JPH01198038A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH01198038A JPH01198038A JP63024307A JP2430788A JPH01198038A JP H01198038 A JPH01198038 A JP H01198038A JP 63024307 A JP63024307 A JP 63024307A JP 2430788 A JP2430788 A JP 2430788A JP H01198038 A JPH01198038 A JP H01198038A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 8
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
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- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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-
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- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78703—Mechanical holding means
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ワイヤボンディング工程で使用する半導体製
造装置に関する。
造装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置は第４図および第５図に
示すように構成されている。これを同図に基づいて説明
すると、同図において、符号ｌは半導体ペレット２がダ
イスパッド部３に接合されたリードフレーム４を載置す
る載置面５を有するヒートブロック、６はこのヒートブ
ロックｌの載置面５上に前記リードフレーム４のインナ
ーリード部７を押圧する枠状の突部８を有するフレーム
押さえである。また、９は前記ヒートブロックｌの両側
に設けられ前記リードフレーム４を搬送するガイドレー
ルである。なお、前記リードフレーム４は、前記ダイス
パッド部３．前記インナーリード部７およびリードフレ
ーム枠体（同率せず）を含むクレードル部ｌＯによって
構成されている。
示すように構成されている。これを同図に基づいて説明
すると、同図において、符号ｌは半導体ペレット２がダ
イスパッド部３に接合されたリードフレーム４を載置す
る載置面５を有するヒートブロック、６はこのヒートブ
ロックｌの載置面５上に前記リードフレーム４のインナ
ーリード部７を押圧する枠状の突部８を有するフレーム
押さえである。また、９は前記ヒートブロックｌの両側
に設けられ前記リードフレーム４を搬送するガイドレー
ルである。なお、前記リードフレーム４は、前記ダイス
パッド部３．前記インナーリード部７およびリードフレ
ーム枠体（同率せず）を含むクレードル部ｌＯによって
構成されている。
１１は前記半導体ペレット２の電極１２と前記インナー
リード部７とを接続するワイヤである。なお、第５図中
、斜線Ａは突部８によってインナーリード部７が押圧さ
れる部分を示す。
リード部７とを接続するワイヤである。なお、第５図中
、斜線Ａは突部８によってインナーリード部７が押圧さ
れる部分を示す。
このように構成された半導体製造装置においては、予め
半導体ペレット２が接合されたリードフレーム４をヒー
トブロック１の載置面５上に載置し、このリードフレー
ム４をフレーム押さえ６によって半導体ペレット２が突
部８の開口窓８ａに臨むように載置面５上に押圧保持し
た後、ワイヤ１１によって電極１２とインナーリード部
７を接続することにより行うことができる。
半導体ペレット２が接合されたリードフレーム４をヒー
トブロック１の載置面５上に載置し、このリードフレー
ム４をフレーム押さえ６によって半導体ペレット２が突
部８の開口窓８ａに臨むように載置面５上に押圧保持し
た後、ワイヤ１１によって電極１２とインナーリード部
７を接続することにより行うことができる。
ところで、この種のワイヤボンディングにおいては、ヒ
ートブロック１からの熱がリードフレーム４のワイヤボ
ンディング領域に効率よく供給し得るように、リードフ
レーム４のワイヤボンディング部裏側が載置面５に対し
て密着することが望ましく、このためワイヤボンディン
グ時にフレーム押さえ６によってインナーリード部７が
載置面５に圧接されている。
ートブロック１からの熱がリードフレーム４のワイヤボ
ンディング領域に効率よく供給し得るように、リードフ
レーム４のワイヤボンディング部裏側が載置面５に対し
て密着することが望ましく、このためワイヤボンディン
グ時にフレーム押さえ６によってインナーリード部７が
載置面５に圧接されている。
ところが、この種のワイヤボンディングで使用するリー
ドフレーム４おいては、通常クレードル部１０の表面積
がダイスパッド部３とインナーリード部７の表面積より
大きくなる形状（厚さは同一）に形成されているため、
ワイヤボンディング時にヒートブロック１からリードフ
レーム４のインナーリード部７に供給される熱が移動に
よってクレードル部１０から放散されていた。特に、こ
の傾向はリードフレーム４が銅系の合金材料を素材とす
る場合に顕著であった。すなわち、リードフレーム４の
各部位のうちヒートブロックｌの載置面５と密着する部
位はインナーリード部７の一部（押さえエリア）だけで
あり、このためクレードル部１０は放熱フィンとして機
能してしまうからである。この結果、ワイヤボンディン
グ強度が不安定になり、ワイヤボンディング上の信頼性
が低下するという問題があった。
ドフレーム４おいては、通常クレードル部１０の表面積
がダイスパッド部３とインナーリード部７の表面積より
大きくなる形状（厚さは同一）に形成されているため、
ワイヤボンディング時にヒートブロック１からリードフ
レーム４のインナーリード部７に供給される熱が移動に
よってクレードル部１０から放散されていた。特に、こ
の傾向はリードフレーム４が銅系の合金材料を素材とす
る場合に顕著であった。すなわち、リードフレーム４の
各部位のうちヒートブロックｌの載置面５と密着する部
位はインナーリード部７の一部（押さえエリア）だけで
あり、このためクレードル部１０は放熱フィンとして機
能してしまうからである。この結果、ワイヤボンディン
グ強度が不安定になり、ワイヤボンディング上の信頼性
が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、安定し
たワイヤボンディング強度を得ることができ、もってワ
イヤボンディング上の信頼性を高めることができる半導
体製造装置を捉供するものである。
たワイヤボンディング強度を得ることができ、もってワ
イヤボンディング上の信頼性を高めることができる半導
体製造装置を捉供するものである。
本発明に係る半導体製造装置は、ヒートブロックの載置
面上にリードフレームを押圧する枠状の突部を有するフ
レーム押さえに、リードフレームのクレードル部をヒー
トブロックの載置面に圧接可能な突部を設けたものであ
る。
面上にリードフレームを押圧する枠状の突部を有するフ
レーム押さえに、リードフレームのクレードル部をヒー
トブロックの載置面に圧接可能な突部を設けたものであ
る。
本発明においては、リードフレームの押圧時にヒートブ
ロックの載置面に対し突部によってリードフレームのイ
ンナーリード部とクレードル部が密着する。
ロックの載置面に対し突部によってリードフレームのイ
ンナーリード部とクレードル部が密着する。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。第１図および第２図は本発明に係る半導体製
造装置を示す断面図と平面図、第３図は同じく本発明に
おける半導体製造装置のフレーム押さえを示す平面図で
、同図において第４図および第５図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、符号２１で示すものは前記クレードル部１０を
前記ヒートブロック１の載置面５に圧接可能な突部で、
前記フレーム押さえ６に設けられており、全体が断面矩
形状に形成されている。なお、第２図中、斜線Ｂは突部
２１によってインナーリード部７が押圧される部分を示
す。
説明する。第１図および第２図は本発明に係る半導体製
造装置を示す断面図と平面図、第３図は同じく本発明に
おける半導体製造装置のフレーム押さえを示す平面図で
、同図において第４図および第５図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、符号２１で示すものは前記クレードル部１０を
前記ヒートブロック１の載置面５に圧接可能な突部で、
前記フレーム押さえ６に設けられており、全体が断面矩
形状に形成されている。なお、第２図中、斜線Ｂは突部
２１によってインナーリード部７が押圧される部分を示
す。
このように構成された半導体製造装置においては、リー
ドフレーム４の押圧時にヒートブロック１の載置面５に
対し突部８によってインナーリード部７が密着し、突部
２１によってクレードル部１０が密着する。
ドフレーム４の押圧時にヒートブロック１の載置面５に
対し突部８によってインナーリード部７が密着し、突部
２１によってクレードル部１０が密着する。
したがって、ワイヤボンディング時にはヒートブロック
１からインナーリード部７およびクレードル部１０に対
して熱を直接供給することができるから、リードフレー
ム４の温度を均一かつ迅速に上昇させることができる。
１からインナーリード部７およびクレードル部１０に対
して熱を直接供給することができるから、リードフレー
ム４の温度を均一かつ迅速に上昇させることができる。
なお、本発明の半導体製造装置を用いるワイヤボンディ
ングは従来のワイヤボンディングと同様にして行うこと
ができる。すなわち、予め半導体ペレット２が接合され
たリードフレーム４をヒートブロックｌの載置面５上に
載置し、このリードフレーム４をフレーム押さえ６によ
って半導体ペレット２が突部８の開口窓８ａに臨むよう
に載置面５上に押圧保持した後、ワイヤ１１によって電
極１２どインナーリード部７を接続する。
ングは従来のワイヤボンディングと同様にして行うこと
ができる。すなわち、予め半導体ペレット２が接合され
たリードフレーム４をヒートブロックｌの載置面５上に
載置し、このリードフレーム４をフレーム押さえ６によ
って半導体ペレット２が突部８の開口窓８ａに臨むよう
に載置面５上に押圧保持した後、ワイヤ１１によって電
極１２どインナーリード部７を接続する。
以上説明したように本発明によれば、ヒートブロックの
載置面上にリードフレームを押圧する枠上の突部を有す
るフレーム押さえに、リードフレームのクレードル部を
ヒートブロックの載置面に圧接可能な突部を設けたので
、リードフレームの押圧時にヒートブロックの載置面に
対して突部によってインナーリード部とクレードル部を
密着させることができる。したがって、ワイヤボンディ
ング時にヒートブロックからインナーリード部およびク
レードル部に対して熱を直接供給することができるから
、安定したワイヤボンディング強度を得ることができ、
ワイヤボンディング上の信鎖性を確実に高めることがで
きる。
載置面上にリードフレームを押圧する枠上の突部を有す
るフレーム押さえに、リードフレームのクレードル部を
ヒートブロックの載置面に圧接可能な突部を設けたので
、リードフレームの押圧時にヒートブロックの載置面に
対して突部によってインナーリード部とクレードル部を
密着させることができる。したがって、ワイヤボンディ
ング時にヒートブロックからインナーリード部およびク
レードル部に対して熱を直接供給することができるから
、安定したワイヤボンディング強度を得ることができ、
ワイヤボンディング上の信鎖性を確実に高めることがで
きる。
第１図および第２図は本発明に係る半導体製造装置を示
す断面図と平面図、第３図は同じく本発明における半導
体製造装置のフレーム押さえを示す平面図、第４図およ
び第５図は従来の半導体製造装置を示す断面図と平面図
である。 ｌ・・・・ヒートブロック、２・・・・半導体ベレット
、３・・・・ダイスパッド部、４・・・・リードフレー
ム、６・・・・フレーム押さえ、７・・・・インナーリ
ード部、８・・・・突部、ｌＯ・・・・クレードル部、
２１・・・・突部。 代 理 人 大岩増雄
す断面図と平面図、第３図は同じく本発明における半導
体製造装置のフレーム押さえを示す平面図、第４図およ
び第５図は従来の半導体製造装置を示す断面図と平面図
である。 ｌ・・・・ヒートブロック、２・・・・半導体ベレット
、３・・・・ダイスパッド部、４・・・・リードフレー
ム、６・・・・フレーム押さえ、７・・・・インナーリ
ード部、８・・・・突部、ｌＯ・・・・クレードル部、
２１・・・・突部。 代 理 人 大岩増雄
Claims (1)
- 半導体ペレットがダイスパッド部に接合されたリード
フレームを載置する載置面を有するヒートブロックと、
このヒートブロックの載置面上に前記リードフレームの
インナーリード部を押圧する枠状の突部を有するフレー
ム押さえとを備えた半導体製造装置において、前記フレ
ーム押さえに前記リードフレームのクレードル部を前記
ヒートブロックの載置面に圧接可能な突部を設けたこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024307A JPH01198038A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024307A JPH01198038A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198038A true JPH01198038A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12134520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024307A Pending JPH01198038A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01198038A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161757A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Fuji Dies Kk | ヒート駒 |
| JP2013214779A (ja) * | 2013-07-22 | 2013-10-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8881966B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-11-11 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, and wire bonder |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP63024307A patent/JPH01198038A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161757A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Fuji Dies Kk | ヒート駒 |
| US8881966B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-11-11 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, and wire bonder |
| JP2013214779A (ja) * | 2013-07-22 | 2013-10-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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