JP3092585B2 - 半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップ吸
着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、表面にバンプ電極が形成された半導
体チップを裏面から吸着して配線基板上にフリップチッ
プ接続する半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用
いた半導体装置の製造方法に関する。
着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、表面にバンプ電極が形成された半導
体チップを裏面から吸着して配線基板上にフリップチッ
プ接続する半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用
いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】メモリやマイクロプロセッサ等のＬＳＩ
（大規模集積回路）を含む半導体装置を製造する方法の
一つとして、フリップチップ接続方法が知られている。
同フリップチップ接続方法は、各種のプロセス工程を経
て製造された半導体ウエハからダイシングした半導体チ
ップ（以下、単に、チップとも称する）を、電極形成面
を下向きにしたフェースダウンで配線基板上に接続（ボ
ンディング）するようにしたものである。このフリップ
チップ接続方法によれば、多数の電極を備えたチップの
接続が簡単になる、ボンディングワイヤが存在していな
いことにより不要な寄生容量、インダクタンスが形成さ
れないので高周波特性が改善される等の利点がある。
（大規模集積回路）を含む半導体装置を製造する方法の
一つとして、フリップチップ接続方法が知られている。
同フリップチップ接続方法は、各種のプロセス工程を経
て製造された半導体ウエハからダイシングした半導体チ
ップ（以下、単に、チップとも称する）を、電極形成面
を下向きにしたフェースダウンで配線基板上に接続（ボ
ンディング）するようにしたものである。このフリップ
チップ接続方法によれば、多数の電極を備えたチップの
接続が簡単になる、ボンディングワイヤが存在していな
いことにより不要な寄生容量、インダクタンスが形成さ
れないので高周波特性が改善される等の利点がある。
【０００３】このようなフリップチップ接続を行う場
合、従来から、チップ吸着用ツールが用いられる。同チ
ップ吸着用ツールは、トレイ等に収容されているチップ
を裏面から真空力により吸着して配線基板上に移送した
後、チップを裏面から加圧して配線基板上に接続する。
このようなフリップチップ接続に用いられるチップの表
面の電極は、接続を容易にするために、アルミニウム等
のパッド電極上に形成された金、銅、半田等からなるボ
ール状のバンプ電極で構成されている。
合、従来から、チップ吸着用ツールが用いられる。同チ
ップ吸着用ツールは、トレイ等に収容されているチップ
を裏面から真空力により吸着して配線基板上に移送した
後、チップを裏面から加圧して配線基板上に接続する。
このようなフリップチップ接続に用いられるチップの表
面の電極は、接続を容易にするために、アルミニウム等
のパッド電極上に形成された金、銅、半田等からなるボ
ール状のバンプ電極で構成されている。
【０００４】例えば特開平５−１４４８７４号公報に
は、このようなフリップチップ接続による半導体装置の
製造方法が開示されている。同公報には、図１５に示す
ように、表面に半田バンプ電極５１が形成されたチップ
５２の裏面を、矢印のような真空吸着力を利用したチッ
プ吸着用ツール５３で吸着して配線基板５４上に移送し
た後、チップ吸着用ツール５３によりチップ５２を裏面
から加圧して、半田バンプ電極５１を溶融させて配線基
板５４上の電極５５に接続することが記載されている。
は、このようなフリップチップ接続による半導体装置の
製造方法が開示されている。同公報には、図１５に示す
ように、表面に半田バンプ電極５１が形成されたチップ
５２の裏面を、矢印のような真空吸着力を利用したチッ
プ吸着用ツール５３で吸着して配線基板５４上に移送し
た後、チップ吸着用ツール５３によりチップ５２を裏面
から加圧して、半田バンプ電極５１を溶融させて配線基
板５４上の電極５５に接続することが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載の従来のチップ吸着用ツールは、チップの裏面に
対向する底面全体がチップ吸着面となっているため、チ
ップの加圧を均一に行うのが困難なので、バンプ電極の
加圧にばらつきが生ずる、という問題がある。このた
め、バンプ電極の接続が良好に行われなくなって、フリ
ップチップ接続の信頼性が低下するようになる。
報記載の従来のチップ吸着用ツールは、チップの裏面に
対向する底面全体がチップ吸着面となっているため、チ
ップの加圧を均一に行うのが困難なので、バンプ電極の
加圧にばらつきが生ずる、という問題がある。このた
め、バンプ電極の接続が良好に行われなくなって、フリ
ップチップ接続の信頼性が低下するようになる。
【０００６】例えば、図１６に示すように、何らかの原
因でチップ吸着用ツールのチップ吸着面にうねり５６が
生じた場合に、このうねり５６がチップ吸着面の全体を
通じてチップ５２に伝わるようになる。このため、チッ
プ５２に不要な加重が加わるようになってチップ５２が
変形するので、チップの加圧が均一に行われなくなる。
また、図１７に示すように、塵埃等の不要な異物５７が
チップ吸着面とチップ５２の裏面との間に存在している
ような場合にも、上述した場合と同様にチップ５２に不
要な加重が加わるようになるので、同様な欠点が生じ
る。
因でチップ吸着用ツールのチップ吸着面にうねり５６が
生じた場合に、このうねり５６がチップ吸着面の全体を
通じてチップ５２に伝わるようになる。このため、チッ
プ５２に不要な加重が加わるようになってチップ５２が
変形するので、チップの加圧が均一に行われなくなる。
また、図１７に示すように、塵埃等の不要な異物５７が
チップ吸着面とチップ５２の裏面との間に存在している
ような場合にも、上述した場合と同様にチップ５２に不
要な加重が加わるようになるので、同様な欠点が生じ
る。
【０００７】また、チップ吸着面の加工精度が低くて平
坦度に欠けている場合にも、チップ吸着面とチップ裏面
との間の密着性が悪くなるので、チップの加圧が均一に
行われない原因となる。この原因を除くには、チップ吸
着面の全体にわたって仕上げ加工を施せばよいが、チッ
プ吸着面全体にわたる仕上げ加工は手間がかかるので容
易でない。
坦度に欠けている場合にも、チップ吸着面とチップ裏面
との間の密着性が悪くなるので、チップの加圧が均一に
行われない原因となる。この原因を除くには、チップ吸
着面の全体にわたって仕上げ加工を施せばよいが、チッ
プ吸着面全体にわたる仕上げ加工は手間がかかるので容
易でない。
【０００８】このようにチップの加圧が均一に行われな
いと、バンプ電極の加圧にばらつきが生ずるようにな
る。この結果、フリップチップ接続において、バンプ電
極を溶融させることなく押し潰しただけで配線基板上に
接続を行う方法では、バンプ電極の潰れ量にばらつきが
生じるので、接続が良好に行われなくなる。また、バン
プ電極を押し潰すことなく単に配線基板上に接触させた
ままで、接着剤によりチップと配線基板との間を保持を
行う接続方法では、バンプ電極の接触力にばらつきが生
ずるので、上述の場合と同様に接続が良好に行われなく
なる。
いと、バンプ電極の加圧にばらつきが生ずるようにな
る。この結果、フリップチップ接続において、バンプ電
極を溶融させることなく押し潰しただけで配線基板上に
接続を行う方法では、バンプ電極の潰れ量にばらつきが
生じるので、接続が良好に行われなくなる。また、バン
プ電極を押し潰すことなく単に配線基板上に接触させた
ままで、接着剤によりチップと配線基板との間を保持を
行う接続方法では、バンプ電極の接触力にばらつきが生
ずるので、上述の場合と同様に接続が良好に行われなく
なる。
【０００９】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、フリップチップ接続を行うにあたり、バンプ電
極にのみ有効な加圧力を働かせて同バンプ電極の加圧の
ばらつきを低減できるようにした半導体チップ吸着用ツ
ール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
もので、フリップチップ接続を行うにあたり、バンプ電
極にのみ有効な加圧力を働かせて同バンプ電極の加圧の
ばらつきを低減できるようにした半導体チップ吸着用ツ
ール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、表面に複数のバンプ電極が
形成された半導体チップを裏面から吸着して配線基板上
にフリップチップ接続するための半導体チップ吸着用ツ
ールに係り、上記複数のバンプ電極の配列に略相当した
形状の突起部が底面に設けられ、該突起部が上記配列に
略対応した半導体チップの裏面に位置決めされるように
用いられることを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、表面に複数のバンプ電極が
形成された半導体チップを裏面から吸着して配線基板上
にフリップチップ接続するための半導体チップ吸着用ツ
ールに係り、上記複数のバンプ電極の配列に略相当した
形状の突起部が底面に設けられ、該突起部が上記配列に
略対応した半導体チップの裏面に位置決めされるように
用いられることを特徴としている。
【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体チップ吸着用ツールに係り、上記突起部が、上記底
面の略中央位置に形成されている吸着孔の周囲を完全に
囲むように設けられていることを特徴としている。
導体チップ吸着用ツールに係り、上記突起部が、上記底
面の略中央位置に形成されている吸着孔の周囲を完全に
囲むように設けられていることを特徴としている。
【００１２】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体チップ吸着用ツールに係り、上記突起部が上記吸着
孔の周囲を完全に囲んでいない構成において、上記吸着
孔の縁に上記突起部の高さよりも低い無端状突起部が設
けられていることを特徴としている。
導体チップ吸着用ツールに係り、上記突起部が上記吸着
孔の周囲を完全に囲んでいない構成において、上記吸着
孔の縁に上記突起部の高さよりも低い無端状突起部が設
けられていることを特徴としている。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１、２又は
３記載の半導体チップ吸着用ツールに係り、上記突起部
の高さが、上記半導体チップの厚さの５０〜１５０％の
値を有していることを特徴としている。
３記載の半導体チップ吸着用ツールに係り、上記突起部
の高さが、上記半導体チップの厚さの５０〜１５０％の
値を有していることを特徴としている。
【００１４】請求項５記載の発明は、請求項１〜４のい
ずれか１に記載の半導体チップ吸着用ツールに係り、上
記突起部の幅が、上記バンプ電極の直径の２００〜４０
０％の値を有していることを特徴としている。
ずれか１に記載の半導体チップ吸着用ツールに係り、上
記突起部の幅が、上記バンプ電極の直径の２００〜４０
０％の値を有していることを特徴としている。
【００１５】請求項６記載の発明は、請求項３、４又は
５記載の半導体チップ吸着用ツールに係り、上記無端状
突起部の高さが、上記突起部の高さの５０〜９０％の値
を有していることを特徴としている。
５記載の半導体チップ吸着用ツールに係り、上記無端状
突起部の高さが、上記突起部の高さの５０〜９０％の値
を有していることを特徴としている。
【００１６】また、請求項７記載の発明は、請求項１乃
至６のいずれか１に記載の半導体チップ吸着用ツールに
係り、上記底面の外側まわりが、上記半導体チップのそ
れよりも小さく設定されていることを特徴としている。
至６のいずれか１に記載の半導体チップ吸着用ツールに
係り、上記底面の外側まわりが、上記半導体チップのそ
れよりも小さく設定されていることを特徴としている。
【００１７】また、請求項８記載の発明は、請求項１記
載の半導体チップ吸着用ツールを用いた半導体装置を製
造するための方法に係り、表面に複数のバンプ電極が形
成された半導体チップの上記バンプ電極の配列に略相当
した形状の突起部が底面に設けられた半導体チップ吸着
用ツールを用いて、上記突起部を上記配列に略対応した
上記半導体チップの裏面に位置決めする半導体チップ吸
着用ツール位置決め工程と、上記半導体チップを上記半
導体チップ吸着用ツールにより吸着して、配線基板上に
移送する半導体チップ移送工程と、上記半導体チップ吸
着用ツールにより、上記半導体チップのバンプ電極を上
記配線基板上の導体部に接触させた後該半導体チップを
裏面から加圧するフリップチップ接続工程とを含むこと
を特徴としている。
載の半導体チップ吸着用ツールを用いた半導体装置を製
造するための方法に係り、表面に複数のバンプ電極が形
成された半導体チップの上記バンプ電極の配列に略相当
した形状の突起部が底面に設けられた半導体チップ吸着
用ツールを用いて、上記突起部を上記配列に略対応した
上記半導体チップの裏面に位置決めする半導体チップ吸
着用ツール位置決め工程と、上記半導体チップを上記半
導体チップ吸着用ツールにより吸着して、配線基板上に
移送する半導体チップ移送工程と、上記半導体チップ吸
着用ツールにより、上記半導体チップのバンプ電極を上
記配線基板上の導体部に接触させた後該半導体チップを
裏面から加圧するフリップチップ接続工程とを含むこと
を特徴としている。
【００１８】また、請求項９記載の発明は、請求項８記
載の半導体チップ吸着用ツールを用いた半導体装置を製
造するための方法に係り、上記フリップチップ接続工程
において、上記半導体チップを上記半導体チップ吸着用
ツールにより加熱することを特徴としている。
載の半導体チップ吸着用ツールを用いた半導体装置を製
造するための方法に係り、上記フリップチップ接続工程
において、上記半導体チップを上記半導体チップ吸着用
ツールにより加熱することを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である半導体チップ吸着
用ツールを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、また、図２は、この例の
同半導体チップ吸着用ツールが適用される半導体チップ
を示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＢ−Ｂ矢視断面図である。この例の半導体チップ（以
下、チップとも称する）吸着用ツール１は、図１に示す
ように、例えばセラミック、金属等のように硬度に優
れ、かつ比較的熱伝導性に優れた材料からなる方形状の
横断面を有し、その底面２には、図２に示すような、平
面が方形状のチップ５の表面６に同チップ５の四辺に沿
って形成された、複数のバンプ電極７の囲い状の配列
（破線で囲んでいる領域）１０に略相当した形状の突起
部３が設けられている。同チップ吸着用ツール１は、チ
ップ５を吸着するときは、同突起部３がバンプ電極７の
配列１０に略対応した同チップ５の裏面８に位置決めさ
れるように用いられる。
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である半導体チップ吸着
用ツールを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、また、図２は、この例の
同半導体チップ吸着用ツールが適用される半導体チップ
を示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＢ−Ｂ矢視断面図である。この例の半導体チップ（以
下、チップとも称する）吸着用ツール１は、図１に示す
ように、例えばセラミック、金属等のように硬度に優
れ、かつ比較的熱伝導性に優れた材料からなる方形状の
横断面を有し、その底面２には、図２に示すような、平
面が方形状のチップ５の表面６に同チップ５の四辺に沿
って形成された、複数のバンプ電極７の囲い状の配列
（破線で囲んでいる領域）１０に略相当した形状の突起
部３が設けられている。同チップ吸着用ツール１は、チ
ップ５を吸着するときは、同突起部３がバンプ電極７の
配列１０に略対応した同チップ５の裏面８に位置決めさ
れるように用いられる。
【００２０】同突起部３は、底面２の略中央位置に形成
されている吸着孔４の周囲を完全に囲むように、無端状
に設けられている。これによって、チップ吸着用ツール
１の底面２をチップ５の裏面８に対向させて、突起部３
をチップ５の裏面８に接して同チップ５を吸着するとき
の真空漏れを防止している。吸着孔４は、図示を省略し
ているが真空源に接続されている。同様にして、チップ
吸着用ツール１の基部にはヒータが設置されていて、チ
ップ５を吸着したときに同チップ５を加熱できるように
構成されている。
されている吸着孔４の周囲を完全に囲むように、無端状
に設けられている。これによって、チップ吸着用ツール
１の底面２をチップ５の裏面８に対向させて、突起部３
をチップ５の裏面８に接して同チップ５を吸着するとき
の真空漏れを防止している。吸着孔４は、図示を省略し
ているが真空源に接続されている。同様にして、チップ
吸着用ツール１の基部にはヒータが設置されていて、チ
ップ５を吸着したときに同チップ５を加熱できるように
構成されている。
【００２１】チップ吸着用ツール１が適用されるチップ
５は、２５０〜３５０μｍの厚さを有し、同チップ５の
表面６のバンプ電極７は例えば金からなり、７０〜１０
０μｍの直径及び４０〜７０μｍの高さを有している。
このバンプ電極７の形成は、例えば金線を用いたワイヤ
ボンディング技術を利用して形成される。
５は、２５０〜３５０μｍの厚さを有し、同チップ５の
表面６のバンプ電極７は例えば金からなり、７０〜１０
０μｍの直径及び４０〜７０μｍの高さを有している。
このバンプ電極７の形成は、例えば金線を用いたワイヤ
ボンディング技術を利用して形成される。
【００２２】チップ吸着用ツール１の底面２の突起部３
の高さＨは、チップ５の厚さの５０〜１５０％の値を有
し、また、同突起部３の幅Ｗはバンプ電極７の直径の２
００〜４００％の値を有している。同突起部３の高さＨ
及び幅Ｗを上述の値に設定することによって、チップ吸
着用ツール１によりチップ５の裏面８を吸着して加圧を
行うとき、チップ５を変形させることなく効果的な加圧
を行うことができるようになる。
の高さＨは、チップ５の厚さの５０〜１５０％の値を有
し、また、同突起部３の幅Ｗはバンプ電極７の直径の２
００〜４００％の値を有している。同突起部３の高さＨ
及び幅Ｗを上述の値に設定することによって、チップ吸
着用ツール１によりチップ５の裏面８を吸着して加圧を
行うとき、チップ５を変形させることなく効果的な加圧
を行うことができるようになる。
【００２３】特に突起部３の幅Ｗを上述の値に設定する
ことによって、チップ５の吸着時に避けられない位置ず
れが生じても、同突起部３にバンプ電極７の外形より略
１００μｍ以上の幅を持たせることが可能となり、これ
によってバンプ電極７にのみ有効な加圧力を確実に働か
せることができるようになる。すなわち、チップ５の吸
着時には機械精度の上で略±５０μｍ以内の位置ずれが
避けられないが、この位置ずれを考慮しても、突起部３
に対してバンプ電極７の配列に略対応した位置決め状態
を維持させることができるようになる。
ことによって、チップ５の吸着時に避けられない位置ず
れが生じても、同突起部３にバンプ電極７の外形より略
１００μｍ以上の幅を持たせることが可能となり、これ
によってバンプ電極７にのみ有効な加圧力を確実に働か
せることができるようになる。すなわち、チップ５の吸
着時には機械精度の上で略±５０μｍ以内の位置ずれが
避けられないが、この位置ずれを考慮しても、突起部３
に対してバンプ電極７の配列に略対応した位置決め状態
を維持させることができるようになる。
【００２４】また、チップ吸着用ツール１の底面２の外
形は、チップ５のそれよりも小さく形成されている。こ
れにより、同チップ吸着用ツール１によりチップ５を吸
着するとき、同突起部３をバンプ電極７の配列１０に略
対応したチップ５の裏面８に位置決めする作業が容易に
行われるように図られている。また、フリップチップ接
続に接着剤を用いる方法においては、この接着剤がチッ
プ５の側面を介して裏面に回り込んだ場合のチップ吸着
用ツール１に対する影響が避けられる。
形は、チップ５のそれよりも小さく形成されている。こ
れにより、同チップ吸着用ツール１によりチップ５を吸
着するとき、同突起部３をバンプ電極７の配列１０に略
対応したチップ５の裏面８に位置決めする作業が容易に
行われるように図られている。また、フリップチップ接
続に接着剤を用いる方法においては、この接着剤がチッ
プ５の側面を介して裏面に回り込んだ場合のチップ吸着
用ツール１に対する影響が避けられる。
【００２５】次に、図３及び図４を参照して、この例の
チップ吸着用ツール１を用いた半導体装置の製造方法に
ついて工程順に説明する。まず、図３に示すように、表
面６に複数のバンプ電極７が形成されたチップ５及びチ
ップ吸着用ツール１を用いて、その突起部３をバンプ電
極７の配列１０に略対応したチップ５の裏面８に位置決
めする。この位置決め作業は、通常のフリップチップ接
続を行う場合に実施している方法を利用して行うことが
できる。
チップ吸着用ツール１を用いた半導体装置の製造方法に
ついて工程順に説明する。まず、図３に示すように、表
面６に複数のバンプ電極７が形成されたチップ５及びチ
ップ吸着用ツール１を用いて、その突起部３をバンプ電
極７の配列１０に略対応したチップ５の裏面８に位置決
めする。この位置決め作業は、通常のフリップチップ接
続を行う場合に実施している方法を利用して行うことが
できる。
【００２６】次に、チップ５の裏面８を、矢印のような
真空吸着力を利用したチップ吸着用ツール１により吸着
して、配線基板９上に移送した後、バンプ電極７を同配
線基板９上の導体部（パッド配線）１１と対向させて接
触させる。続いて、チップ吸着用ツール１によりチップ
５の裏面８から加圧し、同時に、図示しないヒータによ
りチップ５を３００〜４００℃に加熱する。
真空吸着力を利用したチップ吸着用ツール１により吸着
して、配線基板９上に移送した後、バンプ電極７を同配
線基板９上の導体部（パッド配線）１１と対向させて接
触させる。続いて、チップ吸着用ツール１によりチップ
５の裏面８から加圧し、同時に、図示しないヒータによ
りチップ５を３００〜４００℃に加熱する。
【００２７】これにより、図４に示すように、バンプ電
極７は押し潰されて配線基板９上の導体部１１に接続さ
れて、チップ５がフリップチップ接続された半導体装置
が製造される。上述のバンプ電極７の接続時、チップ吸
着用ツール１は、突起部３がバンプ電極７の配列１０に
略対応したチップ５の裏面８に位置決めされているの
で、バンプ電極７にのみ有効な加圧力が働く。このた
め、バンプ電極７は均一に加圧されるようになって、そ
の加圧のばらつきが低減される。したがって、バンプ電
極７の潰れ量のばらつきも低減されるので、バンプ電極
７は良好に導体部１１に接続される。
極７は押し潰されて配線基板９上の導体部１１に接続さ
れて、チップ５がフリップチップ接続された半導体装置
が製造される。上述のバンプ電極７の接続時、チップ吸
着用ツール１は、突起部３がバンプ電極７の配列１０に
略対応したチップ５の裏面８に位置決めされているの
で、バンプ電極７にのみ有効な加圧力が働く。このた
め、バンプ電極７は均一に加圧されるようになって、そ
の加圧のばらつきが低減される。したがって、バンプ電
極７の潰れ量のばらつきも低減されるので、バンプ電極
７は良好に導体部１１に接続される。
【００２８】次に、図５及び図６を参照して、この例の
チップ吸着用ツール１を用いた他の半導体装置の製造方
法について工程順に説明する。まず、図５に示すよう
に、予め導体部１１を覆う領域に例えばエポキシ樹脂等
からなる接着剤１２を塗布した配線基板９を用意して、
図３と略同じように、チップ５をチップ吸着用ツール１
により吸着して、配線基板９上に移送した後、バンプ電
極７を同配線基板９上の導体部１１と対向させる。
チップ吸着用ツール１を用いた他の半導体装置の製造方
法について工程順に説明する。まず、図５に示すよう
に、予め導体部１１を覆う領域に例えばエポキシ樹脂等
からなる接着剤１２を塗布した配線基板９を用意して、
図３と略同じように、チップ５をチップ吸着用ツール１
により吸着して、配線基板９上に移送した後、バンプ電
極７を同配線基板９上の導体部１１と対向させる。
【００２９】次に、チップ５の裏面８をチップ吸着用ツ
ール１により加圧すると同時に、図示しないヒータによ
りチップ５を略２００℃に加熱すると、接着剤１２が軟
化して周囲部に広がるとともに、バンプ電極７が導体部
１１に接触するようになる。このとき、万一接着剤がチ
ップ５の側面を介して裏面に回り込んだとしても、同チ
ップ吸着用ツール１の底面２の外形が、チップ５のそれ
よりも小さく形成されていることにより、その影響を避
けることができる。
ール１により加圧すると同時に、図示しないヒータによ
りチップ５を略２００℃に加熱すると、接着剤１２が軟
化して周囲部に広がるとともに、バンプ電極７が導体部
１１に接触するようになる。このとき、万一接着剤がチ
ップ５の側面を介して裏面に回り込んだとしても、同チ
ップ吸着用ツール１の底面２の外形が、チップ５のそれ
よりも小さく形成されていることにより、その影響を避
けることができる。
【００３０】次に、加熱を停止することにより、接着剤
１２は自然に冷却されて固化されるので、図６に示すよ
うに、チップ５と配線基板９との間が接着剤１２により
保持されて、チップ５がフリップチップ接続された半導
体装置が製造される。この場合にも、バンプ電極７の接
続時、チップ吸着用ツール１は、突起部３がバンプ電極
７の配列１０に略対応したチップ５の裏面８に位置決め
されているので、上述の場合と同様にバンプ電極７にの
み有効な加圧力が働く。したがって、バンプ電極７の加
圧のばらつきが低減されるので、バンプ電極７は良好に
導体部１１に接続される。
１２は自然に冷却されて固化されるので、図６に示すよ
うに、チップ５と配線基板９との間が接着剤１２により
保持されて、チップ５がフリップチップ接続された半導
体装置が製造される。この場合にも、バンプ電極７の接
続時、チップ吸着用ツール１は、突起部３がバンプ電極
７の配列１０に略対応したチップ５の裏面８に位置決め
されているので、上述の場合と同様にバンプ電極７にの
み有効な加圧力が働く。したがって、バンプ電極７の加
圧のばらつきが低減されるので、バンプ電極７は良好に
導体部１１に接続される。
【００３１】このように、この例の構成によれば、チッ
プ吸着用ツール１の底面２には、チップ５の表面６に形
成された複数のバンプ電極７の囲い状の配列１０に略相
当した形状の突起部３が設けられて、同突起部３がバン
プ電極７の配列１０に略対応した同チップ５の裏面８に
位置決めされるように用いられるので、バンプ電極７に
のみ有効な加圧力が働くようになるため、同バンプ電極
７の加圧のばらつきを低減できる。したがって、バンプ
電極７の接続が良好に行われるので、フリップチップ接
続の信頼性を向上させることができる。
プ吸着用ツール１の底面２には、チップ５の表面６に形
成された複数のバンプ電極７の囲い状の配列１０に略相
当した形状の突起部３が設けられて、同突起部３がバン
プ電極７の配列１０に略対応した同チップ５の裏面８に
位置決めされるように用いられるので、バンプ電極７に
のみ有効な加圧力が働くようになるため、同バンプ電極
７の加圧のばらつきを低減できる。したがって、バンプ
電極７の接続が良好に行われるので、フリップチップ接
続の信頼性を向上させることができる。
【００３２】すなわち、チップ吸着面の面積は突起部３
によって決定されて小さくなるので、チップ吸着用ツー
ル１の底面２にうねりが生じたような場合でもその影響
はほとんど無視できるようになる。また、塵埃等の不要
な異物が突起部３とチップ５との間に存在する確率も低
くくなる。また、面積の小さい突起部３に対してのみ仕
上げ加工を施せばよいので、加工が容易となる。
によって決定されて小さくなるので、チップ吸着用ツー
ル１の底面２にうねりが生じたような場合でもその影響
はほとんど無視できるようになる。また、塵埃等の不要
な異物が突起部３とチップ５との間に存在する確率も低
くくなる。また、面積の小さい突起部３に対してのみ仕
上げ加工を施せばよいので、加工が容易となる。
【００３３】◇第２実施例 図７は、この発明の第２実施例であるチップ吸着用ツー
ルを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図、また、図８は、この例の同
チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ矢視
断面図である。この第２実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の二重の囲い状の配列に略相当
した形状に設けるようにした点である。すなわち、図７
に示すように、この例のチップ吸着用ツール１５の突起
部１３は、図８に示したチップ５の表面６に同チップ５
の四辺に沿って形成された、複数のバンプ電極１４の二
重の囲い状の配列１６に略相当した形状に設けられてい
る。
ルを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図、また、図８は、この例の同
チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ矢視
断面図である。この第２実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の二重の囲い状の配列に略相当
した形状に設けるようにした点である。すなわち、図７
に示すように、この例のチップ吸着用ツール１５の突起
部１３は、図８に示したチップ５の表面６に同チップ５
の四辺に沿って形成された、複数のバンプ電極１４の二
重の囲い状の配列１６に略相当した形状に設けられてい
る。
【００３４】この例のチップ吸着用ツール１５を用い
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極１４が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール１５により、その突起部１３をバンプ
電極１４の配列１６に略対応したチップ５の裏面８に位
置決めして吸着した後、第１実施例の場合と略同様に配
線基板９上に移送して加圧すればよい。これ以外は、上
述した第１実施例と略同様である。それゆえ、図７及び
図８において、図１及び図２の構成部分と対応する各部
には、同一の番号を付してその説明を省略する。
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極１４が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール１５により、その突起部１３をバンプ
電極１４の配列１６に略対応したチップ５の裏面８に位
置決めして吸着した後、第１実施例の場合と略同様に配
線基板９上に移送して加圧すればよい。これ以外は、上
述した第１実施例と略同様である。それゆえ、図７及び
図８において、図１及び図２の構成部分と対応する各部
には、同一の番号を付してその説明を省略する。
【００３５】このように、この例の構成によっても、突
起部１３がバンプ電極１４の配列１６に略対応した同チ
ップ５の裏面８に位置決めされるように用いられるの
で、バンプ電極１４にのみ有効な加圧力が働くようにな
るため、第１実施例において述べたのと略同様の効果を
得ることができる。
起部１３がバンプ電極１４の配列１６に略対応した同チ
ップ５の裏面８に位置決めされるように用いられるの
で、バンプ電極１４にのみ有効な加圧力が働くようにな
るため、第１実施例において述べたのと略同様の効果を
得ることができる。
【００３６】◇第３実施例 図９は、この発明の第３実施例であるチップ吸着用ツー
ルを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＥ−Ｅ矢視断面図、また、図１０は、この例の
同チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＦ−Ｆ矢視
断面図である。この第３実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の並行列状の配列に略相当した
形状に設けるようにした点である。すなわち、図９に示
すように、この例のチップ吸着用ツール１７の突起部１
８、１９は、図１０に示したチップ５の表面６に同チッ
プ５の二辺に沿って形成された、複数のバンプ電極２０
の並行列状の配列２１、２２に略相当した形状に設けら
れている。
ルを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＥ−Ｅ矢視断面図、また、図１０は、この例の
同チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＦ−Ｆ矢視
断面図である。この第３実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の並行列状の配列に略相当した
形状に設けるようにした点である。すなわち、図９に示
すように、この例のチップ吸着用ツール１７の突起部１
８、１９は、図１０に示したチップ５の表面６に同チッ
プ５の二辺に沿って形成された、複数のバンプ電極２０
の並行列状の配列２１、２２に略相当した形状に設けら
れている。
【００３７】ここで、突起部１８、１９は吸着孔４の周
囲を完全に囲んでいない構成になっているので、チップ
５の吸着時に真空漏れが発生する。このため、この真空
漏れをできるだけ抑えるために、吸着孔４の縁に例えば
リング状の無端状突起部２３を設ける。この無端状突起
部２３の高さは、突起部１８、１９の高さに接近してい
ることが望ましいが、加工精度の関係でこの高さは同突
起部１８、１９のそれの５０〜９０％の値に選ばれる。
囲を完全に囲んでいない構成になっているので、チップ
５の吸着時に真空漏れが発生する。このため、この真空
漏れをできるだけ抑えるために、吸着孔４の縁に例えば
リング状の無端状突起部２３を設ける。この無端状突起
部２３の高さは、突起部１８、１９の高さに接近してい
ることが望ましいが、加工精度の関係でこの高さは同突
起部１８、１９のそれの５０〜９０％の値に選ばれる。
【００３８】この例のチップ吸着用ツール１７を用い
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極２０が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール１７により、その突起部１８、１９を
各々バンプ電極２０の配列２１、２２に略対応したチッ
プ５の裏面８に位置決めして吸着した後、第１実施例の
場合と略同様に配線基板９上に移送して加圧すればよ
い。
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極２０が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール１７により、その突起部１８、１９を
各々バンプ電極２０の配列２１、２２に略対応したチッ
プ５の裏面８に位置決めして吸着した後、第１実施例の
場合と略同様に配線基板９上に移送して加圧すればよ
い。
【００３９】このように、この例の構成によっても、突
起部１８、１９がバンプ電極２０の配列２１、２２に略
対応した同チップ５の裏面８に位置決めされるように用
いられるので、バンプ電極２０にのみ有効な加圧力が働
くようになるため、第１実施例において述べたのと略同
様の効果を得ることができる。
起部１８、１９がバンプ電極２０の配列２１、２２に略
対応した同チップ５の裏面８に位置決めされるように用
いられるので、バンプ電極２０にのみ有効な加圧力が働
くようになるため、第１実施例において述べたのと略同
様の効果を得ることができる。
【００４０】◇第４実施例 図１１は、この発明の第４実施例であるチップ吸着用ツ
ールを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＧ−Ｇ矢視断面図、また、図１２はこの例の同
チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ矢視
断面図である。この第４実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の列千鳥状の配列に略相当した
形状に設けるようにした点である。すなわち、図１１に
示すように、この例のチップ吸着用ツール２４の突起部
２５〜２９は、図１２に示したチップ５の表面６に形成
された複数のバンプ電極３０の列千鳥状の配列３１〜３
５に略相当した形状に設けられている。そして、吸着孔
４の縁には無端状突起部３６が設けられている。
ールを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＧ−Ｇ矢視断面図、また、図１２はこの例の同
チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ矢視
断面図である。この第４実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の列千鳥状の配列に略相当した
形状に設けるようにした点である。すなわち、図１１に
示すように、この例のチップ吸着用ツール２４の突起部
２５〜２９は、図１２に示したチップ５の表面６に形成
された複数のバンプ電極３０の列千鳥状の配列３１〜３
５に略相当した形状に設けられている。そして、吸着孔
４の縁には無端状突起部３６が設けられている。
【００４１】この例のチップ吸着用ツール２４を用い
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極３０が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール２４により、その突起部２５〜２９を
各々バンプ電極３０の配列３１〜３５に略対応したチッ
プ５の裏面８に位置決めして吸着した後、第１実施例の
場合と略同様に配線基板９上に移送して加圧すればよ
い。
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極３０が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール２４により、その突起部２５〜２９を
各々バンプ電極３０の配列３１〜３５に略対応したチッ
プ５の裏面８に位置決めして吸着した後、第１実施例の
場合と略同様に配線基板９上に移送して加圧すればよ
い。
【００４２】このように、この例の構成によっても、突
起部２５〜２９がバンプ電極３０の配列３１〜３５に略
対応した同チップ５の裏面８に位置決めされるように用
いられるので、バンプ電極３０にのみ有効な加圧力が働
くようになるため、第１実施例において述べたのと略同
様の効果を得ることができる。
起部２５〜２９がバンプ電極３０の配列３１〜３５に略
対応した同チップ５の裏面８に位置決めされるように用
いられるので、バンプ電極３０にのみ有効な加圧力が働
くようになるため、第１実施例において述べたのと略同
様の効果を得ることができる。
【００４３】◇第５実施例 図１３は、この発明の第５実施例であるチップ吸着用ツ
ールを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＩ−Ｉ矢視断面図、また、図１４は、この例の
同チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＪ−Ｊ矢視
断面図である。この第５実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の一列状の配列に略相当した形
状に設けるようにした点である。すなわち、図１３に示
すように、この例のチップ吸着用ツール３７の突起部３
８は、図１４に示したチップ５の表面６に形成された、
複数のバンプ電極４０の一列状の配列４１に略相当した
形状に設けられている。また、同バンプ電極４０が一列
のみ設けられていることにより、チップ５の吸着時に傾
くおそれがあるので、この傾きを防止して安定化させる
ために、突起部３８にはこれに略直交するように補強用
突起部３９が設けられている。同補強用突起部３９の高
さ及び幅は突起部３８と略同様に選ばれる。また、この
例の場合は、吸着孔４に接して突起部３８及び補強用突
起部３９が設けられているので、無端状突起部は不要と
なる。
ールを示し、同図（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＩ−Ｉ矢視断面図、また、図１４は、この例の
同チップ吸着用ツールが適用されるチップを示し、同図
（ａ）は底面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＪ−Ｊ矢視
断面図である。この第５実施例のチップ吸着用ツールの
構成が、上述の第１実施例のそれと大きく異なるところ
は、突起部をバンプ電極の一列状の配列に略相当した形
状に設けるようにした点である。すなわち、図１３に示
すように、この例のチップ吸着用ツール３７の突起部３
８は、図１４に示したチップ５の表面６に形成された、
複数のバンプ電極４０の一列状の配列４１に略相当した
形状に設けられている。また、同バンプ電極４０が一列
のみ設けられていることにより、チップ５の吸着時に傾
くおそれがあるので、この傾きを防止して安定化させる
ために、突起部３８にはこれに略直交するように補強用
突起部３９が設けられている。同補強用突起部３９の高
さ及び幅は突起部３８と略同様に選ばれる。また、この
例の場合は、吸着孔４に接して突起部３８及び補強用突
起部３９が設けられているので、無端状突起部は不要と
なる。
【００４４】この例のチップ吸着用ツール３７を用い
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極４０が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール３７により、その突起部３８をバンプ
電極４０の配列４１に略対応したチップ５の裏面８に位
置決めして吸着した後、第１実施例の場合と略同様に配
線基板９上に移送して加圧すればよい。この場合、突起
部３８には補強用突起部３９が組み合わされているの
で、チップ５の吸着は安定に行われる。
て、チップ５のフリップチップ接続を行うには、表面６
に複数のバンプ電極４０が形成されたチップ５を、同チ
ップ吸着用ツール３７により、その突起部３８をバンプ
電極４０の配列４１に略対応したチップ５の裏面８に位
置決めして吸着した後、第１実施例の場合と略同様に配
線基板９上に移送して加圧すればよい。この場合、突起
部３８には補強用突起部３９が組み合わされているの
で、チップ５の吸着は安定に行われる。
【００４５】このように、この例の構成によっても、突
起部３８がバンプ電極４０の配列４１に略対応した同チ
ップ５の裏面８に位置決めされるように用いられるの
で、バンプ電極４０にのみ有効な加圧力が働くようにな
るため、第１実施例において述べたのと略同様の効果を
得ることができる。
起部３８がバンプ電極４０の配列４１に略対応した同チ
ップ５の裏面８に位置決めされるように用いられるの
で、バンプ電極４０にのみ有効な加圧力が働くようにな
るため、第１実施例において述べたのと略同様の効果を
得ることができる。
【００４６】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、突起部
の高さ及び幅、チップの厚さ、バンプ電極の直径及び高
さ等の値は一例を示したものであり、目的、用途等に応
じて変更が可能である。また、バンプ電極の材料は金に
限らず、銅、半田等の導電性に優れたものを選ぶことが
できる。また、バンプ電極として半田等の低融点材料を
用いる場合は、加圧するだけで押し潰すことが可能なの
で、チップの加圧時に同チップを加熱することは必ずし
も必要ではない。また、バンプ電極を完全に溶融してフ
リップチップ接続する方法にも適用することができる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、突起部
の高さ及び幅、チップの厚さ、バンプ電極の直径及び高
さ等の値は一例を示したものであり、目的、用途等に応
じて変更が可能である。また、バンプ電極の材料は金に
限らず、銅、半田等の導電性に優れたものを選ぶことが
できる。また、バンプ電極として半田等の低融点材料を
用いる場合は、加圧するだけで押し潰すことが可能なの
で、チップの加圧時に同チップを加熱することは必ずし
も必要ではない。また、バンプ電極を完全に溶融してフ
リップチップ接続する方法にも適用することができる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
チップ吸着用ツール及び装置及び該ツールを用いた半導
体装置の製造方法によれば、チップ吸着用ツールの底面
には、チップの表面に形成された複数のバンプ電極の配
列に略相当した形状の突起部が設けられて、同突起部が
バンプ電極の配列に略対応した同チップの裏面に位置決
めされるように用いられるので、バンプ電極にのみ有効
な加圧力が働くようになるため、同バンプ電極の加圧の
ばらつきを低減できる。したがって、バンプ電極の接続
が良好に行われるので、フリップチップ接続の信頼性を
向上させることができる。
チップ吸着用ツール及び装置及び該ツールを用いた半導
体装置の製造方法によれば、チップ吸着用ツールの底面
には、チップの表面に形成された複数のバンプ電極の配
列に略相当した形状の突起部が設けられて、同突起部が
バンプ電極の配列に略対応した同チップの裏面に位置決
めされるように用いられるので、バンプ電極にのみ有効
な加圧力が働くようになるため、同バンプ電極の加圧の
ばらつきを低減できる。したがって、バンプ電極の接続
が良好に行われるので、フリップチップ接続の信頼性を
向上させることができる。
【図１】この発明の第１実施例である半導体チップ吸着
用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ矢視断面図である。
用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ矢視断面図である。
【図２】同半導体チップ吸着用ツールが適用される半導
体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ矢視断面図である。
体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ矢視断面図である。
【図３】同半導体チップ吸着用ツールを用いた半導体装
置の製造方法を工程順に示す工程図である。
置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図４】同半導体チップ吸着用ツールを用いた半導体装
置の製造方法を工程順に示す工程図である。
置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図５】同半導体チップ吸着用ツールを用いた他の半導
体装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
体装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図６】同半導体チップ吸着用ツールを用いた他の半導
体装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
体装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図７】この発明の第２実施例である半導体チップ吸着
用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＣ
−Ｃ矢視断面図である。
用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＣ
−Ｃ矢視断面図である。
【図８】同半導体チップ吸着用ツールが適用される半導
体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ矢視断面図である。
体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ矢視断面図である。
【図９】この発明の第３実施例である半導体チップ吸着
用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＥ
−Ｅ矢視断面図である。
用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＥ
−Ｅ矢視断面図である。
【図１０】同半導体チップ吸着用ツールが適用される半
導体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｆ−Ｆ矢視断面図である。
導体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｆ−Ｆ矢視断面図である。
【図１１】この発明の第４実施例である半導体チップ吸
着用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｇ−Ｇ矢視断面図である。
着用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｇ−Ｇ矢視断面図である。
【図１２】同半導体チップ吸着用ツールが適用される半
導体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｈ−Ｈ矢視断面図である。
導体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｈ−Ｈ矢視断面図である。
【図１３】この発明の第５実施例である半導体チップ吸
着用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｉ−Ｉ矢視断面図である。
着用ツールを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｉ−Ｉ矢視断面図である。
【図１４】同半導体チップ吸着用ツールが適用される半
導体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｊ−Ｊ矢視断面図である。
導体チップを示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｊ−Ｊ矢視断面図である。
【図１５】従来例による半導体チップ吸着用ツールを示
す断面図である。
す断面図である。
【図１６】同半導体チップ吸着用ツールの問題点を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図１７】同半導体チップ吸着用ツールの問題点を説明
する断面図である。
する断面図である。
１、１５、１７、２４、３７ 半導体チップ吸着用ツー
ル ２ 底面 ３、１３、１８、１９、２５、２６、２７、２８、２
９、３８ 突起部 ４ 吸着孔 ５ 半導体チップ ６ 半導体チップの表面 ７、１４、２０、３０、４０ バンプ電極 ８ 半導体チップの裏面 ９ 配線基板 １０、１６、２１、２２、３１、３２、３３、３４、３
５、４１ バンプ電極の配列 １１ 導体部 １２ 接着剤 ２３、３６ 無端状突起部 ３９ 補強用突起部
ル ２ 底面 ３、１３、１８、１９、２５、２６、２７、２８、２
９、３８ 突起部 ４ 吸着孔 ５ 半導体チップ ６ 半導体チップの表面 ７、１４、２０、３０、４０ バンプ電極 ８ 半導体チップの裏面 ９ 配線基板 １０、１６、２１、２２、３１、３２、３３、３４、３
５、４１ バンプ電極の配列 １１ 導体部 １２ 接着剤 ２３、３６ 無端状突起部 ３９ 補強用突起部
Claims (9)
- 【請求項１】 表面に複数のバンプ電極が形成された半
導体チップを裏面から吸着して配線基板上にフリップチ
ップ接続するための半導体チップ吸着用ツールであっ
て、 前記複数のバンプ電極の配列に略相当した形状の突起部
が底面に設けられ、該突起部が前記配列に略対応した前
記半導体チップの裏面に位置決めされるように用いられ
ることを特徴とする半導体チップ吸着用ツール。 - 【請求項２】 前記突起部は、前記底面の略中央位置に
形成されている吸着孔の周囲を完全に囲むように設けら
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ
吸着用ツール。 - 【請求項３】 前記突起部が前記吸着孔の周囲を完全に
囲んでいない構成において、前記吸着孔の縁に前記突起
部の高さよりも低い無端状突起部が設けられていること
を特徴とする請求項１記載の半導体チップ吸着用ツー
ル。 - 【請求項４】 前記突起部の高さは、前記半導体チップ
の厚さの５０〜１５０％の値を有していることを特徴と
する請求項１、２又は３記載の半導体チップ吸着用ツー
ル。 - 【請求項５】 前記突起部の幅は、前記バンプ電極の直
径の２００〜４００％の値を有していることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか１に記載の半導体チップ吸
着用ツール。 - 【請求項６】 前記無端状突起部の高さは、前記突起部
の高さの５０〜９０％の値を有していることを特徴とす
る請求項３、４又は５に記載の半導体チップ吸着用ツー
ル。 - 【請求項７】 前記底面の外側まわりは、前記半導体チ
ップのそれよりも小さく設定されていることを特徴とす
る請求項１乃至６のいずれか１に記載の半導体チップ吸
着用ツール。 - 【請求項８】 請求項１記載の半導体チップ吸着用ツー
ルを用いた半導体装置を製造するための方法であって、 表面に複数のバンプ電極が形成された半導体チップの前
記バンプ電極の配列に略相当した形状の突起部が底面に
設けられた半導体チップ吸着用ツールを用いて、前記突
起部を前記配列に略対応した前記半導体チップの裏面に
位置決めする半導体チップ吸着用ツール位置決め工程
と、 前記半導体チップを前記半導体チップ吸着用ツールによ
り吸着して、配線基板上に移送する半導体チップ移送工
程と、 前記半導体チップ吸着用ツールにより、前記半導体チッ
プのバンプ電極を前記配線基板上の導体部に接触させた
後該半導体チップを裏面から加圧するフリップチップ接
続工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置を製造するた
めの方法であって、前記フリップチップ接続工程におい
て、前記半導体チップを前記半導体チップ吸着用ツール
により加熱することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107456A JP3092585B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107456A JP3092585B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307580A JPH11307580A (ja) | 1999-11-05 |
| JP3092585B2 true JP3092585B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=14459638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10107456A Expired - Fee Related JP3092585B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 半導体チップ吸着用ツール及び該ツールを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3092585B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313843A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 接続装置 |
| JP4541807B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2010-09-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体素子保持装置および半導体素子の搬送方法 |
| JP2009147068A (ja) | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2010002357A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Akim Kk | 振動子片特性検査装置及び振動子片特性検査方法 |
| JP2011187699A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6212011B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2017-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP6788922B1 (ja) * | 2020-01-10 | 2020-11-25 | 上野精機株式会社 | 電子部品の処理装置 |
-
1998
- 1998-04-17 JP JP10107456A patent/JP3092585B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH11307580A (ja) | 1999-11-05 |
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