JP3338352B2 - ダイボンダーおよびワイヤーボンダーならびにそれらを用いる半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイボンダーおよびワイヤーボンダーならびにそれらを用いる半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームの
両面に半導体チップを実装する際に用いられるダイボン
ダーおよびワイヤーボンダーならびにそれらを用いる半
導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、リードフレームの両面にそれぞれ
半導体チップを実装した半導体装置の生産が開始されて
いる。半導体チップの実装に際しては、半導体チップを
ダイボンディングするダイボンダーとワイヤーボンディ
ングするワイヤーボンダーとが使用される。
【０００３】従来、リードフレームの両面に実装される
半導体チップの大きさはいずれも５ｍｍ角以上であり、
本件出願人が先に特開平８ー２１３４１２号公報で提案
したように、図８（ａ）ないし（ｃ）に示すようなサポ
ートステージ２１を備えるダイボンダーや、図９（ａ）
ないし（ｃ）に示すようなヒータプレート２２を備える
ワイヤーボンダーが実用化されている。これらサポート
ステージ２１およびヒータプレート２２は、ダイボンデ
ィング時あるいはワイヤーボンディング時において、リ
ードフレーム３１の下面側にダイボンディングあるいは
ワイヤーボンディングされた半導体チップ３２・３２が
ダメージを受けないよう、半導体チップ３２・３２を凹
部２１ａ・２１ａ内において下側から支持する環状の弾
性体２４・２４を備える構成である。
【０００４】以下に、図１０を用いてその工程フローを
説明する。簡略化のため、リードフレーム３１の第１の
面および第２の面にそれぞれ１個ずつ第１の半導体チッ
プ３３と第２の半導体チップ３４とを実装することとす
る。
【０００５】まず、同図（ａ）に示すように、リードフ
レーム３１をダイボンダーのサポートステージ２３上に
載置して吸着孔２３ａからの真空吸着とクランパー２５
・２５とにより固定し、主回路面にバッファコート３３
ａを施した第１の半導体チップ３３を、リードフレーム
３１の第１の面のダイパッド３１ａへ銀ペースト３５を
用い、ダイコレット２６・２６で押しつけながらダイボ
ンディングする。
【０００６】銀ペースト３５を硬化させた後、リードフ
レーム３１の表裏を反転し、同図（ｂ）に示すように、
環状の弾性体２４を備えるサポートステージ２１のエリ
ア２１ｂ（図８参照）で、リードフレーム３１を吸着孔
２１ｄからの真空吸着とクランパー２５・２５とにより
固定し、リードフレーム３１の第２の面のダイパッド３
１ｂへ銀ペースト３６を塗布する。そして、リードフレ
ーム３１をエリア２１ｃ（図８参照）へ搬送し、主回路
面にバッファコート３４ａを施した第２の半導体チップ
３４をダイコレット２６・２６で押しつけながらダイボ
ンディングする。
【０００７】銀ペースト３６を硬化させた後、ワイヤー
ボンダーを用い、同図（ｃ）に示すように環状の弾性体
２４を備えるヒータプレート２２上で第２の半導体チッ
プ３４の主回路面側を吸着孔２２ｂからの真空吸着とク
ランパー２７・２７とによって固定する。そして、ヒー
タプレート２２でリードフレーム３１全体を所望の温度
に昇温し、第１の半導体チップ３３の電極パッド３３ｂ
・３３ｂとリードフレーム３１のインナーリード３１ｃ
・３１ｃとを金ワイヤー３７・３７でワイヤーボンディ
ングする。
【０００８】リードフレーム３１の表裏を反転した後、
同様に、同図（ｄ）に示すように、第２の半導体チップ
３４の電極パッド３４ｂ・３４ｂとリードフレーム３１
のインナーリード３１ｄ・３１ｄとを金ワイヤー３８・
３８でワイヤーボンディングする。
【０００９】その後、同図（ｅ）に示すように、封止樹
脂３９で封止を行い、同図（ｆ）に示すように、アウタ
ーリード３１ｅ・３１ｅに半田メッキを施し、マーク、
カット、フォーミング工程および電気テストを経て完成
品となる。
【００１０】ところが、サポートステージ２１を備える
ダイボンダーおよびヒータプレート２２を備えるワイヤ
ーボンダーでは、リードフレーム３１の両面に実装され
る半導体チップ３２・３２の少なくともいずれか一方が
５ｍｍ角程度以下と比較的小さい場合、銀ペースト３５
・３６の塗布、ダイボンディング、およびワイヤーボン
ディングを行う際に環状の弾性体２４が半導体チップ３
２からはみ出してしまい、半導体チップ３２が割れたり
欠けたりするという不都合がある。
【００１１】このような不都合を解消するために、５ｍ
ｍ角程度よりも小さな半導体チップ３２を少なくとも１
個含み、これがダイボンディング時あるいはワイヤーボ
ンディング時において下側になる場合は、環状の弾性体
２４では半導体チップ３２を支持できないので、代わり
に球状の弾性体を用いればよいことが考えられる。
【００１２】以下に、図１１を用いてその場合の工程フ
ローを説明する。ここでは、第１の半導体チップ３３を
７ｍｍ角、第２の半導体チップ３４を３ｍｍ角の大きさ
とする。まず同図（ａ）に示すように、第１の半導体チ
ップ３３を前例と同様にダイボンディングする。次に、
第２の半導体チップ３４をダイボンディングするが、同
図（ｂ）に示すように５ｍｍ角以上の大きさの第１の半
導体チップ３３が下側になるため、環状の弾性体２４を
用いて前例と同様にダイボンディングする。
【００１３】ダイボンディングが終了するとワイヤーボ
ンディングを行うが、第１の半導体チップ３３をワイヤ
ーボンディングするときは、同図（ｃ）に示すように５
ｍｍ角よりも小さい第２の半導体チップ３４が下側にな
るので、球状の弾性体２９を備えるヒータプレート２８
上で実施する。次いで、同図（ｄ）に示すように、前例
と同様に第２の半導体チップ３４をワイヤーボンディン
グする。その後の樹脂封止（同図（ｅ））、マーク、カ
ット、フォーミング工程および電気テスト（同図
（ｆ））も前例と同様である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に小さな半導体チップ３２が割れたり欠けたりすること
を防止するために球状の弾性体２９を用いると、球状の
弾性体２９は半導体チップ３２を一点のみで支持するこ
とになると共に真空吸着用の吸着孔を設けることができ
ず、リードフレーム３１全体を確実に固定することがで
きない。従って、安定なダイボンディングおよびワイヤ
ーボンディングを行うことができない。さらに、環状の
弾性体２４を用いる場合を含めて、環状の弾性体２４あ
るいは球状の弾性体２９に接触する半導体チップ３２の
主回路面を保護するために、バッファコートが必ず必要
であることも欠点である。
【００１５】上記の問題のうち、ワイヤーボンディング
時に発生するものを解決する手段としては、特開平４−
２５３３４７号公報に開示されているように、ワイヤー
ボンディング時に下側を向く半導体チップが、ヒータプ
レートに載置された箱形プレートの中空部分に位置する
ようにして半導体チップとワイヤーとが何ものとも接触
しないようにしたワイヤーボンダーがある。ところが、
このような構造では、ワイヤーボンディング時にヒータ
プレートからの熱が箱形プレートを介してボンディング
箇所に伝わるため、ボンディング箇所が所望の温度に達
するまで非常に時間がかかり、実用的でない。
【００１６】本発明は上記従来の問題点に鑑みなされた
ものであって、その目的は、リードフレームの両面に、
半導体チップを破損せずに安定に実装することのできる
実用的なダイボンダーおよびワイヤーボンダー、ならび
にそれらを用いる半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明のダ
イボンダーは、上記課題を解決するために、リードフレ
ームの第１の面と第２の面との両面にこの順で半導体チ
ップをダイボンディングする際に用いられ、上記リード
フレームが載置されるサポートステージを備えるダイボ
ンダーにおいて、上記サポートステージには、上記第２
の面のダイパッドにダイボンド材を塗布するあるいは半
導体チップをダイボンディングする際に、上記第１の面
にダイボンディングされた半導体チップが上記サポート
ステージと接触しないように遊嵌される凹部が形成され
ている、あるいは凹部を有する治具が備えられており、
上記凹部には上記リードフレームを固定するための真空
吸着用の吸着孔が設けられていると共に、少なくとも上
記ダイパッドの上記第１の面の一部が上記サポートステ
ージあるいは上記治具の上記凹部の周縁部に支持される
ことを特徴としている。
【００１８】上記の発明では、第２の面のダイパッドに
ダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイボ
ンディングする際、第１の面にダイボンディングされた
半導体チップはサポートステージあるいは治具に設けら
れた凹部に遊嵌され、何ものにも接触しない状態とな
る。従って、半導体チップが割れたり欠けたりすること
がなくなると共に、主回路面を保護するためのバッファ
コートを省略することができる。
【００１９】またこのとき、リードフレームの第１の面
の一部はサポートステージのあるいは治具の凹部の周縁
部によって支持される。さらに、凹部に真空吸着用の吸
着孔を設けてあるため、第１の面にダイボンディングさ
れた半導体チップおよびその周辺と凹部とで形成される
空間を真空引きすることにより、リードフレーム全体が
固定される。
【００２０】従って、５ｍｍ角以下と小さい半導体チッ
プが実装されるリードフレームに対して、ダイボンド材
の塗布やダイボンディングを行うときに、リードフレー
ムがサポートステージ上あるいは治具上で不安定になる
ことがなく、半導体チップを破損することがない。
【００２１】この結果、リードフレームの両面に、半導
体チップを破損せずに安定に実装することのできる実用
的なダイボンダーを提供することができる。
【００２２】請求項２に係る発明のダイボンダーは、上
記課題を解決するために、リードフレームの第１の面と
第２の面との両面にこの順で半導体チップをダイボンデ
ィングする際に用いられ、上記リードフレームが載置さ
れるサポートステージを備えるダイボンダーにおいて、
上記サポートステージには、上記第２の面のダイパッド
にダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイ
ボンディングする際に、上記第１の面にダイボンディン
グされた半導体チップが上記サポートステージと接触し
ないように遊嵌される凹部が形成されている、あるいは
凹部を有する治 具が備えられており、上記凹部はサポー
トステージあるいは上記治具に半導体チップを遊嵌させ
たままスライドさせられる溝であると共に、少なくとも
上記ダイパッドの上記第１の面の一部が上記サポートス
テージあるいは上記治具の上記凹部の周縁部に支持され
ることを特徴としている。
【００２３】上記の発明では、第２の面のダイパッドに
ダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイボ
ンディングする際、第１の面にダイボンディングされた
半導体チップはサポートステージあるいは治具に設けら
れた凹部に遊嵌され、何ものにも接触しない状態とな
る。従って、半導体チップが割れたり欠けたりすること
がなくなると共に、主回路面を保護するためのバッファ
コートを省略することができる。
【００２４】また、リードフレームの搬送を行う際、第
１の半導体チップを溝に遊嵌させたまま、リードフレー
ムを溝に沿ってスライドさせるだけでよく、効率的であ
る。
【００２５】請求項３に係る発明の半導体装置の製造方
法は、上記課題を解決するために、請求項１または２に
記載のダイボンダーを用い、上記第１の面にダイボンデ
ィングされた半導体チップを上記凹部に遊嵌させて上記
第２の面のダイパッドにダイボンド材を塗布するあるい
は半導体チップをダイボンディングすることを特徴とし
ている。
【００２６】上記の発明によれば、第２の面のダイパッ
ドにダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダ
イボンディングする際、第１の面にダイボンディングさ
れた半導体チップはサポートステージあるいは治具に設
けられた凹部に遊嵌され、何ものにも接触しない状態と
なる。従って、半導体チップが割れたり欠けたりするこ
とがなくなると共に、主回路面を保護するためのバッフ
ァコートを省略することができる。
【００２７】またこのとき、リードフレームの下面側の
一部はサポートステージの上面あるいは治具の上面によ
って支持される。さらに、例えば、凹部の底面に真空吸
着用の吸着孔を設けておけば、第１の面にダイボンディ
ングされた半導体チップおよびその周辺と凹部とで形成
される空間を真空引きすることにより、リードフレーム
全体が固定される。
【００２８】従って、５ｍｍ角以下と小さい半導体チッ
プが実装されるリードフレームに対して、ダイボンド材
の塗布やダイボンディングを行うときに、リードフレー
ムがサポートステージ上あるいは治具上で不安定になる
ことがなく、半導体チップを破損することがない。
【００２９】請求項４に係る発明の半導体装置の製造方
法は、上記課題を解決するために、請求項１に記載のダ
イボンダーを用い、上記第１の面にダイボンディングさ
れた半導体チップを上記凹部に遊嵌させ、上記吸着孔か
ら真空吸着により上記リードフレームを固定して上記第
２の面のダイパッドにダイボンド材を塗布するあるいは
半導体チップをダイボンディングすることを特徴として
いる。
【００３０】上記の発明によれば、第２の面のダイパッ
ドにダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダ
イボンディングする際、第１の面にダイボンディングさ
れた半導体チップはサポートステージあるいは治具に設
けられた凹部に遊嵌され、何ものにも接触しない状態と
なる。従って、半導体チップが割れたり欠けたりするこ
とがなくなると共に、主回路面を保護するためのバッフ
ァコートを省略することができる。
【００３１】またこのとき、リードフレームの下面側の
一部はサポートステージの上面あるいは治具の上面によ
って支持される。さらに、凹部に真空吸着用の吸着孔を
設けてあるので、第１の面にダイボンディングされた半
導体チップおよびその周辺と凹部とで形成される空間を
真空引きすることにより、リードフレーム全体が固定さ
れる。
【００３２】従って、５ｍｍ角以下と小さい半導体チッ
プが実装されるリードフレームに対して、ダイボンド材
の塗布やダイボンディングを行うときに、リードフレー
ムがサポートステージ上あるいは治具上で不安定になる
ことがなく、半導体チップを破損することがない。
【００３３】請求項５に係る発明の半導体装置の製造方
法は、上記課題を解決するために、請求項１または２に
記載のダイボンダーであって上記リードフレームの搬送
時に、上記リードフレームとダイボンディングされた半
導体チップとが上記サポートステージあるいは上記治具
と非接触状態をなすことが可能なように、上記サポート
ステージあるいは上記治具がリードフレームに対して近
接・離反変位するダイボンダーを用い、上記サポートス
テージあるいは上記治具を上記リードフレームに近接変
位させて上記リードフレームと接触状態にし、上記リー
ドフレームの上記第１の面あるいは上記第２の面のダイ
パッドに上記ダイボンド材を塗布して半導体チップをダ
イボンディングする一方、上記サポートステージあるい
は上記治具を上記リードフレームから離反変位させて上
記リードフレームと非接触状態にし、上記リードフレー
ムを搬送することを特徴としている。
【００３４】上記の発明によれば、ダイボンド材の塗布
時およびダイボンディング時にはサポートステージある
いは治具がリードフレームに近接変位してリードフレー
ムと接触状態をなし、リードフレームの搬送時にはサポ
ートステージあるいは治具がリードフレームから離反変
位してリードフレームと非接触状態をなす。
【００３５】これにより、搬送時には半導体チップを含
めたリードフレーム全体がサポートステージあるいは治
具と接触することがないので、半導体チップの破損を防
止することができる。
【００３６】請求項６に係る発明の半導体装置の製造方
法は、上記課題を解決するために、請求項１に記載のダ
イボンダーであって上記リードフレームの搬送時に、上
記リードフレームとダイボンディングされた半導体チッ
プとが上記サポートステージ あるいは上記治具と非接触
状態をなすことが可能なように、上記サポートステージ
あるいは上記治具がリードフレームに対して近接・離反
変位するダイボンダーを用い、上記サポートステージあ
るいは上記治具を上記リードフレームに近接変位させて
上記リードフレームと接触状態にし、上記吸着孔から真
空吸着により上記リードフレームを固定して、上記リー
ドフレームの上記第１の面あるいは上記第２の面のダイ
パッドに上記ダイボンド材を塗布して半導体チップをダ
イボンディングする一方、上記サポートステージあるい
は上記治具を上記リードフレームから離反変位させて上
記リードフレームと非接触状態にし、上記リードフレー
ムを搬送することを特徴としている。
【００３７】上記の発明によれば、ダイボンド材の塗布
時およびダイボンディング時にはサポートステージある
いは治具がリードフレームに近接変位してリードフレー
ムと接触状態をなし、リードフレームの搬送時にはサポ
ートステージあるいは治具がリードフレームから離反変
位してリードフレームと非接触状態をなす。
【００３８】これにより、搬送時には半導体チップを含
めたリードフレーム全体がサポートステージあるいは治
具と接触することがないので、半導体チップの破損を防
止することができる。さらに、凹部に真空吸着用の吸着
孔を設けてあるので、第１の面にダイボンディングされ
た半導体チップおよびその周辺と凹部とで形成される空
間を真空引きすることにより、リードフレーム全体が固
定され、安定に半導体装置を製造できる。
【００３９】請求項７に係る発明のワイヤーボンダー
は、上記課題を解決するために、リードフレームの第１
の面と第２の面との両面のうちの上記第１の面から半導
体チップのワイヤーボンディングを開始する際に用いら
れ、上記第１の面と上記第２の面とには予め上記半導体
チップがダイボンディングされており、上記リードフレ
ームが載置されると共に上記リードフレームを加熱する
ヒータプレートを備えるワイヤーボンダーにおいて、上
記ヒータプレートには、上記第１の面で半導体チップを
ワイヤーボンディングする際に上記第２の面のダイボン
ディングされた半 導体チップが上記ヒータプレートと接
触しないように遊嵌される凹部が形成されており、上記
凹部には上記リードフレームを固定するための真空吸着
用の吸着孔が設けられていると共に、少なくとも上記リ
ードフレームの上記第２の面の一部が上記ヒータプレー
トの上記凹部の周縁部に支持されることを特徴としてい
る。
【００４０】上記の発明によれば、リードフレームの第
１の面で半導体チップをワイヤーボンディングする際、
第２の面でダイボンディングされた半導体チップはヒー
タプレートに設けられた凹部に遊嵌され、何ものにも接
触しない状態となる。従って、半導体チップが割れたり
欠けたりすることがなくなると共に、主回路面を保護す
るためのバッファコートを省略することができる。
【００４１】またこのとき、リードフレームの第２の面
の一部はヒータプレートの凹部の周縁部によって支持さ
れる。さらに、凹部に真空吸着用の吸着孔を設けてある
ので、第２の面でダイボンディングされた半導体チップ
およびその周辺と凹部とで形成される空間を真空引きす
ることにより、リードフレーム全体が固定される。
【００４２】従って、５ｍｍ角以下と小さい半導体チッ
プが実装されるリードフレームに対してワイヤーボンデ
ィングを行うときに、リードフレームがヒータプレート
上で不安定になることがなく、半導体チップを破損する
ことがない。
【００４３】さらに、凹部はヒータプレートに設けられ
ているため、リードフレームは凹部以外のヒータプレー
トに接触しており、ヒータプレートによる加熱によって
リードフレーム全体を所望の温度に昇温するのに困難さ
を伴わない。
【００４４】この結果、リードフレームの両面に、半導
体チップを破損せずに安定に実装することのできる実用
的なワイヤーボンダーを提供することができる。
【００４５】請求項８に係る発明の半導体装置の製造方
法は、上記課題を解決するために、請求項７に記載のワ
イヤーボンダーを用い、上記第２の面でダイボンディン
グさ れた半導体チップを上記凹部に遊嵌させ、上記吸着
孔から真空吸着により上記リードフレームを固定して上
記第１の面で半導体チップをワイヤーボンディングする
ことを特徴としている。
【００４６】上記の発明によれば、リードフレームの第
１の面で半導体チップをワイヤーボンディングする際、
第２の面でダイボンディングされた半導体チップはヒー
タプレートに設けられた凹部に遊嵌され、何ものにも接
触しない状態となる。従って、半導体チップが割れたり
欠けたりすることがなくなると共に、主回路面を保護す
るためのバッファコートを省略することができる。
【００４７】またこのとき、リードフレームの下面側の
一部はヒータプレートによって支持される。そして、凹
部に真空吸着用の吸着孔を設けてあるので、第２の面で
ダイボンディングされた半導体チップおよびその周辺と
凹部とで形成される空間を真空引きすることにより、リ
ードフレーム全体が固定される。
【００４８】従って、５ｍｍ角以下と小さい半導体チッ
プが実装されるリードフレームに対してワイヤーボンデ
ィングを行うときに、リードフレームがステージ上で不
安定になることがなく、半導体チップを破損することが
ない。
【００４９】さらに、凹部はヒータプレートに設けられ
ているため、リードフレームは凹部以外のヒータプレー
トに接触しており、ヒータプレートによる加熱によって
リードフレーム全体を所望の温度に昇温するのに困難さ
を伴わない。
【００５０】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕 本発明のダイボンダーおよびワイヤーボンダー並びにそ
れらを用いる半導体装置の製造方法の実施の一形態につ
いて図１ないし図３に基づいて説明すれば、以下の通り
である。
【００５１】図１（ａ）ないし（ｃ）に示すように、本
実施の形態のダイボンダーのサポートステージ１は、例
えばステンレス鋼などからなる直方体塊の上面に、リー
ドフレーム１１上でダイボンディングされた５ｍｍ角程
度よりも小さい第１の半導体チップ１２…が遊嵌される
べく凹部としての溝１ａ・１ａが設けられたものであ
る。同図（ｂ）（ｃ）では、サポートステージ１にリー
ドフレーム１１が載置された際の第１の半導体チップ１
２…と溝１ａ・１ａとの位置関係が明確になるように、
リードフレーム１１と第１の半導体チップ１２…とを図
示してある。
【００５２】溝１ａ・１ａは、ダイボンディング時に下
側となる第１の半導体チップ１２…が遊嵌されるよう、
その幅Ｙ1aが第１の半導体チップ１２…の幅Ｙ12よりも
大きく設定されており、リードフレーム１１はサポート
ステージ１の上面に接して支持される。また、サポート
ステージ１の上面は、大きく別けてペースト状ダイボン
ド材塗布用のエリア１ｂとダイボンディング用のエリア
１ｃとに分かれる。
【００５３】なお、リードフレーム１１の片面にダイボ
ンディングされる半導体チップ１２…は本来１個である
が、２個ダイボンディングすることも可能となるよう
に、溝１ａを２ヶ所に設けてある。また、半導体チップ
１２を３個以上ダイボンディングするときには、その個
数に応じた溝１ａ…を設ければよいことは言うまでもな
い。
【００５４】一方、図２（ａ）ないし（ｃ）に示すよう
に、本実施の形態のワイヤーボンダーのヒータプレート
２は、例えばステンレス鋼などからなる凸状塊の凸部上
面に２つの凹部２ａ・２ａを設け、載置されるリードフ
レーム１１と凹部２ａ・２ａとで形成される空間を、凹
部２ａ・２ａからヒータプレート２を貫通する吸着孔２
ｂ・２ｂから真空引きしてリードフレーム１１を固定す
るものである。同図（ｂ）（ｃ）では、ヒータプレート
２にリードフレーム１１が載置された際の第１の半導体
チップ１２・１２と凹部２ａ・２ａとの位置関係が明確
になるように、リードフレーム１１と第１の半導体チッ
プ１２・１２とを図示してある。
【００５５】凹部２ａ・２ａは、ワイヤーボンディング
時に下側となる第１の半導体チップ１２・１２が遊嵌さ
れるよう、その幅Ｘ2a・Ｙ2aがそれぞれ第１の半導体チ
ップ１２・１２の幅Ｘ12・Ｙ12よりも大きく設定されて
おり、リードフレーム１１はヒータプレート２の上面に
接して支持される。
【００５６】なお、リードフレーム１１の片面にワイヤ
ーボンディングされる第１の半導体チップ１２・１２は
本来１個であるが、この場合もサポートステージ１と同
様に、２個ワイヤーボンディングすることが可能となる
ように、凹部２ａを２ヶ所に設けてある。また、第１の
半導体チップ１２を３個以上ワイヤーボンディングする
ときには、その個数に応じた凹部２ａ…を設ければよい
ことは言うまでもない。
【００５７】次に、図１のサポートステージ１を備える
ダイボンダーと、図２のヒータプレート２を備えるワイ
ヤーボンダーとを用いて半導体装置を製造する工程フロ
ーを図３を参照しながら説明する。
【００５８】この工程フローでは、約３ｍｍ角の大きさ
の第１の半導体チップ１２と、約７ｍｍ角の大きさの第
２の半導体チップ１３とを１チップずつ、それぞれリー
ドフレーム１１の第１の面・第２の面に実装する。実装
に際しては、特に第１の半導体チップ１２が下側になる
工程において、サポートステージ１に設けられた溝１ａ
とヒータプレート２に設けられた凹部２ａとを活用す
る。従って、図３では、溝１ａと凹部２ａとを１ヶ所ず
つ図示してある。
【００５９】図３（ａ）に示すように、まず、従来のサ
ポートステージ２３を備えるダイボンダーを用いて、吸
着孔２３ａからの真空吸着とクランパー６・６とによっ
てリードフレーム１１を固定しながら、リードフレーム
１１の第１の面のダイパッド１１ａに銀ペースト１４を
塗布した後、第１の半導体チップ１２をダイコレット７
・７で押しつけてダイボンディングし、銀ペースト１４
を硬化させる。第１の半導体チップ１２は、後述する第
２の半導体チップ１３のダイボンディング時に何ものに
も接触することがないので、その主回路面には保護のた
めのバッファコートを必要としない。
【００６０】次いで、同図（ｂ）に示すように、溝１ａ
を有するサポートステージ１を備えたダイボンダーを用
い、クランパー６・６によってエリア１ｂ（図１参照）
上にリードフレーム１１を固定しながら、第１の半導体
チップ１２が溝１ａに遊嵌された状態で、リードフレー
ム１１の第２の面のダイパッド１１ｂにダイボンド材と
しての銀ペースト１５を塗布する。そして、リードフレ
ーム１１をエリア１ｃ（図１参照）上に搬送した後、上
述の方法と同様にリードフレーム１１を固定し、第１の
半導体チップ１２が溝１ａに遊嵌された状態で、主回路
面にバッファコート１３ａを施した第２の半導体チップ
１３をダイコレット７・７で押しつけてダイボンディン
グし、銀ペースト１５を硬化させる。
【００６１】この工程において、エリア１ｂとエリア１
ｃとの間でリードフレーム１１の搬送を行う際、第１の
半導体チップ１２を溝１ａに遊嵌させたまま、リードフ
レーム１１を溝１ａに沿ってスライドさせるだけでよい
ので効率的である。但し、リードフレーム１１と溝１ａ
とは閉じられた空間を形成しないため、吸着孔を設けて
真空吸着することができず、銀ペースト１４・１５の塗
布時およびダイボンディング時のリードフレーム１１の
固定はクランパー６・６のみによって行わなければなら
ない。
【００６２】ダイボンディングが終了すると、次にワイ
ヤーボンディングを行う。同図（ｃ）に示すように、凹
部２ａを有するヒータプレート２を備えたワイヤーボン
ダーを用い、吸着孔２ｂからの真空吸着とクランパー８
・８とによってリードフレーム１１を固定すると共に、
ヒータプレート２でリードフレーム１１および第２の半
導体チップ１３を所望の温度まで加熱しながら、第１の
半導体チップ１２が凹部２ａに遊嵌された状態で、第２
の半導体チップ１３の電極パッド１３ｂ・１３ｂとリー
ドフレーム１１の第２の面のインナーリード１１ｄ・１
１ｄとを金ワイヤー１６・１６でワイヤーボンディング
する。
【００６３】次いで、同図（ｄ）に示すように、リード
フレーム１１の表裏を反転し、環状の弾性体２４を有す
るヒータプレート２２上で、吸着孔２２ｂからの真空吸
着とクランパー８・８とによってリードフレーム１１を
固定すると共に、ヒータプレート２でリードフレーム１
１および第１の半導体チップ１２を所望の温度まで加熱
し、第１の半導体チップ１２の電極パッド１２ｂ・１２
ｂとリードフレーム１１の第１の面のインナーリード１
１ｃ・１１ｃとを金ワイヤー１７・１７でワイヤーボン
ディングする。
【００６４】その後、封止樹脂１８で封止を行い（同図
（ｅ））、アウターリード１１ｅ・１１ｅに半田メッキ
を施し、マーク、カット、フォーミング工程、電気テス
トを経て完成品となる（同図（ｆ））。
【００６５】以上のように、本実施の形態のダイボンダ
ーおよびワイヤーボンダーは、それぞれ溝１ａ・１ａを
有するサポートステージ１、凹部２ａ・２ａを有するヒ
ータプレート２を備えているため、リードフレーム１１
の少なくとも片面に、５ｍｍ角程度よりも小さい第１の
半導体チップ１２を破損せずに安定に実装することがで
きる。
【００６６】〔実施の形態２〕 本発明のダイボンダーの他の実施の形態について図４な
いし図６を用いて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した
構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同
一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６７】図４に示すように、本実施の形態のダイボ
ンダーのサポートステージ３は、例えばステンレス鋼な
どからなる直方体塊の上面に複数の凹部３ａ…を設け、
載置されるリードフレーム１１と凹部３ａ…とで形成さ
れる空間を、凹部３ａ…の底面からサポートステージ３
を貫通する吸着孔３ｄ…から真空引きしてリードフレー
ム１１を固定する構造である。同図（ｂ）（ｃ）では、
サポートステージ３にリードフレーム１１が載置された
際の第１の半導体チップ１２…と凹部３ａ…との位置関
係が明確になるように、リードフレーム１１と第１の半
導体チップ１２…とを図示してある。
【００６８】凹部３ａ…は、ダイボンディング時に下側
となる５ｍｍ角程度よりも小さい第１の半導体チップ１
２…が遊嵌されるよう、その幅Ｘ3a・Ｙ3aがそれぞれ第
１の半導体チップ１２…の幅Ｘ12・Ｙ12よりも大きく設
定されており、リードフレーム１１はサポートステージ
３の上面に接して支持される。また、サポートステージ
３上面は、ペースト状ダイボンド材塗布用のエリア３ｂ
とダイボンディング用のエリア３ｃとに大別され、吸着
孔３ｄ…はこれらのエリア３ｂ・３ｃに位置する凹部３
ａ…に設けられている。
【００６９】なお、リードフレーム１１の片面にダイボ
ンディングされる第１の半導体チップ１２…は本来１個
であるが、２個ダイボンディングすることも可能となる
ように、凹部３ａをエリア３ｂ・３ｃにそれぞれ２ヶ所
ずつ設けてある。また、第１の半導体チップを３個以上
ダイボンディングするときには、その個数に応じた凹部
３ａ…を設ければよいことは言うまでもない。
【００７０】次に、図４のサポートステージ３を備える
ダイボンダーと、図２のヒータプレート２を備えるワイ
ヤーボンダーとを用いて半導体装置を製造する工程フロ
ーを図５を参照しながら説明する。
【００７１】この工程フローでは、実施の形態１と同様
に、約３ｍｍ角の大きさの第１の半導体チップ１２と、
約７ｍｍ角の大きさの第２の半導体チップ１３とをリー
ドフレーム１１に実装する。
【００７２】図５（ａ）に示すように、まず、従来のサ
ポートステージ２３を備えるダイボンダーを用いて、吸
着孔２３ａからの真空吸着とクランパー６・６とによっ
てリードフレーム１１を固定しながら、リードフレーム
１１の第１の面のダイパッド１１ａに銀ペースト１４を
塗布した後、第１の半導体チップ１２をダイコレット７
・７で押しつけてダイボンディングし、銀ペースト１４
を硬化させる。第１の半導体チップ１２は、後述する第
２の半導体チップ１３のダイボンディング時に何ものに
も接触することがないので、その主回路面には保護のた
めのバッファコートを必要としない。
【００７３】次いで、同図（ｂ）に示すように、凹部３
ａを有するサポートステージ３を備えたダイボンダーを
用い、吸着孔３ｄからの真空吸着とクランパー６・６と
によってエリア３ｂ（図４参照）上にリードフレーム１
１を固定しながら、第１の半導体チップ１２が凹部３ａ
に遊嵌された状態で、リードフレーム１１の第２の面の
ダイパッド１１ｂに銀ペースト１５を塗布する。そし
て、リードフレーム１１をエリア３ｃ（図４参照）上に
搬送した後、上述の方法と同様にリードフレーム１１を
固定し、第１の半導体チップ１２が凹部３ａに遊嵌され
た状態で、主回路面にバッファコート１３ａを施した第
２の半導体チップ１３をダイコレット７・７で押しつけ
てダイボンディングし、銀ペースト１５を硬化させる。
【００７４】なお、この工程において、エリア３ｂとエ
リア３ｃとの間でリードフレーム１１の搬送を行う際、
第１の半導体チップ１２がサポートステージ３に接触し
ないよう、サポートステージ３が銀ペースト１５の塗布
時およびダイボンディング時の位置より下降するように
なっている。また、銀ペースト１５の塗布時およびダイ
ボンディング時には、サポートステージ３の上面によっ
て、ダイパッド１１ｂおよびその外周部分（ダイパッド
１１ｂをリードフレーム１１に固定する図示しないサポ
ートリード、およびリードフレーム１１の外枠部分であ
るクレードル部１１ｆ・１１ｆなど）を支持する必要が
あるため、サポートステージ３は上昇した状態である。
【００７５】ダイボンディングが終了すると、次にワイ
ヤーボンディングを行うが、ワイヤーボンディング以降
の工程（同図（ｃ）ないし（ｆ））は、実施の形態１と
同様であるのでその説明を省略する。
【００７６】なお、本実施の形態のダイボンダーのサポ
ートステージ３は、ペースト状ダイボンド材塗布用のエ
リア３ｂとダインディング用のエリア３ｃとがひと続き
になった構造であるが、両エリア３ｂ・３ｃをそれぞれ
別体のサポートステージとしても、安定にダイボンディ
ングすることができることを確認した。
【００７７】さらに、前述のサポートステージ３の凹部
３ａは、サポートステージ３に直接設けられたものであ
るが、これに限らず、図６に示すように、ペースト状ダ
イボンド材塗布用のエリア４ｃおよびダイボンディング
用のエリア４ｄの凹部４ｂ・４ｂおよびその外周部を独
立した治具４ａ・４ａとして備えるサポートステージ４
とすることもできる。凹部４ｂ…は、ダイボンディング
時に下側となる５ｍｍ角程度よりも小さい第１の半導体
チップ１２…が遊嵌されるよう、その幅Ｘ4b・Ｙ4bがそ
れぞれ第１の半導体チップ１２…の幅Ｘ12・Ｙ12よりも
大きく設定されている。また、ヒータプレート２につい
ても同様である。
【００７８】この場合、第１の半導体チップ１２・１２
の大きさに応じた寸法の凹部４ｂ・４ｂを有する治具４
ａ・４ａを用意しておけば、ダイボンディングあるいは
ワイヤーボンディングする際に、半導体チップ１２・１
２の大きさによって治具４ａ・４ａを適宜交換すること
ができるので有用である。
【００７９】以上のように、本実施の形態のダイボンダ
ーは、凹部３ａ…を有するサポートステージ３、あるい
は凹部４ｂ・４ｂを有する治具４ａ・４ａを持ったサポ
ートステージ４を備えているため、リードフレーム１１
の少なくとも片面に、５ｍｍ角程度よりも小さい第１の
半導体チップ１２・１２を破損せずに安定に実装するこ
とができる。また、サポートステージ３および治具４ａ
・４ａは上下動が可能であるため、リードフレーム１１
の搬送時に、リードフレーム１１および第１の半導体チ
ップ１２・１２の、サポートステージ３あるいは治具４
ａ・４ａへの接触を回避することができる。
【００８０】〔実施の形態３〕 本発明のダイボンダーの他の実施の形態について図７を
用いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便
宜上、前記の実施の形態１および２の図面に示した構成
要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の
符号を付し、その説明を省略する。
【００８１】図７に示すように、本実施の形態のダイボ
ンダーのサポートステージ５は、ペースト状ダイボンド
材塗布用のエリア５ｃとダイボンディング用のエリア５
ｄとに、それぞれ２つの凹部５ｂ・５ｂを有する着脱可
能な治具５ａ・５ａを備える構造である。これらの治具
５ａ・５ａは、図示しないエアーシリンダーによって上
下動が可能となっている。同図（ｂ）（ｃ）では、サポ
ートステージ５にリードフレーム１１が載置された際の
第１の半導体チップ１２…と凹部５ｂ…との位置関係が
明確になるように、リードフレーム１１と第１の半導体
チップ１２…とを図示してある。
【００８２】また、凹部５ｂ…は、ペースト状ダイボン
ド材の塗布時およびダイボンディング時に下側となる第
１の半導体チップ１２…が遊嵌されるよう、その幅Ｘ5b
・Ｙ5bがそれぞれ第１の半導体チップ１２…の幅Ｘ12・
Ｙ12よりも大きく設定されている。
【００８３】このような構造をとることにより、サポー
トステージ５の上面と所定の間隔をおいて図示しない搬
送治具により両端が保持されたリードフレーム１１に対
して、ペースト状ダイボンド材の塗布時およびダイボン
ディング時には治具５ａ・５ａが初期位置から上昇して
接触し、第１の半導体チップ１２…を凹部５ｂ…に遊嵌
させる。この際、治具５ａ・５ａ上面に載置されるリー
ドフレーム１１と凹部５ｂ…とで形成される空間を吸着
孔５ｅ…から真空引きしてリードフレーム１１を固定す
る。
【００８４】また、エリア５ｃとエリア５ｄとの間でリ
ードフレームを搬送する際には、第１の半導体チップ１
２…を保護するために治具５ａ・５ａが初期位置へ下降
した状態にあり、第１の半導体チップ１２…を治具５ａ
・５ａに接触させないようにする。
【００８５】なお、ダイボンディング工程におけるリー
ドフレーム１１の搬送以外は、実施の形態２における工
程と同様であるのでその説明を省略する。
【００８６】このように、本実施の形態のダイボンダー
は、凹部５ｂ・５ｂを有する治具５ａ・５ａを持ったサ
ポートステージ５を備えているため、リードフレーム１
１の少なくとも片面に、５ｍｍ角程度よりも小さい第１
の半導体チップ１２・１２を破損せずに安定に実装する
ことができる。また、治具５ａ・５ａは上下動が可能で
あるため、リードフレーム１１の搬送時に、リードフレ
ーム１１および第１の半導体チップ１２・１２の、治具
５ａ・５ａへの接触を回避することができる。
【００８７】
【発明の効果】請求項１に係る発明のダイボンダーは、
以上のように、リードフレームの第１の面と第２の面と
の両面にこの順で半導体チップをダイボンディングする
際に用いられ、上記リードフレームが載置されるサポー
トステージを備えるダイボンダーにおいて、上記サポー
トステージには、上記第２の面のダイパッドにダイボン
ド材を塗布するあるいは半導体チップをダイボンディン
グする際に、上記第１の面にダイボンディングされた半
導体チップが上記サポートステージと接触しないように
遊嵌される凹部が形成されている、あるいは凹部を有す
る治具が備えられており、上記凹部には上記リードフレ
ームを固定するための真空吸着用の吸着孔が設けられて
いると共に、少なくとも上記ダイパッドの上記第１の面
の一部が上記サポートステージあるいは上記治具の上記
凹部の周縁部に支持される構成である。
【００８８】それゆえ、ダイボンディング時に半導体チ
ップが割れたり欠けたりすることがなくなると共に、主
回路面を保護するためのバッファコートを省略すること
ができる。また、５ｍｍ角以下と小さい半導体チップが
実装されるリードフレームに対して、ダイボンド材の塗
布やダイボンディングを行うときに、リードフレームが
サポートステージ上あるいは治具上で不安定になること
がなく、半導体チップを破損することがない。
【００８９】また、凹部に真空吸着用の吸着孔を設けて
あるので、第１の面にダイボンディングされた半導体チ
ップおよびその周辺と凹部とで形成される空間を真空引
きすることにより、リードフレーム全体が固定される。
【００９０】この結果、リードフレームの両面に、半導
体チップを破損せずに安定に実装することのできる実用
的なダイボンダーを提供することができるという効果を
奏する。
【００９１】請求項２に係る発明のダイボンダーは、以
上のように、リードフレームの第１の面と第２の面との
両面にこの順で半導体チップをダイボンディングする際
に用いられ、上記リードフレームが載置されるサポート
ステージを備えるダイボンダーにおいて、上記サポート
ステージには、上記第２の面のダイパッドにダイボンド
材を塗布するあるいは半導体チップをダイボンディング
する際に、上記第１の面にダイボンディングされた半導
体チップが上記サポートステージと接触しないように遊
嵌される凹部が形成されている、あるいは凹部を有する
治具が備えられており、上記凹部はサポートステージあ
るいは上記治具に半導体チップを遊嵌させたままスライ
ドさせられる溝であると共に、少なくとも上記ダイパッ
ドの上記第１の面の一部が上記サポートステージあるい
は上記治具の上記凹部の周縁部に支持される構成であ
る。
【００９２】それゆえ、ダイボンディング時に半導体チ
ップが割れたり欠けたりすることがなくなると共に、主
回路面を保護するためのバッファコートを省略すること
ができる。また、５ｍｍ角以下と小さい半導体チップが
実装されるリードフレームに 対して、ダイボンド材の塗
布やダイボンディングを行うときに、リードフレームが
サポートステージ上あるいは治具上で不安定になること
がなく、半導体チップを破損することがない。
【００９３】また、リードフレームの搬送を行う際、第
１の半導体チップを溝に遊嵌させたまま、リードフレー
ムを溝に沿ってスライドさせるだけでよく、効率的であ
る。
【００９４】この結果、リードフレームの両面に、半導
体チップを破損せずに安定に実装することのできる実用
的なダイボンダーを提供することができるという効果を
奏する。
【００９５】請求項３に係る発明の半導体装置の製造方
法は、以上のように、請求項１または２に記載のダイボ
ンダーを用い、上記第１の面にダイボンディングされた
半導体チップを上記凹部に遊嵌させて上記第２の面のダ
イパッドにダイボンド材を塗布するあるいは半導体チッ
プをダイボンディングする構成である。
【００９６】それゆえ、ダイボンディング時に半導体チ
ップが割れたり欠けたりすることがなくなると共に、主
回路面を保護するためのバッファコートを省略すること
ができるという効果を奏する。
【００９７】また、５ｍｍ角以下と小さい半導体チップ
が実装されるリードフレームに対して、ダイボンド材の
塗布やダイボンディングを行うときに、リードフレーム
がサポートステージ上あるいは治具上で不安定になるこ
とがなく、半導体チップを破損することがないという効
果を奏する。
【００９８】請求項４に係る発明の半導体装置の製造方
法は、以上のように、請求項１に記載のダイボンダーを
用い、上記第１の面にダイボンディングされた半導体チ
ップを上記凹部に遊嵌させ、上記吸着孔から真空吸着に
より上記リードフレームを固定して上記第２の面のダイ
パッドにダイボンド材を塗布するあるいは半導体チッ プ
をダイボンディングする構成である。
【００９９】それゆえ、ダイボンディング時に半導体チ
ップが割れたり欠けたりすることがなくなると共に、主
回路面を保護するためのバッファコートを省略すること
ができるという効果を奏する。
【０１００】請求項５に係る発明の半導体装置の製造方
法は、以上のように、請求項１または２に記載のダイボ
ンダーであって上記リードフレームの搬送時に、上記リ
ードフレームとダイボンディングされた半導体チップと
が上記サポートステージあるいは上記治具と非接触状態
をなすことが可能なように、上記サポートステージある
いは上記治具がリードフレームに対して近接・離反変位
するダイボンダーを用い、上記サポートステージあるい
は上記治具を上記リードフレームに近接変位させて上記
リードフレームと接触状態にし、上記リードフレームの
上記第１の面あるいは上記第２の面のダイパッドに上記
ダイボンド材を塗布して半導体チップをダイボンディン
グする一方、上記サポートステージあるいは上記治具を
上記リードフレームから離反変位させて上記リードフレ
ームと非接触状態にし、上記リードフレームを搬送する
構成である。
【０１０１】それゆえ、搬送時には半導体チップを含め
たリードフレーム全体がサポートステージあるいは治具
と接触することがないので、半導体チップの破損を防止
することができるという効果を奏する。
【０１０２】請求項６に係る発明の半導体装置の製造方
法は、以上のように、請求項１に記載のダイボンダーで
あって上記リードフレームの搬送時に、上記リードフレ
ームとダイボンディングされた半導体チップとが上記サ
ポートステージあるいは上記治具と非接触状態をなすこ
とが可能なように、上記サポートステージあるいは上記
治具がリードフレームに対して近接・離反変位するダイ
ボンダーを用い、上記サポートステージあるいは上記治
具を上記リードフレームに近接変位させて上記リードフ
レームと接触状態にし、上記吸着孔から真空吸着により
上記リードフレ ームを固定して、上記リードフレームの
上記第１の面あるいは上記第２の面のダイパッドに上記
ダイボンド材を塗布して半導体チップをダイボンディン
グする一方、上記サポートステージあるいは上記治具を
上記リードフレームから離反変位させて上記リードフレ
ームと非接触状態にし、上記リードフレームを搬送する
構成である。
【０１０３】それゆえ、搬送時には半導体チップを含め
たリードフレーム全体がサポートステージあるいは治具
と接触することがないので、半導体チップの破損を防止
することができるという効果を奏する。さらに、凹部に
真空吸着用の吸着孔を設けてあるので、第１の面にダイ
ボンディングされた半導体チップおよびその周辺と凹部
とで形成される空間を真空引きすることにより、リード
フレーム全体が固定され、安定に半導体装置を製造でき
るという効果を奏する。
【０１０４】請求項７に係る発明のワイヤーボンダー
は、以上のように、リードフレームの第１の面と第２の
面との両面のうちの上記第１の面から半導体チップのワ
イヤーボンディングを開始する際に用いられ、上記第１
の面と上記第２の面とには予め上記半導体チップがダイ
ボンディングされており、上記リードフレームが載置さ
れると共に上記リードフレームを加熱するヒータプレー
トを備えるワイヤーボンダーにおいて、上記ヒータプレ
ートには、上記第１の面で半導体チップをワイヤーボン
ディングする際に上記第２の面のダイボンディングされ
た半導体チップが上記ヒータプレートと接触しないよう
に遊嵌される凹部が形成されており、上記凹部には上記
リードフレームを固定するための真空吸着用の吸着孔が
設けられていると共に、少なくとも上記リードフレーム
の上記第２の面の一部が上記ヒータプレートの上記凹部
の周縁部に支持される構成である。
【０１０５】それゆえ、ワイヤーボンディング時に半導
体チップが割れたり欠けたりすることがなくなると共
に、主回路面を保護するためのバッファコートを省略す
ることができる。また、５ｍｍ角以下と小さい半導体チ
ップが実装されるリードフレームに対してワイヤーボン
ディングを行うときに、リードフレームがヒータプレー
ト上で不安定になることがなく、半導体チップを破損す
ることがない。さらに、凹部はヒータプレートに設けら
れているため、リードフレームは凹部以外のヒータプレ
ートに接触しており、ヒータプレートによる加熱によっ
てリードフレーム全体を所望の温度に昇温するのに困難
さを伴わない。
【０１０６】この結果、リードフレームの両面に、半導
体チップを破損せずに安定に実装することのできる実用
的なワイヤーボンダーを提供することができるという効
果を奏する。
【０１０７】請求項８に係る発明の半導体装置の製造方
法は、以上のように、請求項７に記載のワイヤーボンダ
ーを用い、上記第２の面でダイボンディングされた半導
体チップを上記凹部に遊嵌させ、上記吸着孔から真空吸
着により上記リードフレームを固定して上記第１の面で
半導体チップをワイヤーボンディングする構成である。
【０１０８】それゆえ、ワイヤーボンディング時に半導
体チップが割れたり欠けたりすることがなくなると共
に、主回路面を保護するためのバッファコートを省略す
ることができるという効果を奏する。
【０１０９】また、５ｍｍ角以下と小さい半導体チップ
が実装されるリードフレームに対してワイヤーボンディ
ングを行うときに、リードフレームがステージ上で不安
定になることがなく、半導体チップを破損することがな
いという効果を奏する。
【０１１０】さらに、凹部はヒータプレートに設けられ
ているため、リードフレームは凹部以外のヒータプレー
トに接触しており、ヒータプレートによる加熱によって
リードフレーム全体を所望の温度まで容易に昇温するこ
とができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるダイボンダーの
サポートステージを示すものであって、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線矢視断面図、（ｃ）は
（ａ）のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態におけるワイヤーボンダ
ーのヒータプレートを示すものであって、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線矢視断面図、（ｃ）は
（ａ）のＤ−Ｄ’線矢視断面図である。
【図３】（ａ）ないし（ｆ）は、本発明の一実施の形態
における半導体装置の製造方法を示す工程フロー図であ
る。
【図４】本発明の他の実施の形態におけるダイボンダー
のサポートステージを示すものであって、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ’線矢視断面図、（ｃ）は
（ａ）のＦ−Ｆ’線矢視断面図である。
【図５】（ａ）ないし（ｆ）は、本発明の他の実施の形
態における半導体装置の製造方法を示す工程フロー図で
ある。
【図６】本発明の他の実施の形態におけるダイボンダー
の他のサポートステージを示すものであって、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ’線矢視断面図、
（ｃ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線矢視断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施の形態におけるダイボ
ンダーのサポートステージを示すものであって、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ’線矢視断面図、
（ｃ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線矢視断面図である。
【図８】従来のダイボンダーのサポートステージを示す
ものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＫ−
Ｋ’線矢視断面図、（ｃ）は（ａ）のＬ−Ｌ’線矢視断
面図である。
【図９】従来のワイヤーボンダーのヒータプレートを示
すものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＭ
−Ｍ’線矢視断面図、（ｃ）は（ａ）のＮ−Ｎ’線矢視
断面図である。
【図１０】（ａ）ないし（ｆ）は、従来の半導体装置の
製造方法を示す工程フロー図である。
【図１１】（ａ）ないし（ｆ）は、従来の他の半導体装
置の製造方法を示す工程フロー図である。
【符号の説明】
１ サポートステージ １ａ 溝（凹部） ２ ヒータプレート ２ａ 凹部 ３ サポートステージ ３ａ 凹部 ４ サポートステージ ４ｂ 凹部 ５ サポートステージ ５ａ 治具 ５ｂ 凹部 １１ リードフレーム １１ｂ ダイパッド １２ 第１の半導体チップ（半導体チップ） １３ 第２の半導体チップ（半導体チップ） １５ 銀ペースト（ダイボンド材）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 勝信 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−335826（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/52 H01L 21/60 H01L 25/08

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リードフレームの第１の面と第２の面との
    両面にこの順で半導体チップをダイボンディングする際
    に用いられ、上記リードフレームが載置されるサポート
    ステージを備えるダイボンダーにおいて、 上記サポートステージには、上記第２の面のダイパッド
    にダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイ
    ボンディングする際に、上記第１の面にダイボンディン
    グされた半導体チップが上記サポートステージと接触し
    ないように遊嵌される凹部が形成されている、あるいは
    凹部を有する治具が備えられており、上記凹部には上記
    リードフレームを固定するための真空吸着用の吸着孔が
    設けられていると共に、少なくとも上記第１の面の一部
    が上記サポートステージあるいは上記治具の上記凹部の
    周縁部に支持されることを特徴とするダイボンダー。
  2. 【請求項２】リードフレームの第１の面と第２の面との
    両面にこの順で半導体チップをダイボンディングする際
    に用いられ、上記リードフレームが載置されるサポート
    ステージを備えるダイボンダーにおいて、 上記サポートステージには、上記第２の面のダイパッド
    にダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイ
    ボンディングする際に、上記第１の面にダイボンディン
    グされた半導体チップが上記サポートステージと接触し
    ないように遊嵌される凹部が形成されている、あるいは
    凹部を有する治具が備えられており、上記凹部はサポー
    トステージあるいは上記治具に半導体チップを遊嵌させ
    たままスライドさせられる溝であると共に、少なくとも
    上記第１の面の一部が上記サポートステージあるいは上
    記治具の上記凹部の周縁部に支持されることを特徴とす
    るダイボンダー。
  3. 【請求項３】請求項１または２に記載のダイボンダーを
    用い、上記第１の面にダイボンディングされた半導体チ
    ップを上記凹部に遊嵌させて上記第２の面のダイパッド
    にダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイ
    ボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項４】請求項１に記載のダイボンダーを用い、上
    記第１の面にダイボンディングされた半導体チップを上
    記凹部に遊嵌させ、上記吸着孔から真空吸着により上記
    リードフレームを固定して上記第２の面のダイパッドに
    ダイボンド材を塗布するあるいは半導体チップをダイボ
    ンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  5. 【請求項５】請求項１または２に記載のダイボンダーで
    あって上記リードフレームの搬送時に、上記リードフレ
    ームとダイボンディングされた半導体チップとが上記サ
    ポートステージあるいは上記治具と非接触状態をなすこ
    とが可能なように、上記サポートステージあるいは上記
    治具がリードフレームに対して近接・離反変位するダイ
    ボンダーを用い、 上記サポートステージあるいは上記治具を上記リードフ
    レームに近接変位させて上記リードフレームと接触状態
    にし、上記リードフレームの上記第１の面あるいは上記
    第２の面のダイパッドに上記ダイボンド材を塗布して半
    導体チップをダイボンディングする一方、上記サポート
    ステージあるいは上記治具を上記リードフレームから離
    反変位させて上記リードフレームと非接触状態にし、上
    記リードフレームを搬送することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  6. 【請求項６】請求項１に記載のダイボンダーであって上
    記リードフレームの搬送時に、上記リードフレームとダ
    イボンディングされた半導体チップとが上記サポートス
    テージあるいは上記治具と非接触状態をなすことが可能
    なように、上記サポートステージあるいは上記治具がリ
    ードフレームに対して近接・離反変位するダイボンダー
    を用い、 上記サポートステージあるいは上記治具を上記リードフ
    レームに近接変位させて上記リードフレームと接触状態
    にし、上記吸着孔から真空吸着により上記リー ドフレー
    ムを固定して、上記リードフレームの上記第１の面ある
    いは上記第２の面のダイパッドに上記ダイボンド材を塗
    布して半導体チップをダイボンディングする一方、上記
    サポートステージあるいは上記治具を上記リードフレー
    ムから離反変位させて上記リードフレームと非接触状態
    にし、上記リードフレームを搬送することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】リードフレームの第１の面と第２の面との
    両面のうちの上記第１の面から半導体チップのワイヤー
    ボンディングを開始する際に用いられ、上記第１の面と
    上記第２の面とには予め上記半導体チップがダイボンデ
    ィングされており、上記リードフレームが載置されると
    共に上記リードフレームを加熱するヒータプレートを備
    えるワイヤーボンダーにおいて、 上記ヒータプレートには、上記第１の面で半導体チップ
    をワイヤーボンディングする際に上記第２の面のダイボ
    ンディングされた半導体チップが上記ヒータプレートと
    接触しないように遊嵌される凹部が形成されており、上
    記凹部には上記リードフレームを固定するための真空吸
    着用の吸着孔が設けられていると共に、少なくとも上記
    リードフレームの上記第２の面の一部が上記ヒータプレ
    ートの上記凹部の周縁部に支持されることを特徴とする
    ワイヤーボンダー。
  8. 【請求項８】請求項７に記載のワイヤーボンダーを用
    い、上記第２の面でダイボンディングされた半導体チッ
    プを上記凹部に遊嵌させ、上記吸着孔から真空吸着によ
    り上記リードフレームを固定して上記第１の面で半導体
    チップをワイヤーボンディングすることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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