JP2546618B2 - ヒート駒 - Google Patents
ヒート駒Info
- Publication number
- JP2546618B2 JP2546618B2 JP5339059A JP33905993A JP2546618B2 JP 2546618 B2 JP2546618 B2 JP 2546618B2 JP 5339059 A JP5339059 A JP 5339059A JP 33905993 A JP33905993 A JP 33905993A JP 2546618 B2 JP2546618 B2 JP 2546618B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- heating piece
- heat
- bonding apparatus
- heat piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の組立
工程で使用されるボンディング装置、すなわち、ダイボ
ンディング装置やワイヤボンディング装置のヒート駒に
関する。
工程で使用されるボンディング装置、すなわち、ダイボ
ンディング装置やワイヤボンディング装置のヒート駒に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いて、ウェーハテストが終わると、ウェーハは組立工程
に送られる。組立工程では、まず、ウェーハをチップ単
位にダイシングした後、各チップをリードフレームにボ
ンディングするダイボンディングが行われる。次いで、
チップのパッドとリードフレームのリード端子とを接続
するワイヤボンディングが行われ、その後、例えば樹脂
封止品であれば、モールディング、切断成形等を経て最
終製品となる。
いて、ウェーハテストが終わると、ウェーハは組立工程
に送られる。組立工程では、まず、ウェーハをチップ単
位にダイシングした後、各チップをリードフレームにボ
ンディングするダイボンディングが行われる。次いで、
チップのパッドとリードフレームのリード端子とを接続
するワイヤボンディングが行われ、その後、例えば樹脂
封止品であれば、モールディング、切断成形等を経て最
終製品となる。
【０００３】このような組立工程のダイボンディングや
ワイヤボンディングで使用されるボンディング装置で
は、ボンディングを行う際にリードフレームのアイラン
ドやリード端子を載置して位置決めし、ある程度の熱を
加えるためにヒート駒が使用されている。このヒート駒
には、ボンディング装置に使用されている光学系を用い
た制御系の誤動作を防止するために、対応する部位、す
なわち、アイランドやリード端子が載置される部位に対
して艶消し処理を行い、乱反射を抑制する必要がある。
従来では、このような艶消し処理の容易性等から、ステ
ンレス系の材料（例えばＳＵＳやＳＫＳ材）を用いたも
のが主に使用されていた。尚、このような「ヒート駒」
という呼び方の他にも、「プラテン」、「ヒートプレー
ト」、「ヒータープレート」、「ヒートブロック」等の
呼び方があるが、本明細書中では「ヒート駒」を使用す
ることにする。
ワイヤボンディングで使用されるボンディング装置で
は、ボンディングを行う際にリードフレームのアイラン
ドやリード端子を載置して位置決めし、ある程度の熱を
加えるためにヒート駒が使用されている。このヒート駒
には、ボンディング装置に使用されている光学系を用い
た制御系の誤動作を防止するために、対応する部位、す
なわち、アイランドやリード端子が載置される部位に対
して艶消し処理を行い、乱反射を抑制する必要がある。
従来では、このような艶消し処理の容易性等から、ステ
ンレス系の材料（例えばＳＵＳやＳＫＳ材）を用いたも
のが主に使用されていた。尚、このような「ヒート駒」
という呼び方の他にも、「プラテン」、「ヒートプレー
ト」、「ヒータープレート」、「ヒートブロック」等の
呼び方があるが、本明細書中では「ヒート駒」を使用す
ることにする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ヒート駒に
は、ダイボンディングの際にはみ出した接着剤が付着し
たり、ワイヤボンディングの際にミスショットにより金
線が付着したりすることがよくあり、このような付着物
を取除く場合、適当な工具等を用いて削ぎ落とすように
している。その際、従来のヒート駒は、上述のようにス
テンレス系の比較的軟らかい材料が用いられていたため
傷つきやすく、簡単に使用不能になったり、傷によりリ
ードフレームを傷めてしまい不良発生の原因になるとい
う不具合があり、改善が望まれている。
は、ダイボンディングの際にはみ出した接着剤が付着し
たり、ワイヤボンディングの際にミスショットにより金
線が付着したりすることがよくあり、このような付着物
を取除く場合、適当な工具等を用いて削ぎ落とすように
している。その際、従来のヒート駒は、上述のようにス
テンレス系の比較的軟らかい材料が用いられていたため
傷つきやすく、簡単に使用不能になったり、傷によりリ
ードフレームを傷めてしまい不良発生の原因になるとい
う不具合があり、改善が望まれている。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】このような課題
を解決するために本発明によるヒート駒は、少なくとも
表面が硬質材料により形成されていることを特徴として
いる。この硬質材料としては、超硬合金、高速度鋼、サ
ーメット、セラミックス等が好適である。また、ヒート
駒の表面に、ＴｉＣ被覆、ＴｉＮ被覆、ＴｉＣとＴｉＮ
のダブル被覆、ダイヤモンド被覆、ダイヤモンドライク
カーボン被覆、アルミナ被覆、ＣｒＮ被覆、あるいは、
これらのうちのいずれかを組合せた複合被覆等を施すよ
うにしてもよい。尚、これら被覆は、上述のような従来
用いられていた材料の表面に施すようにしても、本発明
と同様の効果を得ることができる。
を解決するために本発明によるヒート駒は、少なくとも
表面が硬質材料により形成されていることを特徴として
いる。この硬質材料としては、超硬合金、高速度鋼、サ
ーメット、セラミックス等が好適である。また、ヒート
駒の表面に、ＴｉＣ被覆、ＴｉＮ被覆、ＴｉＣとＴｉＮ
のダブル被覆、ダイヤモンド被覆、ダイヤモンドライク
カーボン被覆、アルミナ被覆、ＣｒＮ被覆、あるいは、
これらのうちのいずれかを組合せた複合被覆等を施すよ
うにしてもよい。尚、これら被覆は、上述のような従来
用いられていた材料の表面に施すようにしても、本発明
と同様の効果を得ることができる。
【０００６】このように、ヒート駒の材料として硬質材
料を用いることで、ヒート駒自体が大変硬くなる。した
がって、はみ出した接着剤やミスショットによる金線等
の付着力が弱くなり、付着しにくくなる。さらに、付着
物を削ぎ落とす場合でも、付着力が弱いのであまり力が
要らなくなるうえに、ヒート駒自体が大変硬いので、非
常に傷つきにくいものとできる。
料を用いることで、ヒート駒自体が大変硬くなる。した
がって、はみ出した接着剤やミスショットによる金線等
の付着力が弱くなり、付着しにくくなる。さらに、付着
物を削ぎ落とす場合でも、付着力が弱いのであまり力が
要らなくなるうえに、ヒート駒自体が大変硬いので、非
常に傷つきにくいものとできる。
【０００７】また、このようなヒート駒について、ボン
ディング装置の制御系の誤動作防止のために対応部位に
梨地加工を施せば、乱反射を効果的に防止でき、ボンデ
ィング装置の制御系が誤動作することもない。尚、この
梨地加工については、サンドブラスト処理により行え
ば、容易に対応部位にのみ加工を施すことができるの
で、一番適している。
ディング装置の制御系の誤動作防止のために対応部位に
梨地加工を施せば、乱反射を効果的に防止でき、ボンデ
ィング装置の制御系が誤動作することもない。尚、この
梨地加工については、サンドブラスト処理により行え
ば、容易に対応部位にのみ加工を施すことができるの
で、一番適している。
【０００８】
【実施例】図１に、本発明によるヒート駒の一実施例を
示す。この実施例は、ワイヤボンディング装置に用いら
れるヒート駒の例である。
示す。この実施例は、ワイヤボンディング装置に用いら
れるヒート駒の例である。
【０００９】ヒート駒１は、材料として組成がＷＣ−１
０％Ｃｏの超硬合金が用いられており、取付けられるワ
イヤボンディング装置（図示を省略）の仕様に合わせた
外形で作成されている。また、ヒート駒１には、ボンデ
ィング対象のリードフレーム２の仕様に合わせた形状の
リード端子載置部１ａ及びアイランド載置部１ｂが形成
されている。このリードフレーム端子載置部１ａの表面
には、梨地加工Ｎが施されている。
０％Ｃｏの超硬合金が用いられており、取付けられるワ
イヤボンディング装置（図示を省略）の仕様に合わせた
外形で作成されている。また、ヒート駒１には、ボンデ
ィング対象のリードフレーム２の仕様に合わせた形状の
リード端子載置部１ａ及びアイランド載置部１ｂが形成
されている。このリードフレーム端子載置部１ａの表面
には、梨地加工Ｎが施されている。
【００１０】搬送されてくるリードフレーム２のリード
端子２ａ及びアイランド２ｂは、ヒート駒１のリード端
子載置部１ａ及びアイランド載置部１ｂにそれぞれ載置
され、位置決めされる。そして、上方からリードフレー
ム２を抑える抑え具（図示を省略）により固定された
後、チップＴのパッドとリード端子２ａとのワイヤボン
ディングが実施される。
端子２ａ及びアイランド２ｂは、ヒート駒１のリード端
子載置部１ａ及びアイランド載置部１ｂにそれぞれ載置
され、位置決めされる。そして、上方からリードフレー
ム２を抑える抑え具（図示を省略）により固定された
後、チップＴのパッドとリード端子２ａとのワイヤボン
ディングが実施される。
【００１１】その際、リード端子載置部１ａ表面に梨地
加工Ｎが施されているため、乱反射が効果的に抑制さ
れ、ワイヤボンディング装置の光学系を用いた制御系の
誤動作が防止されるようになっている。この梨地加工Ｎ
は、リード端子載置部１ａ以外についてマスキングした
後、１０秒程度のサンドブラスト処理を行って得たもの
ものである。この例では、このようにサンドブラスト処
理により梨地加工Ｎを施しているが、これに限られるも
のではなく、例えば放電加工や化学薬品による処理を用
いることも可能である。しかしながら、作業性や効率、
コストを考慮した場合、サンドブラスト処理を用いるの
が一番適している。
加工Ｎが施されているため、乱反射が効果的に抑制さ
れ、ワイヤボンディング装置の光学系を用いた制御系の
誤動作が防止されるようになっている。この梨地加工Ｎ
は、リード端子載置部１ａ以外についてマスキングした
後、１０秒程度のサンドブラスト処理を行って得たもの
ものである。この例では、このようにサンドブラスト処
理により梨地加工Ｎを施しているが、これに限られるも
のではなく、例えば放電加工や化学薬品による処理を用
いることも可能である。しかしながら、作業性や効率、
コストを考慮した場合、サンドブラスト処理を用いるの
が一番適している。
【００１２】尚、この実施例では、ワイヤボンディング
装置に用いられるヒート駒についてのみ説明したが、ダ
イボンディング装置に用いられるヒート駒についても、
同様の構成とすることで本実施例と同じような効果を得
られることは、特に説明するまでもなく容易に理解でき
るであろう。
装置に用いられるヒート駒についてのみ説明したが、ダ
イボンディング装置に用いられるヒート駒についても、
同様の構成とすることで本実施例と同じような効果を得
られることは、特に説明するまでもなく容易に理解でき
るであろう。
【００１３】また、超硬合金以外にも、高速度鋼、サー
メット、セラミックス等の硬質材料を用いたり、あるい
は、ＴｉＣ被覆、ＴｉＮ被覆、ＴｉＣとＴｉＮのダブル
被覆、ダイヤモンド被覆、ダイヤモンドライクカーボン
被覆、アルミナ被覆、ＣｒＮ被覆、又は、これらのうち
のいずれかを組合わせて複数の層にした複合被覆等を表
面に形成するようにしてもよく、これらの場合でも同様
の効果が得られる。このように被覆を施す場合には、従
来のようなステンレス系の材料を用いたヒート駒の表面
に被覆するようにしても、同様の効果が得られる。
メット、セラミックス等の硬質材料を用いたり、あるい
は、ＴｉＣ被覆、ＴｉＮ被覆、ＴｉＣとＴｉＮのダブル
被覆、ダイヤモンド被覆、ダイヤモンドライクカーボン
被覆、アルミナ被覆、ＣｒＮ被覆、又は、これらのうち
のいずれかを組合わせて複数の層にした複合被覆等を表
面に形成するようにしてもよく、これらの場合でも同様
の効果が得られる。このように被覆を施す場合には、従
来のようなステンレス系の材料を用いたヒート駒の表面
に被覆するようにしても、同様の効果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によるヒ
ート駒は、硬質材料を用いて形成したので、ヒート駒自
体が大変硬くなる。そのため、接着剤や金線等の付着力
が弱くなって付着しにくくなり、また、付着力が弱いの
で削ぎ落とす場合でもあまり力が要らなくなるうえに、
ヒート駒自体が大変硬いので非常に傷つきにくい。さら
に、必要箇所に梨地加工を施しているので、乱反射を効
果的に防止でき、ボンディング装置の制御系が誤動作す
ることもない。
ート駒は、硬質材料を用いて形成したので、ヒート駒自
体が大変硬くなる。そのため、接着剤や金線等の付着力
が弱くなって付着しにくくなり、また、付着力が弱いの
で削ぎ落とす場合でもあまり力が要らなくなるうえに、
ヒート駒自体が大変硬いので非常に傷つきにくい。さら
に、必要箇所に梨地加工を施しているので、乱反射を効
果的に防止でき、ボンディング装置の制御系が誤動作す
ることもない。
【００１５】したがって、従来よりヒート駒を長く使用
することができるようになり、また、メンテナンス時間
を短縮できるので、生産性が１０〜１００倍と著しく向
上する。その結果、半導体集積回路のコスト低減に大き
く寄与できる。
することができるようになり、また、メンテナンス時間
を短縮できるので、生産性が１０〜１００倍と著しく向
上する。その結果、半導体集積回路のコスト低減に大き
く寄与できる。
【図１】本発明によるヒート駒の実施例を示す斜視図。
１ ヒート駒 ２ リードフレーム Ｎ 梨地加工
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体集積回路の組立工程で利用される
ボンディング装置におけるリードフレーム載置用のヒー
ト駒であって、少なくとも表面が硬質材料により形成さ
れており、該硬質材料が超硬合金、高速度鋼、サーメッ
ト、セラミックスのいずれかであることを特徴とするヒ
ート駒。 - 【請求項２】 ヒート駒の表面に、ＴｉＣ被覆、ＴｉＮ
被覆、ＴｉＣとＴｉＮのダブル被覆、ダイヤモンド被
覆、ダイヤモンドライクカーボン被覆、アルミナ被覆、
ＣｒＮ被覆、又はこれらのうちのいずれかを組合せた複
合被覆のいずれかが施されている請求項１記載のヒート
駒。 - 【請求項３】 ボンディング装置の制御系の誤動作防止
のために対応部位が梨地加工されている請求項１又は請
求項２記載のヒート駒。 - 【請求項４】 サンドブラスト処理により梨地加工が施
される請求項３記載のヒート駒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5339059A JP2546618B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ヒート駒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5339059A JP2546618B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ヒート駒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161757A JPH07161757A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2546618B2 true JP2546618B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18323875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5339059A Expired - Fee Related JP2546618B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ヒート駒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546618B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100454507C (zh) * | 2004-03-30 | 2009-01-21 | 许行彪 | 改良的半导体芯片与引出线焊接模 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159537A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
| JPS63130514A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-02 | Shiseido Co Ltd | 粉末化粧料 |
| JPH01198038A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JP2726515B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1998-03-11 | 電気化学工業株式会社 | 半導体塔載用回路基板及びその製造方法 |
| JP3048231U (ja) * | 1997-10-20 | 1998-05-06 | 有限会社白鳳堂 | 化粧用ブラシ |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5339059A patent/JP2546618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07161757A (ja) | 1995-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2330322A (en) | Methods and apparatus for conditioning polishing pads utilizing brazed diamond technology | |
| JP2001510739A (ja) | ラップ仕上げ、ホーニング、およびポリッシングの間に加工部品を保持するための装置 | |
| JP2546618B2 (ja) | ヒート駒 | |
| JP2978137B2 (ja) | 金属表面処理方法およびその処理を施した金属材 | |
| JP2546618C (ja) | ||
| US6864154B2 (en) | Process for lapping wafer and method for processing backside of wafer using the same | |
| JPS61180442A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH068145A (ja) | 薄板ガラスの加工法 | |
| JPH08162429A (ja) | 配線基板のパターンエリア保護方法 | |
| JP2001239449A (ja) | Ｃｍｐ用パッドコンディショナー | |
| JPH1177503A (ja) | 眼鏡レンズ研磨用研磨パッドおよびこれを用いた研磨方法 | |
| JP2000012492A (ja) | 半導体ウェハの研磨方法および半導体ウェハ構造体 | |
| JPH09239663A (ja) | 研磨用工具 | |
| JPH0417332A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH03256668A (ja) | 半導体ウェハ研磨用マウント板 | |
| JPS6077148A (ja) | ガラス基板の加工方法 | |
| JPH09245333A (ja) | 磁気ヘッドの加工方法 | |
| JP2000021915A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| CN106206382A (zh) | 薄片状工件临时键合的加工方法 | |
| JPH0831778A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970033383A (ko) | 파손된 금형의 보수방법 | |
| JP2795980B2 (ja) | 高精度平面の加工方法 | |
| JPS63247932A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH03135048A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04115865A (ja) | 加工物接着方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |