑剤マイクロスケール骨研削加工測定システム

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